JP7422077B2 - 高電力無線周波数の螺旋コイルフィルタ - Google Patents
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Description
本願は、2017年12月29日出願の米国特許仮出願第62/612,015号の優先権の利益を主張する、2018年3月22日出願の米国特許仮出願第15/933,213号の優先権の利益を主張する。それらの各々は、その全てが参照により本明細書に援用される。
[形態1]
無線周波数(RF)フィルタ装置であって、
間隔をおいた配置で互いに電気結合された複数の略平面螺旋フィルタであって、各々は、内側同士の電気的接続または外側同士の電気的接続のいずれかとして隣接する略平面螺旋フィルタに結合され、連続的な構成で配置される複数の略平面螺旋フィルタを備える、無線周波数フィルタ装置。
[形態2]
形態1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、実質的に互いに平行に積み重ねられる、無線周波数フィルタ装置。
[形態3]
形態2に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、空芯をさらに備える、無線周波数フィルタ装置。
[形態4]
形態2に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、強磁性コア材料をさらに備える、無線周波数フィルタ装置。
[形態5]
形態1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、約500ワットから約50キロワットを処理可能な撚線構造を備える、無線周波数フィルタ装置。
[形態6]
形態1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、約500オームから約10キロオームのインピーダンス値を提供する、無線周波数フィルタ装置。
[形態7]
形態1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、約100kHzから約3MHzの範囲の低周波RF電力を低減させる、無線周波数フィルタ装置。
[形態8]
形態1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタ間の距離は、実質的に等しい、無線周波数フィルタ装置。
[形態9]
形態1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタ間の距離は、異なる、無線周波数フィルタ装置。
[形態10]
形態9に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタ間の前記距離は、前記複数の略平面螺旋フィルタの各々からの対流冷却を向上させるために異なる、無線周波数フィルタ装置。
[形態11]
形態9に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する前記略平面螺旋フィルタ間の前記距離は、前記RFフィルタ装置の合計インピーダンス値を変更するために異なる、無線周波数フィルタ装置。
[形態12]
形態1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの少なくとも1つの略平面螺旋フィルタのピッチは、前記螺旋フィルタの全ての部分において径方向に均一である、無線周波数フィルタ装置。
[形態13]
形態1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの少なくとも1つの略平面螺旋フィルタのピッチは、前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタのピッチとは異なる、無線周波数フィルタ装置。
[形態14]
形態1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの少なくとも1つの前記略平面螺旋フィルタのピッチは、前記螺旋フィルタの一区画から別の区画まで径方向に異なる、無線周波数フィルタ装置。
[形態15]
システムであって、
プラズマ処理システムの静電チャックに結合された低周波無線周波数(RF)フィルタであって、約100kHzから約3MHzの周波数範囲のRF周波数を実質的にブロックし、間隔をおいた配置で互いに電気結合された複数の略平面螺旋フィルタを有する低周波RFフィルタと、
約3MHzを超えるRF周波数を実質的にブロックするためのソレノイド配置の高周波RFフィルタと、
を備える、システム。
[形態16]
形態15に記載のシステムであって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、内側同士の電気的接続または外側同士の電気的接続のいずれかとして前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタに結合される、システム。
[形態17]
形態15に記載のシステムであって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、第1部分および第2部分を含み、前記第1部分から前記第2部分に略平行な曲線を有する実質的に一定のピッチを有する、システム。
[形態18]
形態15に記載のシステムであって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、第1部分および第2部分を含み、前記第1部分から前記第2部分に異なるピッチを有する、システム。
[形態19]
形態15に記載のシステムであって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各略平面螺旋フィルタのピッチは、アルキメデスの螺旋に近似する、システム。
[形態20]
形態15に記載のシステムであって、
前記低周波RFフィルタおよび前記高周波RFフィルタは、プラズマ型処理システムのRFフィルタ筐体内に設置されるような物理的サイズにされる、システム。
[形態21]
無線周波数(RF)フィルタ装置であって、
