KR20190073545A - 필터 회로, 가열 회로 및 반도체 처리 장치 - Google Patents

필터 회로, 가열 회로 및 반도체 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190073545A
KR20190073545A KR1020197015973A KR20197015973A KR20190073545A KR 20190073545 A KR20190073545 A KR 20190073545A KR 1020197015973 A KR1020197015973 A KR 1020197015973A KR 20197015973 A KR20197015973 A KR 20197015973A KR 20190073545 A KR20190073545 A KR 20190073545A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
filter circuit
load
heating
inductor
function
Prior art date
Application number
KR1020197015973A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102228101B1 (ko
Inventor
샤오양 쳉
강 웨이
하이타오 유
Original Assignee
베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. filed Critical 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
Publication of KR20190073545A publication Critical patent/KR20190073545A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102228101B1 publication Critical patent/KR102228101B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J3/00—Circuit arrangements for ac mains or ac distribution networks
    • H02J3/01—Arrangements for reducing harmonics or ripples
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/09—Filters comprising mutual inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
    • H01F1/04—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H1/0007—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network of radio frequency interference filters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/06—Control, e.g. of temperature, of power
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/36—Coil arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/36—Coil arrangements
    • H05B6/44—Coil arrangements having more than one coil or coil segment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H01F2017/0026—Multilayer LC-filter

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

필터 회로, 가열 회로 및 반도체 처리 장치가 제공되고; 상기 필터 회로(5)는 가열원(1)과 부하(2) 사이에 연결되고 상기 부하를 필터링하는데 사용되고; 병렬로 연결된 인덕턴스 분기 경로(3) 및 커패시턴스 분기 경로(4)가 포함되고; 상기 인덕턴스 분기 경로는 통합된 구조를 갖는 통합된 부품을 포함하고; 상기 통합된 부품은 변압기 기능부(31) 및 인덕턴스 기능부(32)를 갖게 형성되고; 상기 인덕턴스 기능부는 상기 가열원과 상기 변압기 기능부 사이에 직렬로 연결되고, 상기 부하를 필터링하는데 사용되고; 상기 변압기 기능부는 상기 부하와 병렬로 연결되고, 상기 가열원에 의해 출력된 가열 전기 신호를 상기 부하에 전달하는데 사용된다. 상기 필터 회로는 감소된 체적을 갖고 더 적은 공간을 차지하며 상기 필터 회로의 소형화 요건을 만족시킬 수 있으면서, 상기 필터 회로의 부품의 수를 줄여서 상기 필터 회로의 디바이스 비용을 감소시킬 수 있다.

Description

필터 회로, 가열 회로 및 반도체 처리 장치
본 발명은 반도체 디바이스 제조 기술 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 필터 회로, 가열 회로 및 반도체 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스에서, 실리콘 에칭 공정을 위한 플라즈마 처리 장치는 전형적으로 무선 주파수(radio frequency: RF) 전력원으로부터 RF 에너지를 챔버 내로 공급하여 고진공 상태 하에서 특별한 가스(예를 들어, 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N2) 등)를 이온화하여 다량의 활성 입자(전자, 이온, 여기된 원자 및 분자, 라디칼 등)를 포함하는 플라즈마를 생성하는 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma: ICP) 원리를 사용한다. 이러한 활성 입자는 챔버 내에 배치되어 플라즈마 환경에 노출된 웨이퍼와 상호 작용하여 웨이퍼 물질의 표면 상에 다양한 물리적 및 화학적 반응을 일으켜 웨이퍼 물질의 표면 특성을 변화시키고 웨이퍼의 에칭 공정을 완료한다.
대형 웨이퍼의 에칭 공정에서 중요한 기술적 지표 중 하나는 공정 균일성이다. 공정 균일성을 결정하는 요인은 전기장, 자기장, 온도, 온도가 매우 중요한 요인인 챔버 내 공기흐름 장 등과 같은 다수의 물리적 장의 균일성을 포함한다. 예를 들어, 90㎚ 미만의 에칭 공정에서, 기존의 정전 척(electrostatic chuck)은 통상적으로 단일 온도 영역, 즉 웨이퍼를 가열하는 하나의 영역을 가져서, 상이한 웨이퍼 구역 상의 온도 차이를 보상할 수 없어서 공정에서 온도 균일성의 효과를 달성하지 못한다. 더 작은 선폭 공정의 개발로, 이중 온도 영역 정전 척 또는 심지어 다중 온도 영역 정전 척이 실리콘 에칭 장치의 주요 기술이 되었다. 예를 들어, 현재 28㎚ 내지 65㎚ 실리콘 에칭 공정에는 이중 온도 영역 정전 척이 필요하다.
도 1은 이중 온도 영역 정전 척의 가열 회로의 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이중 온도 영역 정전 척은 웨이퍼를 가열하기 위한 가열 층, 교류 전류(alternating current: AC) 전력원(22), 및 온도 제어기(23)를 포함하고, 내부 링 가열기(20) 및 외부 링 가열기(21)는 웨이퍼의 중심 구역 및 에지(edge) 구역을 공정에 필요한 온도로 각각 가열하기 위해 가열 층에 배치된다. 온도 제어기(23)는 각각 내부 링 가열기(20) 및 외부 링 가열기(21)의 출력 전력을 제어하기 위한 것이다. AC 전력원(22)은 전기 에너지를 제공하도록 구성된다. 정전 척에 전기적으로 연결된 하향 RF 전력원에 의해 출력된 고주파 신호의 영향 하에서, 고주파 신호가 가열 층 단자에 존재한다. 따라서, 고주파 신호가 가열 회로를 통해 온도 제어기(23) 및 AC 전력원(22)에 전달되어 디바이스에 손상이 일어나는 것을 방지하기 위해, 통상적으로 가열 층 단자 상의 고주파 신호를 필터링하는 것을 수행하기 위한 필터 회로(5)를 가열 회로에 제공하는 것이 필요하다.
