KR20010078017A

KR20010078017A - 유리 제품 및 디스플레이용 유리 기판

Info

Publication number: KR20010078017A
Application number: KR1020010003139A
Authority: KR
Inventors: 고다다쿠지; 나카무라마키; 미즈노도시아키
Original assignee: 이즈하라 요조; 니혼 이타가라스 가부시키가이샤
Priority date: 2000-01-19
Filing date: 2001-01-19
Publication date: 2001-08-20
Also published as: NL1017143A1; TWI227505B; JP2001270740A; NL1017143C2; US20010016253A1

Abstract

본 발명은 금속 이온의 발산 방지 성능이 우수하고, 금속 콜로이드에 의한 착색의 문제가 없는 유리 제품에 관한 것이다. 이 유리 제품은 알카리 함유 유리 기판(1)과 상기 알카리 함유 유리 기판(1)에 형성된 방지막(2)을 포함한다. 상기 금속 이온 확산 방지막(2)은 산화 인듐 및/또는 산화 주석을 주성분으로 한다. 디스플레이용 유리 기판은 알칼리 함유 유리 기판(1)과, 상기 알칼리 함유 유리 기판(1)의 표면에 알칼리 이온 확산 방지용 하부 방지막(5)과, 주로 산화인듐 및/또는 산화주석을 포함하는 금속 이온 확산 방지막(2), 절연막(3) 및 전극막(4)을 포함한다. 상기 절연막의 표면 전기 저항이 550℃에서 1시간의 동안의 열처리 후에도 1.0×10⁶∼1.0×10¹⁶Ω/□내의 범위에서 유지된다.

Description

유리 제품 및 디스플레이용 유리 기판{GLASS ARTICLE AND GLASS SUBSTRATE FOR DISPLAY PANEL}

본 발명은 알칼리 함유 유리 표면에 금속막을 형성시킨 경우, 유리내의 알칼리와 금속과의 단독 또는 상호 확산의 방지 성능에 우수한 금속 이온 확산 방지막을 형성한 유리 제품과 이 유리 제품을 이용한 디스플레이용 유리 기판에 관한 것이다.

통상적으로, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)이나 전계 방출 효과 디스플레이(FED), 액정 디스플레이(LCD), 전계 발광 디스플레이(ELD) 등의 평면형 디스플레이에서는 2장의 유리 기판상에 전극 등의 부재를 형성한 뒤, 이 유리 기판을 적층시켜 사용된다. 특히, 전방면측 유리 기판에는 ITO, SnO₂등의 투명 전극이 사용되고 있다. 또한, 특히 대형의 디스플레이에서는 전극의 배선 저항을 낯추기 위해서 Ag, Cr/Cu/Cr 등의 금속이 보조 전극으로 사용되고 있다.

PDP용의 유리 기판으로서는 1.5∼3.5 mm의 두께의 판형으로 성형된 소다 라임 실리케이트 유리 기판, 혹은 고왜곡점을 갖는 알칼리 함유 유리가 이용되고 있다. 이러한 유리 기판은 대량 생산에 적합한 평활성에 우수한 플로우트법에 의해 생산된다. 이 공정 동안 플로트 유리는 성형 과정에서 수소 분위기에 노출되어지기 때문에, 유리 표면에 수 마이크론의 환원층이 생성된다. 이러한 환원층에는 용융 Sn으로부터 추출된 Sn²⁺가 존재하는 것이 일반적으로 알려져 있다.

한편, PDP의 제조 공정에서는 일반적으로, 유리 기판 표면에 투명 전극을 통해 Ag가 버스 전극으로서 도포된 뒤, 550∼600℃에서 20∼60분 유지한다고 하는 열처리가 수회 반복된다.

