JPS62296601A - 低域通過ろ波器 - Google Patents
低域通過ろ波器Info
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- JPS62296601A JPS62296601A JP14046886A JP14046886A JPS62296601A JP S62296601 A JPS62296601 A JP S62296601A JP 14046886 A JP14046886 A JP 14046886A JP 14046886 A JP14046886 A JP 14046886A JP S62296601 A JPS62296601 A JP S62296601A
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- Japan
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Links
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、短波乃至マイクロ波帯における大型′ 力
放送用機器等の構成部品として好適な低域通過ろ波器に
関するものである。
放送用機器等の構成部品として好適な低域通過ろ波器に
関するものである。
従来の技術
例えば国際放送、特に短波放送用機器等に用いられてい
る従来の低域通過ろ波器は、一般に銅パイプより成るコ
イル及び真空コンデンサを以て構成されている。
る従来の低域通過ろ波器は、一般に銅パイプより成るコ
イル及び真空コンデンサを以て構成されている。
発明が解決しようとする問題点
上記従来の低域通過ろ波器においては、コイルの抵抗損
に因る著しい温度上昇を抑えるために油中に浸して使用
しなければならないため、全体が大形となり、重量も極
めて重くなる欠点がある。
に因る著しい温度上昇を抑えるために油中に浸して使用
しなければならないため、全体が大形となり、重量も極
めて重くなる欠点がある。
問題点を解決するための手段
本発明は、円筒状外部導体と、直径の大なる部分と小な
る部分を交互に有する内部導体と、この内部導体の直径
の小なる部分に突設した円板状支持導体に支持された円
筒状導体を内外導体間に同軸状に配設すると共に、円板
状支持導体に電流結合孔を穿設して構成するか、内部導
体の直径を一様に形成し、電流結合孔を穿った円板状導
体を、内部導体の軸方向に適宜間隔を隔てて設け、円板
状導体の外周縁を外部導体と対向せしめて構成すること
により、」−記従来の低域通過ろ波器における欠点を除
いた低域通過ろ波器を実現したものである。
る部分を交互に有する内部導体と、この内部導体の直径
の小なる部分に突設した円板状支持導体に支持された円
筒状導体を内外導体間に同軸状に配設すると共に、円板
状支持導体に電流結合孔を穿設して構成するか、内部導
体の直径を一様に形成し、電流結合孔を穿った円板状導
体を、内部導体の軸方向に適宜間隔を隔てて設け、円板
状導体の外周縁を外部導体と対向せしめて構成すること
により、」−記従来の低域通過ろ波器における欠点を除
いた低域通過ろ波器を実現したものである。
作用
上記のように構成した本発明低域通過ろ波器においては
、内部導体の直径の大なる部分及び円筒状導体又は単に
円板状導体を設けた部分によって容量素子部が形成され
、直径の小なる部分によってインダクタンス素子部が形
成されて、全体が分布定数回路によって構成されること
となる。
、内部導体の直径の大なる部分及び円筒状導体又は単に
円板状導体を設けた部分によって容量素子部が形成され
、直径の小なる部分によってインダクタンス素子部が形
成されて、全体が分布定数回路によって構成されること
となる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は
、第１図のＡ−Ａ切断部の端面図。
、第１図のＡ−Ａ切断部の端面図。
第３図は、第１図のＢ−Ｂ切断部の端面図で、各図にお
いて、■は有底円筒状の外部導体、２は筒状又は棒状導
体より成る内部導体、２Ｉ及び２５は内部導体２の中、
直径の大なる部分、２２及び２４は直径の小なる部分、
３は円筒状導体で、内部導体７の直径の小なる部分２２
及び２４の外周に同軸状に設けである。４は円板状支持
導体で、その外周縁を円筒状導体３の内表面に固着し、
内周縁を内部導体２の直径の小なる部分２２及び２４の
