JP2000298352A - 電子部品用材料およびその使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた保存安定性や光硬化性を示す電子部品
用材料およびその使用方法を提供する。 【解決手段】 下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有すること
を特徴とする電子部品用材料およびその使用方法。 （Ａ）一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物
およびその加水分解物あるいはいずれか一方の化合物 （Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P （１） ［一般式（１）中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加
水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜
３の整数である。］ （Ｂ）光酸発生剤 （Ｃ）脱水剤

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用材料お
よびその使用方法に関する。より詳細には、耐熱性、密
着性、および電気絶縁性等に優れた光硬化物を短時間で
得ることができる、保存安定性にも優れた電子部品用材
料およびその電子部品用材料の使用方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、下地に対する密着性に優れ、しか
も耐熱性、電気絶縁性、透明性等に優れた光硬化物が得
られることから、アクリル系光硬化性材料やエポキシ系
光硬化性材料に代わる光硬化性材料として、ポリシロキ
サン系組成物を含む光硬化性材料が提案されている。例
えば、米国特許５，３８５，９５５号には、エポキシ基
含有アルコキシシランと、アルキルアルコキシシランの
加水分解物と、コロイダルシリカと、光開始剤とからな
る光硬化性材料が開示されている。また、特開平６−１
４８８９５号公報には、水および触媒を加えて加水分解
した後、疎水性有機溶媒や乾燥剤を用いて水および触媒
を除去して得られるアルカリ可溶性シロキサンポリマー
と、光酸発生剤と、溶剤とからなる感光性樹脂組成物が
開示されている。さらに、特開平１０−２４６９６０号
公報には、水および触媒を加えて加水分解した後、水、
触媒および副生アルコールを留出させながら縮合するこ
とにより、水および触媒を除去して得られるアルカリ可
溶性シロキサンポリマーと、光酸発生剤と、溶剤とから
なる感光性樹脂組成物が開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、米国特
許５３８５９５５号に開示された光硬化性材料は、水分
の影響を受けやすいとともに、光硬化速度が遅いという
問題が見られた。したがって、硬化不良が生じやすく、
光硬化物とした場合の耐熱性や耐候性の特性がばらつき
やすいという問題が見られた。一方、かかる光硬化性材
料の光硬化速度を速めようとすると、保存安定性が低下
しやすいという問題が見られた。また、特開平６−１４
８８９５号公報や特開平１０−２４６９６０号公報に開
示された感光性樹脂組成物についても、水分の影響を受
けやすいとともに、光硬化速度が遅かったり、保存安定
性に乏しいという問題が見られた。すなわち、疎水性有
機溶媒を用いたり、留出させながら縮合するだけでは感
光性樹脂組成物から十分に水分を除去することができ
ず、また、感光性樹脂組成物自身には脱水剤が含まれて
いないために、外部から侵入してくる水分やシロキサン
ポリマーが経時的に発生する水分の影響を排除すること
はできなかった。

【０００４】そこで、本発明の発明者らは鋭意検討した
結果、加水分解性シラン化合物と、光酸発生剤と、脱水
剤とを組み合わせることにより、上述した問題を解決で
きることを見出した。すなわち、電子部品用材料中に脱
水剤を添加することにより、電子部品用材料中に含まれ
る水分、加水分解性シラン化合物の自己縮合により生成
する水分、塗工時に外気から侵入してくる水分等を有効
に除去することにより、電子部品用材料の光硬化反応を
速め、しかも保存安定性を著しく向上させることを見出
した。よって、本発明は、耐熱性、密着性、電気絶縁性
等に優れた光硬化物を短時間で得ることができ、しかも
保存安定性に優れた電子部品用材料およびその使用方法
を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、下記（Ａ）〜
（Ｃ）成分を含有する電子部品用材料に関する。 （Ａ）一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物
およびその加水分解物あるいはいずれか一方の化合物 （Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P （１） ［一般式（１）中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加
水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜
３の整数である。］ （Ｂ）光酸発生剤 （Ｃ）脱水剤 このように電子部品用材料を構成することにより、光硬
化反応を速くするとともに、保存安定性等を著しく高め
ることができる。また、かかる電子部品用材料は、酸素
阻害もなく、パターン露光することも可能である。な
お、かかる電子部品用材料は、光硬化性であるばかり
か、熱硬化性の特性も有しており、適宜組み合わせて硬
化させることができる。

【０００６】また、本発明の電子部品用材料を構成する
にあたり、粘度を５〜１００００ｃｐｓ（測定温度２５
℃）の範囲内の値とすることが好ましい。このように粘
度範囲を規定することにより、充填性に優れた半導体封
止用材料や半導体アンダーフィル用材料、あるいは液晶
封止用材料等として好適に使用することができる。すな
わち、粘度が５ｃｐｓ未満となると、所定箇所から流れ
出す場合があり、逆に粘度が１００００ｃｐｓを超える
と、流動性が低下して、気泡を巻き込みやすくなる場合
がある。

【０００７】また、本発明の電子部品用材料を構成する
にあたり、光硬化後の５％重量減少温度（窒素雰囲気中
測定）を２００〜５００℃の範囲内の値とすることが好
ましい。このように５％重量減少温度を規定することに
より、より優れた耐熱性が得られ、回路保護用材料等と
して、好適に使用することができる。

【０００８】また、本発明の電子部品用材料を構成する
にあたり、光硬化後の比誘電率（周波数１００ｋＨｚ）
を２．０〜３．５の範囲内の値とすることが好ましい。
このように比誘電率の値を規定することにより、優れた
高周波特性が得られ、層間絶縁膜用材料や回路保護用材
料等として、好適に使用することができる。

【０００９】また、本発明の電子部品用材料を構成する
にあたり、光硬化後の体積抵抗率を１×１０¹⁴〜１×１
０¹⁷Ω・ｃｍの範囲内の値とすることが好ましい。この
ように体積抵抗率を規定することにより、より優れた電
気絶縁性が得られ、層間絶縁膜用材料や回路保護用材料
等として、好適に使用することができる。

【００１０】また、本発明の電子部品用材料を構成する
にあたり、光硬化後の熱膨張係数を０．１×１０^-5〜１
００×１０^-5／℃の範囲内の値とすることが好ましい。
このように熱膨張係数を規定することにより、優れた熱
的安定性が得られるため、半導体封止用材料等として使
用した場合に、高い信頼性を得ることができる。

【００１１】また、本発明の電子部品用材料を構成する
にあたり、光硬化物とした場合の光透過率（波長５５０
ｎｍ）を８０％以上の値とすることが好ましい。このよ
うに光透過率を規定することにより、より優れた透明性
が得られ、半導体封止用材料や半導体アンダーフィル用
材料、あるいは液晶封止用材料等に使用した場合に、目
視にて封止状態等を検査することができる。

【００１２】また、本発明の別の態様は、上述した電子
部品用材料の使用方法であり、半導体封止用材料（ポッ
ティング用材料）、半導体アンダーフィル用材料、半導
体保護膜用材料、層間絶縁膜用材料、回路基材用材料、
平坦化材料、回路基板保護用材料、エッチングレジスト
用材料、めっきレジスト用材料、または液晶封止用材料
として使用することを特徴とする。これらの用途に使用
することにより、本発明の電子部品用材料における優れ
た耐熱性や、比誘電率や、体積抵抗率や、熱膨張係数
や、透明性等の特性を効率的に発揮することができるた
めである。

【００１３】また、本発明の電子部品用材料を使用する
にあたり、電子部品用材料を塗工する工程と、露光工程
と、加熱工程とを含んで実施することが好ましい。この
ように使用することにより、電子部品用材料の光硬化反
応ばかりか、熱硬化反応も利用することができる。した
がって、露光されない箇所や、光硬化が不充分な箇所が
あったとしても、加熱することにより、より耐熱性や、
耐アルカリ現像液性に優れた硬化物を得ることができ
る。

【００１４】また、本発明の電子部品用材料を使用する
にあたり、パターン露光工程と、現像工程と、ポストベ
ーク工程とを含んで上述した電子部品用材料を適用する
ことが好ましい。このように使用すると、パターン化さ
れた光硬化物を、精度良く得ることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の電子部品用材料やその典
型的な使用方法における実施の形態を、電子部品用材料
の構成成分や用途等の観点から、具体的に説明する。

【００１６】［第１の実施形態］本発明の第１の実施形
態は、加水分解性シラン化合物の加水分解物（Ａ成
分）、光酸発生剤（Ｂ成分）、および脱水剤（Ｃ成分）
を含有する電子部品用材料である。したがって、まず、
紫外線を光酸発生剤に照射することにより酸（酸性活性
種）を発生させ、次いで発生した酸を利用して、（Ａ）
成分の加水分解物を光硬化させることができる。

【００１７】（１）加水分解性シラン化合物における加
水分解物 第１の実施形態で使用する加水分解物は、一般式（１）
で示される加水分解性シラン化合物を加水分解した化合
物である。 （Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P （１） ［一般式（１）中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加
水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜
３の整数である。］ ここで、Ｘで表される加水分解性基は、通常、無触媒、
過剰の水の共存下、室温（２５℃）〜１００℃の温度範
囲内で加熱することにより、加水分解されてシラノール
基を生成することができる基、もしくはシロキサン縮合
物を形成することができる基を指す。このような加水分
解性基Ｘとしては、水素原子、炭素数１〜１２のアルコ
キシ基、ハロゲン原子、アミノ基およびカルボキシル基
等が挙げられる。なお、加水分解性基Ｘは、電子部品用
材料の構成成分を配合する時点で加水分解されている必
要は必ずしもなく、光照射する段階で、少なくとも一部
の加水分解性基が加水分解されていれば良い。したがっ
て、加水分解性シラン化合物を予め加水分解せずに使用
した場合には、事前に水を添加して、加水分解性基を加
水分解させて、シラノール基を生成させることにより、
電子部品用材料を光硬化させることができる。

【００１８】また、一般式（１）における有機基Ｒ¹は
非加水分解性である１価の有機基であり、加水分解性基
Ｘが加水分解される条件において、そのまま安定に存在
する性質を有している。このような有機基Ｒ¹として
は、例えば、非重合性あるいは重合性であるアルキル
基、アリ−ル基、アラルキル基が挙げられる。したがっ
て、式（１）で表される好ましい加水分解性シラン化合
物（単に、シラン化合物と称する場合がある。）として
は、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシ
ラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、
（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビ
ニルトリメトキシシラン、グリシジロキシプロピルトリ
メトキシシラン、３−（３−メチル−３−オキセタンメ
トキシ）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−エチ
ル−３−オキセタンメトキシ）プロピルトリエトキシシ
ラン等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げら
れる。

