KR20010032727A - 배선 회로 기판의 제조 방법 및 배선 회로 기판 - Google Patents

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KR20010032727A
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photosensitive conductive
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오치히로시
세가와시게토시
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마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
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Abstract

세라믹 기판상에 선폭 40㎛ 이하의 미세 라인이 안정되게 얻어지고, 그 결과 고밀도·고정밀도의 회로 기판이 얻어진다.
(a) 세라믹 기판을 제작하는 공정과, (b) 상기 세라믹 기판의 표면을 0.5㎛ 이하의 표면 거칠기 Ra로 연마하는 공정과, (c) 상기 세라믹 기판의 상기 표면에 감광성 도체층을 형성하는 공정과, (d) 상기 감광성 도체층을 포토리소그래피 가공하여, 소정의 배선 패턴을 형성하는 공정을 구비한다. 상기 감광성 도체층을 형성하는 공정은, 상기 세라믹 기판의 상기 표면에 감광성 도체 페이스트를 도포하는 공정과, 상기 감광성 도체 페이스트를 건조하는 공정을 갖는다. 상기 포토리소그래피 가공은, 포토마스크를 거쳐서 상기 감광성 도체층을 노광하는 공정과, 노광된 상기 감광성 도체층을 현상하여 비노광 영역을 제거하는 공정을 갖는다. 여기서, 거칠기 곡선이 y=f(x)이고, 그 거칠기 곡선의 중심선 방향의 발췌 길이가 L이고, 이 발췌부의 중심축이 X축이며, X축에 수직인 방향이 Y축일 때, Ra는

Description

배선 회로 기판의 제조 방법 및 배선 회로 기판{MANUFACTURING METHOD OF WIRING CIRCUIT BOARD, AND WIRING CIRCUIT BOARD}
종래, 세라믹 기판을 갖는 배선 회로 기판은 세라믹 그린시트(ceramic green sheet)로부터 제작된 세라믹 기판의 표면에 감광성 도체 페이스트(paste)를 도포하는 공정과, 도포된 감광성 도체층을 포토리소그래피(photolithography)에 의해 가공하여 회로 패턴(pattern)을 형성하는 공정을 구비한다. 포토리소그래피에 의한 공정은 포토마스크(photo mask)를 이용함으로써 거친 노광과 현상으로 구성된다.
최근, 이러한 배선 회로 기판에 있어서, 고밀도로 실장하기 위해서, 40㎛ 이하의 미세(fine) 라인을 갖는 배선 회로 패턴이 필요하게 되었다.
본 발명은 이러한 미세 라인의 배선 회로 패턴을 달성하는 배선 회로 기판의 제조 방법 및 배선 회로 기판을 제공한다.
본 발명은 세라믹 기판을 갖는 배선 회로 기판의 제조 방법, 및 배선 회로 기판에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 배선 회로 기판의 제조 방법의 제조 공정을 나타내는 설명도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예의 배선 회로 기판의 제조 방법에서의 세라믹 기판 표면의 거칠기 곡선의 일 실시예를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예의 배선 회로 기판의 단면도이다.
본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법은,
(a) 세라믹 기판을 제작하는 공정과,
(b) 상기 세라믹 기판의 표면을 0.5㎛ 이하의 표면 거칠기(surface roughness) Ra로 연마(polishing)하는 공정과,
(c) 상기 세라믹 기판의 상기 표면에 감광성 도체층을 형성하는 공정, 및
(d) 상기 감광성 도체층을 포토리소그래피에 의해 가공하여, 소정의 배선 패턴을 형성하는 공정을 구비한다.
본 발명의 회로 기판은 약 0.5㎛ 이하의 표면 거칠기 Ra를 갖는 세라믹 기판과, 세라믹 기판의 표면에 포토리소그래피에 의해 설치된 배선 패턴을 구비한다.
여기서, 거칠기 곡선이 y=f(x)이고, 그 거칠기 곡선의 중심선 방향의 발췌 길이(extracting length)가 L이고, 이 발췌부의 중심축이 X축이고, X축에 수직인 방향이 Y축일 때, Ra는 이하의 식로부터 산출되는 값이다.
