TW201818654A - 一種濾波電路、加熱電路和半導體處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種濾波電路、加熱電路和半導體處理裝置。該濾波電路連接在加熱源和負載之間，用於對負載進行濾波；包括並聯連接的電感支路和電容支路，電感支路包括一體式結構的整合部件，該整合部件形成有變壓功能部和電感功能部，其中，電感功能部串聯在加熱源與變壓功能部之間，用於對負載進行濾波；變壓功能部與負載並聯，用於將加熱源輸出的加熱電信號傳輸至負載。本發明提供的濾波電路，其不僅可以減少濾波電路的體積，節省佔用空間，實現濾波電路小型化的需求，而且可以減少濾波電路中元器件的數量，降低了濾波電路的器件成本。

Description

一種濾波電路、加熱電路和半導體處理裝置
本發明涉及半導體器件製備技術領域，具體地，涉及一種濾波電路、加熱電路和半導體處理裝置。
在半導體裝置中，用於矽蝕刻製程的電漿加工裝置通常應用電感耦合電漿（ICP）原理，由射頻電源提供的射頻能量饋入到腔室中，電離高真空狀態下的特殊氣體（如氬氣Ar、氦氣He、氮氣N2 等），產生含有大量的活性粒子（電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等）的電漿，這些活性粒子和置於腔室中並曝露在電漿環境下的晶圓之間發生相互作用，使晶圓材料表面發生各種物理和化學反應，從而使晶圓材料表面性能發生變化，完成晶圓的蝕刻製程程序。
在大尺寸晶圓的蝕刻製程中，非常重要的一個技術指標是製程均勻性，決定製程均勻性的因素包括腔室內的電場、磁場、溫度、氣流場等多個物理場的均勻性，其中，溫度是非常關鍵的因素。例如，在90nm以下的蝕刻製程中，現有的靜電卡盤通常為單溫度區，即，加熱晶圓的區域為一個，導致無法補償晶圓不同區域的溫差，從而無法實現溫度對製程均勻性的影響。隨著更小線寬製程的開發，具有雙溫度區靜電卡盤甚至多溫度區的靜電卡盤越來越成為矽蝕刻裝置的一項關鍵技術。如當前的28-65nm矽蝕刻製程中要求雙溫度區的靜電卡盤。
第1圖為雙溫度區靜電卡盤的加熱電路的原理圖，如第1圖所示，雙溫度區靜電卡盤包括用於加熱晶圓的加熱層、交流電源22和溫度控制器23，其中，在該加熱層內分別設置有內圈加熱器20和外圈加熱器21，用以分別對晶圓的中心區域和邊緣區域加熱至製程所需的溫度。溫度控制器23用於分別控制內圈加熱器20和外圈加熱器21的輸出功率。交流電源22用於提供電能。受到與靜電卡盤電連接的下射頻電源輸出的高頻信號的影響，加熱層端會存在高頻信號，因此，通常需要在加熱電路設置濾波電路5，用以對加熱層端的高頻信號進行濾波，以避免高頻信號通過加熱電路傳輸到溫度控制器23及交流電源22端，造成器件損壞。
請繼續參閱第1圖，濾波電路5包括四條電感支路，每條電感支路與一條電容支路並聯，其中，每條電感支路的串聯在負載（內圈加熱器20或者外圈加熱器21）與交流電源22之間。交流電源22輸出的交流信號通過濾波電路5到達加熱層。濾波電路5由電感L和電容C等無源器件形成低通濾波電路。
上述濾波電路5在實際應用中不可避免地存在以下問題： 其一，由於一個負載需要在與其對應的電感支路中設置兩個電感，這兩個電感分別與負載的兩端串接，以避免負載的任意一端將高頻干擾信號傳輸到交流電源22端，這造成濾波電路5中的元器件數量較多，從而不僅增大了濾波電路的體積，而且還增加了濾波電路的器件成本。
其二，由於一個負載需要設置兩條電感支路和兩條電容支路，例如，若靜電卡盤有四個溫度區時，則濾波電路需要設置八條電感支路和八條電容支路，這進一步增大了濾波電容的體積，增加了濾波電路5中的元器件數量和器件成本。
本發明針對先前技術中存在的上述技術問題，提供一種濾波電路、加熱電路和半導體處理裝置。該濾波電路不僅可以減少濾波電路的體積，節省佔用空間，實現濾波電路小型化的需求，而且可以減少濾波電路中元器件的數量，降低了濾波電路的器件成本。
本發明提供一種濾波電路，連接在加熱源和負載之間，用於對該負載進行濾波；該濾波電路包括並聯連接的電感支路和電容支路，其特徵在於，該電感支路包括一體式結構的整合部件，該整合部件形成有變壓功能部和電感功能部，其中，該電感功能部串聯在該加熱源與該變壓功能部之間，用於對該負載進行濾波；該變壓功能部與該負載並聯，用於將該加熱源輸出的加熱電信號傳輸至該負載。
較佳的，該變壓功能部包括呈閉合環狀的第一磁芯，該第一磁芯包括相對設置的第一側邊和第二側邊，其中，在該第一側邊上繞制有初級線圈，在該第二側邊上繞制有次級線圈；該次級線圈的兩端分別與該負載的正負極連接；該電感功能部包括兩個第二磁芯，二者分別連接在該第一側邊的端部，且與該第一側邊形成非閉合的開環狀；並且，在兩個該第二磁芯上分別繞制有電感線圈，兩個該第二磁芯上的電感線圈各自的一端分別與該初級線圈的兩端連接，兩個該第二磁芯上的電感線圈各自的另一端分別與該加熱源的正負極連接。
較佳的，該第二磁芯呈柱狀；兩個該第二磁芯相互平行，且各自的一端分別連接在該第一側邊的端部。
較佳的，該第一磁芯和該第二磁芯採用鐵磁材料製備，該鐵磁材料的應用頻率的取值範圍在400KHz-100MHz。
較佳的，該鐵磁材料包括鎳鋅鐵磁材料，該鎳鋅鐵磁材料的相對磁導率的取值範圍在100-400，該鎳鋅鐵磁材料的居裏溫度的取值範圍在350-450℃，該鎳鋅鐵磁材料的應用頻率的取值範圍為小於20MHz。
較佳的，該初級線圈的匝數大於或等於該次級線圈的匝數。
較佳的，該電感功能部的電感值的取值範圍在40μH-100μH。
較佳的，兩個該第二磁芯上的電感線圈的匝數相等，兩個該第二磁芯上的電感線圈的電感值相等。
較佳的，該電容支路包括至少兩條，每條該電感支路中的該電感功能部與至少一個該電容支路並聯。
較佳的，該電容支路包括電容，該電容採用陶瓷電容。
作為另一個技術方案，本發明還提供一種加熱電路，用於加熱承載被加工工件的卡盤，並分別控制該卡盤的不同溫度區的溫度，該加熱電路包括加熱源和負載，其中，該加熱源用於為加熱該負載提供電能，該負載的數量與該卡盤的溫度區的數量一致，且一一對應地設置，還包括本發明提供的上述濾波電路，該濾波電路的輸入端連接該加熱源，該濾波電路的輸出端連接該負載，用於對該負載進行濾波。
作為另一個技術方案，本發明還提供一種半導體處理裝置，包括用於承載被加工工件的卡盤，以及用於控制該卡盤的不同溫度區的溫度的加熱電路，該加熱電路採用本發明提供的上述加熱電路。
本發明具有以下有益效果： 本發明提供的濾波電路，其電感支路包括一體式結構的整合部件，該整合部件形成有變壓功能部和電感功能部，其中，電感功能部串聯在加熱源與變壓功能部之間，用於對負載進行濾波；變壓功能部與負載並聯，用於將加熱源輸出的加熱電信號傳輸至負載。上述電感支路通過採用上述整合部件，該整合部件採用整合有變壓功能和電感功能的一體式結構，可以減少濾波電路中元器件的數量，從而不僅可以減少濾波電路的體積，節省佔用空間，而且還可以降低濾波電路的器件成本。同時，由於一個負載僅對應一條電感支路，這與先前技術中一個負載對應兩條電感支路相比，可以在達到同樣的電感性能要求的情況下，大幅減小電感支路的體積，從而可以進一步減少濾波電路的體積，實現濾波電路小型化的需求。
本發明提供的加熱電路，其通過採用本發明提供的上述濾波電路，不僅可以減少濾波電路的體積，節省佔用空間，實現濾波電路小型化的需求，而且可以減少濾波電路中元器件的數量，降低了濾波電路的器件成本。
本發明所提供的半導體處理裝置，其通過採用本發明提供的上述加熱電路，不僅可以減少濾波電路的體積，節省佔用空間，實現濾波電路小型化的需求，而且可以減少濾波電路中元器件的數量，降低了濾波電路的器件成本。
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下麵結合附圖和具體實施方式對本發明所提供的一種濾波電路、加熱電路和半導體處理裝置作進一步詳細描述。
實施例1： 第2圖為本發明實施例1中濾波電路的電路原理圖。第3圖為第2圖中電感支路的結構示意圖。如第2圖和第3圖所示，本實施例提供一種濾波電路，其連接在加熱源1和負載2之間，用於對負載2進行濾波。該濾波電路包括並聯連接的電感支路和電容支路4。該電感支路包括一體式結構的整合部件3，該整合部件3形成有變壓功能部31和電感功能部32，其中，電感功能部32相當於電感元件，其串聯在加熱源1與變壓功能部31之間，用於對負載2進行濾波。變壓功能部31相當於變壓元件，其與負載2並聯，用於將加熱源1輸出的加熱電信號傳輸至負載2。
在本實施例中，加熱源1包括加熱電源11和溫度控制電路12，其中，加熱電源11用於為負載2提供加熱電信號，溫度控制電路12用於控制負載2的溫度。在半導體處理製程過程中，用於承載被加工工件的卡盤（例如靜電卡盤）通常與下射頻電源電連接，下射頻電源用於向卡盤加載射頻電壓，這使得負載2端產生高頻信號，該高頻信號的頻率小於或等於下射頻電源的射頻頻率，容易造成高頻信號干擾或損壞加熱源1。為此，借助電感功能部32，可以對負載2端產生的高頻信號進行濾除，從而使高頻信號不會對加熱源1造成干擾和損壞；同時，借助變壓功能部31，可以將加熱源1輸出的加熱電信號傳輸至負載2，以對負載2進行加熱。
通過採用上述整合部件3，該整合部件3採用整合有變壓元件和電感元件的功能的一體式結構，可以減少濾波電路中元器件的數量，從而不僅可以減少濾波電路的體積，節省佔用空間，而且還可以降低濾波電路的器件成本。同時，由於一個負載2僅對應一條電感支路（即一個整合部件），這與先前技術中一個負載對應兩條電感支路相比，可以在達到同樣的電感性能要求的情況下，大幅減小電感支路的體積，從而可以進一步減少濾波電路的體積，實現濾波電路小型化的需求。
在本實施例中，如第3圖所示，整合部件3所採用的一體式結構呈“R”形，該整合部件3形成有用作變壓元件的變壓功能部31和用作電感元件的電感功能部32，其中，變壓功能部31包括第一磁芯300，該第一磁芯300呈閉合環狀，例如四邊形環狀。而且，第一磁芯300包括相對設置的第一側邊301和第二側邊302，其中，在第一側邊301上繞制有初級線圈311（包含多匝繞組T1），在第二側邊302上繞制有次級線圈312（包含多匝繞組T2）。次級線圈312的兩端分別與負載2的正負極連接。由於初級線圈311和次級線圈312採用磁耦合的方式將加熱電信號傳遞至負載2，這種耦合方式可以減少電路的接觸點，從而可以改善由接觸阻抗引起的發熱問題，進而減少了能量損耗。
電感功能部32包括兩個第二磁芯321，二者分別連接在第一側邊301的端部，且與第一側邊301形成非閉合的開環狀；並且，在兩個第二磁芯321上分別繞制有電感線圈T3，兩個第二磁芯321上的電感線圈T3各自的一端分別與初級線圈311的兩端連接，兩個第二磁芯321上的電感線圈T3各自的另一端分別與加熱源1的正負極連接。
較佳的，第二磁芯321呈柱狀，兩個第二磁芯321相互平行，且各自的一端分別連接在第一側邊301的端部。這可以使上述整合部件的整體結構更加緊湊，從而可以大幅減小電感支路的體積，進而節省了整個濾波電路的佔用空間。
以兩個溫度區的靜電卡盤的濾波電路為例，在先前技術中，濾波電路中的電感支路採用傳統電感，每個傳統電感的直徑為35mm，長度為140mm，繞線直徑為1.5mm；濾波電路中的電容支路採用標準高壓陶瓷電容，其尺寸為長15mm，寬10mm，高3mm。濾波電路中需要設置由傳統電感和電容組成的濾波支路共四條，四條濾波支路形成總的濾波電路盒，該濾波電路盒的尺寸為：長*寬*高為420*210*105mm。
與之相比，在本實施例中，上述整合部件3為一體式結構，且呈“R”形，在該“R”形結構中，呈閉合環狀的第一磁芯300的外環邊長為48mm，寬為32mm，高為8mm；第一磁芯300內環邊長為16mm，寬為16mm，高為8mm，繞線直徑為1.5mm。本實施例中濾波電路需要設置由“R”形的整合部件3組成的濾波支路共兩條，兩條濾波支路形成總的濾波電路盒。
通過對比可知，在本實施例中的電容支路的體積與先前技術中電容支路的體積相同的情況下，本實施例中的濾波電路盒的尺寸為：長*寬*高為64*48*24mm，遠小於先前技術中的濾波電路盒的尺寸。同時，本實施例中的濾波電路只需要兩個“R”形的整合部件3，其使用的元器件數量少於先前技術中的濾波電路使用的傳統電感的數量（四個），因此，在本實施例中的電容數量與先前技術中的電容數量相同的情況下，本實施例中濾波電路使用的元器件數量以及濾波支路數量均減少了一半，從而不僅顯著減少了濾波電路的體積，節省了整個濾波電路的佔用空間，而且降低了器件成本。
較佳的，第一磁芯300和第二磁芯321採用鐵磁材料製備，鐵磁材料的應用頻率的取值範圍在400KHz-100MHz。由於鐵磁材料的磁芯在該頻率範圍內的磁性不會達到飽和，磁芯的磁通量在該頻率範圍內能夠正常變化，而負載2端產生的高頻信號的頻率基本在該應用頻率範圍內，因此，鐵磁材料的第二磁芯321用作電感功能部32能夠很好地濾除高頻信號。此外，鐵磁材料的應用頻率範圍廣，採用該磁芯材料的電感功能部32基本能夠對半導體處理製程中可能產生的各種頻率的高頻信號進行濾除。
進一步較佳的，上述鐵磁材料為鎳鋅鐵磁材料，鎳鋅鐵磁材料的相對磁導率的取值範圍在100-400，鎳鋅鐵磁材料的居裏溫度的取值範圍在350-450℃，應用頻率的取值範圍為小於20MHz。採用該磁芯材料的電感功能部32能夠對負載2端的高頻信號（如13.56MHz的信號）進行很好的濾除，從而避免高頻信號對加熱源1的干擾。採用該磁芯材料的電感功能部32隨溫度變化電感值不會有較大波動，從而使整個濾波電路的濾波性能更加穩定。
較佳的，初級線圈311的匝數（即繞組T1的個數）大於或等於次級線圈312（即繞組T2的個數）的匝數。例如，初級線圈311的匝數與次級線圈312的匝數比為1:1、2:1、3:1或10:1等。這樣能使負載2端獲得更大的加熱電流，從而有利於負載2對靜電卡盤上的相應溫度區進行快速加熱。
較佳的，電感功能部32的電感值的取值範圍在40μH-100μH。電感功能部32的實際電感值與要濾除的高頻信號的頻率有關，在該電感值範圍內的電感功能部32能夠對半導體處理製程中可能產生的各種頻率的高頻信號進行很好的濾除。半導體處理製程中可能產生的高頻信號的頻率如13.56MHz、400KHz、2MHz、27.12MHz、40MHz、60MHz、100MHz等。
需要說明的是，設計時用於濾波的電感功能部32的電感值可以根據下述公式（1）計算確定：……公式（1）； 其中，r為電感線圈T3的半徑，l為電感線圈T3的長度，N為電感線圈T3的匝數，u0 為真空磁導率常數，ur 為第二磁芯321的相對磁導率。
通過調整電感線圈T3的半徑、長度和匝數，可以調整用於濾波的電感功能部32的電感值大小，從而減少了電感功能部32的設置數量，進而減小了電感支路乃至整個濾波電路的體積。
較佳地，兩個第二磁芯321上的電感線圈T3的匝數相等，兩個第二磁芯321上的電感線圈T3的電感值相等。當然，在實際應用中，第二磁芯321上的電感線圈T3的電感值也可以不相等，只要確保濾波電路能夠對負載2端產生的高頻信號進行濾除即可。
較佳的，電容支路4包括至少兩條，每條電感支路中的電感功能部32與至少一條電容支路4並聯。較佳地，本實施例中的電容支路4包括兩個，每條電感支路中的電感功能部32與一條電容支路4並聯。電容支路4包括電容C，電容C採用陶瓷電容。陶瓷電容的耐壓範圍高（如耐壓範圍為大於1kV），從而能夠滿足濾波電路中對濾波電容的性能要求。電容C的電容值具體根據要濾除的高頻信號的頻率確定。
需要說明的是，在實際應用中，電容支路4中也可以包括電阻，電阻與電容C串聯連接，用於對高頻信號進行濾除。電阻的電阻值同樣是根據要濾除的高頻信號的頻率確定。
綜上所述，本發明實施例提供的濾波電路，其不僅可以在達到電感性能要求的情況下，大幅減小電感支路的體積，從而可以節省整個濾波電路的佔用空間，實現濾波電路小型化的需求，而且還可以減少濾波電路的體積，節省佔用空間，以及可以減少濾波電路中元器件的數量，降低了濾波電路的器件成本。
實施例2： 如第4圖所示，本發明實施例提供一種加熱電路，用於加熱卡盤（用於承載被加工工件，例如靜電卡盤）的不同溫度區，並分別控制該卡盤的不同溫度區的溫度。該加熱電路包括加熱源1、負載2和濾波電路，其中，加熱源1用於為負載2提供加熱電源，該加熱源1包括加熱電源11和溫度控制電路12，其中，加熱電源11用於為負載2提供加熱電信號，溫度控制電路12用於控制負載2的溫度。負載2的數量與卡盤的溫度區的數量一致，且一一對應地設置。也就是說，卡盤的每個溫度區對應設置有一個負載2。
由於加熱電源11和溫度控制電路12容易被負載2端的高頻信號干擾，導致其無法正常工作，通過設置濾波電路能夠對高頻信號進行濾除。該濾波電路採用了本發明上述實施例提供的濾波電路5，該濾波電路5的輸入端連接加熱源1，輸出端連接負載2，用於對負載2進行濾波。而且，濾波電路5包括多個，且數量與負載2的數量相對應，且各個濾波電路5一一對應地連接各個負載2。本實施例中，在卡盤上設置有兩個溫度區，相應地，如第4圖所示，負載2為兩個，濾波電路5為兩個，兩個濾波電路5分別用於對兩個負載2端進行濾波。
本發明實施例提供的加熱電路通過採用上述濾波電路5，不僅可以減少濾波電路的體積，節省佔用空間，實現濾波電路小型化的需求，而且可以減少濾波電路中元器件的數量，降低了濾波電路的器件成本。
實施例3： 本發明實施例提供一種半導體處理裝置，其包括用於承載被加工工件的卡盤，以及用於控制該卡盤的不同溫度區的溫度的加熱電路，該加熱電路採用本發明實施例提供的加熱電路。
本發明實施例通過採用本發明實施例提供的加熱電路，不僅可以減少濾波電路的體積，節省佔用空間，實現濾波電路小型化的需求，而且可以減少濾波電路中元器件的數量，降低了濾波電路的器件成本。
可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
1‧‧‧加熱源
2‧‧‧負載
3‧‧‧電感支路
4‧‧‧電容支路
5‧‧‧濾波電路
11‧‧‧加熱電源
12‧‧‧溫度控制電路
20‧‧‧內圈加熱器
21‧‧‧外圈加熱器
22‧‧‧交流電源
23‧‧‧溫度控制器
31‧‧‧變壓功能部
32‧‧‧電感功能部
300‧‧‧第一磁芯
301‧‧‧第一側邊
302‧‧‧第二側邊
311‧‧‧初級線圈
312‧‧‧次級線圈
321‧‧‧第二磁芯
C‧‧‧電容
L‧‧‧電感
T1‧‧‧初級線圈
T2‧‧‧次級線圈
T3‧‧‧電感線圈
第1圖為先前技術中雙溫度區靜電卡盤加熱電路的電路原理圖； 第2圖為本發明實施例1中濾波電路的電路原理圖； 第3圖為第2圖中電感支路的結構示意圖； 第4圖為本發明實施例2中加熱電路的電路原理圖。

Claims (12)

  1. 一種濾波電路，連接在一加熱源和一負載之間，用於對該負載進行濾波；該濾波電路包括並聯連接的一電感支路和一電容支路，其特徵在於，該電感支路包括一一體式結構的整合部件，該整合部件形成有一變壓功能部和一電感功能部，其中， 該電感功能部串聯在該加熱源與該變壓功能部之間，用於對該負載進行濾波； 該變壓功能部與該負載並聯，用於將該加熱源輸出的加熱電信號傳輸至該負載。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的濾波電路，其特徵在於，該變壓功能部包括一呈閉合環狀的第一磁芯，該第一磁芯包括相對設置的一第一側邊和一第二側邊，其中，在該第一側邊上繞制有一初級線圈，在該第二側邊上繞制有一次級線圈；該次級線圈的兩端分別與該負載的正負極連接； 該電感功能部包括兩個第二磁芯，二者分別連接在該第一側邊的端部，且與該第一側邊形成非閉合的開環狀；並且，在兩個該第二磁芯上分別繞制有電感線圈，兩個該第二磁芯上的電感線圈各自的一端分別與該初級線圈的兩端連接，兩個該第二磁芯上的電感線圈各自的另一端分別與該加熱源的正負極連接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的濾波電路，其特徵在於，該第二磁芯呈柱狀；兩個該第二磁芯相互平行，且各自的一端分別連接在該第一側邊的端部。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的濾波電路，其特徵在於，該第一磁芯和該第二磁芯採用鐵磁材料製備，該鐵磁材料的應用頻率的取值範圍在400KHz-100MHz。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的濾波電路，其特徵在於，該鐵磁材料包括鎳鋅鐵磁材料，該鎳鋅鐵磁材料的相對磁導率的取值範圍在100-400，該鎳鋅鐵磁材料的居裏溫度的取值範圍在350-450℃，該鎳鋅鐵磁材料的應用頻率的取值範圍為小於20MHz。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的濾波電路，其特徵在於，該初級線圈的匝數大於或等於該次級線圈的匝數。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的濾波電路，其特徵在於，該電感功能部的電感值的取值範圍在40μH-100μH。
  8. 如申請專利範圍第2項所述的濾波電路，其特徵在於，兩個該第二磁芯上的電感線圈的匝數相等，兩個該第二磁芯上的電感線圈的電感值相等。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的濾波電路，其特徵在於，該電容支路包括至少兩條，每條該電感支路中的該電感功能部與至少一個該電容支路並聯。
  10. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的濾波電路，其特徵在於，該電容支路包括電容，該電容採用陶瓷電容。
  11. 一種加熱電路，用於加熱承載被加工工件的卡盤，並分別控制該卡盤的不同溫度區的溫度，該加熱電路包括加熱源和負載，其中，該加熱源用於為加熱該負載提供電能，該負載的數量與該卡盤的溫度區的數量一致，且一一對應地設置，其特徵在於，還包括申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的濾波電路，該濾波電路的輸入端連接該加熱源，該濾波電路的輸出端連接該負載，用於對該負載進行濾波。
  12. 一種半導體處理裝置，包括一用於承載被加工工件的卡盤，以及一用於控制該卡盤的不同溫度區的溫度的加熱電路，其特徵在於，該加熱電路採用申請專利範圍第11項所述的加熱電路。
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