KR20010053288A

KR20010053288A - 유도적으로 결합된 플라즈마 발생 시스템을 위한 다중코일 안테나

Info

Publication number: KR20010053288A
Application number: KR1020007015009A
Authority: KR
Inventors: 쉔지안; 벨트롭로버트쥐.; 윅커토마스이.
Original assignee: 리차드 에이치. 로브그렌; 램 리서치 코포레이션
Priority date: 1998-06-30
Filing date: 1999-06-18
Publication date: 2001-06-25
Also published as: TW510149B; JP4750879B2; DE69939321D1; JP2011146721A; WO2000000993A1; US6164241A; KR100645469B1; EP1092229B1; AU4954499A; JP2010003699A; US6463875B1; JP5881954B2; EP1092229A1; JP2002519861A; JP5165821B2

Abstract

고주파 플라즈마 다중-코일 안테나는 플라즈마 리액터내에서 제어가능하고, 균일한 유도적 결합을 고려한다. 예시적인 실시예들에 따르면, 다중 코일들이 플라즈마 챔버의 유전체 윈도우상에 위치하고, 단일 고주파 발생기에 의해 전력을 공급받으며, 단일 정합 네트워크에 의해 동조된다. 각 코일은 평면적이거나 혹은 평면 코일과 수직으로 쌓은 나선형 코일의 조합중 하나이다. 각 코일의 입력단은 입력 동조 커패시터에 연결되고 출력단은 출력 동조 커패시터를 통해 접지로 종결된다. 플라즈마에 대한 고주파의 최대 유도적 결합의 위치는 주로 출력 커패시터에 의해 결정되는 반면, 입력 커패시터는 주로 각 코일로의 전류 크기를 조정하는데 사용된다. 각 코일내에서 전류 크기 및 최대 유도적 결합의 위치를 조정함으로써, 상이한 방사상 및 방위각상 영역내의 플라즈마 밀도는 변동되고 제어될 수 있으며, 그 결과 방상상으로 그리고 방위각상으로 균일한 플라즈마가 이루어질 수 있다.

Description

유도적으로 결합된 플라즈마 발생 시스템을 위한 다중 코일 안테나{Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems}

플라즈마 발생은, 예를들어 플라즈마 확장 에칭(Etching) 및 증착(Deposition)과 같은 다양한 반도체 제조 공정에 유용하다. 플라즈마는 일반적으로 전기장 이온화 및 개개의 전자-가스 입자 충돌에 의한 운동 에너지의 전달을 통해 개개의 가스 입자를 이온화하는 자유 전자들의 발생에 의해 저압 가스로부터 생성된다. 전자는 전기장, 전형적으로 고주파 전기장에서 보통 가속된다.

고주파 전기장에서 전자들을 가속하기 위해 수많은 기법들이 제안되었다. 예를 들어 미국 특허번호 4,948,458은 처리될 반도체 웨이퍼면에 평행하게 놓인 평면 안테나 코일을 사용하여 챔버 내부의 고주파 필드내에서 전자들이 여기되는 플라즈마 발생 장치를 개시하였다. 도 1은 안테나시스템(105), 유전체 윈도우(120), 가스 분배판(130), 처리될 웨이퍼(140), 진공챔버(150), 정전기 처크(160), 및 하부전극 (170)을 구비한 플라즈마 발생장치(100)를 개략적으로 설명한다.

동작중에, 고주파 전원(미도시)이 사용되어 고주파 전류를, 전형적으로 고주파 정합 회로(미도시)를 거쳐, 상기 안테나 시스템(105)에 제공한다. 고주파 전류는 안테나 시스템(105)를 통해 공진하여 진공챔버(150) 내부에서 방위각의 전기장을 유도한다. 동시에, 프로세스 가스(Process gas)가 가스 분배판(130)을 거쳐 진공챔버 (150)내부로 유입되며, 상기 유도 전기장은 상기 프로세스 가스를 이온화하여 챔버(150) 내부에 플라즈마를 생성한다. 다음에 상기 플라즈마는 (정전기 처크 (160)가 지나는 위치에 고정된)웨이퍼(140)에 충돌하고 원하는 바대로 상기 웨이퍼(140)를 처리(예를 들어 에칭)한다. 다른 고주파가, 안테나 코일에 인가되는 것과 상이한 주파수에서, 전형적으로 저전극(170)에 인가되어 이온 충격을 위한 음의 직류 바이어스 전압을 제공한다.

도 2a 및 2b는 '458 특허에서 설명되는 안테나 시스템을 구성하는 두 가지의 평면 나선형 코일들(110a, 및 110b)을 도시한다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1 평면 코일(110a)은 평면 나선형으로 형성된 단일 전도체 요소로 구성되어 있으며 고주파 회로에의 연결을 위해 고주파 탭(205, 및 215)에 연결된다. 도 2b에서, 대안적인 평면 코일(110b)은 상호-커넥터(225)를 거쳐 직렬로 연결된 다수의 동심 링(220)으로 구성되고 각 종단에서 고주파 탭(205 및 215)에 결합된다.

본 기술분야에서 잘 알려진 바와 같이, 이러한 나선형 코일들에 의해 제공되는 원형 전류 패턴은 상기 웨이퍼(140)에서 에치 레이트(Etch Rate)에서의 방사상 비균일성을 번갈아 초래할 수 있는 환상면체 형상의 플라즈마를 생성한다. 다시 말하면, 상기 평면 코일 안테나(110)에 의해 유도적으로 생성되는 전기장은 일반적으로 방위각적이지만(방사 성분 E_r= 0 이고 방위각 성분 E_θ≠ 0 을 지니는), 중심은 0이다(E_r= 0 및 E_θ= 0). 즉, 상기 코일 안테나(110)는 중심에서 저밀도를 가지는 환상면체의 플라즈마를 생성하고, 상기 환상면체의 중심에서 타당한 균일성을 제공하기 위해 플라즈마 확산(즉, 중심으로의 전자 및 이온의 확산)에 의지해야만 한다. 그러나, 특정 어플리케이션에서, 플라즈마 확산에 의해 제공되는 상기 균일성은 불충분하다.

더욱이, 이러한 나선형 코일 안테나는 방위각적인 비균일성 플라즈마를 만들어내는 경향이 있다. 이는 상기 평면 안테나 코일을 제작하는데 사용되는 결합 라인들의 상대적으로 긴 길이가 전형적으로 작동하는 고주파에서 상당한 전기길이(Electrical Length)를 가진다는 사실에 기인한다. 전압 및 전류 파동은 입력단에서 터미날단으로 이동하고, 터미날단에서 반사될 것이다. 전송파(Forward wave) 및 반사파(Reflected wave)의 중첩은 코일상에 정상파(standing wave)를 생성한다(즉, 전압 및 전류가 코일의 길이방향을 따라 주기적으로 변동한다). 만약 코일이 터미날단에서 접지되어 있는 경우, 터미날단에서의 전류는 최대값이고, 터미날단에서의 전압은 0 이다. 코일을 따라 입력부쪽으로 나아가면, 전기길이가 90 도인 위치에서, 전압이 최대이고 전류가 최소가 될 때까지 전압은 증가하고 전류는 감소한다. 이러한 각도에 따른 변동은 매우 비균일적인 플라즈마를 초래한다. 결과적으로, 상기 평면 코일은 전형적으로, 코일내에서 전류가 코일의 양단에서 유사하고 코일의 중간부근에서 최대값으로 증가하도록 정전용량(Capacitance)을 지니고 종결된다. 이렇게 하는 것은 플라즈마 균일성을 향상시킬 수는 있지만, 코일의 길이 방향을 따라 전류가 방위각적인 방향으로 변동하기 때문에 방위각적인 비균일성은 여전히 존재한다. 예를 들어, 도 2a에서 점 P는 전류 최대지점이다. 점 P의 어느 한쪽에서 전류는 강하한다. 그러므로, 플라즈마에 대한 전력 결합(Power coupling)은 점 P 바로 아래에서 더 높으며 이에 상응하는 플라즈마는 더 조밀하다. 이와 대조적으로, 점 P' 에서의 플라즈마 밀도는 상대적으로 낮다.

