JPH06177058A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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- JPH06177058A JPH06177058A JP4352598A JP35259892A JPH06177058A JP H06177058 A JPH06177058 A JP H06177058A JP 4352598 A JP4352598 A JP 4352598A JP 35259892 A JP35259892 A JP 35259892A JP H06177058 A JPH06177058 A JP H06177058A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】構造が簡単で製作費、メンテナンスコストの安
価な而もプラズマ密度が均一であるプラズマ発生装置を
提供する。 【構成】反応室２４を画成する真空容器２３の外側にプ
ラズマ発生コイル２６を配設し、該プラズマ発生コイル
に高周波電源２８を接続し、反応室を減圧状態にしてプ
ラズマ発生コイルに高周波電力を印加し、プラズマ発生
コイルが形成する電磁波によって反応室内にプラズマ１
１を発生させる。
価な而もプラズマ密度が均一であるプラズマ発生装置を
提供する。 【構成】反応室２４を画成する真空容器２３の外側にプ
ラズマ発生コイル２６を配設し、該プラズマ発生コイル
に高周波電源２８を接続し、反応室を減圧状態にしてプ
ラズマ発生コイルに高周波電力を印加し、プラズマ発生
コイルが形成する電磁波によって反応室内にプラズマ１
１を発生させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置等プラズ
マを利用してウェーハ、ガラス基板等の被処理物を処理
する場合のプラズマ発生装置に関するものである。
マを利用してウェーハ、ガラス基板等の被処理物を処理
する場合のプラズマ発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１７に於いて従来のプラズマ発生装置
を説明する。
を説明する。
【０００３】真空容器１で画成される反応室２の下方に
は処理台３が設置され、その上にはウェーハやガラス基
板等の被処理物４が置かれる。反応室２上部には平板電
極５が設けられ、該平板電極５は絶縁ブロック６で真空
容器１と絶縁されている。前記平板電極５には、高周波
電源７が整合器１０を介して接続されている。
は処理台３が設置され、その上にはウェーハやガラス基
板等の被処理物４が置かれる。反応室２上部には平板電
極５が設けられ、該平板電極５は絶縁ブロック６で真空
容器１と絶縁されている。前記平板電極５には、高周波
電源７が整合器１０を介して接続されている。
【０００４】反応室２を真空ポンプ８で排気し、減圧状
態の反応室２にガス導入管９からガスを導入し、図示し
ない圧力制御装置によって圧力を設定し、平板電極５に
高周波電源７が出力する高周波電力を整合器１０を通し
て供給し、反応室２内にプラズマ１１を生成する。この
プラズマ１１によって、処理台３上の被処理物４を処理
する。
態の反応室２にガス導入管９からガスを導入し、図示し
ない圧力制御装置によって圧力を設定し、平板電極５に
高周波電源７が出力する高周波電力を整合器１０を通し
て供給し、反応室２内にプラズマ１１を生成する。この
プラズマ１１によって、処理台３上の被処理物４を処理
する。
【０００５】このプラズマ発生装置は、プラズマエッチ
ングやプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の装置に利用されている。
ングやプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の装置に利用されている。
【０００６】次に、図１８に於いて他の従来のプラズマ
発生装置を説明する。図１８はプラズマ処理装置の内、
特にＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｌｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｏｒｏｎ
Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング装置を示している。
図１８中、図１７中で示したものと同一の機能を有する
ものは同一符号を付してある。
発生装置を説明する。図１８はプラズマ処理装置の内、
特にＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｌｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｏｒｏｎ
Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング装置を示している。
図１８中、図１７中で示したものと同一の機能を有する
ものは同一符号を付してある。
【０００７】真空容器１の下端にバッファ室１２を画成
するバッファ容器１３を連設し、反応室２の下部に平板
電極５を設ける。該平板電極５の上には被処理物４が置
かれる。前記真空容器１には冷却器１８が設けられ、給
水口１９より給水し、前記冷却器１８を流通させ排水口
２０から排水して真空容器１を冷却する様になってい
る。真空容器１の上端は石英板１５で仕切られ、前記真
空容器１の上端には断面が中空矩形の導波管１４が接続
され、マイクロ波電源１６が出力するマイクロ波を前記
石英板１５を通して前記反応室２に導く構造となってい
る。反応室２の周辺には反応室２の中に磁界を生成する
為の磁界生成用コイル１７が設置されている。反応室２
の下部に設置された平板電極５には高周波電源７の出力
を整合器１０を通して供給できる様になっている。
するバッファ容器１３を連設し、反応室２の下部に平板
電極５を設ける。該平板電極５の上には被処理物４が置
かれる。前記真空容器１には冷却器１８が設けられ、給
水口１９より給水し、前記冷却器１８を流通させ排水口
２０から排水して真空容器１を冷却する様になってい
る。真空容器１の上端は石英板１５で仕切られ、前記真
空容器１の上端には断面が中空矩形の導波管１４が接続
され、マイクロ波電源１６が出力するマイクロ波を前記
石英板１５を通して前記反応室２に導く構造となってい
る。反応室２の周辺には反応室２の中に磁界を生成する
為の磁界生成用コイル１７が設置されている。反応室２
の下部に設置された平板電極５には高周波電源７の出力
を整合器１０を通して供給できる様になっている。
【０００８】前記平板電極５は前記バッファ容器１３の
底面を貫通し、貫通箇所は絶縁ブロック６で前記バッフ
ァ容器１３と絶縁されている。又、バッファ容器１３の
内部には前記磁界生成コイル１７で生成した磁界の分布
を補正する為の補正コイル２１が設けられている。
底面を貫通し、貫通箇所は絶縁ブロック６で前記バッフ
ァ容器１３と絶縁されている。又、バッファ容器１３の
内部には前記磁界生成コイル１７で生成した磁界の分布
を補正する為の補正コイル２１が設けられている。
【０００９】反応室２、バッファ室１２を真空ポンプ８
で排気し、減圧状態の反応室２にガス導入管９からガス
を導入し、図示しない圧力制御装置によって圧力を設定
し、前記マイクロ波源から出力されたマイクロ波が矩形
導波管１４によって反応室２に導入される。反応室２内
ではこのマイクロ波と磁界生成用コイル１７で生成した
磁界による電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用し
て高密度のプラズマ１１を発生させる。
で排気し、減圧状態の反応室２にガス導入管９からガス
を導入し、図示しない圧力制御装置によって圧力を設定
し、前記マイクロ波源から出力されたマイクロ波が矩形
導波管１４によって反応室２に導入される。反応室２内
ではこのマイクロ波と磁界生成用コイル１７で生成した
磁界による電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用し
て高密度のプラズマ１１を発生させる。
【００１０】又同時に平板電極５に高周波電源７より高
周波電力を加えて、平板電極５に直流バイアス電圧を生
成し、プラズマ中のイオンを平板電極上の被処理物４側
に多量に移動させて、平板電極５に置かれた被処理物４
をエッチングする。電子サイクロトロン共鳴を利用した
装置としては、この他にプラズマＣＶＤ装置等がある。
周波電力を加えて、平板電極５に直流バイアス電圧を生
成し、プラズマ中のイオンを平板電極上の被処理物４側
に多量に移動させて、平板電極５に置かれた被処理物４
をエッチングする。電子サイクロトロン共鳴を利用した
装置としては、この他にプラズマＣＶＤ装置等がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前記した従来のプラズ
マ発生装置では、プラズマを生成するための平板電極５
が反応室２の内部に設けられていることにより、反応室
内部の部品点数が増え、構造が複雑になってしまう。反
応室の構造が複雑になると反応生成物による汚染箇所が
増え、併せて汚染の除去も困難となる。
マ発生装置では、プラズマを生成するための平板電極５
が反応室２の内部に設けられていることにより、反応室