다시 도 1을 참조하면, 필터 회로(5)는 4개의 인덕터 분기(inductor branch)를 포함하고, 각각의 인덕터 분기는 커패시터 분기와 병렬로 연결된다. 각각의 인덕터 분기는 부하(내부 링 가열기(inner ring heater)(20) 또는 외부 링 가열기(21))와 AC 전력원(22) 사이에 직렬로 연결된다. AC 전력원(22)에 의해 출력된 AC 신호는 필터 회로(5)를 통해 가열 층에 도달한다. 가열 회로(5)는 인덕터(L), 커패시터(C) 등과 같은 수동 부품에 의해 저역 통과 필터 회로를 형성한다.
실제 응용에서, 전술한 필터 회로(5)에는 다음과 같은 문제가 불가피하게 발생한다.
첫째, 임의의 고주파 간섭 신호가 부하의 단자를 통해 AC 전력원(22)에 전달되는 것을 회피하기 위해, 각각의 부하에 대응하는 인덕터 분기에 2개의 인덕터가 제공될 것이 요구되고, 2개의 인덕터는 부하의 2개의 단자와 각각 직렬로 연결되는데, 이는 필터 회로(5)에 포함되는 부품의 수가 많아져서, 필터 회로의 체적을 증가시킬 뿐만 아니라, 필터 회로의 디바이스 비용을 증가시킨다.
둘째, 2개의 인덕터 분기와 2개의 커패시터 분기가 각각의 부하에 대해 구성될 것이 요구된다. 예를 들어, 정전 척이 4개의 온도 영역을 갖는 경우 필터 회로는 8개의 인덕터 분기와 8개의 커패시터 분기를 갖게 구성될 필요가 있는데, 이는 필터 회로의 체적을 추가로 증가시키고 필터 회로(5) 내 부품의 수와 디바이스 비용을 증가시킨다.
기존 기술에 존재하는 상기 기술적 과제와 관련하여, 본 발명은 필터 회로, 가열 회로 및 반도체 처리 장치를 제공한다. 상기 필터 회로는 상기 필터 회로의 체적을 줄이고, 공간을 절약하며, 상기 필터 회로의 소형화를 실현할 뿐만 아니라, 상기 필터 회로의 부품 수를 줄이고, 상기 필터 회로의 디바이스 비용을 감소시킬 수 있다.
본 발명은 부하를 필터링하기 위해 가열원과 상기 부하 사이에 연결된 필터 회로를 제공한다. 상기 필터 회로는 병렬로 연결된 인덕터 분기 및 커패시터 분기를 포함하고, 여기서 상기 인덕터 분기는 일체형 구조의 통합된 부품(one-piece structured integrated component)을 포함한다. 상기 통합된 부품은 변압기 기능부(transformer function member) 및 인덕터 기능부(inductor function member)를 갖게 구성되고, 상기 인덕터 기능부는 상기 부하를 필터링하기 위해 상기 가열원과 상기 압력 변압기 기능부 사이에 직렬로 연결된다. 상기 전압 변환 기능은 상기 가열원에 의해 출력된 가열 전기 신호를 상기 부하에 전달하기 위해 상기 부하와 병렬로 연결된다.
바람직하게는, 상기 변압기 기능부는 폐루프 내에 제1 자기 코어(magnetic core)를 포함하고, 상기 제1 자기 코어는 서로 대향하는 제1 측 및 제2 측을 포함하고, 상기 제1 측에는 1차 코일이 권취되고, 상기 제2 측에는 2차 코일이 권취되며; 상기 2차 코일의 2개의 단자는 상기 부하의 양극과 음극에 각각 연결된다. 상기 인덕터 기능부는, 상기 제1 측의 단자에 각각 연결되고 상기 제1 측과 함께 비-폐쇄된 개방 링을 형성하는 2개의 제2 자기 코어를 포함한다. 상기 2개의 2차 코일에는 유도 코일이 권취되고, 상기 2개의 제2 자기 코어 상의 상기 2개의 유도 코일 각각의 하나의 단자는 상기 1차 코일의 2개의 단부에 각각 연결된다. 상기 2개의 제2 자기 코어 상의 상기 2개의 유도 코일 각각의 다른 단자는 상기 가열원의 양의 단자와 음의 단자에 각각 연결된다.
바람직하게는, 상기 제2 자기 코어는 원주 형상(columnar shape)을 갖는다; 상기 2개의 제2 자기 코어는 서로 평행하고, 상기 2개의 자기 코어 각각의 하나의 단자는 상기 제1 측의 단자에 각각 연결된다.
바람직하게는, 상기 제1 자기 코어 및 상기 제2 자기 코어는 강자성 물질을 사용하여 제조되고, 상기 강자성 물질의 인가 주파수는 400㎑ 내지 100㎒ 범위이다.
바람직하게는, 상기 강자성 물질은 니켈-아연 강자성 물질을 포함하고, 상기 니켈-아연 강자성 물질의 상대 자기 투자율은 100 내지 400 범위이고, 상기 니켈-아연 강자성 물질의 퀴리(curie) 온도는 350℃ 내지 450℃ 범위이고, 상기 니켈-아연 강자성 물질의 인가 주파수는 20㎒ 미만이다.