비록 종단 커패시터(Capacitor)의 값이 변동해도, 이렇게 하는 것은 단지 코일을 따라 전압이 0인 점의 위치만을 변경함에 주목해야 한다. 더욱이, 비록 코일이 코일 길이 방향을 따라 동일한 극성의 전압을 제공하기 위해서 인덕턴스를 지니고 종결될 수 있더라도, 전류가 0인 지점은 코일의 중앙 부위에 어딘가에 존재할 것이며(0 지점의 어느 한측에서 반대 방향으로 전달되는 전류와 함께), 결과적인 플라즈마 밀도는 받아들이기 어려울 정도로 낮으며 비균일적일 수 있다. 패트릭(Patrick)등의 미국특허 번호 5,401,350은 상술된 결함을 극복하려 하였다. 상기 특허에서는, 플라즈마 균일성을 향상시키기 위하여 다중 평면 코일 구성이 설명되었다. 개개의 코일에 대한 고주파 전력은 독립적으로 제어되어, 분리된 전력공급기 및 상기 전력 및 위상의 독립적인 조정을 허용하는 분리된 정합 네트워크를 필요로 한다.

플라즈마 결합 시스템내에서 유도적 결합 균일성을 제어하기 위한 향상된 방법 및 장치가 필요하다는 것은 명백하다.

본 발명은 반도체 기판과 같은 물질을 처리하기 위한 플라즈마 리액터와 관련한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 플라즈마 리액터내에서 유도적 결합 균일성을 향상시키기 위한 시스템과 관련한 것이다.

도 1은 안테나 시스템이 유전체 윈도우의 윗면에 위치하고 고주파 에너지를 프로세싱 챔버로 결합하는데 사용되는 플라즈마 리액터(Reactor)를 도시한다.

도 2a 및 2b는 종래의 평면 나선형 코일 안테나 두 가지를 도시한다.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이중, 단일 권선 평면 코일의 전형적인 장치를 도시한다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 이중, 다중 권선 평면 코일의 전형적인 장치를 도시한다.

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 내부 나선형 코일을 지닌 이중, 다중 권선 평면 코일의 전형적인 장치를 도시한다.

도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 내부 및 외부 나선형 코일 양쪽 모두를 지닌 이중, 다중 권선 평면 코일의 전형적인 장치를 도시한다.

도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 병렬 안테나 요소를 지닌 이중, 다중 권선 평면 코일의 전형적인 장치를 도시한다.

본 발명은 안테나 시스템내에서 유도적 결합 균일성을 향상시키기 위한 시스템을 제공함으로써, 상기 확인된 본 기술분야에서의 결함을 해결한다. 안테나 코일의 위치선정 및 전류 분배를 제어함으로써, 플라즈마 균일성이 향상될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따라, 둘 이상의 나선형 코일들이 플라즈마 챔버의 유전체 윈도우상에 위치한다. 각 코일은 평면이거나 혹은 평면코일 및 수직으로 쌓인 나선형(Helical) 코일의 조합 중 하나이다. 각 코일의 입력단은 입력 가변 커패시터에 부착되고 출력단은 출력 가변 커패시터를 통해 접지로 종결된다. 상기 출력 커패시터는 어디에서 전류가 극단치(즉, 최대값 혹은 최소값)인지 혹은 어디에서 전압이 극단치인지를 결정하며, 반면에 입력 커패시터는 각 코일의 전체 임피던스를 변경할 수 있으므로, 상기 다중 코일들내의 전류 크기비는 조정될 수 있다. 각 코일에서 전류의 크기 및 최대 전류의 위치를 조정함으로써, 플라즈마 밀도, 이에따른 플라즈마 균일성이 제어될 수 있다.

본 발명의 상술된 내용 및 다른 특성과 장점들이 수반된 도면들에 나타나는 실례들을 참조하여 다음에 상세히 설명된다. 당 기술분야의 숙련자들은 설명되는 실시예들이 설명 및 이해의 목적으로 제공되는 것이며, 다수의 동등한 실시예들이 여기에서 생각되어짐을 알 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 안테나 시스템이 구체화될 수 있는 플라즈마 발생 장치(100)를 도시한다. 상기 설명된 바와 같이, 플라즈마 발생장치(100)는 유전체 윈도우(120), 가스 분배판(130), 웨이퍼(140), 진공챔버(150), 정전기 처크(160), 저전극(170), 및 안테나 시스템(105)을 구비한다. 안테나 시스템(105)은 고주파 정합 네트워크(미도시) 및 고주파 발생기(미도시)에 연결된 코일(110) 세트를 구비한다.

본 발명의 전형적인 실시예에 따라, 상기 안테나 시스템은 트랜스포머-커플드 플라즈마(Transformer-Coupled Plasma: TCP^TM:, 램(Lam) 리서치 코포레이션의 등록 상표)안테나 시스템이다. 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 TCP^TM:안테나 시스템 (300)을 설명한다. 본 실시예에서, TCP^TM:시스템(300)은 두 가지의 단일 권선 코일을 구비한다. 코일 1은 중심 부근에 위치함이 바람직하며, 반면 코일 2는 리액터의 상단 개구부 외곽 모서리쪽으로 더 향하여 위치함이 바람직하다. 고주파(RF:Radio Frequency) 전류는 두개의 동조(Tuning) 커패시터 C₁및 C₂를 거쳐 코일 1 및 코일 2의 한쪽 끝에 동시에 제공된다. 당 기술분야에서 잘 알려진 바와 같이, 고주파 입력은 고주파 전원(310)으로부터 발생되어 고주파 정합 네트워크(320)을 통해 커패시터 C₁및 C₂로 공급된다. 동조 커패시터 C₁및 C₂는 코일 1 및 코일 2에서의 전류 I₁및 I₂의 크기가 각각 조정되도록 한다. 코일 1 및 코일 2의 반대편 끝은 함께 묶여서 임피던스 Z_T를 통해 접지로 종결된다.

단일 권선, 평면 코일에 의해 유도적으로 발생된 전기장은 방위각적이지만 (방사 성분 E_r= 0 이고 방위각 성분 E_θ≠ 0), 중앙에서는 0 이다(Er = 0 및 E_θ= 0). 유전체 윈도우 표면근처에서, 플라즈마에서의 유도 전기장 및 유도 전류(J = σE)는 거의 구동 코일의 미러 이미지(Mirror image)이다. 평면 코일 안테나는 구동코일 반경의 절반에 근접하는 반경을 지닌 환상면체의 플라즈마를 생성한다. 두 개의 코일을 분리하여 위치시킴으로써, 이는 상기 두 개 코일의 평균 반경들의 절반과 대략 동일한 반경을 가지는 보다 점진적인 플라즈마 환상면체를 효율적으로 발생시킨다. 외부 코일로부터의 전력 결합이 외부 영역에 한정되는 반면, 내부 코일로부터 플라즈마에의 전력 결합은 내부 영역에 한정된다. 결과적으로, 플라즈마 확산(즉, 전자 및 이온의 확산)은 플라즈마 밀도를 중심부 및 다른 장소에서 보다 균일하게 만드는 경향이 있다.

상기 지적된 바와 같이, 두 개의 단일 권선 코일과 연관된 회로(즉, 커패시터 C₁과 C₂및 임피던스 Z_T)는 코일 1 및 코일 2에서의 전류크기, 즉, I₁및 I₂의 비를 각각 조정할 수 있다. 전류 크기를 조정함으로써, 리액터의 중심 및 모서리간의 플라즈마 균일성은 조정될 수 있다. 당 기술분야에서의 숙련자에 의해 인식되는 바와 같이, C₁및 C₂는 고정 혹은 가변 커패시터 중 하나일 수 있다.

입력 동조 커패시터 C₁및 C₂는 각 코일의 입력 유도 리액턴스를 부분적으로 상쇄한다. C₁및 C₂에 대한 값의 적절한 선택으로, 각 레그(Leg)의 입력 리액턴스는 동일하고, 동일한 전원으로부터 공급될 때 코일 1 및 코일 2 로의 동일한 입력 전류를 초래한다. 이러한 시작 값들로부터 C1을 높게 그리고 C2를 낮게 조정하는 것은 코일 1에서 전류가 감소하도록 하고 코일 2에서 전류가 증가하게 한다. 조정 순서를 반대로 하는 것은 전류가 반대로 불균형이 되게 한다. 상기 합성 회로의 입력 임피던스는 한쪽 레그가 증가된 리액턴스를 가지는 반면 다른쪽 레그는 감소된 리액턴스를 가지므로 조정 프로세스동안 명목상으로 동일한 채로 있게된다.

코일 1 및 코일 2의 마주보는 종단들은 임피던스 Z_T로 종결될 수 있다. Z_T는 종래의 TCP^TM시스템에서와 같이, 공통 커패시터일 수 있거나, 혹은 접지로의 전기적인 단락 연결일 수 있다. 만약 각 코일이 상이한 전기 길이를 가지면, 각 코일의 입력 임피던스는 또한 상이하다. 전류 최대값이 각 코일 길이의 중앙에서 명목상 일어나도록 분리된 종결 커패시터들이 선택될 수 있다.

두 개의 코일들이 대칭적으로 균형을 이루때, 각 코일로 흐르는 전류는 명목상 동일하다. C₁및 C₂의 값을 변경함으로써, 코일 1 및 코일 2로의 불균형적인 전류 흐름이 이루어질 수 있음은 당업자라면 이해할 수 있을 것이다. 입력 리액턴스 X₁및 X₂가 유도적이라고 가정하면, C₂가 균형상태를 벗어나 증가할 때, 예를 들어 X₂＞ X₁일 때, I₁＞ I₂이다. 이 경우, 내부 코일(코일 1)에서의 전류는 외부 코일보다 커서 리액터의 중심에서 더욱 강한 유도적인 결합을 초래한다. 결과적으로, 상대적으로 높은 플라즈마 밀도가 코일 1 아내의 중심부에서 생성된다. 대안으로, 리액터의 벽 근처와 같이, 내부 코일을 둘러싸는 영역에서 낮은 플라즈마 밀도를 보상하기 위하여, 외부 코일(코일 2)에서의 전류가 조정되어 내부 코일에서의 전류보다 커질 수 있다.

상술된 두 개의 단일 권선 코일의 사용은 설명의 목적으로만 제공된다. 당 기술분야의 숙련자는 상기 설명된 일반적인 원리들이 다중 코일, 다중 권선 시스템에도 동일하게 적용할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 더욱이, 본 발명은 2 차원적인 코일 구성에 한정되지 않고(도 3에 도시된 바와 같이), 대안적으로 3 차원적인 코일 구성으로도 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 코일들은 돔(dome) 형상의 유전체 윈도우에 합치하도록 구성되거나 혹은 원통형의 유전체 윈도우 주위에 나선형으로 구성될 수 있다. 당 기술분야의 숙련자는 상기 설명된 원리가 돔형, 나선형, 혹은 다중 권선의 다중 코일을 가지는 다른 3 차원적인 구성에 동일하게 적용가능함을 이해할 것이다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 TCP^TM안테나 시스템(400)을 설명한다. 도 4에서, 두 개의 다중 권선 코일들(코일 1 및 코일 2)은 상기 코일들에 부착된 네 개의 동조 커패시터들 C₁- C₄를 가지고 제공된다. 도면으로부터 명백히 알 수 있는 바와 같이, 코일 1은 중앙에 위치하고 있으며, 반면 코일 2는 리액터의 상단 개구부의 외곽 모서리쪽으로 더 향하여 위치함이 바람직하다. 고주파 입력은, 각각 동조 커패시터 C₁및 C₂를 통해 코일 1 및 코일 2의 제1 종단에 동시에 공급된다. 코일 1 및 코일 2의 반대측 종단은, 각각 동조 커패시터 C₃및 C₄를 통해 종결된다. 도 3과 관련하여 상기 설명되 이중-코일 단일 권선 시스템에서처럼 , 상기 두 개의 코일은 보다 점진적인 환상면체 형태의 플라즈마를 효율적으로 생성한다. 전류 I₁및 I₂가 동일한 방향으로 흐르므로, 코일로부터 플라즈마로의 전력 결합은 전체 영역에 걸쳐 퍼지며 납작한 단일 환상면체 형태의 플라즈마를 생성한다. 전류가 불균형적인 경우, 환상면체의 필드는 중심 혹은 외부에서 더 강할 수 있다.

각 코일이 코일을 따라 보다 대칭적인 전류 분배를 얻기 위하여 두 개의 커패시터가 제공된다. 예를 들어, C₃와 함께 C₁을 조정하여 전류 최대값(순수한 저항적 임피던스 지점뿐 아니라)이 코일 1의 중심에서 일어나도록 할 수 있다. 코일의 중심으로부터 C₁쪽으로 움직임으로써, 리액턴스는 유도적이 되고, 코일의 중심으로부터 C₃로 움직임으로써 상기 리액턴스는 용량적(capacitive)이 되어서, 전류는 중심에서 최대이고 중심으로부터 멀어질수록 명목상 사인곡선 형태로 감소된다.

더욱이, C₃및 C₄의 조정은 상술된 방위각적인 비균일 플라즈마를 보상할 수 있다. 예를 들어, 도 4에서 C₃를 조정하여 코일 1의 점 P₁에서 최대 전류를 이룰수 있다. 결과적으로, 플라즈마에 대한 전력 결합은 P₁아래에서 더 높고, 이에 상응하는 플라즈마 밀도도 더 높다. 이는 방위각적인 비균일성쪽으로 이끄는 경향이 있다. 그러나, C₄를 조정함으로써, 최대 전류는 P₁와 반대편으로 동일한 방사축을 따라서 코일 2내의 위치 P₂에서 이루어질 수 있다. 그러므로, P₂에서 코일 2의 더 높은 전력 결합은 코일 1에 기인한 효과를 상쇄하고, 방위각적으로 더욱 균일한 플라즈마를 초래한다. C₃및 C₄를 조정하는 것에 대한 대안으로서, 코일 1의 방위각적인 위치는 코일 2의 위치에 대해 물리적으로 회전하여, 코일 1 및 코일 2에서의 전류 최대값들이 P₁및 P₂에서 각각 일어나도록 할 수 있다.