内部の部品点数が増え、構造が複雑になってしまう。反
応室の構造が複雑になると反応生成物による汚染箇所が
増え、併せて汚染の除去も困難となる。
【００１２】又電極表面の反応生成物による汚染は、電
極の導通面積が変化する為プラズマ状態が変化し、被処
理物の処理に支障を来すことがある。この為反応室内部
を頻繁に清掃することが必要になり、メンテナンスコス
トが増大する、稼働率が低下する等の問題が生じる。
極の導通面積が変化する為プラズマ状態が変化し、被処
理物の処理に支障を来すことがある。この為反応室内部
を頻繁に清掃することが必要になり、メンテナンスコス
トが増大する、稼働率が低下する等の問題が生じる。
【００１３】更に、後者の電子サイクロトロン共鳴を利
用してプラズマを発生させるものでは、この電子サイク
ロトロン共鳴の条件を満たす為にマイクロ波源１６、マ
イクロ波を反応室２に導入する為の導波管１４、反応室
内部に磁界を生成させる為の磁界生成用コイル１７、コ
イルを冷却する為の水冷機構等が必要で、装置が複雑に
なり、装置の寸法が大きくなると共にコスト高となって
しまう。
用してプラズマを発生させるものでは、この電子サイク
ロトロン共鳴の条件を満たす為にマイクロ波源１６、マ
イクロ波を反応室２に導入する為の導波管１４、反応室
内部に磁界を生成させる為の磁界生成用コイル１７、コ
イルを冷却する為の水冷機構等が必要で、装置が複雑に
なり、装置の寸法が大きくなると共にコスト高となって
しまう。
【００１４】又コイルで生成した磁界の強さを被処理物
の上部で均一にすることが困難で、この為プラズマが不
均一になりエッチング等の処理に問題が生じる。この傾
向は被処理物の寸法が大きくなるに従って顕著になる
為、大型の被処理物の処理を行うことが困難であるとい
う問題があった。
の上部で均一にすることが困難で、この為プラズマが不
均一になりエッチング等の処理に問題が生じる。この傾
向は被処理物の寸法が大きくなるに従って顕著になる
為、大型の被処理物の処理を行うことが困難であるとい
う問題があった。
【００１５】本発明は斯かる実情に鑑み、構造が簡単で
製作費、メンテナンスコストの安価な而もプラズマ密度
が均一であるプラズマ発生装置を提供しようとするもの
である。
製作費、メンテナンスコストの安価な而もプラズマ密度
が均一であるプラズマ発生装置を提供しようとするもの
である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室を画成
する真空容器の外側にプラズマ発生コイルを配設し、該
プラズマ発生コイルに高周波電源を接続したことを特徴
とするものである。
する真空容器の外側にプラズマ発生コイルを配設し、該
プラズマ発生コイルに高周波電源を接続したことを特徴
とするものである。
【００１７】
【作用】反応室を減圧状態にし、プラズマ発生コイルに
高周波電力を印加する。プラズマ発生コイルが形成する
電磁波によって反応室内にプラズマが発生する。
高周波電力を印加する。プラズマ発生コイルが形成する
電磁波によって反応室内にプラズマが発生する。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１９】先ず、第１のプラズマ発生装置の実施例に
ついて図１、図２により説明する。
ついて図１、図２により説明する。
【００２０】角形真空容器２３の上面に石英等の絶縁物
とした天井板２２を設け、真空気密構造の反応室２４を
形成し、該反応室２４には真空ポンプ３０を接続すると
共にガス導入管２９を接続する。前記反応室２４内部に
は被処理物載置台２５が設けられ、該被処理物載置台２
５に被処理物４が載置される様になっている。
とした天井板２２を設け、真空気密構造の反応室２４を
形成し、該反応室２４には真空ポンプ３０を接続すると
共にガス導入管２９を接続する。前記反応室２４内部に
は被処理物載置台２５が設けられ、該被処理物載置台２
５に被処理物４が載置される様になっている。
【００２１】前記天井板２２の上面にコイル巻形状を偏
平としたプラズマ発生コイル２６が設けられる。該プラ
ズマ発生コイル２６は前記真空容器２３を介して接地さ
れ、又該プラズマ発生コイル２６には整合器２７を介し
て高周波電源２８が接続されている。
平としたプラズマ発生コイル２６が設けられる。該プラ
ズマ発生コイル２６は前記真空容器２３を介して接地さ
れ、又該プラズマ発生コイル２６には整合器２７を介し
て高周波電源２８が接続されている。
【００２２】尚、図１中、３１はプラズマ発生コイル２
６のシールドカバーである。
６のシールドカバーである。
【００２３】反応室２４を前記真空ポンプ８で排気して
減圧状態とし、減圧状態となった反応室２４に前記ガス
