CN114144853A - 高功率低频线圈 - Google Patents

高功率低频线圈 Download PDF

Info

Publication number
CN114144853A
CN114144853A CN202080052752.6A CN202080052752A CN114144853A CN 114144853 A CN114144853 A CN 114144853A CN 202080052752 A CN202080052752 A CN 202080052752A CN 114144853 A CN114144853 A CN 114144853A
Authority
CN
China
Prior art keywords
coil
winding
wire
coil body
spacer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080052752.6A
Other languages
English (en)
Inventor
K·拉夫
A·古提诺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Comet Technologies USA Inc
Original Assignee
Comet Technologies USA Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Comet Technologies USA Inc filed Critical Comet Technologies USA Inc
Publication of CN114144853A publication Critical patent/CN114144853A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2823—Wires
    • H01F27/2828—Construction of conductive connections, of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F5/00—Coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/006—Details of transformers or inductances, in general with special arrangement or spacing of turns of the winding(s), e.g. to produce desired self-resonance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/32—Insulating of coils, windings, or parts thereof
    • H01F27/324—Insulation between coil and core, between different winding sections, around the coil; Other insulation structures
    • H01F27/325—Coil bobbins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F37/00—Fixed inductances not covered by group H01F17/00
    • H01F37/005—Fixed inductances not covered by group H01F17/00 without magnetic core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/06—Coil winding
    • H01F41/064—Winding non-flat conductive wires, e.g. rods, cables or cords
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)

Abstract

一种线圈，具有线圈主体和围绕线圈主体设置的导线的多个同心截面绕组，该导线具有在相邻匝之间的约为导线的半径的0.25至1.0的间距。以及，一种用于等离子体处理设备的线圈，该线圈具有线圈主体和围绕线圈主体设置的导线的多个同心圆柱截面绕组，该导线的在相邻匝之间的间距约为导线的半径的约0.25至1.0倍，并且具有在约2:1和约3:1之间的直径与长度比率。