間隔をおいた配置で互いに平行に電気結合された複数の略平面螺旋フィルタであって、各々は、約500ワットから約50キロワットを処理可能な撚線構造を有する複数の略平面螺旋フィルタを備える、RFフィルタ装置。
[形態22]
形態21に記載の無線周波数(RF)フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、前記複数の略平面螺旋フィルタの連続する略平面螺旋フィルタの配置に基づいて、内側同士の電気的接続または外側同士の電気的接続のいずれかとして前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタに結合される、RFフィルタ装置。
[形態23]
形態21に記載の無線周波数(RF)フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタ間の磁路の強め合い干渉を増加させるように配置される、RFフィルタ装置。
[形態24]
形態21に記載の無線周波数(RF)フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、空芯設計に基づく、RFフィルタ装置。
[形態25]
無線周波数(RF)フィルタ装置であって、
間隔をおいた配置で互いに電気結合された複数の略平面螺旋フィルタであって、各々は、内側同士の電気的接続または外側同士の電気的接続のいずれかとして前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタに結合され、隣接する略平面螺旋フィルタ同士は、互いに逆方向に巻き付けられ、連続的な構成で配置される複数の略平面螺旋フィルタを備える、RFフィルタ装置。
[形態26]
装置であって、
約100kHzから約3MHzの周波数範囲のRF周波数を、約500ワットから約50キロワットの電力レベルで実質的にブロックするための低周波無線周波数(RF)フィルタであって、空芯装置として配置された複数の略平面螺旋フィルタを有する低周波RFフィルタを備える、装置。
Claims (20)
- 無線周波数(RF)フィルタ装置であって、
間隔をおいた配置で互いに電気結合された複数の略平面螺旋フィルタであって、各々は、内側同士の電気的接続または外側同士の電気的接続のいずれかとして隣接する略平面螺旋フィルタに結合され、交互の前記内側同士および前記外側同士の接続は、強め合うように干渉する磁路を形成する、略平面螺旋フィルタを備え、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、連続的な構成で配置され、前記略平面螺旋フィルタの各々は、コイルである前記略平面螺旋フィルタの特定の端から見て同一方向に巻き付けられており、
前記無線周波数フィルタ装置は、さらに、
前記複数の略平面螺旋フィルタと電気的に接続されたソレノイドRFフィルタであって、前記複数の略平面螺旋フィルタの巻き軸の方向は、前記ソレノイドRFフィルタの巻き軸を実質的に横断する、ソレノイドRFフィルタを備え、
前記無線周波数フィルタ装置は、プラズマ型処理システムに結合されるように構成されており、
前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタ間の距離は、前記複数の略平面螺旋フィルタの各々からの対流冷却を向上させるために異なる、無線周波数フィルタ装置。 - 請求項1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、実質的に互いに平行に積み重ねられる、無線周波数フィルタ装置。 - 請求項2に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、空芯をさらに備える、無線周波数フィルタ装置。 - 請求項2に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、強磁性コア材料をさらに備える、無線周波数フィルタ装置。 - 請求項1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、約500ワットから約50キロワットを処理可能な撚線構造を備える、無線周波数フィルタ装置。 - 請求項1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、約500オームから約10キロオームのインピーダンス値を提供する、無線周波数フィルタ装置。 - 請求項1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、約100kHzから約3MHzの範囲の低周波RF電力を低減させる、無線周波数フィルタ装置。 - 請求項1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの少なくとも1つの略平面螺旋フィルタのピッチは、前記螺旋フィルタの全ての部分において径方向に均一である、無線周波数フィルタ装置。 - 請求項1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの少なくとも1つの略平面螺旋フィルタのピッチは、前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタのピッチとは異なる、無線周波数フィルタ装置。 - 請求項1に記載の無線周波数フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの少なくとも1つの前記略平面螺旋フィルタのピッチは、前記螺旋フィルタの一区画から別の区画まで径方向に異なる、無線周波数フィルタ装置。 - システムであって、
プラズマ処理システムの静電チャックに結合された低周波無線周波数(RF)フィルタであって、約100kHzから約3MHzの周波数範囲のRF周波数を実質的にブロックし、間隔をおいた配置で互いに電気結合された複数の略平面螺旋フィルタを有する低周波RFフィルタと、
約3MHzを超えるRF周波数を実質的にブロックするためのソレノイド配置の高周波RFフィルタと、を備え、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、内側同士の電気的接続または外側同士の電気的接続のいずれかとして隣接する略平面螺旋フィルタに結合され、交互の前記内側同士および前記外側同士の接続は、強め合うように干渉する磁路を形成し、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、連続的な構成で配置され、前記略平面螺旋フィルタの各々は、コイルである前記略平面螺旋フィルタの特定の端から見て同一方向に巻き付けられており、
前記高周波RFフィルタは、前記低周波RFフィルタと電気的に接続されており、
前記複数の略平面フィルタの巻き軸の方向は、前記高周波RFフィルタの巻き軸を実質的に横断しており、
前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタ間の距離は、前記複数の略平面螺旋フィルタの各々からの対流冷却を向上させるために異なる、システム。 - 請求項11に記載のシステムであって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、第1部分および第2部分を含み、前記第1部分から前記第2部分に略平行な曲線を有する実質的に一定のピッチを有し、
前記第1部分は、前記略平面螺旋フィルタを形成する螺旋の一部であり、
前記第2部分は、前記略平面螺旋フィルタを形成する前記螺旋の他の一部である
、システム。 - 請求項11に記載のシステムであって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、第1部分および第2部分を含み、前記第1部分から前記第2部分に異なるピッチを有し、
前記第1部分は、前記略平面螺旋フィルタを形成する螺旋の一部であり、
前記第2部分は、前記略平面螺旋フィルタを形成する前記螺旋の他の一部である、システム。 - 請求項11に記載のシステムであって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各略平面螺旋フィルタのピッチは、アルキメデスの螺旋に近似する、システム。 - 請求項11に記載のシステムであって、
前記低周波RFフィルタおよび前記高周波RFフィルタは、プラズマ型処理システムのRFフィルタ筐体内に設置されるような物理的サイズにされる、システム。 - 無線周波数(RF)フィルタ装置であって、
間隔をおいた配置で互いに平行に電気結合された複数の略平面螺旋フィルタであって、各々は、約500ワットから約50キロワットを処理可能な撚線構造を有する複数の略平面螺旋フィルタを備え、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、内側同士の電気的接続または外側同士の電気的接続のいずれかとして隣接する略平面螺旋フィルタに結合され、交互の前記内側同士および前記外側同士の接続は、強め合うように干渉する磁路を形成し、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、連続的な構成で配置され、前記略平面螺旋フィルタの各々は、コイルである前記略平面螺旋フィルタの特定の端から見て同一方向に巻き付けられており、
前記RFフィルタ装置は、さらに、
前記複数の略平面螺旋フィルタと電気的に接続されたソレノイドRFフィルタであって、前記複数の略平面螺旋フィルタの巻き軸の方向は、前記ソレノイドRFフィルタの巻き軸を実質的に横断する、ソレノイドRFフィルタを備え、
前記RFフィルタ装置は、プラズマ型処理システムに結合されるように構成されており、
前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタ間の距離は、前記複数の略平面螺旋フィルタの各々からの対流冷却を向上させるために異なる、RFフィルタ装置。 - 請求項16に記載の無線周波数(RF)フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタ間の磁路の強め合い干渉を増加させるように配置される、RFフィルタ装置。 - 請求項16に記載の無線周波数(RF)フィルタ装置であって、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、空芯設計に基づく、RFフィルタ装置。 - 無線周波数(RF)フィルタ装置であって、
間隔をおいた配置で互いに電気結合された複数の略平面螺旋フィルタであって、各々は、内側同士の電気的接続または外側同士の電気的接続のいずれかとして前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタに結合され、隣接する略平面螺旋フィルタ同士は、互いに逆方向に巻き付けられ、連続的な構成で配置される複数の略平面螺旋フィルタと、
前記複数の略平面螺旋フィルタと電気的に接続されたソレノイドRFフィルタであって、前記複数の略平面螺旋フィルタの巻き軸の方向は、前記ソレノイドRFフィルタの巻き軸を実質的に横断する、ソレノイドRFフィルタと、を備え、
前記RFフィルタ装置は、プラズマ型処理システムに結合されるように構成されており、
前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタ間の距離は、前記複数の略平面螺旋フィルタの各々からの対流冷却を向上させるために異なる、RFフィルタ装置。 - 装置であって、
約100kHzから約3MHzの周波数範囲のRF周波数を、約500ワットから約50キロワットの電力レベルで実質的にブロックするための低周波無線周波数(RF)フィルタであって、空芯装置として配置された複数の略平面螺旋フィルタを有する低周波RFフィルタを備え、
前記複数の略平面螺旋フィルタの各々は、内側同士の電気的接続または外側同士の電気的接続のいずれかとして隣接する略平面螺旋フィルタに結合され、交互の前記内側同士および前記外側同士の接続は、強め合うように干渉する磁路を形成し、
前記複数の略平面螺旋フィルタは、連続的な構成で配置され、前記略平面螺旋フィルタの各々は、コイルである前記略平面螺旋フィルタの特定の端から見て同一方向に巻き付けられており、
前記装置は、さらに、
前記複数の略平面螺旋フィルタと電気的に接続されたソレノイドRFフィルタであって、前記複数の略平面螺旋フィルタの巻き軸の方向は、前記ソレノイドRFフィルタの巻き軸を実質的に横断する、ソレノイドRFフィルタを備え、
前記装置は、プラズマ型処理システムに結合されるように構成されており、
前記複数の略平面螺旋フィルタの隣接する略平面螺旋フィルタ間の距離は、前記複数の略平面螺旋フィルタの各々からの対流冷却を向上させるために異なる、装置。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10715095B2 (en) * | 2017-10-06 | 2020-07-14 | Lam Research Corporation | Radiofrequency (RF) filter for multi-frequency RF bias |
US11659650B2 (en) * | 2020-12-18 | 2023-05-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Dual-spiral common-mode filter |
CN115602406A (zh) * | 2021-07-09 | 2023-01-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司(Cn) | 用于产生等离子体的线圈装置及半导体工艺设备 |
DE102021131439A1 (de) | 2021-11-30 | 2023-06-01 | TDK Europe GmbH | Drosselmodul |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004228822A (ja) | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 電灯線搬送装置 |
JP2008034812A (ja) | 2006-06-13 | 2008-02-14 | Applied Materials Inc | プラズマリアクタの加熱静電チャックのための高ac電流、高rf電力なac−rf分離フィルタ |
JP2008198902A (ja) | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2012156281A (ja) | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Yazaki Corp | 空芯コイル |
JP2012248630A (ja) | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Tdk Corp | コイル部品及びその製造方法 |
JP2013543252A (ja) | 2010-08-06 | 2013-11-28 | ラム リサーチ コーポレーション | 高周波(rf)パワーフィルタ及びrfパワーフィルタを備えるプラズマ処理システム |
KR101522894B1 (ko) | 2013-03-07 | 2015-05-26 | 세메스 주식회사 | 필터 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 |
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Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55122308U (ja) * | 1979-02-23 | 1980-08-30 | ||
JPH0686321U (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-13 | 株式会社アイキューフォー | 空芯チョークコイル |
JP2972707B1 (ja) * | 1998-02-26 | 1999-11-08 | 松下電子工業株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
US6380608B1 (en) * | 1999-06-01 | 2002-04-30 | Alcatel Usa Sourcing L.P. | Multiple level spiral inductors used to form a filter in a printed circuit board |
DE10046917A1 (de) * | 1999-09-21 | 2001-05-03 | Murata Manufacturing Co | LC-Filter |
US6453842B1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-09-24 | Applied Materials Inc. | Externally excited torroidal plasma source using a gas distribution plate |
EP1417691B1 (en) * | 2001-08-09 | 2009-12-16 | Nxp B.V. | Planar inductive component and a planar transformer |
US7571697B2 (en) * | 2001-09-14 | 2009-08-11 | Lam Research Corporation | Plasma processor coil |
US6847282B2 (en) * | 2001-10-19 | 2005-01-25 | Broadcom Corporation | Multiple layer inductor and method of making the same |
JP2004266784A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-09-24 | Murata Mfg Co Ltd | ノイズフィルタ |
US6998938B2 (en) | 2004-03-10 | 2006-02-14 | Chi Mei Communication Systems, Inc. | Lumped-element low-pass filter in multi-layered substrate |
JP2007112689A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Tdk Corp | 誘電体粉末の製造方法、複合電子部品およびその製造方法 |
GB0523969D0 (en) * | 2005-11-25 | 2006-01-04 | Zarlink Semiconductor Ltd | Inductivwe component |
US8116862B2 (en) * | 2006-06-08 | 2012-02-14 | Greatbatch Ltd. | Tank filters placed in series with the lead wires or circuits of active medical devices to enhance MRI compatibility |
JP4903610B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
TWI397930B (zh) * | 2007-11-06 | 2013-06-01 | Via Tech Inc | 螺旋電感元件 |
CN102231313B (zh) * | 2009-12-08 | 2014-04-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 利用金属并联的多层堆叠电感 |
JP6001932B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
JP6050722B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2016-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
US9570222B2 (en) * | 2013-05-28 | 2017-02-14 | Tdk Corporation | Vector inductor having multiple mutually coupled metalization layers providing high quality factor |
JP2015012137A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | パナソニック株式会社 | 電力伝送コイルユニット |
US9251948B2 (en) | 2013-07-24 | 2016-02-02 | International Business Machines Corporation | High efficiency on-chip 3D transformer structure |
US20150130579A1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-05-14 | Qualcomm Incorporated | Multi spiral inductor |
US9312832B2 (en) | 2014-07-23 | 2016-04-12 | Lam Research Corporation | High power filter with single adjust for multiple channels |
US10879041B2 (en) | 2015-09-04 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of achieving high input impedance without using ferrite materials for RF filter applications in plasma chambers |
JP6637846B2 (ja) * | 2016-06-23 | 2020-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタを設計する方法 |
-
2018
- 2018-03-22 US US15/933,213 patent/US10812033B2/en active Active
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004228822A (ja) | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 電灯線搬送装置 |
JP2008034812A (ja) | 2006-06-13 | 2008-02-14 | Applied Materials Inc | プラズマリアクタの加熱静電チャックのための高ac電流、高rf電力なac−rf分離フィルタ |
JP2008198902A (ja) | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2013543252A (ja) | 2010-08-06 | 2013-11-28 | ラム リサーチ コーポレーション | 高周波(rf)パワーフィルタ及びrfパワーフィルタを備えるプラズマ処理システム |
JP2012156281A (ja) | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Yazaki Corp | 空芯コイル |
JP2012248630A (ja) | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Tdk Corp | コイル部品及びその製造方法 |
KR101522894B1 (ko) | 2013-03-07 | 2015-05-26 | 세메스 주식회사 | 필터 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 |
WO2016114232A1 (ja) | 2015-01-16 | 2016-07-21 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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