본 발명의 전형적인 실시예에 따라, 동조 커패시터 C₁및 C₂는 단일 제어로 반대 방향으로 뒤집도록 구성될 수 있다. 이러한 방식에서, 전류 불균형 및 이에 따른 플라즈마 비균일성은, 입력부에서 종래의 단일 정합 네트워크를 교란함이 없이 단일 발생기로부터 단일제어에 의해 최적화될 수 있다. 이와 유사하게, 반대 방향으로 C₃및 C₄를 조정하여 C₁및 C₂를 조정하는 것과 동일한 효과를 가질 수 있다.

코일에서 권선수가 변함에 따라, 코일 및 플라즈마간의 상호 결합이 변압기의 일차 코일(즉, 구동 코일) 및 이차 코일(즉, 플라즈마)간의 상호 결합과 유사한 방식으로 변한다(Albert J. Lamm, "균일 전송 라인으로 모델링된 유도 플라즈마 코일상의 정상파에 대한 고찰", J. Vac. Sci. tech. A, vol. 15, No. 5, Sept/Oct. 1997, p.2615 를 참조). 권선수에서의 증가/감소는 플라즈마의 밀도에 영향을 미친다. 예를 들어, 권선수의 증가는 상호 결합 계수에서의 감소를 초래하여 이로인해 플라즈마 밀도를 낮출 수 있다. 반면에, 만약 코일 길이가 감소하면, 코일 길이에 조정되는 전체 플라즈마 발생이 감소될 수 있다. 그러므로, 당 기술분야의 숙련자는 각 코일의 권선수 및 전체적인 길이를 조화시키기 위하여 상기 각 코일의 권선수 및 전체적인 길이를 최적화하는 것이 가능함을 알 수 있을 것이다.

입력 동조 커패시터 C₁및 C₂의 값을 변동하는 효과를 설명하기 위하여, 다음의 세가지 상황이 고찰된다: C₁의 값이 C₂의 값보다 큰 초기 상황, C₁및 C₂의 값이 조정되어 그것들이 값이 같은 두번째 상황, 및 C₁의 값이 C₂의 값보다 작은 최종 상황.

TCP^TM코일 안테나에 대한 복소 전파상수(k = α+jβ)는 코일 안테나의 입력 및 출력에서의 전압 및 전류 파형 측정으로부터 추론될 수 있다(Lamm 참조). 논의의 목적을 위해, α, β 및 유효 특성 임피던스 (Effective characteristic impedance) Z₀는 세가지 상황 모두에서 동일하다고 가정한다. 표 1은 α, β, Z₀, 각 코일의 전기 길이, 및 C₁- C₄에 대한 값들을 제공한다.

손실전송라인으로서의 이중 코일 안테나 회로 - 케이스(a)

	α=6.89 x 10^-4/도	β=1.145 도/in	Z₀=110 Ω

	입력 커패시터(pF)	길이(도)	출력 커패시터(pF)	Z_in(Ω)
코일 1	C₁= 615.2	45	C₃= 257.6	4.0+j26.4
코일 2	C₂= 415.2	45	C₄= 257.6	4.0+j17.2

표 1에서, Z_in은 각 코일의 입력 임피던스를 나타낸다. 두 코일의 전체 입력 임피던스는 2.1+j10.5Ω으로, 각 코일에 대한 Z_in의 대략 절반 정도이다. 표 2는 1000 W의 입력 고주파 전력 및 표 1에서 설명된 인자들이 제공될 때 i 번째 코일에 대한 I_i, I_i', V_i, 및 V_i'의 크기 및 위상각을 나타낸다. 표 2에서, I_i는 i 번째 코일(i=1, 2)의 입력단(도 4에서 고주파 입력에 더 가까운)에서의 전류를 나타내고, I_i'는 i 번째 코일의 출력단(도 4에서 C₃및 C₄에 더 가까운)에서의 전류를 나타내며, V_i및 V_i'는 i 번째 코일의 입력 및 출력단에서의 전압을 각각 나타낸다.

두 코일의 입력 및 출력에서의 고주파 전류 및 전압

	입력 전류	출력 전류	입력 전압	출력 전압
i번째 코일	(I_i)rms	각도	(I_i')rms	각도	(V_i)rms	각도	(V_i')rms	각도

코일 1	8.7 A	-3°	8.7 A	-3°	399 V	+82°	398 V	-93°
코일 2	13.2 A	+2°	13.2 A	+1°	603 V	+87°	601 V	-89°

표 2에서 명백히 알 수 있는 바와 같이, 고주파 전류 및 전압은 상기 두 코일들 간에서는 불균형적이지만, 각 코일 내에서는 균형을 이룬다. 내부 코일(코일 1)에서 전류 및 전압 양쪽 모두는 외부 코일(코일 2)에서의 전류 및 전압보다 34%가 작은데, 이는 내부 코일의 전체 임피던스가 외부코일의 임피던스보다 크기 때문이다. 각 코일은 코일 중심 주위에서 대칭적으로 균형을 이루어, 각 코일에서 입력 전류 및 전압의 값들이 출력값들과 크기상 거의 동일하게 된다. 코일의 중심으로부터 멀어지면 임피던스는 코일의 입력단을 향해서는 유도성이 우세하게 되고 출력단을 향해서는 용량성이 우세하게 된다; 이는 입력 및 출력 전압간의 위상각 변화로부터 명백히 알 수 있다.

전류 I₁및 I₂상에서 C₁및 C₂(C1 = C2이도록)의 값을 변동할 때의 영향이 아래에 표 3 및 표 4에서 설명된다.

손실전송라인으로서의 이중 코일 안테나 회로 - 케이스(b)

	α=6.89 x 10^-4/도	β=1.145 도/in	Z₀=110 Ω

	입력 커패시터(pF)	길이(도)	출력 커패시터(pF)	Z_in(Ω)
코일 1	C₁= 515.2	45	C₃= 257.6	4.0+j22.7
코일 2	C₂= 515.2	45	C₄= 257.6	4.0+j22.7

두 코일의 전체 입력 임피던스는 각 코일에 대한 Z_in의 대략 절반인 2.0 + j11.4Ω 이다. 표 4는 1000 W의 입력 고주파 전력 및 표 3에서 설명된 파라미터들이 제공될 때 i 번째 코일에 대한 I_i, I_i', V_i, 및 V_i'의 크기 및 위상각들을 기입한 것이다.

두 코일의 입력 및 출력에서의 고주파 전류 및 전압

	입력 전류	출력 전류	입력 전압	출력 전압
i번째 코일	(I_i)rms	각도	(I_i')rms	각도	(V_i)rms	각도	(V_i')rms	각도

코일 1	11.2 A	0°	11.2 A	-1°	511 V	+85°	510 V	-91°
코일 2	11.2 A	0°	11.2 A	-1°	511 V	+85°	510 V	-91°

C₁= C₂이고 C₃= C₄이며, 코일 1은 코일 2와 동일하므로, 고주파 전류 및 전압은 각 코일 내부 뿐 아니라 두 코일들 사이에서도 균형을 이룬다.