Description

高功率低频线圈
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年8月28日提交的美国临时专利申请No.62/893,066和于2020年8月28日提交的美国非临时专利申请No.17/006,693的优先权，其内容通过引用并入本文。
背景技术
射频(RF)等离子体增强处理广泛用于半导体制造以蚀刻不同类型的膜、在低至中等处理温度下沉积薄膜以及执行表面处理和清洁。这些处理的特点是采用等离子体，即部分电离的气体，其用于在反应室内从前体生成中性物质和离子、为离子轰击提供能量和/或执行其它动作。
附图说明
当与附图一起阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本公开。需要强调的是，按照行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，可以任意增加或减少各种特征的维度。
图1是根据本公开的实施例的RF等离子体处理系统的示意图。
图2是根据本公开的实施例的线圈的侧视图。
图3是根据本公开的实施例的图2的线圈的侧立视图。
图4是根据本公开的实施例的图2的线圈的端视图。
图5是根据本公开的实施例的图2的线圈的侧透视图。
图6是根据本公开的实施例的图2的线圈的侧视图。
图7是根据本公开的实施例的线圈块中的线圈的侧视图。
图8是根据本公开的实施例的线圈块中的图7中的线圈的立体透视示意图。
图9是根据本公开的实施例的线圈的示意性截面图。
图10是根据本公开的实施例的三线电感器的示意图。
图11是根据本公开的实施例的形成用于等离子体处理设备的线圈的方法的流程图
具体实施方式
现在将公开以下要求保护的主题的说明性示例。为了清楚起见，本说明书中并未描述实际实施方式的所有特征。应该认识到的是，在任何此类实际实施方式的开发中，可能会做出许多特定于实施方式的决策来实现开发人员的特定目标，诸如遵守与系统相关和与业务相关的约束，这些约束将逐实施方式有所不同。此外，应该认识到的是，这样的开发工作，即使复杂且耗时，对于受益于本公开的本领域普通技术人员来说也将是例行任务。
此外，如本文所使用的，冠词“一(a)”旨在具有其在专利领域中的普通含义，即“一个或多个”。在本文中，术语“约”在应用于值时通常意味着在用于产生该值的装备的容差范围内，或在一些示例中，意味着正负10％，或正负5％，或正负1％，除非另有明确规定。此外，如本文所使用的术语“基本上”意味着大部分、或几乎全部、或全部、或具有例如约51％至约100％的范围的量。此外，本文的示例旨在仅用于说明并且出于讨论的目的而不是以限制的方式呈现。
典型的圆柱单层线圈在使用中可能具有许多问题和限制。例如，典型的圆柱单层线圈在长度大于直径的情况下可能具有降低的Q因子。另外，这种线圈在缠绕在介电圆柱上时，由于邻近圆柱线圈体(coil form)的截留空气而经历了不良的冷却。线圈还可能具有相对长的磁场返回路径，这可能导致与铝屏蔽外壳壁的高耦合系数，从而产生导致较低Q值的涡流损耗。典型的线圈每单位长度的导线也可能具有较低的电感，这可能导致较低的Q值。这种线圈也可能具有较难预测的制造公差。
本公开的实施例可以减少以高功率的电压和电流的损失，这由于更好的存储与耗散能量比率而导致更好的Q值。本公开的实施例还可以有利地使每单位长度的使用的导线的电感最大化，从而产生更好的Q值。这样的实施例还可以降低跨绕组的分布电压，从而在内部降低电压应力电位。实施例可以通过优化磁场返回路径来进一步减少耦合到铝屏蔽外壳的磁场，从而减少到屏蔽的耦合的涡流损耗。实施例还可以增加电感器线周围的气流以改善冷却。其它优点可以包括提供在X、Y和Z方向上可预测的导线维度间距的机械体，从而导致更严格的制造公差范围。并非所有实施例都将展示所有这些特点，并且就它们展示多于一个特点而言，它们可能不会以相同的程度展示。
本公开的实施例可以提供相对高功率低频线圈，诸如，例如具有约400k的频率的线圈。在其它实施例中，取决于应用，本文公开的线圈可以具有低于400k和/或高于400k的频率。此外，所公开的几何结构压缩了磁场以减少与围绕线圈的屏蔽壁的耦合相互作用。此外，每个绕组从同一侧的配准(registered)起点降低了层与层之间的电压应力，从而与从一侧到另一侧横穿的多层的连续细丝顺序缠绕的线圈相比，允许更高的电压操作。导线等间距的几何定位也可能导致接近+/-1％的紧密公差重复性。
转向图1，示出了根据本公开的实施例的RF等离子体处理系统100的侧视示意图。RF等离子体处理系统100包括第一RF发生器105和第二RF发生器110、第一阻抗匹配网络115、第二阻抗匹配网络120、护套125、诸如喷头130之类的等离子体驱动(powering)设备或诸如电极之类的等效受驱动元件以及基座135。如本文所使用的，等离子体功率设备可以指引入功率以生成等离子体的任何设备并且可以包括例如喷头130和/或其它类型的电极，以及天线等。
RF等离子体处理系统100可以包括一个或多个第一RF发生器105和第二RF发生器110，其通过一个或多个阻抗匹配网络115、120向反应室140输送功率。RF功率从第一RF发生器105流动通过阻抗匹配网络115到喷头130进入到反应室140中的等离子体中、到除喷头130之外的电极(未示出)、或到以电磁方式向等离子体提供功率的感应天线(未示出)，然后功率从等离子体流动到地和/或到基座135和/或到第二阻抗匹配网络120。一般而言，第一阻抗匹配网络115补偿反应室140内负载阻抗的变化，因此通过调节第一阻抗匹配网络115内的无功组件(未单独示出)，例如可变电容器，喷头130和第一阻抗匹配网络115的组合阻抗等于第一RF发生器105的输出，例如50欧姆。
阻抗匹配网络115、120被设计为调节它们的内部无功元件，使得负载阻抗与源阻抗匹配。本公开的实施例可以用于阻抗匹配网络115、120、滤波器(未示出)、谐振器(未示出)等。
转向图2，示出了根据本公开的实施例的线圈的侧视图。在这个实施例中，线圈200包括线圈体205，其被示为具有六个线圈体延伸部分210。虽然示出了六个线圈体延伸部分210，但在其它实施例中，线圈体205可以是三个、四个、五个、七个或更多个线圈体延伸部分210。线圈体延伸部分210可以从线圈体中心215径向向外突出。线圈体中心215可以用于将线圈200附接到块(未示出)，这将在下面说明。
在图3和图5中最佳示出的一个或多个间隔件220/222可以设置在一个或多个线圈体延伸部分210的径向向外边缘上。在这个实施例中，图示了两个间隔件220/222，其中一个向内的间隔件220径向向内设置，并且第二个向外的间隔件222径向向外设置。间隔件220/222可以由与线圈体205相同的材料形成，或者在其它实施例中可以由其它材料形成。
导线225可以同心地缠绕在线圈体205和线圈体延伸部分210周围，从中心开始，即在线圈体205的径向向外边缘处开始。然后可以将向内间隔件220设置在线圈体205的顶部，并且可以通过向内间隔件220缠绕导线225。然后可以将向外间隔件222设置在向内间隔件200的顶部，并且可以通过向外间隔件222缠绕导线225。
在其它实施例中，可以使用多于一个导线225。例如，第一导线可以围绕线圈体205缠绕。第二导线可以围绕向内间隔件220缠绕并且第三导线可以围绕向外间隔件222缠绕。然后可以使用一个或多个电连接器(诸如电总线)连接三个导线。
在操作中，线圈200包括圆柱绕组，该圆柱绕组包括多层，在该实施例中包括三层绕组。绕组在最内径开始，绕组继续绕七匝，这将在下面更详细地说明。在最内径端部，导线225通过线圈体205的中心返回到起始位置，然后覆盖第一绕组以在第一绕组开始的地方开始第二绕组。第二绕组继续到其端部，在这个实施例中其包括八匝。第二绕组一旦到达端部则通过线圈体205的中心返回。导线225然后可以继续第三绕组，在这个实施例中其包括九匝。在第三绕组的端部，导线可以离开线圈200，以通过例如接线片(未示出)或其它类型的电连接器电连接到其它部件。
通过提供三个连续绕组，减少了所使用的层数。由此，通过使用三个绕组，电压应力可以被除以三。如果每个绕组包括相同长度的匝，那么导线225将最终在其两端具有相同电压量。此外，这样的几何结构压缩了磁场，以便减少与在操作中围绕线圈200的屏蔽壁(未示出)的耦合相互作用。
线圈200的方面还可以包括从线圈200、线圈体205和线圈体延伸部分210的同一侧开始的每个绕组的起点。通过从线圈200的同一侧开始，电压应力可以逐层减小，从而与其中多层从一侧横穿到另一侧的连续细丝顺序绕组线圈相比，允许更高的电压操作。此外，导线的几何定位提供了相等的间距，这导致约1％范围内的紧密公差重复性。下面将详细讨论作为多股线圈的线圈200的具体设计方面。
转向图3，示出了根据本公开的实施例的线圈200的侧视图。如上所讨论的，线圈200包括线圈体205，其被示为具有六个线圈体延伸部分210。如图所示，线圈体延伸部分210从线圈体中心215径向向外突出。一个或多个间隔件220/222可以设置在一个或多个线圈体延伸部分210的径向向外边缘上。在这个实施例中，图示了两个间隔件220/222，其中一个向内的间隔件220径向向内设置，并且第二个向外的间隔件222径向向外设置。
导线225可以同心地缠绕在线圈体205和线圈体延伸部分210周围，在中心处开始，即在线圈体205的径向向外边缘处开始。然后可以将向内间隔件220设置在线圈体205的顶部，并且可以将导线225缠绕通过向内间隔件220。然后可以将向外间隔件222设置在向内间隔件200的顶部，并且可以将导线225缠绕通过向外间隔件222。
导线225的两端可以包括电连接器230，诸如接线片。在某些实施例中，电连接器230可以包括其它类型的连接器，诸如，例如公母连接器、螺纹连接器、螺栓连接器和/或本领域中使用或适用的任何其它类型的电连接器230。在某些实施例中，取决于操作要求，电连接器230可以是绝缘的或部分绝缘的。
转向图4，示出了根据本公开的实施例的线圈200的端视图。如上所讨论的，线圈200包括线圈体205，其被示为具有六个线圈体延伸部分210。如图所示，线圈体延伸部分210从线圈体中心215径向向外突出。一个或多个间隔件220/222可以设置在一个或多个线圈体延伸部分210的径向向外边缘上。在这个实施例中，图示了两个间隔件220/222，其中一个向内的间隔件220径向向内设置，并且第二个向外的间隔件222径向向外设置。
导线225可以同心地缠绕在线圈体205和线圈体延伸部分210周围，在中心处开始，即在线圈体205的径向向外边缘处开始。然后可以将向内间隔件220设置在线圈体205的顶部，并且可以将导线225缠绕通过向内间隔件220。然后可以将向外间隔件222设置在向内间隔件200的顶部，并且可以将导线225缠绕通过向外间隔件222。
如图4中所示，第三绕组，即最外面的径向绕组包括九个绕组。如上所讨论的，中间或第二绕组包括八个绕组，而最里面的径向绕组包括七个绕组。由此，产生三角形绕组体，其可以提供以上讨论的一个或多个优点。下面将更详细地说明和讨论三角形绕组体。
