JP2003248918A - 磁気転写用マスター担体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスター担体とスレーブ媒体を密着させ転写
用磁界を印加して磁気転写を行う際の、マスター担体の
熱膨張変形に基づく転写信号の位置精度を、雰囲気温度
を厳密に管理することなく確保する。 【解決手段】 マスター担体３は基板３１に形成したパ
ターン上に磁性層３２を備え、基板31の熱膨張係数が、
５〜２５×１０^-6／℃の範囲であり、異方向の熱膨張係
数の差が８×１０^-6／℃以下である。基板31は、純Ｎｉ
または僅かにＣｏを含むＮｉ−Ｃｏよりなるものが、熱
膨張係数が１３×１０^-6／℃前後で安定して得られ、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−ＮｉよりなりＮｉの含有量が６０％以上であ
るものが、熱膨張係数が１２×１０^-6／℃前後で安定し
て得られ好適である。また、マスター担体３の基板の熱
膨張係数Ａと、スレーブ媒体２の基板の熱膨張係数Ｂと
の比Ｂ／Ａが、０．３〜２．１の範囲にあることが望ま
しい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スレーブ媒体に磁
気転写する転写情報を担持した磁気転写用マスター担体
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気転写方法は、基板の表面に転写情報
に対応するパターンが磁性体によって形成されたマスタ
ー担体の表面を、磁気記録部を有するスレーブ媒体の表
面に密着させ、この状態で転写用磁界を印加し、マスタ
ー担体に担持した情報（例えばサーボ信号）に対応する
磁化パターンをスレーブ媒体の磁気記録部に転写記録す
るものである（例えば、特許文献１参照）。

【０００３】磁気転写に使用されるマスター担体は、シ
リコン基板、ガラス基板等に、フォトファブリケーショ
ン、スパッタリング、エッチングなどの処理を施して磁
性体による凹凸パターンを形成したもので構成されてい
る。

【０００４】また、半導体などで使用されているリトグ
ラフィー技術、あるいは光ディスクスタンパー作成に使
用されているスタンパー作成技術を応用し、磁気転写用
マスター担体を作成することが考えられている。

【０００５】

【特許文献１】特開平１０−２６９５６６号公報

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な磁気転写においては、この磁気転写によってスレーブ
媒体に記録された信号が、記録再生を行うドライブに装
填された際に、正確に読み取られることが重要である。

【０００７】上記点から、磁気転写においてはスレーブ
媒体とマスター担体との位置決めを正確に行って転写信
号の位置精度を高めることが要求されると共に、磁気転
写時の温度変化によってマスター担体およびスレーブ媒
体が熱膨張変形した際にも、転写された信号の位置精度
がドライブ側での読み取り許容範囲にあることが要求さ
れる。

【０００８】磁気転写が行われるスレーブ媒体として
は、フレキシブルディスクおよびハードディスクが一般
的であり、フレキシブルディスクの基板（支持体）とし
てはＰＥＴ、ＰＥＮ、アラミド等のプラスチックフィル
ムが使用され、ハードディスクの基板としてはガラス、
アルミニウム等の硬質板が使用され、それぞれの熱膨張
係数はドライブ側の要求に適合されている。

【０００９】そして、マスター担体への転写パターン形
成時（マスタリング時）の環境温度と、スレーブ媒体へ
の転写時の環境温度との変動等に基づき、マスター担体
の寸法が変わるため、スレーブ媒体に転写された信号の
位置精度が変化するものであり、これを一定とするため
には、磁気転写時の環境温度を所定温度とすることが要
求されるが、転写装置を含む工程の温度管理を厳密に行
うことは実施上の困難性を伴い、コスト面でも不利とな
る。

【００１０】具体的には、磁気転写用マスター担体の製
造工程は、まず、マスタリング工程で、シリコン原板に
レジスト塗布、電子ビームによる描画露光、現像、洗浄
等を行い、原盤マスターを作製する。次に電鋳工程にて
この原盤マスターにＮｉ等をメッキしてパターンを複製
したＮｉ基板等の基板を作製する。その後、所望のサイ
ズに打ち抜き、パターン表面に磁性層を成膜し、マスタ
ー担体を得る。