이러한 구성에 의해, 세라믹 기판상에 선폭 40㎛ 이하의 미세 라인을 갖는 배선 패턴이 안정되게 얻어져, 고밀도·고정밀도의 회로 기판이 얻어진다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
다양한 검토와 실험을 거듭한 결과, 세라믹 기판이 세라믹 입자의 소결(sintering)에 의해 제작되고 있기 때문에, 세라믹 기판의 표면이 미세한 요철(asperities)을 갖고, 이 요철이 배선 패턴의 선폭(line width)이 미세화를 저해하고 있다는 것을 발견하였다. 따라서, 세라믹 기판의 표면에 미세한 선폭을 지닌 배선 패턴을 형성하기 위해서는, 세라믹 기판의 표면 거칠기의 정도를 결정하는 것과, 표면 거칠기를 작게 하기 위해서 연마하는 것과, 표면 거칠기의 정도인 Ra가 0.5㎛ 이하로 되도록 연마하는 것이 중요하다는 것을 알아내었다. 그 결과, 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법은,
(a) 세라믹 기판을 제작하는 공정과,
(b) 상기 세라믹 기판의 표면을 0.5㎛ 이하의 표면 거칠기 Ra로 연마하는 공정과,
(c) 상기 세라믹 기판의 상기 표면에 감광성 도체층을 형성하는 공정, 및
(d) 상기 감광성 도체층을 포토리소그래피에 의해 가공하여, 소정의 배선 패턴을 형성하는 공정을 구비한다.
본 발명의 회로 기판은 약 0.5 이하의 표면 거칠기 Ra를 갖는 세라믹 기판과, 세라믹 기판의 표면에 포토리소그래피에 의해 설치된 배선 패턴을 구비한다.
여기서, 거칠기 곡선이 y=f(x)이고, 그 거칠기 곡선의 중심선 방향의 발췌 길이가 L이고, 발췌부의 중심축이 X축이고, X축에 수직인 방향이 Y축일 때, Ra가 이하의 수학식 1로부터 산출된다.
(수학식 1)
이 구성에 의해, 세라믹 기판상에 선폭 40㎛ 이하의 미세 라인이 결함없이 안정되게 얻어지고, 그 결과 고밀도, 고정밀도의 회로 기판이 얻어진다.
더 바람직하게는 이하의 구성이 필요하다.
감광성 도체층을 형성하는 공정은 세라믹 기판의 표면에 감광성 도체 페이스트를 도포하는 공정과, 감광성 도체 페이스트를 건조하는 공정을 포함한다.
포토리소그래피 공정은, 포토마스크를 거쳐서 감광성 도체층을 노광하는 공정과, 노광된 감광성 도체층을 현상하여 비노광 영역을 제거하는 공정을 포함한다.
세라믹 기판의 표면은 약 0.1㎛ 내지 약 20㎛까지의 범위의 작은 파티클 크기(mean particle size)를 갖는 분말 연마재(powder abrasive)를 이용하여 연마된다.
배선 패턴은 약 40㎛ 이하의 선폭을 지닌 미세 라인을 갖는다.
세라믹 기판은 세라믹 분말과 바인더(binder)를 갖는 세라믹 그린시트를 소성(baking)하는 공정에 의해 제작된다.
세라믹 기판은 세라믹 분말과 바인더를 갖는 세라믹 그린시트의 소결체(sinter)이다.
포토리소그래피에 의해 얻어지는 배선 패턴은 세라믹 기판의 표면에 설치된 감광성 도체층을 포토마스크를 거쳐서 감광성 도체층을 노광하여 현상함으로써 형성된 감광성 도체층의 패턴이다.
즉, 세라믹 기판의 표면에 감광성 도체 페이스트를 도포하고, 이 도포된 층상에 배선 회로 패턴을 인쇄하고, 노광하고, 현상함으로써, 세라믹 기판상에 배선 회로를 얻는 배선 회로 기판의 제조 방법에 있어서, 페이스트를 도포하기 전에, 세라믹 기판의 표면을 거칠기 Ra가 0.5㎛ 이하로 되도록 연마해 놓은 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 대하여 자세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 배선 회로 기판의 제조 방법의 제조 공정을 나타낸다.