中間部に固着しである。図には円板状支持導体４の外周
縁を円筒状導体３の軸長の繕に当る内表面に固着した場
合を例示しであるが、局の個所から左右何れかに適宜ず
れた個所に固着せしめてもよい。５は電流結合孔で、円
板状支持導体４の中、内部導体２に近接した個所に穿っ
である。図には電流結合孔５を４個穿った場合を例示し
であるが、適宜増減しても本発明を実施することが出来
る。６は、内部導体２を外部導体ｌ内に同軸状に支持す
るための絶縁支持体で、棒状の適当な絶縁材料より成る
。図には４木の絶縁支持体を放射状に設けた場合を例示
しであるが、３本又は５本以上等適宜増減してもよい。
いて、■は有底円筒状の外部導体、２は筒状又は棒状導
体より成る内部導体、２Ｉ及び２５は内部導体２の中、
直径の大なる部分、２２及び２４は直径の小なる部分、
３は円筒状導体で、内部導体７の直径の小なる部分２２
及び２４の外周に同軸状に設けである。４は円板状支持
導体で、その外周縁を円筒状導体３の内表面に固着し、
内周縁を内部導体２の直径の小なる部分２２及び２４の
中間部に固着しである。図には円板状支持導体４の外周
縁を円筒状導体３の軸長の繕に当る内表面に固着した場
合を例示しであるが、局の個所から左右何れかに適宜ず
れた個所に固着せしめてもよい。５は電流結合孔で、円
板状支持導体４の中、内部導体２に近接した個所に穿っ
である。図には電流結合孔５を４個穿った場合を例示し
であるが、適宜増減しても本発明を実施することが出来
る。６は、内部導体２を外部導体ｌ内に同軸状に支持す
るための絶縁支持体で、棒状の適当な絶縁材料より成る
。図には４木の絶縁支持体を放射状に設けた場合を例示
しであるが、３本又は５本以上等適宜増減してもよい。
然しながら絶縁支持体６によって、この部分における回
路の特性インピーダンスに大きな影響をケえるおそれの
ない範囲に本数を制限する必要がある。７１及び７２は
入出力同軸端子である。
路の特性インピーダンスに大きな影響をケえるおそれの
ない範囲に本数を制限する必要がある。７１及び７２は
入出力同軸端子である。
本発明低域通過ろ波器の設計に当っては、通過帯域内に
おける許容リップルＬ「を定め、第５図に伝送特性を示
し、第６図に等価回路を示した基準化低域通過ろ波器の
素子値ｇｌ乃至ｇｎ（ｎは任意の正の整数）から本発明
低域通過ろ波器の素子値を求めるが、以下、減衰域にお
いてワグナ特性を呈する超短波（ＶＨＦ）用低域通過ろ
波器の設計の場合について説明する。
おける許容リップルＬ「を定め、第５図に伝送特性を示
し、第６図に等価回路を示した基準化低域通過ろ波器の
素子値ｇｌ乃至ｇｎ（ｎは任意の正の整数）から本発明
低域通過ろ波器の素子値を求めるが、以下、減衰域にお
いてワグナ特性を呈する超短波（ＶＨＦ）用低域通過ろ
波器の設計の場合について説明する。
尚、第５図において、横軸は伝送周波数数ｆ （ＭＨｚ
）、縦軸は伝送損失ＡＴＴ（ｄＢ） 、 Ｆｃは通過
帯域内において許容リップルＬｒを与える最高周波数で
ある。
）、縦軸は伝送損失ＡＴＴ（ｄＢ） 、 Ｆｃは通過
帯域内において許容リップルＬｒを与える最高周波数で
ある。
設計対象の低域通過ろ波器における許容電圧定在波比（
ＶＳＷＲ）をＳとすると、通過帯域内の許容リップルし
、は次式で求められる。
ＶＳＷＲ）をＳとすると、通過帯域内の許容リップルし
、は次式で求められる。
回路次数をｎとすると、素子値ｇｌは（２）式から、素
子値ｇ２乃至ｇｎは（３）式からそれぞれ求められる。
子値ｇ２乃至ｇｎは（３）式からそれぞれ求められる。
ＡＩ
ｇｌ＝−・・・・ （２）
γ
に＝２．３．−−−−、ｎ
（２）式及び（３）式において、
ｋ＝１．２，３．−−−−、ｎ
ｋ＝１．２．３ｙ−−−−、ｎ
β
γ＝ｓｉｎｈ＝ ・ ・ ・ ・
（６）ｎ 尚、ｎが奇数の場合、 ｇｎ÷１°ｌ ｎが偶数の場合、 である。
（６）ｎ 尚、ｎが奇数の場合、 ｇｎ÷１°ｌ ｎが偶数の場合、 である。
具体的数値について説明すると、第７図に等価回路を示
すように、回路次数ｎを５に選ぶと共に、通過帯域内に
おける許容電圧定在波比Ｓを１．１に選んだ基準化低域
通過ろ波器の素子値ｇｌ乃至ｇ５を数値計算によって求
めると、 ｇｌ ＝ ｇ５＝ ０．７５８３ ｇ２ ＝ ｇ４ 、＝ １．３０４９ ｇ３＝ １．５７７３ 通過帯域内において許容リップルし、を与える最高角周
波数「Ｃを２７ＭＨｚに選んだ場合、」−記素子値ｇ１