转到图5，示出了根据本公开的实施例的线圈200的侧透视图。在图5中，为了诸如线圈体205和间隔件220/222之类的其它部件的几何结构的清楚性，导线225的某些部分已经被移除。如上所讨论的，线圈200包括线圈体205，其被示为具有六个线圈体延伸部分210。如图所示，线圈体延伸部分210从线圈体中心215径向向外突出。一个或多个间隔件220/222可以设置在一个或多个线圈体延伸部分210的径向向外边缘上。在这个实施例中，图示了两个间隔件220/222，其中一个向内的间隔件220径向向内设置，并且第二个向外的间隔件222径向向外设置。
导线225可以同心地缠绕在线圈体205和线圈体延伸部分210周围，在中心处开始，即在线圈体205的径向向外边缘处开始。然后可以将向内间隔件220设置在线圈体205的顶部，并且可以将导线225缠绕通过向内间隔件220。然后可以将向外间隔件222设置在向内间隔件200的顶部，并且可以将导线225缠绕通过向外间隔件222。
转到图6，示出了根据本公开的实施例的线圈200的侧视图。如上所讨论的，线圈200包括线圈体205，其被示为具有六个线圈体延伸部分210。如图所示，线圈体延伸部分210从线圈体中心215径向向外突出。一个或多个间隔件220/222可以设置在一个或多个线圈体延伸部分210的径向向外边缘上。在这个实施例中，图示了两个间隔件220/222，其中一个向内的间隔件220径向向内设置，并且第二个向外的间隔件222径向向外设置。
导线225可以同心地缠绕在线圈体205和线圈体延伸部分210周围，在中心处开始，即在线圈体205的径向向外边缘处开始。然后可以将向内间隔件220设置在线圈体205的顶部，并且可以将导线225缠绕通过向内间隔件220。然后可以将向外间隔件222设置在向内间隔件200的顶部，并且可以将导线225缠绕通过向外间隔件222。
如关于图5所讨论的，最外面的绕组235在离开线圈200以连接到另一个设备之前返回到绕组240的中心。类似地，中间绕组245在被缠绕到第三绕组240中之前也返回到绕组240的中心。最里面的绕组250在被缠绕到中间绕组245中之前也返回到绕组240的中心。
转到图7，示出了根据本公开的实施例的线圈块中的线圈的侧视图。在这个实施例中，线圈200包括线圈体205，其被示为具有六个线圈体延伸部分210。如图所示，线圈体延伸部分210从线圈体的线圈中心径向向外突出。一个或多个间隔件220/222可以设置在一个或多个线圈体延伸部分210的径向向外边缘上。在这个实施例中，图示了两个间隔件220/222，其中一个向内的间隔件220径向向内设置，并且第二个向外的间隔件222径向向外设置。
在该图示中，线圈200被示为设置在线圈块255内。线圈200可以通过各种类型的机械附接件260(诸如，例如螺栓)连接到线圈块255。线圈块255可以由各种材料形成，包括形成线圈200的那些材料。线圈块255可以用于在操作期间将线圈200保持就位，并且可以使用一个或多个附接点265连接到外壳(未示出)或其它部件。线圈块255和导线225绕组将关于图8更详细地解释。
转向图8，示出了根据本公开的实施例的线圈的示意性截面图的一侧。如上所讨论的，线圈200包括线圈体205，其被示为具有六个线圈体延伸部分210。如图所示，线圈体延伸部分210从线圈体中心215径向向外突出。一个或多个间隔件220/222可以设置在一个或多个线圈体延伸部分210的径向向外边缘上。在这个实施例中，图示了两个间隔件220/222，其中一个向内的间隔件220径向向内设置，并且第二个向外的间隔件222径向向外设置。
导线225可以同心地缠绕在线圈体205和线圈体延伸部分210周围，在中心处开始，即在线圈体205的径向向外边缘处开始。然后可以将向内间隔件220设置在线圈体205的顶部，并且可以将导线225缠绕通过向内间隔件220。然后可以将向外间隔件222设置在向内间隔件200的顶部，并且可以将导线225缠绕通过向外间隔件222。导线225可以穿过在线圈体205、向内间隔件220和向外间隔件222中形成的相应凹槽组223。
线圈200也被示为具有两个电连接器230/232。第一电连接器230从最里面的第一绕组开始，而第二电连接器终止为最外面的第三绕组。如图所示，两个电连接器230/232被示出为接线片，但是也可以使用其它电连接器，诸如上述那些电连接器。
在该图示中，线圈200被示为设置在线圈块255内。线圈200可以通过各种类型的机械附接件260(诸如，例如螺栓)连接到线圈块255。线圈块255可以由各种材料形成，包括形成线圈200的那些材料。线圈块255可以用于在操作期间将线圈200保持就位，并且可以使用一个或多个附接点265连接到外壳(未示出)或其它部件。
转向图9，示出了根据本公开的实施例的线圈200的示意性截面图。在这个实施例中，线圈200被示为具有导线225的三个绕组。最里面的第一绕组250、中间的第二绕组245和最外面的第三绕组235。相对于每个相邻导线缠绕的每个绕组在轴向和径向上均以固定距离间隔开，使得形成单边三角形(unilateral triangle)的绕组的完整同心层的截面是所有导体中心的设置。单边三角形几何形状在参考标记270处示出。每层一匝的绕组匝数的累进(progresion)由此可以优化场返回路径。每层一匝的绕组匝数在附图标记275处示出。
因此，本公开的实施例可以提供多个同心圆柱或多边形截面的导线绕组，使得任何相邻匝之间的间距相等并且为所用导线的0.25到1半径的数量级。这样的实施例可以包括被连接的同心的圆柱导线，使得第一绕组的起点继续到终匝，然后轴向返回到第一绕组的相同起始端，以开始与第一绕组同心的新的更大直径的圆柱绕组层，从而包围第一绕组。第二绕组的起点继续到终匝，然后轴向返回到与第一绕组和第二绕组相同的起始端，以开始与第二绕组和第一绕组同心的新的圆柱绕组。
同心线圈由此可以具有每个绕组的共同配准的起点和终点。绕组的总截面包括直径280和长度，其共同形成介于2:1和3:1之间、并且在某些实施例中介于2.4:1和2.5:1之间、并且在还有的其它实施例中约为2.46:1的直径与长度285的比率，即平均直径。
导线匝可以平行和垂直于线圈轴线达5/6匝，并从一个导向槽步进(step)到下一个导向槽达1/6匝。因此，这种机械技术可以在制造期间简化线圈的构造。因此，每层增加一匝可以提供改进磁场耦合的优点，并且当导线从较低层径向上升到下一层时可以维持导线分离。
转向图10，示出了根据本公开的实施例的三线电感器的示意图。如图所示，在这个实施例中为第一接线片的第一电连接器230连接到电源(未示出)。然后将导线225缠绕成三个同心绕组。第一绕组250包括七匝并且形成线圈的最里面的部分。第二绕组245包括八匝并且形成线圈的中间部分。第三绕组235包括九匝并且形成线圈的最外面的部分。导线225然后离开线圈并在第二端连接器232处截断。
转向图11，示出了根据本公开的实施例的形成用于等离子体处理设备的线圈的方法的流程图。该方法包括将导线馈送(方框300)通过线圈体的线圈体中心部分。线圈体的中心部分可以包括允许导线通过线圈体的一个或多个孔。
该方法还可以包括围绕线圈体缠绕(方框305)导线以形成第一绕组。导线可以最初穿过线圈体中的孔，然后围绕线圈体的径向向外部分。取决于操作要求，导线可以穿过预先形成在线圈体中的凹槽，或者可以压靠在线圈体上。
该方法还可以包括使导线返回(方框310)到线圈体的线圈体中心的中心部分。从而导线可以在与第一绕组开始处在同一侧上的位置处返回到中央部分。第一绕组的最终位置虽然在线圈体的同一侧上，但可以纵向位于相对于导线最初穿过的孔的不同位置。
该方法还可以包括围绕线圈体缠绕(方框315)导线以形成第二绕组，该第二绕组在径向上比第一绕组距线圈体中心的中心部分更远。由此，第二绕组在第一绕组之外。第二绕组可以通过穿过第二孔开始，该第二孔与第一孔位于线圈体的同一侧上，但可以位于不同的纵向位置。
该方法还可以包括使导线返回(方框320)到线圈体的线圈体中心的中心部分。从而导线可以在与第一绕组开始和结束的位置在同一侧上的位置处返回到中心部分。第二绕组的最终位置虽然在线圈体的同一侧上，但可以纵向位于相对于导线最初穿过以开始第二绕组的孔的不同的位置。
该方法还可以包括围绕线圈体缠绕(方框325)导线以形成第三绕组，该第三绕组在径向上比第二绕组距线圈体的中心部分更远。从而导线可以在与第一绕组和第二绕组开始和结束的位置在同一侧上的位置处返回到中心部分。第三绕组的最终位置虽然在线圈体的同一侧上，但可以纵向位于相对于导线最初穿过以开始第一绕组和/或第二绕组的孔的不同的位置。
在某些实施例中，第一绕组设置在线圈体的至少一部分上，第二绕组设置在第一间隔件的至少一部分上，第一间隔件设置在线圈体的径向远端部分上，并且第三绕组设置在第二间隔件的至少一部分上，第二间隔件设置在第一间隔件上。在发生第一绕组之后，可以将第一间隔件添加到线圈。在发生第二绕组之后，可以将第二间隔件添加到线圈。因为间隔件是按顺序添加的，由于在任何给定绕组期间都可以接近线圈的径向最外边缘，因此可以更容易地组装线圈。
在某些实施例中，第一绕组可以包括七匝，第二绕组可以包括八匝，并且第三绕组可以包括九匝。在其它实施例中，任何给定绕组的匝数可以基于线圈体延伸部分的数量和特定操作的期望结果而变化。例如，在某些实施方式中，线圈可以包括四个、五个和六个绕组的三个渐进绕组。本领域普通技术人员将认识到，为了容易缠绕而改变的匝数可以基于期望的结果而变化。
在某些实施例中，本公开的优点可以以高功率提供降低的电压和电流损失。与典型的圆柱单层线圈相比，以高功率的降低的电压和电流损失可由此导致品质因数的增加。
在某些实施例中，由于存储与耗散能量的比率，本公开的优点可以提供增加的品质因数。
在某些实施例中，本公开的优点可以提供每单位长度的使用的导线的优化/最大化的电感。
在某些实施例中，本公开的优点可以提供绕组两端的降低的分布电压，从而降低内部电压应力电位。
在某些实施例中，本公开的优点可以通过优化磁场返回路径来减少耦合到铝屏蔽外壳的磁场，从而减少到屏蔽的耦合的涡流损耗。
在某些实施例中，本公开的优点可以在电感器线周围提供增加的气流以改善冷却。
在某些实施例中，本公开的优点可以提供沿着X轴、Y轴和Z轴提供可预测的导线维度间距的机械体，从而导致更紧密的制造公差范围。
出于解释的目的，前述描述使用特定的命名法来提供对本公开的透彻理解。但是，对于本领域技术人员来说显而易见的是，实践本文描述的系统和方法不需要特定细节。出于说明和描述的目的呈现特定示例的前述描述。它们并非旨在穷举或将本公开限制为所描述的精确形式。显然，鉴于上述教导，许多修改和变化是可能的。示出和描述示例是为了最好地解释本公开和实际应用的原理，从而使本领域的其它技术人员能够最好地利用本公开和具有适合预期的特定用途的各种修改的各种示例。本公开的范围旨在由权利要求及其下面的等效形式来定义。