도 1에 있어서, 세라믹 기판(2)은 종래의 기술과 동일한 방법으로 제작되며, 그 일 실시예를 이하에 설명한다.
세라믹 분말과 바인더 수지(resin)와, 가소제(plasticizer) 및 용제(solvent)를 혼련(knead)하여 슬러리(slurry)를 제작한다. 여기서, 세라믹 분말은 약 0.5 내지 약 1.5㎛의 파티클 크기를 갖는 약 45∼약 60 wt.%의 무기 분말(inorganic powder)와, 약 1.0 내지 약 2.0㎛의 파트클 크기를 갖는 약 40 내지 약 55 wt.%의 알루미나(alumina) 분말의 혼합물이다. 무기 분말은 CaO, Al2O3, SiO2, B2O3, PbO 등을 함유하는 화합 분말이다. 바인더 수지의 예로는 폴리비닐 브티랄(polyvinyl butyral) 수지 또는 메타아크릴산(methalerylic acid) 수지 및 다른 수지 재료를 포함한다. 통상적인 가소제로서는 프탈산디브틸 또는 다른 그와 유사한 것이 포함된다. 용제로서는 톨루엔(toluene), 메틸 에틸케톤(methyl ethyketone) 또는 그와 유사한 것이 사용된다.
닥터 블레이드(doctor blade) 방법 또는 그와 유사한 방법에 의해, 이 슬러리부터 약 0.1 내지 약 0.3㎜ 두께의 세라믹 그린시트(1)를 제작한다. 이 세라믹 그린시트(1)를 100∼250㎜의 세로 길이와 100∼250㎜의 가로 길이가 되도록 절단한다. 필요에 따라서, 이 세라믹 그린시트(1)의 표면에 내부 회로를 설치한다. 이들 세라믹 그린시트(1)는 다층으로 적층하여 가압한 후, 880∼950℃의 온도로 5∼15분간 소성(bake)한다. 따라서, 세라믹 기판(2)이 제작된다. 이와 같이 제작된 세라믹 기판(2)의 표면 거칠기 Ra는 약 2.5 내지 약 5.0㎛이다.
다음으로, 얻어진 세라믹 기판(2)의 표면(2b)을 표면 거칠기 Ra가 약 0.5㎛ 이하로 될 때까지 연마한다. 여기서, 표면 거칠기 Ra는 이하와 같이 하여 측정되어 산출된다. 우선, 세라믹 기판의 표면의 거칠기 곡선을 측정한다. 그 거칠기 곡선으로부터 그 중심선의 방향으로 측정 길이 L의 부분을 발췌하고, 이 발췌 부분의 중심선을 X축으로 하고, 세로 배율의 방향(X축으로 수직인 방향)을 Y축으로 하고, 거칠기 곡선을 y=f(x)으로 했을 때, 표면 거칠기 Ra는 전술한 (식 1)에 의해 산출된다.
세라믹 기판의 표면의 연마 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 다음과 같은 방법이 있다. 미립자(fine particle)의 연마제(abrasive)와 연마 장치(grinding device)를 사용하여, 표면 거칠기 Ra가 0.5㎛ 이하로 되도록 표면을 연마한다. 연마재로서는 Al2O3또는 SiC 등의 미립자가 사용된다. 그 연마제의 평균 파티클 크기(particle size)입경은 약 0.5∼약 10㎛가 바람직하다. 연마 장치로서는 랩핑 장치(lapping device) 또는 폴리싱 장치(polishing device)가 이용된다.