바람직하게는, 상기 1차 코일의 턴(turn) 수는 상기 2차 코일의 턴 수 이상이다.
바람직하게는, 상기 인덕터 기능부의 인덕턴스값은 40μH 내지 100μH의 범위이다.
바람직하게는, 상기 2개의 제2 자기 코어 상의 상기 유도 코일의 턴 수는 동일하고, 상기 2개의 제2 자기 코어 상의 상기 유도 코일의 인덕턴스값은 동일하다.
바람직하게는, 상기 커패시터 분기는 적어도 2개의 분기를 포함하고, 상기 인덕터 분기 각각 내의 상기 인덕터 기능부는 적어도 하나의 상기 커패시터 분기와 병렬로 연결된다.
바람직하게는, 상기 커패시터 분기는 커패시터를 포함하고, 상기 커패시터는 세라믹 커패시터를 사용한다.
다른 기술적 해결책으로서, 본 발명은, 처리 대상 가공부품을 운반하는 척을 가열하고 상기 척의 상이한 온도 영역의 온도를 개별적으로 제어하는 가열 회로를 더 제공한다. 상기 가열 회로는 가열원과 부하를 포함하고, 상기 가열원은 상기 부하를 가열하기 위한 전기 에너지를 공급하도록 구성되고, 상기 부하의 수는 상기 척의 온도 영역의 수와 일치하고, 일대일 대응으로 설정된다. 상기 가열 회로는 본 발명에 의해 제공되는 상기 필터링 회로를 더 포함한다. 상기 필터 회로의 입력 단자는 상기 가열원에 연결되고, 상기 필터 회로의 출력 단자는 상기 부하를 필터링하기 위해 상기 부하에 연결된다.
또 다른 기술적 해결책으로서, 본 발명은 처리 대상 가공부품을 운반하는 척, 및 상기 척의 상이한 온도 영역의 온도를 제어하는 가열 회로를 포함하는 반도체 처리 장치로서, 상기 가열 회로는 본 발명에 의해 제공되는 상기 가열 회로를 채용하는, 상기 반도체 처리 장치를 더 제공한다.
본 발명은 다음과 같은 유익한 효과를 갖는다.
본 발명이 제공하는 필터 회로는 일체형 구조의 통합된 부품을 포함하고, 통합된 부품은 변압기 기능부 및 인덕터 기능부를 갖게 구성된다. 인덕터 기능부는 부하를 필터링하기 위해 가열원과 변압기 기능부 사이에 직렬로 연결된다. 변압기 기능부는 가열원에 의해 출력된 가열 전기 신호를 부하에 전달하기 위해 부하와 병렬로 연결된다. 전술한 인덕터 분기는 전술한 통합된 부품을 채용하고, 통합된 부품은 변환 기능과 인덕턴스 기능을 통합한 통합된 구조를 채용하여 필터 회로의 부품 수를 삭감함으로써, 필터 회로의 체적을 줄이면서도 공간을 절약할 수 있다. 또한, 필터 회로의 디바이스 비용도 감소될 수 있다. 동시에 하나의 부하가 하나의 인덕터 분기에만 대응하므로, 기존에 하나의 부하에 대응하는 2개의 인덕터 분기에 비해, 동일한 인덕턴스 성능 요건 하에서 인덕터 분기의 체적을 크게 줄일 수 있다. 따라서, 필터 회로의 체적을 더욱 감소시킬 수 있고, 필터 회로의 소형화 요구를 실현할 수 있다.
본 발명이 제공하는 가열 회로는 본 발명에 의해 제공되는 상기 필터 회로를 이용하여, 필터 회로의 체적을 줄이고, 공간을 절약하며, 필터 회로의 소형화를 실현하고, 필터 회로의 부품 수를 감소시키며, 필터 회로의 디바이스 비용을 절감할 수 있다.
본 발명이 제공하는 반도체 처리 장치는 본 발명에 의해 제공되는 상기 가열 회로를 이용하여, 필터 회로의 체적을 줄이고, 공간을 절약하며, 필터 회로의 소형화를 실현하고, 필터 회로 내 부품 수를 감소시키며, 필터 회로의 디바이스 비용을 감소시킨다.
도 1은 기존 기술에서 이중 온도 영역 정전 척의 가열 회로의 개략 회로도;
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 필터 회로의 개략 회로도;
도 3은 도 2의 인덕터 분기의 개략 구조도; 및
도 4는 본 발명의 실시예 2의 가열 회로의 개략 회로도.
참조 부호는 다음과 같다.
1--가열원; 11-가열 전력원; 12--온도 제어 회로; 2--부하; 3--인덕터 분기; 4--커패시터 분기; 5--필터 회로; 31--변압기 기능부; 311--1차 코일; 312--2차 코일; 32--인덕터 기능부; 300--제1 자기 코어; 301--제1 측; 302--제2 측; 321--제2 자기 코어; T1--1차 코일; T2--2차 코일; T3--유도 코일; C--커패시터; 20--내부 링 가열기; 21--외부 링 가열기; 22--AC 전력원; 23--온도 제어기; L: 인덕터.
상세 설명
이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 해법을 보다 잘 이해할 수 있도록 하기 위해, 본 발명에 의해 제공되는 필터 회로, 가열 회로 및 반도체 처리 장치는 첨부 도면 및 특정 실시예를 참조하여 이하에서 보다 상세히 설명된다.