【００１９】（２）光酸発生剤 第１の実施形態である電子部品用材料に使用する光酸発
生剤（Ｂ成分）は、光等のエネルギー線を照射すること
により、（Ａ）成分である加水分解性シラン化合物を光
硬化（架橋）可能な酸性活性物質を放出することができ
る化合物と定義される。このような光酸発生剤として
は、オニウム塩やスルフォン酸誘導体を挙げることがで
きる。また、オニウム塩のうち、より好ましいのは下記
一般式（２）で表されるジアリールヨードニウム塩であ
る。 ［Ｒ²−Ａｒ¹−Ｉ⁺−Ａｒ²−Ｒ³］［Ｙ^-］ （２） ［一般式（２）中、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ１価の有
機基であり、同一でも異なっていてもよく、Ｒ²および
Ｒ³の少なくとも一方は炭素数が４以上のアルキル基を
有しており、Ａｒ¹およびＡｒ²はそれぞれ芳香族基であ
り、同一でも異なっていてもよく、Ｙ^-は１価の陰イオ
ンであり、周期律表３族、５族のフッ化物陰イオンもし
くは、ＣｌＯ₄ ^-、ＣＦ₃−ＳＯ₃ ^-から選ばれる陰イオン
である。］

【００２０】また、光酸発生剤の添加量は特に制限され
るものではないが、（Ａ）成分１００重量部に対して、
通常０．１〜１５重量部の範囲内の値とするのが好まし
い。光酸発生剤の添加量が０．１重量部未満となると、
光硬化性が低下し、十分な硬化速度が得られない傾向が
ある。一方、光酸発生剤の添加量が１５重量部を超える
と、得られる光硬化物とした場合のの耐候性や耐熱性が
低下する傾向がある。したがって、光硬化性と得られる
光硬化物とした場合のの耐候性等とのバランスがより良
好な観点から、光酸発生剤の添加量を、（Ａ）成分１０
０重量部に対して１〜１０重量部の範囲内の値とするこ
とがより好ましい。

【００２１】（３）脱水剤 定義 次に、第１の実施形態における脱水剤について説明す
る。まず、第１の実施形態の電子部品用材料に使用され
る脱水剤は、化学反応により水以外の物質に変換する化
合物、物理吸着または包接により、光硬化性および保存
安定性に影響を与えなくする化合物と定義される。この
ような脱水剤を含有することにより、電子部品用材料の
耐候性や耐熱性を損なうことなく、保存安定性や光硬化
性という相反する特性を向上させることができる。すな
わち、外部から侵入してくる水を、脱水剤が有効に吸収
するために電子部品用材料の保存安定性が向上し、一
方、光硬化反応である縮合反応においては、生成した水
を順次に脱水剤が有効に吸収すして、電子部品用材料の
光硬化性を向上させることができる。

【００２２】脱水剤の種類 次に、第１の実施形態に使用する脱水剤の種類を説明す
る。かかる脱水剤の種類は特に制限されるものでない
が、カルボン酸エステル、アセタール類（ケタール類を
含む。）、およびカルボン酸無水物等の有機化合物や、
セラミック粉体等無機化合物が挙げられる。このような
脱水剤としては、オルト蟻酸メチル、オルト蟻酸エチ
ル、オルト蟻酸プロピル、オルト蟻酸ブチル、オルト酢
酸メチル、オルト酢酸エチル、オルト酢酸プロピル、オ
ルト酢酸ブチル、オルトプロピオン酸メチルおよびオル
トプロピオン酸エチル、酢酸トリメチルシリル、酢酸ト
リブチルシリル、蟻酸トリメチルシリル、シュウ酸トリ
メチルシリル、ジメチルアセタール、ジエチルアセター
ル、ケテンシリルアセタール類、無水酢酸、無水コハク
酸等の一種単独または二種以上の組み合わせを挙げるこ
とができる。

【００２３】脱水剤の性状 また、脱水剤の性状は特に制限されるものではないが、
例えば、常温、常圧条件において、固体もしくは液体で
ある化合物が好ましい。したがって、脱水剤が有機化合
物から選ばれる場合、その沸点（常圧条件下）を、４０
〜２００℃の範囲内の値とすることが好ましい。すなわ
ち、沸点がこのような範囲内の値であれば、室温（２５
℃）〜２００℃の乾燥条件で効率的に揮発させることが
でき、光硬化後に容易に除去することが可能である。一
方、脱水剤が無機化合物から選ばれる場合、光硬化性樹
脂組成物の塗布性、透明性を損なわないように、均一に
分散可能なものが好ましい。

【００２４】脱水剤の添加量 脱水剤の添加量は特に制限されるものではないが、
（Ａ）成分１００重量部に対して、通常、０．１〜１０
０重量部の範囲内の値とするのが好ましい。脱水剤の添
加量が０．１重量部未満となると、添加効果の発現に乏
しい傾向があり、また、保存安定性や光硬化性の向上効
果が低い傾向がある。一方、脱水剤の添加量が１００重
量部を越えると、保存安定性や光硬化性の向上効果が飽
和する傾向がある。したがって、より好ましくは、脱水
剤の添加量を（Ａ）成分１００重量部に対して、０．５
〜５０重量部の範囲内の値であり、さらに好ましくは、
１〜１０重量部の範囲内の値である。

【００２５】（４）添加剤 第１の実施形態である電子部品用材料には、高分子添加
剤、反応性希釈剤、ラジカル性光重合開始剤、光増感
剤、有機溶剤、重合禁止剤、重合開始助剤、レベリング
剤、濡れ性改良剤、界面活性剤、可塑剤、紫外線吸収
剤、酸化防止剤、帯電防止剤、シランカップリング剤、
無機充填剤、顔料、染料等を含有させることができる。

【００２６】例えば、反応性希釈剤として、カチオン重
合性モノマーやエチレン性不飽和モノマーを（Ａ）成分
１００重量部に対して、０．１〜５０重量部の範囲内で
添加することにより、光硬化性を調節したり、あるいは
得られる光硬化物の膜厚を調節したり、硬化収縮を低減
したりすることができる。より具体的には、分子量１０
００〜１００００のシラノール末端ポリジメチルシリコ
ーン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシシラ
ン、３−グリシジロキシプロピルトリメトキシシシラン
等を添加することにより、光硬化物の膜厚を５〜２０μ
ｍと厚く形成したり、硬化収縮を低減したりすることが
できる。

【００２７】また、（Ａ）成分１００重量部あたり、１
〜４００重量部の範囲内で高分子添加剤を用いることが
好ましい。高分子添加剤にはとくに制限はないが、ビニ
ル系重合体が汎用的に用いられる。また、ポリイミド等
耐熱性に優れた高分子添加剤を用いることもできる。さ
らに、フッ素含有重合体を添加することが好ましい。こ
のようにフッ素含有重合体を添加することにより、光硬
化物の誘電率を低下させることができる。フッ素含有オ
レフィン化合物を重合させたフッ素含有重合体、例え
ば、下記一般式（３）で表されるノニオン性反応性乳化
剤であることが好ましい。

【００２８】

【化１】

【００２９】［一般式（３）中、ｎは１〜２０の整数で
あり、ｍは１〜１０の整数であり、ｕは１〜５０の整数
である。］高分子添加剤は、（Ａ）成分との相溶性を良
好にするために、アルコキシシリル基、イソシアネート
基、メルカプト基、エポキシ基、オキセタン基またはア
クリロイル基を導入した化合物が好ましい。

【００３０】さらに、良好な相溶性を得るために、ビニ
ル単量体を、ラジカル発生剤としてアゾ基含有ポリシロ
キサンを用いて重合して得られた高分子添加剤が好まし
い。また、アルカリ現像性を良好にするには、カルボキ
シル基、フェノール基、等を導入することが好ましい。
このように高分子添加剤を用いることにより、内部応力
を低下させることができるため、膜厚１０μｍ以上の硬
化塗膜とした場合にも、クラックの発生を有効に防止す
ることができる。また、このように高分子添加剤を用い
ることにより、優れたアルカリ現像性を有する光硬化物
を得ることができる。

【００３１】（５）電子部品用材料 性状 第１の実施形態である電子部品用材料の粘度を、５〜１
００００ｃｐｓ（２５℃）の範囲内の値とするのが好ま
しい。粘度がこれらの範囲を超えると、均一な塗膜を形
成することが困難となる傾向がある。なお、かかる電子
部品用材料の粘度は、粘度調整剤（反応性希釈剤）や有
機溶媒の配合量によって、適宜調整することができる。

【００３２】コーティング方法 第１の実施形態である電子部品用材料を使用する場合、
まず、適用部材（半導体素子、基板、回路パターン）に
コーテイングしたり、ポッティングする方法が一般に採
られる。ここで、電子部品用材料のコーテイング方法や
ポッティング方法は特に制限されるものではないが、例
えば、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロ
ールコート法、スピンコート法、カーテンコート法、グ
ラビア印刷法、シルクスクリーン法、メタルマスク法、
スリットダイコート法、またはインクジェット法等の方
法を用いることができる。

【００３３】光照射 第１の実施形態である電子部品用材料に光を照射する手
段としては、特に制限されるものではなく、用途に応じ
て種々の手段を採用することができる。例えば、高圧水
銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、エ
キシマーランプ等の光源を用いて、波長２００〜５００
ｎｍの紫外線または可視光を、露光量が１００〜２００
０ｍＪ／ｃｍ²となるように光照射することができる。
また、レーザ光、あるいはレンズ、ミラー等を用いて得
られた収束光等を走査させながら電子部品用材料に照射
することもできる。さらに、所定パターンの光透過部を
有するマスクを用い、このパターンマスクを介して非収
束光を組成物に照射したり、あるいは、多数の光ファイ
バーを束ねてなる導光部材を用いてパターン露光するこ
とも好ましい。このようにパターン露光すると、半導体
封止用樹脂等に用いた場合に、不要部分に付着した半導
体封止用樹脂は露光せず除去することができる。

