JPH0311121B2 - - Google Patents
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- JPH0311121B2 JPH0311121B2 JP14046886A JP14046886A JPH0311121B2 JP H0311121 B2 JPH0311121 B2 JP H0311121B2 JP 14046886 A JP14046886 A JP 14046886A JP 14046886 A JP14046886 A JP 14046886A JP H0311121 B2 JPH0311121 B2 JP H0311121B2
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、短波乃至マイクロ波帯における大電
力放送用機器等の構成部品として好適な低域通過
ろ波器に関するものである。
力放送用機器等の構成部品として好適な低域通過
ろ波器に関するものである。
従来の技術
例えば国際放送、特に短波放送用機器等に用い
られている従来の低域通過ろ波器は、一般に銅パ
イプより成るコイル及び真空コンデンサを以て構
成されている。
られている従来の低域通過ろ波器は、一般に銅パ
イプより成るコイル及び真空コンデンサを以て構
成されている。
発明が解決しようとする問題点
上記従来の低域通過ろ波器においては、コイル
の抵抗損に因る著しい温度上昇を抑えるために油
中に浸して使用しなければならないため、全体が
大形となり、重量も極めて重くなる欠点がある。
の抵抗損に因る著しい温度上昇を抑えるために油
中に浸して使用しなければならないため、全体が
大形となり、重量も極めて重くなる欠点がある。
問題点を解決するための手段
本発明は、円筒状の外部導体内に内部導体を同
軸状に設け、容量素子部を形成せしめるために内
部導体に取り付けた円板状導体に、電流結合孔を
穿つて成る低域通過ろ波器を実現することによつ
て上記従来の低域通過ろ波器における欠点を除こ
うとするものである。
軸状に設け、容量素子部を形成せしめるために内
部導体に取り付けた円板状導体に、電流結合孔を
穿つて成る低域通過ろ波器を実現することによつ
て上記従来の低域通過ろ波器における欠点を除こ
うとするものである。
作 用
上記のように構成した本発明低域通過ろ波器に
おいては、電流結合孔を穿つた円板状導体を取付
けた部分によつて容量素子部が、円板状導体を設
けた部分以外の内部導体の部分によつてインダク
タンス素子部が形成され、入力端子から流入した
高周波信号電流の大部分がインダクタンス素子部
及び電流結合孔を介して出力端子に到ることとな
る。
おいては、電流結合孔を穿つた円板状導体を取付
けた部分によつて容量素子部が、円板状導体を設
けた部分以外の内部導体の部分によつてインダク
タンス素子部が形成され、入力端子から流入した
高周波信号電流の大部分がインダクタンス素子部
及び電流結合孔を介して出力端子に到ることとな
る。
実施例
第１図は、本発明の一実施例を示す縦断面図、
第２図は、第１図のＡ−Ａ切断部の端面図、第３
図は、第１図のＢ−Ｂ切断部の端面図で、各図に
おいて、１は有底円筒状の外部導体、２は筒状又
は棒状導体より成る内部導体、２1及び２5は内部
導体２の中、直径の大なる部分、２2及び２4は直
径の小なる部分、３は円筒状導体で、内部導体２
の直径の小なる部分２2及び２4の外周に同軸状に
設けてある。４は円板状支持導体で、その外周縁
を円筒状導体３の内表面に固着し、内周縁を内部
導体２の直径の小なる部分２2及び２4の中間部に
固着してある。図には円板状支持導体４の外周縁
を円筒状導体３の軸長の1/2に当る内表面に固着
した場合を例示してあるが、1/2の個所から左右
何れかに適宜ずれた個所に固着せしめてもよい。
５は電流結合孔で、円板状支持導体４の中、内部
導体２に近接した個所に穿つてある。図には電流
結合孔５を４個穿つた場合を例示してあるが、適
宜増減しても本発明を実施することが出来る。６
は、内部導体２を外部導体１内に同軸状に支持す
るための絶縁支持体で、棒状の適当な絶縁材料よ
り成る。図には４本の絶縁支持体を放射状に設け
た場合を例示してあるが、３本又は５本以上等適
宜増減してもよい。然しながら絶縁支持体６によ
つて、この部分における回路の特性インピーダン
スに大きな影響を与えるおそれのない範囲に本数
を制限する必要がある。７1及び７2は入出力同軸
端子である。
第２図は、第１図のＡ−Ａ切断部の端面図、第３
図は、第１図のＢ−Ｂ切断部の端面図で、各図に
おいて、１は有底円筒状の外部導体、２は筒状又
は棒状導体より成る内部導体、２1及び２5は内部
導体２の中、直径の大なる部分、２2及び２4は直
径の小なる部分、３は円筒状導体で、内部導体２
の直径の小なる部分２2及び２4の外周に同軸状に
設けてある。４は円板状支持導体で、その外周縁
を円筒状導体３の内表面に固着し、内周縁を内部
導体２の直径の小なる部分２2及び２4の中間部に
固着してある。図には円板状支持導体４の外周縁
を円筒状導体３の軸長の1/2に当る内表面に固着
した場合を例示してあるが、1/2の個所から左右
何れかに適宜ずれた個所に固着せしめてもよい。
５は電流結合孔で、円板状支持導体４の中、内部
導体２に近接した個所に穿つてある。図には電流
結合孔５を４個穿つた場合を例示してあるが、適
宜増減しても本発明を実施することが出来る。６
は、内部導体２を外部導体１内に同軸状に支持す
るための絶縁支持体で、棒状の適当な絶縁材料よ
り成る。図には４本の絶縁支持体を放射状に設け
た場合を例示してあるが、３本又は５本以上等適
宜増減してもよい。然しながら絶縁支持体６によ
つて、この部分における回路の特性インピーダン
スに大きな影響を与えるおそれのない範囲に本数
を制限する必要がある。７1及び７2は入出力同軸
端子である。
本発明低域通過ろ波器の設計に当つては、通過
帯域内における許容リツプルLrを定め、第５図に
伝送特性を示し、第６図に等価回路を示した基準
化低域通過ろ波器の素子値g1乃至go（ｎは任意の
正の整数）から本発明低域通過ろ波器の素子値を
求めるが、以下、減衰域においてワグナ特性を呈
する超短波（VHF）用低域通過ろ波器の設計の
場合について説明する。
帯域内における許容リツプルLrを定め、第５図に
伝送特性を示し、第６図に等価回路を示した基準
化低域通過ろ波器の素子値g1乃至go（ｎは任意の
正の整数）から本発明低域通過ろ波器の素子値を
求めるが、以下、減衰域においてワグナ特性を呈
する超短波（VHF）用低域通過ろ波器の設計の
場合について説明する。
尚、第５図において、横軸は伝送周波数ｆ（Ｍ
Hz）、縦軸は伝送損失ATT（dB）、fcは通過帯域内
において許容リツプルLrを与える最高周波数であ
る。
Hz）、縦軸は伝送損失ATT（dB）、fcは通過帯域内
において許容リツプルLrを与える最高周波数であ
る。
設計対象の低域通過ろ波器における許容電圧定
在波比（VSWR）をＳとすると、通過帯域内の
許容リツプルLrは次式で求められる。
在波比（VSWR）をＳとすると、通過帯域内の
許容リツプルLrは次式で求められる。
Lr＝10lpg（Ｓ＋１）2／4S（dB） …(1)
回路次数をｎとすると、素子値g1は(2)式から素
子値g2乃至goは(3)式からそれぞれ求められる。
子値g2乃至goは(3)式からそれぞれ求められる。
g1＝2A1／γ …(2)
gk＝4Ak-1・Ak／Bk-1・gk-1 …(3)
ｋ＝２、３、…、ｎ
(2)式及び(3)式において、
Ak＝sin（2k−１）π／2n …(4)
ｋ＝１、２、３、…、ｎ
Bk＝γ2＋sin2kπ／ｎ …(5)
ｋ＝１、２、３、…、ｎ
γ＝sinhβ／2n …(6)
β＝lo［cothLr／17.37］ …(7)
尚、ｎが奇数の場合、
go+1＝１
ｎが偶数の場合、
go+1＝coth2β／４
である。
具体的数値について説明すると、第７図に等価
回路を示すように、回路次数ｎを５に選ぶと共
に、通過帯域内における許容電圧定在波比Ｓを
1.1に選んだ基準化低域通過ろ波器の素子値g1乃
至g5を数値計算によつて求めると、 g1＝g5＝0.7563 g2＝g4＝1.3049 g3＝1.5773 通過帯域内において許容リツプルLrを与える最
高周波数fcを27MHzに選んだ場合、上記素子値g1
乃至g5の値から第７図におけるC1、C3及びC5の
各容量と、L2及びL4の各インダクタンスは、以
下の各式から計算によつて求めることが出来る。
回路を示すように、回路次数ｎを５に選ぶと共
に、通過帯域内における許容電圧定在波比Ｓを
1.1に選んだ基準化低域通過ろ波器の素子値g1乃
至g5を数値計算によつて求めると、 g1＝g5＝0.7563 g2＝g4＝1.3049 g3＝1.5773 通過帯域内において許容リツプルLrを与える最
高周波数fcを27MHzに選んだ場合、上記素子値g1
乃至g5の値から第７図におけるC1、C3及びC5の
各容量と、L2及びL4の各インダクタンスは、以
下の各式から計算によつて求めることが出来る。
容量素子については、
gk＝Y〓k／Y0＝ωc・Ck・Z0 …(8)
Ck＝gk／（ωc・Z0）
上式におて、
ｋ＝１、３、５
Y〓k：第７図における容量素子C1，C3及びC5の
各アドミタンス Y0：第７図の回路の特性アドミタンス ωc：通過帯域内において許容リツプルLrを与
える最高角周波数 Ck：容量素子C1，C3及びC5の各容量 Z0：第７図の回路の特性インピーダンス 特性インピーダンスZ0を50Ωとすると、C1，
C3及びC5の各容量は、 C1＝C5＝89.16（pF） C3＝185.95（pF） となる。
各アドミタンス Y0：第７図の回路の特性アドミタンス ωc：通過帯域内において許容リツプルLrを与
える最高角周波数 Ck：容量素子C1，C3及びC5の各容量 Z0：第７図の回路の特性インピーダンス 特性インピーダンスZ0を50Ωとすると、C1，
C3及びC5の各容量は、 C1＝C5＝89.16（pF） C3＝185.95（pF） となる。
インダクタンス素子については、
gk＝Z〓k／Z0＝ωc・Lk／Z0 …(9)
Lk＝gk・Z0／ωc
上式において、
ｋ＝２、４
Z〓k：第７図にけるインダクタンス素子L2及び
L4の各インピーダンス Lk：インダクタンス素子L2及びL4の各インダ
クタンス L2及びL4の各インダクタンスは、 L2＝L4＝0.3846（μH） となる。
L4の各インピーダンス Lk：インダクタンス素子L2及びL4の各インダ
クタンス L2及びL4の各インダクタンスは、 L2＝L4＝0.3846（μH） となる。
第１図における内部導体２の外周に円筒状導体
３を設けた部分を、内部導体の直径の大なる部分
２1及び２5と同様に直径の大なる部分とみなし
て、第７図の容量素子C3に対応せしめ、以下、
この部分を２3と称し、容量素子部２1，２3及び
２5の各外径と、この容量素子部の特性インピー
ダンスZpcの関係を検討すると、第８図イに概略
図を、ロに等価回路を示すように、外部導体１の
内径Ｄを438（mm）、容量素子部の各外径dcを378
（mm）とした場合、 Zpc＝138lpgＤ／dc＝138lpg438／378 ＝8.8296（Ω） …(10) 上式におけるZpc及び第７図における容量素子
C1，C3及びC5の各容量から各容量素子部２1，２3
及び２5の各軸長lck（ｋ＝１、３、５）を求める
と、 lck≒Ｖ・Zpc・Ck (11) Ｖ：光速 lc1＝lc5 ＝３×108×8.8296×89.16×10-12 ＝0.2362（ｍ）＝236.2（mm） lc3＝３×108×8.8296×185.95×10-12 ＝0.4926（ｍ）＝492.6（mm） 即ち、容量素子部２1，２3及び２5の各直径及
び各軸長を前記の数値に選ぶことによつて、容量
素子部２1，２3及び２5と外部導体１間の各容量
を第７図における容量素子C1，C3及びC5の各容
量と等しくなし得ることとなる。
３を設けた部分を、内部導体の直径の大なる部分
２1及び２5と同様に直径の大なる部分とみなし
て、第７図の容量素子C3に対応せしめ、以下、
この部分を２3と称し、容量素子部２1，２3及び
２5の各外径と、この容量素子部の特性インピー
ダンスZpcの関係を検討すると、第８図イに概略
図を、ロに等価回路を示すように、外部導体１の
内径Ｄを438（mm）、容量素子部の各外径dcを378
（mm）とした場合、 Zpc＝138lpgＤ／dc＝138lpg438／378 ＝8.8296（Ω） …(10) 上式におけるZpc及び第７図における容量素子
C1，C3及びC5の各容量から各容量素子部２1，２3
及び２5の各軸長lck（ｋ＝１、３、５）を求める
と、 lck≒Ｖ・Zpc・Ck (11) Ｖ：光速 lc1＝lc5 ＝３×108×8.8296×89.16×10-12 ＝0.2362（ｍ）＝236.2（mm） lc3＝３×108×8.8296×185.95×10-12 ＝0.4926（ｍ）＝492.6（mm） 即ち、容量素子部２1，２3及び２5の各直径及
び各軸長を前記の数値に選ぶことによつて、容量
素子部２1，２3及び２5と外部導体１間の各容量
を第７図における容量素子C1，C3及びC5の各容
量と等しくなし得ることとなる。
次にインダクタンス素子部２2及び２4は、容量
素子部に比して直径が小で抵抗分が大なるため、
この部分において生じた熱を容量素子部に伝達
し、比較的表面積の大なる容量素子部から放射せ
しめることによつて温度上昇を抑え得るが、容量
素子部における最大熱損失を例えば100Wとした
場合、インダクタンス素子部において発生する熱
量を、容量素子部における最大熱損失以下に浴え
るために、第９図イに概略図を、ロに等価回路を
示すように、インダクタンス素子部の外径dLを25
（mm）に選ぶと、この部分の特性インピーダンス
ZOLは、 ZOL＝138lpgＤ／dL＝138lpg438／25 ＝171.6（Ω） …(12) インダクタンス素子部の軸長lLK（ｋ＝２、４）
は、 lLK≒Ｖ・LK／ZOL ＝３×108×0.3846×10-6／171.6 ＝0.6723（ｍ）＝672.3（mm） …（13） となる。
素子部に比して直径が小で抵抗分が大なるため、
この部分において生じた熱を容量素子部に伝達
し、比較的表面積の大なる容量素子部から放射せ
しめることによつて温度上昇を抑え得るが、容量
素子部における最大熱損失を例えば100Wとした
場合、インダクタンス素子部において発生する熱
量を、容量素子部における最大熱損失以下に浴え
るために、第９図イに概略図を、ロに等価回路を
示すように、インダクタンス素子部の外径dLを25
（mm）に選ぶと、この部分の特性インピーダンス
ZOLは、 ZOL＝138lpgＤ／dL＝138lpg438／25 ＝171.6（Ω） …(12) インダクタンス素子部の軸長lLK（ｋ＝２、４）
は、 lLK≒Ｖ・LK／ZOL ＝３×108×0.3846×10-6／171.6 ＝0.6723（ｍ）＝672.3（mm） …（13） となる。
即ち、インダクタンス素子部２2及び２4の各直
径並に各軸長を前記の数値に選ぶことによつて、
この部分のインダクタンスを第７図に示したイン
ダクタンス素子L2及びL4のインダクタンスと等
しくなし得ると共に、温度上昇を抑え得ることと
なる。
径並に各軸長を前記の数値に選ぶことによつて、
この部分のインダクタンスを第７図に示したイン
ダクタンス素子L2及びL4のインダクタンスと等
しくなし得ると共に、温度上昇を抑え得ることと
なる。
第１０図は、上記計算結果に基づく同軸形低域
通過ろ波器の基本構造及び寸法を示す図である
が、このままでは全体の軸長が長く実用的でない
ため、本発明においては、第１１図に示すよう
に、外部導体１の両端壁１1及び１5を容量素子部
２1及び２5の各外端に近接せしめ、端壁１1と容
量素子部２1間の容量及び端壁１5と容量素子部２
５間の容量を各付加し、この付加容量に対応する
長さだけ容量素子部２1及び２5の各軸長を短縮せ
しめ、更に、容量素子部２1と２5の間の内部導体
の直径を、前記のように25（mm）とすると共に、
その軸長を前記計算により求めた値672.3（mm）の
２倍に選び、その中間部に円板状支持導体４を取
り付け、この円板状支持導体４の外周縁によつて
円筒状導体３を支持せしめ、円筒状導体３の軸長
及び直径を前記計算によつて求めた数値に一致せ
しめることにより、この円筒状導体３と外部導体
１間の容量を第７図における容量素子C3の容量
と等しくなし、又、容量素子部２1と円板状支持
導体４間の内部導体及び円板状支持導体４と容量
素子部２5間の内部導体を、第７図におけるイン
ダクタンス素子L2及びL4と等しいインダクタン
スを有するインダクタンス素子部として作用せし
め得ることとなるので、第１０図にける容量素子
部２3の軸長、即ち、円筒状導体３の軸長236.2
（mm）だけ全体の軸長を短縮し得るから、容量素
子部２1及び２5の軸長短縮分と合せて全体の軸長
を大幅に短縮し得ることとなる。
通過ろ波器の基本構造及び寸法を示す図である
が、このままでは全体の軸長が長く実用的でない
ため、本発明においては、第１１図に示すよう
に、外部導体１の両端壁１1及び１5を容量素子部
２1及び２5の各外端に近接せしめ、端壁１1と容
量素子部２1間の容量及び端壁１5と容量素子部２
５間の容量を各付加し、この付加容量に対応する
長さだけ容量素子部２1及び２5の各軸長を短縮せ
しめ、更に、容量素子部２1と２5の間の内部導体
の直径を、前記のように25（mm）とすると共に、
その軸長を前記計算により求めた値672.3（mm）の
２倍に選び、その中間部に円板状支持導体４を取
り付け、この円板状支持導体４の外周縁によつて
円筒状導体３を支持せしめ、円筒状導体３の軸長
及び直径を前記計算によつて求めた数値に一致せ
しめることにより、この円筒状導体３と外部導体
１間の容量を第７図における容量素子C3の容量
と等しくなし、又、容量素子部２1と円板状支持
導体４間の内部導体及び円板状支持導体４と容量
素子部２5間の内部導体を、第７図におけるイン
ダクタンス素子L2及びL4と等しいインダクタン
スを有するインダクタンス素子部として作用せし
め得ることとなるので、第１０図にける容量素子
部２3の軸長、即ち、円筒状導体３の軸長236.2
（mm）だけ全体の軸長を短縮し得るから、容量素
子部２1及び２5の軸長短縮分と合せて全体の軸長
を大幅に短縮し得ることとなる。
然しながら、このように構成するときは、入出
力同軸端子７1から流入した高周波信号電流は、
第１１図に矢印を付した実線を以て示すように、
容量素子部２1、インダクタンス素子部２2、円板
状支持導体４の左側表面、円筒状導体３の左側内
表面、その外表面、その右側内表面、円板状支持
導体４の右側表面、インダクタンス素子部２4、
容量素子部２5の径路を流れて入出力同軸端子７2
に到るので、電流路の長さが設計値と一致せず、
各部の寸法を設計値に一致せしめても所要の特性
が得られず、試作実験を繰り返す必要を生ずる。
力同軸端子７1から流入した高周波信号電流は、
第１１図に矢印を付した実線を以て示すように、
容量素子部２1、インダクタンス素子部２2、円板
状支持導体４の左側表面、円筒状導体３の左側内
表面、その外表面、その右側内表面、円板状支持
導体４の右側表面、インダクタンス素子部２4、
容量素子部２5の径路を流れて入出力同軸端子７2
に到るので、電流路の長さが設計値と一致せず、
各部の寸法を設計値に一致せしめても所要の特性
が得られず、試作実験を繰り返す必要を生ずる。
そこで本発明においては第２図に示すように、
円板状支持導体４の中、内部導体に近接した個所
に電流結合孔５を穿つことにより、第１図に矢印
を付した実線を以て示すように、高周波信号電流
をインダクタンス素子部２2から電流結合孔５を
介して直接インダクタンス素子部２4に流入せし
め、電流路の長さを設計値に一致せしめたもの
で、各部の寸法を設計値に一致又はほぼ一致せし
めることにより直に所要の特性を得ることを可能
ならしめたものである。
円板状支持導体４の中、内部導体に近接した個所
に電流結合孔５を穿つことにより、第１図に矢印
を付した実線を以て示すように、高周波信号電流
をインダクタンス素子部２2から電流結合孔５を
介して直接インダクタンス素子部２4に流入せし
め、電流路の長さを設計値に一致せしめたもの
で、各部の寸法を設計値に一致又はほぼ一致せし
めることにより直に所要の特性を得ることを可能
ならしめたものである。
尚、高周波信号電流の中、電流結合孔５内に流
入せず、円板状支持導体４の左側表面を介して円
筒状導体３側へ分流した電流及び電流結合孔５に
流入した直後に円板状支持導体４の右側表面を介
して円筒状導体３側へ分流した電流は、何れも円
筒状導体３と外部導体１間の容量を介して外部へ
流出するので、所要の特性形成に悪影響を及ぼす
おそれはない。
入せず、円板状支持導体４の左側表面を介して円
筒状導体３側へ分流した電流及び電流結合孔５に
流入した直後に円板状支持導体４の右側表面を介
して円筒状導体３側へ分流した電流は、何れも円
筒状導体３と外部導体１間の容量を介して外部へ
流出するので、所要の特性形成に悪影響を及ぼす
おそれはない。
第１図には、回路次数ｎを５に選び、減衰域に
おいてワグナ特性を呈する超短波帯における低域
通過ろ波器の設計製作の場合について説明した
が、回路次数を適宜増減し、任意所要の伝送特性
を有する低域通過ろ波器についても同様にして本
発明を実施することが出来る。
おいてワグナ特性を呈する超短波帯における低域
通過ろ波器の設計製作の場合について説明した
が、回路次数を適宜増減し、任意所要の伝送特性
を有する低域通過ろ波器についても同様にして本
発明を実施することが出来る。
又、第１図には、容量入力形の低域通過ろ波器
に本発明を実施した場合を例示してあるが、イン
ダクタンス入力形の低域通過ろ波器に実施した場
合、即ち、内部導体２の両端面に入出力同軸端子
７1及び７2の各内部導体を接続し、７1及び７2の
各外部導体を外部導体１の両端面に接続した場合
には、容量入力形に比し、全体の軸長が長くなる
のを避け得ないが、前記と同様にして本発明を実
施することが出来る。
に本発明を実施した場合を例示してあるが、イン
ダクタンス入力形の低域通過ろ波器に実施した場
合、即ち、内部導体２の両端面に入出力同軸端子
７1及び７2の各内部導体を接続し、７1及び７2の
各外部導体を外部導体１の両端面に接続した場合
には、容量入力形に比し、全体の軸長が長くなる
のを避け得ないが、前記と同様にして本発明を実
施することが出来る。
第１図には、内部導体２に直径の大なる部分と
小なる部分とを設けた場合を例示したが、内部導
体２の直径を全長に亙つて一様ならしめ、適宜間
隔を隔てて円板状支持導体４を設け、各円板状支
持導体４に円筒状導体３を支持せしめることによ
り、全ての容量素子部を円板状支持導体４及び円
筒状導体３を以て形成するようにしてもよい。
小なる部分とを設けた場合を例示したが、内部導
体２の直径を全長に亙つて一様ならしめ、適宜間
隔を隔てて円板状支持導体４を設け、各円板状支
持導体４に円筒状導体３を支持せしめることによ
り、全ての容量素子部を円板状支持導体４及び円
筒状導体３を以て形成するようにしてもよい。
この場合におて、初段及び終段の円筒状導体３
に入出力同軸端子７1及び７2を結合せしめるとき
は、初段及び終段の円板状支持導体４を除いた他
の全ての円板状支持導体４に電流結合孔５を穿
ち、内部導体２の両端面に入出力同軸端子７1及
び７2を結合せしめるときは、初段及び終段の円
板状支持導体４を含めて全ての円板状支持導体４
に電流結合孔５を穿つことが最も望ましい。
に入出力同軸端子７1及び７2を結合せしめるとき
は、初段及び終段の円板状支持導体４を除いた他
の全ての円板状支持導体４に電流結合孔５を穿
ち、内部導体２の両端面に入出力同軸端子７1及
び７2を結合せしめるときは、初段及び終段の円
板状支持導体４を含めて全ての円板状支持導体４
に電流結合孔５を穿つことが最も望ましい。
本発明は、短波乃至マイクロ波帯の低域通過ろ
波器に実施し得るが、特にマイクロ波用の低域通
過ろ波器に実施する場合には、第４図に示すよう
に、一様な直径を有する内部導体２の軸方向に適
宜間隔を隔てて適宜数の円板状導体８を突設せし
め、初段及び終段の円板状支持導体８の外周縁に
入出力同軸端子７1及び７2の内部導体を結合せし
め、初段及び終段以外の円板状導体８に電流結合
孔５を穿つことにより、円板状導体８の外周縁と
内部導体１間の容量及び円板状導体８を設けてい
ない内部導体２の部分におけるインダクタンスに
よつて分布定数形低域通過ろ波器を構成すること
が出来る。
波器に実施し得るが、特にマイクロ波用の低域通
過ろ波器に実施する場合には、第４図に示すよう
に、一様な直径を有する内部導体２の軸方向に適
宜間隔を隔てて適宜数の円板状導体８を突設せし
め、初段及び終段の円板状支持導体８の外周縁に
入出力同軸端子７1及び７2の内部導体を結合せし
め、初段及び終段以外の円板状導体８に電流結合
孔５を穿つことにより、円板状導体８の外周縁と
内部導体１間の容量及び円板状導体８を設けてい
ない内部導体２の部分におけるインダクタンスに
よつて分布定数形低域通過ろ波器を構成すること
が出来る。
尚、入出力同軸端子７1及び７2の内部導体を内
部導体２の両端面に結合してインダクタンス入力
形に形成する場合には、初段及び終段の円板状導
体８を含めて全ての円板状導体８に電流結合孔５
を穿つことが最も望ましい。
部導体２の両端面に結合してインダクタンス入力
形に形成する場合には、初段及び終段の円板状導
体８を含めて全ての円板状導体８に電流結合孔５
を穿つことが最も望ましい。
発明の効果
本発明においては、一部或は全ての容量素子部
を、電流結合孔を穿つた円板状支持導体及びこれ
にに支持された円筒状導体を以て形成するか、電
流結合孔を穿つた円板状導体を以て形成すること
により、全体の軸長を短縮し得ると共に、計算値
に対して±10％以内の寸法誤差を以て設計値通り
の良好な特性を有する低域通過ろ波器を構成する
ことが出来、又、容量素子部において効果的な熱
放射を行わせ得るので、大電力用として好適で、
容量素子部を円筒状導体及び導体円板又は単に導
体円板を以て形成してあるから重量も軽く、内部
導体を筒体を以て形成するときは、重量を著しく
軽くすることが可能である。
を、電流結合孔を穿つた円板状支持導体及びこれ
にに支持された円筒状導体を以て形成するか、電
流結合孔を穿つた円板状導体を以て形成すること
により、全体の軸長を短縮し得ると共に、計算値
に対して±10％以内の寸法誤差を以て設計値通り
の良好な特性を有する低域通過ろ波器を構成する
ことが出来、又、容量素子部において効果的な熱
放射を行わせ得るので、大電力用として好適で、
容量素子部を円筒状導体及び導体円板又は単に導
体円板を以て形成してあるから重量も軽く、内部
導体を筒体を以て形成するときは、重量を著しく
軽くすることが可能である。
第１２図乃至第１４図は、第１図に示した本発
明低域通過ろ波器の各種特性の一例を示す曲線図
で、第１２図は伝送特性を示し、横軸は伝送周波
数ｆ（ＭHz）、縦軸は減衰量ATT（dB）である。
明低域通過ろ波器の各種特性の一例を示す曲線図
で、第１２図は伝送特性を示し、横軸は伝送周波
数ｆ（ＭHz）、縦軸は減衰量ATT（dB）である。
第１３図は反射特性を示し、横軸は伝送周波数
ｆ（ＭHz）、縦軸は反射損失Γ（dB）である。
ｆ（ＭHz）、縦軸は反射損失Γ（dB）である。
第１４図はインピーダンス特性を示すスミスチ
ヤートの部分拡大図で、各図から明らかなよう
に、何れの特性も極めて良好である。
ヤートの部分拡大図で、各図から明らかなよう
に、何れの特性も極めて良好である。
第１図乃至第４図は、本発明の実施例を示す
図、第５図乃至第１１図は、本発明低域通過ろ波
器の設計手法を説明するための図、第１２図乃至
第１４図は、本発明低域通過ろ波器の特性の一例
を示す曲線図で、１：外部導体、１1及び１5：外
部導体の端壁、２：内部導体、２1，２3及び２
５：内部導体の容量素子部、２2及び２4：内部導
体のインダクタンス素子部、３：円筒状導体、
４：円板状支持導体、５：電流結合孔、６：絶縁
支持体、７1及び７2：入出力同軸端子、８：円板
状導体である。
図、第５図乃至第１１図は、本発明低域通過ろ波
器の設計手法を説明するための図、第１２図乃至
第１４図は、本発明低域通過ろ波器の特性の一例
を示す曲線図で、１：外部導体、１1及び１5：外
部導体の端壁、２：内部導体、２1，２3及び２
５：内部導体の容量素子部、２2及び２4：内部導
体のインダクタンス素子部、３：円筒状導体、
４：円板状支持導体、５：電流結合孔、６：絶縁
支持体、７1及び７2：入出力同軸端子、８：円板
状導体である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 円筒状の外部導体及びこの外部導体内に同軸
状に設けた内部導体と、 前記外部導体及び内部導体間に形成される容量
素子部とインダクタンス部とを備えて成るろ波器
において、 前記内部導体に取り付けられて容量素子部を形
成する円板状導体に電流結合孔を穿つたことを特
徴とする低域通過ろ波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14046886A JPS62296601A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 低域通過ろ波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14046886A JPS62296601A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 低域通過ろ波器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62296601A JPS62296601A (ja) | 1987-12-23 |
| JPH0311121B2 true JPH0311121B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15269297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14046886A Granted JPS62296601A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 低域通過ろ波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62296601A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2048517A1 (en) | 2007-10-09 | 2009-04-15 | Optex Co. Ltd. | Laser area sensor |
| EP2053427A1 (en) | 2007-10-26 | 2009-04-29 | Optex Co. Ltd. | Laser area sensor |
| US8420998B2 (en) | 2007-10-26 | 2013-04-16 | Optex Co., Ltd. | Target detecting and determining method for detecting and determining target based on height information and storage medium for storing program executing target detecting and determining method |
| WO2014045817A1 (ja) | 2012-09-19 | 2014-03-27 | オプテックス株式会社 | レーザースキャンセンサ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4913217B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2012-04-11 | 島田理化工業株式会社 | ローパスフィルタ |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP14046886A patent/JPS62296601A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2048517A1 (en) | 2007-10-09 | 2009-04-15 | Optex Co. Ltd. | Laser area sensor |
| EP2053427A1 (en) | 2007-10-26 | 2009-04-29 | Optex Co. Ltd. | Laser area sensor |
| US8420998B2 (en) | 2007-10-26 | 2013-04-16 | Optex Co., Ltd. | Target detecting and determining method for detecting and determining target based on height information and storage medium for storing program executing target detecting and determining method |
| WO2014045817A1 (ja) | 2012-09-19 | 2014-03-27 | オプテックス株式会社 | レーザースキャンセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62296601A (ja) | 1987-12-23 |
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