導入管２９より反応ガスを導入する。前記反応室２４の
内部の圧力は、図示しない圧力制御装置によって設定し
た圧力に保持する。
減圧状態とし、減圧状態となった反応室２４に前記ガス
導入管２９より反応ガスを導入する。前記反応室２４の
内部の圧力は、図示しない圧力制御装置によって設定し
た圧力に保持する。
【００２４】前記プラズマ発生コイル２６に高周波電源
２８が出力する高周波電力を前記整合器２７を介して印
加すると、プラズマ発生コイル２６から発せられる電磁
波により反応室２４にプラズマ１１が生成される。
２８が出力する高周波電力を前記整合器２７を介して印
加すると、プラズマ発生コイル２６から発せられる電磁
波により反応室２４にプラズマ１１が生成される。
【００２５】このプラズマ１１により、被処理物載置台
２５上の被処理物４が処理される。
２５上の被処理物４が処理される。
【００２６】上記した様に、本プラズマ発生装置では反
応室２４の外部に配したプラズマ発生コイル２６によっ
て前記反応室２４内部にプラズマを発生させるものであ
る。
応室２４の外部に配したプラズマ発生コイル２６によっ
て前記反応室２４内部にプラズマを発生させるものであ
る。
【００２７】図３はプラズマ発生コイル２６のコイル形
状の他の例を示している。該実施例では、プラズマ発生
コイル２６のコイル形状を円筒形としたものである。該
プラズマ発生コイル２６に高周波電力を印加して反応室
２４内にプラズマ１１を発生させるについては前述した
と同様である。
状の他の例を示している。該実施例では、プラズマ発生
コイル２６のコイル形状を円筒形としたものである。該
プラズマ発生コイル２６に高周波電力を印加して反応室
２４内にプラズマ１１を発生させるについては前述した
と同様である。
【００２８】次に、図４、図５により他のプラズマ発生
装置の実施例について説明する。
装置の実施例について説明する。
【００２９】図中、図１、図２と同様な構成物には同符
号を付してある。
号を付してある。
【００３０】角形真空容器２３の上面に石英等の絶縁物
とした天井板２２を設け、真空気密構造の反応室２４を
形成し、該反応室２４には真空ポンプ３０を接続すると
共にガス導入管２９を接続する。前記反応室２４の底部
には被処理物載置台を兼ねる平板電極３２が設けられ、
該平板電極３２に被処理物４が載置される様になってい
る。又、該平板電極３２は絶縁ブロック３５を介して前
記真空容器２３に設けられ、更に整合器３３を介して高
周波電源３４に接続されている。
とした天井板２２を設け、真空気密構造の反応室２４を
形成し、該反応室２４には真空ポンプ３０を接続すると
共にガス導入管２９を接続する。前記反応室２４の底部
には被処理物載置台を兼ねる平板電極３２が設けられ、
該平板電極３２に被処理物４が載置される様になってい
る。又、該平板電極３２は絶縁ブロック３５を介して前
記真空容器２３に設けられ、更に整合器３３を介して高
周波電源３４に接続されている。
【００３１】前記天井板２２の上面にコイル巻形状を偏
平としたプラズマ発生コイル２６が設けられる。該プラ
ズマ発生コイル２６は前記真空容器２３を介して接地さ
れ、又該プラズマ発生コイル２６には整合器２７を介し
て高周波電源２８が接続されている。
平としたプラズマ発生コイル２６が設けられる。該プラ
ズマ発生コイル２６は前記真空容器２３を介して接地さ
れ、又該プラズマ発生コイル２６には整合器２７を介し
て高周波電源２８が接続されている。
【００３２】尚、図４中、３１はプラズマ発生コイル２
６のシールドカバーである。
６のシールドカバーである。
【００３３】反応室２４を前記真空ポンプ８で排気して
減圧状態とし、減圧状態となった反応室２４に前記ガス
導入管２９より反応ガスを導入する。前記反応室２４の
内部の圧力は、図示しない圧力制御装置によって設定し
た圧力に保持する。
減圧状態とし、減圧状態となった反応室２４に前記ガス
導入管２９より反応ガスを導入する。前記反応室２４の
内部の圧力は、図示しない圧力制御装置によって設定し
た圧力に保持する。
【００３４】前記プラズマ発生コイル２６に高周波電源
２８が出力する高周波電力を前記整合器２７を介して印
加すると、プラズマ発生コイル２６から発せられる電磁
波により反応室２４にプラズマ１１が生成される。
２８が出力する高周波電力を前記整合器２７を介して印
加すると、プラズマ発生コイル２６から発せられる電磁
波により反応室２４にプラズマ１１が生成される。
【００３５】又、同時に前記平板電極３２に高周波電源
３４の高周波電力を前記整合器３３を介して供給し、前
記平板電極３２に直流バイアス電圧を生成し、プラズマ
１１中のイオンを平板電極３２の被処理物４側に多量に
移動させ、該被処理物４を処理する。
３４の高周波電力を前記整合器３３を介して供給し、前
記平板電極３２に直流バイアス電圧を生成し、プラズマ
１１中のイオンを平板電極３２の被処理物４側に多量に
移動させ、該被処理物４を処理する。
【００３６】図６はプラズマ発生コイル２６のコイル形
状の他の例を示している。該実施例では、プラズマ発生
コイル２６のコイル形状を円筒形としたものである。該
プラズマ発生コイル２６に高周波電力を印加して反応室
２４内にプラズマ１１を発生させるについては前述した
と同様である。
状の他の例を示している。該実施例では、プラズマ発生
コイル２６のコイル形状を円筒形としたものである。該
プラズマ発生コイル２６に高周波電力を印加して反応室
２４内にプラズマ１１を発生させるについては前述した
と同様である。
【００３７】尚、被処理物４を処理する際、プラズマ密
度の分布の状態は処理状態に影響を及ぼすが、コイルの
形状、コイル設置の状態、寸法、取付け位置、コイルの
数、等はプラズマ密度の分布の状態を決定する要因とな
る。従って、これらの要因を適宜選択することで、最適
なプラズマを発生させることができる。
度の分布の状態は処理状態に影響を及ぼすが、コイルの
形状、コイル設置の状態、寸法、取付け位置、コイルの
数、等はプラズマ密度の分布の状態を決定する要因とな
る。従って、これらの要因を適宜選択することで、最適
なプラズマを発生させることができる。
【００３８】以下にプラズマ発生コイル２６の形状、
数、設置状態について変更した例を説明する。
数、設置状態について変更した例を説明する。
【００３９】図７はプラズマ発生コイル２６を２つのコ
イル素２６ａ，２６ｂを平行に配設して構成したもので
あり、図８、図９は２つのコイル素２６ａ，２６ｂを平
行に配設した場合の結線の態様を示している。
イル素２６ａ，２６ｂを平行に配設して構成したもので
あり、図８、図９は２つのコイル素２６ａ，２６ｂを平
行に配設した場合の結線の態様を示している。
【００４０】図８は、２つのコイル素２６ａ，２６ｂそ
れぞれに整合器２７を介して高周波電源２８を個別に接
続してコイル素２６ａ，２６ｂに高周波電力を印加する
様にしたものである。
れぞれに整合器２７を介して高周波電源２８を個別に接
続してコイル素２６ａ，２６ｂに高周波電力を印加する
様にしたものである。
【００４１】図９は２つのコイル素２６ａ，２６ｂを１
つの高周波電源２８に対して整合器２７を介し並列に接
続したものである。
つの高周波電源２８に対して整合器２７を介し並列に接
続したものである。
【００４２】図１０は２つのコイル素２６ａ，２６ｂを
１つの高周波電源２８に対して整合器２７を介し直列に
接続したものである。
１つの高周波電源２８に対して整合器２７を介し直列に
接続したものである。
【００４３】図１１はプラズマ発生コイル２６を４つの
コイル素２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄを放射状に配
設して構成したものであり、図１２〜図１４は４つのコ
イル素２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄを放射状に配設
した場合の結線の態様を示している。
コイル素２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄを放射状に配
設して構成したものであり、図１２〜図１４は４つのコ
イル素２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄを放射状に配設
した場合の結線の態様を示している。
【００４４】図１２は、４つのコイル素２６ａ，２６
ｂ，２６ｃ，２６ｄそれぞれに整合器２７を介して高周
波電源２８を個別に接続してコイル素２６ａ，２６ｂ，
２６ｃ，２６ｄに高周波電力を印加する様にしたもので
ある。
ｂ，２６ｃ，２６ｄそれぞれに整合器２７を介して高周
波電源２８を個別に接続してコイル素２６ａ，２６ｂ，
２６ｃ，２６ｄに高周波電力を印加する様にしたもので
ある。
【００４５】図１３は４つのコイル素２６ａ，２６ｂ，
２６ｃ，２６ｄを１つの高周波電源２８に対して整合器
２７を介し並列に接続したものである。
２６ｃ，２６ｄを１つの高周波電源２８に対して整合器
２７を介し並列に接続したものである。
【００４６】図１４は４つのコイル素２６ａ，２６ｂ，
２６ｃ，２６ｄを１つの高周波電源２８に対して整合器
２７を介し直列に接続したものである。
２６ｃ，２６ｄを１つの高周波電源２８に対して整合器
２７を介し直列に接続したものである。
【００４７】図１５はプラズマ発生コイル２６のコイル
形状の他の例を示しており、該実施例では、プラズマ発