【００３４】ポストベーク また、電子部品用材料を露光して光硬化物を作成後、７
０〜２００℃の範囲内の温度で、１分〜１２０分間、さ
らに加熱（ポストベーク）することが好ましい。このよ
うにポストベークすることにより、光硬化反応による硬
化に加えて、熱硬化反応による硬化を促進させることが
できる。より具体的には、オーブンやホットプレート、
あるいは赤外線加熱装置を用いて、電子部品用材料にお
ける（Ａ）成分中の光硬化しなかった残基（水酸基およ
びアルコキシ基）を熱硬化させて、より耐熱性や現像特
性に優れた光硬化物とすることができる。なお、従来の
感光性ポリイミド系樹脂等においては、２５０℃以上の
高い温度でのポストベークが一般に必要であったため
に、実装する半導体素子や接続箇所を損傷する場合が見
られた。しかしながら、本発明の電子部品用材料は、低
温でのポストベークが可能であるため、このような問題
がない。

【００３５】ここで、図１２を用いて、ポストベーク条
件についてより詳細に説明する。図１２は、横軸にポス
トベーク温度（ポストベーク時間は６０分で一定）を採
って示してあり、縦軸に現像特性についての下記評価点
１〜４を採って示してある。また、電子部品用材料は、
後述する実施例１の組成物であり、バーコータを用い
て、石英板上に乾燥後厚さが５μｍとなるように形成し
てあり、それにライン＆スペース２５μｍ／２５μｍの
ストライプ状のフォトマスクを介して、２００ｍＪ／ｃ
ｍ²となるように露光し、その後、水酸化ナトリウム水
溶液（濃度１重量％）を用いて現像してある。図１２の
結果から明かなように、ポストベーク温度が高い程、評
価点が高い傾向が見られたが、ポストベーク温度が１０
０℃以上となると、飽和する傾向が見られた。 評価点４：光硬化物がフォトマスクパターンを完全に再
現している。 評価点３：光硬化物がフォトマスクパターンをほぼ完全
に再現している。 評価点２：硬化膜の表面タックが少々あり、ＭＩＢＫに
よりわずかに膨潤する。 評価点１：硬化膜の表面タックがあり、ＭＩＢＫにより
溶解する。

【００３６】光硬化物の特性 電子部品用材料から得られる光硬化物の５％重量減少温
度（窒素雰囲気中測定）を２００〜５００℃の範囲内の
値とすることが好ましい。この理由は、５％重量減少温
度が２００℃未満となると、回路基板を形成する際に、
耐熱性が問題となる場合があり、回路保護用材料等に使
用できない場合があるためである。一方、５００℃を超
えると、電子部品用材料に使用可能な材料の種類が過度
に制限される場合があるためである。したがって、回路
基板形成に必要な耐熱温度や使用材料の制限とのバラン
スがより良好な点から、光硬化物の５％重量減少温度
（窒素雰囲気中測定）を２５０〜４５０℃の範囲内の値
とすることがより好ましく、３００〜４２５℃の範囲内
の値とすることがより好ましい。

【００３７】また、電子部品用材料から得られる光硬化
物の比誘電率（周波数１００ｋＨｚ）を２．０〜３．５
の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、かか
る比誘電率が２．０未満となると、電子部品用材料に使
用可能な材料の種類が過度に制限される場合があるため
であり、一方、３．５を超えると、高周波損失が大きく
なったり、インピーダンスマッチングが困難となり、層
間絶縁膜用材料や半導体封止用材料に使用できない場合
があるためである。したがって、高周波損失等と、使用
材料の制限とのバランスがより良好な点から、光硬化物
の比誘電率（周波数１００ｋＨｚ）を２．０〜３．３の
範囲内の値とすることがより好ましく、２．０〜３．０
の範囲内の値とすることがさらに好ましい。

【００３８】また、電子部品用材料から得られる光硬化
物の体積抵抗率を１×１０¹⁴〜１×１０¹⁷Ω・ｃｍの範
囲内の値とすることが好ましい。この理由は、かかる体
積抵抗率が１×１０¹⁴Ω・ｃｍ未満となると、電気絶縁
性が低下し、層間絶縁膜用材料や半導体封止用材料、あ
るいは半導体アンダーフィル用材料等の用途への使用が
制限される場合があるためであり、体積抵抗率が１×１
０¹⁷Ω・ｃｍを超えると、電子部品用材料に使用可能な
材料の種類が過度に制限される場合があるためである。
したがって、電気絶縁性と、使用材料の制限とのバラン
スがより良好な点から、光硬化物の体積抵抗率を１×１
０¹⁵〜１×１０¹⁷Ω・ｃｍの範囲内の値とすることがよ
り好ましく、５×１０¹⁵〜５×１０¹⁶Ω・ｃｍの範囲内
の値とすることがさらに好ましい。

【００３９】また、電子部品用材料から得られる光硬化
物の熱膨張係数を０．１×１０^-5〜１００×１０^-5／℃
の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、かか
る熱膨張係数が０．１×１０^-5１／℃未満となると、電
子部品用材料に使用可能な材料の種類が過度に制限され
る場合があるためであり、熱膨張係数が１００×１０^-5
／℃を超えると、熱応力が発生しやすくなり、層間絶縁
膜用材料や半導体封止用材料、あるいは半導体アンダー
フィル用材料等の用途への使用が制限される場合がある
ためである。したがって、熱的安定性や接続信頼性と、
使用材料の制限とのバランスがより良好な点から、光硬
化物の熱膨張係数を０．５×１０^-5〜５０×１０^-5／℃
の範囲内の値とすることがより好ましく、１．０×１０
^-5〜３０×１０^-5／℃の範囲内の値とすることがさらに
好ましい。

【００４０】また、電子部品用材料から得られる光硬化
物の光透過率（波長５５０ｎｍ）を８０％以上の値とす
ることが好ましい。この理由は、かかる光透過率が８０
％未満となると、透明性が低下して、半導体封止用材料
や半導体アンダーフィル用材料、あるいは液晶封止用材
料等の用途への使用が制限される場合があるためであ
る。したがって、より透明性が向上することから、光硬
化物の光透過率（波長５５０ｎｍ）を９０％以上の値と
することがより好ましく、９５％以上の値とすることが
さらに好ましい。

【００４１】［第２の実施形態］本発明の第２の実施形
態は、第１の実施形態である電子部品用材料を半導体封
止用材料（ポッティング用材料と称する場合もある。）
に使用した実施態様である。図１を参照しながら説明す
る。図１は、半導体封止されたパッケージ基板（単層Ｂ
ＧＡ）１１における断面図である。すなわち、半導体素
子１２の電極１３を、基板１４上の電極１５に、ボンデ
ィングワイヤ１６を介して電気接続した後、少なくとも
ボンディングワイヤ１６を埋設するように、粘度調整し
た本発明の電子部品用材料を周囲からポッティングして
ある。次いで、このような封止した電子部品用材料を露
光して光硬化させるか、さらには熱硬化を併用して硬化
させ、半導体封止用材料１７として構成してある。な
お、このパッケージ基板１１においては、基板１４にお
ける半導体素子１２が実装された面と反対側の面に、さ
らにマザーボード等に対して実装可能なようにハンダボ
ール１８が取り付けてあるという特徴がある。

【００４２】ここで、半導体封止用材料の用途には、従
来、熱硬化型の液状エポキシ系樹脂や熱硬化型のシリコ
ーン系樹脂が多用されていた。そのため、いずれも高温
で加熱する必要があり、生産性が乏しかったり、高い内
部応力が発生して、クラックが生じやすいなどの問題が
見られた。また、いずれの樹脂を用いた場合にも、不要
箇所に半導体封止用材料が付着等した場合に、熱硬化さ
せた後に除去することは事実上、困難であった。それに
対して、本発明の電子部品用材料から得られた半導体封
止用材料１７は、弾性率が高い上に、熱膨張率が半導体
素子１２のそれと近似しているため、半導体素子１２お
よび基板１４を機械的に保護するとともに、その間の熱
膨張率差に起因した熱応力の発生を容易に防止すること
ができる。また、パッケージ基板１１における半導体封
止用材料１７は、吸水率が低い上に、防汚性に優れてい
るため、周囲からの水分や汚染物等の侵入を容易に防止
することができる。また、かかる半導体封止用材料１７
は、光透明性に優れているため、ボンディングワイヤ１
６の接合状態や、封止状態を容易に検査することができ
る。さらに、光硬化前に、所望箇所以外に電子部品用材
料が付着した場合には、かかる箇所を露光しないように
して、後に有機溶剤を用いて現像除去することができ
る。よって、本発明の電子部品用材料を半導体封止用材
料１７として使用した場合、使い勝手が良く、しかもパ
ッケージ基板１１において、優れた接続信頼性を得るこ
とができる。

【００４３】なお、本発明の電子部品用材料を半導体封
止用材料１７に使用する場合、内部応力を減少させるた
めに、ゴム成分や充填剤を添加することが好ましい。例
えば、平均粒子径が０．００１〜０．２μｍの範囲内の
シリカ粒子やゴム成分、あるいは反応性希釈剤を、
（Ａ）成分１００重量部に対して、０．１〜５０重量部
の範囲内で添加することにより、光硬化物として得られ
る半導体封止用材料１７の硬化収縮を著しく低減するこ
とができる。また、半導体封止用材料１７の機械的強度
も高まるため、半導体素子の耐久性や信頼性をさらに向
上させることができる。その他、弾性率の異なる２種類
以上の電子部品用材料を使用することも好ましい。例え
ば、ボンディングワイヤ１６の周囲には、反応性希釈剤
やゴム成分等を添加した比較的弾性率が小さい半導体封
止用材料を使用し、さらにその周囲には、比較的弾性率
が高い半導体封止用材料を使用して、多層構造とするこ
とが好ましい。このように構成すると、ボンディングワ
イヤ１６およびその接続箇所に対して、過度の応力を与
えることがなくなるとともに、外部からの機械的保護性
が向上し、より優れた信頼性を得ることができる。

【００４４】［第３の実施形態］本発明の第３の実施形
態は、第１の実施形態である電子部品用材料を半導体ア
ンダーフィル用材料に使用した実施態様である。図２お
よび図３を参照しながら説明する。図２は、ＴＣＰ半導
体装置２０における断面図である。すなわち、半導体素
子２１と、基板２２とを、バンプ２３を介してフリップ
チップ法により電気接続した後、半導体素子２１と、基
板２２との間に、本発明の電子部品用材料を充填し、そ
れを光硬化、あるいは熱硬化を併用して硬化させ、半導
体アンダーフィル用材料２５とした構成である。また、
図３は、本発明の電子部品用材料の感光性を利用した半
導体アンダーフィル用材料２５の充填方法例を示す図で
ある。

【００４５】ここで、半導体アンダーフィル用材料の用
途には、従来、熱硬化型の低粘度液状エポキシ系樹脂が
多用されていた。そのため、高温で加熱する必要があ
り、生産性が乏しかったり、あるいは、高い内部応力が
発生し、クラックが生じやすいなどの問題が見られた。
それに対して、本発明の半導体アンダーフィル用材料２
５は、例えば、流れ調整剤を添加して、粘度を１００〜
５０００ｃｐｓ（測定温度２５℃）の範囲内の値に調整
してあり、半導体素子２１と、基板２２との間の間隙
（通常３０〜１００μｍ）に、ディスペンサーを用いて
隙間無く充填させることができる。また、半導体アンダ
ーフィル用材料２５を硬化させた場合、弾性率が高い上
に、熱膨張率が半導体素子２１と近似しているため、半
導体素子２１および基板２２との間の熱膨張率差に起因
した熱応力の発生を容易に防止することができる。さら
に、かかる半導体アンダーフィル用材料２５の硬化物
は、吸水率が低い上に、不純物イオン含量が少ないた
め、耐電食性に優れている。よって、本発明の電子部品
用材料を半導体アンダーフィル用材料２５として使用し
た場合、ＴＣＰ半導体装置２０において、優れた接続信
頼性を得ることができる。

【００４６】また、本発明の電子部品用材料を、半導体
アンダーフィル用材料２５として使用した場合、その感
光性を利用して、半導体素子２１および基板２２との間
により迅速かつ正確に充填することができる。図３を参
照しながら充填方法を説明すると、図３（ａ）に示すよ
うに、基板２２上に、未硬化の半導体アンダーフィル用
材料２６を全面的に積層した後、図３（ｂ）に示すよう
に、フォトマスク２７を介して、アンダーフィル該当部
分のみに紫外線２４を短時間露光し、半硬化状態の半導
体アンダーフィル用材料２５とする。次いで、図３
（ｃ）に示すように、未露光部２６をアルカリ現像除去
して、半導体アンダーフィル用材料２５該当部分に、空
隙部２９を形成する。なお、かかる半導体アンダーフィ
ル用材料２５は、ライン／スペース＝２５／２５μｍの
現像が可能であり、解像度にも優れているという特徴が
ある。次いで、図３（ｄ）に示すように、半導体素子２
１のバンプ２３が、基板２２上の電極２８と接合するよ
うに位置合わせした後、矢印方向に加熱、加圧すること
により、半導体素子２１を実装するとともに、半導体ア
ンダーフィル用材料２５を溶融させて、半導体素子２１
と、基板２２との間の間隙に、隙間無く充填させること
ができる。この方法であれば、アンダーフィル用材料２
５は、あらかじめ半硬化しているため、半導体素子２１
を実装した後に発生する硬化歪みを、熱硬化型アンダー
フィルに比較して低減することができる。その後、図示
しないが、半導体アンダーフィル用材料２５を完全に光
硬化させるためにさらに露光したり、あるいは、熱硬化
させるために加熱することが好ましい。

【００４７】なお、本発明の半導体アンダーフィル用材
料２５の熱硬化についてより詳細に説明すると、半導体
アンダーフィル用材料２５の露光が不十分な場合や、未
露光部分があったとしても、例えば、７０〜２００℃程
度の温度で、１〜１８０分の時間加熱することにより、
（Ａ）成分を自己架橋させることができる。その場合、
さらに、半導体アンダーフィル用材料２５中に、加熱硬
化触媒、例えば、ジブチルスズラウリル酸や、オキセタ
ン基を含む加熱硬化成分、例えば、３−（３−メチル−
３−オキセタンメトキシ）プロピルトリエトキシシラン
を、（Ａ）成分１００重量部あたり、０．０１〜１０重
量部の範囲内で添加しておくことが好ましい。このよう
に構成することにより、さらに低温、短時間で、熱硬化
を促進させることが可能である。また、硬化時の歪み
や、基板２２と半導体素子２１の熱膨張係数の差により
発生する応力を緩和するため、半導体封止用材料同様、
耐熱性を損なわない範囲内でゴム成分や、充填材を用い
ることが望ましい。これらを（Ａ）成分に対して３０〜
６０重量部用いることで、歪みを緩和することができ、
耐久性、信頼性が向上する。

【００４８】［第４の実施形態］本発明の第４の実施形
態は、第１の実施形態である電子部品用材料をフリップ
チップ実装用材料に使用した実施態様である。図４を参
照しながら説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は、フリップ
チップ実装用材料４２を用いて半導体素子４６をフリッ
プチップ実装する工程を説明するための図である。ま
ず、図４（ａ）に示すように、半導体素子４６を実装す
る基板４３の該当箇所に、フリップチップ実装用材料４
２をスピンコーター等を用いて積層する。なお、フリッ
プチップ実装用材料４２を予めフィルム状に形成してお
き、それを基板４３の実装箇所に載置することも好まし
い。次いで、図４（ｂ）に示すように、半導体素子４６
におけるバンプ４５と、基板４３における導体４４とを
位置合わせした後、接合装置（図示せず。）を用い、フ
リップチップ実装用材料４２を介して、半導体素子４６
側から矢印４８に示す方向に、例えば、温度１２０〜３
００℃、圧力５〜１００ｋｇｆ／ｃｍ²、２〜６０秒の
条件で加熱、加圧する。このように処理することによ
り、バンプ４５と、導体４４とを電気接続することがで
き、それを図４（ｃ）に矢印で示すように露光すること
により光硬化して、さらに強固に固定することができ
る。よって、最終的に、図４（ｃ）に示すように、接続
信頼性の高いＦＣＯＢ半導体装置４９を構成することが
できる。

【００４９】ここで、フリップチップ実装用材料の用途
には、従来熱硬化型の低粘度液状エポキシ系樹脂が多用
されていた。そのため、高温で加熱する必要があり、生
産性が乏しかったり、あるいは、高い内部応力が発生
し、クラックが生じやすいなどの問題が見られた。それ
に対し、本発明のフリップチップ実装用材料４２は、電
気絶縁性が高いものの、加熱、加圧することにより容易
に流動するため、半導体素子４６におけるバンプ４５
と、基板４３における導体４４との間に残留することが
なく、優れた電気接続抵抗を得ることができる。また、
本発明のフリップチップ実装用材料４２は、上述した加
熱、加圧条件では、完全に硬化していないため、仮に半
導体素子４６におけるバンプ４５と、基板４３における
導体４４との間の位置合わせに失敗したとしても、容易
にリペアすることができる。さらに、本発明のフリップ
チップ実装用材料４２は、透明性に優れているため、半
導体素子４６（バンプ４５）と、基板４３（導体４４）
との間の位置合わせを正確にすることができる。また、
本発明のフリップチップ実装用材料４２は、半導体素子
４６および基板４３の間隙の側面方向から光照射するこ
とにより、十分に光硬化させることができる。したがっ
て、フリップチップ実装用材料４２の光硬化物は、弾性
率が高い上に、熱膨張率が低く、しかも吸水率が低い上
に不純物イオン含量が少ないことから、ＦＣＯＢ半導体
装置４９において長期接続信頼性を得ることができる。

【００５０】なお、本発明の電子部品用材料をフリップ
チップ実装用材料４２に使用する場合、ニッケル等の金
属粒子あるいは金属めっき粒子４０を０．１〜１０ｖｏ
ｌ％の範囲内で添加することも好ましい。このように構
成することにより、ペースト状となり作業性が向上し、
異方導電性が得られ、隣接導体（各バンプ４５、各導体
４４）間においてショートを発生させることなく、バン
プ４５と導体４４との間で、より低い接続抵抗値を得る
ことができる。

【００５１】［第５の実施形態］本発明の第５の実施形
態は、第１の実施形態である電子部品用材料を半導体保
護用材料（パッシベーション膜を含む）に使用した実施
態様である。図５を参照しながら説明する。図５（ａ）
は、回路パターンが設けられた半導体ウエファ５２の表
面に、本発明の半導体保護用材料を積層し、その後、光
硬化して構成した半導体保護膜５４付き半導体素子５６
の平面図である。なお、半導体ウエファ５２は半導体保
護膜５４とともに、ダイシングライン５３により、各半
導体素子５６に区分されている。また、図５（ｂ）は、
図５（ａ）の部分拡大図であり、各半導体素子５６にお
ける電極５８部分を示す図である。

【００５２】ここで、半導体保護用材料の用途には、従
来、光硬化型のポリイミド系樹脂や蒸着法で得られる無
機材料等が多用されていた。このうち、光硬化型のポリ
イミド系樹脂は、吸湿して密着力が低下したり、硬化に
より着色したり、あるいは硬化反応が遅い場合があるな
どの問題が見られた。それに対し、本発明の半導体保護
用材料は、半導体ウエファ５２の構成材料であるシリコ
ンに対して優れた密着力を優すことができる。また、本
発明の半導体保護用材料は、光酸発生剤を用いているた
め、大気下、室温条件において、迅速に光硬化させるこ
とができる。さらに、本発明の半導体保護用材料から得
られた半導体保護膜５４は、透明性が高く、しかも不純
物イオンの含有量が少なくて、耐腐食性に優れている。
その他、本発明の半導体保護用材料は、パターン露光し
た際の解像度に優れており、図５（ｂ）に示すように、
半導体素子５６の電極５８を精度良く露出させることが
できる。したがって、かかる半導体素子５６を実装する
際の部止まりを向上させることができる。

【００５３】なお、本発明の電子部品用材料を半導体保
護用材料に使用する場合、平均粒子径が０．００１〜
０．２μｍの範囲内のシリカ粒子や反応性希釈剤を添加
することが好ましい。このようにシリカ粒子等を添加す
ることにより、光硬化物として得られる半導体保護膜５
４の硬化収縮を低減させたり、電気絶縁性を高めたり、
あるいは、半導体保護膜５４付き半導体素子５６の耐久
性や信頼性をさらに向上させることができる。

