JP5711953B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
1a 上アンテナ
1b 下アンテナ
2 真空処理室
3 マッチングボックス
4 ガス供給装置
5 試料台
6 プラズマ
7 排気装置
8 ファラデーシールド
9 試料保持部
10 第一の高周波電源
11 第二の高周波電源
12 ウィンドウ
13 試料
14 直列共振回路
15 FSV検出部
16 モータ制御部
17 異常検知部
18 比較回路
19 モータ制御回路
20 下限リミット
21 モータ
22 フィルタ回路
23 検波回路
24 増幅回路
25 制御部
Claims (4)
- 試料がプラズマ処理される真空処理室と、前記真空処理室内に配置され、前記試料を載置する試料台と、前記真空処理室外に配置された誘導アンテナと、前記誘導アンテナに高周波電力を供給する高周波電源と、前記高周波電源から整合器を介して高周波電圧が印加され前記プラズマと容量結合するファラデーシールドとを備えるプラズマ処理装置において、
前記整合器は、可変コンデンサとインダクタンスを有する直列共振回路と、前記可変コンデンサの容量を制御するためのモータを制御するモータ制御部と、前記ファラデーシールドに印加された高周波電圧を検出する高周波電圧検出部とを具備し、
前記モータ制御部は、前記直列共振回路の共振点を境界として前記直列共振回路が容量性の領域で動作するか誘導性の領域で動作するかを切り替える信号と前記ファラデーシールドに印加される所定の高周波電圧と前記高周波電圧検出部により検出された高周波電圧とに基づいて前記ファラデーシールドに印加される所定の高周波電圧と前記高周波電圧検出部により検出された高周波電圧との差が所定の許容値より小さくなるように前記可変コンデンサの容量を制御するとともに前記信号により前記直列共振回路が前記容量性の領域で動作するように設定され、前記高周波電圧検出部により検出された高周波電圧が前記ファラデーシールドに印加される所定の高周波電圧より大きい場合、前記可変コンデンサの容量が大きくなるように前記可変コンデンサの容量を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記モータ制御部は、前記信号により前記直列共振回路が前記誘導性の領域で動作するように設定され、前記高周波電圧検出部により検出された高周波電圧が前記ファラデーシールドに印加される所定の高周波電圧より大きい場合、前記可変コンデンサの容量が小さくなるように前記可変コンデンサの容量を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記モータ制御部は、前記高周波電圧検出部により検出された高周波電圧が予め設定された下限値より小さくなる場合、前記可変コンデンサの容量を制御する方向を強制的に逆転させることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2に記載のプラズマ処理装置において、
前記モータ制御部は、前記高周波電圧検出部により検出された高周波電圧が予め設定された下限値より小さくなる場合、前記可変コンデンサの容量を制御する方向を強制的に逆転させることを特徴とするプラズマ処理装置。
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