KR20010043221A - 유기금속 기상 에피택시용 유기금속 화합물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 박막으로서의 막형성 속도가 균일하고, 열적 안정성이 우수한 유기 루테늄 화합물 및 유기 백금 화합물에 관한 것이다. 본 발명의 유기 루테늄 화합물은, 오원환인 시클로펜타디엔 고리의 치환기중 적어도 1개의 치환기가 CH2CH3, CH2CH2CH3, CH2CH2CH2CH3, C(CH3)3, CH2(C6H5), C0CH3, COOCH3, CH2OCH3중 어느 하나의 알킬기를 가지는 것이다. 또, 백금 화합물은, 오원환인 시클로펜타디엔 고리의 치환기중 적어도 1개의 치환기가 CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH2CH2CH2CH3, C(CH3)3, CH2(C6H5)중 어느 하나의 알킬기를 가지는 것이다.
Description
반도체 장치의 전극재료 등 최첨단 기술분야에서는, 종래로부터 유기금속 기상 에피택시법에 의해 각종의 루테늄 박막, 백금 박막을 형성하기 위해 유기 루테늄 화합물 및 유기 백금 화합물이 사용되고 있다. 이 때, 루테늄 박막을 형성하기 위해서는, 식 3에 나타낸 루테노센인 유기 루테늄 화합물이 원료로 사용되고 있다.
(식 3)
식 3에 나타낸 유기 루테늄 화합물은, 각각의 시클로펜타디엔 고리인 오원(五員) 고리(環)를 구성하는 것은 탄소와 수소만이고, 2개의 오원고리 사이에 루테늄 원자가 끼워진 샌드위치 구조를 가지는 것이다.
한편, 백금 박막의 구조에 사용되는 원료화합물로는, 식 4에 나타낸 1개의 시클로펜타디엔 고리인 오원환(五員環)과 백금이 결합하고, 나아가 백금에는 3 메틸기가 배위(配位)하거나 결합한 유기 백금 화합물이 종래로부터 이용되고 있다.
(식 4)
그러나, 식 3에 나타낸 유기 루테늄 화합물 및 식 4에 나타낸 유기 백금 화합물은, 전자(前者)의 융점이 198℃, 후자의 융점은 식 4의 R1이 H인 경우 65℃, R1이 CH3인 경우 30℃로 높고 증기압도 낮기 때문에 기화속도의 제어가 곤란하다는 결점을 가지고 있었다.
기화속도의 제어가 곤란하다고 하는 것은, 박막으로서의 막형성 속도가 불균일하게 되고 막두께의 정밀도 및 평면성이 부족한 제품이 생산된다는 것을 의미하고 있다.
더욱이, 식 3에 나타낸 유기 루테늄 화합물 및 식 4에 나타낸 유기 백금 화합물은, 기화시키기 위해 가열할 때 열분해 반응을 일으키고 열적 안정성이 부족하다는 문제도 제조현상에서 지적되고 있다.
근년, 전자기기(電子機器)의 다운사이징(downsizing) 경향은 약해지는 일이 없어, 반도체 장치나 반도체 부품에도 고집적화, 고밀도화가 한층 더 강하게 요구되어 왔다. 이 결과, 이들 장치나 부품에 응용되는 루테늄 박막, 루테늄 산화물 및 고순도 백금의 박막에도 한층 더 박막화가 요구되어 오고 있다.
이와 같은 기술동향 가운데, 막형성 속도의 불균일을 야기하는 화합물 원료를 이용하고 있는 한, 엄밀한 품질관리를 행하는 것은 불가능하므로 제품 품질에 커다란 불균일성이 생기게 된다. 이 경향은, 박막화가 진행되어 요구되는 막두께가 얇아질수록 분명하게 나타나게 되는 문제이다. 이 문제를 해결하지 않는 한, 종래의 화합물 원료를 이용한 박막 형성에는 자연히 한계가 생기고, 시장의 요구에 따라가지 못하는 사태를 맞게 된다.
본 발명은, 유기금속 기상(氣相) 에피택시법(Epitaxy 法)에 의해, 기판 표면에 루테늄, 루테늄 산화물 또는 고순도 백금의 박막을 형성하기 위한 유기금속 화합물에 관한 것이다. 특히, 반도체 장치나 부품의 전극재료 등의 제조에 대하여 유용한 유기금속 화합물에 관한 것이다.
도 1은, 본원 실시예에서 사용한 MOCVD 장치의 구성을 타나내는 개략도이다.
그래서, 본 발명자들은 예의(銳意) 연구결과, 종래의 식 3에 나타낸 유기 루테늄 화합물 및 식 4에 나타낸 백금 화합물이 가지는 결점을 해소할 수 있는 유기금속 화합물을 개발하는데 이르렀다.
일반적으로 박막 형성의 프로세스는, ① 원료를 기화시켜 기판 표면에 수송 가능한 상태로 하는 과정, ② 기화한 원료를 기판 표면에 수송하는 과정, ③ 수송한 원료입자가 기판 모양으로 퇴적하는 과정의 3개 과정으로 대별하여 생각할 수 있다. 유기금속 기상 에피택시법에서 사용하는 원료는, 일반적으로 원소(元素) 재료를 이용하지 않고 화합물 원료가 이용되고 있다.
원소재료를 사용하지 않는 이유는, 원소재료 그 자체의 증기압이 낮아 그대로 수송하는 것이 곤란하기 때문이다. 따라서, 화합물 원료로 함으로써, 높은 증기압을 가지는 물질로서 수송가능한 상태를 만들어 내는 것이다. 이것을 고려하면, 종래로부터 사용되어 온 식 3에 나타낸 유기 루테늄 화합물 및 식 4에 나타낸 유기 백금 화합물을 원료로 사용할 때에도 막형성 속도가 불균일하게 되는 원인은 증기압이 낮기 때문이라고 생각된다.
이 증기압의 문제에만 주목하면, 원료물질의 분자량을 크게 함으로써 간단히 해결되게 된다. 그러나, 반도체 산업분야에서 사용하는 루테늄 박막, 루테늄 산화물 박막 및 고순도의 백금 박막에는 그 외에 높은 품질이 요구된다. 예컨대, 요구되는 품질, 특성으로서, 결정상태, 격자 정수(定數), 열팽창 계수, 구조결함 제어, 불순물이나 구성원소의 상호 확산, 선택 성장 등을 들 수 있다.
본원에 관한 유기 루테늄 화합물 및 유기 백금 화합물의 발명은, 기화시에 충분히 높은 증기압이 얻어지고, 반도체 분야에서 요구되는 제특성 및 품질을 만족시킬 수 있게 되어 있다.
청구범위 제1항에 기재한 발명은, 유기금속 기상 에피택시법에 의해 기판 표면에 루테늄 또는 루테늄 산화물의 박막을 형성하기 위한 유기금속 화합물로서, 이하에 식 1로 나타낸 일반 구조식을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 루테늄 화합물이다.
(식 1)
단, 일반 구조식 중 R1,R2, R3, R4, R5, R1', R2', R3', R4', R5'의 각 치환기 전체가 수소인 경우는 포함하지 않고, 2개 오원환의 치환기인 R1,R2, R3, R4, R5, R1', R2', R3', R4', R5' 중 적어도 1개의 치환기는 CH2CH3, CH2CH2CH3, CH2CH2CH2CH3, C(CH3)3, CH2(C6H5), C0CH3, COOCH3, CH2OCH3중 어느 알킬기를 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
여기서, 일반 구조식중, R1,R2, R3, R4, R5, R1', R2', R3', R4', R5'의 각 치환기의 전체가 수소인 경우를 제외하는 것은, 종래의 식 3에 나타낸 유기 루테늄 화합물 및 그 밖의 공지 유기 루테늄 화합물을 포함하지 않는 것을 명확하게 하기 위한 것이다. 종래로부터 알려진 유기 루테늄 화합물을 유기금속 기상 에피택시의 원료로 사용하여도, 본건 특허출원에 관한 유기 루테늄 화합물과 같은 기화속도의 안정성은 나타나지 않는다. 종래로부터 알려진 유기 루테늄 화합물에 비해, 본건 발명에 관한 식 1에 나타낸 구조식을 가지는 루테늄 화합물은 보다 부피가 큰 상태가 되어 열적 안정성이 증대하게 된다.
따라서, 이상에서 기술한 경우를 제외하고, 본건 발명에 관한 유기 루테늄 화합물은 오원환인 시클로펜타디엔 고리의 치환기 중 적어도 1개의 치환기는 CH2CH3, CH2CH2CH3, CH2CH2CH2CH3, C(CH3)3, CH2(C6H5), C0CH3, COOCH3, CH2OCH3중 어느 알킬기를 가지는 점에 그 특징이 있는 것이다.
본건 발명에 관한 식 1에 나타낸 구조식을 가지는 루테늄 화합물은, 시클로 펜타디엔 고리의 치환기 중 적어도 1개의 치환기가 CH2CH3, CH2CH2CH3, CH2CH2CH2CH3, C(CH3)3, CH2(C6H5), C0CH3, COOCH3, CH2OCH3를 가짐으로써, 종래의 식 2에 나타낸 루테노센인 유기 루테늄 화합물에 비해 큰 분자량을 가지게 된다. 그 결과, 원료로서 기화시킨 때의 증기압도 종래에 비해 커져 기화속도가 안정되게 된다.
청구범위 제2항에 기재한 발명은 유기금속 기상 에피택시법에 의해 기판 표면에 백금의 박막을 형성하기 위한 유기 백금 화합물로서, 이하에 식 2로 나타낸 일반 구조식을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 백금 화합물이다.
(식 2)
단, 일반 구조식 중 R1,R2, R3, R4, R5의 각 치환기 중에서, 오원환의 치환기인 R1,R2, R3, R4, R5의 적어도 1개의 치환기는 CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH2CH2CH2CH3, C(CH3)3, CH2(C6H5) 중 어느 알킬기를 가지는 점에 특징이 있다.
여기서, 일반 구조식중 R1,R2, R3, R4, R5의 각 치환기 중에서, 당해 치환기 전체가 CH3인 경우 및 R1만이 CH3인 경우를 제외한 것으로 한 것은, 종래의 식 4에 나타낸 유기 백금 화합물 및 그 밖의 공지된 유기 백금 화합물을 포함하지 않는 것을 명확하게 하기 위한 것이다. 종래로부터 알려진 백금 화합물을 유기금속 기상 에피택시의 원료로 사용하여도 본건 특허출원에 관한 백금 화합물과 같은 기화속도의 안정성은 나타나지 않는다.
본건 발명에 관한 식 2에 나타낸 구조식을 가지는 유기 백금 화합물은, 시클로펜타디엔 고리의 치환기 중 적어도 1개의 치환기를, CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH2CH2CH2CH3, C(CH3)3, CH2(C6H5)중의 치환기로 함으로써, 종래의 식 4에 나타낸 유기 백금 화합물에 비해 큰 분자량을 가지는 것으로 하면 원료로서 기화시킨 때의 증기압도 종래에 비해 크게 되고, 보다 부피가 크고 기화속도가 안정되게 된다.
또, 전술한 식 1 및 식 2에 나타낸 유기 금속 화합물의 입체 구조로부터 생각하면, 입체 장해(障害)가 큰 알킬기를 시클로펜타디엔 고리 상에 가지기 때문에 다른 반응원소가 루테늄 또는 백금의 위치에 가까워지기 어렵고, 종래의 식 2에 나타낸 유기 백금 화합물에 비해 금속 백금으로의 분해, 산화물 등으로의 분해반응이 일어나기 어려워진다. 이로부터도, 청구항 1 및 청구항 2에 관한 유기금속 화합물은 유기금속 기상 반응 에피택시의 화합물 원료로서 안정한 기화성과 열적 안정성을 나타내는 요인이 된다.
더욱이, 여기서 선택한 치환기는 탄소, 수소, 치환기의 종류에 따라서 산소를 구성원소로서 포함할 뿐이고, 특이한 구성원소는 포함되지 않는다. 따라서, 형성된 박막에서도 불순물량이 증가하는 경우도 없었고, 특히 백금 박막에 있어서 연구를 행한 범위 내에서는 극히 고순도일 뿐만 아니라 전술한 제특성이 손상되는 경우는 없었다.
본건 발명에 관한 유기 루테늄 화합물 및 유기 백금 화합물을 제조하는 데는 몇가지 제조수법이 고려된다. 이하, 실시예를 통해 설명하도록 한다.
이하, 본 발명에 관한 유기금속 기상 에피택시용 유기 루테늄 화합물 및 유기 백금 화합물의 가장 바람직하다고 생각되는 실시예에 관해서 설명한다. 이하에서는, 유기 루테늄 화합물과 유기 백금 화합물로 나누어 설명한다.
A. 유기 루테늄 화합물
제1실시예: 염화 루테늄 466g과 트리메틸시릴에틸시클로펜타디엔 1205g을 에틸알콜 22524㎖에 용해 혼합하고, 24시간 환류(還流)를 행하였다. 그 후, 에틸에테르를 이용하여 추출(抽出) 후 잔류한 용매성분을 제거했다. 그 결과 비스(에틸시클로펜타디엔) 루테늄을 428g 얻었다. 이 비스(에틸시클로펜타디엔) 루테늄의 융점은 130℃였다.
이 비스(에틸시클로펜타디엔) 루테늄을 이용하고, 도 1에 나타낸 MOCVD 장치를 이용하여, 유리(glass) 기판 상에 유기금속 기상 에피택시법으로 1.19㎛ 두께의 루테늄 박막을 형성했다. 이 때의 기화속도는 0.03㎛/분으로 안정되어 있고, 기판상의 막두께의 균일성은 ±0.001㎛의 오차가 있었다.
MOCVD 장치에서의 루테늄 박막의 형성 조건 등은 이하와 같다. 진공도(眞空度) 0.5torr, 기판온도 200℃, 시료온도 50℃로 하고, 루테늄 박막을 형성할 때의 캐리어 가스(carrier gas)로는 80ccm의 아르곤을 이용했고 반응가스로는 50ccm의 수소를 이용했다. 이 조건은 이하의 실시예에서 동일하다.
제2실시예: 염화 루테늄 466g과 (벤질)(트리메틸시릴)시클로펜타진 1773g을, 에틸알콜 22524㎖에 용해 혼합하고, 24시간의 환류를 행하였다. 그 후, 엘틸알콜을 이용하여 추출 후, 잔류한 용매성분을 제거했다. 그 결과 비스(벤질)(시클로펜타디에닐) 루테늄을 857g 얻었다. 이 비스(벤질)(시클로펜타디에닐) 루테늄의 융점은 135℃였다.
이 비스(벤질)(시클로펜타디에닐) 루테늄을 이용하고, 도 1에 나타낸 장치를 이용하여, 유리기판상에 유기금속 기상 에피택시법으로 0.76㎛ 두께의 루테늄 박막을 형성했다. 이 때의 기화속도는 0.02㎛/분으로 안정되어 있고, 기판상의 막두께의 균일성은 ±0.013㎛의 오차가 있었다.
제3실시예: 디클로로(η-시클로옥타-1, 5-디엔) 루테늄(II) 폴리머 1190g과, t-부틸시클로펜타디에닐탈륨 2295g과, 1, 2-디메토키시에탄 22000㎖를 용해 혼합하고, 2시간의 환류를 행하였다. 그 후, 에틸알콜을 이용하여 추출 후, 잔류한 용매성분을 제거했다. 그 결과 비스(t-부틸시클로펜타디엔) 루테늄을 765g 얻었다. 이 비스(t-부틸시클로펜타디엔) 루테늄의 융점은 140℃였다.
이 비스(t-부틸시클로펜타디엔) 루테늄을 이용하고, 도 1에 나타낸 장치를 이용하여, 유리기판상에 유기금속 기상 에피택시법으로 1.28㎛ 두께의 루테늄 박막을 형성했다. 이 때의 기화속도는 0.032㎛/분으로 안정되어 있고, 기판상의 막두께의 균일성은 ±0.003㎛의 오차가 있었다.
제4실시예: 디클로로(η-시클로옥타-1, 5-디엔) 루테늄(II) 폴리머 1190g과, 플로필시클로펜타디에닐트리부틸 주석 4533g과, 1, 2-디메토키시에탄 22000㎖을 용해 혼합하고, 48시간의 환류를 행하였다. 그 후, 실온까지 냉각하고 비스(플로필시클로펜타디엔) 루테늄을 765g 얻었다. 이 비스(플로필시클로펜타디엔) 루테늄의 융점은 135℃였다.
이 비스(플로필시클로펜타디엔) 루테늄을 이용하고, 도 1에 나타낸 장치를 이용하여, 유리기판상에 유기금속 기상 에피택시법으로 1.20㎛ 두께의 루테늄 박막을 형성했다. 이 때의 기화속도는 0.030㎛/분으로 안정되어 있고, 기판상의 막두께의 균일성은 ±0.002㎛의 오차가 있었다.
제5실시예: 3몰의 아세틸훼로센에 1몰의 염화 루테늄을 혼합하고, 250℃ ×2일간 반응시키면 목적으로 하는 아세틸 루테노센이 50%의 수율(收率)로 얻어졌다.
이 아세틸 루테노센을 이용하고, 도 1에 나타낸 장치를 이용하여, 유리기판상에 유기금속 기상 에피택시법으로 1.10㎛ 두께의 루테늄 박막을 형성했다. 이 때의 기화속도는 0.025㎛/분으로 안정되어 있고, 기판상의 막두께의 균일성은 ±0.002㎛의 오차가 있었다.
이상의 본 발명에 관한 유기 루테늄 화합물을 이용한 효과를 확인하기 위해, 본 발명자는 비교용 화합물(1)로서 식 3에 나타낸 루테노센을 이용하고, 도 1에 나타낸 장치를 이용하여, 유리기판상에 유기금속 기상 에피택시법으로 루테늄의 박막을 형성하여 본건 발명에 관한 유기 루테늄 화합물의 경우와 비교했다.
또, 비교용 화합물(2)을 다음과 같이 작성했다. 처음에, 염화 루테늄 466g과 펜타메틸시클로펜타디에닐트리메틸시레인 1653g을 에틸알콜 22524㎖에 용해 혼합하고, 24시간의 환류를 행하였다. 그 후, 에틸알콜을 이용하여 추출 후, 잔류한 용매성분을 제거했다. 그 결과 비교용 원료로서, CH3가 결합되어 있는 비스(펜타메틸시클로펜타디엔) 루테늄을 482g 얻었다. 이 비스(펜타메틸시클로펜타디엔) 루테늄의 융점은 250℃였다.
이 비스(펜타메틸시클로펜타디엔) 루테늄을 이용하고, 도 1에 나타낸 장치를 이용하여, 유리기판상에 유기금속 기상 에피택시법으로 루테늄 박막을 형성하여 전술한 실시예에서의 유기 루테늄 화합물과 비교했다.
더욱이, 비교용 화합물(3)을 다음과 같이 작성했다. 처음에, 염화 루테늄 1000g과 에틸알콜 3000㎖를 혼합하고 실온에서 3시간 교반했다. 한편, 메틸시클로펜타디엔의 다이머(dimer)를 증류하여 메틸시클로펜타디엔 3500㎖를 미리 준비해 두었다.
염화 루테늄과 에틸알콜을 혼합하여 실온에서 3시간 교반한 것에 상기 메틸시클로펜타디엔과 아연분말 3000g을 가하여 실온에서 4일간 반응시켰다. 4일후에 벤젠으로 추출하고 잔류한 용매를 제거하여, 비교용 원료로서 CH3기가 결합되어 있는 비스(메틸시클로펜타디엔) 루테늄이 1000g 얻어졌다.
이 비스(메틸시클로펜타디엔) 루테늄을 이용하고, 도 1에 나타낸 장치를 이용하여, 유리기판상에 유기금속 기상 에피택시법으로 루테늄 박막을 형성하고 전술한 실시예에서의 유기 루테늄 화합물과 비교했다.
전술한 실시예에서 얻어진 본건 발명에 관한 유기 루테늄 화합물과 비교용 화합물을 이용하여 도 1에 나타낸 MOCVD 장치로 각각의 금속 루테늄 박막을 형성하고 시간에 대한 박막의 두께를 측정함으로써, 본건 발명에 관한 유기 루테늄 화합물을 이용한 경우와 비교하고 효과를 확인했다. 결과를 이하의 표 1에 정리하여 나타낸다.
그리고, 이 표 1의 결과를 이용하여 박막의 두께측정의 인터벌(interval) 마다의 막형성 속도를 계산해 보면 표 2와 같이 된다.
이 결과로 보아, 본 발명에 관한 유기 루테늄 화합물은 종래의 유기 루테늄 화합물에 비하여 극히 안정한 기화속도를 가지며, 그 결과 안정한 막형성 속도를 나타내고 있다.
B. 유기 백금 화합물
제6실시예: 트리메틸 백금 요오드 0.28g과 0.4M의 에틸시클로펜타디에닐나트륨을, 실온에서 1.95㎖의 테트라히드로후란 용액 중에 넣고 10분간 교반하여 혼합했다. 그 후, 잔류한 테트라히드로후란 용액을 제거하여 트리메틸 백금 에틸시클로펜타디엔 0.075g을 얻었다.
이 트리메틸 백금 에틸시클로펜타디엔을 이용하고, 도 1에 나타낸 MOVCD 장치를 이용하여, SiO2기판상에 유기금속 기상 에피택시법으로 0.21㎛ 두께의 고순도 백금의 박막을 형성했다. 이 때의 기화속도는 0.007㎛/분으로 안정되어 있고, 기판상의 막두께의 균일성은 ±0.002㎛의 오차가 있었다.
MOCVD 장치에서의 백금 박막의 형성조건 등은 이하와 같다.
진공도 1.0torr, 기판온도 200℃, 시료온도 50℃로 하고, 백금 박막을 형성할 때의 캐리어 가스(carrier gas)로는 30ccm의 아르곤을 이용하며, 반응가스로는 40ccm의 수소를 이용했다. 이 조건은 이하의 실시예에서 동일하다.
더욱이, 발명자는 비교용 화합물 원료로서 식 4에 나타낸 유기 백금 화합물(R1이 H인 것)을 이용하여, 도 1에 나타낸 MOCVD 장치로 금속백금 박막을 형성하고 시간에 대한 박막의 두께를 측정함으로써, 본건 발명에 관한 유기 백금 화합물을 이용한 경우와 비교하고 효과를 확인했다. 결과를 이하의 표 3에 나타낸다.
그리고, 이 표 3의 결과를 이용하여 박막의 두께측정의 인터벌마다 막형성 속도를 계산하여 보면 표 4와 같다.
이 결과로부터 보아, 본건 발명에 관한 유기백금 화합물은 종래의 유기 백금 화합물에 비해 극히 안정한 기화속도를 가지며, 그 결과 안정한 막형성 속도를 나타내고 있다.
본 발명에 관한 유기 루테늄 화합물 및 유기 백금 화합물을 유기금속 기상 에피택시에 이용함으로써, 원료의 기화속도의 제어가 용이해지고 박막으로서의 막형성 속도가 균일해지며, 막두께의 정밀도가 우수한 루테늄 박막, 백금 박막등의 제조가 가능하게 되었다. 더욱이, 본 발명에 관한 유기 백금 화합물은 기화시키기 위해 가열할 경우에, 열분해 반응을 일으키는 경우도 없어 열적 안정성이 우수하게 된다. 따라서, 앞으로 한층 강해질 전자기기의 다운사이징 경향에 적응할 수 있고, 반도체 장치나 반도체 부품에도 고집적화, 고밀도화가 가능해질 것으로 생각된다.
Claims (2)
- 유기금속 기상 에피택시법(Epitaxy 法)에 의해 기판 표면에 루테늄 또는 루테늄 산화물의 박막을 형성하기 위한 유기금속 화합물에 있어서,이하에 식 1로 나타낸 일반 구조식을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 루테늄 화합물.(식 1)[일반 구조식 중, 2개 오원환의 치환기인 R1,R2, R3, R4, R5, R1', R2', R3', R4', R5'중 적어도 1개의 치환기는 CH2CH3, CH2CH2CH3, CH2CH2CH2CH3, C(CH3)3, CH2(C6H5), C0CH3, COOCH3, CH2OCH3중 어느 알킬기를 가지는 것이다.]
- 유기금속 기상 에피택시법에 의해, 기판 표면에 백금의 박막을 형성하기 위한 유기금속 화합물에 있어서, 이하에 식 2로 나타낸 일반 구조식을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 백금 화합물.(식 2)[일반 구조식 중 R1,R2, R3, R4, R5의 각 치환기 중에서, 오원환의 치환기인 R1,R2, R3, R4, R5의 적어도 1개의 치환기는 CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH2CH2CH2CH3, C(CH3)3, CH2(C6H5)중 어느 알킬기를 가지는 것이다. 단, 당해 치환기의 전체가 CH3인 경우 및 R1만이 CH3인 경우는 제외한다.]
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