KR20100041009A - 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법 - Google Patents

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KR20100041009A
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이대성
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김주호
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에스에스씨피 주식회사
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Abstract

본 발명은 유리기판에 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계 및 형성된 홈에 도전성 페이스트 조성물을 채운 후 소성하는 단계를 포함하는, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전극 형성 방법에 관한 것이다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법{PROCESS FOR FORMING ELECTRODE OF PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전극을 형성하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 PDP의 전극은 도전성 성분을 갖는 감광성 페이스트를 이용하여 포토리소그래피법(photolithography)에 의해 형성하고 있다. 포토리소그래피법은 유리기판 위에 스크린 프린팅 방법으로 페이스트를 도포 및 인쇄 후, 건조 공정을 거친 다음 건조된 막에 포토마스크를 장착 시킨 후, 자외선 노광 장치를 이용하여 노광시킨 다음, 포토마스크에 의해 차광되어 미 경화된 부분을 소정의 현상액으로 현상하여 제거시킨다. 현상이 되지 않고 남아있는 즉, 경화된 부분을 소정의 온도로 소성하는 것에 의해 전극을 형성한다.
하지만, 노광시 상하의 불균일한 경화로 인해 경화막의 단면을 보면 바닥 부분이 과현상된 언더컷(under-cut, 도막의 형상이 역사다리꼴 모양을 띠는 것)이 발 생하고, 이렇게 형성된 언더컷은 소성 공정 후 에지-컬(edge-curl, 전극의 가장자리가 말아 올라가는 현상)의 발생, 잔사(residue, 소성 후 주변부가 깨끗하지 않고 지저분하게 남아있음)의 발생 및 패턴 직진성의 손상 등의 주요원인으로 작용한다. 또한, 포토리소그래피법은 불필요한 부분까지 모두 인쇄한 후 현상공정을 통해 제거되므로 재료 손실 비용이 크고, 인쇄, 건조, 노광, 현상, 소성 공정을 거쳐 제조되기 때문에 많은 공정시간이 소요되는 단점을 가지고 있다.
상기와 같은 단점을 해결하기 위해 최근에는 오프셋(off-set)방식의 전극 형성 방법이 시도되어 적용되고 있다. 오프셋 인쇄는 오프(off)공정과 세트(set)공정, 두 공정으로 나누어진다.
먼저, 오프셋 공정은 패턴이 새겨진 그라비아 롤(gravure-roll)상에 페이스트를 도포 후 닥터 블래이드(doctor-blade)공정을 통해서 그라비어 롤 안으로 채운 후, 블랭킷 롤(blanket-roll)과 조성물이 채워진 그라비아 롤을 연속하여 압착하면서 회전시켜 그라비아 롤에 채워진 페이스트를 실리콘 고무 표면으로 된 블랭킷 롤 표면으로 전사 시키는 방법이다.
세트 공정은 실리콘 고무의 표면으로 된 블랭킷 롤에 전사된 페이스트를 유리기판과의 압착을 통해서 회전하면서 유리기판으로 다시 전사 시키는 공정이다.
오프셋 인쇄 방식의 장점은 포토리소그래피와 달리 필요한 부분만을 인쇄하기 때문에 페이스트 소모량이 적으며, 언더컷이나 에지-컬의 발생 및 소성 후의 잔사 문제가 발생하지 않는다. 하지만, 연속 인쇄 시, 그라비아 롤 위에서 페이스트 용매 휘발로 인해 페이스트 건조문제가 발생되어 전극 형성의 품질 문제가 발생되 며, 실리콘 고무의 잦은 교체로 이에 따른 비용 손실이 발생하고 있다. 또한, 전극 두께가 대부분 그라비아 롤의 패턴에 따라 결정되기 때문에 그만큼 저항 마진이 줄어드는 단점을 가지고 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하여 전극형성을 위한 페이스트 조성물의 소모량을 감소시키며 공정 시간을 감축시켜 생산성을 높일 수 있는 방법이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명의 목적은 전극형성을 위한 페이스트 조성물의 소모량을 감소시키고 공정시간을 단축할 수 있을 뿐만아니라 전극의 폭과 두께의 조정이 용이한 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전극을 형성하는 방법에 관한 것이다.
상기 목적에 따라, 본 발명에서는 유리기판에 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계 및 형성된 홈에 도전성 페이스트 조성물을 채운 후 소성하는 단계를 포함하는, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전극 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 유리기판에 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계는 포토리소그래피법에 의해 수행된다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 유리기판에 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계는 a) 유리기판 위에 포토레지스트를 코팅하는 단계; b) 코팅된 포토레지스트를 건조시키는 소프트베이킹 단계; c) 코팅된 포토레지스트를 원하는 패턴의 포토마스크를 통해 노광시키는 단계; d) 현상액을 이용하여 노광되거나 노광되지 않은 포토레지스트 부분을 제거하는 현상 단계; e) 현상된 포토레지스트를 건조시키는 하드베이킹 단계; 및 f) 상기 유리기판의 포토레지스트가 제거된 부분을 식각하여 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서, 단계 a)는 스핀코팅법 또는 도포법으로 수행되며, 유리기판 상에 포토레지스트 층이 3 내지 20미크론의 두께로 도포된다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서, 단계 b)는 90 내지 110℃에서 5 내지 20분 동안 수행되며, 단계 e)는 100 내지 130℃에서 5 내지 20분 동안 수행된다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서, 현상액이 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NAOH) 및 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)로 이루어진 군에서 선택되며, 단계 f)에서는 플루오르화수소(HF), 플루오르화암모늄(NH4F) 및 탈이온수의 혼합 용액을 이용하여 수행되며, 식각된 홈의 깊이는 3 내지 15미크론이다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서, 도전성 페이스트 조성물이 조성물 총중량을 기준으로 10 내지 90중량%의 도전성 분말, 1 내지 15중량%의 유리 프릿, 1 내지 15중량%의 바인더 수지 및 나머지량의 용매를 포함하며, 보다 바람직한 실시예에서, 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 도전성 분말이 65 내지 85중 량%, 유리 프릿이 1 내지 13중량%, 바인더 수지가 1 내지 15중량% 및 용매가 10 내지 30중량%이며, 도전성 분말의 크기가 0.1 내지 2.0미크론이고, 유리 프릿의 크기가 0.1 내지 10미크론인 것이 바람직하다.
본 발명에 의해 제조된 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)은 전극 기판의 두께가 감소될 뿐만 아니라 전극형성을 위한 페이스트 조성물의 소모량 및 공정시간도 단축되어 생산성 향상 효과가 생길 것으로 기대되고, 전극의 폭을 미세하게 조정할 수 있으므로 고정세가 가능 할 수 있을 것으로 판단된다.
이하에서는 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명은 유리기판에 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계 및 유리기판의 홈에 도전성 페이스트 조성물을 채워 넣는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
먼저, 본 발명에 따른 전극 형성을 하기 위해서 사용되는 유리기판은 통상의 PDP에 사용하는 상, 하판 유리기판인 아사히 글라스(ASAHI Glass) PD200 평판 유리인 것이 바람직하다. 이 유리기판은 SiO2-B2O3-RO-R'2O(여기서, R은 Sr, Ba, Mg 또는 Ca이고, R'는 K 또는 Na이다)로 구성되어 있으며, 높은 왜곡점(>600℃), 적절한 열 팽창율(75ㅁ10-7/℃) 및 고 투과율 등의 특성 때문에 기판으로 적합하다. PD200 대신 일반 창유리와 같은 소다라임(sodalime)유리기판을 사용하기도 하지만, PD200에 비해 낮은 왜곡점으로 기존의 소자에 이용할 수 없기 때문에 사용에 한계가 있다. 유리기판의 두께는 PDP 제조에 사용될 수 있는 것이라면 제한이 없지만 1.5 내지 3.0mm가 바람직하다.
본 발명의 가장 바람직한 실시예에 의하면, 상기 유리기판에 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계는 a) 유리기판 위에 포토레지스트를 코팅하는 단계; b) 코팅된 포토레지스트를 건조시키는 소프트베이킹 단계; c) 코팅된 포토레지스트를 원하는 패턴의 포토마스크를 통해 노광시키는 단계; d) 현상액을 이용하여 노광되거나 노광되지 않은 포토레지스트 부분을 제거하는 현상 단계; e) 현상된 포토레지스트를 건조시키는 하드베이킹 단계; 및 f) 상기 유리기판의 포토레지스트가 제거된 부분을 식각하여 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계를 포함한다.
포토레지스트(PR, photo-resist) 코팅 단계는 분사된 PR을 높은 회전수로 회전시켜 균일한 얇은 막의 형태로 기판 전체를 도포시키는 과정을 말한다. 포토레지스트는 일반적으로 감도(sensitivity), 대비(contrast), 현상 속도(photo speed), 해상력(resolution), 열적 안정성(thermal stability), 접착력(adhesion), 현상 저항성(etch resistance) 등을 갖추어야 한다. 일반적으로 포토레지스트는 노광에 의해 생기는 용해 특성의 변화에 따라 포지티브 방식(positive type)과 네가티브 방식은 빛이 노출된 부분이 화학적으로 결합하여 노광 후 빛이 노출되지 않은 부분이 현상액에 씻겨나가는 방식으로 실시예에서는 주로 SU-8(에폭시 베이스드 포토레지스트, epoxy based photoresist)계열의 PR을 사용하였다. 포토레지스트 코팅 단계는 스핀 코팅법(spin coating) 또는 도포법(aplicating) 이들 모두를 사용하는 방법으로 이루어질 수 있다. PR 코팅 두께는 3 내지 20미크론, 바람직하게는 5 내지 10미크론이다.
소프트베이킹(soft-baking) 단계는 PR과 유리기판의 접착력을 증진시키고, PR에 남아있는 용매를 제거하기 위한 과정을 말한다. 상기 단계는 핫플레이트(hot plate)를 이용해 90 내지 110℃, 5 내지 20분 동안 1단계 또는 2단계 이상의 공정으로 이루어질 수 있으며, 유리기판이 충분히 냉각된 이후에 다음 단계를 진행하는 것이 바람직하다.
노광(exposure) 단계는 포토마스크(photo mask)를 통해 자외선 영역의 빛을 조사함으로써 마스크 상에 형성된 미세회로 형상을 코팅된 PR에 전사하는 과정을 말한다. 여기서, 마스크의 패턴은 얇은 크롬(Cr)막으로 형성되어 있으며 Cr 패턴 위에 조사된 빛은 반사되어 PR을 감광시키지 못하며 Cr이 없는 부분은 투과하여 PR을 감광시킴으로써 코팅된 PR에 미세 회로 형상을 전상시킨다. 실시예에서 사용된 마스크 패턴은 선 폭 및 선간 간격이 140미크론이고 석영(Quartz)으로 제작하였다. 노광은 일반적으로 수은램프를 사용하며 파장은 365nm(i-line)와 436nm(g-line)가 사용되며, 에너지는 1000 내지 3000mJ/cm2로 한다.
현상(developing) 단계는 노광 후 현상액을 이용하여 필요한 곳과 필요 없는 부분을 구분하여 상을 형성하기 위해 일정부분의 PR을 제거 하는 과정이다. 현상 단계에 사용하는 현상액으로는 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 등과 같은 알칼리 용액을 사용하는 것이 바람직하다.
하드베이킹(hard-baking) 단계는 도포된 PR을 더욱더 단단하게 할 수 있을 뿐만 아니라, 유리기판과의 접착력을 좋게 만들어 준다. 하드베이킹 단계는 핫플레이트를 이용해 100 내지 130℃, 5 내지 20분 동안 1단계 또는 2단계 이상의 공정으로 이루어질 수 있으며, 유리기판이 충분히 냉각된 이후에 다음 단계를 진행하는 것이 바람직하다.
식각(etching) 단계는 유리기판을 원하는 전극 패턴의 홈을 형성하는 과정을 말한다. 식각 단계에서 사용하는 식각 용액으로 플루오르화수소(HF), 플루오르화암모늄(NH4F) 및 탈이온수(DI water)의 혼합 용액이 바람직하며, 3 내지 15미크론 두께로 식각을 하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 단계를 통하여 유리기판에 홈을 형성한 후, 도전성 페이스트 조성물로 유리기판의 홈을 채운다. 홈의 깊이는 3 내지 20미크론, 바람직하게는 7 내지 11미크론이다. 상기 도전성 페이스트 조성물은 바람직하게는 도전성 분말, 유리 프릿, 바인더 수지 및 용매를 포함한다. 또한, 바람직하게는 분산제, 저장 안정제 등의 일반적인 첨가제도 포함할 수 있다.
바람직하게는 도전성 분말은 은(Ag)분말, 구리(Cu)분말 또는 니켈(Ni)분말, 유리 프릿은 비스무스(Bi)계열, 징크(ZnO)계열 또는 인산(PO)계열, 바인더 수지는 에틸 셀룰로오스(EC), 아크릴레이트(acrylate) 또는 나이트로 셀룰로오스(NC), 용매는 부틸 카비톨 아세테이트(BCA), 테피네올(terpineol) 또는 텍사놀(Texanol)로 선택될 수 있다.
도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 도전성 분말이 65 내지 85중량%, 유리 프릿이 1 내지 15중량%, 바인더 수지가 1 내지 15중량% 및 용매가 10 내지 30중량%인 것 바람직하고, 도전성 분말의 크기가 0.1 내지 2.0미크론, 유리 프릿의 크기가 0.1 내지 10미크론인 것이 바람직하다.
이하 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
유리기판 미세패턴 형성
하기 표 1에 기재된 제조예 1 내지 4의 방법으로 유리기판 미세패턴을 형성시켰다. 먼저, 가로가 200mm, 세로가 200mm인 PD200 평판 유리를 세정한 후, SU-8 용액(마이크로켐, MicroChem)을 도포하여 스핀 코팅기(spin coater)를 사용해 유리기판 위에 일정하게 도포시켰다. 다음으로, 핫플레이트를 이용하여 90 내지 110℃에서 소프트베이킹시켰다. 이어서, 냉각된 유리기판 위에 마스크 패턴(width: 30㎛,140㎛)과 수은 램프를 사용해 노광을 하였다. 유리기판이 충분히 냉각된 다음, TMAH용액으로 현상 단계를 수행하고, 핫플레이트를 이용하여 110 내지 130℃에서 하드베이킹시켰다. 마지막으로 일정 비율의 HF:NH4F:탈이온수(a:b:c) 용액으로 식 각을 하였다.
　 제조예 1 제조예 2 제조예 3 제조예 4
PR방식 네가티브(Negative)방식, SU-8
스핀코팅 (spin coating) 1) 1000rpm에서 1분 2) 4000rpm에서 3분
소프트베이킹 (soft baking) 90℃에서 5분, 110℃에서 5분
노광(exposure) 15mw에서 50초
현상 (developing) TMAH(100%)하에서 2분
하드베이킹 (Hard baking) 110℃에서 3분, 130℃에서 3분
식각(etching) a:b:c=6:3:1, 20초 a:b:c=6:3:1, 30초 a:b:c=7:2:1, 20초 a:b:c=7:2:1, 30초
a: HF, b: NH4F, c: 탈이온수(DI water)
상기 표 1과 같은 방법으로 패턴을 형성했을 때, 유리기판에 식각 된 홈의 깊이는 30㎛ 마스크 패턴을 사용했을 경우, 제조예 1은 3㎛, 제조예 2는 4.5㎛, 제조예 3은 5㎛ 및 제조예 4는 6㎛로 균일한 패턴이 형성되었고, 140㎛ 마스크 패턴을 사용했을 경우 제조예 1은 5㎛, 제조예 2는 7㎛, 제조예 3은 11㎛, 제조예 4는 15㎛로 균일하게 형성되었다.
도전성 페이스트 제조
하기 표 2에 기재된 조성을 이용하여 페이스트를 제조하였다. 먼저, 용매 및 첨가제로 구성된 유기 화합물을 PLM(planetary mixer)에 함께 넣어 교반을 통해 잘 용해시켜 비히클을 제조한 후, 비히클을 교반하면서 미세 분말을 서서히 투입시켜 혼합하였다. 다음으로, 조합된 페이스트를 3-롤 밀(3-roll mill)을 이용하여 혼합 및 분산시킨 후, 필터링을 통해 큰 입자 및 먼지 등의 불순물을 제거시켰다.
항목 함량(중량%) 내용
도전성 분말 75 Ag 분말, 구형으로 입자 평균 크기는 1.5㎛
유리 프릿 5 Bi 계열, 무정형 평균 입자 크기 2㎛
수지 3 에틸 셀룰로오스(EC), STD-10,STD-200
용매 16 부틸카비톨아세테이트(BCA)+테피네올 (terpineol)+텍사놀(Texanol) 혼용
첨가제 1 분산제(BYK-111)+가소제(DOP)
실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 2
상기 표 1의 방법으로 형성된 제조예 1 내지 4의 유리기판 위에 표 2에서 제조된 페이스트를 도포 한 후 메탈 스퀴지를 사용하여 기판에 새겨진 홈으로 페이스트를 채워 넣었다. 다음으로, 적외선(IR) 건조 장치를 이용하여 100℃에서 15분간 건조시키고, 전기 소성로를 이용하여 570℃에서 15분간 소성하였다. 그 후, 전자 현미경(SEM)을 이용하여 소성 막의 단면 관찰 및 두께를 측정하였고, 멀티미터(Multimeter)를 이용하여 선 저항, 비 저항 등 물성을 측정하였다.
실시예 1 내지 4는 30㎛ 마스크 패턴을 사용하여 전극 패턴을 제조하였으며, 실시예 5 내지 8은 140㎛ 마스크 패턴을 사용하여 전극 패턴을 제조하였다.
비교예 1은 그라비아에 새겨진 30㎛ 선폭을 가지는 패턴을 기존의 오프셋 공법(Offset type)으로 인쇄하여 전극 패턴을 제조하였고, 비교예 2는 140㎛ 선폭을 가지는 패턴을 기존의 오프셋 공법으로 인쇄하여 전극 패턴을 제조하였다. 하기 표 3 및 표 4에 그 결과를 도시하였다.
30㎛ 마스크 패턴을 사용
　 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1
인쇄 후 두께(㎛) 3 4.5 5 6 3.4
소성 후 두께(㎛) 1.8 3 3.4 4.1 2.2
선 저항(Ω/10cm) 95.1 55.5 46.4 39.3 78.6
전극 직진성 양호 양호 양호 양호 불량
140㎛ 마스크 패턴을 사용
　 실시예 5 실시예 6 실시예 7 실시예 8 비교예 2
인쇄 후 두께(㎛) 5 7 11 15 9
소성 후 두께(㎛) 3.5 4.7 8.3 11.4 6.2
선 저항(Ω/10cm) 9.8 7 4.1 3 5.2
전극 직진성 양호 양호 양호 양호 양호
상기 표 3 및 4에서 선 저항은 소성 후 전극의 길이 10cm의 선 저항을 측정한 값이고, 전극 직진성은 소성 후 선 폭의 최대치와 최소치 차이가 5㎛ 이내인 경우를 양호로 표시하였다.
표 3의 비교예 1은 오프셋 공법의 PDP BUS 초고정세용 전극 개발품으로서 실시예 1 내지 4와 비교했을 때 직진성이 불량하나, 표 4의 비교예 2는 오프셋 공법의 PDP address용 전극 개발품으로서 실시예 5 내지 8과 비교했을 때 유의차 없이 양호한 수준을 나타낸다.
표 3 및 4에서 알수 있듯이, 표 1의 에칭 조건에 따라서 홈의 깊이가 결정되어지고, 이에 따라 인쇄 두께도 다양하게 변함을 알 수 있다. 또한, 실시예 1, 5 및 6과 비교예 1 및 2를 각각 비교하여 보면, 비교예 1 및 2에 비하여 전극 기판의 두께가 얇아졌고, 선 저항이 커짐을 알 수 있다. 따라서, 식각액의 비율을 조절함으로써 전극 기판의 두께가 조절가능하므로 고정세(fine pitch)가 가능할 수 있을 것으로 판단된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 유리기판에 홈을 형성하는 단계를 도시한 도면이다.

Claims (13)

  1. 유리기판에 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계 및 형성된 홈에 도전성 페이스트 조성물을 채운 후 소성하는 단계를 포함하는, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전극 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    유리기판에 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계가 포토리소그래피법에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전극 형성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    유리기판에 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계가
    a) 유리기판 위에 포토레지스트를 코팅하는 단계;
    b) 코팅된 포토레지스트를 건조시키는 소프트베이킹 단계;
    c) 코팅된 포토레지스트를 원하는 패턴의 포토마스크를 통해 노광시키는 단계;
    d) 현상액을 이용하여 노광되거나 노광되지 않은 포토레지스트 부분을 제거하는 현상 단계;
    e) 현상된 포토레지스트를 건조시키는 하드베이킹 단계; 및
    f) 상기 유리기판의 포토레지스트가 제거된 부분을 식각하여 원하는 패턴의 홈을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    단계 a)가 스핀코팅법 또는 도포법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    단계 a)에서 유리기판 상에 포토레지스트 층이 3 내지 20미크론의 두께로 도포되는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    단계 b)가 90 내지 110℃에서 5 내지 20분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  7. 제 3 항에 있어서,
    현상액이 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NAOH) 및 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  8. 제 3 항에 있어서,
    단계 e)가 100 내지 130℃에서 5 내지 20분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  9. 제 3 항에 있어서,
    단계 f)가 플루오르화수소(HF), 플루오르화암모늄(NH4F) 및 탈이온수의 혼합 용액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    홈의 깊이가 3 내지 15미크론인 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    도전성 페이스트 조성물이 조성물 총중량을 기준으로 10 내지 90중량%의 도전성 분말, 1 내지 15중량%의 유리 프릿, 1 내지 15중량%의 바인더 수지 및 나머지량의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 도전성 분말이 65 내지 85중량%, 유리 프릿이 1 내지 13중량%, 바인더 수지가 1 내지 15중량% 및 용매가 10 내지 30중량%인 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    도전성 분말의 크기가 0.1 내지 2.0미크론이고, 유리 프릿의 크기가 0.1 내지 10미크론인 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101495630B1 (ko) * 2012-04-02 2015-02-25 (주)태양기전 터치 장치 및 그 제조 방법

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