연마된 세라믹 기판(2a)에 감광성 도체 페이스트(3)를 도포한다. 이 도포 방법으로서는 통상의 도포 방법이 사용된다. 예컨대 스핀 코팅법(spin coat method), 롤 전사법(roll transfer method), 또는 스크린 인쇄법(screen printing method)이 사용된다. 특히, 스크린 인쇄법이 바람직하다. 감광성 도체 페이스트로서는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 Ag계(Ag compound) 감광성 도체 페이스트, Au계(Au compound) 감광성 도체 페이스트, 또는 Cu계(Cu compound) 감광성 도체 페이스트 가 이용된다. 도포된 페이스트는 약 80 내지 약 100℃의 온도로 건조 처리된다. 따라서, 세라믹 기판(2a)의 표면에 감광성 도체층(3a)이 마련된다.
계속해서, 감광성 도체층(3a)을 포토리소그래피 방법에 의해 처리한다. 자외선 광(UV 광)을 소정의 배선 회로 패턴을 갖는 포토마스크(4)를 통해서 감광성 도체층(3a)에 노광한다. 이 때 자외선 광의 파장은 약 350 내지 약 450nm가 바람직하고, 노광량은 약 400 내지 약 1200mJ가 바람직하다.
노광된 감광성 도체층(3a)은 현상된다. 이용하는 현상기로서는, 예컨대, 통상 이용되고 있는 스프레이식(spray type) 현상 장치가 사용된다. 현상액을 노광된 감광성 도체층(3a)의 표면에 스프레이(spray)하고, 그 스프레이에 의해 감광성 도체층의 미노광부를 용해시켜 제거한다. 따라서, 감광성 도체층(3a)이 현상되고, 배선 회로 패턴(3b)이 형성된다. 이때, 스프레이 압력은 약 0.2 내지 약 0.8㎏/㎠가 바람직하다. 현상액으로서는 예컨대 약 0.4∼약 1.0%의 탄산나트륨 수용액(aqueous solution of sodium carbonate)이 이용된다.
현상된 배선 패턴(3b)을 갖는 세라믹 기판(2)은 약 750∼약 850℃(바람직하게는 780∼820℃)의 온도로 약 3∼약 7분간 소성된다. 따라서, 배선 회로 패턴(3b)을 갖는 배선 회로 기판(5)이 제작된다.
감광성 도체 페이스트(3)를 도포하기 전의 세라믹 기판의 표면 거칠기에 있어서, 세라믹 기판(2a)의 표면 거칠기 Ra가 약 0.5㎛ 이하가 바람직하다. 표면 거칠기 Ra가 약 0.5㎛를 초과하는 경우, 40㎛ 이하의 미세 라인을 갖는 배선 회로 패턴이 안정하게 형성되는 것은 불가능하다.
(전형적 실시예)
전형적 실시예와 비교예에 의해 본 발명을 이하에서 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 설명된 전형적 실시예에 한정되는 것이 아니다.
전술한 세라믹 그린시트의 제조 방법에 따라서, 세라믹 그린시트(1)를 제작하였다. 이 세라믹 그린시트(1)로부터 Al2O3-SiO2-B2O3-PbO계 유리 세라믹 기판(2)을 제작하였다.
세라믹 기판(2)의 표면을 연마제 WA-#2000 또는 폴리플라(polypla) 700(후지미 연마재 공업사, 평균 파티클 크기 1.0 내지 7.0㎛)을 구비한 연마 장치(랩핑 장치 9B-5L-Ⅳ 또는 폴리싱 장치 9B-5P-Ⅳ, 스피드팜사)에 의해 연마하였다.
이 연마에 의해 제 1 세라믹 기판(2a)이 얻어진다. 이 제 1 세라믹 기판(2a)의 표면 거칠기 Ra는 0.5㎛였다.
한편, 여러가지 다른 연마제를 사용하여, 동일한 방법으로 제작된 세라믹 기판(2)을 연마하고, 0.38의 표면 거칠기 Ra를 갖는 제 2 세라믹 기판(2a)이 제작된다. 유사하게, 0.25의 표면 거칠기 Ra를 갖는 제 3 세라믹 기판(2a)이 제작된다.
이러한 연마된 세라믹 기판(2a)의 표면에 감광성 도체 페이스트(3)(Ag/Pt 감광성 도체 페이스트 K3714, 듀퐁사)를 스크린 인쇄에 의해 도포하고, 80℃의 온도로 건조된다. 따라서, 감광성 도체층(3a)이 얻어진다.
계속해서, 소정 형상의 배선 회로 패턴을 갖는 포토마스크(4)를 거쳐서, 파장 365nm, 노광량 720mJ의 자외선 광(UV 광)을 감광성 도체층에 노광한다. 또, 이 포토마스크(4)는 다양한 선폭과 선간 거리를 형성한 배선 패턴을 갖고, 형성 가능한 선폭과 선간 거리를 측정할 수 있도록 설계된 시험용 포토마스크이다. 다음에, 현상기 SL-400(신화공업사)을 이용하여, 감광성 도체층(3a)의 노광면에 약 0.6㎏/㎠의 스프레이압으로 현상액(0.4% 탄산나트륨 수용액)을 스프레이한다. 이 스프레이에 의해, 감광성 도체층의 미노광부를 용해시켜 제거한다.
따라서, 현상된 배선 패턴을 855℃의 온도로 5분간 소성을 한다. 이 공정에 있어서, 제 1 세라믹 기판, 제 2 세라믹 기판 및 제 3 세라믹 기판의 각각의 표면에 소정의 형상을 갖는 배선 패턴(3b)이 형성된다.
그 결과, 제 1 세라믹 기판에는 약 10㎛의 선폭을 지닌 미세 라인의 배선 패턴이 얻어진다. 또한, 약 10㎛ 이상의 선폭의 패턴에 있어서도 미세한 선폭이 얻어진다.
제 2 세라믹 기판에는 약 7㎛의 선폭을 지닌 미세 라인의 배선 패턴이 얻어지고, 또한 약 7㎛ 이상의 선폭의 패턴에 있어서도 미세한 선폭이 얻어졌다.
제 3 세라믹 기판에는 약 5㎛의 선폭을 지닌 미세 라인의 배선 패턴이 얻어지고, 또한 약 5㎛ 이상의 선폭의 패턴에 있어서도 미세한 선폭이 얻어졌다.
이러한 미세 라인은 연속적이고 일정한 폭을 갖는 미세 라인이다. 이들 배선 패턴에 있어서, 미세 라인간의 쇼팅(shorting) 및 단선(disconnection)이 발생하지 않는다.
한편, 제 1 세라믹 기판(2a), 제 2 세라믹 기판(2a) 및 제 3 세라믹 기판(2a)을 사용하여, 노광량, 스프레이압, 현상액의 농도, 다른 노광 조건, 현상 조건, 및 소성 조건을 변화시켜 배선 패턴을 형성한다. 노광량은 약 400mJ에서 약 1200mJ까지의 범위로 변화시켰다. 스프레이압은 약 0.2㎏/㎠에서 약 0.8㎏/㎠까지의 범위로 변화시켰다. 현상액으로서의 탄산나트륨 수용액은 약 0.4%에서 약 1.0%까지의 범위의 농도로 변화시켰다. 현상된 세라믹 기판의 소성 조건은 약 780℃에서 약 820℃까지의 범위의 온도, 약 3분에서 약 7분간의 시간으로 변화시켰다. 감광성 도체 페이스트(3)는 전술한 페이스트(3)와 동일하다.
이에 따라 얻어진 모든 배선 패턴을 형성한 세라믹 기판에 있어서, 상기와 동일한 배선 패턴을 갖는 우수한 효과가 얻어진다.
즉, 여러가지 노광량, 스프레이압, 현상액의 농도, 다른 노광 조건, 현상 조건, 및 소성 조건에 있어서도 안정되고 미세한 선폭이 얻어진다. 또한, 그 방법에 의해 얻어진 배선 패턴은 미세한 선폭에 있어서 어떠한 결함이 인정되지 않았다.
(비교예)
비교예에 대하여 이하에서 설명한다.
전형적 실시예에 있어서 사용한 세라믹 기판과 동일한 세라믹 기판(2)을 사용하여, 그 세라믹 기판(2)의 표면이 2.0㎛의 표면 거칠기 Ra가 되도록 연마하였다. 다른 세라믹 기판(2)의 표면을 1.1㎛의 표면 거칠기 Ra가 되도록 연마하였다. 또한, 다른 세라믹 기판(2)의 표면을 0.7㎛의 표면 거칠기 Ra가 되도록 연마하였다.
이에 따라, 2.0㎛의 표면 거칠기 Ra를 갖는 제 4 비교 세라믹 기판(2a)과, 1.1㎛의 표면 거칠기 Ra를 갖는 제 5 비교 세라믹 기판(2a)과, 0.7㎛의 표면 거칠기 Ra를 갖는 제 6 비교 세라믹 기판(2a)이 제작된다.
제 4 비교 세라믹 기판(2a), 제 5 비교 세라믹 기판(2a) 및 제 6 비교 세라믹 기판(2a)을 사용하여, 전형적 실시예에서와 같이 동일한 공정에 의해 배선 패턴(3b)을 형성하였다.
그 결과, 제 4 비교 세라믹 기판(2a)에는 약 50㎛의 선폭을 지닌 미세 라인의 배선 패턴이 얻어졌지만, 약 50㎛ 이하의 선폭의 패턴에 있어서는, 일정한 폭을 갖는 미세한 선폭이 얻어지지 않았다. 또한, 약 50㎛ 이하의 선폭의 패턴에 있어서는 쇼팅, 단선 또는 다른 것이 발생된다.
한편, 제 5 비교 세라믹 기판(2a)에는 약 45㎛의 선폭을 지닌 미세 라인의 배선 패턴이 얻어졌지만, 약 45㎛ 이하의 선폭의 패턴에 있어서는, 일정한 폭을 갖는 미세한 선폭이 얻어지지 않았다. 약 45㎛ 이하의 선폭의 패턴에 있어서는, 쇼트, 단선 또는 다른 것이 발생한다.
제 6 비교 세라믹 기판(2a)에는 약 30㎛의 선폭을 지닌 미세 라인의 배선 패턴이 얻어졌지만, 약 30㎛ 이하의 선폭의 패턴에 있어서는, 일정한 폭을 갖는 미세한 선폭이 얻어지지 않았다. 약 30㎛ 이하의 선폭의 패턴에 있어서는, 쇼트, 단선 또는 다른 것이 발생된다.
다음에, 상기 제 4 비교 세라믹 기판(2a), 제 5 비교 세라믹 기판(2a) 및 제 6 비교 세라믹 기판(2a)을 사용하여, 상기의 전형적 실시예와 같이, 노광량, 스프레이의 스프레이압, 현상액의 농도, 다른 노광 조건, 현상 조건 및 소성 조건을 변화시켜 배선 패턴을 형성한다.
그 결과, 제 4 비교 세라믹 기판(2a)과 제 5 비교 세라믹 기판(2a)을 사용함으로써, 40㎛ 이하의 일정한 폭을 갖는 미세한 선폭이 얻어지지 않았다. 제 6 비교 세라믹 기판을 사용한 경우, 약 30%의 기판에서, 40㎛ 이하의 일정한 선폭을 갖는 미세한 라인이 현상 조건, 노광 조건 및 소성 조건에 의해 얻어지지 않았다.
이러한 전형적 실시예와 비교예의 결과와 같이, 세라믹 기판의 표면을 약 0.5㎛ 이하의 표면 거칠기 Ra로 연마함으로써, 약 40㎛ 이하의 선폭을 지닌 미세 라인의 배선 패턴이 얻어지고, 또한 이 미세 라인의 배선 패턴이 안정되게 얻어진다는 것이 판명되었다.
본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법에 따르면, 세라믹 기판상에 약 40㎛ 이하의 선폭을 지닌 미세 라인의 배선 패턴이 형성될 수 있고, 그 미세 라인의 배선 패턴이 안정되게 형성할 수 있다. 그 결과, 고밀도 및 고정밀도의 회로 기판이 얻어진다.

Claims (13)

  1. (a) 세라믹 기판을 제작하는 공정과,
    (b) 거칠기 곡선이 y=f(x)이고, 그 거칠기 곡선의 중심선 방향의 발췌 길이가 L이고, 이 발췌부의 중심축이 X축이고, X축에 수직인 방향이 Y축일 때,로부터 산출되는 값이고, 상기 세라믹 기판의 표면을 0.5㎛ 이하의 표면 거칠기 Ra로 연마하는 공정과,
    (c) 상기 세라믹 기판의 상기 표면에 감광성 도체층을 형성하는 공정, 및
    (d) 상기 감광성 도체층을 포토리소그래피 처리하여 소정의 배선 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (c)공정에 있어서 상기 감광성 도체층을 형성하는 공정은, 상기 세라믹 기판의 표면에 감광성 도체 페이스트를 도포하는 공정과, 상기 감광성 도체 페이스트를 건조하는 공정을 포함하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 (d)공정에 있어서 상기 포토리소그래피 가공은, 포토마스크를 거쳐서 상기 감광성 도체층을 노광하는 공정과, 상기 노광된 감광성 도체층을 현상하여 비노광 영역을 제거하는 공정을 포함하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 (c)공정에 있어서 상기 감광성 도체층을 형성하는 공정은, 상기 세라믹 기판의 표면에 감광성 도체 페이스트를 도포하는 공정과, 상기 감광성 도체 페이스트를 건조하는 공정을 포함하고,
    상기 (d)공정에 있어서 상기 포토리소그래피 가공은, 포토마스크를 거쳐서 상기 감광성 도체층을 노광하는 공정과, 상기 노광된 감광성 도체층을 현상하여 비노광 영역을 제거하는 공정을 포함하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 (b)공정에 있어서, 상기 세라믹 기판의 표면은 약 0.1㎛ 내지 20㎛까지의 범위의 평균 파티클 크기를 갖는 분말 연마재를 이용하여 연마되는 배선 회로 기판의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 (d)공정에 있어서, 상기 배선 패턴은 약 40㎛ 이하의 선폭을 지닌 미세 라인을 가지는 배선 회로 기판의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 (a)공정에 있어서 상기 세라믹 기판은 세라믹 분말과 바인더를 갖는 세라믹 그린시트를 소성하는 공정에 의해 제작되는 배선 회로 기판의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 (a)공정에 있어서 상기 세라믹 기판을 제작하는 공정은 복수의 그린시트를 제작하는 공정과, 상기 복수의 그린시트중 각각의 그린시트의 표면에 각각 내부 회로를 설치하는 공정과, 상기 각각의 내부 회로를 갖는 상기 각각의 그린시트를 적층하여, 가압하고, 소성하는 공정을 포함하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
  9. 거칠기 곡선이 y=f(x)이고, 그 거칠기 곡선의 중심선 방향의 발췌 길이가 L이고, 이 발췌부의 중심축이 X축이고, X축에 수직인 방향이 Y축일 때,로부터 산출되는 값이고, 약 0.5㎛ 이하의 표면 거칠기 Ra를 갖는 세라믹 기판과,
    상기 세라믹 기판의 표면에, 포토리소그래피에 의해 설치된 배선 패턴을 포함하는 배선 회로 기판.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 배선 패턴은 약 40㎛ 이하의 선폭을 지닌 미세 라인을 가지는 배선 회로 기판.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은 세라믹 분말과 바인더를 갖는 세라믹 그린시트의 소결체인 배선 회로 기판.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 포토리소그래피에 의해 얻어지는 상기 배선 패턴은 상기 세라믹 기판의 표면에 설치된 감광성 도체층을 사용하여 상기 포토마스크를 거쳐서 상기 감광성 도체층을 노광하고, 현상함으로써 형성된 감광성 도체층의 패턴인 배선 회로 기판.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은 복수의 그린시트의 적층체의 소결체이고, 상기 복수의 그린시트의 각각의 그린시트는 그 표면에 각각의 내부 회로를 가지는 배선 회로 기판.
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