마지막 상황은 C₁의 값이 C₂의 값보다 작도록 C₁및 C₂의 값을 변경했을 때의 영향을 설명한다.

손실전송라인으로서의 이중 코일 안테나 회로 - 케이스(c)

	α=6.89 x 10^-4/도	β=1.145 도/in	Z₀=110 Ω

	입력 커패시터(pF)	길이(도)	출력 커패시터(pF)	Z_in(Ω)
코일 1	C₁= 415.2	45	C₃= 257.6	4.0+j17.2
코일 2	C₂= 615.2	45	C₄= 257.6	4.0+j26.4

두 코일의 전체 입력 임피던스는 각 코일에 대한 Z_in의 대략 절반인 2.1 + j10.5Ω이다. 표 6은 1000 W의 입력 고주파 전력 및 표 5에서 설명된 파라미터들이 제공될 때 i 번째 코일에 대한 I_i, I_i', V_i, 및 V_i'의 크기 및 위상각들을 기입한 것이다.

두 코일의 입력 및 출력에서의 고주파 전류 및 전압

	입력 전류	출력 전류	입력 전압	출력 전압
i번째 코일	(I_i)rms	각도	(I_i')rms	각도	(V_i)rms	각도	(V_i')rms	각도

코일 1	13.2 A	+2°	13.2 A	+1°	603 V	+87°	601 V	-89°
코일 2	8.7 A	-3°	8.7 A	-3°	399 V	+82°	398 V	-93°

이 경우에, 내부 코일(코일 1)에서 고주파 전류 및 전압 양쪽 모두는 외부 코일(코일 2)에서의 전류 및 전압보다 51%가 크다.

상기 상황으로부터, C1 및 C2를 단지 변경하는 것에 의해, 코일에서 전압뿐 아니라 전류도 다른 코일에서의 전류 및 전압에 대해 실질적으로 조정될 수 있음이 명백하다.

도 5는 본 발명의 제3 실시예를 도시한다. 도 5에서, 두 개의 다중 권선 코일들 및 네 개의 동조 커패시터 C₁- C₄에 부가하여 나선형 코일이 제공된다. 본 실시예에 따르면, 내부 코일(코일 1)은 두 개의 파트로 이루어져 있다. 파트 I은 도 4와 관련하여 상술된 평면 다중 권선 코일을 나타낸다. 파트 II는 상기 평면 다중 권선 코일에 대해 수직으로 위치하고 평면 코일들(코일 1 및 코일 2의 파트 I)의 축과 동일한 축을 가지는 나선형 코일을 나타낸다.

본 실시예에서, 내부 코일에 대한 전기길이는 코일 1 및 코일 2가 전기길이적 관점에서 더욱 균형을 이루도록 증가된다. 두 개의 전기길이가 서로 근접할 때, 각 코일로의 전류는 더욱 일정한 합성 입력 임피던스를 유지하면서 더 광범위하게 조정될 수 있다. 상기 나선형 코일은, 본 발명에 따라서, 중심에서 플라즈마에 대한 유도 결합을 촉진한다. 비록 나선형 코일에 의해 발생되는 전기장도 또한 방위각적이고 중심에서 0 이지만, 상기 방위각적인 전기장의 평균 반경은 나선형 코일의 직경 순이다. 결과적으로, 중심에서 상기 플라즈마는 더욱 밀도가 높게 형성되어 더 나은 전체적 균일성을 제공한다.

상기 나선형 코일의 중앙에 있는 실린더는 유전체 물질로 이루어져 있으며 또한 고체일 수 있는데, 이 경우 상기 실린더는 단지 축을 따라 나선형(helix) 혹은 공동(Hollow)을 위한 기계적인 지지대를 제공할 뿐이다. 후자의 경우에, 상기 공동 실린더는 상기 실린더의 공동 구역이 챔버에 직접 연결되도록 상단 끝은 진공 밀폐되어 있고 하단 끝은 열려있다. 이러한 경우에, 프로세스 가스는 진공 챔버뿐 아니라, 공동 실린더에게도 또한 유입된다. 상기 실린더는 플라즈마 리액터의 유전체 윈도우의 일부로 여겨질 수 있다. 공동 실린더 내에서 플라즈마 밀도는 상대적으로 강한 유도장 및 홀로우 음극 효과(Hollow cathode effect)때문에 챔버내에서의 플라즈마 밀도보다 더 높을 수 있다. 멀리 떨어져 상기 공동 실린더내에서 생성된 플라즈마는 챔버의 중심으로 확산한다. 더욱이, 방전이 낮은 압력하에서, 전형적으로 10m-Torr 이하에서, 쉽게 일어날 수 있도록, 종단 커패시터 C₃에 의해 상대적으로 높은 전압이 조정될 수 있다.

도 6은 본 발명의 제4 실시예를 도시한다. 본 실시예에 따르면, 각 코일(코일 1 및 코일 2)은 두개의 파트로 이루어져 있다. 파트 1은 평면 다중-권선 코일로 구성된 반면 파트 2는 평면 다중-권선 코일(즉, 파트 1)에 대해 수직으로 위치하고 파트 1의 축과 동일한 축을 가지는 나선형 코일로서 구성된다.

입력 고주파는 코일 1 및 코일 2에서 상기 평면 다중 권선을 통해 안테나 시스템(600)으로 들어가고, 전류가 양쪽 코일 모두에서 동일한 방향으로 흐르도록, 나선형 코일을 통해 나온다. 코일 1 및 코일 2에 대하여 비슷한 전기길이를 가지기 위해, 코일 2에서 상기 나선형 코일(파트 2)은 평면 다중 권선 코일(코일 2의 파트 1)의 대개의 내부 권선 반경과 동일한 반경을 가지는 것이 바람직한 반면, 코일 1에서 상기 나선형 코일(파트 2)은 평면 다중 권선 코일(코일 1의 파트 1)의 대개의 외부 권선 반경과 동일한 반경을 가지는 것이 바람직하다. 코일 1 및 코일 2에서 나선형 코일들의 권선수는 코일 1 및 코일 2의 전체적인 전기길이가 실질적으로 유사하도록 선택된다. 도 6으로부터 코일 1 및 코일 2의 분리된 고리들의 작은 개구부가 미정렬됨은 명백하다. 상기 개구부가 정렬되어진 구성을 제공하는 것이 가능하지만, 당 기술분야의 숙련자는 이러한 구성이 상기 개구부 위치에서 플라즈마에 대한 낮은 전력 결합을 초래할 것임을 알 수 있을 것이다.

입력 동조 커패시터(C₁및 C₂) 및 출력 동조 커패시터(C₃및 C₄)는 도 3 내지 도 5와 관련하여 상기 논의된 바와 유사한 방식으로 코일들에서 전류 분배의 조정을 허용한다. 본 실시예는 편리하게 하나의 코일에서 전류가 독립적으로 조정되도록 한다. 도 3 내지 도 5에서 설명되는 전술한 실시예에서, 각 코일로의 전류는 입력 임피던스를 변경하는 입력 동조 커패시터에 의해 주로 조정된다. 하나의 코일의 입력 임피던스가 변하면, 코일들은 전기적으로 병렬 연결되어 있으므로, 전체적인 입력 임피던스는 변한다. 이는 차례로 상기 하나의 코일에서의 전류를 변경시킬 뿐만 아니라, 다른 코일에서의 전류 또한 변경시킨다. 다시 말하면, 두 코일들의 전류 조정은 독립적이지 않다. 결과적으로, 정합 네트워크는 이러한 전체 입력 임피던스에서의 변화를 보상히기 위해 재동조되어야 한다. 이는 정합 네트워크의 동조 범위가 유한하고 한정적이므로 모든 어플리케이션에서 실용적이지는 않다.