【００５４】［第６の実施形態］本発明の第６の実施形
態は、第１の実施形態である電子部品用材料を層間絶縁
膜用材料に使用した実施態様である。図６を参照しなが
ら説明する。図６は、層間絶縁膜用材料を使用したビル
ドアップ多層基板６９の製造工程を示す図であり、図６
（ａ）〜図６（ｄ）に示す４つの工程から構成されてい
る。まず、図６（ａ）は、回路基板６０の表面に内層回
路パターン６１および６２を形成するとともに、表面粗
化処理を施した状態を表す図である。なお、回路基板６
０の構成材料として、第１の実施形態である電子部品用
材料が使用できることは言うまでもない。次の図６
（ｂ）は、回路基板６０の両面に、一例として、厚さ１
０μｍの内層回路パターン６１，６２を埋設するように
第１の実施形態である電子部品用材料（層間絶縁膜）６
３，６４を両面にそれぞれ塗布した状態を示す図であ
る。次の図６（ｃ）は、ポジフィルム６５を介して露光
することにより、電子部品用材料６３，６４を光硬化さ
せて、層間絶縁膜とした状態を示す図である。より具体
的には、スルーホール６６該当箇所以外の電子部品用材
料６３，６４に対して紫外線を照射することにより光硬
化させ、未露光部の電子部品用材料６３，６４を現像し
てスルーホール６６を形成するものである。次の図６
（ｄ）は、回路基板６０の両面に形成された層間絶縁膜
の内層回路パターン６１，６２および回路基板６０を貫
通してスルーホール６７を作成した状態を示す図であ
る。このスルーホール６７は、ドリル等を用いて、容易
に作成することができる。なお、図６（ｄ）は、スルー
ホール６６、６７の内面を樹脂表面粗化処理した後、め
っき処理して、外層回路パターン６８を形成した状態を
示している。

【００５５】ここで、層間絶縁膜の用途には、従来、熱
硬化型や光硬化型のエポキシ系樹脂が多用されていた。
しかしながら、このうち熱硬化型のエポキシ系樹脂は硬
化反応が遅く、一方、光硬化型のエポキシ系樹脂は硬化
反応がばらついたり、耐熱性が不充分であったり、ある
いは吸湿して回路パターンとの密着力が低下するなどの
問題が見られた。それに対し、本発明の電子部品用材料
からなる層間絶縁膜６３，６４は、光硬化反応を利用し
て、迅速に形成することができる。また、かかる層間絶
縁膜６３，６４は、耐熱性、電気絶縁性、吸湿性に優れ
ており、熱変形等が少ないことから、優れた抵抗安定性
を得ることができる。さらに、かかる層間絶縁膜６３，
６４は、無電解めっき液耐性やスパッタ耐性、あるいは
回路パターン６８との密着力に優れていることから、無
電解めっきや電解めっきを容易に施すことができるとい
う特徴がある。その他、第６の実施形態で説明した層間
絶縁膜６３，６４は、例えば、回路厚さが２μｍ以下の
薄膜多層回路基板用の層間絶縁膜としても好適に使用す
ることができる。なお、本発明の電子部品用材料を層間
絶縁膜用材料に使用する場合、平均粒子径が０．００１
μｍ〜２０μｍの粒子状ゴム成分やフィラーを添加する
ことが好ましい。このように粒子状ゴム成分等を添加す
ることにより、表面粗化処理を施した際、良好な粗化面
を得ることができ、めっき処理によって形成される導体
配線の絶縁層に対する強固な密着性を得ることができ
る。

【００５６】［第７の実施形態］本発明の第７の実施形
態は、第１の実施形態である電子部品用材料を回路基材
用材料（穴開きＴＡＢテープ用材料）に使用した実施態
様である。図７を参照しながら説明する。図７（ｄ）
は、回路基材用７１と回路パターン７２とから構成され
た穴開きＴＡＢテープ７０の製造工程を示す図であり、
図７（ａ）〜図７（ｄ）の４つの工程から構成されてい
る。まず、図７（ａ）は、一例として、銅からなる回路
パターン用薄膜７３の上に、第１の実施形態である電子
部品用材料を回路基材用材料７４として積層した状態を
表す図である。スピンコート法や、ロールコート法によ
り、均一な厚さを有する回路基材用材料７４とすること
ができる。また、回路パターン用薄膜７３と、回路基材
用材料７４との密着性を向上させるために、ウレタン系
樹脂やシランカップリング剤からなるプライマー層（図
示せず。）を設けることも好ましい。次の図７（ｂ）
は、穴明きＴＡＢテープ用の回路基材７１に即した形状
に、回路基材用材料７４をパターン露光した状態を示す
図である。具体的には、ＴＡＢテープ用の回路基材７１
における穴開き部分（ウインドウ部分７７）に相当する
箇所７４が未露光となるようにフォトマスク７５を介し
て、その他の部分７１を露光するものである。次の図７
（ｃ）は、回路基材用材料７４の未露光部分をアルカリ
現像する工程を示す図である。すなわち、ＴＡＢテープ
７０の回路基材７１における穴開き部分７７を形成し、
ＴＡＢテープ７０に半導体素子（図示せず。）を搭載し
た場合にも、ＴＡＢテープ７０における回路基材７１に
起因した応力を緩和して、優れた抵抗信頼性が得られる
ようにしたものである。なお、本発明の回路基材用材料
７４は、一例として、カルボキシル基を有する加水分解
性シラン化合物を使用しているため、優れたアルカリ液
現像性を示すことができる。その次の図７（ｄ）は、回
路パターン用薄膜７３をパターン化し、回路パターン７
２を有する穴開きＴＡＢテープ７０を構成した状態を示
す図である。なお、図７には、パーフォレーション用の
窟穴工程を示していないが、言うまでもなく、かかる工
程を任意に設けることができる。また、回路パターン７
２に、めっきしたり、バンプを形成する工程を別途設け
ることもできる。

【００５７】ここで、穴開きＴＡＢテープ用材料の用途
には、従来、熱硬化型や光硬化型ののポリイミド系樹脂
が多用されていた。しかしながら、このうち熱硬化型の
ポリイミド系樹脂は硬化反応が遅く、一方、熱硬化型の
ポリイミド系樹脂は硬化反応がばらついたり、耐熱性が
不充分であったり、あるいは吸湿して回路パターンとの
密着力が低下するなどの問題が見られた。それに対し、
本発明の回路基材用材料７４は、光硬化反応を利用し
て、迅速に光硬化することができるとともに、現像性に
優れているためＴＡＢテープ用の回路基材における穴開
き部分を精度良く形成することができる。また、かかる
回路基材用材料は、耐熱性や電気絶縁性に優れており、
熱変形等が少ないことから、優れた抵抗安定性を得るこ
とができる。さらに、かかる回路基材用材料は、吸湿性
や内部応力発生が少なく、より優れた抵抗安定性を得る
ことができる。

【００５８】［第８の実施形態］本発明の第８の実施形
態は、第１の実施形態である電子部品用材料を平坦化材
料に使用した実施態様である。図８を参照しながら説明
する。図８（ａ）〜（ｄ）は、導体パターン８１が設け
られた基板８０の表面に対し、本発明の平坦化材料８２
を使用して、平坦化膜８４とする工程例を示す図であ
る。まず、図８（ａ）に示す導体パターン８１が設けら
れた基板８０を用意した後、図８（ｂ）に示すように、
平坦化材料８２を積層する。この状態で、平坦化材料８
２を矢印８３に示す方向より全面露光して、光硬化させ
る。次いで、図８（ｃ）に示すように、研磨機（図示せ
ず。）を用いて研磨し、表面が平滑な平坦化膜８４とす
る。したがって、図８（ｄ）に示すように、平坦化膜８
４上に層間絶縁膜８５を積層した場合でも、層間絶縁膜
８５は平滑であり、よって、層間絶縁膜８５の上にさら
に回路パターンを正確かつ容易に形成することができ
る。

【００５９】ここで、平坦化材料の用途には、従来、光
硬化型のポリイミド系樹脂やフッ素系樹脂等が使用され
ていた。しかしながらポリイミド系樹脂は、吸湿して密
着力が低下したり、あるいは３００℃以上の高温でポス
トベークをする必要があるなどの問題が見られた。ま
た、フッ素系樹脂は、下地に対する密着力が低かった
り、機械的強度が乏しいなどの問題が見られた。それに
対し、本発明の平坦化材料８２は、吸湿性が少ないばか
りか、基板８０の構成材料であるエポキシ樹脂やセラミ
ック材料等に対して優れた密着力を示すことができる。
また、本発明の平坦化材料８２は、光酸発生剤を用いて
いるため、短時間で、機械的強度に優れた平坦化材料と
することができ、ポストベークする場合にも、７０〜２
００℃の温度範囲で実施することができる。なお、本発
明の電子部品用材料を平坦化材料に使用する場合、高分
子添加剤や充填材を（Ａ）成分１００重量部に対して、
０．１〜５０重量部添加することが好ましい。このよう
に高分子添加剤や充填材を添加することにより、硬化収
縮を低減することができ、平坦化性を向上することがで
きる。

【００６０】［第９の実施形態］本発明の第９の実施形
態は、第１の実施形態である電子部品用材料を、回路パ
ターンと回路基材とからなる回路基板（ＦＰＣ）の保護
用材料に使用した実施態様である。図９を参照しながら
説明する。図９は、回路パターン（図示せず。）が設け
られた回路基板９１の表面を、本発明の保護用材料によ
り積層した後、光硬化して構成した回路基板保護膜９０
付き回路基板９１における断面図である。なお、この例
では、回路基板９１の片端は、対向電極９５，９７と、
その間に矜持された液晶９６とからなる液晶表示装置の
端子９４と電気接続されており、もう一方の端部には、
液晶表示装置駆動用の半導体素子９３が電気接続されて
いる。なお、液晶表示装置の画面の大きさを制約しない
ように、この例では、回路基板９１を折り曲げて、液晶
表示装置の背面側において半導体素子９３が電気接続さ
れている。また、半導体素子９３は、実装が容易なよう
にＴＡＢテープ９２に搭載された状態で、回路基板９１
と電気接続されている。したがって、この例の場合、回
路基板保護膜９０は、回路基板９１の保護ばかりか、回
路基板９１とＴＡＢテープ９２との接続箇所および半導
体素子９３とＴＡＢテープ９２との接続箇所についても
保護することになる。

