KR20010088331A - 자기전사용 마스터담체 - Google Patents
자기전사용 마스터담체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010088331A KR20010088331A KR1020010007052A KR20010007052A KR20010088331A KR 20010088331 A KR20010088331 A KR 20010088331A KR 1020010007052 A KR1020010007052 A KR 1020010007052A KR 20010007052 A KR20010007052 A KR 20010007052A KR 20010088331 A KR20010088331 A KR 20010088331A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- master carrier
- photoresist
- transfer
- disc
- pattern
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 121
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 120
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 114
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 114
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 6
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 7
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 4
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 4
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002545 FeCoNi Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 2
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 2
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015372 FeAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005435 FeTaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- -1 etc.) Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/86—Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/743—Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/86—Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers
- G11B5/865—Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers by contact "printing"
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0064—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture mediums or carriers characterised by the selection of the material
- G11B23/0071—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture mediums or carriers characterised by the selection of the material additional layers for lubrication or wear protection
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B5/596—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for track following on disks
- G11B5/59633—Servo formatting
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
자기기록매체에 서보신호와 같은 정보신호의 자기전사를 행하는 자기전사방법에 사용하는 요철패턴을 갖는 마스터담체를 간단하고, 저렴하고 또한 정밀도좋게 제작할 수 있도록 한다.
포토레지스트(11)가 도포된 원판(10)을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저(L) 또는 전자빔을 조사하고, 포토레지스트(11)를 현상한 요철을 갖는 원반(12)에 도금을 행하고 금속의 본을 뜬 후 박리를 행하는 것으로 제작해서 이루어지는 금속반(31A)으로 구성한다. 금속반(31)은 Ni를 주성분으로 한 도금으로 제작하여, 필요에 따라 표면에 연자성층(32)을 형성한다.
Description
본 발명은 정보가 담지된 마스터담체로부터 슬레이브매체로 자기전사하는 자기전사방법에 사용하는 자기전사용 마스터담체에 관한 것이다.
자기기록매체에 있어서는 일반적으로 정보량의 증가와 함께 많은 정보를 기록하는 대용량이고 저렴하고, 또한 바람직하게는 단시간에 필요한 부분을 판독할 수 있는 소위 고속액세스가 가능한 매체가 요구되고 있다. 이들 일례로서 고밀도 플렉시블디스크가 알려져 있고, 그 대용량을 실현하기 위해서는 좁은 트랙폭을 정확하게 자기헤드가 조사하고, 높은 S/N비로 신호를 재생하는 소위 트랙킹서보기술이 큰 역할을 하고 있다. 디스크의 1주중에서 소정 간격으로 트랙킹용 서보신호, 어드레스정보신호, 재생클럭신호 등이 소위 프로포맷으로서 기록되어 있다.
자기헤드는 이러한 프리포맷의 신호를 판독해서 스스로의 위치를 수정함으로써 정확하게 트랙위를 주행하는 것이 가능하게 설정되어 있다. 현재의 프리포맷은 디스크를 전용 서보기록장치를 이용해서 1장씩 또 1트랙씩 기록해서 제작된다.
그러나, 서보기록장치는 고가이고, 또 프리포맷제작에 시간이 걸리므로, 이 공정이 제조비용의 큰 부분을 차지하게 되어 그 비용의 절감화가 요구되고 있다.
한편, 1트랙씩 프리포맷을 기록하는 것은 아니고, 자기전사방법에 의해 그것을 실현하는 방법도 제안되고 있다. 예를 들면 일본국 특허공개 소화63-183623, 특허공개 평성10-40544 및 특허공개 평성10-269566에 전사기술이 소개되어 있다. 그러나, 상기와 같은 종래 제안되어 있는 기술은 실제상 구체적인 방법은 개시되어 있지 않고, 특히 전사시에 인가하는 자계의 조건 및 그 자계를 발생하기 위한 구체적인 장치구성 등은 전혀 불분명한 상태인 것이 실태였다.
그래서, 예를 들면 특허공개 소화63-183623호공보나 특허공개 평성10-40544호공보에서는 기판표면에 정보신호에 대응하는 요철형상이 형성되고 요철형상의 적어도 볼록부표면에 강자성 박막이 형성된 자기전사용 마스터담체의 표면을 강자성 박막 또는 강자성 분말도포층이 형성된 시트상 또는 디스크상의 자기기록매체의 표면에 접촉하거나, 또는 다시 교류바이어스자계 또는 직류자계를 인가해서 볼록부표면을 구성하는 강자성재료를 여기함으로써 요철형상에 대응하는 자화패턴을 자기기록매체에 기록하는 방법이 제안되고 있다.
이 방법은 마스터담체의 볼록부표면을 프리포맷할 자기기록매체, 즉 슬레이브매체에 밀착시킴과 동시에 볼록부를 구성하는 강자성재료를 여자함으로써 슬레이브매체에 소정의 프리포맷을 형성하는 전사방법이고, 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체의 상대적인 위치를 변화시키는 일없이 정적으로 기록을 행할 수 있고, 정확한 프리포맷기록이 가능하고, 또한 기록에 걸리는 시간도 매우 단시간이다.
그런데, 서보신호를 자기기록매체에 기록하기 위해서 자기전사방법을 적용하는 경우, 마스터담체에는 1㎛단위이하의 서보패턴을 3.5형 자기기록매체(직경 3.5인치) 또는 2.5형 자기기록매체(직경 2.5인치)의 전체면적에 걸쳐 임의의 위치에 정밀도좋게 배치해서 형성할 필요가 있다. 또, 각각의 서보패턴이 정보의 번지를나타내는 것으로부터 모두 다른 패턴형상을 제작할 필요가 있다.
상기와 같은 미세패턴은 반도체,자기헤드의 리소그래피기술에 의해 제작가능하지만, 이 기술은 원도(原圖)를 축소해서 정밀도를 높이고 있으므로, 1회의 노광으로 제작할 수 있는 패턴형성범위가 2cm각정도로 한정된다. 대면적의 패턴을 제작할 경우, 이 2cm각의 패턴형성범위를 반복하여 기록함으로써 제작가능하지만, 동일패턴이 형성되므로 전술한 바와 같이 모두 다른 패턴을 형성하는 서보기록방식에는 적용할 수 없다.
한편, 자기전사법에서는 상기 마스터담체는 슬레이브매체와 밀착시켜 자기전사를 행함으로써, 반복한 자기전사에 따라 정보를 담지한 패턴면형상이 마모해서 전사정밀도가 저하하거나, 이물이 들어가서 손상되어 수명이 짧아져 교환이 필요하게 된다. 이 점에서 마스터담체는 그 제조의 용이성, 저비용화가 요구된다. 즉, 마스터담체의 기판에 1장씩 미세패턴을 정밀도좋게 노광 등에 의해 형성하는 것은 품질관리가 번잡하고, 품질안정성 및 생산비용의 점에서 불리하게 되는 것이다.
본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어지는 것으로, 저렴하고 용이하게 제작할 수 있는 자기전사용 마스터담체를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 자기전사방법을 나타낸 도이다.
도 2는 다른 마스터담체의 형태를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 마스터담체의 금속반의 제1제작공정순서를 나타낸 도이다.
도 4는 마스터담체의 금속반의 제2제작공정순서를 나타낸 도이다.
도 5는 마스터담체의 금속반의 제3제작공정순서를 나타낸 도이다.
도 6은 마스터담체의 금속반의 제4제작공정순서를 나타낸 도이다.
도 7은 마스터담체의 금속반의 제5제작공정순서를 나타낸 도이다.
도 8은 마스터담체의 금속반의 제6제작공정순서를 나타낸 도이다.
(부호의 설명)
2-----슬레이브매체 3-----마스터담체
10----원판 11-----포토레지스트
12, 20-----제1원반 13-----은도금층
14-----제2원반 15-----제3원반
31, 31A∼31F-----금속반 32-----연자성층
33-----비자성층 34-----보호막
본 발명의 자기전사용 마스터담체는 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서, 포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상한 요철을 갖는 원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 다른 자기전사용 마스터담체는 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서, 포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상한 요철을 갖는 제1원반에 도금을 행하고, 제1원반을 박리한 제2원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는 금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 자기전사용 마스터담체는 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서, 포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상한 요철을 갖는 제1원반에 도금을 행하고, 제1원반을 박리한 제2원반에 수지액을 밀착시켜 경화를 행하거나 또는 도금을 행하고, 제2원반을 박리한 제3원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는 금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 자기전사용 마스터담체는 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서, 포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상하여 에칭을 실시해서 요철을 형성한 후 포토레지스트를 제거한 요철을 갖는 원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는 금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 자기전사용 마스터담체는 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서, 포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상하여 에칭을 실시해서 요철을 형성한 후 포토레지스트를 제거한 요철을 갖는 제1원반에 수지액을 밀착시켜 경화를 행하거나 또는 도금을 행하고, 제1원반을 박리한 제2원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는 금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 자기전사용 마스터담체는 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서, 포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상하여 에칭을 실시해서 요철을 형성한 후 포토레지스트를 제거한 요철을 갖는 제1원반에 수지액을 밀착시켜 경화를 행하거나 또는 도금을 행하고, 제1원반을 박리한 제2원반에 수지액을 밀착시켜 경화를 행하거나 도금을 행하고, 제2원반을 박리한 제3원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는 금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 것이다.
상기 원판이 유리 또는 석영인 것을 특징으로 한다. 상기 금속반의 주성분이 Ni인 것을 특징으로 한다. 상기 요철의 깊이가 80nm∼800nm인 것을 특징으로 한다. 더욱 바람직하게는 150nm∼600nm이다.
상기 본을 뜬 금속반의 요철패턴상에 연자성층을 형성한 것을 특징으로 한다. 상기 금속반의 요철패턴과 연자성층사이에 비자성층을 형성한 것을 특징으로한다. 상기 연자성층의 두께가 50nm∼500nm인 것을 특징으로 한다. 더욱 바람직하게는 150nm∼400nm이다. 최상층에 다이아몬드라이크 카본보호막을 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 요철패턴이 반경방향으로 긴 것을 특징으로 한다. 이 요철패턴은 반경방향의 길이는 0.3∼20㎛, 원주방향은 0.2∼5㎛가 바람직하고, 이 범위에서 반경방향의 쪽이 긴 패턴을 선택하는 것이 서보신호의 정보를 담지하는 패턴으로서 바람직하다.
또, 상기 「도금」은 무전해도금, 전주, 스패터링, 이온플레이팅을 포함하는 각종 금속성막법을 적용할 수 있는 것이다.
상기와 같은 자기전사용 마스터담체를 사용한 자기전사법은 마스터담체의 정보를 담지한 면과 슬레이브매체의 면을 밀착시켜 전사용 자계를 인가해서 행한다. 예를 들면, 상기와 같이 정보에 대응하는 요철패턴을 갖는 강자성 금속에 의한 금속반 또는 요철패턴의 표면부분에 연자성층이 형성된 금속반에 의한 자기전사용 마스터담체와 전사를 받는 슬레이브매체를 사용하여, 미리 슬레이브매체의 자화를 트랙방향으로 초기직류자화학고, 상기 마스터담체와 상기 초기직류자화한 슬레이브매체를 밀착시켜 상기 슬레이브매체면의 초기직류자화방향의 역방향으로 전사용 자계를 인가해서 자기전사를 행하는 것이 바람직하다.
또, 상기 금속반의 요철패턴은 레이저 또는 전자빔의 조사패턴에 대해서 포지티브패턴이어도 네가티브패턴이어도 즉 요철이 역으로 되어 있어도, 자기전사공정에 있어서의 초기자화와 전사용 자계의 방향을 역으로 하면 같은 자기전사패턴을얻을 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 의하면, 자기전사용 마스터담체를 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 금속반으로 구성함으로써, 자기기록매체에 서보신호와 같은 정보신호의 자기전사를 행하는 데에 필요한 마스터담체를 소정의 정밀도로 저렴하게 제작할 수 있다. 특히, 1장의 원반으로부터 도금에 의해 동일한 금속반을 다수 제작할 수 있고, 자기전사의 회수에 대응해서 차례로 마스터담체를 교환해서 품질이 안정된 자기전사를 실시할 수 있다.
또, 상기 마스터담체의 금속반의 주성분을 Ni로 하면, 경도, 성형성, 내후성 등의 점에서 양호하다. 상기 금속반이 Ni를 주성분으로 하는 경우, 이것은 강자성이므로, 이 금속반만으로 자기전사는 가능하지만, 전사특성이 좋은 연자성층을 형성하는 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 금속반의 자성의 영향을 받지 않기 위해서 금속반과 연자성층사이에 비자성층을 형성하는 것이 보다 바람직하다. 금속반이 비자성일 경우에는 전사특성이 좋은 연자성층을 형성하는 것이 필요하다. 최상층에 다이아몬드라이크 카본보호막을 형성하면 접촉내구성이 향상하여 마스터담체로부터 슬레이브매체로의 다수회의 자기전사가 가능하게 된다.
이하, 본 발명의 실시형태를 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 마스터담체를 사용한 자기전사방법을 나타낸 도로서, (a)는 자장을 일방향으로 인가해서 슬레이브매체를 직류자화하는 공정, (b)는 마스터담체와 슬레이브매체를 밀착시켜 반대방향으로 자계를 인가하는 공정, (c)는 자기전사후의 상태를 각각 나타낸 도이다. 도 2는 마스터담체의 다른 형태를 나타낸 단면도이다. 도 3 내지 도 8의각각은 마스터담체의 금속반의 제작공정순서를 나타낸 도이다.
자기전사방법의 개요는 다음과 같은 것이다. 먼저 도 1의 (a)에 나타내듯이, 처음에 슬레이브매체(2)에 초기 정자계(Hin)를 트랙방향의 일방향으로 인가해서 미리 초기자화(직류소자)를 행한다. 그 후, 도 1의 (b)에 나타내듯이, 이 슬레이매체(2)의 자기전사면과 마스터담체(3)의 금속반(31)의 미세요철패턴(반경방향 즉 트랙의 폭방향으로 긴 요철형상)에 연자성층(32)이 피복되어 이루어지는 정보담지면을 밀착시키고, 슬레이브매체(2)의 트랙방향으로 상기 초기자계(Hin)와는 역방향으로 전사용 자계(Hdu)를 인가해서 자기전사를 행한다. 그 결과, 도 1의 (c)에 나타내듯이, 슬레이브매체(2)의 자기전사면(트랙)에는 마스터담체(3)의 정보담지면의 연자성층(32)의 밀착볼록부와 오목부공간의 형성패턴에 따른 정보가 자기적으로 전사기록된다. 이와 같은 자기전사방법의 상세에 대해서는 예를 들면 일본국 특허출원 평성11-117800호에 기재한 내용을 참조하면 된다.
또, 상기 마스터담체(3)는 금속반(31)의 요철패턴이 도 1의 포지티브패턴과 역의 요철형상의 네가티브패턴의 경우이어도 초기자계(Hin)의 방향 및 전사용 자계(Hdu)의 방향을 상기와 역의 방향으로 함으로써 동일한 정보를 자기적으로 전사기록할 수 있다.
또, 상기 금속반(31)이 Ni 등에 의한 강자성체의 경우는 이 금속반(31)만으로 자기전사는 가능하고, 상기 연자성층(32)은 피복하지 않아도 되지만, 전사특성이 양호한 연자성층(32)을 형성함으로써 보다 양호한 자기전사를 행할 수 있다. 금속반(31)이 비자성체의 경우에는 연자성층(32)을 형성하는 것이 필요하다.
강자성 금속에 의한 금속반(31)에 연자성층(32)을 피복한 경우에, 금속반(31)의 자성의 영향을 받지 않기 위해, 도 2에 나타내듯이 금속반(31)과 연자성층(32)사이에 비자성층(33)을 형성하는 것이 더욱 바람직하다. 즉, 도 2의 마스터담체(3)는 상기와 마찬가지로 요철패턴을 갖는 금속반(31)상에 비자성층(33)을 피복한 후, 이 비자성층(33)상에 연자성층(32)을 피복하고, 다시 최상층에 다이아몬드라이크 카본(DLC)보호막(34)이 피복되어 있다. 최상층의 DLC보호막(34)은 접촉내구성이 향상하여 다수회의 자기전사가 가능하게 되고, 도 1의 경우에도 최상층에 피복하는 것이 바람직하다. 또, DLC보호막(34)의 하층에 Si막을 스패터링 등으로 형성하도록 해도 좋다.
자기전사용 마스터담체(3)의 금속반(31)의 제1제작공정을 도 3의 (a) 내지 (d)에 기초해서 서술한다. 먼저 (a)와 같이 표면이 평활한 원판(10)(유리 또는 석영판)위에 포토레지스트액을 스핀코트 등으로 도포해서 포토레지스트(11)를 형성하고, 이 포토레지스트(11)를 갖는 원판(10)을 회전시키면서, 서보신호에 대응해서 변조한 레이저광(L)(또는 전자빔, 이하의 형태에서 동일)을 조사하고, 원판(10)전체면의 포토레지스트(11)에 소정의 프리포맷패턴, 예를 들면 각 트랙으로 회전중심으로부터 반경방향으로 선상으로 연장하는 서보신호에 상당하는 패턴을 원주상의 각 프레임에 대응하는 부분에 노광한다. 그 후, (b)와 같이 포토레지스트(11)를 현상처리하고, 노광부분을 제거하여 포토레지스트(11)에 의한 요철형상을 갖는 원반(12)(제1원반)을 얻는다.
다음에, 상기 원반(12)의 표면의 요철패턴을 기초로, 이 표면에 (c)와 같이도금처리에 의해 얇은 은 도금층(13)을 형성한 후에 전주를 실시하고, 금속의 본을 뜬 포지티브형 요철패턴을 갖는 금속반(31A)을 제작한다. (d)와 같이 원반(12)으로부터 소정 두께로 된 금속반(31A)을 박리한다.
상기 금속반(31A)의 표면의 요철패턴은 상기 원반(12)의 요철형상이 반전된 것이고, 자기기록매체전체의 임의의 위치에 ㎛단위이하의 정밀도로 패턴이 제작되어 있다. 이 금속반(31A)을 그대로 자기전사용 마스터담체(3)로 하거나, 또는 요철패턴상에 필요에 따라 비자성층(33), 연자성층(32), 보호막(34)을 피복해서 자기전사용 마스터담체(3)로 한다.
제2제작공정을, 도 4의 (a) 내지 (f)에 나타낸다. (a) 및 (b)의 원판(10)상으로의 포토레지스트(11)의 형성, 레이저광(L)에 의한 패턴의 노광, 현상처리를 행하고, 포토레지스트(11)에 의한 요철형상을 갖는 제1원반(12)의 형성은 도 3과 동일하다. 다음에, (c)와 같이 제1원반(12)의 표면의 요철패턴에 도금을 행하여 은도금층(13)상에 전주를 실시하고, 포지티브형 요철패턴을 갖는 제2원반(14)을 제작한다. (d)와 같이 제2원반(14)을 박리하고, 이 제2원반(14)의 표면의 요철패턴에 (e)와 같이 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 네가티브형 요철패턴을 갖는 금속반(31B)을 제작한다. (f)와 같이 제2원반(14)으로부터 소정 두께로 된 금속반(31B)을 박리한다.
상기 금속반(31B)의 표면의 요철패턴은 상기 제1원반(12)의 요철형상과 같은 네가티브형이고, 이 금속반(31B)을 그대로 자기전사용 마스터담체(3)로 하거나, 또는 요철패턴상에 필요에 따라 비자성층(33), 연자성층(32), 보호막(34)을 피복해서자기전사용 마스터담체(3)로 한다. 이 금속반(31B)에 의한 마스터담체(3)에서는 전술과 같이 초기자계(Hin)와 전사용 자계(Hdu)를 도 1의 (b)와는 역방향으로 함으로써, 도 1의 (c)와 동일한 패턴으로 자기전사를 행할 수 있다.
제3제작공정을 도 5의 (a) 내지 (h)에 나타낸다. (a) 내지 (d)의 제1원반(12)으로의 요철형성 및 제2원반(14)의 제작은 도 4와 동일하다. 다음에, (e)와 같이 제2원반(14)의 표면의 요철패턴에 도금을 행하거나, 수지액을 밀착시켜 경화를 행하여 네가티브형 요철패턴을 갖는 제3원반(15)을 제작한다. (f)와 같이 제2원반(14)으로부터 소정 두께로 된 제3원반(15)을 박리한다. 다음에, (g)와 같이 제3원반(15)의 표면의 요철패턴에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 포지티브형 요철패턴을 갖는 금속반(31C)을 제작한다. (h)와 같이 제3원반(13)으로부터 소정 두께로 된 금속반(31C)을 박리한다.
상기 금속반(31C)의 표면의 요철패턴은 도 3에 있어서의 금속반(31A)과 동일한 포지티브패턴이고, 그대로 자기전사용 마스터담체(3)로 하거나, 또는 요철패턴상에 필요에 따라 비자성층(33), 연자성층(32), 보호막(34)을 피복해서 자기전사용 마스터담체(3)로 한다.
제4제작공정을 도 6의 (a) 내지 (f)에 기초해서 서술한다. 먼저 (a)와 같이 표면이 평활한 원판(10)(유리 또는 석영판)상에 포토레지스트액을 스핀코트 등으로 도포해서 포토레지스트(11)를 형성하고, 이 포토레지스트(11)를 갖는 원판(10)을 회전시키면서, 서보신호에 대응해서 변조한 레이저광(L)(또는 전자빔, 이하의 형태로 동일)을 조사하고, 원판(10)전체면의 포토레지스트(11)에 소정 프리포맷패턴을노광한다. 그 후, (b)와 같이 포토레지스트(11)를 현상처리하여, 노광부분을 제거한 후, 에칭공정에서 포토레지스트(11)가 제거된 부분의 원판(10)을 에칭하여, (c)와 같이 노광패턴에 따른 구멍(10a)을 형성한다. 그 후, 나머지 포토레지스트(11)를 제거하여, (d)와 같이 표면에 구멍(10a)에 의한 요철패턴을 갖는 원반(20)(제1원반)을 얻는다.
다음에, 상기 원반(20)의 표면의 요철패턴을 기초로, 이 표면에 (e)와 같이 도금처리에 의해 얇은 은도금층(13)을 형성한 후에 전주를 실시하고, 금속의 본을 뜬 포지티브형 요철패턴을 갖는 금속반(31D)을 제작한다. (f)와 같이 원반(20)으로부터 소정 두께로 된 금속반(31D)을 박리한다.
상기 금속반(31D)의 표면의 요철패턴은 상기 원반(20)의 요철형상이 반전된 상기 도 3의 금속반(31A)과 동일한 것이고, 자기기록매체전체의 임의의 위치에 ㎛단위이하의 정밀도로 패턴이 제작되어 있다. 이 금속반(31D)을 그대로 자기전사용 마스터담체(3)로 하거나, 또는 요철패턴상에 필요에 따라 비자성층(33), 연자성층(32), 보호막(34)을 피복해서 자기전사용 마스터담체(3)로 한다.
제5제작공정을 도 7의 (a) 내지 (h)에 나타낸다. (a) 내지 (d)의 원판(10)상으로의 포토레지스트(11)의 형성, 레이저광(L)에 의한 패턴의 노광, 현상처리, 에칭에 의한 요철형상을 갖는 제1원반(20)의 형성은 도 6과 동일하다. 다음에, (e)와 같이 제1원반(20)의 표면의 요철패턴에 도금(은도금층(13)의 형성과 전주)을 행하거나, 수지액을 밀착시켜 경화를 행하여 포지티브형 요철패턴을 갖는 제2원반(14)을 제작한다. (f)와 같이 제2원반(14)을 박리하고, 이 제2원반(14)의 표면의 요철패턴에 (g)와 같이 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 네가티브형 요철패턴을 갖는 금속반(31E)을 제작한다. (h)와 같이 제2원반(14)으로부터 소정 두께로 된 금속반(31F)을 박리한다.
상기 금속반(31E)의 표면의 요철패턴은 상기 제1원반(20)의 요철형상과 같은 네가티브형이고 상기 금속반(31B)과 동일하며, 이 금속반(31E)을 그대로 자기전사용 마스터담체(3)로 하거나, 또는 요철패턴상에 필요에 따라 비자성층(33), 연자성층(32), 보호막(34)을 피복해서 자기전사용 마스터담체(3)로 한다. 이 금속반(31E)에 의한 마스터담체(3)에서는 전술과 같이 초기자계(Hin)와 전사용 자계(Hdu)를 도 1의 (b)와는 역방향으로 함으로써, 도 1의 (c)와 동일한 패턴으로 자기전사를 행할 수 있다.
제6제작공정을 도 8의 (a) 내지 (j)에 나타낸다. (a) 내지 (f)의 제1원반(20)으로의 요철형성 및 제2원반(14)의 제작은 도 7과 동일하다. 다음에, (g)와 같이 제2원반(14)의 표면의 요철패턴에 도금을 행하거나, 수지액을 밀착시켜 경화를 행하여 네가티브형 요철패턴을 갖는 제3원반(15)을 제작한다. (h)와 같이 제2원반(14)으로부터 소정 두께로 된 제3원반(15)을 박리한다. 다음에, (i)와 같이 제3원반(15)의 표면의 요철패턴에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 포지티브형 요철패턴을 갖는 금속반(31F)을 제작한다. (j)와 같이 제3원반(15)으로부터 소정 두께로 된 금속반(31F)을 박리한다.
상기 금속반(31F)의 표면의 요철패턴은 도 6에 있어서의 금속반(31D)과 동일한 포지티브패턴이고, 그대로 자기전사용 마스터담체(3)로 하거나, 또는 요철패턴상에 필요에 따라 비자성층(33), 연자성층(32), 보호막(34)을 피복해서 자기전사용 마스터담체(3)로 한다.
금속반(31)의 재료로서는 Ni 또는 Ni합금을 사용할 수 있고, 이 금속반(31)을 제작하는 상기 도금은 무전해도금, 전주, 스패터링, 이온플레이팅을 포함하는 각종 금속성막법을 적용할 수 있다. 금속반(31)의 요철패턴의 깊이(돌기의 높이)는 80nm∼800nm의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 150nm∼600nm이다. 이 요철패턴은 서보신호의 경우에는, 반경방향으로 길게 형성된다. 예를 들면, 반경방향의 길이는 0.3∼20㎛, 원주방향은 0.2∼5㎛가 바람직하고, 이 범위에서 반경방향의 쪽이 긴 패턴을 선택하는 것이 서보신호의 정보를 담지하는 패턴으로서 바람직하다.
상기 연자성층(32)의 형성은 자성재료를 진공증착법, 스패터링법, 이온플레이팅법 등의 진공성막수단, 도금법 등에 의해 성막한다. 연자성층(32)의 자성재료로서는 Co, Co합금(CoNi, CoNiZr, CoNbTaZr 등), Fe, Fe합금(FeCo, FeCoNi, FeNiMo, FeAlSi, FeAl, FeTaN), Ni, Ni합금(NiFe)을 이용할 수 있다. 특히 바람직하게는 FeCo, FeCoNi이다. 연자성층(32)의 두께는 50∼500nm의 범위가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 150∼400nm이다.
또, 연자성층(32)의 하층에 하지층으로서 형성하는 비자성층(34)의 재료로서는, Cr, CrTi, CoCr, CrTa, CrMo, NiAl, Ru, C, Ti, Al, Mo, W, Ta, Nb 등을 이용한다. 이 비자성층(34)은 금속반(31)이 강자성체의 경우에 있어서의 신호품위의 뒤떨어짐을 억제할 수 있다.
또, 연자성층(32)상에 DLC 등의 보호막을 형성하는 것이 바람직하고, 윤활제층을 형성해도 좋다. 또 보호막으로서 5∼30nm의 DLC막과 윤활제층이 존재하는 것이 더욱 바람직하다. 또, 연자성층(32)과 보호막(34)사이에 Si 등의 밀착강화층을 형성해도 좋다. 윤활제는 슬레이브매체(2)와의 접촉과정에서 발생하는 어긋남을 보정할 때의 마모에 의한 손상의 발생 등의 내구성의 떨어짐을 개선한다.
다음에 슬레이브매체(2)에 대해서 서술한다. 슬레이브매체(2)로서는 도포형 자기기록매체, 또는 금속박막형 자기기록매체를 이용한다. 도포형 자기기록매체로서는 고밀도 플렉시블디스크 등의 시판 매체를 들 수 있다. 금속박막형 자기기록매체에 대해서는 먼저 자성재료로서는 Co, Co합금(CoPtCr, CoCr, CoPtCrTa, CoPtCrNbTa, CoCrB, CoNi 등), Fe, Fe합금(FeCo, FePt, FeCoNi)을 이용할 수 있다. 이것은 자속밀도가 큰 것, 슬레이브매체(2)와 같은 방향(면내기록으로부터 면내방향, 수직인 수직방향)의 자기이방성을 갖고 있는 것이 명료한 전사를 행할 수 있으므로 바람직하다. 그리고 자성재료의 밑(지지체측)에 필요한 자기이방성을 갖기 때문에 비자성의 하지층을 형성하는 것이 바람직하다. 결정구조와 격자상수를 자성층에 맞추는 것이 필요하다. 이것을 위해서는 Cr, CrTi, CoCr, CrTa, CrMo, NiAl, Ru 등을 이용한다.
이하에, 본 발명의 실시예1 내지 실시예5의 마스터담체, 및 비교예1의 마스터담체를 나타내며, 그 특성을 평가한 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1에서는 자기전사후의 신호품위를 확인하기 위해서, 자기전사후의 슬레이브매체를 자기현상액(시그머하이케미컬사제; 시그메이커Q)을 10배로 희석하여, 슬레이브매체상에 떨어트리고, 건조시켜 형상된 자기전사신호단의 변동량을 평가하는것으로 했다. 현미경으로 1000배의 확대율로 10시야관측하여, 명료한 것으보터 5점법(5점이 가장 명확, 1점이 가장 불명확, 0점은 평가불능)으로 평가했다. 또, 1000회 자기전사를 행한 후, 동일한 평가를 행했다.
(실시예1)
이 실시예1의 마스터담체는 상기 제1제작공정(도 3참조)을 따라서 형성한 것으로, 표면조도(Ra)가 0.8nm의 합성석영의 원판에 포토레지스트를 도포하고, 프리베이크후의 포토레지스트는 두께 200nm이었다. 레이저커팅장치로 패턴을 포토레지스트에 노광하여 알칼리현상액으로 현상했다. 여기에서 패턴은 반경 20mm ∼40mm의 위치까지, 0.5㎛폭으로 등간격의 방사상 라인을 형성하고, 라인간격은 반경 20mm의 위치에서 0.5㎛로 했다. 포토레지스트표면을 세정후, 베이킹을 행하여 원반을 제작했다. 이것에 얇은 은도금을 실시한 후, Ni도금층을 300㎛의 두께로 형성하고, 원반으로부터 박리한 금속반을 자기전사용 마스터담체로 했다. 이 마스터담체를 사용해서 자기전사를 행한 결과, 1회째 및 1000회전사후에 있어서도 어느 정도 양호한 전사패턴이 얻어졌다.
(실시예2)
이 실시예2의 마스터담체는 상기 제4제작공정(도 6참조)을 따라 형성한 것으로, 실시예1과 동일하게 포토레지스트를 도포하여 레이저로 패턴을 노광하여 현상처리한 원판에 대해서, 200nm의 깊이로 반응성 이온에칭을 행하고, 잔류포토레지스트를 제거하여 원반을 제작하였다. 이것에 Ni도금층을 형성하고, 원반으로부터 박리한 금속반을 자기전사용 마스터담체로 했다. 이 마스터담체를 사용해서 자기전사를 행한 결과, 1회째 및 1000회 전사후에 있어서도 실시예1과 동등한 어느 정도 양호한 전사패턴이 얻어졌다.
(실시예3)
이 실시예3의 마스터담체는 실시예2에서 제작한 금속반에 FeNi50at%로 이루어지는 두께 200nm의 연자성층을 성막해서 자기전사용 마스터담체로 했다. 연자성층의 성막조건은 아넬버사제 730H스패터장치로 직류 스패터법을 사용하고, 제작온도는 25℃, Ar가스압은 4×10-4Pa, 투입전력은 3W/㎠로 했다. 이 마스터담체를 사용해서 자기전사를 행한 결과, 연자성층을 갖음으로써, 이것을 갖지 않는 실시예1 및 실시예2보다 더욱 양호한 전사패턴이 얻어졌다.
(실시예4)
이 실시예4의 마스터담체는 실시예2에서 제작한 금속반에 Cr로 이루어지는 두께 300nm의 비자성층을 성막한 후, 실시예3과 동일한 공정으로 FeNi50at%를 200nm의 두께로 성막해서 연자성층을 형성하고, 자기전사용 마스터담체로 했다. 이 마스터담체를 사용해서 자기전사를 행한 결과, 비자성층상에 연자성층을 형성함으로써, 실시예1, 2, 및 3보다 더욱 양호한 전사패턴이 얻어졌다.
(실시예5)
이 실시예5의 마스터담체는 실시예4에서 제작한 마스터담체상에 Si를 스패터링으로 1nm형성한 후, CVD법으로 DLC보호막을 5nm피복해서, 자기전사용 마스터담체로 했다. 이 마스터담체를 사용해서 자기전사를 행한 결과, DLC보호막에 의한 내마모성의 향상으로 1000회의 자기전사를 행해도 처음의 양호한 전사평가가 유지되고 있다.
(비교예1)
이 비교예1의 마스터담체는 실시예1의 마스터담체의 금속반을 실리콘웨이퍼기판으로 교환하고, 그 기판상에 실시예2와 동일한 연자성층을 형성하고, 다시 그 위에 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용해서 실시예1과 동일한 패턴을 노광하고, 현상처리후, 다시 에칭을 행해서 연자성층을 부분적으로 제거한 후, 남아 있는 포토레지스트를 제거하여 제작한 것이다. 이 마스터담체를 사용해서 자기전사를 행한 결과, 1회째부터 얻어지는 전사패턴은 불명확하고, 1000회째에서는 평가불능했다.
| 전사평가1회째 | 전사평가1000회째 | |
| 실시예1 | 3점 | 2점 |
| 실시예2 | 3점 | 2점 |
| 실시예3 | 4점 | 3점 |
| 실시예4 | 5점 | 4점 |
| 실시예5 | 5점 | 5점 |
| 비교예1 | 1점 | 0점 |
상기와 같은 본 발명에 의하면, 자기전사용 마스터담체를 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 금속반으로 구성함으로써, 자기기록매체에 서보신호와 같은 정보신호의 자기전사를 행하는 데에 필요한 마스터담체를 소정의 정밀도로 저렴하게 제작할 수 있다. 특히, 1장의 원반으로부터 도금에 의해 동일한 금속반을 다수 제작할 수 있고, 자기전사의 회수에 대응해서 차례로 마스터담체를 교환해서 품질이 안정된 자기전사를 실시할 수 있다.
또, 상기 마스터담체의 금속반의 주성분을 Ni로 하면, 경도, 성형성, 내후성 등의 점에서 양호하다. 상기 금속반이 Ni를 주성분으로 하는 경우, 이것은 강자성이므로, 이 금속반만으로 자기전사는 가능하지만, 전사특성이 좋은 연자성층을 형성하는 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 금속반의 자성의 영향을 받지 않기 위해서 금속반과 연자성층사이에 비자성층을 형성하는 것이 보다 바람직하다. 금속반이 비자성일 경우에는 전사특성이 좋은 연자성층을 형성하는 것이 필요하다. 최상층에 다이아몬드라이크 카본보호막을 형성하면 접촉내구성이 향상하여 마스터담체로부터 슬레이브매체로의 다수회의 자기전사가 가능하게 된다.
Claims (14)
- 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서,포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상한 요철을 갖는 원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는 금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
- 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서,포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상한 요철을 갖는 제1원반에 도금을 행하고, 제1원반을 박리한 제2원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는 금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
- 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서,포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상한 요철을 갖는 제1원반에 도금을 행하고, 제1원반을 박리한 제2원반에 수지액을 밀착시켜 경화를 행하거나 또는 도금을 행하고, 제2원반을 박리한 제3원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는 금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
- 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서,포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상하여 에칭을 실시해서 요철을 형성한 후 포토레지스트를 제거한 요철을 갖는 원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는 금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
- 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서,포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상하여 에칭을 실시해서 요철을 형성한 후 포토레지스트를 제거한 요철을 갖는 제1원반에 수지액을 밀착시켜 경화를 행하거나 또는 도금을 행하고, 제1원반을 박리한 제2원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는 금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
- 전사하는 정보에 대응한 요철패턴을 갖는 자기전사용 마스터담체로서,포토레지스트가 도포된 원판을 회전시키면서 정보에 따라 변조한 레이저 또는 전자빔을 조사하고, 그 포토레지스트를 현상하여 에칭을 실시해서 요철을 형성한 후 포토레지스트를 제거한 요철을 갖는 제1원반에 수지액을 밀착시켜 경화를 행하거나 또는 도금을 행하고, 제1원반을 박리한 제2원반에 수지액을 밀착시켜 경화를 행하거나 도금을 행하고, 제2원반을 박리한 제3원반에 도금을 행하고, 금속의 본을 뜬 후 박리함으로써 제작해서 이루어지는 금속반으로 구성한 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 원판이 유리 또는 석영인 것을 특징으로 자기전사용 마스터담체.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금의 주성분이 Ni인 것을 특징으로 자기전사용 마스터담체.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 요철의 깊이가 80nm∼800nm인 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 본을 뜬 금속반의 요철패턴상에 연자성층을 형성한 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
- 제10항에 있어서, 상기 금속반의 요철패턴과 연자성층사이에 비자성층을 형성한 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
- 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 연자성층의 두께가 50nm∼500nm인 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 최상층에 다이아몬드라이크 카본보호막을 형성한 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 요철패턴이 반경방향으로 긴 것을 특징으로 하는 자기전사용 마스터담체.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-66122 | 2000-03-10 | ||
| JP2000066122A JP3999436B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 磁気転写用マスター担体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010088331A true KR20010088331A (ko) | 2001-09-26 |
Family
ID=18585536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010007052A KR20010088331A (ko) | 2000-03-10 | 2001-02-13 | 자기전사용 마스터담체 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20010028964A1 (ko) |
| EP (1) | EP1132898A3 (ko) |
| JP (1) | JP3999436B2 (ko) |
| KR (1) | KR20010088331A (ko) |
| CN (1) | CN1208760C (ko) |
| MY (1) | MY124923A (ko) |
| SG (1) | SG106603A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7972490B2 (en) | 2007-11-29 | 2011-07-05 | Fujifilm Corporation | Magnetic transfer master disk and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1235198C (zh) * | 2001-05-18 | 2006-01-04 | 富士胶片株式会社 | 磁复制用主载体 |
| US6816327B2 (en) * | 2001-11-28 | 2004-11-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Master information carrier for magnetic transfer and magnetic transfer method |
| KR20030051281A (ko) * | 2001-12-14 | 2003-06-25 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | 자기전사용 마스터 담체 |
| JP2003248923A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスター担体の作製方法 |
| JP3727603B2 (ja) | 2002-03-15 | 2005-12-14 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気転写装置のホルダー |
| US7105280B1 (en) * | 2002-06-28 | 2006-09-12 | Seagate Technology Llc | Utilizing permanent master for making stampers/imprinters for patterning of recording media |
| US20040040668A1 (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Holder for magnetic transfer device |
| EP1398765B1 (en) * | 2002-09-13 | 2005-11-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Master information carrier for magnetic transfer |
| US20040057158A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-03-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of depicting a pattern with electron beam and method of producing disc-like substrate carrying thereon a pattern depicted with electron beam |
| KR20040034407A (ko) | 2002-10-15 | 2004-04-28 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | 전자선 묘화방법, 고밀도 기록을 위한 원반형상 담체 및자기디스크매체 |
| US6755984B2 (en) * | 2002-10-24 | 2004-06-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-casted silicon carbide nano-imprinting stamp |
| JP4109085B2 (ja) * | 2002-11-06 | 2008-06-25 | 富士フイルム株式会社 | 電子ビーム描画方法 |
| JP2004241023A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスター担体 |
| JP2004253015A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスター担体 |
| US20040180174A1 (en) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Master information carrier for magnetic transfer and its production method |
| JP2004348796A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスター担体および磁気転写方法 |
| US7294251B2 (en) * | 2003-08-19 | 2007-11-13 | Fujifilm Corporation | Process of producing master carrier for magnetic transfer |
| JP4190371B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2008-12-03 | Ｔｄｋ株式会社 | 凹凸パターン形成用スタンパー、凹凸パターン形成方法および磁気記録媒体 |
| US20050047286A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-03 | Hanks Darwin Mitchel | Focus error signal generation |
| JP4249063B2 (ja) * | 2004-03-10 | 2009-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 磁気転写用マスター担体および磁気転写装置並びに磁気転写方法 |
| JP2006017782A (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子ビーム描画方法 |
| EP1612838A3 (en) | 2004-06-30 | 2006-08-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd | Electron beam lithography method |
| JP2006213979A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反転盤製造方法 |
| JP2006216181A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスターディスクの製造方法 |
| EP1688927A3 (en) * | 2005-02-08 | 2007-08-08 | FUJIFILM Corporation | Magnetic transfer master disk, its manufacturing method and magnetic transfer method |
| JP4218896B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2009-02-04 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気記録媒体、記録再生装置およびスタンパー |
| KR100624462B1 (ko) * | 2005-03-04 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 패턴화된 기록매체의 제조 방법 |
| JP2006260690A (ja) | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスターディスク |
| JP2006268950A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスターディスクの製造方法、磁気転写用マスターディスク、及び磁気記録媒体 |
| JP2006277818A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスターディスクの製造方法、電鋳浴成分濃度管理システム、及び磁気記録媒体 |
| JP2006277817A (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスターディスクの製造方法 |
| JP2007179705A (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Fujitsu Ltd | マスタ体及び磁気記録媒体 |
| JP4850671B2 (ja) | 2006-12-01 | 2012-01-11 | 富士フイルム株式会社 | モールド及びその製造方法、並びに磁気記録媒体 |
| US20080206602A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | Katine Jordan A | Nanoimprinting of topography for patterned magnetic media |
| JP2008226352A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 磁気転写用マスター担体の製造方法 |
| JP2009245555A (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fujifilm Corp | 磁気転写用マスター担体の製造方法、磁気転写用マスター担体、磁気転写方法、及び磁気記録媒体 |
| KR101457528B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2014-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 임프린트 기판의 제조방법 및 임프린팅 방법 |
| JP2010073272A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 転写用原盤及びその製造方法 |
| JP2011090738A (ja) | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気転写用パターンの描画方法 |
| JP2011150757A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気転写用マスターディスクの製造方法 |
| JP2011194629A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | マスターモールドの製造方法およびモールド構造体の製造方法 |
| JP2015072953A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | キヤノン株式会社 | 減磁装置、描画装置、および物品の製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3844907A (en) * | 1970-03-27 | 1974-10-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method of reproducing magnetization pattern |
| JPS4944405B1 (ko) * | 1970-03-27 | 1974-11-28 | ||
| JPS63183623A (ja) | 1987-01-23 | 1988-07-29 | Sony Corp | 可撓性デイスクへの接触磁界転写方法 |
| US5067039A (en) * | 1989-10-20 | 1991-11-19 | Insite Peripherals, Inc. | High track density magnetic media with pitted optical servo tracks and method for stamping the tracks on the media |
| JP2751532B2 (ja) * | 1990-02-26 | 1998-05-18 | ソニー株式会社 | 磁気転写方法 |
| CA2056307C (en) * | 1990-11-28 | 1997-09-16 | Hitoshi Isono | Method of manufacturing a stamper |
| US5796533A (en) | 1994-03-15 | 1998-08-18 | Kao Corporation | System for magnetic contact duplication |
| US5858477A (en) * | 1996-12-10 | 1999-01-12 | Akashic Memories Corporation | Method for producing recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon |
| JP3323743B2 (ja) | 1996-07-22 | 2002-09-09 | 松下電器産業株式会社 | マスター情報担体および磁気記録媒体の製造方法 |
| JP3343326B2 (ja) | 1997-03-27 | 2002-11-11 | 松下電器産業株式会社 | マスター情報担体 |
| TW342495B (en) | 1996-07-22 | 1998-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Master information carrier, method of producing the same, and method for recording master information signal on magnetic recording medium |
| JP4025398B2 (ja) | 1997-10-17 | 2007-12-19 | 株式会社日立製作所 | 車載用制御装置およびそれに用いられる障害診断方法 |
| JPH11161944A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Sony Corp | 磁気ディスク及び磁気ディスク装置 |
| US6190838B1 (en) * | 1998-04-06 | 2001-02-20 | Imation Corp. | Process for making multiple data storage disk stampers from one master |
| JP2001307324A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスター担体および磁気記録媒体 |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000066122A patent/JP3999436B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-10 MY MYPI20011097A patent/MY124923A/en unknown
-
2001
- 2001-02-08 CN CNB011037121A patent/CN1208760C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-13 KR KR1020010007052A patent/KR20010088331A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-03-09 EP EP01105377A patent/EP1132898A3/en not_active Withdrawn
- 2001-03-09 SG SG200101486A patent/SG106603A1/en unknown
- 2001-03-12 US US09/802,933 patent/US20010028964A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-04-30 US US10/425,598 patent/US6759183B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7972490B2 (en) | 2007-11-29 | 2011-07-05 | Fujifilm Corporation | Magnetic transfer master disk and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1313587A (zh) | 2001-09-19 |
| MY124923A (en) | 2006-07-31 |
| CN1208760C (zh) | 2005-06-29 |
| US20030198833A1 (en) | 2003-10-23 |
| EP1132898A2 (en) | 2001-09-12 |
| EP1132898A3 (en) | 2005-12-07 |
| JP2001256644A (ja) | 2001-09-21 |
| US6759183B2 (en) | 2004-07-06 |
| US20010028964A1 (en) | 2001-10-11 |
| SG106603A1 (en) | 2004-10-29 |
| JP3999436B2 (ja) | 2007-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20010088331A (ko) | 자기전사용 마스터담체 | |
| KR20020088375A (ko) | 자기전사용 마스터담체 및 자기전사방법, 그리고자기전사용 마스터담체의 제작방법 | |
| JP3963637B2 (ja) | 磁気転写方法 | |
| US6804069B2 (en) | Magnetic transfer method to prevent dropout of servo signal | |
| KR20030043747A (ko) | 자기전사용 마스터 담체 및 자기전사방법 | |
| US6833969B2 (en) | Master information carrier for magnetic transfer | |
| KR20020013718A (ko) | 자기전사방법 | |
| JP2002050038A (ja) | 磁気転写方法 | |
| US20060181796A1 (en) | Disk-shaped magnetic recording medium | |
| KR20030007107A (ko) | 자기전사용 마스터담체 | |
| US20070217047A1 (en) | Master medium for perpendicular magnetic transfer, method of perpendicular magnetic transfer, perpendicular magnetic recording medium and perpendicular magnetic recording apparatus | |
| JP2003141715A (ja) | 磁気転写用マスター担体 | |
| JP2004079060A (ja) | 磁気転写用マスター担体 | |
| JP3986951B2 (ja) | 磁気転写用マスター担体および磁気転写方法 | |
| US7641822B2 (en) | Master information carrier for magnetic transfer and a method for producing the carrier | |
| JP2001307324A (ja) | 磁気転写用マスター担体および磁気記録媒体 | |
| KR20020069135A (ko) | 자기전사방법 및 자기전사장치 | |
| JP3964452B2 (ja) | 磁気転写用マスター担体 | |
| KR20010082119A (ko) | 자기전사용 마스터담체 및 자기기록매체 | |
| EP1445765A2 (en) | Master information carrier for magnetic transfer | |
| JP2003022530A (ja) | 磁気転写方法 | |
| JP2003248918A (ja) | 磁気転写用マスター担体 | |
| JP2002117533A (ja) | 磁気転写用マスター担体 | |
| JP2003173513A (ja) | 磁気転写用マスター担体および磁気転写用マスター担体の作製方法 | |
| JP2002342920A (ja) | 磁気転写用マスター担体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |