JP2000223810A - セラミックス基板およびその製造方法 - Google Patents

セラミックス基板およびその製造方法

Info

Publication number
JP2000223810A
JP2000223810A JP11024431A JP2443199A JP2000223810A JP 2000223810 A JP2000223810 A JP 2000223810A JP 11024431 A JP11024431 A JP 11024431A JP 2443199 A JP2443199 A JP 2443199A JP 2000223810 A JP2000223810 A JP 2000223810A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
holes
hole
ceramic substrate
ceramic board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11024431A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaneatsu Tsumagari
兼温 津曲
Original Assignee
Kyocera Corp
京セラ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp, 京セラ株式会社 filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP11024431A priority Critical patent/JP2000223810A/ja
Publication of JP2000223810A publication Critical patent/JP2000223810A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】厚みの薄いセラミックス基板1に、複数のスル
ーホール2を高い寸法位置精度でクラックを発生させる
事無く近接して加工する。 【解決手段】セラミックス基板1の表裏それぞれの面
に、フィルム3を密着させスルーホール加工位置を露光
方式によりエッチングし、ブラスト処理にて鼓状のスル
ーホール2を加工する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用セラミ
ックス基板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子部品用セラミックス基板で、スルー
ホールを有するものとして、厚膜ハイブリッドIC基
板、薄膜ハイブリッドIC基板、チップレジスター基板
等があり、このスルーホールの目的は、セラミックス基
板のスルーホールの内部へ導通膜を形成することによ
り、表裏へ印刷された電子回路を結合する為である。
【0003】従来は、例えば図4(a)に示すような、
セラミックス基板1にスルーホール2を加工する方法と
して最も多く用いられているのが、図8に示す金型によ
る加工方法で、グリーンシート11をパンチ13aに取
り付けられたピン12で打ち抜くことによりスルーホー
ル2を加工する方法である。このグリーンシート11
は、セラミックスに溶剤ならびに有機物バインダーを加
えた泥しょうを、ドクターブレード法またはロールコン
パクション法により成型したシート状のもので、グリー
ンシート11にスルーホール2を加工した後焼成し、セ
ラミックス基板1を製造するもので、この方法は量産性
に富み低コストで製造出来る利点がある。
【0004】他の方法としてレーザーによる加工方法が
あり、セラミックス基板1にスルーホール2をレーザー
で加工する方法で一般的に利用されており、スルーホー
ル2の寸法位置精度の高い加工に優れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金型に
よるスルーホール加工は、ピン12でグリーンシート1
1を打ち抜くことによりスルーホール2を加工するが、
図6(a)(b)に示すように、スルーホール2の内周
面2cに、打ち抜き時の部分的引っ張り応力により鱗状
の欠陥2dが発生するという問題があった。これは、そ
の後のスルーホール2の内周面2cに、導通膜を形成す
る際の膜欠損の原因となり信頼性に欠ける要因となって
いた。
【0006】また、レーザーによるスルーホール加工に
おいては、高温にてセラミックス基板1を溶融してスル
ーホール2を加工するため、図7に示すように、スルー
ホール2の内周面2cに高温にて溶融した層の欠陥2e
が発生する。この欠陥2eは、その後の工程であるスル
ーホール2の内周面2cへの導通膜の形成と、その後の
製造プロセスの条件により部分的に脱落し導通膜が欠損
するという不具合の原因となり信頼性に欠ける要因とな
っていた。
【0007】一方、スルーホール2の加工上も以下の制
約があった。金型よるピン12によるスルーホール2の
加工においては、グリーンシート11に複数のスルーホ
ール2を加工する場合、加工時にグリーンシート11の
強度を保持するための設計が必要となり、例えば図4
(a)(b)に示す近接するスルーホール2の間隙E
を、少なくともグリーンシート11の厚みT以上にする
必要があった。これよりも間隙Eを狭くした場合には、
グリーンシート11の強度が保持できず近接するスルー
ホール2間にクラックが発生する要因となっていた。
【0008】また、レーザーによるスルーホール2の加
工においては、高温で加工を行うためセラミックス基板
1に与える熱的ダメージが大きく、スルーホール2の間
隙Eを前記の金型による方法と同じく、セラミックス基
板1の厚みT以上に保たなければ、近接するスルーホー
ル2間にクラックが発生するという不具合が生じてい
た。このため設計上のスルーホール2の間隙Eに制約が
発生していた。
【0009】これらの制約は、セラミックス基板1の厚
みTが0.25mm以上においての場合であり、厚みT
が0.25mm未満の複数のスルーホール2の加工では
グリーンシート11ならびにセラミックス基板1の強度
が弱く、近接するスルーホール2の間隙Eは厚みTの二
倍の確保が必要であった。
【0010】また、スルーホール2の寸法位置精度は、
レーザー加工では±0.05mm以内の加工が可能であ
るが、金型による加工においてはグリーンシート11に
ピン12でスルーホール2を加工後、このグリーンシー
ト11を焼成するためにこの焼成されたセラミックス基
板1は収縮する。このためスルーホール2の寸法位置精
度は、±(寸法位置×0.25%)を確保するのが限界
であった。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらに鑑み
て行われたもので、セラミックス基板のスルーホールの
断面形状が鼓状になり、かつ砥粒痕があることを特徴と
するものである。なお、上記砥粒痕とは、後述するサン
ドブラスト加工で吹きつけられる砥粒によって加工され
た微小な凹凸形状のことを言う。
【0012】また本発明は、セラミックス基板の一方の
主面をフィルムで覆った後、スルーホールを加工する部
位のフィルムを除去し、ブラスト加工を施した後、残っ
たフィルムを除去し、他方の主面も同様な加工を施しス
ルーホールを加工する工程からなるセラミックス基板の
製造方法を特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】まず、本発明のセラミックス基板
の製造方法を説明する。
【0014】図1(a)〜(j)に、本発明によるセラ
ミックス基板1のスルーホール2の加工方法を示してい
る。図1(a)に示すように、セラミックス基板1の主
面に感光性樹脂を含むシート状に成型されたフィルム3
を密着する。次に図1(b)に示すように、スルーホー
ル2の加工位置を空洞にしたマスク4をフィルム3に密
着し光源5より光を当てフィルム3を露光し、この後、
マスク4を除去し、その後、フィルム3を現像しエッチ
ングを行い、図1(c)に示すフィルム3の形状に加工
する。次に、図1(d)に示すように、ブラスト処理に
より炭化珪素等の砥粒6を、高圧のエアーまたは高圧の
水と共に吹き付け、セラミックス基板1にスルーホール
2aを所定の深さ迄加工し、フィルム3は溶剤で除去す
る。この段階で図1(e)に示す形状となる。
【0015】次に図1(f)に示すように、既に加工さ
れたスルーホール2aを裏にしセラミックス基板1の他
方の主面にフィルム3を密着させ、その後、図1(g)
〜(i)迄は、図1(b)〜(d)迄と同様の手順で行
いスルーホール2bを加工すると、図1(j)に示す表
裏貫通したスルーホール2が加工される。
【0016】本発明の加工方法によれば、フィルム3
は、露光エッチング方式により高い寸法精度で作成出来
ることから、セラミックス基板1のスルーホール2の寸
法位置精度も高く、また、ブラスト処理の砥粒6は粒子
径が小さなもので研削するため、セラミックス基板1に
はピン加工のような機械的応力、または、レーザー加工
のような熱的応力がかからないため、セラミックス基板
1へクラックを発生させる事がない。このことより、セ
ラミックス基板1の近接するスルーホール2の間隙Eの
設計上の制約がなく、セラミックス基板1へ近接して複
数のスルーホール2を加工することが出来る。そのため
肉厚の薄いセラミックス基板であっても間隙Eを狭くし
て多数のスルーホールを形成することが出来る。
【0017】また、本発明による方法で加工されたセラ
ミックス基板1の、スルーホール2の断面形状は図2に
示すように鼓状の形状を有し、スルーホール2の内周面
2cは、ブラスト処理により砥粒6で研削されているた
め、例えば、図6(a)(b)に示すような欠陥2dの
発生が無く、その代わりに砥粒6による微小な凹凸形状
の砥粒痕が形成されている。このスルーホール2の断面
形状が鼓状であることによって、その後の工程の導通膜
の吸引式印刷において、スルーホール2の内周面2cへ
導通膜がスムーズに入るため、均一な導通膜を形成する
ことか出来る。この効果を出す為の鼓状の寸法範囲は、
スルーホール2の開口部径A1並びにA2に対する最小
径Bの比が、0.35〜0.95が好ましい。
【0018】また内周面2cに欠陥2d、2eが存在し
ないため、導通膜を形成する際に膜欠損の発生を防止し
信頼性を高めることが出来、微小な凹凸形状の砥粒痕が
あるため、この面に塗布した導通膜の密着強度を向上で
きる。
【0019】
【実施例】実施例1 まず、ドクターブレード法によりAl2 3 含有量9
9.6%のアルミナセラミックスの厚み0.12mmの
グリーンシートを成型し、これをローラーハースキルン
炉で焼成し、厚みTが0.1mmのシート状のセラミッ
クス基板1を製造し、このセラミックス基板1の外辺サ
イズをレーザーで100mm×20mmに加工する。
【0020】次に、図1(a)に示すように、このセラ
ミックス基板1の主面に、感光性樹脂を含む厚み50μ
mのフィルム3を熱圧着し、図1(b)に示すように、
スルーホール2の箇所を空洞にしたマスク4をフィルム
3に密着し、光源5より光を当てフィルム3を露光し、
その後マスク4を除去し、フィルム3を現像、エッチン
グを行い図1(c)に示すようなフィルム3の形状と
し、次に図1(d)に示すブラスト処理によりスルーホ
ール2aの研削を、GC#600の炭化珪素の砥粒6を
使用し、圧力10Kgf/cm2 のエアーとともにセラ
ミックス基板1の主面に吹き付け加工する。その後フィ
ルム3を有機溶剤を用い剥離しスルーホール2aが加工
される。
【0021】次に図1(f)に示すように、スルーホー
ル2aの反対面のセラミックス基板1の主面にフィルム
3を密着し、次に図1(g)に示すように、マスク4を
スルーホール2aと位置合わせをしフィルム3に密着
し、光源5を当てフィルム3を露光し、次にマスク4を
除去し、フィルム3の現像、エッチングを行い、図1
(h)に示す状態にする。次に図1(i)に示すよう
に、スルーホール2bの加工を図1(d)と同様に行う
と、図1(i)に示す形状のスルーホール2が加工され
る。
【0022】以上の方法によって図3(a)に示すよう
に、セラミックス基板1の外辺サイズが、100mm×
20mm、スルーホール2の径Cは0.2mm、スルー
ホール2のピッチD1は0.35mm、ピッチD2は
0.32mm、最も近接するスルーホール2間の間隙E
は0.12mmとし、1シートのセラミックス基板1に
合計13,500個のスルーホール2を加工した。この
加工されたスルーホール2は、図2に示すような鼓状の
断面形状で、スルーホール2の開口部径A1=0.20
mm、開口部径A2=0.15mm、最小径B=0.1
4mm、B部迄の深さF=0.075mmであった。
【0023】実施例2 次に、厚みTが0.35mmならびに0.45mmのセ
ラミックス基板1に、スルーホール2の開口部径A1を
0.2mm、開口部径A2を0.40mmとするスルー
ホール2を実施例1と同様の方法により加工した。スル
ーホール2の最小径B迄の距離Fを0.1mmとした場
合の最小径Bの値は、セラミックス基板1の厚みTが
0.35mmの場合0.15mmとなり、また、厚みT
が0.45mmの場合は0.12mmとなった。
【0024】従来の方法ではセラミックス基板1の厚み
Tが0.25mm未満のものでは、近接した複数のスル
ーホールの加工は困難であったが、上記実施例1では厚
みTが0.1mmの薄いセラミックス基板1に、最も近
接するスルーホール2間の間隙Eが0.12mmの多数
のスルーホール2を加工することが可能となり、かつ、
スルーホール2の内周面2cには、図6(a)(b)並
びに図7に示すような、欠陥2dまたは2eは発生して
いない。
【0025】この内周面2cについて、従来の方法によ
る加工では、図6(a)に比較的良いレベルの内周面2
cを、また図6(b)に不良レベルの内周面2cを、そ
れぞれ模式図で示しており通常加工されたスルーホール
2の内周面2cには、このような欠陥2dが存在してい
る。 これに対し、本発明による方法で加工したスルー
ホール2は、図5(a)に示す模式図の通りで、スルー
ホール2の内周面2cには、例えば図6(a)(b)に
示すような欠陥2d並びに図7に示すような欠陥2eは
見られない。
【0026】また上記実施例のセラミックス基板1で
は、スルーホール2へ導通膜を吸引式により入り込ませ
た時、スルーホール2の断面形状が鼓状になっているこ
とにより、均一な導通膜の形成が出来、かつ内周面2c
へ欠陥2d並びに2eがないことから、信頼性の高い導
通膜を形成することが可能となった。
【0027】
【発明の効果】このように、本発明によれば、ブラスト
処理によりセラミックス基板のスルーホール加工を行う
ことで、スルーホールの断面形状が鼓状を有し、またそ
の内周面に欠陥がないため、スルーホールへ信頼性の高
い導通膜を形成出来るスルーホールが加工出来、かつ、
スルーホールの寸法位置精度を、±0.05mm以内に
確保出来、さらに、厚みの薄いセラミックス基板であっ
ても、近接して複数のスルーホールの加工が可能である
との効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(j)は本発明のセラミックス基板の
スルーホールの加工の工程順を示す断面図である。
【図2】本発明のセラミックス基板のスルーホールの断
面図である。
【図3】(a)は本発明のセラミックス基板の平面図、
(b)は同じく断面図である。
【図4】(a)は従来のセラミックス基板の平面図、
(b)は同じく断面図である。
【図5】本発明のセラミックス基板のスルーホール内周
の断面の模式図である。
【図6】(a)(b)は金型で加工した従来のセラミッ
クス基板のスルーホール内周の断面の模式図である。
【図7】レーザーで加工した従来のセラミックス基板の
スルーホールの内周の断面の模式図である。
【図8】従来の金型によるセラミックス基板のスルーホ
ールの加工方法を示す断面図である。
【符号の説明】
1、セラミックス基板 2、2a、2b、スルーホール 2c、内周面 2d、2e、欠陥 3、フィルム 4、マスク 5、光源 6、砥粒 11、グリーンシート 12、ピン 13、13a、パンチ A1、A2、開口部径 B、最小径 C、径 D1、D2、ピッチ E、間隙 F、深さ T、厚み

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数のスルーホールを有するセラミックス
    基板において、スルーホールの内周面が鼓状となり、か
    つ砥粒痕を有することを特徴とするセラミックス基板。
  2. 【請求項2】セラミックス基板の一方の主面をフィルム
    で覆った後、スルーホールを加工する部位のフィルムを
    除去し、ブラスト処理を施し、残ったフィルムを除去す
    る工程と、セラミックス基板の他方の主面に同様の方法
    で処理を施してスルーホールを形成する工程からなるセ
    ラミックス基板の製造方法。
JP11024431A 1999-02-01 1999-02-01 セラミックス基板およびその製造方法 Pending JP2000223810A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11024431A JP2000223810A (ja) 1999-02-01 1999-02-01 セラミックス基板およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11024431A JP2000223810A (ja) 1999-02-01 1999-02-01 セラミックス基板およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000223810A true JP2000223810A (ja) 2000-08-11

Family

ID=12137971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11024431A Pending JP2000223810A (ja) 1999-02-01 1999-02-01 セラミックス基板およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000223810A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004110116A1 (ja) * 2003-06-03 2004-12-16 Hitachi Metals, Ltd. 貫通電極付き基板の製造方法
WO2005120140A1 (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Exink Co., Ltd. 回路基板、それを製造するための金属ペースト及び方法
JP2007027706A (ja) * 2005-06-17 2007-02-01 Nec Corp 配線基板及びその製造方法並びに半導体パッケージ
JP2007175822A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Kyocera Kinseki Corp 穿孔方法
JP2007203332A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Onishi Denshi Kk 絶縁樹脂板の加工方法及びこの絶縁樹脂板を備えた配線板検査治具
US7474536B2 (en) 2000-10-27 2009-01-06 Ridley Ray B Audio sound quality enhancement apparatus and method
US7476814B2 (en) 2006-07-18 2009-01-13 Fujitsu Limited Multilayer interconnection board
JP2009060151A (ja) * 2008-12-18 2009-03-19 Ibiden Co Ltd 積層配線板の製造方法
US7561436B2 (en) 2005-06-06 2009-07-14 Delphi Technologies, Inc. Circuit assembly with surface-mount IC package and heat sink
JP2009194271A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd 配線基板およびその製造方法
CN102380828A (zh) * 2010-08-25 2012-03-21 不二制作所股份有限公司 喷砂切削加工方法
US8304657B2 (en) 2010-03-25 2012-11-06 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
WO2015129574A1 (ja) * 2014-02-26 2015-09-03 日本碍子株式会社 貫通孔を有する絶縁基板

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7474536B2 (en) 2000-10-27 2009-01-06 Ridley Ray B Audio sound quality enhancement apparatus and method
WO2004110116A1 (ja) * 2003-06-03 2004-12-16 Hitachi Metals, Ltd. 貫通電極付き基板の製造方法
WO2005120140A1 (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Exink Co., Ltd. 回路基板、それを製造するための金属ペースト及び方法
US7561436B2 (en) 2005-06-06 2009-07-14 Delphi Technologies, Inc. Circuit assembly with surface-mount IC package and heat sink
JP2007027706A (ja) * 2005-06-17 2007-02-01 Nec Corp 配線基板及びその製造方法並びに半導体パッケージ
JP2007175822A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Kyocera Kinseki Corp 穿孔方法
JP2007203332A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Onishi Denshi Kk 絶縁樹脂板の加工方法及びこの絶縁樹脂板を備えた配線板検査治具
JP4673231B2 (ja) * 2006-02-02 2011-04-20 大西電子株式会社 絶縁樹脂板の加工方法及びこの絶縁樹脂板を備えた配線板検査治具
US7476814B2 (en) 2006-07-18 2009-01-13 Fujitsu Limited Multilayer interconnection board
JP2009194271A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd 配線基板およびその製造方法
JP2009060151A (ja) * 2008-12-18 2009-03-19 Ibiden Co Ltd 積層配線板の製造方法
US8304657B2 (en) 2010-03-25 2012-11-06 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
KR101211447B1 (ko) * 2010-03-25 2012-12-12 이비덴 가부시키가이샤 인쇄 배선 기판 및 인쇄 배선 기판을 제조하는 방법
CN102380828A (zh) * 2010-08-25 2012-03-21 不二制作所股份有限公司 喷砂切削加工方法
WO2015129574A1 (ja) * 2014-02-26 2015-09-03 日本碍子株式会社 貫通孔を有する絶縁基板
CN105144851A (zh) * 2014-02-26 2015-12-09 日本碍子株式会社 具有贯通孔的绝缘基板
JP5877932B1 (ja) * 2014-02-26 2016-03-08 日本碍子株式会社 貫通孔を有する絶縁基板
US9538653B2 (en) 2014-02-26 2017-01-03 Ngk Insulators, Ltd. Insulating substrates including through holes
CN105144851B (zh) * 2014-02-26 2019-02-12 日本碍子株式会社 具有贯通孔的绝缘基板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7152314B2 (en) Method of manufacturing circuit board
KR101225543B1 (ko) 강화글라스, 터치패널 및 강화글라스의 제조방법
JP5000809B2 (ja) 多層印刷回路基板及びその製造方法並びに多層印刷回路基板を利用したbga半導体パッケージ
CN1321549C (zh) 可挠性印刷电路板
US6465158B1 (en) Semiconductor wafer dividing method
JP3177211B2 (ja) プリント配線基板内のホールを充填する方法
US6673180B2 (en) Multilayered ceramic substrate production method
KR20040025538A (ko) 다층 배선 기판 및 그 제조 방법
US4631250A (en) Process for removing covering film and apparatus therefor
US6117347A (en) Method of separating wafers into individual die
EP1602749A1 (en) Metal photo-etching product and production method therefor
JP2006128686A (ja) リジッドフレキシブル基板の製造方法
JP4306540B2 (ja) 半導体基板の薄型加工方法
CN101170874B (zh) 用于形成转录电路的方法和用于制造电路板的方法
KR0127666B1 (ko) 세라믹전자부품 및 그 제조방법
JP2002368390A (ja) 印刷回路基板のホール充填装置及びその方法並びに印刷回路基板の製造方法
KR100618213B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2004063943A (ja) 導電パターン形成方法
US7919394B2 (en) Method for thinning substrate and method for manufacturing circuit device
US6090301A (en) Method for fabricating bump forming plate member
KR100763079B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
US4552615A (en) Process for forming a high density metallurgy system on a substrate and structure thereof
KR20040104144A (ko) 솔더 레지스트 패턴 형성 방법
KR20030019135A (ko) 솔더볼 추출 마스크 및 그 제조방법
EP1042803B1 (en) Method of manufacturing a multi-layered ceramic substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060131

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060331

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060425