이 열처리 공정에서 Ag⁺이온이 투명 전극내에 확산되어 유리 표면에 도달하고, 유리 안의 Na⁺이온과의 사이에서 이온 교환이 발생한다. 그리고, 그 결과 유리내로 Ag⁺이온이 침입하고 침입한 Ag⁺이온은 환원층에 존재하는 Sn²⁺에 의해서 환원되어 금속 Ag의 콜로이드를 생성한다. 이 Ag 콜로이드에 의해서 기판 유리에 황색으로 착색된다고 하는 문제점이 있다.

이러한 금속 콜로이드에 의한 착색의 문제는 Ag에 발생할 뿐만아리라, 확산되기 쉬운 Cu, Au 등의 금속 전극막을 형성한 경우에도 발생하기 쉽다. 또한, PDP에 한하지 않고, 물방울이 서리는 것을 방지하기 위해 스트라이프형의 Ag 전극을 형성한 자동차용 리어글래스에서도, Ag 콜로이드에 의한 착색의 문제가 있었다.

그래서, 종래, 알칼리 함유 유리를 디스플레이 기판으로 하여 이용하는 경우에는 PDP 등에서는 유리 내의 알칼리와, 전극으로 사용되는 Ag 등과의 교환 반응을 방지하여, Ag 콜로이드에 의한 유리의 착색을 방지하기 위한 각종 금속막, 질화물막, 혹은, SiO₂, ZrO₂, Al₂O₃, TiO₂와 같은 산화물막으로 이루어지는 금속 이온 확산 방지막을 형성하는 것이 제안되고 있다(특허 공개 평성 제9-245652호, 동 제10-114549호 공보, 동 제10-302648호 공보, 동 제11-109888호 공보, 동 제11-130471호 공보).

그러나, 종래 제안되고 있는 금속 이온 확산 방지막은 어느 쪽도 금속 이온의 확산 방지 성능이 충분하지 않고, 특히 질화물막에서는 PDP 제조 공정에서의 열처리로 산화되어 금속 이온 확산 방지 성능이 저하된다고 하는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하여, 금속 이온의 확산 방지 성능에우수하고, 금속 콜로이드에 의한 착색의 문제가 없는 유리 제품과, 이러한 유리 제품을 이용한 고품질 디스플레이용 유리 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 유리 제품은 알칼리 함유 유리 기판의 표면에 산화인듐 및/또는 산화주석을 주성분으로 하는 금속 이온 확산 방지막을 형성하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

산화인듐(In₂O₃) 및/또는 산화주석(SnO₂)을 주성분으로 하는 금속 이온 확산 방지막은 금속 이온의 확산 방지 성능에 우수하여, 유리에 함유되는 알칼리의 용출이나, 표면에 형성되는 금속막의 금속 이온이 유리 안으로의 확산되는 것을 유효하게 방지할 수 있다.

그런데, 산화인듐 및/또는 산화주석을 주성분으로 하는 금속 이온 확산 방지막을 알칼리 함유 유리 기판상에 직접 막을 형성시키는 경우, 유리 안의 알칼리 성분의 영향으로, 막이 형성된 그 금속 이온 확산 방지막의 치밀성이 변화되어 금속 이온 확산 방지 성능에 영향을 미치게 한다.

즉, 스퍼터링법, 이온플레이팅법, 진공 증착법 등의 소위 물리 증착법에 의해 금속 이온 확산 방지막을 형성시키는 경우, 형성된 막내의 유리로부터의 알칼리 성분이 미량 확산하여 금속 이온 확산 방지막의 결정 구조에 영향을 미치게 된다. 확산량이 많은 경우에는 금속 이온 확산 방지막의 결정성이 악화하여, 다공성인 구조의 박막이 되어 금속 이온 확산 방지 성능을 저하시키게 된다.

프린팅 기법이나 졸겔법 등의 소위 도포법에 의해 금속 이온 확산 방지막을 형성시키는 경우에는 도포 후에 소성 공정을 수반한다. 그러므로, 금속 이온 확산방지막 원료를 도포한 뒤의 소성 공정에서 상술한 바와 같은 결정 구조에 관한 바람직하지 못한 영향을 받을 경우가 있다.

화학 기상 증착법 등의 소위 화학 증착법(Chemical Vapour Depositon ; CVD)에 의해 금속 이온 확산 방지막을 형성시키는 경우에 있어서도, 물리 증착법(Physical Vapour Depositon ; PVD)과 마찬가지 현상이 발생한다. 특히, CVD법으로 막을 형성시키는 경우에는, 사용되는 원료에는 일반적으로 염소가 포함되기 때문에, 이 염소가 막 형성시에 유리하고, 유리 기판에 함유되는 알칼리 성분과 반응하여 유리 기판상에 염소 화합물이 형성되는 일이 있다. 그리고, 염소화합물이 형성된 부분에는 산화인듐 및/또는 산화주석을 주성분으로 하는 금속 이온 확산 방지막이 형성되지 않고, 핀홀이 되기 때문에, 이 부분에서는 금속 이온의 확산을 방지할 수 없게 될 우려가 있다.

따라서, 이러한 기판의 유리에 포함되는 알칼리 성분의 영향을 배제하기 위해 미리 알칼리 함유 유리 기판상에 알칼리 이온 확산 방지 효과가 있는 알칼리 이온 확산 방지용 하부 방지막(이하, 단순히「하부 방지막」이라고 칭하는 경우가 있음)을 사전에 형성한다. 이 하부 방지막 위에 산화인듐 및/또는 산화주석을 주성분으로 하는 금속 이온 확산 방지막을 형성함으로써, 확실하게 금속 이온의 확산을 방지하는 효과를 나타낼 수 있다.

본 발명의 유리 제품은 일반적으로는 이 금속 이온 확산 방지막의 위에 필요에 따라서 절연막을 형성하고, 다시 절연막상에 전극막, 바람직하게는 Ag를 포함하는 전극막이 형성되어 사용된다.

이 경우 절연막의 표면 전기 저항은 1.0×10⁶∼1.0×10¹⁶Ω/□의 범위인 것이 바람직하다. 이 절연막의 표면 전기 저항은 일반적인 PDP의 제조 공정에서의 가열 조건인 550℃, 1시간의 열처리 후에도 상기 범위에 있는 것이 바람직하다.

본 발명의 디스플레이용 유리 기판은 알칼리 함유 유리 기판의 표면에 산화인듐 및/또는 산화주석을 주성분으로 하는 금속 이온 확산 방지막, 절연막 및 전극막을 이 순서로 형성한 디스플레이용 유리 기판으로서, 그 절연막의 표면 전기 저항이 550℃, 1시간의 열처리 후에도 1.0×10⁶∼1.0×10¹⁶Ω/□인 것을 특징으로 하며, 금속 이온 확산 방지막이 우수한 금속 이온 확산 방지 성능에 의해, 금속 콜로이드에 의한 착색의 문제가 없이 현저하게 고품질인 디스플레이용 유리 기판이다.

도 1은 본 발명의 유리 제품의 일실시예를 도시한 단면도.

도 2는 본 발명의 유리 제품의 다른 일실시예를 도시한 단면도.

도 3은 본 발명의 유리 제품의 또 다른 일실시예를 도시한 단면도.

도 4는 본 발명의 유리 제품의 또 다른 일실시예를 도시한 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 유리 기판

2 : 금속 이온 확산 방지막

3 : 절연막

4 : 금속 전극막

이하에 도면을 참조하여 본 발명이 바람직한 실시의 형태에 관해서 설명한다.

도 1∼4는 본 발명의 실시의 형태에 관한 유리 제품의 단면도이며, 유리 기판(1)상에 금속 이온 확산 방지막(2)이 형성되고, 이 금속 이온 확산 방지막(2)상에, 직접(도 1) 혹은 필요에 따라서 절연막(3)을 통해(도 2) 금속 전극막(4)이 형성되어 있다. 또는, 유리판(1)상에 하부 방지막(5)을 통해 금속 이온 확산 방지막(2)이 형성되고, 이 금속 이온 확산 방지막(2)상에, 직접(도 3) 혹은 필요에 따라서 절연막(3)을 통해(도 4) 금속 전극막(4)이 형성되어 있다.

이 유리 기판(1)은 알칼리 함유 유리로 이루어진다. 이 알칼리 함유 유리가적합한 주요 조성으로는 다음이 예시된다.

SiO₂50∼73 중량 %

Al₂O₃0∼15 중량 %

R₂O 6∼24 중량 %

R'O 6∼27 중량 %

또, R₂O는 Li₂O, Na₂O, K₂O의 합계이며, R' O는 CaO, MgO, SrO, BaO의 합계이다.

금속 이온 확산 방지막(2)은 In₂O₃및/또는 SnO₂를 주성분으로 하는 막이다.

In₂O₃또는 SnO₂을 주성분으로 하는 막은 일반적으로는 투명 도전막으로 사용되고 있고, 특히, 표면 전기 저항치가 낮으므로, Sn을 5 중량% 함유한 In₂O₃(ITO)막이나, 불소 또는 안티몬을 도핑한 SnO₂막이 사용되고 있다. 본 발명에서는 표면 전기 저항치에 관계없이 금속 이온의 확산을 방지할 수 있기 때문에, 불순물 농도는 특별히 한정되지 않지만, 전극과 겸용하여 이용하는 경우에는 상기한 저저항이 되는 것 같은 조성을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 자동차용 리어글래스나 디스플레이용 기판 등, 용도에 따라서는 표면 전기 저항이 높을 필요가 있는 경우에는, In₂O₃및/또는 SnO₂를 주성분으로 하는 금속 이온 확산 방지막(2)상에 도 1(b)에 도시하는 바와 같이, 절연막(3)을 형성하는 것이 바람직하다.

본 발명에 관한 금속 이온 확산 방지막(2)이 In₂O₃및 SnO₂를 주성분으로 하는 경우, 그 함유 비율은 특별히 제한은 없다.

또한, 본 발명에 관한 금속 이온 확산 방지막(2)은 SnO₂를 주성분으로 하여 Sb₂O₃를 포함하는 막이여도 좋고, 이 경우 그 함유 비율은 SnO₂:Sb₂O₃=99.9∼99.99 : 0.01∼0.1(중량 %)인 것이 바람직하다.

이 금속 이온 확산 방지막(2)의 막두께는 금속 이온의 확산 방지의 관점에서는 두꺼운 쪽이 바람직하지만, 과도하게 두껍더라도 그 이상의 효과는 없고, 필요없이 고비용이 되므로, 5∼200 nm, 특히 50∼200 nm의 범위로 하는 것이 바람직하다.

절연막(3)은 표면 전기 저항이 1.0×10⁶∼1.0×10¹⁶Ω/□의 범위에 있다. 특히, 누설 전류가 문제가 되는 PDP용으로는 1.0×10¹⁵Ω/□ 이상의 고저항, 예컨대 1.0×10¹⁵∼1.0×10¹⁶Ω/□의 범위에 있는 것이 바람직하다. 기판의 대전이 문제가 되는 FED용으로는 1.0×10⁶∼1.0×10¹²Ω/□에 있으며, 바람직하게는 1.0×10⁸∼1.0×10¹²Ω/□의 범위에 있는 것이 바람직하다.

또, 이들의 용도에 있어서, 누설 전류나 기판의 대전은 디스플레이로서의 사용시에 문제가 되기 때문에, 상기 표면 전기 저항은 패널 제조 공정에 있어서의 처리 온도의 영향, 예컨대 Ag 전극의 소성 조건 등에 있어서도 변화되지 않고, 상기범위를 유지하는 것이 바람직하며, 550℃, 1시간의 열처리 후에 있어서도 상기 범위내에 있어야 한다.

이러한 절연막(3)의 막 두께는 과도하게 두꺼우면 크랙 발생이나 비용 상승의 문제가 있고, 과도하게 얇으면 안정된 표면 전기 저항을 얻을 수 없게 된다. 그러므로 절연막(3)의 막 두께는 25∼200 nm의 범위로 하는 것이 바람직하다.

또, 절연막(3)의 막재질로는 원하는 표면 전기 저항을 실현되는 것이면 좋고, 특별히 제한은 없지만, 예컨대 SiO₂, Al₂O₃, TiO₂, TiON, ZrON, ZnAlO 등의 고저항의 막이 적합하다.

이러한 본 발명의 유리 제품의 유리 기판상의 금속 이온 확산 방지막이나 절연막은 스퍼터링법, 이온 주입법, 진공 증착법 등의 소위 물리 증착법이나, 화학 증착법(CVD) 등의 소위 화학 기상 증착법, 프린팅 기법, 프린팅 기법이나 졸겔법 등을 이용하는 것에 의해 용이하게 막을 형성키실 수 있다.

금속 이온 확산 방지막(2)과 유리판(1)과의 사이에 형성되는 하부 방지막(5)의 막재질로는 알칼리 이온(Na^＋, K⁺등)의 확산을 방지할 수 있는 것이면 좋고, 특별히 제한은 없지만, 예컨대 SiO₂, TiO₂, ZnO, Al₂O₃, ZrO₂, MgO, SiN, TiN, AlN 등의 산화물, 질화물의 막을 사용할 수 있다. 이들 하부 방지막 재료 중, 하부 방지막(5)의 위에 형성되는 금속 이온 확산 방지막(2)은 산화물로 이루어지므로, 각각의 막의 계면에서의 밀착성의 관점에서, SiO₂나 ZnO 등의 취급성에 우수한 산화물이 보다 적합하다.

하부 방지막(5)은 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법 등의 소위 물리 증착법(PVD)이나, 화학 증착법(CVD) 등의 소위 화학 기상 증착법, 프린팅 기법이나 졸겔법 등을 이용하여 막을 형성시킬 수 있다. 상술한 하부 방지막 재료의 박막이 치밀한 구조를 갖도록 형성 방법과 형성 조건을 선택되어야 한다. 이들의 방법 중, 스퍼터링법은 비교적 치밀한 구조의 박막을 얻기쉽고, 적용할 수 있는 막재료의 범위가 넓기 때문에 적합하게 이용된다. 또한, 공업상의 관점에서는 금속 이온 확산 방지막이나 절연막을 형성하는 수단과 동종의 수단을 선택하면, 비교적 짧은 프로세스로 본 발명의 유리 제품을 제조할 수 있기 때문에 유리하다.

하부 방지막의 두께는 10 nm 이상이면 좋다. 이 두께가 10 nm 미만에서는 균일한 막상태가 얻어지지 않고, 섬 형상으로 막이 형성될 우려가 있다. 따라서, 알칼리 이온의 확산을 완전히 방지하기 위해서는 10 nm 이상의 막 두께로 하는 것이 바람직하다. 막 두께의 상한은 특별히 문제가 되지 않지만, 하부 방지막으로 하여 충분한 효과를 얻기 위해서는 50 nm 이하로 충분하다. 공업상의 관점에서 하부 방지막(5)의 막 두께는 20∼30 nm이 바람직하다.

또, 금속 이온 확산 방지막(2)상 또는 절연막(3)상에 Ag 등의 금속 전극막(4)을 형성하는 경우, 그 막 두께는 3∼12 ㎛ 정도로 하는 것이 바람직하다.

(실시예)

이하에 실시예 및 비교예에 따라 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

실시예 1

플로우트 공정에 의해 소다 라임 유리 기판이 형성된다. 스터링법에 의해 소다 라임 기판 상에 In₂O₃막이 형성되어 금속 이온의 확산을 방지한다. 타겟에는 In을 이용하여 아르곤-산소 분위기 중이며, 가스압 0.3Pa(3×10^-3Torr)에서 DC 모드로 표 1a 및 표 1b에 도시하는 막 두께를 갖도록 막을 형성시켰다. 계속해서, 이 In₂O₃막의 위에 Ag 페이스트를 인쇄하여 550℃에서 1시간 소성하여 두께 8 μm의 Ag 전극을 형성하였다. 착색의 정도를 눈으로 확인함으로 관찰하여 결과를 표 1a 및 표 1b에 나타내었다.

실시예 2∼5, 비교예1∼3

이용하는 타겟 및 막 형성 기압을 바꾼 것 이외는 실시예1에 있어서와 마찬가지로 스퍼터링을 행하여, 표 1a 및 표 1b에 나타내는 산화물막을 표 1a 및 표 1b에 나타내는 막 두께로 형성시켰다. 그 후, 실시예 1과 같은 방법으로 Ag 전극을 형성하였다. 착색의 정도를 조사하여 결과를 표1에 나타내었다.

실시예 6

소다 석회 유리 기판을 550℃에 가열하여, 모노부틸 주석 트리클로라이드(MBTC), 산소, 질소, 수증기의 혼합 가스를 분무하여, CVD법에 의해 표 1a 및 표 1b에 나타내는 막 두께를 갖는 SnO₂의 방지막을 형성시켰다. 그 후, 실시예 1과 같이 하여 Ag 전극을 형성한 뒤, 착색의 정도를 조사하여 결과를 표 1a 및 표 1b에 나타내었다.

비교예 4

실시예 6에 있어서, MBTC의 대신에 모노실란, 수증기의 대신에 에틸렌을 이용하여 CVD법에 의해 표 1a 및 표 1b에 나타내는 막 두께의 SiO₂의 방지막을 형성시켰다. 그 후, 실시예 1과 같이 하여 Ag 전극을 형성한 후, 착색의 정도를 조사하여 결과를 표 1a 및 표 1b에 나타내었다.

실시예 7∼11

실시예 1, 2, 3 및 6에 있어서, 소다 라임 유리 기판상에 금속 이온 확산 방지막을 형성하는 것에 앞서, 표 1a 및 표 1b에 도시한 바와 같은 하부 방지막을 형성시켰다.

하부 방지막은 실시예 7∼10에서는 산화물 타겟을 이용하여 RF 모드의 스퍼터링법에 의해 20 nm의 막 두께로 형성시켰다. 실시예 11에서는 비교예 4와 같은 CVD법에 의해 20 nm의 막 두께로 형성시켰다.

실시예 7에서는 하부 방지막으로 하여 SiO₂의 하부 방지막을 형성한 뒤, 실시예 1과 동일한 금속 이온 확산 방지막을 같은 방법으로 형성시켰다.

실시예 8에서는 하부 방지막으로 하여 TiO₂의 하부 방지막을 형성한 뒤, 실시예 1과 동일한 금속 이온 확산 방지막을 같은 방법으로 형성시켰다.

실시예 9에서는 하부 방지막으로서 SiO₂의 하부 방지막을 형성한 후, 실시예 2와 동일한 금속 이온 확산 방지막을 같은 방법으로 형성시켰다.

실시예 10에서는 하부 방지막으로 하여 SiO₂의 하부 방지막을 형성한 뒤, 실시예 3과 동일한 금속 이온 확산 방지막을 같은 방법으로 형성시켰다.

실시예 11에서는 하부 방지막으로서 SiO₂의 하부 방지막을 형성한 뒤, 실시예 6과 동일한 금속 이온 확산 방지막을 같은 방법으로 형성시켰다.

그 후, 실시예 1과 같이 하여 Ag 전극을 형성한 뒤, 착색의 정도를 조사하여 그 결과를 표1에 도시하였다.

실시예

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

하부방지막유형*1

_

SiO₂

TiO₂

SiO₂

두께(nm)

_

20

박막 형성 방법

_

스퍼터링

금속이온확산 방지층

유형*1

In₂O₃

SnO₂

95%In₂O₃-5%SnO₂

50%In₂O₃-50%SnO₂

99.95%In₂O₃-0.05%SnO₂

SnO₂

In₂O₃

SnO₂

95%In₂O₃-5%SnO₂

SnO₂

두께(nm)

100

박막 형성 방법

스퍼터링

CVD

스퍼터링

CVD

착색의 도수*2

Ｏ

◎

*1 : 중량 단위로 나타냄 *2 : ◎ 착색 없음

Ｏ 거의 착색되지 않음

△ 착색됨

x 진하게 착색됨

	실시예
	1	2	3	4
하부방지막	유형*1	_	_	_	_
	두께(nm)	_	_	_	_
	박막 형성 방법	_	_	_	_
금속이온확산 방지층	유형*1	SIO₂	TiN	97%ZnO-3% Al₂O₃	SiO₂
	두께(nm)	40	100	50	100
	박막 형성 방법	스퍼터링	스퍼터링	스퍼터링	CVD
착색의 도수*2	△	x	△	x

*1 : 중량 단위로 나타냄 *2 : ◎ 착색 없음

Ｏ 거의 착색되지 않음

△ 착색됨

x 진하게 착색됨

본 발명에 따르면 표1에서 Ag 이온의 확산에 의한 Ag 콜로이드 착색이 상당히 억제되는 것을 알 수 있다. 특히, 하부 방지막을 형성한 경우에는 더 한층 이의 효과가 높아지는 것을 알 수 있다.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 금속 이온의 확산 방지 성능에 우수하고, 금속 콜로이드에 의한 착색의 문제가 없는 유리 제품과, 이러한 유리 제품을 이용한 고품질 디스플레이용 유리 기판이 제공된다.

본 발명의 유리 제품은 디스프레이용 기판이나 자동차용 리어글래스 등으로 하여 공업적으로 매우 유용하다.

Claims

알카리 함유 유리 기판 및 상기 알칼리 함유 유리 기판의 표면에 산화인듐 및/또는 산화주석을 주성분으로 하는 금속 이온 확산 방지막을 포함하는 유리 제품.
제1항에 있어서, 상기 알칼리 함유 유리 기판의 표면에 형성된 알칼리 이온 확산 방지용의 하부 방지막을 더 포함하는 유리 제품.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속 이온 확산 방지막 상에 절연막을 더 포함하는 유리 제품.
제3항에 있어서, 상기 절연막의 표면 전기 저항은 1.0×10⁶∼1.0×10¹⁶Ω/□내의 범위에 있는 것인 유리 제품.
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 절연막의 표면 전기 저항은 550℃에서 1시간 동안의 열처리 후에도 1.0×10⁶∼1.0×10¹⁶Ω/□내의 범위에 있는 것인 유리 제품.
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연막상에 전극막을 더 포함하는 유리 제품.
제6항에 있어서, 상기 전극막은 Ag을 포함하는 것인 유리 제품.
알칼리 함유 유리 기판, 상기 알칼리 함유 유리 기판의 표면에 형성된 알칼리 이온 확산 방지용 하부 방지막, 산화인듐 및/또는 산화주석을 주성분으로 하는 금속 이온 확산 방지막, 절연막 및 전극막을 포함하고, 상기 막들은 상기의 순서대로 형성된 디스플레이용 유리 기판으로서,

상기 절연막의 표면 전기 저항이 550℃에서 1시간의 동안의 열처리 후에도 1.0×10⁶∼1.0×10¹⁶Ω/□내의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리 기판.