生コイル２６のコイルの巻き中心をリング状としてドー
ナッツ形状としたものである。
形状の他の例を示しており、該実施例では、プラズマ発
生コイル２６のコイルの巻き中心をリング状としてドー
ナッツ形状としたものである。
【００４８】図１６はプラズマ発生コイル２６のコイル
形状の他の例を示し、該実施例では、プラズマ発生コイ
ル２６を反応室２４に絶縁して巻付けたものである。
形状の他の例を示し、該実施例では、プラズマ発生コイ
ル２６を反応室２４に絶縁して巻付けたものである。
【００４９】尚、上記した実施例に於いてコイルの保持
機構をコイルが移動可能な構造とし、コイルの位置を調
整してプラズマの生成状態を調整する様にしてもよい。
機構をコイルが移動可能な構造とし、コイルの位置を調
整してプラズマの生成状態を調整する様にしてもよい。
【００５０】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、構造が
単純となり、製作コストが低減できると共に発生するプ
ラズマ密度の均一化が容易であり、又プラズマ発生用の
プラズマ発生コイルを反応室の外側に設けるので、反応
室内部の構造が簡単で清掃が容易で保守性の向上が図れ
る。
単純となり、製作コストが低減できると共に発生するプ
ラズマ密度の均一化が容易であり、又プラズマ発生用の
プラズマ発生コイルを反応室の外側に設けるので、反応
室内部の構造が簡単で清掃が容易で保守性の向上が図れ
る。
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】同前実施例の断面図である。
【図３】同前実施例でプラズマ発生コイルの形状を変更
したものを示す斜視図である。
したものを示す斜視図である。
【図４】本発明の他の実施例の斜視図である。
【図５】同前他の実施例の断面図である。
【図６】同前他の実施例でコイルの形状を変更したもの
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図７】プラズマ発生コイルを２つのコイルで構成した
場合のコイルの配置を示す説明図である。
場合のコイルの配置を示す説明図である。
【図８】プラズマ発生コイルを２つのコイルで構成した
場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図で
ある。
場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図で
ある。
【図９】プラズマ発生コイルを２つのコイルで構成した
場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図で
ある。
場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図で
ある。
【図１０】プラズマ発生コイルを２つのコイルで構成し
た場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図
である。
た場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図
である。
【図１１】プラズマ発生コイルを４つのコイルで構成し
た場合のコイルの配置を示す説明図である。
た場合のコイルの配置を示す説明図である。
【図１２】プラズマ発生コイルを４つのコイルで構成し
た場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図
である。
た場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図
である。
【図１３】プラズマ発生コイルを４つのコイルで構成し
た場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図
である。
た場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図
である。
【図１４】プラズマ発生コイルを４つのコイルで構成し
た場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図
である。
た場合のコイルと高周波電源との接続状態を示す説明図
である。
【図１５】プラズマ発生コイルの他の形状を示す説明図
である。
である。
【図１６】プラズマ発生コイルの他の形状を示す説明図
である。
である。
【図１７】プラズマ発生装置の従来例を示す断面図であ
る。
る。
【図１８】プラズマ発生装置の他の従来例を示す断面図
である。
である。
４ 被処理物 １１ プラズマ ２３ 真空容器 ２４ 反応室 ２６ プラズマ発生コイル ２８ 高周波電源 ３２ 平板電極 ３４ 高周波電源
Claims (7)
- 【請求項１】 反応室を画成する真空容器の外側にプラ
ズマ発生コイルを配設し、該プラズマ発生コイルに高周
波電源を接続したことを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項２】 反応室を画成する真空容器の外側にプラ
ズマ発生コイルを配設し、該プラズマ発生コイルに高周
波電源を接続し、反応室内部に被処理物載置台を兼ねる
平板電極を設け、該平板電極に高周波電源を接続したこ
とを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項３】 プラズマ発生コイルを複数のコイル素で
構成した請求項１又は請求項２のプラズマ発生装置。 - 【請求項４】 複数のコイル素にそれぞれ個別に高周波
電源を接続した請求項３のプラズマ発生装置。 - 【請求項５】 複数のコイル素を高周波電源に並列接続
した請求項３のプラズマ発生装置。 - 【請求項６】 複数のコイル素を高周波電源に直列接続
した請求項３のプラズマ発生装置。 - 【請求項７】 プラズマ発生コイルを真空容器の周囲に
巻付けた請求項１又は請求項２のプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352598A JPH06177058A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352598A JPH06177058A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | プラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177058A true JPH06177058A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18425143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4352598A Pending JPH06177058A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177058A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004537839A (ja) * | 2001-07-30 | 2004-12-16 | プラズマート カンパニー リミテッド | 誘導結合型プラズマ発生装置のアンテナ構造 |
| JP2007123008A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理装置 |
| JP2010003699A (ja) * | 1998-06-30 | 2010-01-07 | Lam Res Corp | プラズマ発生装置 |
| JP2010118324A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Semes Co Ltd | プラズマアンテナおよびこれを含むプラズマ処理装置 |
| JP2012156261A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP4352598A patent/JPH06177058A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010003699A (ja) * | 1998-06-30 | 2010-01-07 | Lam Res Corp | プラズマ発生装置 |
| JP2004537839A (ja) * | 2001-07-30 | 2004-12-16 | プラズマート カンパニー リミテッド | 誘導結合型プラズマ発生装置のアンテナ構造 |
| JP2007123008A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理装置 |
| JP2010118324A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Semes Co Ltd | プラズマアンテナおよびこれを含むプラズマ処理装置 |
| JP2012156261A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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