Claims (20)

1.一种线圈，包括：
线圈体；以及
围绕线圈体设置的导线的多个同心截面绕组，所述导线的在相邻匝之间的间距约为所述导线的半径的0.25至1.0倍。
2.如权利要求1所述的线圈，其中，导线的所述多个同心截面绕组是圆柱形和多边形中的至少一种。
3.如权利要求1所述的线圈，其中，导线的所述多个同心截面绕组被连接成使得第一绕组的起点继续到终匝并轴向返回到第一绕组的起始端以开始比第一绕组大的第二绕组。
4.如权利要求3所述的线圈，其中，第二绕组基本上包围第一绕组。
5.如权利要求1所述的线圈，其中，第二绕组的起点继续到终匝并轴向返回到第一绕组和第二绕组的起始端以开始第三绕组。
6.如权利要求1所述的线圈，其中，导线的所述多个同心截面绕组具有每个绕组的共同配准的起点和终点。
7.如权利要求1所述的线圈，其中，导线的所述多个同心截面绕组具有在约2:1和约3:1之间的直径与长度比率。
8.如权利要求1所述的线圈，其中，导线的所述多个同心截面绕组具有在约2.4:1和约2.5:1之间的直径与长度比率。
9.如权利要求1所述的线圈，其中，导线的所述多个同心截面绕组具有约2.46:1的直径与长度比率。
10.如权利要求1所述的线圈，其中，导线的所述多个同心截面绕组中的每一个以固定距离轴向和径向间隔开。
11.如权利要求10所述的线圈，其中，导线的所述多个同心截面绕组在所有导体中心的设置中形成单边三角形。
12.如权利要求1所述的线圈，其中，导线的所述多个同心截面绕组包括每层1匝的绕组匝数的累进。
13.如权利要求1所述的线圈，其中，线圈设置在阻抗匹配网络、滤波器和谐振器中的至少一个中。
14.一种等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包括：
线圈体；以及
围绕线圈体设置的导线的多个同心圆柱截面绕组，所述导线的在相邻匝之间的间距约为所述导线的半径的0.25至1.0倍，并且具有约在2:1和约3:1之间的直径与长度比率。
15.如权利要求14所述的线圈，其中，导线的所述多个同心截面绕组具有在约2.4:1和约2.5:1之间的直径与长度比率。
16.如权利要求14所述的线圈，其中，导线的所述多个同心截面绕组具有约2.46:1的直径与长度比率。
17.一种形成用于等离子体处理设备的线圈的方法，所述方法包括：
将导线馈送通过线圈体的线圈体中心部分；
围绕线圈体缠绕导线以形成第一绕组；
使导线返回到线圈体的线圈体中心的中心部分；
围绕线圈体缠绕导线以形成第二绕组，所述第二绕组在径向上比第一绕组距线圈体中心的中心部分更远；
使导线返回到线圈体的线圈体中心的中心部分；以及
围绕线圈体缠绕导线以形成第三绕组，所述第三绕组在径向上比第二绕组距线圈体中心的中心部分更远。
18.如权利要求17所述的方法，其中，第一绕组设置在线圈体的至少一部分上，第二绕组设置在第一间隔件的至少一部分上，第一间隔件设置在线圈体的径向远端部分上，并且第三绕组设置在第二间隔件的至少一部分上，第二间隔件设置在第一间隔件上。
19.如权利要求17所述的方法，其中，第一绕组、第二绕组和第三绕组在线圈的同一侧上返回到线圈体中心的中心部分。
20.如权利要求17所述的方法，其中，第一绕组包括7匝，第二绕组包括8匝，并且第三绕组包括9匝。
CN202080052752.6A 2019-08-28 2020-08-28 高功率低频线圈 Pending CN114144853A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962893066P 2019-08-28 2019-08-28
US62/893,066 2019-08-28
PCT/US2020/048630 WO2021041984A1 (en) 2019-08-28 2020-08-28 High power low frequency coils

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114144853A true CN114144853A (zh) 2022-03-04

Family

ID=74681314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080052752.6A Pending CN114144853A (zh) 2019-08-28 2020-08-28 高功率低频线圈

Country Status (6)

Country Link
US (1) US12002611B2 (zh)
EP (1) EP4022656A4 (zh)
JP (1) JP2022546488A (zh)
KR (1) KR20220053547A (zh)
CN (1) CN114144853A (zh)
WO (1) WO2021041984A1 (zh)

Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB238560A (en) * 1924-08-14 1926-07-01 Dimmitt Ross Lovejoy Improvements in inductance coils
GB563452A (en) * 1942-05-05 1944-08-15 British Thomson Houston Co Ltd Improvements in and relating to electric apparatus and windings therefor
ES291500A1 (es) * 1962-09-10 1964-02-16 Westinghouse Electric Corp Mejoras introducidas en la construcciën de devanados para aparatos electricos de inducciën
US4188177A (en) * 1977-02-07 1980-02-12 Texas Instruments Incorporated System for fabrication of semiconductor bodies
EP0065147A1 (en) * 1981-05-15 1982-11-24 Westinghouse Electric Corporation Method of forming electric coils
JPS5863117A (ja) * 1981-10-13 1983-04-14 Toshiba Corp 乾式限流リアクトル
US4422078A (en) * 1980-11-24 1983-12-20 Cremeen Melvin L Full wave communication antenna
US5052997A (en) * 1987-04-10 1991-10-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Department Of Health And Human Services Diathermy coil
CN1404184A (zh) * 2001-08-31 2003-03-19 耀登科技股份有限公司 瞬间熔接加工天线的方法
CN1509493A (zh) * 2001-03-30 2004-06-30 拉姆研究有限公司 用于感应式等离子体处理器的层叠rf激励线圈
CN1582485A (zh) * 2001-09-14 2005-02-16 拉姆研究有限公司 等离子体处理器线圈
CN200962339Y (zh) * 2006-09-19 2007-10-17 金亚东 铝芯绕组线
CN101454851A (zh) * 2006-05-30 2009-06-10 Abb技术有限公司 具有箔导体的盘绕式变压器及其制造方法
CN102203888A (zh) * 2008-06-30 2011-09-28 线圈创新控股有限公司 用于供电电网的、声音排放降低的扼流线圈
CN102611210A (zh) * 2012-03-27 2012-07-25 东南大学 无线电能传输系统中盘式谐振器的设计方法
CN105070455A (zh) * 2015-07-20 2015-11-18 中国船舶重工集团公司第七一〇研究所 一种径向开口的无矩螺线管磁场线圈
CN206415543U (zh) * 2016-12-19 2017-08-18 中铁隆昌铁路器材有限公司 一种金属件感应加热线圈绕制装置
CN107304753A (zh) * 2016-04-22 2017-10-31 彩虹量子有限公司 使用形状记忆合金制成的旋转促动器
CN107796974A (zh) * 2016-08-31 2018-03-13 施耐德电器工业公司 线圈式传感器、包括其的测量装置、断路器及其缠绕方法
EP3376513A1 (en) * 2017-03-13 2018-09-19 ABB Schweiz AG An arrangement of lcl filter structure
EP3416174A1 (en) * 2017-06-14 2018-12-19 LAM Research Corporation Articulated direct-mount inductor and associated systems and methods
CN208622519U (zh) * 2018-06-07 2019-03-19 南京电气高压互感器有限公司 一种并联电容器用差压式放电线圈
CN109643605A (zh) * 2016-11-08 2019-04-16 皇家飞利浦有限公司 用于高频和高功率应用的电感器

Family Cites Families (169)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1017348A (en) * 1911-05-19 1912-02-13 Thomas E Murray Reactance-coil.
DE538664C (de) 1930-01-26 1931-11-16 Siemens Schuckertwerke Akt Ges Drosselspule mit uebereinandergelagerten Schichten von nebeneinanderliegenden Windungen
US4477792A (en) * 1982-01-29 1984-10-16 Westinghouse Electric Corp. Modular power system reactor
US4679007A (en) 1985-05-20 1987-07-07 Advanced Energy, Inc. Matching circuit for delivering radio frequency electromagnetic energy to a variable impedance load
JP3007435B2 (ja) 1991-01-11 2000-02-07 新電元工業株式会社 Ｒｆ発生装置のマッチング制御回路
JPH05284046A (ja) 1991-01-29 1993-10-29 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Ｒｆ発生装置のインピーダンスマッチング制御回路
US5195045A (en) 1991-02-27 1993-03-16 Astec America, Inc. Automatic impedance matching apparatus and method
US5849136A (en) 1991-10-11 1998-12-15 Applied Materials, Inc. High frequency semiconductor wafer processing apparatus and method
US5175472A (en) 1991-12-30 1992-12-29 Comdel, Inc. Power monitor of RF plasma
JPH0732078B2 (ja) 1993-01-14 1995-04-10 株式会社アドテック 高周波プラズマ用電源及びインピーダンス整合装置
JP2642849B2 (ja) 1993-08-24 1997-08-20 株式会社フロンテック 薄膜の製造方法および製造装置
US5525159A (en) 1993-12-17 1996-06-11 Tokyo Electron Limited Plasma process apparatus
US5474648A (en) 1994-07-29 1995-12-12 Lsi Logic Corporation Uniform and repeatable plasma processing
US5576629A (en) 1994-10-24 1996-11-19 Fourth State Technology, Inc. Plasma monitoring and control method and system
US5629653A (en) 1995-07-07 1997-05-13 Applied Materials, Inc. RF match detector circuit with dual directional coupler
US5907221A (en) 1995-08-16 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops
US5810963A (en) 1995-09-28 1998-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma processing apparatus and method
US6252354B1 (en) 1996-11-04 2001-06-26 Applied Materials, Inc. RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control
US5737175A (en) 1996-06-19 1998-04-07 Lam Research Corporation Bias-tracking D.C. power circuit for an electrostatic chuck
US5889252A (en) 1996-12-19 1999-03-30 Lam Research Corporation Method of and apparatus for independently controlling electric parameters of an impedance matching network
US5914974A (en) 1997-02-21 1999-06-22 Cymer, Inc. Method and apparatus for eliminating reflected energy due to stage mismatch in nonlinear magnetic compression modules
US5866869A (en) 1997-02-24 1999-02-02 Illinois Tool Works Inc. Plasma pilot arc control
EP0934623B1 (en) 1997-06-13 2007-01-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. A switched-mode power supply
US5842154A (en) 1997-09-15 1998-11-24 Eni Technologies, Inc. Fuzzy logic tuning of RF matching network
US5910886A (en) 1997-11-07 1999-06-08 Sierra Applied Sciences, Inc. Phase-shift power supply
US6313587B1 (en) 1998-01-13 2001-11-06 Fusion Lighting, Inc. High frequency inductive lamp and power oscillator
US6164241A (en) 1998-06-30 2000-12-26 Lam Research Corporation Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems
US6313584B1 (en) 1998-09-17 2001-11-06 Tokyo Electron Limited Electrical impedance matching system and method
US6326597B1 (en) 1999-04-15 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Temperature control system for process chamber
US7215697B2 (en) 1999-08-27 2007-05-08 Hill Alan E Matched impedance controlled avalanche driver
JP3626047B2 (ja) 1999-10-05 2005-03-02 株式会社ケンウッド 同期捕捉回路及び同期捕捉方法
US6407648B1 (en) 1999-11-15 2002-06-18 Werlatone, Inc. Four-way non-directional power combiner
US20110121735A1 (en) 2000-02-22 2011-05-26 Kreos Capital Iii (Uk) Limited Tissue resurfacing
US7220937B2 (en) 2000-03-17 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with overhead RF source power electrode with low loss, low arcing tendency and low contamination
US7030335B2 (en) 2000-03-17 2006-04-18 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression
US7196283B2 (en) 2000-03-17 2007-03-27 Applied Materials, Inc. Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface
US6894245B2 (en) 2000-03-17 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Merie plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression
US6507155B1 (en) 2000-04-06 2003-01-14 Applied Materials Inc. Inductively coupled plasma source with controllable power deposition
US8744384B2 (en) 2000-07-20 2014-06-03 Blackberry Limited Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US6677828B1 (en) 2000-08-17 2004-01-13 Eni Technology, Inc. Method of hot switching a plasma tuner
US7132996B2 (en) 2001-10-09 2006-11-07 Plasma Control Systems Llc Plasma production device and method and RF driver circuit
TW200300951A (en) 2001-12-10 2003-06-16 Tokyo Electron Ltd Method and device for removing harmonics in semiconductor plasma processing systems
US7480571B2 (en) 2002-03-08 2009-01-20 Lam Research Corporation Apparatus and methods for improving the stability of RF power delivery to a plasma load
US7247221B2 (en) 2002-05-17 2007-07-24 Applied Films Corporation System and apparatus for control of sputter deposition process
US6703080B2 (en) 2002-05-20 2004-03-09 Eni Technology, Inc. Method and apparatus for VHF plasma processing with load mismatch reliability and stability
US6819052B2 (en) 2002-05-31 2004-11-16 Nagano Japan Radio Co., Ltd. Coaxial type impedance matching device and impedance detecting method for plasma generation
US6830650B2 (en) 2002-07-12 2004-12-14 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments
KR100486712B1 (ko) 2002-09-04 2005-05-03 삼성전자주식회사 복층 코일 안테나를 구비한 유도결합 플라즈마 발생장치
US6876155B2 (en) 2002-12-31 2005-04-05 Lam Research Corporation Plasma processor apparatus and method, and antenna
US7244343B2 (en) 2003-08-28 2007-07-17 Origin Electric Company Limited Sputtering apparatus
US7042311B1 (en) 2003-10-10 2006-05-09 Novellus Systems, Inc. RF delivery configuration in a plasma processing system
US7796368B2 (en) 2003-11-27 2010-09-14 Daihen Corporation High-frequency power supply system
US7512422B2 (en) 2004-05-28 2009-03-31 Ixys Corporation RF generator with commutation inductor
JP4099597B2 (ja) 2004-05-31 2008-06-11 ソニー株式会社 スイッチング電源回路
US7292045B2 (en) 2004-09-04 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Detection and suppression of electrical arcing
WO2006076357A2 (en) 2005-01-11 2006-07-20 Innovation Engineering, Llc Method of detecting rf power delivered to a load and complex impedance of the load
US7244344B2 (en) 2005-02-03 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition plasma reactor with VHF source power applied through the workpiece
KR20070108229A (ko) 2005-03-05 2007-11-08 이노베이션 엔지니어링, 엘엘씨 전자적 가변 커패시터 어레이
KR101250046B1 (ko) 2005-04-19 2013-04-03 나이트, 인크. 이동 불꽃 점화기를 고압에서 동작시키기 위한 방법 및장치
KR20080031153A (ko) * 2005-08-04 2008-04-08 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 인터리브된 3차원 온칩 차동 인덕터 및 트랜스포머
WO2007024134A1 (en) 2005-08-26 2007-03-01 Fujifilm Manufacturing Europe B.V. Method and arrangement for generating and controlling a discharge plasma
US20080179948A1 (en) 2005-10-31 2008-07-31 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power delivery system
US20080061901A1 (en) 2006-09-13 2008-03-13 Jack Arthur Gilmore Apparatus and Method for Switching Between Matching Impedances
US7795877B2 (en) 2006-11-02 2010-09-14 Current Technologies, Llc Power line communication and power distribution parameter measurement system and method
WO2009012735A1 (de) 2007-07-23 2009-01-29 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Plasmaversorgungseinrichtung
US7889042B2 (en) * 2008-02-18 2011-02-15 Advanced Magnet Lab, Inc. Helical coil design and process for direct fabrication from a conductive layer
CN101772992B (zh) 2008-03-26 2012-08-29 株式会社京三制作所 真空装置用异常放电抑制装置
US8008960B2 (en) 2008-04-22 2011-08-30 Cisco Technology, Inc. Synchronous rectifier post regulator
US8391025B2 (en) 2008-05-02 2013-03-05 Advanced Energy Industries, Inc. Preemptive protection for a power convertor
WO2009146439A1 (en) 2008-05-30 2009-12-03 Colorado State University Research Foundation System, method and apparatus for generating plasma
US9017533B2 (en) 2008-07-15 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling radial distribution of plasma ion density and ion energy at a workpiece surface by multi-frequency RF impedance tuning
US9515494B2 (en) 2008-09-27 2016-12-06 Witricity Corporation Wireless power system including impedance matching network
US8070925B2 (en) 2008-10-17 2011-12-06 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition reactor with circularly symmetric RF feed and DC feed to the sputter target
KR20110074912A (ko) 2008-10-21 2011-07-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 챔버 세정을 위한 플라즈마 소오스 및 챔버 세정 방법
US8395078B2 (en) 2008-12-05 2013-03-12 Advanced Energy Industries, Inc Arc recovery with over-voltage protection for plasma-chamber power supplies
TWI360944B (en) 2008-12-29 2012-03-21 Princeton Technology Corp Operational amplifier and method for reducing offs
US8319436B2 (en) 2009-02-02 2012-11-27 Advanced Energy Industries, Inc. Passive power distribution for multiple electrode inductive plasma source
US9287086B2 (en) 2010-04-26 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9305750B2 (en) 2009-06-12 2016-04-05 Lam Research Corporation Adjusting current ratios in inductively coupled plasma processing systems
US8716984B2 (en) 2009-06-29 2014-05-06 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for modifying the sensitivity of an electrical generator to a nonlinear load
US8222822B2 (en) 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
US8501631B2 (en) 2009-11-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control based on RF voltage
US8330432B2 (en) 2009-12-22 2012-12-11 Advanced Energy Industries, Inc Efficient active source impedance modification of a power amplifier
US9957075B2 (en) 2009-12-30 2018-05-01 Philip Morris Usa Inc. Method and apparatus for producing pouched tobacco product
JP5631088B2 (ja) 2010-07-15 2014-11-26 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8779662B2 (en) 2010-10-20 2014-07-15 Comet Technologies Usa, Inc Pulse mode capability for operation of an RF/VHF impedance matching network with 4 quadrant, VRMS/IRMS responding detector circuitry
US8491759B2 (en) 2010-10-20 2013-07-23 COMET Technologies USA, Inc. RF impedance matching network with secondary frequency and sub-harmonic variant
US20120097104A1 (en) 2010-10-20 2012-04-26 COMET Technologies USA, Inc. Rf impedance matching network with secondary dc input
US8803424B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 COMET Technologies USA, Inc. RF/VHF impedance matching, 4 quadrant, dual directional coupler with V RMS/IRMS responding detector circuitry
US9065426B2 (en) 2011-11-03 2015-06-23 Advanced Energy Industries, Inc. High frequency solid state switching for impedance matching
JP5578619B2 (ja) 2010-12-10 2014-08-27 パナソニック インテレクチュアル プロパティ コーポレーション オブ アメリカ 送信装置および受信装置
JP5711953B2 (ja) 2010-12-13 2015-05-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR101675625B1 (ko) 2011-01-04 2016-11-22 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 플라즈마 처리 부하에 대한 시스템 레벨 전원 공급
US8416008B2 (en) 2011-01-20 2013-04-09 Advanced Energy Industries, Inc. Impedance-matching network using BJT switches in variable-reactance circuits
US8723423B2 (en) 2011-01-25 2014-05-13 Advanced Energy Industries, Inc. Electrostatic remote plasma source
US9263241B2 (en) 2011-05-10 2016-02-16 Advanced Energy Industries, Inc. Current threshold response mode for arc management
US8471746B2 (en) 2011-07-08 2013-06-25 Tektronix, Inc. Digital-to-analog conversion with combined pulse modulators
JP6106184B2 (ja) * 2011-12-02 2017-03-29 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． Ｍｐｉのためのコイル配置
US9171699B2 (en) 2012-02-22 2015-10-27 Lam Research Corporation Impedance-based adjustment of power and frequency
US8932429B2 (en) 2012-02-23 2015-01-13 Lam Research Corporation Electronic knob for tuning radial etch non-uniformity at VHF frequencies
US20130278140A1 (en) 2012-04-19 2013-10-24 Luxim Corporation Electrodeless plasma lamp utilizing acoustic modulation
US9171700B2 (en) 2012-06-15 2015-10-27 COMET Technologies USA, Inc. Plasma pulse tracking system and method
JP5534366B2 (ja) 2012-06-18 2014-06-25 株式会社京三製作所 高周波電力供給装置、及びイグニッション電圧選定方法
WO2014036028A2 (en) 2012-08-28 2014-03-06 Advanced Energy Industries, Inc. Three terminal pin diode
US9105447B2 (en) 2012-08-28 2015-08-11 Advanced Energy Industries, Inc. Wide dynamic range ion energy bias control; fast ion energy switching; ion energy control and a pulsed bias supply; and a virtual front panel
PL3890448T3 (pl) 2012-08-31 2023-10-16 Aes Global Holdings, Pte. Ltd. Zarządzanie łukiem z odwracaniem napięcia i ulepszonym powrotem do pracy
US9082589B2 (en) 2012-10-09 2015-07-14 Novellus Systems, Inc. Hybrid impedance matching for inductively coupled plasma system
US9287098B2 (en) 2012-11-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Charge removal from electrodes in unipolar sputtering system
US9129776B2 (en) 2012-11-01 2015-09-08 Advanced Energy Industries, Inc. Differing boost voltages applied to two or more anodeless electrodes for plasma processing
US9226380B2 (en) 2012-11-01 2015-12-29 Advanced Energy Industries, Inc. Adjustable non-dissipative voltage boosting snubber network
US9294100B2 (en) 2012-12-04 2016-03-22 Advanced Energy Industries, Inc. Frequency tuning system and method for finding a global optimum
US10374070B2 (en) 2013-02-07 2019-08-06 John Wood Bidirectional bipolar-mode JFET driver circuitry
JP2014154421A (ja) 2013-02-12 2014-08-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および高周波発生器
US9536713B2 (en) 2013-02-27 2017-01-03 Advanced Energy Industries, Inc. Reliable plasma ignition and reignition
JP5529311B1 (ja) 2013-03-04 2014-06-25 株式会社コスモライフ ウォーターサーバー
JP6217096B2 (ja) 2013-03-14 2017-10-25 株式会社リコー 高電圧インバータ及び誘電体バリア放電発生装置とシート材改質装置
US9166481B1 (en) 2013-03-14 2015-10-20 Vlt, Inc. Digital control of resonant power converters
CN104134532B (zh) * 2013-05-03 2017-09-08 胜美达电机（香港）有限公司 一种可变内径的线圈及利用其制成的电子模块
US10469108B2 (en) 2013-05-09 2019-11-05 Lam Research Corporation Systems and methods for using computer-generated models to reduce reflected power towards a high frequency RF generator during a cycle of operations of a low frequency RF generator
US20140367043A1 (en) 2013-06-17 2014-12-18 Applied Materials, Inc. Method for fast and repeatable plasma ignition and tuning in plasma chambers
CN105555990B (zh) 2013-07-17 2018-01-09 先进能源工业公司 在脉冲双磁控管溅射(dms)工艺中平衡靶消耗的系统和方法
WO2015010001A1 (en) 2013-07-19 2015-01-22 Advanced Energy Industries, Inc. Systems, methods, and apparatus for minimizing cross coupled wafer surface potentials
JP6161482B2 (ja) 2013-09-19 2017-07-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
WO2015061349A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Advanced Energy Industries, Inc. Photovoltaic dc sub-array control system and method
US9755641B1 (en) 2014-01-10 2017-09-05 Reno Technologies, Inc. High speed high voltage switching circuit
US9865432B1 (en) 2014-01-10 2018-01-09 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9196459B2 (en) 2014-01-10 2015-11-24 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9844127B2 (en) 2014-01-10 2017-12-12 Reno Technologies, Inc. High voltage switching circuit
US9496122B1 (en) 2014-01-10 2016-11-15 Reno Technologies, Inc. Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same
US9745660B2 (en) 2014-05-02 2017-08-29 Reno Technologies, Inc. Method for controlling a plasma chamber
US9728378B2 (en) 2014-05-02 2017-08-08 Reno Technologies, Inc. Method for controlling an RF generator
US9345122B2 (en) 2014-05-02 2016-05-17 Reno Technologies, Inc. Method for controlling an RF generator
US10224184B2 (en) 2014-03-24 2019-03-05 Aes Global Holdings, Pte. Ltd System and method for control of high efficiency generator source impedance
KR102099525B1 (ko) 2014-03-24 2020-04-09 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 고효율 제너레이터 소스 임피던스의 제어를 위한 시스템 및 방법
CN106133852B (zh) * 2014-03-28 2018-09-04 株式会社村田制作所 线圈模块
US9591739B2 (en) 2014-05-02 2017-03-07 Reno Technologies, Inc. Multi-stage heterodyne control circuit
US9952297B2 (en) 2014-05-08 2018-04-24 Auburn University Parallel plate transmission line for broadband nuclear magnetic resonance imaging
US9544987B2 (en) 2014-06-30 2017-01-10 Advanced Energy Industries, Inc. Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing
US9386680B2 (en) 2014-09-25 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Detecting plasma arcs by monitoring RF reflected power in a plasma processing chamber
US9854659B2 (en) 2014-10-16 2017-12-26 Advanced Energy Industries, Inc. Noise based frequency tuning and identification of plasma characteristics
EP3266100A1 (en) 2014-12-16 2018-01-10 John Wood A power coupler
US10139285B2 (en) 2014-12-23 2018-11-27 Advanced Energy Industries, Inc. Fully-differential amplification for pyrometry
US10679823B2 (en) 2015-02-18 2020-06-09 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9306533B1 (en) 2015-02-20 2016-04-05 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9525412B2 (en) 2015-02-18 2016-12-20 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9729122B2 (en) 2015-02-18 2017-08-08 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US10340879B2 (en) 2015-02-18 2019-07-02 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
WO2016149050A1 (en) 2015-03-13 2016-09-22 Advanced Energy Industries, Inc. Plasma source device and methods
US9812305B2 (en) 2015-04-27 2017-11-07 Advanced Energy Industries, Inc. Rate enhanced pulsed DC sputtering system
US10373811B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Aes Global Holdings, Pte. Ltd Systems and methods for single magnetron sputtering
WO2017070009A1 (en) 2015-10-22 2017-04-27 Witricity Corporation Dynamic tuning in wireless energy transfer systems
US10008317B2 (en) 2015-12-08 2018-06-26 Smart Wires Inc. Voltage or impedance-injection method using transformers with multiple secondary windings for dynamic power flow control
CN105704550A (zh) 2016-02-02 2016-06-22 四川长虹电器股份有限公司 实现智能电视开机无线网络快速连接的方法
US9577516B1 (en) 2016-02-18 2017-02-21 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus for controlled overshoot in a RF generator
US9748076B1 (en) 2016-04-20 2017-08-29 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus for frequency tuning in a RF generator
JP6630630B2 (ja) 2016-05-18 2020-01-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10229816B2 (en) 2016-05-24 2019-03-12 Mks Instruments, Inc. Solid-state impedance matching systems including a hybrid tuning network with a switchable coarse tuning network and a varactor fine tuning network
US9807863B1 (en) 2016-06-09 2017-10-31 Advanced Energy Industries, Inc. Switching amplifier
US10026592B2 (en) 2016-07-01 2018-07-17 Lam Research Corporation Systems and methods for tailoring ion energy distribution function by odd harmonic mixing
CN109478855B (zh) 2016-07-15 2020-10-27 三菱电机株式会社 谐振型逆变器
US10263577B2 (en) 2016-12-09 2019-04-16 Advanced Energy Industries, Inc. Gate drive circuit and method of operating the same
US10410836B2 (en) 2017-02-22 2019-09-10 Lam Research Corporation Systems and methods for tuning to reduce reflected power in multiple states
US10109462B2 (en) 2017-03-13 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Dual radio-frequency tuner for process control of a plasma process
WO2019067451A1 (en) 2017-09-26 2019-04-04 Advanced Energy Industries, Inc. SYSTEM AND METHOD FOR IGNITION OF PLASMA
US10020752B1 (en) 2017-09-26 2018-07-10 Vlt, Inc. Adaptive control of resonant power converters
KR102424953B1 (ko) 2017-11-17 2022-07-25 에바텍 아크티엔게젤샤프트 진공 플라즈마 공정에의 rf 전력 공급
CN108109826A (zh) 2017-12-12 2018-06-01 辽宁华冶集团发展有限公司 一种矿用一般型环氧浇注干式变压器梯形线圈结构
US10269540B1 (en) 2018-01-25 2019-04-23 Advanced Energy Industries, Inc. Impedance matching system and method of operating the same
WO2020101734A1 (en) 2018-11-14 2020-05-22 Advanced Energy Industries, Inc. Additive synthesis of interleaved switch mode power stages for minimal delay in set point tracking

Patent Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB238560A (en) * 1924-08-14 1926-07-01 Dimmitt Ross Lovejoy Improvements in inductance coils
GB563452A (en) * 1942-05-05 1944-08-15 British Thomson Houston Co Ltd Improvements in and relating to electric apparatus and windings therefor
ES291500A1 (es) * 1962-09-10 1964-02-16 Westinghouse Electric Corp Mejoras introducidas en la construcciën de devanados para aparatos electricos de inducciën
US4188177A (en) * 1977-02-07 1980-02-12 Texas Instruments Incorporated System for fabrication of semiconductor bodies
US4422078A (en) * 1980-11-24 1983-12-20 Cremeen Melvin L Full wave communication antenna
EP0065147A1 (en) * 1981-05-15 1982-11-24 Westinghouse Electric Corporation Method of forming electric coils
JPS5863117A (ja) * 1981-10-13 1983-04-14 Toshiba Corp 乾式限流リアクトル
US5052997A (en) * 1987-04-10 1991-10-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Department Of Health And Human Services Diathermy coil
CN1509493A (zh) * 2001-03-30 2004-06-30 拉姆研究有限公司 用于感应式等离子体处理器的层叠rf激励线圈
CN1404184A (zh) * 2001-08-31 2003-03-19 耀登科技股份有限公司 瞬间熔接加工天线的方法
CN1582485A (zh) * 2001-09-14 2005-02-16 拉姆研究有限公司 等离子体处理器线圈
CN101454851A (zh) * 2006-05-30 2009-06-10 Abb技术有限公司 具有箔导体的盘绕式变压器及其制造方法
CN200962339Y (zh) * 2006-09-19 2007-10-17 金亚东 铝芯绕组线
CN102203888A (zh) * 2008-06-30 2011-09-28 线圈创新控股有限公司 用于供电电网的、声音排放降低的扼流线圈
CN102611210A (zh) * 2012-03-27 2012-07-25 东南大学 无线电能传输系统中盘式谐振器的设计方法
CN105070455A (zh) * 2015-07-20 2015-11-18 中国船舶重工集团公司第七一〇研究所 一种径向开口的无矩螺线管磁场线圈
CN107304753A (zh) * 2016-04-22 2017-10-31 彩虹量子有限公司 使用形状记忆合金制成的旋转促动器
CN107796974A (zh) * 2016-08-31 2018-03-13 施耐德电器工业公司 线圈式传感器、包括其的测量装置、断路器及其缠绕方法
CN109643605A (zh) * 2016-11-08 2019-04-16 皇家飞利浦有限公司 用于高频和高功率应用的电感器
CN206415543U (zh) * 2016-12-19 2017-08-18 中铁隆昌铁路器材有限公司 一种金属件感应加热线圈绕制装置
EP3376513A1 (en) * 2017-03-13 2018-09-19 ABB Schweiz AG An arrangement of lcl filter structure
EP3416174A1 (en) * 2017-06-14 2018-12-19 LAM Research Corporation Articulated direct-mount inductor and associated systems and methods
CN208622519U (zh) * 2018-06-07 2019-03-19 南京电气高压互感器有限公司 一种并联电容器用差压式放电线圈

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘秀兰;曾爽;迟忠君;李香龙;金渊;: "感应式非接触充电系统线圈参数优化与设计", 电气应用, no. 21, pages 80 - 83 *
黄云霄;张强;牛天林;徐晨洋;: "磁耦合谐振式无线电能传输系统线圈优化研究", 计算机仿真, no. 10, pages 178 - 182 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20210065956A1 (en) 2021-03-04
US12002611B2 (en) 2024-06-04
EP4022656A1 (en) 2022-07-06
KR20220053547A (ko) 2022-04-29
JP2022546488A (ja) 2022-11-04
EP4022656A4 (en) 2023-10-04
WO2021041984A1 (en) 2021-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7205947B2 (en) Litzendraht loop antenna and associated methods
US10686333B2 (en) Method for manufacturing wireless power-transmitting device, and resonator
TWI818925B (zh) 用於多頻率射頻偏壓之射頻濾波器
US20170117089A1 (en) Compact Pulse Transformer with Transmission Line Embodiment
CN103153517B (zh) 等离子体点燃和维持的方法及装置
JP7422077B2 (ja) 高電力無線周波数の螺旋コイルフィルタ
JP7350239B2 (ja) 高周波電力供給システム
CN114144853A (zh) 高功率低频线圈
CN112786413B (zh) 一种磁控管滤波组件、磁控管以及家用电器
US4638270A (en) Resonator comprising a coil formed of multiple layer alternately arranged conductive turns
US20240038497A1 (en) Compound helical inductor coil
JPWO2019133302A5 (zh)
JPH02106900A (ja) インダクタンス可変式四重極粒子加速器及びこれに使用する高周波共振器
US20240203637A1 (en) Winding arrangement for transformer
JPS62296601A (ja) 低域通過ろ波器
US11101608B2 (en) Conductor assemblies having filter cores
KR20210036303A (ko) 다층 인덕터
JP2002290185A (ja) 電気的雑音フィルタ
JPH08222986A (ja) ３端子濾波器
JPS61190911A (ja) 変圧器巻線

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination