WO2018082309A1 - 一种滤波电路、加热电路和半导体处理设备 - Google Patents

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韦刚
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Definitions

  • the present invention further provides a heating circuit for heating a chuck carrying a workpiece to be processed, and separately controlling temperatures of different temperature zones of the chuck, the heating circuit including a heating source and a load, wherein, the heating source is configured to supply electric energy for heating the load, the number of the load is consistent with the number of temperature zones of the chuck, and is set in one-to-one correspondence, and further includes the filtering circuit provided by the present invention.
  • An input end of the filter circuit is connected to the heating source, and an output end of the filter circuit is connected to the load for filtering the load.
  • the present invention also provides a semiconductor processing apparatus including a chuck for carrying a workpiece to be processed, and a heating circuit for controlling temperatures of different temperature zones of the chuck, the heating circuit adopting The above heating circuit provided by the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit schematic diagram of a filter circuit in Embodiment 1 of the present invention.
  • 3 is a schematic structural view of the inductor branch of FIG. 2.
  • the present embodiment provides a filter circuit connected between the heating source 1 and the load 2 for filtering the load 2.
  • the filter circuit includes parallel connection Inductive branch and capacitor branch 4.
  • the inductive branch comprises an integrated component 3 of a monolithic structure, the integrated component 3 is formed with a transformer function portion 31 and an inductive function portion 32, wherein the inductive function portion 32 corresponds to an inductive component, which is connected in series with the heating source 1 and the transformer
  • the functional units 31 are used to filter the load 2.
  • the transformer function unit 31 corresponds to a transformer element that is connected in parallel with the load 2 for transmitting the heating electric signal output from the heat source 1 to the load 2.

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Abstract

一种滤波电路、加热电路和半导体处理设备，该滤波电路（5）连接在加热源（1）和负载（2）之间，用于对负载进行滤波；包括并联连接的电感支路（3）和电容支路（4），电感支路包括一体式结构的集成部件，该集成部件形成有变压功能部（31）和电感功能部（32），其中，电感功能部串联在加热源与变压功能部之间，用于对负载进行滤波；变压功能部与负载并联，用于将加热源输出的加热电信号传输至负载。该滤波电路，不仅可以减少滤波电路的体积，节省占用空间，实现滤波电路小型化的需求，而且可以减少滤波电路中元器件的数量，降低了滤波电路的器件成本。

Description

一种滤波电路、加热电路和半导体处理设备 技术领域
本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体地，涉及一种滤波电路、加热电路和半导体处理设备。
背景技术
在半导体设备中，用于硅刻蚀工艺的等离子体加工设备通常应用电感耦合等离子体(ICP)原理，由射频电源提供的射频能量馈入到腔室中，电离高真空状态下的特殊气体(如氩气Ar、氦气He、氮气N2等)，产生含有大量的活性粒子(电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等)的等离子体，这些活性粒子和置于腔室中并曝露在等离子体环境下的晶圆之间发生相互作用，使晶圆材料表面发生各种物理和化学反应，从而使晶圆材料表面性能发生变化，完成晶圆的刻蚀工艺过程。
在大尺寸晶圆的刻蚀工艺中，非常重要的一个技术指标是工艺均匀性，决定工艺均匀性的因素包括腔室内的电场、磁场、温度、气流场等多个物理场的均匀性，其中，温度是非常关键的因素。例如，在90nm以下的刻蚀工艺中，现有的静电卡盘通常为单温度区，即，加热晶圆的区域为一个，导致无法补偿晶圆不同区域的温差，从而无法实现温度对工艺均匀性的影响。随着更小线宽工艺的开发，具有双温度区静电卡盘甚至多温度区的静电卡盘越来越成为硅刻蚀设备的一项关键技术。如当前的28-65nm硅刻蚀工艺中要求双温度区的静电卡盘。
图1为双温度区静电卡盘的加热电路的原理图，如图1所示，双温度区静电卡盘包括用于加热晶圆的加热层、交流电源22和温度控制器23，其中，在该加热层内分别设置有内圈加热器20和外圈加热器21，用以分别对晶圆 的中心区域和边缘区域加热至工艺所需的温度。温度控制器23用于分别控制内圈加热器20和外圈加热器21的输出功率。交流电源22用于提供电能。受到与静电卡盘电连接的下射频电源输出的高频信号的影响，加热层端会存在高频信号，因此，通常需要在加热电路设置滤波电路5，用以对加热层端的高频信号进行滤波，以避免高频信号通过加热电路传输到温度控制器23及交流电源22端，造成器件损坏。
请继续参阅图1，滤波电路5包括四条电感支路，每条电感支路与一条电容支路并联，其中，每条电感支路的串联在负载(内圈加热器20或者外圈加热器21)与交流电源22之间。交流电源22输出的交流信号通过滤波电路5到达加热层。滤波电路5由电感L和电容C等无源器件形成低通滤波电路。
上述滤波电路5在实际应用中不可避免地存在以下问题：
其一，由于一个负载需要在与其对应的电感支路中设置两个电感，这两个电感分别与负载的两端串接，以避免负载的任意一端将高频干扰信号传输到交流电源22端，这造成滤波电路5中的元器件数量较多，从而不仅增大了滤波电路的体积，而且还增加了滤波电路的器件成本。
其二，由于一个负载需要设置两条电感支路和两条电容支路，例如，若静电卡盘有四个温度区时，则滤波电路需要设置八条电感支路和八条电容支路，这进一步增大了滤波电容的体积，增加了滤波电路5中的元器件数量和器件成本。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种滤波电路、加热电路和半导体处理设备。该滤波电路不仅可以减少滤波电路的体积，节省占用空间，实现滤波电路小型化的需求，而且可以减少滤波电路中元器件的数量，降低了滤波电路的器件成本。
本发明提供一种滤波电路，连接在加热源和负载之间，用于对所述负载进行滤波；所述滤波电路包括并联连接的电感支路和电容支路，其特征在于，所述电感支路包括一体式结构的集成部件，所述集成部件形成有变压功能部和电感功能部，其中，所述电感功能部串联在所述加热源与所述变压功能部之间，用于对所述负载进行滤波；所述变压功能部与所述负载并联，用于将所述加热源输出的加热电信号传输至所述负载。
优选的，所述变压功能部包括呈闭合环状的第一磁芯，所述第一磁芯包括相对设置的第一侧边和第二侧边，其中，在所述第一侧边上绕制有初级线圈，在所述第二侧边上绕制有次级线圈；所述次级线圈的两端分别与所述负载的正负极连接；所述电感功能部包括两个第二磁芯，二者分别连接在所述第一侧边的端部，且与所述第一侧边形成非闭合的开环状；并且，在两个所述第二磁芯上分别绕制有电感线圈，两个所述第二磁芯上的电感线圈各自的一端分别与所述初级线圈的两端连接，两个所述第二磁芯上的电感线圈各自的另一端分别与所述加热源的正负极连接。
优选的，所述第二磁芯呈柱状；两个所述第二磁芯相互平行，且各自的一端分别连接在所述第一侧边的端部。
优选的，所述第一磁芯和所述第二磁芯采用铁磁材料制备，所述铁磁材料的应用频率的取值范围在400KHz-100MHz。
优选的，所述铁磁材料包括镍锌铁磁材料，所述镍锌铁磁材料的相对磁导率的取值范围在100-400，所述镍锌铁磁材料的居里温度的取值范围在350-450℃，所述镍锌铁磁材料的应用频率的取值范围为小于20MHz。
优选的，所述初级线圈的匝数大于或等于所述次级线圈的匝数。
优选的，所述电感功能部的电感值的取值范围在40μH-100μH。
优选的，两个所述第二磁芯上的电感线圈的匝数相等，两个所述第二磁芯上的电感线圈的电感值相等。
优选的，所述电容支路包括至少两条，每条所述电感支路中的所述电感功能部与至少一个所述电容支路并联。
优选的，所述电容支路包括电容，所述电容采用陶瓷电容。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种加热电路，用于加热承载被加工工件的卡盘，并分别控制所述卡盘的不同温度区的温度，所述加热电路包括加热源和负载，其中，所述加热源用于为加热所述负载提供电能，所述负载的数量与所述卡盘的温度区的数量一致，且一一对应地设置，还包括本发明提供的上述滤波电路，所述滤波电路的输入端连接所述加热源，所述滤波电路的输出端连接所述负载，用于对所述负载进行滤波。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种半导体处理设备，包括用于承载被加工工件的卡盘，以及用于控制所述卡盘的不同温度区的温度的加热电路，所述加热电路采用本发明提供的上述加热电路。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的滤波电路，其电感支路包括一体式结构的集成部件，该集成部件形成有变压功能部和电感功能部，其中，电感功能部串联在加热源与变压功能部之间，用于对负载进行滤波；变压功能部与负载并联，用于将加热源输出的加热电信号传输至负载。上述电感支路通过采用上述集成部件，该集成部件采用集成有变压功能和电感功能的一体式结构，可以减少滤波电路中元器件的数量，从而不仅可以减少滤波电路的体积，节省占用空间，而且还可以降低滤波电路的器件成本。同时，由于一个负载仅对应一条电感支路，这与现有技术中一个负载对应两条电感支路相比，可以在达到同样的电感性能要求的情况下，大幅减小电感支路的体积，从而可以进一步减少滤波电路的体积，实现滤波电路小型化的需求。
本发明提供的加热电路，其通过采用本发明提供的上述滤波电路，不仅可以减少滤波电路的体积，节省占用空间，实现滤波电路小型化的需求，而 且可以减少滤波电路中元器件的数量，降低了滤波电路的器件成本。
本发明所提供的半导体处理设备，其通过采用本发明提供的上述加热电路，不仅可以减少滤波电路的体积，节省占用空间，实现滤波电路小型化的需求，而且可以减少滤波电路中元器件的数量，降低了滤波电路的器件成本。
附图说明
图1为现有技术中双温度区静电卡盘加热电路的电路原理图；
图2为本发明实施例1中滤波电路的电路原理图；
图3为图2中电感支路的结构示意图；
图4为本发明实施例2中加热电路的电路原理图。
其中的附图标记说明：
1.加热源；11.加热电源；12.温度控制电路；2.负载；3.电感支路；4.电容支路；5.滤波电路；31.变压功能部；311.初级线圈；312.次级线圈；32.电感功能部；300.第一磁芯；301.第一侧边；302.第二侧边；321.第二磁芯；T1.初级线圈；T2.次级线圈；T3.电感线圈；C.电容；20.内圈加热器；21.外圈加热器；22.交流电源；23.温度控制器；L.电感。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种滤波电路、加热电路和半导体处理设备作进一步详细描述。
实施例1：
图2为本发明实施例1中滤波电路的电路原理图。图3为图2中电感支路的结构示意图。如图2和图3所示，本实施例提供一种滤波电路，其连接在加热源1和负载2之间，用于对负载2进行滤波。该滤波电路包括并联连 接的电感支路和电容支路4。该电感支路包括一体式结构的集成部件3，该集成部件3形成有变压功能部31和电感功能部32，其中，电感功能部32相当于电感元件，其串联在加热源1与变压功能部31之间，用于对负载2进行滤波。变压功能部31相当于变压元件，其与负载2并联，用于将加热源1输出的加热电信号传输至负载2。
在本实施例中，加热源1包括加热电源11和温度控制电路12，其中，加热电源11用于为负载2提供加热电信号，温度控制电路12用于控制负载2的温度。在半导体处理工艺过程中，用于承载被加工工件的卡盘(例如静电卡盘)通常与下射频电源电连接，下射频电源用于向卡盘加载射频电压，这使得负载2端产生高频信号，该高频信号的频率小于或等于下射频电源的射频频率，容易造成高频信号干扰或损坏加热源1。为此，借助电感功能部32，可以对负载2端产生的高频信号进行滤除，从而使高频信号不会对加热源1造成干扰和损坏；同时，借助变压功能部31，可以将加热源1输出的加热电信号传输至负载2，以对负载2进行加热。
通过采用上述集成部件3，该集成部件3采用集成有变压元件和电感元件的功能的一体式结构，可以减少滤波电路中元器件的数量，从而不仅可以减少滤波电路的体积，节省占用空间，而且还可以降低滤波电路的器件成本。同时，由于一个负载2仅对应一条电感支路(即一个集成部件)，这与现有技术中一个负载对应两条电感支路相比，可以在达到同样的电感性能要求的情况下，大幅减小电感支路的体积，从而可以进一步减少滤波电路的体积，实现滤波电路小型化的需求。
在本实施例中，如图3所示，集成部件3所采用的一体式结构呈“R”形，该集成部件3形成有用作变压元件的变压功能部31和用作电感元件的电感功能部32，其中，变压功能部31包括第一磁芯300，该第一磁芯300呈闭合环状，例如四边形环状。而且，第一磁芯300包括相对设置的第一侧边301 和第二侧边302，其中，在第一侧边301上绕制有初级线圈311(包含多匝绕组T1)，在第二侧边302上绕制有次级线圈312(包含多匝绕组T2)。次级线圈312的两端分别与负载2的正负极连接。由于初级线圈311和次级线圈312采用磁耦合的方式将加热电信号传递至负载2，这种耦合方式可以减少电路的接触点，从而可以改善由接触阻抗引起的发热问题，进而减少了能量损耗。
电感功能部32包括两个第二磁芯321，二者分别连接在第一侧边301的端部，且与第一侧边301形成非闭合的开环状；并且，在两个第二磁芯321上分别绕制有电感线圈T3，两个第二磁芯321上的电感线圈T3各自的一端分别与初级线圈311的两端连接，两个第二磁芯321上的电感线圈T3各自的另一端分别与加热源1的正负极连接。
优选的，第二磁芯321呈柱状，两个第二磁芯321相互平行，且各自的一端分别连接在第一侧边301的端部。这可以使上述集成部件的整体结构更加紧凑，从而可以大幅减小电感支路的体积，进而节省了整个滤波电路的占用空间。
以两个温度区的静电卡盘的滤波电路为例，在现有技术中，滤波电路中的电感支路采用传统电感，每个传统电感的直径为35mm，长度为140mm，绕线直径为1.5mm；滤波电路中的电容支路采用标准高压陶瓷电容，其尺寸为长15mm，宽10mm，高3mm。滤波电路中需要设置由传统电感和电容组成的滤波支路共四条，四条滤波支路形成总的滤波电路盒，该滤波电路盒的尺寸为：长*宽*高为420*210*105mm。
与之相比，在本实施例中，上述集成部件3为一体式结构，且呈“R”形，在该“R”形结构中，呈闭合环状的第一磁芯300的外环边长为48mm，宽为32mm，高为8mm；第一磁芯300内环边长为16mm，宽为16mm，高为8mm，绕线直径为1.5mm。本实施例中滤波电路需要设置由“R”形的集成部件3组成的滤波支路共两条，两条滤波支路形成总的滤波电路盒。
通过对比可知，在本实施例中的电容支路的体积与现有技术中电容支路的体积相同的情况下，本实施例中的滤波电路盒的尺寸为：长*宽*高为64*48*24mm，远小于现有技术中的滤波电路盒的尺寸。同时，本实施例中的滤波电路只需要两个“R”形的集成部件3，其使用的元器件数量少于现有技术中的滤波电路使用的传统电感的数量(四个)，因此，在本实施例中的电容数量与现有技术中的电容数量相同的情况下，本实施例中滤波电路使用的元器件数量以及滤波支路数量均减少了一半，从而不仅显著减少了滤波电路的体积，节省了整个滤波电路的占用空间，而且降低了器件成本。
优选的，第一磁芯300和第二磁芯321采用铁磁材料制备，铁磁材料的应用频率的取值范围在400KHz-100MHz。由于铁磁材料的磁芯在该频率范围内的磁性不会达到饱和，磁芯的磁通量在该频率范围内能够正常变化，而负载2端产生的高频信号的频率基本在该应用频率范围内，因此，铁磁材料的第二磁芯321用作电感功能部32能够很好地滤除高频信号。此外，铁磁材料的应用频率范围广，采用该磁芯材料的电感功能部32基本能够对半导体处理工艺中可能产生的各种频率的高频信号进行滤除。
进一步优选的，上述铁磁材料为镍锌铁磁材料，镍锌铁磁材料的相对磁导率的取值范围在100-400，镍锌铁磁材料的居里温度的取值范围在350-450℃，应用频率的取值范围为小于20MHz。采用该磁芯材料的电感功能部32能够对负载2端的高频信号(如13.56MHz的信号)进行很好的滤除，从而避免高频信号对加热源1的干扰。采用该磁芯材料的电感功能部32随温度变化电感值不会有较大波动，从而使整个滤波电路的滤波性能更加稳定。
优选的，初级线圈311的匝数(即绕组T1的个数)大于或等于次级线圈312(即绕组T2的个数)的匝数。例如，初级线圈311的匝数与次级线圈312的匝数比为1:1、2:1、3:1或10:1等。这样能使负载2端获得更大的加热电流，从而有利于负载2对静电卡盘上的相应温度区进行快速加热。
优选的，电感功能部32的电感值的取值范围在40μH-100μH。电感功能部32的实际电感值与要滤除的高频信号的频率有关，在该电感值范围内的电感功能部32能够对半导体处理工艺中可能产生的各种频率的高频信号进行很好的滤除。半导体处理工艺中可能产生的高频信号的频率如13.56MHz、400KHz、2MHz、27.12MHz、40MHz、60MHz、100MHz等。
需要说明的是，设计时用于滤波的电感功能部32的电感值可以根据下述公式(1)计算确定：
Figure PCTCN2017088365-appb-000001
其中，r为电感线圈T3的半径，l为电感线圈T3的长度，N为电感线圈T3的匝数，u0为真空磁导率常数，ur为第二磁芯321的相对磁导率。
通过调整电感线圈T3的半径、长度和匝数，可以调整用于滤波的电感功能部32的电感值大小，从而减少了电感功能部32的设置数量，进而减小了电感支路乃至整个滤波电路的体积。
优选地，两个第二磁芯321上的电感线圈T3的匝数相等，两个第二磁芯321上的电感线圈T3的电感值相等。当然，在实际应用中，第二磁芯321上的电感线圈T3的电感值也可以不相等，只要确保滤波电路能够对负载2端产生的高频信号进行滤除即可。
优选的，电容支路4包括至少两条，每条电感支路中的电感功能部32与至少一条电容支路4并联。优选地，本实施例中的电容支路4包括两个，每条电感支路中的电感功能部32与一条电容支路4并联。电容支路4包括电容C，电容C采用陶瓷电容。陶瓷电容的耐压范围高(如耐压范围为大于1kV)，从而能够满足滤波电路中对滤波电容的性能要求。电容C的电容值具体根据要滤除的高频信号的频率确定。
需要说明的是，在实际应用中，电容支路4中也可以包括电阻，电阻与电容C串联连接，用于对高频信号进行滤除。电阻的电阻值同样是根据要滤 除的高频信号的频率确定。
综上所述，本发明实施例提供的滤波电路，其不仅可以在达到电感性能要求的情况下，大幅减小电感支路的体积，从而可以节省整个滤波电路的占用空间，实现滤波电路小型化的需求，而且还可以减少滤波电路的体积，节省占用空间，以及可以减少滤波电路中元器件的数量，降低了滤波电路的器件成本。
实施例2：
如图4所示，本发明实施例提供一种加热电路，用于加热卡盘(用于承载被加工工件，例如静电卡盘)的不同温度区，并分别控制该卡盘的不同温度区的温度。该加热电路包括加热源1、负载2和滤波电路，其中，加热源1用于为负载2提供加热电源，该加热源1包括加热电源11和温度控制电路12，其中，加热电源11用于为负载2提供加热电信号，温度控制电路12用于控制负载2的温度。负载2的数量与卡盘的温度区的数量一致，且一一对应地设置。也就是说，卡盘的每个温度区对应设置有一个负载2。
由于加热电源11和温度控制电路12容易被负载2端的高频信号干扰，导致其无法正常工作，通过设置滤波电路能够对高频信号进行滤除。该滤波电路采用了本发明上述实施例提供的滤波电路5，该滤波电路5的输入端连接加热源1，输出端连接负载2，用于对负载2进行滤波。而且，滤波电路5包括多个，且数量与负载2的数量相对应，且各个滤波电路5一一对应地连接各个负载2。本实施例中，在卡盘上设置有两个温度区，相应地，如图4所示，负载2为两个，滤波电路5为两个，两个滤波电路5分别用于对两个负载2端进行滤波。
本发明实施例提供的加热电路通过采用上述滤波电路5，不仅可以减少滤波电路的体积，节省占用空间，实现滤波电路小型化的需求，而且可以减 少滤波电路中元器件的数量，降低了滤波电路的器件成本。
实施例3：
本发明实施例提供一种半导体处理设备，其包括用于承载被加工工件的卡盘，以及用于控制该卡盘的不同温度区的温度的加热电路，该加热电路采用本发明实施例提供的加热电路。
本发明实施例通过采用本发明实施例提供的加热电路，不仅可以减少滤波电路的体积，节省占用空间，实现滤波电路小型化的需求，而且可以减少滤波电路中元器件的数量，降低了滤波电路的器件成本。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

  1. 一种滤波电路，连接在加热源和负载之间，用于对所述负载进行滤波；所述滤波电路包括并联连接的电感支路和电容支路，其特征在于，所述电感支路包括一体式结构的集成部件，所述集成部件形成有变压功能部和电感功能部，其中，
    所述电感功能部串联在所述加热源与所述变压功能部之间，用于对所述负载进行滤波；
    所述变压功能部与所述负载并联，用于将所述加热源输出的加热电信号传输至所述负载。
  2. 根据权利要求1所述的滤波电路，其特征在于，所述变压功能部包括呈闭合环状的第一磁芯，所述第一磁芯包括相对设置的第一侧边和第二侧边，其中，在所述第一侧边上绕制有初级线圈，在所述第二侧边上绕制有次级线圈；所述次级线圈的两端分别与所述负载的正负极连接；
    所述电感功能部包括两个第二磁芯，二者分别连接在所述第一侧边的端部，且与所述第一侧边形成非闭合的开环状；并且，在两个所述第二磁芯上分别绕制有电感线圈，两个所述第二磁芯上的电感线圈各自的一端分别与所述初级线圈的两端连接，两个所述第二磁芯上的电感线圈各自的另一端分别与所述加热源的正负极连接。
  3. 根据权利要求2所述的滤波电路，其特征在于，所述第二磁芯呈柱状；两个所述第二磁芯相互平行，且各自的一端分别连接在所述第一侧边的端部。
  4. 根据权利要求2所述的滤波电路，其特征在于，所述第一磁芯和所述第二磁芯采用铁磁材料制备，所述铁磁材料的应用频率的取值范围在 400KHz-100MHz。
  5. 根据权利要求4所述的滤波电路，其特征在于，所述铁磁材料包括镍锌铁磁材料，所述镍锌铁磁材料的相对磁导率的取值范围在100-400，所述镍锌铁磁材料的居里温度的取值范围在350-450℃，所述镍锌铁磁材料的应用频率的取值范围为小于20MHz。
  6. 根据权利要求2所述的滤波电路，其特征在于，所述初级线圈的匝数大于或等于所述次级线圈的匝数。
  7. 根据权利要求2所述的滤波电路，其特征在于，所述电感功能部的电感值的取值范围在40μH-100μH。
  8. 根据权利要求2所述的滤波电路，其特征在于，两个所述第二磁芯上的电感线圈的匝数相等，两个所述第二磁芯上的电感线圈的电感值相等。
  9. 根据权利要求1-8任意一项所述的滤波电路，其特征在于，所述电容支路包括至少两条，每条所述电感支路中的所述电感功能部与至少一个所述电容支路并联。
  10. 根据权利要求1-8任意一项所述的滤波电路，其特征在于，所述电容支路包括电容，所述电容采用陶瓷电容。
  11. 一种加热电路，用于加热承载被加工工件的卡盘，并分别控制所述卡盘的不同温度区的温度，所述加热电路包括加热源和负载，其中，所述加热源用于为加热所述负载提供电能，所述负载的数量与所述卡盘的温度区的数量一致，且一一对应地设置，其特征在于，还包括权利要求1-10任意一 项所述的滤波电路，所述滤波电路的输入端连接所述加热源，所述滤波电路的输出端连接所述负载，用于对所述负载进行滤波。
  12. 一种半导体处理设备，包括用于承载被加工工件的卡盘，以及用于控制所述卡盘的不同温度区的温度的加热电路，其特征在于，所述加热电路采用权利要求11所述的加热电路。
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