乃至ｇ５の値から第７図におけるｃｌ、Ｃ３及びＣ５の
各容量と、Ｌ２及びＬ４の各インダクタンスは、以下の
各式から計算によって求めることが出来る。
すように、回路次数ｎを５に選ぶと共に、通過帯域内に
おける許容電圧定在波比Ｓを１．１に選んだ基準化低域
通過ろ波器の素子値ｇｌ乃至ｇ５を数値計算によって求
めると、 ｇｌ ＝ ｇ５＝ ０．７５８３ ｇ２ ＝ ｇ４ 、＝ １．３０４９ ｇ３＝ １．５７７３ 通過帯域内において許容リップルし、を与える最高角周
波数「Ｃを２７ＭＨｚに選んだ場合、」−記素子値ｇ１
乃至ｇ５の値から第７図におけるｃｌ、Ｃ３及びＣ５の
各容量と、Ｌ２及びＬ４の各インダクタンスは、以下の
各式から計算によって求めることが出来る。
容量素子については、
ｇｋ＝Ｙｋ／Ｙｏ＝ωｃ−Ｃｋ−Ｚ。・・・・（８）Ｃ
ｋ＝ｇｋ／Ｃωｃ−Ｚｏ） 上式において、 ｋ＝１．３．５ ９に：第７図における容量素子ｃ１、Ｃ３及びＣ５の各
アドミタンス Ｙｏ：第７図の回路の特性アドミタンスωＣ：通過帯域
内において許容リップルし、を与える最高角周波数 Ｃｋ：容量素子Ｃ１１ｌｌ：３及びＣ５の各容量Ｚ０：
第７図の回路の特性インピーダンス特性インピーダンス
Ｚ。を５ｏΩとすると、ｃｌ。
ｋ＝ｇｋ／Ｃωｃ−Ｚｏ） 上式において、 ｋ＝１．３．５ ９に：第７図における容量素子ｃ１、Ｃ３及びＣ５の各
アドミタンス Ｙｏ：第７図の回路の特性アドミタンスωＣ：通過帯域
内において許容リップルし、を与える最高角周波数 Ｃｋ：容量素子Ｃ１１ｌｌ：３及びＣ５の各容量Ｚ０：
第７図の回路の特性インピーダンス特性インピーダンス
Ｚ。を５ｏΩとすると、ｃｌ。
Ｃ３及びＣ５の各容量は。
［４＝ ０５＝ ８９．１８ （ｐＦ）Ｃ３＝ １８
５．９５ （ｐＦ） となる。
５．９５ （ｐＦ） となる。
インダクタンス素子については。
ｇｋ＝Ｚｋ／Ｚｏ＝ωｃ−Ｌｋ／Ｚｏ ・・・・
（９）Ｌｋ＝ｇｋ−Ｚｏ ／ωＣ 上式において、 ｋ ＝２ 、４ Ｚｋ：第７図におけるインダクタンス素子Ｌ２及びＬ４
の各インピーダンス Ｌｋ：インダクタンス素子Ｌ２及びＬ４の各インダクタ
ンス Ｌ２及びＬ４の各インダクタンスは、 Ｌ２＝Ｌ４＝０．３８４８ （ＩＬ、Ｈ）となる。
（９）Ｌｋ＝ｇｋ−Ｚｏ ／ωＣ 上式において、 ｋ ＝２ 、４ Ｚｋ：第７図におけるインダクタンス素子Ｌ２及びＬ４
の各インピーダンス Ｌｋ：インダクタンス素子Ｌ２及びＬ４の各インダクタ
ンス Ｌ２及びＬ４の各インダクタンスは、 Ｌ２＝Ｌ４＝０．３８４８ （ＩＬ、Ｈ）となる。
第１図における内部導体２の外周に円筒状導体３を設け
た部分を、内部導体の直径の大なる部分２１及び２５と
同様に直径の大なる部分とみなして、第７図の容量素子
Ｃ３に対応せしめ、以下、この部分を２３と称し、容量
素子部２１．２３及び２５の各外径と、この容量素子部
の特性インピーダンスＺｏｃの関係を検討すると、第８
図（イ）に概略図を、（ロ）に等価回路を示すように、
外部導体ｌの内径りを４３８（ａｍ） 、容量素子部の
各外径ｄｃを３７８（ａｍ）とした場合、 ＝８．８２９８ （Ω） ・・・・ （ｌＯ）
上式におけるＺＯＣ及び第７図における容量素子ＣＩ、
Ｃ３及びＣ５の各容量から各容量素子部２１．２３及び
２５の各軸長ｕｃｋ（ｋ＝１．３．５）を求めると、Ｊ
ｌｃｋ’＝Ｖ−Ｚｏｃ−Ｃｋ ・・・・
（１１）Ｖ：光速 見ｃｌ”交ｃ５ ＝ ３Ｘ ｔｏ ｘｓ、ｅ２８ｅｘｓａ、ｔｅ ｘｔｏ
”＝０．２３６２ （麿）＝２３８．２ （−ｍ）
ｌｃａ＝ ３Ｘ １０ Ｘ８．８２９８Ｘ１８５．９５
Ｘ１０−１２＝０．４９２８ （＋ａ）＝４９２．１
３ （量膳）即ち、容量素子部２１．２３及び２５の
各直径及び各軸長を前記の数値に選ぶことによって、容
量素子部２１．２３及び２５と外部導体１間の各容量を
第７図における容量素子ｃｌ、ｃ３及びＣ５の各容量と
等しくなし得ることとなる。
た部分を、内部導体の直径の大なる部分２１及び２５と
同様に直径の大なる部分とみなして、第７図の容量素子
Ｃ３に対応せしめ、以下、この部分を２３と称し、容量
素子部２１．２３及び２５の各外径と、この容量素子部
の特性インピーダンスＺｏｃの関係を検討すると、第８
図（イ）に概略図を、（ロ）に等価回路を示すように、
外部導体ｌの内径りを４３８（ａｍ） 、容量素子部の
各外径ｄｃを３７８（ａｍ）とした場合、 ＝８．８２９８ （Ω） ・・・・ （ｌＯ）
上式におけるＺＯＣ及び第７図における容量素子ＣＩ、