【００６１】ここで、回路基板保護用材料の用途には、
従来、光硬化型のポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂が
多用されていた。このうち、光硬化型のポリイミド系樹
脂は、吸湿して密着力が低下したり、硬化により着色し
たり、あるいは硬化反応が遅い場合があるなどの問題が
見られ、一方、光硬化型のアクリル系樹脂は、酸素阻害
を受けて密着力が低下したり、生産性が低かったり、弾
性率が低いなどの問題が見られた。それに対し、本発明
の回路基板保護用材料は、回路基板９１の構成材料であ
るエポキシ樹脂やセラミック材料等に対して優れた密着
力を優すことができる。また、本発明の回路基板保護用
材料は、光酸発生剤を用いているため、大気下、室温条
件において、光硬化させることができ、酸素阻害の問題
がない。さらに、回路基板保護用材料を光硬化して得ら
れた回路基板保護膜９０は、透明性が高くて保護すべき
回路パターンの状態を認識することができ、しかも不純
物イオンの含有量が少なくいため耐腐食性に優れてい
る。

【００６２】なお、本発明の電子部品用材料を回路基板
保護用材料に使用する場合、無機粒子やゴム成分、ある
いは反応性希釈剤を添加することが好ましい。このよう
にシリカ粒子等を添加することにより、回路基板保護用
材料が光硬化する際の硬化収縮を低減させたり、機械的
強度を高めたり、あるいは、回路基板保護膜９０付き回
路基板（ＦＰＣ）９１の耐久性や信頼性を向上させると
ともに、フレキシブル性を損なうことがない。例えば、
無機粒子として、平均粒子径が０．００１〜０．２μｍ
のシリカ粒子や、ゴム成分として、分子量１０００〜１
００００のシラノール末端ポリジメチルシリコーンを、
それぞれ（Ａ）成分１００重量部あたり、０．１〜５０
重量部の範囲内で添加することにより、回路基板保護用
材料９３の撥水性や防汚性を著しく向上させて、結果と
して、耐久性や信頼性をさらに向上させることができ
る。

【００６３】［第１０の実施形態］本発明の第１０の実
施形態は、第１の実施形態である電子部品用材料をネガ
型エッチングレジスト用材料に使用した実施態様であ
る。図１０を参照しながら説明する。図１０（ａ）〜
（ｅ）は、ネガ型エッチングレジスト用材料を用いて、
半導体素子等における配線パターン１１１を製造する方
法を示す図である。すなわち、図１０（ａ）に示すよう
に、基板１１２上に積層された導体１１３を用意した
後、図１０（ｂ）に示すように、本発明のネガ型エッチ
ングレジスト用材料１１４を１〜２０μｍの厚さに積層
する。次いで、図１０（ｃ）に示すように、パターンマ
スク１１５を介して、紫外線１１６をパターン露光した
後、図１０（ｄ）に示すように、アルカリ現像し、エッ
チング用レジスト１１８を形成する。次いで、エッチン
グ用レジスト１１８間に露出した導体１１３をエッチン
グし、配線パターン１１１とする。なお、図示しない
が、その後、エッチング用レジスト１１８を除去しても
良いし、あるいは、そのまま残して電気絶縁性膜（層間
絶縁性膜）として利用することもできる。さらに配線パ
ターン１１１は、導体１１３を無電解めっき、あるいは
スパッタなどにより形成し、エッチングレジストの代わ
りにめっきレジストとして用い、電解めっきで形成する
こともできる。

【００６４】ここで、レジスト用材料の用途には、従
来、光硬化型のフェノール系樹脂等が多用されていた。
かかるフェノール系樹脂は、吸湿して密着力が低下した
り、あるいは硬化反応が遅いなどの問題が見られ、ま
た、不純物イオンを多く含んでいるため、耐電触性に乏
しいなどの問題が見られた。それに対し、本発明のレジ
スト用材料１１４は、吸湿性が少ないばかりか、基板１
１２に対して優れた密着力を示すことができる。また、
本発明のレジスト用材料は、光酸発生剤を用いているた
め、短時間で光硬化させることができる。さらに、本発
明のレジスト用材料１１４から光硬化して得られるエッ
チング用レジスト１１８は、透明性が高く、保護すべき
配線パターン１１１の状態を認識することができ、しか
も不純物イオンの含有量が少ないため耐腐食性にも優れ
ている。その他、本発明のレジスト用材料１１４は、解
像度や酸素プラズマ耐性に優れているという特徴もあ
る。

【００６５】なお、本発明の電子部品用材料をエッチン
グレジスト用材料１１４に使用する場合、オキセタン基
を含むシラン化合物、例えば、（３−（３−メチル−３
−オキセタンメトキシ）プロピルトリエトキシシラン）
を、（Ａ）成分１００重量部あたり、０．０１〜１０重
量部の範囲内で添加しておくことが好ましい。このよう
に構成することにより、さらに現像性を向上させること
が可能である。さらに、エッチング耐性を高めるため
に、無機充填材を添加することが好ましい。その他、本
発明のエッチングレジスト用材料１１４に、ジアゾ化合
物、例えば、ジアゾナフトキノン化合物やジアゾメルド
ラム酸等を、（Ａ）成分１００重量部あたり、０．１〜
３０重量部の範囲内で添加するか、あるいは（Ａ）成分
のヒドロキシ基の一部をｔ−ブトキシカルボニル基（ｔ
−ＢＯＣ）で置換することにより、ポジ型エッチングレ
ジスト用材料とすることも可能である。よって、かかる
ポジ型エッチングレジスト用材料を、下層レジストの上
に積層することにより、いわゆるニ層レジストとして構
成することができ、三層レジストと比較して、より高い
解像度やプロセス容易性を得ることができる。

【００６６】［第１１の実施形態］本発明の第１１の実
施形態は、第１の実施形態である電子部品用材料を液晶
封止用材料に使用した実施態様である。図１１を参照し
ながら説明する。図１１は、透明電極１２０が設けられ
たガラス基板１２１と、対向電極１２２が設けられたも
う一対のガラス基板１２３との間に液晶１２４を注入
し、その周囲を液晶封止用材料１２５でシールした後、
光硬化して構成した液晶表示装置（ＬＣＤ）１２６の一
例における断面図である。

【００６７】ここで、液晶封止用材料の用途には、従
来、熱硬化型の液状エポキシ系樹脂や熱硬化型のシリコ
ーン系樹脂が多用されていた。したがって、吸湿して液
晶シール性が低下したり、あるいは、高温で加熱する必
要があるため、液晶を劣化させたり、生産性が乏しかっ
たり、さらには、硬化物において高い内部応力が発生
し、クラックが生じやすいなどの問題が見られた。それ
に対し、本発明の液晶封止用材料１２５は、ガラス基板
１２１，１２３に対する密着力に優れており、優れた液
晶シール性を示すことができる。また、本発明の液晶封
止用材料１２５は、大気下、室温条件において、露光す
ることにより光硬化させることができるため、加熱硬化
型の封止材料を使用した場合と比較して、液晶１２４を
劣化させることがない。さらに、本発明の液晶封止用材
料１２５は、化学的に安定であり、液晶１２４に直接接
触しても、液晶封止用材料１２５自身が劣化したり、あ
るいは、液晶１２４に対して劣化作用を与えることがな
い。

【００６８】なお、本発明の電子部品用材料を液晶封止
用材料に使用する場合、液晶１２４の封止性を良好に
し、さらに熱膨張係数を低下しやすいように、カップリ
ング剤を添加したり、あるいは、対向するガラス基板１
２１，１２３の間の間隙が変化しないように、ガラスビ
ーズ等からなるスペーサー１２７を添加しておくことが
好ましい。

【００６９】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれら実施例の記載内容に限定されるものではない。
また、実施例中、各成分の配合量は特に記載のない限り
重量部を意味している。

【００７０】［実施例１］ （電子部品用材料の調製）撹拌機付の容器内に、メチル
トリメトキシシラン（８０．０ｇ、０．５５８モル）
と、電気伝導率が８×１０^-5Ｓ・ｃｍ^-1のイオン交換水
（１６．０ｇ、０．８８９モル）とを収容した後、温度
６０℃、６時間の条件で加熱撹拌することにより、メチ
ルトリメトキシシランの加水分解を行った。次いで、メ
チルイソブチルケトン（以下、ＭＩＢＫと略記）を滴下
しながら、加水分解により副生したメタノールを蒸留除
去した。そして、最終的に固形分を２２重量％に調整し
た、本発明の（Ａ）成分であるポリシロキサンを含有す
る溶液（以下、ポリシロキサン溶液１と称する。）を得
た。得られたポリシロキサン溶液１について、ＧＰＣを
用いてポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したと
ころ、１５００という値が得られた。次いで、得られた
ポリシロキサン溶液１（２２重量％固形分）１００重量
部あたり、（Ｂ）成分として、光酸発生剤（サートマー
社製、ＣＤ１０１２）を０．７重量部と、（Ｃ）成分と
して、脱水剤であるオルト蟻酸メチル３．０重量部と、
増感剤としてジエチルチオキサントンを０．０１重量部
とをそれぞれ添加して、電子部品用材料を得た。

【００７１】（電子部品用材料の評価） （１）光硬化性 得られた電子部品用材料を大気条件下、バーコータを用
いて、石英板上に厚さが３μｍとなるように塗膜を形成
した。形成した塗膜に対して、大気下、温度２５℃で、
それぞれ露光量が１００ｍＪ／ｃｍ²（照射時間１
秒）、２００ｍＪ／ｃｍ²（照射時間２秒）、および３
００ｍＪ／ｃｍ²（照射時間３秒）となるように、オー
ク製作所（株）製のコンベア式高圧水銀ランプ（２ｋ
Ｗ）を用いて紫外線を照射し、硬化膜を形成した。得ら
れた硬化膜につき、指触で表面タックを測定し、以下の
基準で光硬化性を評価した。結果を表１に示す。 ◎：１００ｍＪ／ｃｍ²露光後、硬化膜の表面タックが
ない。 ○：２００ｍＪ／ｃｍ²露光後、硬化膜の表面タックが
ない。 △：３００ｍＪ／ｃｍ²露光後、硬化膜の表面タックが
ない。 ×：３００ｍＪ／ｃｍ²露光後、硬化膜の表面タックが
ある。

【００７２】（２）透明性 電子部品用材料を石英板上に回転塗布した後、前記コン
ベア式高圧水銀ランプを用いて、露光量が２００ｍＪ／
ｃｍ²となるように紫外線を照射し、厚さ１０μｍの硬
化膜を形成した。次いで、分光光度計を用いて、波長５
５０ｎｍにおける光透過率（Ｔ／％）を測定し、得られ
た光透過率から以下の基準で透明性を評価した。結果を
表１に示す。 ○：光透過率が９５％以上の値である。 △：光透過率が８０〜９５％未満の値である。 ×：光透過率が８０％未満の値である。