도 6에서, 각 코일에서 전류 최대값의 위치는 출력 커패시터를 조정함으로써, 평면 다중 권선내의 위치 혹은 나선형 코일(파트 2)내의 위치 중 어느 하나로 이동될 수 있다. 플라즈마에 대한 고주파의 전력 결합은, 평면 코일이 플라즈마에 더 가까우므로, 전류 최대값이 평면 다중 권선 코일내의 어딘가에 있을때 상대적으로 크다. 이와 유사하게, 만약 전류 최대값이 나선형 코일내의 위치에 있으면, 플라즈마에 대한 전력 결합은 더 약한데, 이는 상기 나선형 코일이 플라즈마로부터 더 떨어져 있고 전류는 평면 다중 권선 코일에서 강하하기 때문이다. 그러므로, 출력 커패시터만의 조정으로 최대 전류의 위치 및 플라즈마에 대한 전력 결합의 크기를 동시에 변경할 수 있다. 출력 커패시터가 조정되는 것과 동시에, 비교적 변하지 않는 코일의 입력 임피던스를 유지하기 위해, 입력 커패시터는 반대 방향으로 조정될 수 있다. 결과적으로, 전체 입력 임피던스는 비교적 변하지 않은 채로 남아있게 된다. 당 기술분야의 숙련자는 이러한 방식으로 입력 및 출력 커패시터들을 조정함으로써, 전류 크기는 실질적으로 변하지 않으면서, 오히려 코일에서의 전류 정상파 패턴이 이동하여, 차례로 플라즈마에 대한 전력 결합을 효율적으로 변화시킴을 알 수 있을 것이다. 결과적으로, 플라즈마 균일성은 제어가능하게 유지될 수 있다.

도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 이중 코일 결합 시스템을 도시한다. 도 7의 이중 코일 결합 시스템은 병렬 안테나 요소를 사용한다. 두개의 코일들(코일 1 및 코일 2는 대칭적이고 코일의 각 루프는 반원 및 평행한 안테나 요소로 이루어진다. 고주파는 각 코일의 중앙 평행 요소로(평행 축에 가까운) 동시에 공급되고 상기 코일들의 다른 종단들은 함께 묶여져서 커패시터 C_T를 통해 접지로 종결된다.

평면 나선형 코일과 대조적으로, 병렬 안테나 결합 구성은 중심부에서 비교적 큰 전기장을 항상 생성하고, 그러므로 플라즈마 균일성을 본질적으로 향상시킨다(J. J. Chen 등, "평행-안테나 트랜스포머-결합 플라즈마 발생 시스템", 미국 특허출원 번호 09/052,144, 1998년 3월 31일 출원 참조). 종래의 TCP^TM코일과 유사하게, 각 코일에 의해 생성된 플라즈마는 환상면체 형상이고 코일 1에 대해 o₁을 중심으로 두고, 코일 2에 대해 o₂를 중심으로 둔다. 단일 TCP^TM코일과 비교하면, 각 플라즈마 환상면체의 반경은 실질적으로 더 짧고, 이로인해 종래의 TCP^TM시스템과 비교하여 환상면체의 중심으로 플라즈마가 확산하는 것을 더욱 쉽게 한다. 이런 결합 시스템의 장점은, 각 코일의 전기길이가 거의 이등분되므로, 각 코일을 따라 고주파 전류 및 전압의 변동이 적다는 것이다.

전술한 바와 같이 본 발명의 원리, 바람직한 실시예 및 작동 모드를 설명하였다. 그러나 본 발명은 상기 논의된 특정 실시예에 한정되는 것으로 파악되어서는 않된다. 즉, 상술된 실시예들은 본 발명을 제한한다기 보다는 설명을 위한 것으로 간주되어야 하며, 다음의 청구항들에서 규정된 본 발명의 영역을 벗어나지 않고 당 기술분야의 숙련자들에 의해 상기 실시예들에서 변형이 이루어질 수 있음은 인식되어야 한다.

Claims

유도적으로 결합된 플라즈마를 발생시키기 위한 장치에 있어서,

챔버 내부로 전자기장 경로를 형성하는 윈도우 및 상기 챔버 내부로 프로세스 가스를 유입하도록 구성되는 프로세스 가스 공급기를 가지는 플라즈마 반응 챔버;

상기 챔버의 윈도우에 근접하여 배치된 제1 및 제2 안테나 세그먼트들을 적어도 구비하는 고주파 안테나; 및

상기 안테나 세그먼트들과 결합되고 상기 안테나 세그먼트들에서 고주파 전류를 공진시키도록 구성된 고주파 전원을 구비하는 장치에 있어서,

상기 고주파 전류에 의해 유도된 전기-자기장은 상기 윈도우를 통과하기에 효과적이며 프로세스 가스를 여기 및 이온화하여 그로인해 상기 챔버내에서 플라즈마를 발생시키고,

상기 제1 안테나 세그먼트는 상기 제2 안테나 세그먼트를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 상기 발생된 플라즈마의 밀도는 상기 적어도 제1 및 제2 안테나 세그먼트들에 의해 채워지는 영역내에서 실질적으로 균일함을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 안테나 세그먼트들 각각은 챔버내에서 상이한 영역으로 고주파 전력을 결합하여, 챔버내에서 전반적으로 균일한 플라즈마를 초래함을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 적어도 제1 및 제2 안테나 세그먼트들은 단일 권선 코일로 제작됨을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 상기 제1 안테나 세그먼트는 단일 권선 코일로 제작되고 상기 제2 안테나 세그먼트는 다중 권선 코일로 제작됨을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 적어도 제1 및 제2 안테나 세그먼트들은 다중 권선 코일로 제작됨을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 안테나 세그먼트들 내에서 동등한 전류 혹은 동등하지 않은 전류를 생성하기 위해 전류를 조정하기 위한 적어도 하나의 입력 동조 커패시터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
제7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 입력 동조 커패시터는 각 안테나 세그먼트에 더 높은 전류를 제공하여 안테나 세그먼트에 인접한 플라즈마 영역에 더 높은 고주파 전력 결합을 초래하거나 혹은 각 안테나 세그먼트에 더 낮은 전류를 제공하여 플라즈마의 상기 영역에 더 낮은 전력 결합을 초래함을 특징으로 하는 장치.
제7항에 있어서, 입력 커패시터 한 쌍은 안테나 세그먼트 한 쌍에서 전류를 조정하는데 사용되며 단일 제어로 반대 방향으로 전환되도록 배열됨을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 적어도 제1 및 제2 안테나 세그먼트들은 단일 고주파 전력원에 의해 전력이 공급되며 단일 정합 네트워크에 의해 동조됨을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 제1 및 제2 안테나 세그먼트들의 출력단들은 함께 묶여져서 임피던스를 통해 접지로 종결됨을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 제1 및 제2 안테나 세그먼트들의 출력단들은 분리된 출력 고정 혹은 가변 커패시터들을 통해 접지로 종결됨을 특징으로 하는 장치.
제12항에 있어서, 각 출력 커패시터는 각 안테나 세그먼트를 따라 전류 극단 혹은 전압 극단의 위치를 조정함을 특징으로 하는 장치.
제12항에 있어서, 제1 및 제2 안테나 세그먼트들에서 전류 최대값들의 위치들은 제2 안테나 세그먼트에 관련한 제1 안테나 세그먼트의 회전상 위치의 함수이고,