Ｃ３及びＣ５の各容量から各容量素子部２１．２３及び
２５の各軸長ｕｃｋ（ｋ＝１．３．５）を求めると、Ｊ
ｌｃｋ’＝Ｖ−Ｚｏｃ−Ｃｋ ・・・・
（１１）Ｖ：光速 見ｃｌ”交ｃ５ ＝ ３Ｘ ｔｏ ｘｓ、ｅ２８ｅｘｓａ、ｔｅ ｘｔｏ
”＝０．２３６２ （麿）＝２３８．２ （−ｍ）
ｌｃａ＝ ３Ｘ １０ Ｘ８．８２９８Ｘ１８５．９５
Ｘ１０−１２＝０．４９２８ （＋ａ）＝４９２．１
３ （量膳）即ち、容量素子部２１．２３及び２５の
各直径及び各軸長を前記の数値に選ぶことによって、容
量素子部２１．２３及び２５と外部導体１間の各容量を
第７図における容量素子ｃｌ、ｃ３及びＣ５の各容量と
等しくなし得ることとなる。
次にインダクタンス素子部２２及び２４は、容量素子部
に比して直径が小で抵抗分が大なるため、この部分にお
いて生じた熱を容量素子部に伝達し、比較的表面積の大
なる容量素子部から放射せしめることによって温度上昇
を抑え得るが、容量素子部における最大熱損失を例えば
１００Ｗとした場合。
に比して直径が小で抵抗分が大なるため、この部分にお
いて生じた熱を容量素子部に伝達し、比較的表面積の大
なる容量素子部から放射せしめることによって温度上昇
を抑え得るが、容量素子部における最大熱損失を例えば
１００Ｗとした場合。
インダクタンス素子部において発生する熱量を、容量素
子部における最大熱損失以下に抑えるために、第９図（
イ）に概略図を、（ロ）に等価回路を示すように、イン
ダクタンス素子部の外径ｄＬを２５（ａｍ）に選ぶと、
この部分の特性インピーダンス２０１は、 ＝１７１．８ （Ω） ・・・・ （１２
）インダクタンス素子部の軸長ｎｕ （ｋ ＝２ 、４
）は、 ｌＬｋ’、Ｖ−Ｌｋ／Ｚｏｔ ＝ ３Ｘ １０ Ｘｏ、３Ｂ４８Ｘ１０ ／１７１．
Ｅｌ＝０．１ｌ１７２３ （騰）＝８７２．３ （
履ｍ） ・ ・ ・ （１３）となる。
子部における最大熱損失以下に抑えるために、第９図（
イ）に概略図を、（ロ）に等価回路を示すように、イン
ダクタンス素子部の外径ｄＬを２５（ａｍ）に選ぶと、
この部分の特性インピーダンス２０１は、 ＝１７１．８ （Ω） ・・・・ （１２
）インダクタンス素子部の軸長ｎｕ （ｋ ＝２ 、４
）は、 ｌＬｋ’、Ｖ−Ｌｋ／Ｚｏｔ ＝ ３Ｘ １０ Ｘｏ、３Ｂ４８Ｘ１０ ／１７１．
Ｅｌ＝０．１ｌ１７２３ （騰）＝８７２．３ （
履ｍ） ・ ・ ・ （１３）となる。
即ち、インダクタンス素子部２２及び２４の各直径差に
各軸長を前記の数値に選ぶことによって、この部分のイ
ンダクタンスを第７図に示したインダクタンス素子Ｌ２
及びＬ４のインダクタンスと等しくなし得ると共に、温
度上昇を抑え得ることとなる。
各軸長を前記の数値に選ぶことによって、この部分のイ
ンダクタンスを第７図に示したインダクタンス素子Ｌ２
及びＬ４のインダクタンスと等しくなし得ると共に、温
度上昇を抑え得ることとなる。
第１θ図は、上記計算結果に基づく同軸形低域通過ろ波
器の基本構造及び寸法を示す図であるが、このままでは
全体の軸長が長く実用的でないため、本発明においては
、第１１図に示すように、外部導体ｌの両端壁１１及び
１５を容量素子部２１及び２５の各外端に近接せしめ、
端壁１１と容量素子部２１間の容量及び端壁１５と容量
素子部２５間の容量を各付加し、この付加容量に対応す
る長さだけ容量素子部２１及び２５の各軸長を短縮せし
め、更に、容量素子部２１と２５の間の内部導体の直径
を、前記のように２５（脂ｍ）とすると共に、その軸長
を前記計算により求めた値８７２．３（鵬鵬）の２倍に
選び、その中間部に円板状支持導体４を取り付け、この
円板状支持導体４の外周縁によって円筒状導体３を支持
せしめ、円筒状導体３の軸長及び直径を前記計算によっ
て求めた数値に一致せしめることにより、この円筒状導
体３と外部導体１間の容量を第７図における容量素子Ｃ
３の容量と等しくなし、又、容量素子部２１と円板状支
持導体４間の内部導体及び円板状支持導体４と容量素子
部２５間の内部導体を、第７図におけるインダクタンス
素子Ｌ２及びＬ４と等しいインダクタンスを有するイン
ダクタンス素子部として作用せしめ得ることとなるので
、第１θ図における容量素子部２３の軸長、即ち、円筒
状導体３の軸長２３Ｂ、２（ａｍ）だけ全体の軸長を短
縮し得るから、容量素子部２１及び２５の軸長短縮分と
合せて全体の軸長を大幅に短縮し得ることとなる。
器の基本構造及び寸法を示す図であるが、このままでは
全体の軸長が長く実用的でないため、本発明においては
、第１１図に示すように、外部導体ｌの両端壁１１及び
１５を容量素子部２１及び２５の各外端に近接せしめ、
端壁１１と容量素子部２１間の容量及び端壁１５と容量
素子部２５間の容量を各付加し、この付加容量に対応す
る長さだけ容量素子部２１及び２５の各軸長を短縮せし
め、更に、容量素子部２１と２５の間の内部導体の直径
を、前記のように２５（脂ｍ）とすると共に、その軸長
を前記計算により求めた値８７２．３（鵬鵬）の２倍に
選び、その中間部に円板状支持導体４を取り付け、この
円板状支持導体４の外周縁によって円筒状導体３を支持
せしめ、円筒状導体３の軸長及び直径を前記計算によっ
て求めた数値に一致せしめることにより、この円筒状導
体３と外部導体１間の容量を第７図における容量素子Ｃ
３の容量と等しくなし、又、容量素子部２１と円板状支
持導体４間の内部導体及び円板状支持導体４と容量素子
部２５間の内部導体を、第７図におけるインダクタンス
素子Ｌ２及びＬ４と等しいインダクタンスを有するイン
ダクタンス素子部として作用せしめ得ることとなるので
、第１θ図における容量素子部２３の軸長、即ち、円筒
状導体３の軸長２３Ｂ、２（ａｍ）だけ全体の軸長を短
縮し得るから、容量素子部２１及び２５の軸長短縮分と
合せて全体の軸長を大幅に短縮し得ることとなる。
然しなから、このように構成するときは、入出力同軸端
子７１から流入した高周波信号電流は、第１１図に矢印
を付した実線を以て示すように、容量素子部２１、イン
ダクタンス素子部２２、円板状支持導体４の左側表面、
円筒状導体３の左側内表面、その外表面、その右側内表
面、円板状支持導体４の右側表面、インダクタンス素子
部２４、容量素子部２５の径路を流れて入出力同軸端子
７２に到るので、電流路の長さが設計値と一致せず、各
部の寸法を設計値に一致せしめても所要の特性が得られ
ず、試作実験を繰り返す必要を生ずる。
子７１から流入した高周波信号電流は、第１１図に矢印
を付した実線を以て示すように、容量素子部２１、イン
ダクタンス素子部２２、円板状支持導体４の左側表面、
円筒状導体３の左側内表面、その外表面、その右側内表
面、円板状支持導体４の右側表面、インダクタンス素子
部２４、容量素子部２５の径路を流れて入出力同軸端子
７２に到るので、電流路の長さが設計値と一致せず、各
部の寸法を設計値に一致せしめても所要の特性が得られ
ず、試作実験を繰り返す必要を生ずる。
そこで本発明においては第２図に示すように、円板状支
持導体４の中、内部導体に近接した個所に電流結合孔５
を穿つことにより、第１図に矢印を付した実線を以て示
すように、高周波信号電流をインダクタンス素子部２２
から電流結合孔５を介して直接インダクタンス素子部２
４に流入せしめ、電流路の長さを設計値に一致せしめた
もので、各部の寸法を設計値に一致又はほぼ一致せしめ
ることにより直に所要の特性を得ることを可能ならしめ
たものである。
持導体４の中、内部導体に近接した個所に電流結合孔５
を穿つことにより、第１図に矢印を付した実線を以て示
すように、高周波信号電流をインダクタンス素子部２２
から電流結合孔５を介して直接インダクタンス素子部２
４に流入せしめ、電流路の長さを設計値に一致せしめた
もので、各部の寸法を設計値に一致又はほぼ一致せしめ
ることにより直に所要の特性を得ることを可能ならしめ
たものである。
尚、高周波信号電流の中、電流結合孔５内に流入せず、
円板状支持導体４の左側表面を介して円筒状導体３側へ
分流した電流及び電流結合孔５に流入した直後に円板状
支持導体４の右側表面を介して円筒状導体３側へ分流し
た電流は、何れも円筒状導体３と外部導体１間の容量を
介して外部へ流出する゛ので、所要の特性形成に悪影響
を及ぼすおそれはない。
円板状支持導体４の左側表面を介して円筒状導体３側へ
分流した電流及び電流結合孔５に流入した直後に円板状
支持導体４の右側表面を介して円筒状導体３側へ分流し
た電流は、何れも円筒状導体３と外部導体１間の容量を
介して外部へ流出する゛ので、所要の特性形成に悪影響
を及ぼすおそれはない。
第１図には、回路次数ｎを５に選び、減衰域においてワ
グナ特性を呈する超短波帯における低域通過ろ波器の設
計製作の場合について説明したが、回路次数を適宜増減
し２任意所要の伝送特性を有する低域通過ろ波器につい
ても同様にして本発明を実施することが出来る。
グナ特性を呈する超短波帯における低域通過ろ波器の設
計製作の場合について説明したが、回路次数を適宜増減
し２任意所要の伝送特性を有する低域通過ろ波器につい
ても同様にして本発明を実施することが出来る。
又、第１図には、容量入力形の低域通過ろ波器に本発明
を実施した場合を例示しであるが、インダクタンス入力
形の低域通過ろ波器に実施した場合、即ち、内部導体７
の両端面に入出力同軸端子７１及び７２の各内部導体を
接続し、７１及び７２の各外部導体を外部導体ｌの両端
面に接続した場合には、容量入力形に比し、全体の軸長
が長くなるのを避は得ないが、前記と同様にして本発明
を実施することが出来る。
を実施した場合を例示しであるが、インダクタンス入力
形の低域通過ろ波器に実施した場合、即ち、内部導体７
の両端面に入出力同軸端子７１及び７２の各内部導体を
接続し、７１及び７２の各外部導体を外部導体ｌの両端
面に接続した場合には、容量入力形に比し、全体の軸長
が長くなるのを避は得ないが、前記と同様にして本発明
を実施することが出来る。
第１図には、内部導体２に直径の大なる部分と小なる部
分とを設けた場合を例示したが、内部導体７の直径を全
長に亙って一様ならしめ、適宜間隔を隔てて円板状支持
導体４を設け、各円板状支持導体４に円筒状導体３を支
持せしめることにより、全ての容量素子部を円板状支持
導体４及び円筒状導体３を以て形成するようにしてもよ
い。
分とを設けた場合を例示したが、内部導体７の直径を全
長に亙って一様ならしめ、適宜間隔を隔てて円板状支持
導体４を設け、各円板状支持導体４に円筒状導体３を支
持せしめることにより、全ての容量素子部を円板状支持
導体４及び円筒状導体３を以て形成するようにしてもよ
い。
この場合において、初段及び終段の円筒状導体３に入出
力同軸端子７１及び７２を結合せしめるときは、初段及
び終段の円板状支持導体４を除いた他の全ての円板状支
持導体４に電流結合孔５を穿ち、内部導体２の両端面に
入出力同軸端子７１及び７２を結合せしめるときは、初
段及び終段の円板状支持導体４を含めて全ての円板状支
持導体４に電流結合孔５を穿つことが最も望ましい。
力同軸端子７１及び７２を結合せしめるときは、初段及
び終段の円板状支持導体４を除いた他の全ての円板状支
持導体４に電流結合孔５を穿ち、内部導体２の両端面に
入出力同軸端子７１及び７２を結合せしめるときは、初
段及び終段の円板状支持導体４を含めて全ての円板状支
持導体４に電流結合孔５を穿つことが最も望ましい。
本発明は、短波乃至マイクロ波帯の低域通過ろ波器に実
施し得るが、特にマイクロ波用の低域通過ろ波器に実施
する場合には、第４図に示すように、一様な直径を有す
る内部導体２の軸方向に適宜間隔を隔てて適宜数の円板
状導体８を突設せしめ、初段及び終段の円板状支持導体
８の外周縁に入出力同軸端子７１及び７２の内部導体を
結合せしめ、初段及び終段以外の円板状導体８に電流結
合孔５を穿つことにより、円板状導体８の外周縁と外部
導体１間の容量及び円板状導体８を設けていない内部導
体２の部分におけるインダクタンスによって分布定数形
低域通過ろ波器を構成することが出来る。
施し得るが、特にマイクロ波用の低域通過ろ波器に実施
する場合には、第４図に示すように、一様な直径を有す
る内部導体２の軸方向に適宜間隔を隔てて適宜数の円板
状導体８を突設せしめ、初段及び終段の円板状支持導体
８の外周縁に入出力同軸端子７１及び７２の内部導体を
結合せしめ、初段及び終段以外の円板状導体８に電流結
合孔５を穿つことにより、円板状導体８の外周縁と外部
導体１間の容量及び円板状導体８を設けていない内部導
体２の部分におけるインダクタンスによって分布定数形
低域通過ろ波器を構成することが出来る。
尚、入出力同軸端子７１及び７？の内部導体を内部導体
７の両端面に結合してインダクタンス入力形に形成する
場合には、初段及び終段の円板状導体８を含めて全ての
円板状導体８に電流結合孔５を穿つことが最も望ましい
。
７の両端面に結合してインダクタンス入力形に形成する
場合には、初段及び終段の円板状導体８を含めて全ての
円板状導体８に電流結合孔５を穿つことが最も望ましい
。
発明の効果
本発明においては、一部或は全ての容量素子部を、電流
結合孔を穿った円板状支持導体及びこれにに支持された
円筒状導体を以て形成するか、電流結合孔を穿った円板
状導体を以て形成することにより、全体の軸長を短縮し
得ると共に、計算値に対して±１０％以内の寸法誤差を
以て設計値通りの良好な特性を有する低域通過ろ波器を
構成することが出来、ヌ、容量素子部において効果的な
熱放射を行わせ得るので、大電力用として好適で、容量
素子部を円筒状導体及び導体円板又は単に導体円板を以
て形成しであるから重量も軽く、内部導体を筒体を以て
形成するときは、重量を著しく軽くすることが可能であ
る。
結合孔を穿った円板状支持導体及びこれにに支持された
円筒状導体を以て形成するか、電流結合孔を穿った円板
状導体を以て形成することにより、全体の軸長を短縮し
得ると共に、計算値に対して±１０％以内の寸法誤差を
以て設計値通りの良好な特性を有する低域通過ろ波器を
構成することが出来、ヌ、容量素子部において効果的な
熱放射を行わせ得るので、大電力用として好適で、容量
素子部を円筒状導体及び導体円板又は単に導体円板を以
て形成しであるから重量も軽く、内部導体を筒体を以て
形成するときは、重量を著しく軽くすることが可能であ
る。
第１２図乃至第１４図は、第１図に示した本発明低域通
過ろ波器の各種特性の一例を示す曲線図で、第１２図は
伝送特性を示し、横軸は伝送周波数ｆ （ＭＨｚ ）、
縦軸は減衰量ＡＴＴ（ｄＢ）である。
過ろ波器の各種特性の一例を示す曲線図で、第１２図は
伝送特性を示し、横軸は伝送周波数ｆ （ＭＨｚ ）、
縦軸は減衰量ＡＴＴ（ｄＢ）である。
第１３図は反射特性を示し、横軸は伝送周波数ｆ （Ｍ
Ｈｚ ）、縦軸は反射損失ｒ（ｄＢ）−ｔ’ある。
Ｈｚ ）、縦軸は反射損失ｒ（ｄＢ）−ｔ’ある。
第１４図はインピーダンス特性を示すスミスチャートの
部分拡大図で、各図から明らかなように、何れの特性も
極めて良好である。
部分拡大図で、各図から明らかなように、何れの特性も
極めて良好である。
第１図乃至第４図は、本発明の実施例を示す図、第５図
乃至第１１図は、本発明低域通過ろ波器の設計手法を説
明するための図、第１２図乃至第１４図は、本発明低域
通過ろ波器の特性の一例を示す曲線図で、ｌ：外部導体
、１１及びｌ屋外部導体の端壁、２：内部導体、２Ｉ、
２３及び２５：内部導体の容量素子部、２２及び２４：
内部導体のインダクタンス素子部、３：円筒状導体、４
：円板状支持導体、５：電流結合孔、６：絶縁支持体、
７１及び７２：入出力同軸端子、８：円板状導体である
。
乃至第１１図は、本発明低域通過ろ波器の設計手法を説
明するための図、第１２図乃至第１４図は、本発明低域
通過ろ波器の特性の一例を示す曲線図で、ｌ：外部導体
、１１及びｌ屋外部導体の端壁、２：内部導体、２Ｉ、
２３及び２５：内部導体の容量素子部、２２及び２４：
内部導体のインダクタンス素子部、３：円筒状導体、４
：円板状支持導体、５：電流結合孔、６：絶縁支持体、
７１及び７２：入出力同軸端子、８：円板状導体である
。
Claims (7)
- （１）円筒状導体より成る外部導体と、直径の大なる部
分と小なる部分を交互に有し、前記外部導体内に同軸状
に設けられた内部導体と、この内部導体における前記直
径の小なる部分の中、任意数及び任意個所の直径の小な
る部分の中間部に突設せしめられた円板状支持導体と、
この円板状支持導体に穿たれた電流結合孔と、前記円板
状支持導体に支持されて前記内部導体と前記外部導体と
の間に同軸状に設けられた円筒状導体と、前記内部導体
の両端部に結合せしめられた入出力端子とより成ること
を特徴とする低域通過ろ波器。 - （２）入出力端子が、内部導体の直径の大なる部分の外
周面に結合せしめられた特許請求の範囲第１項記載の低
域通過ろ波器。 - （３）入出力端子が、内部導体の端面に結合せしめられ
た特許請求の範囲第１項記載の低域通過ろ波器。 - （４）円筒状導体より成る外部導体と、この外部導体内
に同軸状に設けられた内部導体と、軸方向に適宜間隔を
隔てて前記内部導体に突設せしめられた適宜数の円板状
支持導体と、この円板状支持導体に支持されて前記内部
導体と前記外部導体との間に同軸状に設けられた円筒状
導体と、前記円板状支持導体の中、初段及び終段以外の
円板状支持導体に穿たれた電流結合孔と、初段及び終段
の前記円筒状導体に結合せしめられた入出力端子とより
成ることを特徴とする低域通過ろ波器。 - （５）円筒状導体より成る外部導体と、この外部導体内
に同軸状に設けられた内部導体と、軸方向に適宜間隔を
隔てて前記内部導体に突設せしめられた適宜数の円板状
支持導体と、この円板状支持導体に穿たれた電流結合孔
と、前記円板状支持導体の各々に支持されて前記内部導
体と前記外部導体との間に同軸状に設けられた円筒状導
体と、前記内部導体の端面に結合せしめられた入出力端
子とより成ることを特徴とする低域通過ろ波器。 - （６）円筒状導体より成る外部導体と、この外部導体内
に同軸状に設けられた内部導体と、軸方向に適宜間隔を
隔てて前記内部導体に突設せしめられ、外周縁を前記外
部導体と対向せしめられた円板状導体と、この円板状導
体の中、初段及び終段以外の円板状導体に穿たれた電流
結合孔と、初段及び終段の前記円板状導体に結合せしめ
られた入出力端子とより成ることを特徴とする低域通過
ろ波器。 - （７）円筒状導体より成る外部導体と、この外部導体内
に同軸状に設けられた内部導体と、軸方向に適宜間隔を
隔てて前記内部導体に突設せしめられ、外周縁を前記外
部導体と対向せしめられた円板状導体と、この円板状導
体に穿たれた電流結合孔と、前記内部導体の端面に結合
せしめられた入出力端子とより成る低域通過ろ波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14046886A JPS62296601A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 低域通過ろ波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14046886A JPS62296601A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 低域通過ろ波器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62296601A true JPS62296601A (ja) | 1987-12-23 |
| JPH0311121B2 JPH0311121B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15269297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14046886A Granted JPS62296601A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 低域通過ろ波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62296601A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011142394A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | ローパスフィルタ |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5136927B2 (ja) | 2007-10-09 | 2013-02-06 | オプテックス株式会社 | レーザエリアセンサ |
| JP5092076B2 (ja) | 2007-10-26 | 2012-12-05 | オプテックス株式会社 | レーザエリアセンサ |
| JP5076070B2 (ja) | 2007-10-26 | 2012-11-21 | オプテックス株式会社 | 対象検出装置、対象検出方法、および対象検出プログラム |
| JP5540217B2 (ja) | 2012-09-19 | 2014-07-02 | オプテックス株式会社 | レーザースキャンセンサ |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP14046886A patent/JPS62296601A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011142394A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | ローパスフィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311121B2 (ja) | 1991-02-15 |
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