【００７３】（３）５％重量減少温度 電子部品用材料をシリコンウエファー上に回転塗布した
後、前記コンベア式高圧水銀ランプを用いて、露光量が
２００ｍＪ／ｃｍ²となるように紫外線を照射し、厚さ
５μｍの硬化膜を形成した。得られた硬化膜につき、Ｔ
ＧＡを用いて、窒素中で加熱し、初期重量（１００％）
から５％減少したときの温度（５％重量減少温度）を測
定した。また、紫外線硬化後、２００℃、１０分の条件
でポストベークして得られた硬化膜につき、ＴＧＡを用
いて、同様に５％重量減少温度を測定した。それぞれの
結果を表１に示す。

【００７４】（４）密着力 電子部品用材料を、アルミナ基板および銅板上にそれぞ
れ回転塗布した後、前記コンベア式高圧水銀ランプを用
いて、露光量が２００ｍＪ／ｃｍ²となるように紫外線
を照射し、厚さ３μｍの硬化膜を形成した。次いで、温
度１２１℃、湿度１００％ＲＨ、圧力２ａｔｍ、２４時
間の条件でＰＣＴ試験を実施し、その後、ＪＩＳ ５４
００に準拠した碁盤目試験を行い、上記基板に対する密
着力を、以下の基準に基づいて評価した。得られた結果
を表１に示す。 ◎：碁盤目１００個中、全く剥がれが観察されなかっ
た。 ○：碁盤目１００個中、１〜１０個の剥がれが観察され
た。 △：１１〜２０個の剥がれが観察された。 ×：碁盤目１００個中、２０個以上の剥がれが観察され
た。

【００７５】（５）不純物イオン含有量 電子部品用材料をシリコンウエファー上に回転塗布した
後、前記コンベア式高圧水銀ランプを用いて、露光量が
２００ｍＪ／ｃｍ²となるように紫外線を照射し、厚さ
５μｍの硬化膜を形成した。得られた硬化膜中の不純物
イオン含有量（Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ）を原子吸光法により測
定した。得られた結果を表１に示す。

【００７６】（６）比誘電率 電子部品用材料を石英ガラス上に回転塗布した後、前記
コンベア式高圧水銀ランプを用いて、露光量が２００ｍ
Ｊ／ｃｍ²となるように紫外線を照射し、厚さ３μｍの
硬化膜を形成し、さらに１００℃、１時間の条件でポス
トベークした。この硬化膜の比誘電率を、周波数１００
ｋＨｚの条件で、誘電率計により測定した。得られた結
果を表１に示す。

【００７７】（７）保存安定性 電子部品用材料を温度４０℃で１ヶ月間および３ヶ月間
保管した後、目視で外観変化（粘度増加）を測定し、さ
らに上記（１）の光硬化性を測定して、以下の基準で保
存安定性を評価した。結果を表１に示す。 ◎：３ヶ月経過後も、外観変化や光硬化性の変化は観察
されない。 ○：１ヶ月経過後も、外観変化や光硬化性の変化は観察
されない。 ×：１ヶ月経過後に、外観変化あるいは光硬化性の低下
が観察される。

【００７８】以上の結果から理解されるように、脱水剤
（成分Ｃ）を添加することにより、電子部品用材料の保
存安定性を著しく高めることができ、また、光硬化性を
高める効果を発現させることが確認された。また、得ら
れた光硬化物は、優れた耐熱性、透明性、密着性、比誘
電率等を有していることが確認された。なお、かかる効
果は、後述する比較例１の結果と対比させると、さらに
明確になる。

【００７９】［実施例２］ （電子部品用材料の調製）コンデンサー、窒素導入口お
よび攪拌機を備え付けたセパラブルフラスコに、ｎ−ブ
チルアクリレート（１１５ｇ、０．８０８ｍｏｌ）、γ
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（５０．
１ｇ、０．２０２ｍｏｌ）、ｐ−イソプロペニルフェノ
ール（１０８．３ｇ、０．８０８ｍｏｌ）、メタクリル
酸（１０４．４ｇ、１．２１３ｍｏｌ）、トリシクロ
〔５．２．１．０^2.6〕デカ−８−イル＝メタクリレー
ト（２２２．３ｇ、１．０１０ｍｏｌ）、１，１´−ア
ゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）（１８
ｇ、０．０７３７ｍｏｌ）、乳酸エチル（９００ｇ）を
入れた。窒素置換した後内温＝９０℃にて６ｈバッチ重
合し、共重合体溶液１を得た。共重合体は、固形分率＝
３９．１％、ビニル単量体の重合添加率は９９％、重量
平均分子量＝２２３００、数平均分子量＝７８００であ
った。次に、コンデンサー、窒素導入口および攪拌機を
備え付けたセパラブルフラスコに、合成したこの共重合
体（７６７ｇ、固形分＝３００ｇ）、乳酸エチル（１０
３３ｇ）、トリメトキメチルシラン（１０５５ｇ、７．
７５ｍｏｌ）、メチルオキセタニルメトキシプロピルト
リエトキシシラン（２７．５ｇ、０．８５９ｍｏｌ）を
入れた。内温＝６０℃まで昇温後、電気伝導度が８×１
０^-5Ｓ・ｃｍ^-1のイオン交換水（２３２ｇ、１２．９ｍ
ｏｌ）を反応器に仕込み、内温＝６０℃にて６ｈバッチ
重合した。固形分率＝２９．４％、シラン単量体の重合
添加率は９９％、重量平均分子量＝１３１００、数平均
分子量＝１１２０であった。加水分解により副製したア
ルコールと乳酸エチルを真空ポンプを備え付けたロータ
リーエバポレーターを用い６０℃にて除去し、固形分６
０重量％のアクリルポリマー・ポリシロキサンのハイブ
リッド体溶液を得た（以下、ポリシロキサン溶液２と称
する）。次いで、得られたポリシロキサン溶液２（６０
重量％固形分）１００重量部あたり、（Ｂ）成分とし
て、光酸発生剤、トリフェニルスルフォントリフルオロ
メタンスルフォネートを１重量部と、増感剤、９−アン
トラセンメタノールを０．３３重量部と、（Ｃ）成分と
して、脱水剤であるオルト蟻酸メチル３重量部とをそれ
ぞれ添加して、電子部品用材料を得た。

【００８０】（電子部品用材料の評価）実施例１と同様
に、光硬化性、透明性、５％重量減少温度、密着性、不
純物イオン含有量、比誘電率（ポストベーク条件２００
℃、１時間）、保存安定性をそれぞれ測定した。得られ
た結果を表１に示す。また、実施例２においては、電子
部品用材料の柔軟性（マンドレル試験）を評価した。す
なわち、電子部品用材料を、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ×
厚さ１２０μｍのＰＥＴフィルム上にバーコーターで塗
布し、露光量が３００mＪ／ｃｍ²となるように紫外線を
照射し、厚さ５μｍの硬化膜を形成した。次に、直径が
１、５、８、１０ｍｍの金属棒に巻き付けて、５秒間静
置した。その後硬化膜の表面を顕微鏡（倍率５０倍）で
観察した。その結果、直径１ｍｍの金属棒を使用した場
合であっても、クラックの発生は観察されなかった。

【００８１】以上の結果から理解されるように、電子部
品用材料中にアクリルシリコン重合体を含む場合にも、
脱水剤（成分Ｃ）を添加することにより、電子部品用材
料の保存安定性を著しく高めることができ、また、光硬
化性を高める効果を発現させることが確認された。ま
た、得られた光硬化物は、優れた耐熱性、透明性、密着
性、比誘電率等を有していることが確認された。なお、
かかる効果は、後述する比較例１の結果と対比させる
と、さらに明確になる。

【００８２】［実施例３］ （電子部品用材料の調製）内容積１．０リットルの電磁
撹拌機を備えたステンレス製のオートクレーブ内を窒素
ガスで置換した後、酢酸エチル（重合溶剤）３００ｇ
と、エチルビニルエーテル２４．０ｇと、ヒドロキシブ
チルビニルエーテル２５．８ｇと、ノニオン性反応性乳
化剤ＮＥ−３０（旭電化工業（株）製）１０．０ｇと、
ラジカル発生剤としてアゾ基含有ポリジメチルシロキサ
ンＶＰＳ−１００１（和光純薬工業（株）製）１．０ｇ
と、過酸化ラウロイル０．５ｇとを収容した。次いで、
ヘキサフルオロプロピレン（ガス）９９．９ｇをオート
クレーブ内に導入した後、温度７０℃、２０時間の条件
でラジカル重合反応を行い、フッ素含有共重合体を得
た。得られたフッ素含有重合体について、フッ素含量を
アリザリンコンプレクソン法に準拠して測定したとこ
ろ、４６．１重量％であった。

【００８３】次いで、フッ素含有重合体１００ｇと、γ
−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン２０ｇ
と、メチルイソブチルケトン５００ｇと、ジブチルスズ
ジラウレート０．０１ｇとを撹拌機付きの反応容器内に
収容した。次いで、撹拌しながら、窒素ガス雰囲気下、
温度２０℃、１２時間の条件で、フッ素含有共重合体と
γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシランとを反
応させて、シラン変性されたフッ素含有共重合体を得
た。

【００８４】一方、撹拌機付き容器内に、メチルトリメ
トキシシラン（ＭＴＭＳ）８０ｇと、電気電導率が８×
１０^-5ｓ・ｃｍ^-1のイオン交換水１６ｇとを収容した
後、温度６０℃、６時間の条件で、ＭＴＭＳの加水分解
を行った。次いで、メチルイソブチルケトンを滴下しな
がら、加水分解により副生したメタノールを蒸留除去
し、最終的に固形分濃度が２２重量％のＭＴＭＳ縮合物
溶液を得た。

【００８５】得られたシラン変性されたフッ素含有共重
合体溶液（メチルイソブチルケトン２２重量％溶液）３
０ｇと、ＭＴＭＳ縮合物溶液（固形分濃度が２２重量
％）７０ｇと、光酸発生剤としてのサンエイドＳＩ−１
００（三新化学工業（株）製）０．６６ｇと、オルト蟻
酸メチル３．０ｇとを均一に混合撹拌して、電子部品用
材料を得た。

【００８６】（電子部品用材料の評価）実施例１および
２と同様に、光硬化性、透明性、５％重量減少温度、密
着性、不純物イオン含有量、比誘電率（ポストベーク条
件２００℃、１時間）、保存安定性および柔軟性をそれ
ぞれ測定した。得られた結果を表１に示す。得られた結
果から理解されるように、電子部品用材料中にシラン変
性されたフッ素含有共重合体を含む場合にも、脱水剤
（成分Ｃ）を添加することにより、電子部品用材料の保
存安定性を著しく高めることができ、また、光硬化性を
高める効果を発現させることが確認された。また、得ら
れた光硬化物は、優れた耐熱性、透明性、密着性、比誘
電率等を有していることが確認された。

【００８７】［比較例１］ （電子部品用材料の作製）実施例１と比較して脱水剤を
添加しない以外、実施例１と同様に電子部品用材料を調
製した。すなわち、ポリシロキサン溶液１ １００重量
部あたり、光酸発生剤（サートマー社製、ＣＤ１０１
２）を０．７重量部添加して、電子部品用材料を得た。

【００８８】（電子部品用材料の評価）実施例１と同様
に、得られた電子部品用材料につき、光硬化性や保存安
定性等の評価を行った。それぞれの結果を表１に示す。
実施例１における結果との比較から、比較例１において
は脱水剤を添加していないため、電子部品用材料におけ
る光硬化性や保存安定性が相対的に低下していることが
確認された。

【００８９】［比較例２］ （電子部品用材料の作製）実施例２と比較して脱水剤を
添加しない以外、実施例２と同様に電子部品用材料を調
製した。すなわち、ポリシロキサン溶液１（固形分およ
び溶剤）３１８重量部と、アクリルシリコン重合体溶液
１（固形分および溶剤）６０重量部と、光酸発生剤ＣＤ
１０１２（サートマー社製）３重量部とを均一に混合し
て電子部品用材料を得た。

【００９０】（電子部品用材料の評価）実施例１および
２と同様に、得られた電子部品用材料につき、光硬化性
や保存安定性等の評価を行った。それぞれの結果を表１
に示す。実施例１における結果との比較から、比較例１
においては脱水剤を添加していないため、電子部品用材
料における光硬化性や保存安定性が相対的に低下してい
ることが確認された。

【００９１】

【表１】

【００９２】［実施例４］実施例３で調製した電子部品
用材料を２５μｍ厚銅張ポリエステル基材（５０μｍ）
上にスピンコートした後、１００℃、１０分間の条件で
プリベークし、膜厚５μｍのエッチング用レジスト膜を
形成した。この回路基板保護膜上にパターンマスク（最
小幅パターン：２μｍ）を載せ、高圧水銀灯により、露
光量５００ｍＪ／ｃｍ²となるように紫外線を露光し
た。次いで、ＭＩＢＫを用いて未露光部分を現像（洗浄
除去）した後、塗膜を乾燥させた。顕微鏡を用いて、得
られた塗膜のパターン形状を観察したところ、パターン
マスクの最小幅である２μｍのパターンが再現性良く形
成されていることを確認した。また、半田処理を行った
ところ、回路基板保護膜について、特に変形や損傷は見
られなかった。

【００９３】次いで、実施例２で調製した電子部品用材
料を銅張ガラスエポキシ基材上にスピンコートした後、
１００℃、１０分の条件でプリベークし、膜厚３０μｍ
の薄膜を形成した。この薄膜に対し、直径が２５、５
０、７５、および１００μｍの穿孔パターンが形成され
たテスト用フィルムマスクを介して、高圧水銀灯によ
り、露光量５００ｍＪ／ｃｍ²となるように紫外線を露
光した。ついでテトラメチルアンモニウムヒドロキサイ
ド溶液（濃度２．３８重量％）を用い、室温で１分ディ
ッピングする事により現像処理を行い、銅金属層に至る
ビアホールを有する絶縁層を形成した基材を得た。得ら
れたビアホールを、走査型電子顕微鏡を用いて観察し、
最小径の穿孔パターンである２５μｍのビアホールが、
金属層まで貫通していることを確認した。次に、ビアホ
ールを有する絶縁層上に、アネルバＳＰＦ−４３０Ｈ
（日本電気（株）製）を用いて、初期圧力１０^-4Ｐａ、
アルゴン注入後１０^-2Ｐａの条件で電圧５６０Ｖ、電流
０．４Ａで１０分間スパッタ処理することにより、厚さ
３０００Åの銅層を形成した。スパッタ処理後、絶縁層
の外観を観察したところ、クラックの発生は見られず、
良好なスパッタ耐性を有することを確認した。さらに硫
酸銅−硫酸水溶液（硫酸銅濃度２１０ｇ／Ｌ、硫酸濃度
５２ｇ／Ｌ、ｐＨ＝１．０）を電解銅メッキ液として用
い電解銅メッキ処理を行った。電解銅メッキ処理時の電
流密度を３．０ｍＡ／ｄｍとし、合計の厚みが約２０μ
ｍの銅金属層を絶縁層表面全体にわたって形成した。そ
の後、１５０℃で１時間加熱処理した。形成した金属銅
層に１ｃｍ間隔の切り込みを形成し、端面からピールテ
スターで剥離させることにより、銅金属層のピール強度
（ＪＩＳ Ｃ ６４１８）を測定した。その結果、１１
００ｇ／ｃｍというピール強度の値が得られ、良好な銅
密着性を示すことを確認した。

【００９４】

【発明の効果】本発明の電子部品用材料によれば、優れ
た保存安定性や光硬化性を示すことができ、しかも耐熱
性、密着性、電気絶縁性、比誘電率、透明性等に優れた
光硬化物を短時間で得ることができるようになった。な
お、本発明の電子部品用材料は、光硬化性であるばかり
か、熱硬化性の特性も有しており、適宜組み合わせて硬
化させることも可能である。また、本発明の電子部品用
材料の使用方法によれば、半導体封止用材料、半導体ア
ンダーフィル用材料、層間絶縁膜用材料、半導体保護膜
用材料、液晶封止用材料、回路保護用材料、または平坦
化材料の用途において、保存安定性や光硬化性に優れた
電子部品用材料を使用することができ、耐熱性、密着
性、電気絶縁性、比誘電率、透明性等に優れた光硬化物
を効率的に使用することができるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態におけるパッケージ基板（単層
ＢＧＡ）の断面図である。

【図２】第２の実施形態におけるＴＣＰ半導体装置の断
面図である。

【図３】第２の実施形態における半導体アンダーフィル
用材料の充填方法例を示す図である。

【図４】第４の実施形態におけるＦＣＯＢ半導体装置の
断面図である。

【図５】第５の実施形態における半導体保護膜付き半導
体素子の断面図である。

【図６】第６の実施形態における回路保護剤付き回路基
板の断面図である。

【図７】第７の実施形態における回路保護剤付き回路基
板の断面図である。

【図８】第８の実施形態における平坦化膜付き基板の断
面図である。

【図９】第９の実施形態における液晶表示装置の断面図
である。

【図１０】第１０の実施形態におけるエッチング方法例
を示す図である。

【図１１】第１１の実施形態におけるエッチング方法例
を示す図である。

【図１２】ポストベーク温度と、現像特性との関係を説
明するための図である。

【符号の説明】

１２，２１ 半導体素子 １７ 半導体封止用材料 ２５ 半導体アンダーフィル用材料 ４２ フリップチップ実装用材料 ５４ 半導体保護膜 ６３，６４ 層間絶縁膜 ７４ 回路基材用材料 ８２ 平坦化材料 ９０ 回路基板保護膜 １１４ レジスト用材料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｄ 3/28 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 宇高 友広 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 千葉 秀貴 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA10 AA14 AA20 AB15 AB16 AB17 AC01 AD01 AD03 BE00 BJ00 BJ06 CB33 CC20 FA03 FA12 FA14 FA17 FA29 2H089 MA04Y MA05Y MA07Y NA44 PA16 QA06 QA07 TA07 5E314 AA27 AA31 AA32 AA36 AA41 AA42 BB13 CC02 CC07 CC17 DD06 FF01 FF06 FF19 FF21 GG03 GG08 GG11 GG26 5E339 AA01 AA02 AB01 AB05 BC02 BD02 BE13 CC01 CC02 CD01 CE14 CE17 CF16 DD02 DD04

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有すること
   を特徴とする電子部品用材料。 （Ａ）一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物
   およびその加水分解物あるいはいずれか一方の化合物 （Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P （１） ［一般式（１）中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加
   水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜
   ３の整数である。］ （Ｂ）光酸発生剤 （Ｃ）脱水剤
2. 【請求項２】 粘度を５〜１００００ｃｐｓ（測定温度
   ２５℃）の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１
   に記載の電子部品用材料。
3. 【請求項３】 光硬化後の５％重量減少温度（窒素雰囲
   気中測定）を２００〜５００℃の範囲内の値とすること
   を特徴とする請求項１または２に記載の電子部品用材
   料。
4. 【請求項４】 光硬化後の比誘電率（１００ｋＨｚ）を
   ２．０〜３．５の範囲内の値とすることを特徴とする請
   求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品用材料。
5. 【請求項５】 光硬化後の体積抵抗率を１×１０¹⁴〜１
   ×１０¹⁷Ω・ｃｍの範囲内の値とすることを特徴とする
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品用材料。
6. 【請求項６】 光硬化後の熱膨張係数を０．１×１０^-5
   〜１００×１０^-5／℃の範囲内の値とすることを特徴と
   する請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品用材
   料。
7. 【請求項７】 光硬化後の光透過率（波長５５０ｎｍ）
   を８０％以上の値とすることを特徴とする請求項１〜６
   のいずれか一項に記載の電子部品用材料。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか一項に記載の電
   子部品用材料を、半導体封止用材料、半導体アンダーフ
   ィル用材料、半導体保護膜用材料、層間絶縁膜用材料、
   回路基材用材料、平坦化材料、回路基板保護用材料、エ
   ッチングレジスト用材料、めっきレジスト用材料、また
   は液晶封止用材料として使用することを特徴とする電子
   部品用材料の使用方法。
9. 【請求項９】 前記電子部品用材料を塗工する工程と、
   露光工程と、加熱工程とを含むことを特徴とする電子部
   品用材料の使用方法。
10. 【請求項１０】 前記電子部品用材料を塗工する工程
    と、パターン露光工程と、現像工程と、ポストベーク工
    程とを含むことを特徴とする請求項８または９に記載の
    電子部品用材料の使用方法。