실시예 1
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 필터 회로의 개략 회로도이다. 도 3은 도 2의 인덕터 분기의 개략 구조도이다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 부하(2)를 필터링하기 위해 가열원(1)과 부하(2) 사이에 연결된 필터 회로를 제공한다. 필터 회로는 병렬로 연결된 인덕터 분기와 커패시터 분기(4)를 포함한다. 인덕터 분기는 일체형 구조의 통합된 구조물(3)을 포함하고, 통합된 부품(3)은 변압기 기능부(31) 및 인덕터 기능부(32)를 갖게 구성된다. 인덕터 기능부(32)는, 가열원(1) 및 변압기 기능부(31)와 직렬로 연결되고 부하(2)를 필터링하도록 구성된 유도 요소(inductive element)에 대응한다. 변압기 기능부(31)는, 부하(2)와 병렬로 연결되고 가열원(1)에 의해 출력된 가열 전기 신호를 부하(2)에 전달하도록 구성된 변압기 요소(transformer element)에 대응한다.
본 실시예에서, 가열원(1)은 가열 전력원(11)과 온도 제어 회로(12)를 포함하고, 가열 전력원(11)은 부하(2)에 가열 전기 신호를 공급하도록 구성되고, 온도 제어 회로(12)는 부하(2)의 온도를 제어하도록 구성된다. 반도체 처리 공정 동안, 처리 대상 가공부품을 운반하기 위한 척(예를 들어, 정전 척)은 통상적으로 하향 RF 전력원에 전기적으로 연결되고, 하향 RF 전력원은 부하(2)가 고주파수를 생성하게 하는 RF 전압을 척에 인가하는 데 사용된다. 고주파 신호의 주파수는 하향 RF 전력원의 무선 주파수 이하이고, 가열원(1)에 고주파 신호 간섭 또는 손상을 유발할 수 있다. 이러한 이유로, 부하(2)의 단부에서 생성된 고주파 신호는 인덕터 기능부(32)에 의해 필터링되어, 고주파 신호가 가열원(1)에 간섭 및 손상을 유발하지 않도록 할 수 있다. 동시에, 변압기 기능부(31)에 의해, 가열원(1)에 의해 출력된 가열 전기 신호는 부하(2)를 가열하기 위해 부하(2)에 전달될 수 있다.
전술한 통합된 부품(3)을 채용함으로써, 통합된 부품(3)은, 변압기 요소와 인덕턴스 요소의 기능을 통합한 일체형 구조를 채용함으로써, 필터 회로의 부품 수를 삭감할 수 있어서 필터 회로의 체적을 줄이고 공간을 절약할 수 있을 뿐만 아니라 필터 회로의 디바이스 비용을 절감할 수 있다. 또한, 동일한 인덕턴스 성능 요건을 달성하는 경우에, 기존 기술에서 하나의 부하에 대응하는 2개의 인덕터 분기에 비해, 하나의 부하(2)가 하나의 인덕터 분기(즉, 하나의 통합된 부품)에만 대응함으로써 인덕터 분기의 체적을 감소시킬 수 있고, 따라서, 필터 회로의 체적을 더욱 감소시키고, 필터 회로의 소형화 요건을 만족시킬 수 있다.
본 실시예에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 통합된 부품(3)에 이용되는 통합된 구조물은 "R" 형상을 갖고, 통합된 부품(3)은 변압기 요소로서 기능하는 변압기 기능부(31), 및 인덕터 요소로서 기능하는 인덕터 기능부(32)를 갖게 구성된다. 변압기 기능부(31)는 제1 자기 코어(300)를 포함하고, 제1 자기 코어(300)는 폐루프 형상, 예를 들어, 사각 링 형상을 갖는다. 또한, 제1 자기 코어(300)는 서로 대향하여 배치된 제1 측(301) 및 제2 측(302)을 포함한다. 제1 측(301)에는 (다수의 턴의 권선(T1)을 포함하는) 1차 코일(311)이 권취되고, 제2 측(302)에는 (다수의 턴의 권선(T2)을 포함하는) 2차 코일(312)이 권취된다. 2차 코일(312)의 두 단자는 부하(2)의 양의 단자와 음의 단자에 각각 연결된다. 1차 코일(311) 및 2차 코일(312)은 자기 결합법을 사용하여 부하(2)에 가열 전기 신호를 전달한다. 이러한 결합법은 회로의 접촉점을 감소시켜, 접촉 임피던스로 인한 열 발생 문제를 개선하고 에너지 손실을 감소시킨다.
인덕터 기능부(32)는, 제1 측(301)의 단자에 각각 연결되고 제1 측 에지(301)와 함께 비-폐쇄된 개방 루프를 형성하는 2개의 제2 자기 코어(321)를 포함한다. 2개의 제2 자기 코어(321)는 유도 코일(T3)로 각각 권취된다. 2개의 제2 자기 코어(321) 상의 각각의 유도 코일(T3)의 일 단자는 1차 코일(311)의 두 단자에 각각 연결되고, 2개의 제2 자기 코어(321) 상의 각각의 유도 코일(T3)의 다른 단자는 가열원(1)의 양의 단자와 음의 단자에 각각 연결된다.
바람직하게는, 제2 자기 코어(321)는 원주 형상을 갖고, 2개의 제2 자기 코어(321)는 서로 평행하며, 제2 자기 코어(321)의 일 단부는 제1 측(301)의 단자에 각각 연결된다. 그리하여, 상기 통합된 부품의 전체 구조는 더욱 소형이어서, 인덕터 분기의 체적을 크게 감소시켜, 전체 필터 회로에 의해 점유된 공간을 절약한다.
일례로 이중 온도 영역 정전 척의 필터 회로를 취하면, 기존 기술에서, 필터 회로의 인덕터 분기는 종래의 인덕터를 사용하고, 각각의 종래의 인덕터는 35㎜의 직경, 140㎜의 길이, 및 1.5㎜의 권선 직경을 갖고; 필터 회로의 커패시터 분기는 15㎜의 길이, 10㎜의 폭, 및 3㎜의 높이인 표준 고전압 세라믹 커패시터를 사용한다. 기존의 인덕터와 커패시터로 구성된 4개의 필터 분기는 필터 회로에 구성되는데 요구되고, 4개의 필터 분기는 전체 필터 회로 박스를 형성하며, 필터 회로 상자의 크기는 420*210*105(길이*폭*높이)㎜이다.
이와 달리, 본 실시예에서, 통합된 부품(3)은 일체형 구조를 갖고 "R" 형상을 갖는다. "R" 형상 구조물에서, 폐루프의 제1 자기 코어(300)의 외부 링 에지는 48㎜의 길이, 32㎜의 폭 및 8㎜의 높이를 갖고; 내부 코어(300)는 16㎜의 내부 링 길이, 16㎜의 폭, 8㎜의 높이, 및 1.5㎜의 권선 직경을 갖는다. 본 실시예에서, 필터 회로는 "R" 형상 통합된 부품(3)으로 구성된 2개의 필터 분기를 갖게 구성될 필요가 있고, 2개의 필터 분기는 전체 필터 회로 박스를 형성한다.
이와 달리, 본 실시예에서 커패시터 분기의 체적이 기존의 기술에서 커패시터 분기의 체적과 동일한 경우, 본 실시예의 필터 회로 박스의 크기는 64*48*24(길이*폭*높이)㎜이고, 이는 기존 기술에서 필터 회로 상자의 크기보다 훨씬 더 작다. 한편, 본 실시예의 필터 회로는 2개의 "R" 형상의 통합된 부품(3)만을 필요로 하고, 기존 기술의 필터 회로에 사용되는 종래의 인덕터의 수(4)보다 더 적은 수의 부품을 사용한다. 따라서, 본 실시예의 커패시터의 수가 기존의 기술의 커패시터의 수와 동일한 경우, 본 실시예의 필터 회로에 사용되는 부품 수와 필터 분기의 수는 모두 절반으로 감소되고, 필터 회로의 체적을 크게 줄이고 전체 필터 회로가 차지하는 공간을 절약할 수 있을 뿐만 아니라 디바이스 비용을 절감할 수 있다.
바람직하게는, 제1 자기 코어(300) 및 제2 자기 코어(321)는 강자성 물질을 사용하여 제조되고, 강자성 물질의 인가 주파수는 400㎑ 내지 100㎒이다. 강자성 물질의 자기 코어는 주파수 범위에서 포화에 이르지 않기 때문에, 자기 코어의 자속은 주파수 범위 내에서 정상적으로 변할 수 있고, 부하의 단자에서 생성되는 고주파 신호의 주파수는 실질적으로 인가 주파수 범위 내에 있다. 따라서, 인덕터 기능부(32)로 기능하는 강자성 물질을 사용하는 제2 자기 코어(321)는 고주파수 신호를 잘 필터링할 수 있다. 또한, 강자성 물질은 넓은 인가 주파수 범위를 갖고, 자기 코어 물질을 사용한 인덕터 기능부(32)는 반도체 처리 공정에서 생성될 수 있는 다양한 주파수의 고주파 신호를 실질적으로 필터링할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 강자성 물질은 니켈-아연 강자성 물질이고, 니켈-아연 강자성 물질의 상대 자기 투자율은 100 내지 400이고, 니켈-아연 강자성 물질의 퀴리 온도는 350℃ 내지 450℃이고, 인가 주파수 범위는 20㎒ 미만이다. 자기 코어 물질을 사용하는 인덕터 기능부(32)는 부하(2)의 단자에서 고주파 신호(예를 들어, 13.56㎒의 신호)를 잘 필터링할 수 있어서, 가열원(1) 상의 고주파 신호의 간섭을 피할 수 있다. 자기 코어 물질을 사용하는 인덕터 기능부(32)의 유도 값은 온도에 따라 큰 변동이 없어서, 전체 필터 회로의 필터링 성능을 보다 안정되게 할 수 있다.
바람직하게는, 1차 코일(311)의 턴 수(즉, 권선 수(T1))는 2차 코일(312)의 턴 수(즉, 권선 수(T2)) 이상이다. 예를 들어, 1차 코일(311)의 턴 수 대 2차 코일(312)의 턴 수의 비는 1:1, 2:1, 3:1 또는 10:1 등이다. 그리하여 부하(2)는 더 큰 가열 전류를 얻을 수 있어서, 부하(2)가 정전 척의 대응하는 온도 영역을 신속히 가열하는 것을 용이하게 한다.
바람직하게는, 인덕터 기능부(32)의 인덕턴스값은 40μH 내지 100μH이다. 인덕터 기능부(32)의 실제 인덕턴스값은 필터링될 고주파수 신호의 주파수와 관련된다. 이 범위의 인덕턴스값을 갖는 인덕터 기능부(32)는 반도체 처리 공정에서 생성될 수 있는 다양한 주파수의 고주파 신호를 잘 필터링할 수 있다. 반도체 처리 공정에서 생성될 수 있는 고주파수 신호의 주파수는 예를 들어, 13.56㎒, 400㎑, 2㎒, 27.12㎒, 40㎒, 60㎒, 100㎒ 등이다.