상기 출력 커패시터들은 전류 최대값 위치들이 방위각적으로 대략 180도 떨어지고 방사상으로 서로 반대편에 있도록 상기 위치들을 더 조정하여, 방위각적 비균일한 전류 분배에 따른 플라즈마 방위각적 비균일성을 실질적으로 감소시킴을 특징으로 하는 장치.
제12항에 있어서, 출력 커패시터들 한 쌍은 제1 및 제2 안테나 세그먼트들에서의 전류를 조정하고 단일 제어로 반대 방향으로 전환되도록 배열됨을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 제1 및 제2 안테나 세그먼트들은 동일평면상의 이차원적인 구성, 비평면상의 삼차원적인 구성, 혹은 이에따른 조합으로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 제1 및 제2 안테나 세그먼트들은 안테나 세그먼트들중 다른 하나에 비해 작은 직경을 가지는 안테나 세그먼트들 중 하나에 의해 동심으로 배열됨을 특징으로 하는 장치.
제16항에 있어서, 상기 삼차원적인 구성은 돔(Dome) 혹은 나선형 구성중 하나임을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 각 안테나 세그먼트들은 형태상으로 대략 원형임을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 안테나 세그먼트들은 상기 챔버의 윈도우 외부 표면에 인접하여 배치됨을 특징으로 하는 장치.
제1항에 있어서, 제1 및 제2 안테나 세그먼트들 내에서의 전류는 상기 세그먼트들 주위를 동일한 방위각적 방향으로 흐름을 특징으로 하는 장치.
유도적으로 결합된 플라즈마를 발생시키기 위한 장치에 있어서,

챔버 내부로 전자기장 경로를 형성하는 윈도우 및 상기 챔버 내부로 프로세스 가스를 유입하도록 구성되는 프로세스 가스 공급기를 가지는 플라즈마 반응 챔버;

상기 챔버의 윈도우에 근접하여 배치된 제1 및 제2 다중 권선 안테나 세그먼트들을 적어도 구비하는 고주파 안테나; 및

상기 안테나 세그먼트들과 결합되고 상기 안테나 세그먼트들에서 고주파 전류를 공진시키도록 구성된 고주파 전원을 구비하는 장치에 있어서,

상기 고주파 전류에 의해 유도된 전기-자기장은 상기 윈도우를 통과하기에 효과적이며 프로세스 가스를 여기 및 이온화하여 그로인해 상기 챔버내에서 플라즈마를 발생시키고,

상기 제1 다중 권선 안테나 세그먼트는 상기 제2 다중 권선 안테나 세그먼트를 둘러싸는 외부 코일임을 특징으로 하는 장치.
제22항에 있어서, 상기 발생된 플라즈마의 밀도는 상기 1 및 제2 다중 권선 안테나 세그먼트들에 의해 채워지는 영역내에서 실질적으로 균일함을 특징으로 하는 장치.
제22항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 안테나 세그먼트들 각각은 챔버내에서 상이한 영역으로 고주파 전력을 결합하여, 챔버내에서 전반적으로 균일한 플라즈마를 초래함을 특징으로 하는 장치.
제22항에 있어서, 상기 제1 다중 권선 안테나 세그먼트는 평먼 다중 권선 코일로 구성되고 상기 제2 다중 권선 안테나 세그먼트는 제1 및 제2 파트를 가짐을 특징으로 하는 장치.
제25항에 있어서, 제2 다중 권선 안테나 세그먼트의 상기 제1 파트는 평면 다중 권선 코일로 구성되고 제2 다중 권선 안테나 세그먼트의 상기 제2 파트는 나선형 코일로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
제26항에 있어서, 상기 제2 파트는 상기 나선형 코일내에 공동의 유전체 실린더를 더 구비하고 상기 공동 유전체 실린더의 공동 구역은 프로세스 챔버에 직접 연결됨을 특징으로 하는 장치.
제27항에 있어서, 상기 나선형 코일 및 상기 공동 유전체 실린더는 챔버내에서 플라즈마가 저압에서 발생될 수 있도록 구성되어, 프로세스 챔버의 중앙에서 증대한 플라즈마 밀도를 초래함을 특징으로 하는 장치.
제22항에 있어서, 제1 다중 권선 안테나 세그먼트는 제1 평면 파트 및 제2 비평면 파트를 가지며, 제2 다중 권선 안테나 세그먼트는 제1 평면 파트 및 제2 비평면 파트를 가짐을 특징으로 하는 장치.
제29항에 있어서, 제1 다중 권선 안테나 세그먼트의 상기 제2 파트는 나선형 코일로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
제29항에 있어서, 제2 다중 권선 안테나 세그먼트의 상기 제2 파트는 나선형 코일로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
제22항에 있어서, 제1 다중 권선 안테나 세그먼트의 전체 길이는 제2 다중 권선 안테나 세그먼트의 길이에 필적하여, 안테나 세그먼트내의 전류는 더 넓은 범위까지 조정될 수 있음을 특징으로 하는 장치.
제22항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 안테나 세그먼트들 내에서 동등한 전류 혹은 동등하지 않은 전류를 생성하기 위해 전류를 조정하기 위한 적어도 하나의 입력 동조 커패시터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
제33항에 있어서, 상기 적어도 하나의 입력 동조 커패시터는 각 안테나 세그먼트에 더 높은 전류를 제공하여 안테나 세그먼트에 인접한 플라즈마 영역에 더 높은 고주파 전력 결합을 초래하거나 혹은 각 안테나 세그먼트에 더 낮은 전류를 제공하여 플라즈마의 상기 영역에 더 낮은 전력 결합을 초래함을 특징으로 하는 장치.
제33항에 있어서, 입력 커패시터 한 쌍은 제1 및 제2 안테나 세그먼트에서 전류를 조정하는데 사용되며 단일 제어로 반대 방향으로 전환되도록 배열됨을 특징으로 하는 장치.
제22항에 있어서, 적어도 제1 및 제2 안테나 세그먼트들은 단일 고주파 전력원에 의해 전력이 공급되며 단일 정합 네트워크에 의해 동조됨을 특징으로 하는 장치.
제22항에 있어서, 제1 및 제2 안테나 세그먼트들의 출력단들은 분리된 출력 고정 혹은 가변 커패시터들을 통해 접지로 종결됨을 특징으로 하는 장치.
제37항에 있어서, 각 출력 커패시터는 각 안테나 세그먼트를 따라 전류 극단 혹은 전압 극단의 위치를 조정함을 특징으로 하는 장치.
제37항에 있어서, 제1 및 제2 안테나 세그먼트들에서 전류 최대값들의 위치들은 제2 안테나 세그먼트에 관련한 제1 안테나 세그먼트의 회전상 위치의 함수이고,

상기 출력 커패시터들은 전류 최대값 위치들이 방위각적으로 대략 180도 떨어지고 방사상으로 서로 반대편에 있도록 상기 위치들을 더 조정하여, 방위각적 비균일한 전류 분배에 따른 플라즈마 방위각적 비균일성을 실질적으로 감소시킴을 특징으로 하는 장치.
제37항에 있어서, 출력 커패시터들 한 쌍은 제1 및 제2 안테나 세그먼트들에서의 전류를 조정하는데 사용되고 단일 제어로 반대 방향으로 전환되도록 배열됨을 특징으로 하는 장치.
제26항에 있어서, 출력 커패시터는 전류 최대값의 위치를 제2 다중 권선 안테나 세그먼트의 제1 파트 혹은 제2 파트중 하나로 이동하는데 사용되어 다중 권선 안테나 세그먼트로부터 플라즈마로의 전력 결합에서의 변화를 초래함을 특징으로 하는 장치.
제30항에 있어서, 출력 커패시터는 전류 최대값의 위치를 제2 다중 권선 안테나 세그먼트의 제1 파트 혹은 제2 파트중 하나로 이동하는데 사용되어 다중 권선 안테나 세그먼트로부터 플라즈마로의 전력 결합에서의 변화를 초래함을 특징으로 하는 장치.
제31항에 있어서, 출력 커패시터는 전류 최대값의 위치를 제2 다중 권선 안테나 세그먼트의 제1 파트 혹은 제2 파트중 하나로 이동하는데 사용되어 다중 권선 안테나 세그먼트로부터 플라즈마로의 전력 결합에서의 변화를 초래함을 특징으로 하는 장치.
제41항에 있어서, 상기 출력 커패시터와 관련된 입력 커패시터를 더 구비하여, 상기 입력 커패시터의 동조는 고주파의 전체적인 입력 임피던스가 비교적 변하지 않은채 유지되도록 해서 하나의 다중 권선 안테나 세그먼트내에서의 전류가 다른 다중 권선 안테나 세그먼트들에서의 전류에 영향을 주지 않도록 함을 특징으로 하는 장치.
제42항에 있어서, 상기 출력 커패시터와 관련된 입력 커패시터를 더 구비하여, 상기 입력 커패시터의 동조는 고주파의 전체적인 입력 임피던스가 비교적 변하지 않은채 유지되도록 해서 하나의 다중 권선 안테나 세그먼트내에서의 전류가 다른 다중 권선 안테나 세그먼트들에서의 전류에 영향을 주지 않도록 함을 특징으로 하는 장치.
제43항에 있어서, 상기 출력 커패시터와 관련된 입력 커패시터를 더 구비하여, 상기 입력 커패시터의 동조는 고주파의 전체적인 입력 임피던스가 비교적 변하지 않은채 유지되도록 해서 하나의 다중 권선 안테나 세그먼트내에서의 전류가 다른 다중 권선 안테나 세그먼트들에서의 전류에 영향을 주지 않도록 함을 특징으로 하는 장치.
제22항에 있어서, 제1 및 제2 안테나 세그먼트들은 안테나 세그먼트들중 다른 하나에 비해 작은 직경을 가지는 안테나 세그먼트들 중 하나에 의해 동심으로 배열됨을 특징으로 하는 장치.
제22항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 안테나 세그먼트들은 상기 챔버의 윈도우 외부 표면에 인접하여 배치됨을 특징으로 하는 장치.
제22항에 있어서, 제1 및 제2 안테나 세그먼트들 내에서의 전류는 상기 세그먼트들 주위를 동일한 방위각적 방향으로 흐름을 특징으로 하는 장치.
유도적으로 결합된 플라즈마를 발생시키기 위한 장치에 있어서,

챔버 내부로 전자기장 경로를 형성하는 윈도우 및 상기 챔버 내부로 프로세스 가스를 유입하도록 구성되는 프로세스 가스 공급기를 가지는 플라즈마 반응 챔버;

상기 챔버의 윈도우에 근접하여 배치된 두 개의 유사한 형태의 안테나 세그먼트들을 구비하는 고주파 안테나; 및

상기 안테나 세그먼트들과 결합되고 상기 안테나 세그먼트들에서 고주파 전류를 공진시키도록 구성된 고주파 전원을 구비하는 장치에 있어서,

상기 고주파 전류에 의해 유도된 전기-자기장은 상기 윈도우를 통과하기에 효과적이며 프로세스 가스를 여기 및 이온화하여 그로인해 상기 챔버내에서 플라즈마를 발생시키고,

상기 두 안테나 세그먼트들은 이격되어 중심축에 대해 대칭적으로 위치함을 특징으로 하는 장치.
제50항에 있어서, 각 안테나 세그먼트는 D 자 형태이고 반원 및 대략 그것의 직경을 따르는 직선으로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
제51항에 있어서, 상기 안테나 세그먼트들의 직선은 서로 평행하고 윈도우의 중심 지역을 포함하여 중심축 주위로 대칭적인 플라즈마 밀도를 초래함을 특징으로 하는 장치.
제50항에 있어서, 두 안테나 세그먼트의 입력단들은 함께 묶이고, 두 안테나 세그먼트의 출력단들은 함께 묶여서 가변 커패시터를 통해 접지로 종결됨을 특징으로 하는 장치.
제51항에 있어서, 두 안테나 세그먼트의 직선들에서 전류는 동일한 방향으로 흐름을 특징으로 하는 장치.
제50항에 있어서, 안테나 세그먼트들은 단일 고주파 전력원에 의해 전력이 공급되며 단일 정합 네트워크에 의해 동조됨을 특징으로 하는 장치.
제50항에 있어서, 상기 발생된 플라즈마의 밀도는 상기 안테나 세그먼트들에 의해 채워지는 영역내에서 실질적으로 균일함을 특징으로 하는 장치.
제50항에 있어서, 상기 안테나 세그먼트들 각각은 챔버내의 상이한 영역으로 고주파 전력을 결합하여, 챔버내에서 전반적으로 균일한 플라즈마를 초래함을 특징으로 하는 장치.
제50항에 있어서, 상기 안테나 세그먼트들은 상기 챔버의 윈도우 외부 표면에 인접하여 배치됨을 특징으로 하는 장치.
플라즈마 반응 챔버를 위한 유도적으로 결합된 플라즈마 안테나 시스템에 있어서,

이격된 제1 및 제2 동심의 전류 경로들을 포함하여,

상기 동심의 전류 경로내에서 전류는 동일한 방향으로 흐름을 특징으로 하는 시스템.
제59항에 있어서, 상기 동심원의 전류 경로는 고주파 전력을 챔버내에서 방사상으로 및 방위각상으로 상이한 지역으로 결합하고 챔버내에서 균일한 플라즈마 분배를 제공하는데 협력함을 특징으로 하는 시스템.
제59항에 있어서, 상기 동심원의 전류 경로는 동일평면상의 이차원적인 구성, 비평면상의 삼차원적인 구성, 혹은 이에따른 조합으로 구성됨을 특징으로 하는 시스템.
반도체 기판의 노출된 표면을 제1항에서의 장치에서 형성되는 플라즈마에 접촉시킴으로써 반도체 기판을 처리하는 공정.
반도체 기판의 노출된 표면을 제22항에서의 장치에서 형성되는 플라즈마에 접촉시킴으로써 반도체 기판을 처리하는 공정.
반도체 기판의 노출된 표면을 제50항에서의 장치에서 형성되는 플라즈마에 접촉시킴으로써 반도체 기판을 처리하는 공정.
반도체 기판의 노출된 표면을 제59항에서의 장치에서 형성되는 플라즈마에 접촉시킴으로써 반도체 기판을 처리하는 공정.