【００１１】ここで、特に上記マスタリング工程では、
レジストの塗布厚み、厚み分布が最終マスター担体にお
けるパターンの凹凸深さとなり、描画位置がディスクの
正規位置となるため、精度よく形成することが必要であ
る。そのために、この重要なマスタリング工程の環境温
度を、例えば２５℃±０．１℃等になるよう温調設備を
導入し制御する必要があり、設備費が高額となる。

【００１２】一方、マスター担体とスレーブ媒体とを密
着させて転写用磁界を印加する磁気転写工程では、製造
時における磁気転写装置内部の温度が、連続した転写動
作により装置温度が上昇する傾向にある。これは、装置
自身の機器から発生する熱や、繰り返し密着による熱な
どの影響による。このとき、磁気転写装置のホルダーに
取り付けられたマスター担体も同様の温度環境下により
昇温する。

【００１３】磁気転写工程とその前後工程の一定温度化
を図り、前述の設定温度に対し、温度変化が０．１℃以
下で制御できれば問題ないが、この温度制御には設備コ
ストが高くなり、実際は、１日の変動で±２．５℃、年
間の変動で±５℃程度になる可能性もあり、この程度の
温度変化があっても精度を維持することが望まれる。

【００１４】スレーブ媒体は例えばハードディスクであ
れば、基板にスパッタリング等で磁性層を形成してか
ら、バーニッシュ、磁気転写等の工程を流れる。スレー
ブ媒体はこの環境下を搬送されることで、生産速度やラ
イン長さにも関係するが、一般的には磁気転写工程の直
前では十分その環境になれた状態、すなわちマスター担
体とほぼ同じ温度となっている。

【００１５】しかし、前述のように磁気転写工程やライ
ン全体を高精度で温度制御したり、また機器の発熱など
すべてを押さえたりして温度管理を厳密にすることは実
現困難である。そのため、例えば、磁気転写工程の環境
温度が３０℃の場合、前述のマスタリング工程との温度
差が５℃となり、２５℃で作製した原盤マスターに対
し、熱膨張による寸法変化が発生してしまう。

【００１６】また、スレーブ媒体の基板は、ハードディ
スクではアルミニウムやガラスであり、フレキシブルデ
ィスクではＰＥＴフィルムなどであり、これらの基板も
磁気転写工程の温度で同様に熱膨張する。この環境下で
磁気転写した場合、マスター担体とスレーブ媒体との熱
膨張差により、本来あるべき信号位置が転写したスレー
ブ媒体上でずれてしまう問題が発生する。

【００１７】本発明はこのような問題に鑑みなされたも
ので、マスター担体とスレーブ媒体を密着させて転写用
磁界を印加して磁気転写を行う際の、マスター担体の熱
膨張変形に基づく転写信号の位置精度を、環境温度を厳
密に管理することなく確保できるようにした磁気転写用
マスター担体を提供することを目的とするものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気転写用マス
ター担体は、基板に形成したパターン上に磁性層を備
え、転写を受けるスレーブ媒体と密着させて磁気転写を
行うための磁気転写用マスター担体であって、前記マス
ター担体の基板の熱膨張係数が、５〜２５×１０^-6／℃
の範囲であり、異方向の熱膨張係数の差が８×１０^-6／
℃以下であることを特徴とするものである。

【００１９】前記基板の熱膨張係数が、１０〜１５×１
０^-6／℃の範囲であることがより好適である。

【００２０】前記基板は、純Ｎｉまたは僅かにＣｏを含
むＮｉ−Ｃｏよりなるものが、熱膨張係数が１３×１０
^-6／℃前後で安定して得られ好適である。また。前記基
板は、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉよりなり、Ｎｉの含有量が６０
％以上であるものが、熱膨張係数が１２×１０^-6／℃前
後で安定して得られ好適である。

【００２１】また、前記マスター担体の基板の熱膨張係
数Ａと、前記スレーブ媒体の基板の熱膨張係数Ｂとの比
Ｂ／Ａが、０．３〜２．１の範囲にあることが望まし
い。

【００２２】異方向の熱膨張係数の差とは、スレーブ媒
体との密着面に平行な面における異なる方向での熱膨張
係数の最大値と最小値との差である。

【００２３】

【発明の効果】上記のような本発明のマスター担体によ
れば、パターンが形成された基板の熱膨張係数を、５〜
２５×１０^-6／℃の範囲で、異方向の熱膨張係数の差が
８×１０^-6／℃以下に規定したために、マスタリング時
と磁気転写時との温度差に起因するマスター担体とスレ
ーブ媒体との熱膨張差に基づく転写信号位置ズレが小さ
くなり、スレーブ媒体への磁気転写時の温度管理を厳密
に行うことなくスレーブ媒体に転写記録された信号の位
置精度をドライブ側の要求に適合させることができ、転
写信号の読み取りの信頼性が高まると共に、転写装置を
含む工程の環境温度管理が緩和されてコスト面で有利と
なる。

【００２４】特に、マスター担体の基板の熱膨張係数Ａ
と、スレーブ媒体の基板の熱膨張係数Ｂとの比Ｂ／Ａ
を、０．３〜２．１の範囲に設定して、マスター担体の
基板の熱膨張係数をスレーブ媒体の熱膨張係数に近似さ
せると、より精度の高い磁気転写を行うことができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明する。図１は本発明の一つの実施の形態にかかる
マスター担体を使用した磁気転写方法の工程を示す図で
ある。なお、図１に示す形態は面内記録方式である。ま
た、図は模式図であり各部の寸法は実際とは異なる比率
で示している。

【００２６】面内記録による磁気転写方法の概要は次の
ようなものである。まず図１(ａ)に示すように、最初に
スレーブ媒体２の基板上に形成された磁性層（不図示）
に初期静磁界Ｈinをトラック方向の一方向に印加して予
め初期磁化(直流消磁)を行う。その後、図１(ｂ)に示す
ように、このスレーブ媒体２の磁気記録面と、マスター
担体３の基板３１の微細凹凸パターンに磁性層３２が被
覆されてなる情報担持面の凸部パターンの頂面とを密着
させ、スレーブ媒体２のトラック方向に前記初期磁界Ｈ
inとは逆方向に転写用磁界Ｈduを印加して磁気転写を行
う。転写用磁界Ｈduが凸部パターンの磁性層３２に吸い
込まれてこの部分の磁化は反転せず、その他の部分の磁
界が反転する結果、図１(ｃ)に示すように、スレーブ媒
体２のトラックにはマスター担体３の情報担持面の磁性
層３２の密着凸部パターンと凹部空間との形成パターン
に応じた磁化パターンが転写記録される。

【００２７】マスター担体３はディスク状に形成され、
その片面にサーボ信号等に対応した磁性層３２による微
細凹凸パターンが形成された転写情報担持面を有し、こ
れと反対側の面が不図示のホルダーに保持され、スレー
ブ媒体２と密着される。図示のように、スレーブ媒体２
の片面にマスター担体３を密着させて片面逐次転写を行
う場合と、スレーブ媒体２の両面にそれぞれマスター担
体３を密着させて両面同時転写を行う場合とがある。

【００２８】上記のようなマスター担体３において、パ
ターンが形成された基板３１の熱膨張係数が、５〜２５
×１０^-6／℃の範囲に、好ましくは１０〜１５×１０^-6
／℃の範囲に、また、スレーブ媒体２との密着面に平行
な面における異なる方向での熱膨張係数の最大値と最小
値との差が８×１０^-6／℃以下に規定されている。

【００２９】さらに、マスター担体３の基板３１の熱膨
張係数Ａと、スレーブ媒体２の基板の熱膨張係数Ｂとの
比Ｂ／Ａが、０．３〜２．１の範囲に設定されて、基板
３１の熱膨張係数をスレーブ媒体２の熱膨張係数に近似
させている。

【００３０】上記のような熱膨張特性を有する基板３１
の材料は、第１の例としては、純Ｎｉまたは僅かにＣｏ
を含むＮｉ−Ｃｏ合金よりなるものが、熱膨張係数が１
３（１２．８〜１３．３）×１０^-6／℃前後で安定して
得られる。例えば、Ｎｉ−Ｃｏ合金の組成をＮｉ：９
９．８７％、Ｃｏ：０．１３％としたものが、熱膨張係
数が１３．３×１０^-6／℃となる。

【００３１】また、第２の例としては、基板３１の材料
が、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金よりなり、Ｎｉの含有量が６
０at％以上であるものが、熱膨張係数が１２×１０^-6／
℃前後で安定して得られる。つまり、図２にＦｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ合金におけるＮｉ原子濃度（at％）と熱膨張係数
の関係を示すように、Ｎｉ量が６０at％以上の範囲で、
熱膨張係数が１２×１０^-6／℃前後で安定して得られ
る。例えば、Ｎｉの含有量が６０〜９９．８７％で、熱
膨張係数は１２〜１３．３×１０^-6／℃である。

【００３２】一方、スレーブ媒体２の熱膨張係数は、ハ
ードディスクの場合のガラス基板は５〜８×１０^-6／
℃、アルミニウム基板は２０〜２３×１０^-6／℃であ
り、フレキシブルディスクの場合のＰＥＴ基板は１０〜
２５×１０^-6／℃であり、上記の膨張比Ｂ／Ａの範囲を
満たすものである。また、ＰＥＴ基板の異方性は０．１
〜８×１０^-6／℃である。

【００３３】上記のようにマスター担体３の基板３１の
熱膨張係数を上記の範囲に設定することにより、磁気転
写時にその環境温度に応じた熱膨張状態にあるマスター
担体３とスレーブ媒体２とを密着させて転写用磁界を印
加して磁気転写を行っても、その温度差に起因するマス
ター担体３とスレーブ媒体２との熱膨張差に基づく転写
信号位置ズレが小さくなり、転写された信号の位置精度
が確保でき、信頼性が高められる。これにより、マスタ
リング時と磁気転写時との温度差がある程度許容でき、
磁気転写時の環境温度への要求が緩和され、温度管理が
容易となる。さらに、マスター担体３の熱膨張係数はド
ライブ側の要求に適合し、同様に信号が転写されたスレ
ーブ媒体２の熱膨張係数もドライブ側の要求に適合して
いるために、ドライブでの読み取りが良好に行えること
になる。

【００３４】マスター担体３の基板３１としては、前述
のようなニッケル系金属によるものが好適であるが、ア
ルミニウム、その他合金等を使用することができ、それ
らの場合についても、前記と同様の熱膨張係数を有する
もので構成される。

【００３５】凹凸パターンの形成は、スタンパー法等に
よって行われる。例えば、スタンパー法は、表面が平滑
なガラス板（または石英板）の上にスピンコート等でフ
ォトレジストを形成し、このガラス板を回転させながら
サーボ信号に対応して変調したレーザー光（または電子
ビーム）を照射し、所定のパターン、例えばサーボ信号
に相当するパターンを露光する。その後、フォトレジス
トを現像処理し、露光部分を除去しフォトレジストによ
る凹凸形状を有する原盤を得る。次に、原盤の表面の凹
凸パターンをもとに、この表面に所定の組成のメッキ
（電鋳）を施し、ポジ状凹凸パターンを有する基板を作
成し、原盤から剥離する。基板の凹凸パターンの深さ
（突起の高さ）は、８０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲が好ま
しく、より好ましくは１００ｎｍ〜６００ｎｍである。

【００３６】また、前記原盤にメッキを施して第２の原
盤を作成し、この第２の原盤を使用してメッキを行い、
ネガ状凹凸パターンを有する基板を作成してもよい。さ
らに、第２の原盤にメッキを行うか樹脂液を押し付けて
硬化を行って第３の原盤を作成し、第３の原盤にメッキ
を行い、ポジ状凹凸パターンを有する基板を作成しても
よい。一方、前記ガラス板にフォトレジストによるパタ
ーンを形成した後、エッチングしてガラス板に穴を形成
し、フォトレジストを除去した原盤を得て、以下前記と
同様に基板を形成してもよい。

【００３７】前記磁性層３２の形成は、磁性材料を真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等
の真空成膜手段、メッキ法などにより成膜する。その磁
性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉ
Ｚｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣ
ｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、Ｆｅ
Ａｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）が用
いることができる。特に好ましくはＦｅＣｏ、ＦｅＣｏ
Ｎｉである。磁性層３２の厚みは、５０ｎｍ〜５００ｎ
ｍの範囲が好ましく、さらに好ましくは１００ｎｍ〜４
００ｎｍである。

【００３８】垂直記録方式の場合にも、上記面内記録と
ほぼ同様のマスター担体３が使用される。この垂直記録
の場合には、スレーブ媒体２の磁化を、予め垂直方向の
一方に初期直流磁化しておき、マスター担体３と密着さ
せてその初期直流磁化方向と略逆向きの垂直方向に転写
用磁界を印加して磁気転写を行うものであり、この転写
用磁界がマスター担体３の凸部パターンの磁性層３２に
吸い込まれ、凸部パターンに対応する部分の垂直磁化が
反転し、凹凸パターンに対応した磁化パターンがスレー
ブ媒体２に記録できる。

【００３９】初期磁界および転写用磁界を印加する磁界
生成手段は、面内記録の場合には、例えば、スレーブ媒
体２の半径方向に延びるギャップを有するコアにコイル
が巻き付けられたリング型電磁石装置が上下両側に配設
されてなり、上下で同じ方向にトラック方向と平行に発
生させた転写用磁界を印加する。磁界印加時には、スレ
ーブ媒体２とマスター担体３とを密着保持したホルダー
を回転させつつ磁界生成手段によって転写用磁界を印加
する。磁界生成手段を回転移動させるように設けてもよ
い。前記磁界生成手段は、片側にのみ配設するようにし
てもよく、永久磁石装置を両側または片側に配設しても
よい。

【００４０】垂直記録の場合の磁界生成手段は、極性の
異なる電磁石または永久磁石をホルダーの上下に配置
し、垂直方向に磁界を発生させて印加する。部分的に磁
界を印加するものでは、ホルダーを移動させるか磁界を
移動させて全面の磁気転写を行う。

【００４１】スレーブ媒体２は、両面または片面に磁性
層が形成されたハードディスク、高密度フレキシブルデ
ィスクなどの磁気記録媒体が使用され、フレキシブルデ
ィスクの基板はＰＥＴ、ＰＥＮ、アラミド等のプラスチ
ックフィルムが使用され、ハードディスクの基板として
はガラス、アルミニウム等の硬質板が使用され、それぞ
れの熱膨張係数はドライブ側の要求に適合されている。
また、その磁気記録部は塗布型磁性層あるいは金属薄膜
型磁性層で構成される。金属薄膜型磁性層の磁性材料と
しては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、Ｃ
ｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、
ＣｏＮｉ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、
ＦｅＣｏＮｉ）を用いることができる。これは磁束密度
が大きいこと、磁界印加方向と同じ方向（面内記録なら
面内方向、垂直記録なら垂直方向）の磁気異方性を有し
ていることが、明瞭な転写が行えるため好ましい。そし
て磁性材料の下（基板側）に必要な磁気異方性をつける
ために非磁性の下地層を設けることが好ましい。結晶構
造と格子定数を磁性層に合わすことが必要である。その
ためにはＣｒ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭ
ｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ等を用いる。

【００４２】次に、マスター担体のマスタリング時と磁
気転写時の温度差に起因する転写信号の位置ズレ量を、
各種基板材料で求めた実験例を説明する。この実験例に
おいては、マスタリング工程温度が２５℃±０．１以
内、マスター担体の半径４０ｍｍ位置に信号パターンを
作製し、その信号を外径９５ｍｍのスレーブ媒体へ磁気
転写する。その際、転写された信号を磁気現像液で現像
処理し、そのトラック信号半径を２次元形状測定器にて
計測した。このときの測定温度環境条件は２５℃±０．
１であり、基準の４０ｍｍ半径位置に対するズレ量を求
めたものであり、その結果を下記表１に示す。なお、Ｐ
ＥＴフィルムの熱膨張係数は、ディスク１周の異なる方
向での熱膨張係数の平均値であり、その最大値と最小値
の差を異方向の差としている。

【００４３】［実験例１〜３］マスター担体の基板がＮ
ｉ(１００％)で、前述のスタンパ法による電鋳品であ
り、その熱膨張係数は表１に示す通りである。スレーブ
媒体はフレキシブルディスクで、ＰＥＴフィルム（厚さ
６２μｍ）に両面磁性層を塗布形成してなり、その熱膨
張係数は表１に示す通りで、マスター担体と同一であ
る。実験例１〜３では、転写工程温度を２３℃、２５
℃、３０℃にそれぞれ設定して磁気転写を行った。

【００４４】表１の結果、マスター担体とスレーブ媒体
の熱膨張係数が同じため、転写工程温度が変わっても、
両者とも同じ率で膨張するため、正規位置に信号が転写
され、信号位置ズレ量は０であった。

【００４５】［実験例４］スレーブ媒体の基板が、実験
例１〜３とはロットが異なるＰＥＴフィルムで、かつ、
原反の端部より打ち抜かれたものを用いて構成されてい
る。その熱膨張係数は、表１に示す通り大きくなり、異
方向の熱膨張係数の差が７×１０^-6／℃である。原反よ
りの幅方向の打抜位置でＰＥＴ延伸処理の影響により熱
膨張係数および異方性が異なっている。その他は実験例
３と同様に転写工程温度は３０℃である。

【００４６】表１の結果、マスター担体とスレーブ媒体
の熱膨張係数が異なり、マスタリング時（２５℃）と転
写工程温度との５℃の温度差により、その膨張差で転写
された信号は正規位置に対し、平均２．２μｍずれた位
置であった。

【００４７】［実験例５〜６］スレーブ媒体がハードデ
ィスクで、実験例５ではガラス基板、実験例６ではアル
ミニウム基板によるものであり、それらの熱膨張係数は
表１に示す通りである。マスター担体その他の条件は実
験例３と同様である。

【００４８】表１の結果、マスター担体とスレーブ媒体
の熱膨張係数が異なり、マスタリング時（２５℃）と転
写工程温度との５℃の温度差により、その膨張差で転写
された信号は正規位置に対し、それぞれ平均１．０４μ
ｍ、１．８μｍずれた位置であった。

【００４９】［実験例７］マスター担体の基板材質がニ
ッケル合金ＦｅＣｏＮｉで、Ｎｉの含有量が６０％であ
り、その熱膨張係数は表１に示す通りである。スレーブ
媒体はガラス基板でその他の条件は実験例３と同様であ
る。

【００５０】表１の結果、マスター担体とスレーブ媒体
の熱膨張係数が異なり、マスタリング時（２５℃）と転
写工程温度との５℃の温度差により、その膨張差で転写
された信号は正規位置に対し、平均０．８４μｍずれた
位置であった。

【００５１】［実験例８〜１０］マスター担体の基板材
質がＳｉでリソグラフィー法によりパターンが作製され
たもので、その熱膨張係数は表１に示す通りである。ス
レーブ媒体は、実験例８ではガラス基板のハードディス
ク、実験例９ではアルミニウム基板のハードディスク、
実験例１０がＰＥＴによるフレキシブルディスクであ
り、それらの熱膨張係数は表１に示す通りであり、その
他の条件は実験例３と同様である。

【００５２】表１の結果、マスター担体とスレーブ媒体
の熱膨張係数が特に実験例９，１０で大きく異なり、マ
スタリング時（２５℃）と転写工程温度との５℃の温度
差により、その膨張差で転写された信号は正規位置に対
し、それぞれ平均１．０６μｍ、３．９μｍ、４．３μ
ｍずれた位置であった。

【００５３】上記実験例における実験例１〜７が本発明
による磁気転写である。つまり、本発明の磁気転写用マ
スター担体では、熱膨張係数が５〜２５×１０^-6／℃の
範囲であり、Ｎｉ基板、ＦｅＣｏＮｉ基板などで構成さ
れ、Ｓｉ基板によるものは使用しない。

【００５４】

【表１】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一つの実施の形態に係るマスター担体
を使用した磁気転写方法の工程を示す図

【図２】ＦｅＣｏＮｉ合金におけるＮｉ原子濃度と熱膨
張係数の関係を示す図

【符号の説明】

２ スレーブ媒体 ３ マスター担体 31 基板 32 磁性層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に形成したパターン上に磁性層を備
   え、転写を受けるスレーブ媒体と密着させて磁気転写を
   行うための磁気転写用マスター担体であって、 前記マスター担体の基板の熱膨張係数が、５〜２５×１
   ０^-6／℃の範囲であり、異方向の熱膨張係数の差が８×
   １０^-6／℃以下であることを特徴とする磁気転写用マス
   ター担体。
2. 【請求項２】 前記基板の熱膨張係数が、１０〜１５×
   １０^-6／℃の範囲であることを特徴とする請求項１に記
   載の磁気転写用マスター担体。
3. 【請求項３】 前記基板が、純Ｎｉまたは僅かにＣｏを
   含むＮｉ−Ｃｏよりなることを特徴とする請求項１に記
   載の磁気転写用マスター担体。
4. 【請求項４】 前記基板が、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉよりな
   り、Ｎｉの含有量が６０％以上であることを特徴とする
   請求項１に記載の磁気転写用マスター担体。
5. 【請求項５】 前記マスター担体の基板の熱膨張係数Ａ
   と、前記スレーブ媒体の基板の熱膨張係数Ｂとの比Ｂ／
   Ａが、０．３〜２．１の範囲にあることを特徴とする請
   求項１に記載の磁気転写用マスター担体。