설계 시에 필터링을 위한 인덕터 기능부(32)의 인덕턴스값은 하기 수식 1에 따라 계산되고 결정될 수 있다는 것을 알아야 한다:
Figure pct00001
수식 1
여기서, r은 유도 코일(T3)의 반경이고, ℓ은 유도 코일(T3)의 길이이고, N은 유도 코일(T3)의 턴 수이고, μ0는 진공 투자율 상수이고, μr는 제2 자기 코어(321)의 상대 투자율이다.
인덕터(T3)의 반경, 길이 및 턴 수를 조절함으로써, 필터링을 위해 인덕터 기능부(32)의 인덕턴스값의 크기를 조절할 수 있어, 인덕터 기능부(32)의 수를 감소시켜, 필터 회로의 전체 체적 및 인덕터 분기를 줄일 수 있다.
바람직하게는, 2개의 제2 자기 코어(321) 상의 인덕터(T3)의 턴 수는 같고, 2개의 제2 자기 코어(321) 상의 인덕터(T3)의 인덕턴스값은 동일하다. 물론, 실제 응용에서, 2개의 제2 자기 코어(321) 상의 인덕터(T3)의 인덕턴스값은, 필터 회로가 부하(2)의 단자에서 생성된 고주파 신호를 필터링할 수 있는 한, 동일하지 않을 수 있다.
바람직하게는, 적어도 2개의 커패시터 분기(4)가 존재하고, 인덕터 분기 각각의 인덕터 기능부(32)는 적어도 하나의 커패시터 분기(4)와 병렬로 연결된다. 바람직하게는, 본 실시예에서 2개의 커패시터 분기(4)가 있고, 각각의 인덕터 분기 내의 인덕터 기능부(32)는 커패시터 분기(4)와 병렬로 연결된다. 커패시터 분기(4)는 커패시터(C)를 포함하고, 커패시터(C)는 세라믹 커패시터를 사용한다. 세라믹 커패시터는 필터 회로의 필터 커패시터의 성능 요건을 충족시키는 높은 내전압 범위(예를 들어, 1㎸를 초과하는 내전압)를 갖는다. 커패시터(C)의 커패시턴스값은 구체적으로 필터링되는 고주파 신호의 주파수에 따라 결정될 수 있다.
실제 응용에서, 커패시터 분기(4)는 저항기를 더 포함할 수 있고, 저항기는 고주파 신호를 필터링하기 위해 커패시터(C)와 직렬로 연결된다는 것이 주목된다. 또한 저항기의 저항 값은 필터링될 고주파 신호의 주파수에 기초하여 결정된다.
요약하면, 인덕턴스 성능 요건이 충족될 때, 본 발명의 실시예에 의해 제공된 필터 회로는 인덕터 분기의 체적을 크게 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 전체 필터 회로가 차지하는 공간을 절약하고, 필터 회로의 소형화 요건을 충족시킬 뿐만 아니라, 필터 회로의 체적을 감소시키고, 공간을 절약하며, 필터 회로의 부품 수를 감소시키고, 필터 회로의 디바이스 비용을 감소시킬 수 있다.
실시예 2
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는, 척(chuck)(예를 들어, 처리 대상 가공부품을 운반하기 위한 정전 척)의 상이한 온도 영역을 가열하고, 척의 상이한 온도 영역의 온도를 개별적으로 제어하기 위한 가열 회로를 제공한다. 가열 회로는 가열원(1), 부하(2) 및 필터 회로를 포함하고, 가열원(1)은 부하(2)에 가열 전력을 공급하도록 구성된다. 가열원(1)은 가열 전력원(11) 및 온도 제어 회로(12)를 포함하고, 가열 전력원(11)은 부하(2)에 가열 전기 신호를 제공하도록 구성되고, 온도 제어 회로(12)는 부하(2)의 온도를 제어하도록 구성된다. 부하(2)의 수와 척의 온도 영역의 수는 일대일 대응으로 배열된다. 즉, 척의 각각의 온도 영역에는 대응하여 부하(2)가 제공된다.
가열 전력원(11) 및 온도 제어 회로(12)는 부하(2)의 단자에서 고주파 신호에 의해 쉽게 간섭되는 것으로부터 오동작을 일으킬 수 있다. 고주파 신호는 필터 회로를 설정함으로써 필터링될 수 있다. 필터 회로는 본 발명의 상기 실시예에 의해 제공된 필터 회로(5)를 채택한다. 필터 회로(5)의 입력 단자는 가열원(1)에 연결되고, 출력 단자는 부하(2)를 필터링하기 위해 부하(2)에 연결된다. 또한, 복수의 필터 회로(5)가 존재하고, 필터 회로의 수는 부하(2)의 수에 대응한다. 각각의 필터 회로(5)는 각각의 부하(2)에 일대일 대응으로 각각 연결된다. 이 실시예에서, 2개의 온도 영역이 척 상에 배치되고, 대응하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 2개의 부하(2) 및 2개의 필터 회로(5)가 존재하고, 2개의 필터 회로(5)는 각각 2개의 부하(2)를 필터링하도록 구성된다.
전술한 필터 회로(5)를 채용함으로써, 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 가열 회로는, 필터 회로의 체적을 줄이고, 공간을 절약할 수 있을 뿐만 아니라, 필터 회로의 소형화 요건을 만족시킬 수 있을 뿐만 아니라, 필터 회로의 부품 수를 줄이고 필터 회로의 디바이스 비용을 줄일 수 있다.
실시예 3
본 발명의 실시예는 처리 대상 가공부품을 운반하는 척, 및 척의 상이한 온도 영역의 온도를 제어하기 위한 가열 회로를 포함하는 반도체 처리 장치를 제공한다. 가열 회로는 본 발명의 실시예에 의해 제공된 가열 회로를 채택한다.
본 발명의 실시예에 의해 제공되는 가열 회로를 채용함으로써, 본 발명은 필터 회로의 체적을 줄이고 공간을 절약할 수 있을 뿐만 아니라, 필터 회로의 소형화 요건을 만족시킬 수 있을 뿐만 아니라, 필터 회로의 부품 수를 감소시키고 필터 회로의 디바이스 비용을 감소시킬 수 있다.
상기 실시예는 본 발명의 원리를 설명하기 위해 사용된 단지 예시적인 실시예에 불과하지만, 본 발명은 이로 한정되지 않는 것으로 이해된다. 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 이 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 수정 및 개선이 이루어질 수 있으며, 이러한 수정 및 개선은 본 발명의 범위 내인 것으로 고려된다.

Claims (12)

  1. 가열원과 부하 사이에 연결되고 상기 부하를 필터링하도록 구성된 필터 회로로서,
    상기 필터 회로는 병렬로 연결된 인덕터 분기 및 커패시터 분기를 포함하되, 상기 인덕터 분기는 일체형 구조의 통합된 부품을 포함하고, 상기 통합된 부품은 변압기 기능부 및 인덕터 기능부를 갖게 구성되며,
    상기 인덕터 기능부는 상기 부하를 필터링하기 위해 상기 가열원과 상기 변압기 기능부 사이에 직렬로 연결되고;
    상기 변압기 기능부는 상기 부하와 병렬로 연결되고, 상기 가열원에 의해 출력된 가열 전기 신호를 상기 부하에 전달하도록 구성된 것을 특징으로 하는 필터 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 변압기 기능부는 폐루프에 제1 자기 코어를 포함하고, 상기 제1 자기 코어는 서로 대향하여 배치된 제1 측 및 제2 측을 포함하며, 상기 제1 측에는 1차 코일이 권취되고, 상기 제2 측에는 2차 코일이 권취되며; 상기 2차 코일의 2개의 단자는 상기 부하의 양의 단자와 음의 단자에 각각 결합되며;
    상기 인덕터 기능부는, 상기 제1 측의 단자에 각각 연결되고 상기 제1 측과 함께 비-폐쇄된 개방 루프를 형성하는 2개의 제2 자기 코어를 포함하고; 상기 2개의 제2 자기 코어에는 유도 코일이 각각 권취되고, 상기 2개의 제2 자기 코어 상의 상기 유도 코일 각각의 하나의 단자는 상기 1차 코일의 2개의 단자에 각각 연결되고, 상기 2개의 제2 자기 코어 상의 상기 유도 코일 각각의 다른 단자는 상기 가열원의 양의 단자와 음의 단자에 각각 연결된 것을 특징으로 하는 필터 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2 자기 코어는 원주 형상을 갖고; 상기 2개의 제2 자기 코어는 서로 평행하고, 상기 2개의 자기 코어 각각의 하나의 단자는 상기 제1 측의 단자에 각각 연결된 것을 특징으로 하는 필터 회로.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1 자기 코어 및 상기 제2 자기 코어는 강자성 물질을 사용하여 제조되고, 상기 강자성 물질의 인가 주파수는 400㎑ 내지 100㎒인 것을 특징으로 하는 필터 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 강자성 물질은 니켈-아연 강자성 물질을 포함하고, 상기 니켈-아연 강자성 물질의 상대 자기 투자율은 100 내지 400이고, 아연-철 강자성 물질의 퀴리 온도는 350℃ 내지 450℃이고, 상기 니켈-아연 강자성 물질의 인가 주파수는 20㎒ 미만인 것을 특징으로 하는 필터 회로.
  6. 제2항에 있어서, 상기 1차 코일의 턴(turn) 수는 상기 2차 코일의 턴 수 이상인 것을 특징으로 하는 필터 회로.
  7. 제2항에 있어서, 상기 인덕터 기능부의 인덕턴스값은 40μH 내지 100μH인 것을 특징으로 하는 필터 회로.
  8. 제2항에 있어서, 상기 2개의 제2 자기 코어 상의 상기 유도 코일의 턴 수는 동일하고, 상기 2개의 제2 자기 코어 상의 상기 유도 코일의 인덕턴스값은 동일한 것을 특징으로 하는 필터 회로.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커패시터 분기는 적어도 2개의 분기를 포함하고, 상기 인덕터 분기 각각의 상기 인덕터 기능부는 상기 커패시터 분기들 중 적어도 하나와 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 필터 회로.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커패시터 분기는 커패시터를 포함하되, 상기 커패시터는 세라믹 커패시터인 것을 특징으로 하는 필터 회로.
  11. 처리 대상 가공부품을 운반하는 척(chuck)을 가열하고 상기 척의 상이한 온도 영역의 온도를 개별적으로 제어하도록 구성된 가열 회로로서,
    상기 가열 회로는 가열원 및 부하를 포함하되, 상기 가열원은 상기 부하를 가열하기 위해 전기 에너지를 제공하도록 구성되고, 상기 부하의 수는 상기 척의 온도 영역의 수와 동일하고, 일대일 대응으로 배열되며,
    상기 가열 회로는, 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 필터 회로를 더 포함하되, 상기 필터 회로의 입력 단자는 상기 가열원에 연결되고, 상기 필터 회로의 출력 단자는 상기 부하를 필터링하기 위해 상기 부하에 연결되는 것을 특징으로 하는 가열 회로.
  12. 반도체 처리 장치로서,
    처리 대상 가공부품을 운반하는 척, 및 상기 척의 상이한 온도 영역의 온도를 제어하기 위한 가열 회로를 포함하고, 상기 가열 회로는 제11항의 가열 회로를 채용하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
KR1020197015973A 2016-11-07 2017-06-15 필터 회로, 가열 회로 및 반도체 처리 장치 KR102228101B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610976263.5 2016-11-07
CN201610976263.5A CN108075473B (zh) 2016-11-07 2016-11-07 一种滤波电路、加热电路和半导体处理设备
PCT/CN2017/088365 WO2018082309A1 (zh) 2016-11-07 2017-06-15 一种滤波电路、加热电路和半导体处理设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190073545A true KR20190073545A (ko) 2019-06-26
KR102228101B1 KR102228101B1 (ko) 2021-03-15

Family

ID=62075669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197015973A KR102228101B1 (ko) 2016-11-07 2017-06-15 필터 회로, 가열 회로 및 반도체 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10879866B2 (ko)
KR (1) KR102228101B1 (ko)
CN (1) CN108075473B (ko)
TW (1) TWI646777B (ko)
WO (1) WO2018082309A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019189232A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 株式会社村田製作所 方向性結合器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1545200A (zh) * 2003-11-11 2004-11-10 南京航空航天大学 双路双管正激变换器拓扑
JP2006187147A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Hitachi Ltd 双方向絶縁型ｄｃ−ｄｃコンバータ
KR20120087925A (ko) * 2009-10-21 2012-08-07 램 리써치 코포레이션 전력 회로를 위한 ｒｆ 분리
KR20120103596A (ko) * 2009-10-21 2012-09-19 램 리써치 코포레이션 반도체 프로세싱을 위한 평탄한 히터존들을 가진 가열판

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4422056A (en) * 1981-09-28 1983-12-20 General Electric Company Integrated multi-stage electrical filter
US5783984A (en) * 1995-06-16 1998-07-21 Hughes Electronics Method and means for combining a transformer and inductor on a single core structure
US6768656B2 (en) * 2002-01-28 2004-07-27 Salvador Figueroa Power converter with input-side resonance and pulse-position demodulation feedback control
JP4219909B2 (ja) * 2005-03-31 2009-02-04 Ｔｄｋ株式会社 フィルタ回路および電源装置
ES2308938B1 (es) * 2007-06-20 2010-01-08 Indiba, S.A. "circuito para dispositivos de radiofrecuencia aplicables a los tejidos vivos y dispositivo que lo contiene".
CN201805362U (zh) * 2010-09-29 2011-04-20 航天科工惯性技术有限公司 一种用于航空航天交流直流变换的分级限流电路
KR102032791B1 (ko) * 2013-06-03 2019-10-16 삼성전자주식회사 노이즈 필터 및 이를 포함하는 전자장치
JP6114660B2 (ja) * 2013-08-23 2017-04-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
CN103813589A (zh) * 2014-01-24 2014-05-21 东南大学 一种具有多输出均流的隔离式大功率led驱动电源
CN104025217B (zh) * 2014-03-05 2017-05-10 深圳欣锐科技股份有限公司 一种磁芯、集成磁元件、有源钳位正反激电路及开关电源
KR102230863B1 (ko) * 2014-07-21 2021-03-24 삼성전자 주식회사 2단 노이즈 필터 및 이를 포함하는 전자장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1545200A (zh) * 2003-11-11 2004-11-10 南京航空航天大学 双路双管正激变换器拓扑
JP2006187147A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Hitachi Ltd 双方向絶縁型ｄｃ−ｄｃコンバータ
KR20120087925A (ko) * 2009-10-21 2012-08-07 램 리써치 코포레이션 전력 회로를 위한 ｒｆ 분리
KR20120103596A (ko) * 2009-10-21 2012-09-19 램 리써치 코포레이션 반도체 프로세싱을 위한 평탄한 히터존들을 가진 가열판

Also Published As

Publication number Publication date
KR102228101B1 (ko) 2021-03-15
CN108075473B (zh) 2019-11-29
WO2018082309A1 (zh) 2018-05-11
US10879866B2 (en) 2020-12-29
TWI646777B (zh) 2019-01-01
US20190245505A1 (en) 2019-08-08
CN108075473A (zh) 2018-05-25
TW201818654A (zh) 2018-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6027374B2 (ja) プラズマ処理装置及びフィルタユニット
US9530619B2 (en) Plasma processing apparatus and filter unit
US11508554B2 (en) High voltage filter assembly
JP5726886B2 (ja) 電力回路のためのｒｆ分離を提供するための方法及びシステム
KR101002371B1 (ko) 임피던스 매치 네트워크 및 네트워크 어셈블리를 제공하는 방법 및 시스템
KR20230136895A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR20070118959A (ko) 플라즈마 반응기 가열 정전기 척을 위한 고ａｃ전류고ｒｆ전력용 ａｃ-ｒｆ 디커플링 필터
KR102610976B1 (ko) 고전력 rf 나선 코일 필터
US10193534B2 (en) Wireless power system tuning apparatus
KR102228101B1 (ko) 필터 회로, 가열 회로 및 반도체 처리 장치
JP2013243135A (ja) プラズマ処理装置
KR101649947B1 (ko) 이중 플라즈마 소스를 이용한 플라즈마 생성 장치 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
TWI795810B (zh) 等離子體處理裝置中的加熱裝置及抗射頻干擾方法
KR102622527B1 (ko) 전력 회로를 위한 페라이트 케이지 RF 아이솔레이터 (ferrite cage RF isolator)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant