KR20000047504A - 평면 표시 장치 - Google Patents

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KR20000047504A
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가와다도요시
아오끼마사미
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아끼구사 나오유끼
후지쯔 가부시끼가이샤
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Abstract

PDP 등의 발광형 평면 표시 장치에 있어서, 고밀도 실장된 구동 IC칩의 발열을 억제한다.
발광 표시 패널에 인접하여 히트 싱크가 되는 블록을 배설하고 이러한 히트싱크 블록 상에 구동 IC칩을 지지한다.

Description

평면 표시 장치{FLAT DISPLAY DEVICE}
본 발명은 일반적인 표시 장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마 표시 장치나 EL 엘렉트로 루미네슨스(electro luminescence) 표시 장치 등, 발광형의 표시 장치에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치 또는 EL 표시 장치는 발광형의 평면 표시 장치이고, 특히 대화면의 평면 표시 장치로서 대형 텔레비전 등에 쓰이기 시작하고 있다.
도 1은 종래의, 소위 AC형 플라즈마 표시(PDP) 장치에 쓰이는 플라즈마 표시패널(10)의 구성을 나타낸다.
도 1을 참조하면, 플라즈마 표시 패널(10)은 배면 유리 기판(11)과 전면 유리 기판(15)으로 되고, 상기 배면 유리 기판(11) 상에는 Cr등으로 되는 다수의 어드레스 전극(12)이 각각 열 방향으로 서로 평행하게 연재한다. 또한 상기 기판(11)상에는 저융점 유리로 되는 유전체층(13)이 상기 어드레스 전극(12)을 덮도록 퇴적되고 또한 상기 유전체층(13) 상에는 저융점 유리로 되어 각각 상기 열방향으로 연재하는 다수의 리브(rib)(14)가 상기 한 쌍의 리브가 어드레스 전극(12)중 하나의 양측에 위치하도록 형성된다. 또 상기 리브(14)와 이것에 인접하는 리브(14) 사이에는 빨강(R), 초록(G), 파랑b의 삼원색의 형광체가 도포되고 이중 R, G, B가 1조로 1화소를 형성한다.
한편 상기 전면 유리 기판(15)상(도 8에서는 하주면상)에는 ITO(In203·Sn 02) 등의 투명 도전성 재료로 되는 다수의 표시 전극(16)이 상기 열 방향으로 직교하는 행 방향으로 서로 평행하게 연재한다. 또한 상기 각각의 표시 전극(16) 상에는 Cr 등으로 되는 버스 전극(17)이 상기 표시 전극(16)에 따라서 전극(17) 보다도 좁은 폭으로 형성되어 상기 기판(15) 상에는 상기 표시 전극(16) 및 버스 전극(17)을 덮도록 저융점 유리로 되는 유전체막(18)이 형성되고 또한 상기 유전체막(18) 상에는 Mg0 등으로 되는 보호막(19)이 형성된다.
상기 유리 기판(11, 15)은 도 1에 나타낸 바와 같이, 상기 유리 기판(11) 상의 리브(14)가 상기 유리 기판(15) 상의 보호막(19)에 대향하도록 배설되고 사이에 Ar 등의 희가스로 이루어지는 플라즈마 가스가 봉입된다.
동작시에는 선택된 어드레스 전극(12)과 선택된 표시 전극(17)에 구동 전압 신호가 인가되고, 그 결과 형성된 플라즈마에 의해 소정의 형광체가 발광한다.
이러한 플라즈마 표시 패널을 쓴 플라즈마 표시 장치는 발광형의 표시 장치이기 때문에, 이것을 구동하기 위해서는 액정 표시 장치의 경우 등과는 비교가 되지 않는 실질적으로 전력을 공급할 수 있는 전력 구동 회로가 필요하게 된다. 이것은 ELP(엘렉트로 루미네슨스 표시) 장치 등, 다른 발광형 평면 표시 장치에서도 마찬가지이다.
한편 이들 발광형 평면 표시 장치에 있어서 우수한 화질을 실현하기 위해 표시의 해상도를 향상시키고자 하면, 도 1의 어드레스 전극(12) 또는 표시 전극(16)의 수를 증대시킬 필요가 있지만, 이를 위해서는 상기 전력 구동 회로를 구성하는 IC칩을 표시 장치의 주변부에 고밀도로 배설할 필요가 있다.
예컨대 전형적인 850×480의 해상도를 갖는 42인치형 플라즈마 표시 장치에서는 상기 어드레스 전극(12)을 RGB 삼색을 합계하여 850×3=255개 설치할 필요가 있고 또 표시 전극(16)을 480개 설치할 필요가 있다. 이러한 플라즈마 표시 패널에 있어서 상기 구동 회로를 각각 60개의 외부 접속 단자를 갖는 IC칩에 의해 구성한 경우, 상기 플라즈마 표시 장치의 가로 방향으로 40개 이상의 IC칩을 조밀하게 배설할 필요가 있다. 표시 장치의 해상도를 더욱 향상시키면 필요한 IC칩의 수는 당연히 더욱 증대한다.
도 2,3은 상술한 바와 같은 배경을 바탕으로 실용화 또는 개발이 진행되고 있는 종래의 구동 구성(20,20A)을 나타낸다. 다만 도 2,3중, 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 2의 구성(20)은 일반적으로 C0B(chip-on-board) 구성이라고 불리고 있는 구동용 IC칩이 프린트 기판 상에 직접 탑재되어 전기적인 접속이 되는 구조이기 때문에, 통상의 패키지 봉입된 것을 땜납 붙임하여 사용하는 타입보다 소형·고밀도로 실장할 수 있는 특징이 있다.
도 2를 참조하면 이 종래 예(20)에서는 상기 배선 기판(23)이 상기 유리 기판(11)의 배후에 배설되고 상기 구동 IC칩(21)은 상기 배선 기판(23)상에 설치된다 . 또한 상기 배선 기판(23)은 상기 유리 기판(11,15) 상의 어드레스 전극(12)또는버스 전극(17)과 평 케이블(22)에 의해 전기적으로 접속된다.
이 구성에서는 구동 IC칩은 고밀도 실장 가능하지만 프린트 기판의 재료 특성으로서 열전도율이 그만큼 높지 않다고 하는 특성보다 구동 IC칩(21)으로 발생한 열의 방산성이 나쁘게 구동 IC칩(21)뿐만 아니라 배선 기판(23)의 온도가 대단히 비싸게 되어 버린다. 또 이것에 따라 구동 IC칩(21) 또는 배선 기판(23)상의 그 밖의 IC칩에 대한 품질 신뢰성 확보가 어렵게 된다.
도 3은 또한 고도로 구동IC 부의 고밀도 실장과 소형·박형화 실장을 겨냥하여 개발되고 있는 소위 C0G(chip-on-glass) 구성이고 액정 표시 장치 등에서의 실용화 예도 보고되어 있는 것이다.
도 3의 구동 구성(20A)을 참조하면 상기 유리 기판(11)상에는 구동 IC칩(21 )이 붙여지고 상기 구동 IC칩(21)은 본딩 와이어(21b)에 의해 상기 어드레스 전극 (12) 또는 버스 전극(17)에 전기적으로 접속된다. 또한 상기 구동 IC칩(21)은 본딩 와이어(21a) 및 평 케이블(22), 또한 상기 평 케이블(22)에 대응하는 커넥터( 22A)에 의해 상기 기판(11)의 뒷편에 배설된 배선 기판(23)에 전기적으로 접속 된다. 상기 배선 기판(23)은 여러가지 제어 회로를 포함한 IC칩(24,25)을 담지한다. 도 3의 구성(20A)에서는 유리 단면 상의 구동 IC칩은 지극히 좁은 영역에 고밀도실장되어 유리 재료의 열전도율이 나쁜 특성과 겹쳐서 구동 IC칩에서의 열방산성은 지극히 나빠진다.
이 결과, 구동 IC칩의 온도 상승은 지극히 높게 되어 동작 이상이나 열적 파괴가 발생할 가능성이 있다.
또한 열이 유리 기판(11)에 전달되어 유리 기판(11,15)으로 되는 플라즈마 표시 패널(10)에 왜곡·변형 등 열적 스트레스가 가해지는 결과, 최악에는 패널 파괴에 이르는 상태도 생각된다.
그래서 본 발명은 상기의 과제를 해결한 신규이고 유용한 발광형 평면 표시 장치를 제공하는 것을 개괄적 과제로 한다.
본 발명의 보다 구체적인 과제는 방열 효율이 우수한 발광형 평면 표시 장치를 제공하는 것에 있다.
도 1은 종래의 PDP 패널의 구성을 나타내는 도면.
도 2는 종래의 PDP 장치에서의 구동부의 구성을 나타내는 도면.
도 3은 종래의 액정 표시 장치로 쓰이고 있는 구동부를 PDP 장치에 적용한 경우의 구성을 나타내는 도면.
도 4의 a∼d는 본 발명의 원리를 나타내는 도면.
도 5의 a,b는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 PDP 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 6의 a,b는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 PDP 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 7의 c,d는 본 발명의 별도의 실시예에 의한 PDP 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 의한 PDP 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 의한 PDP 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 10의 a,b는 본 발명의 제 5 실시예에 의한 PDP 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 11은 본 발명의 제 6 실시예에 의한 PDP 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 12는 본 발명의 제 7 실시예에 의한 PDP 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 13은 본 발명의 또다른 실시예에 의한 PDP 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 14는 본 발명의 또다른 실시예에 의한 PDP 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 15의 a,b는 본 발명의 또다른 실시예에 의한 PDP 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 16은 EL형 발광 표시 장치의 구성을 나타내는 도면.
[부호의 설명]
10 … PDP 패널
11,15 … 유리 기판
12 … 어드레스 전극
13,18 … 유전체층
14 … 리브
16 … 투명 표시 전극
17 … 버스 전극
19 … 보호막
20 … 구동부
21,42 … 구동 IC칩
21a,21b,42a,42b … 본딩 와이어
22 … 평 케이블
22A … 커넥터
23 … 배선 기판
24,25 … 제어 IC칩
26,41,41C … 히트 싱크 블록
30A,30B,30B′,30C … PDP 구동부
40,50,55,60,70,80,90,100 … PDP 장치
41A … 가이드부
41G … 홈
41H … 관통공
41P … 열 흡수부
41Q … 방열기
41a … 위치 결정 단부
411,41m,41i,41j … 배선 패턴
41n … 칩 커패시터
42tab… TAB 리드
44 … 플렉시블(플렉시블) 프린트 기판
45,46 … 제어IC
47 … 커패시터
110 … EL형 발광 표시 장치
112 … 구동 전극
113,115 … 절연막
114 … 발광층
116 … 대향 전극
본 발명은 상기의 과제를,
청구항 1에 기재한 바와 같이,
표시 패널과,
상기 표시 패널에 근접하여 형성되고 상기 표시 패널에 전기적으로 접속된 구동 집적 회로칩과,
상기 표시 패널에 근접하여 형성되고 상기 구동 집적 회로칩을 담지하는 히트 싱크를 구비한 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치에 의해, 또는
청구항 2에 기재한 바와 같이,
상기 히트 싱크는 상기 표시 패널보다도 열전도율이 높은 것을 특징으로 하는 청구항 1 기재의 평면 표시 장치에 의해, 또는
청구항 3에 기재한 바와 같이,
상기 히트 싱크는 또한 배선 패턴을 담지한 배선 기판을 담지하는 것을 특징으로 하는 청구항 1 또는 2 기재의 평면 표시 장치에 의해, 또는
청구항 4에 기재한 바와 같이,
상기 히트 싱크는 상기 표시 패널에 접착되는 것을 특징으로 하는 청구항 1∼3중, 어느 1항 기재의 평면 표시 장치에 의해, 또는
청구항 5에 기재한 바와 같이,
상기 히트 싱크는 상기 표시 패널의 가장자리부에 접착되는 것을 특징으로 하는 청구항 1∼4중, 어느 1항 기재의 평면 표시 장치에 의해, 또는
청구항 6에 기재한 바와 같이,
상기 히트 싱크는 상기 표시 패널의 가장자리부와 계합하는 위치 결정 단부를 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 1∼5중, 어느 1항 기재의 평면 표시 장치에 의해, 또는
청구항 7에 기재한 바와 같이,
상기 구동 집적 회로칩과 상기 표시 패널은 와이어 본딩에 의해 접속되는 것을 특징으로 하는 청구항 1∼6중, 어느 1항 기재의 평면 표시 장치에 의해, 또는
청구항 8에 기재한 바와 같이,
상기 구동 집적 회로칩과 상기 표시 패널은 TAB에 의해 접속되는 것을 특징으로 하는 청구항 1∼6중, 어느 1항 기재의 평면 표시 장치에 의해 해결한다.
[작용]
도 4a∼c는 본 발명의 원리를 나타낸다. 다만 도 4a∼c중, 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 4a를 참조하면, 본 발명에 의한 플라즈마 표시 장치(30A)에서는 기판( 11,15)으로 되는 플라즈마 표시 패널에 근접하여 전형적으로는 Al 등의 고열 전도금속으로 되는 히트 싱크(26)가 배설되고 상기 구동 IC칩(21)은 상기 히트 싱크(26 )상에 지지된다. 상기 히트 싱크(26)는 상기 유리 기판(11)에 당접한 상태로 접착하여도 좋지만, 상기 유리 기판(11)보다도 높은 열전도율을 가지고 상기 구동 IC칩(21)이 발생한 열을 흡수하여 주위로 방산함으로써 상기 IC칩(21)의 온도 상승을 억제한다. 도 4a의 예에서는 상기 IC칩(21)은 상기 기판(11,15) 상의 전극(12,17 )과 와이어 본딩에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한 상기 히트 싱크는 플렉시블 프린트 기판 등의 배선 기판(23)을 담지한다.
한편 도 4b,c의 플라즈마 표시 장치(30B,30B′)는 도 4a의 구성과 대략 동일하지만 상기 히트 싱크(26) 상의 구동 IC칩(21)을 TAB(21a′,21b′)에 의해 , 상기 플라즈마 표시 패널 및 상기 배선 기판(23)에 전기적으로 접속한다. 도 4b의 구성 (30B)의 경우는 상기 히트 싱크(26)를 플라즈마 표시 패널의 유리 기판(11)의 측 가장자리부에 접하는 형으로 설치한 것이고 상기 히트 싱크(26)를 상기 유리 기판(11 )에 당접하여 접착하여도 좋다. 또한 도 4c의 구성(30B′)의 경우는 상기 히트 싱크(26)를 상기 유리 기판(11)의 이면측에 설치한 것이고, 따라서 상기구동 IC칩(21)도 전극(12)에 대하여 이면측의 히트 싱크(26) 상에 탑재한다. 이 경우, TAB(21b′) 측의 리드를 약간 길게하여 놓고 돌려 넣어 이면 전극(12)에 접속하도록 한다.
또한 도 4d의 플라즈마 표시 장치(30C)는 상기 히트 싱크(26) 상에 상기 배선 기판(23) 상의 배선 패턴에 대응하는 배선 패턴이 형성되어 있는 예를 나타낸다 . 이 예에서는 상기 히트 싱크(26)는 금속의 코어와 이것을 덮는 절연막으로 되어 있고 상기 배선 패턴은 이러한 절연막 상에 형성된다. 도 4a,b의 구성과 같이, 도 4d의 구성에서도 상기 히트 싱크(26)를 상기 유리 기판(11)에 당접하여 접착하여도 좋다.
[실시예]
[제 1 실시예]
도 5a,b는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 플라즈마 표시 장치(40)의 구성을 나타내는 각각의 단면도 및 사시도이다. 다만, 먼저 설명한 부분에 대응하는 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 5a,b를 참조하면, 플라즈마 표시 장치(40)는 상기 유리 기판(11,15)으로 되는 도 1에 나타낸 구성의 플라즈마 표시 패널(10)과 상기 플라즈마 표시 패널(10 )의 배면에 배설되어 상기 IC칩(24,25)에 대응하는 여러가지의 제어 IC칩(45,46) 또는 커패시터 등의 수동 소자(47)를 담지하는 배선 기판(43)과 상기 플라즈마 표시 패널(10)의 측 가장자리부, 보다 정확하게는 상기 유리 기판(11)의 측 가장자리부에 계합하며, 전형적으로는 Al로 되는 히트 싱크 블록(41)을 포함하고 상기 히트 싱크 블록(41) 상에는 상기 플라즈마 표시 패널(10)의 구동 IC칩(42)이 접착 또는 융착되어 있다. 도시한 예에서는 상기 구동 IC칩(42)이 본딩 와이어(42b)에 의해 상기 유리 기판(11) 상의 어드레스 전극(12)에 전기적으로 접속되고, 또한 플렉시블 프린트 기판(44) 및 커넥터(44A)에 의해 상기 배선 기판(43)에 전기적으로 접속된다. 상기 구동 IC칩(42)과 플렉시블 프린트 기판(44) 사이는 별도의 본딩 와이어(42a)에 의해 접속된다. 이 플렉시블 프린트 기판(44)은 예컨대 폴리 이미드수지를 절연재로서 사용한 필름 기판 등으로 되고 도시한 예에서는 칩 커패시터(44b)를 담지하고 있고 구동 IC칩(42)에 제어 신호 및 전원을 공급하는 기능을 갖는다.
도 5a,b에 나타낸 바와 같이, 상기 히트 싱크 블록(41)는 상기 유리 기판( 11)의 배면과 계합하는 가이드부(41A)를 가지고 또한 상기 가이드부(41A)는 위치 결정부로서 작용하는 단부(41a)에 의해 구획되고 있다. 즉, 상기 히트 싱크 블록 (41)은 상기 유리 기판(11) 상에 상기 유리 기판(11)의 배면이 상기 히트 싱크 블록(41)의 가이드부(41A)에 계합하도록, 또 측 가장자리부가 상기 위치 결정 단부(41 a)에 계합하도록 취부되어 있고 도시를 생략한 접착제층에 의해 접착된다. 상기접착제층에는 열전도율을 향상시키기 위해서 금속 충전제를 첨가하여도 좋다. 히트 싱크 블록(41)은 예컨대 두께가 5mm로 폭이 70mm 정도인 Al 각재 중에서 상기 단부 (41a)를 절삭하여 형성하면 좋다. 그 때, 상기 단부(41a)의 높이는 상기 유리 기판(11)의 두께에 일치하도록 또는 약간 낮게 설정하면, 2개소의 와이어면의 단차가 적어지게 되어, 와이어 작업성이 향상하고 또 상기 본딩 와이어(42b)의 길이가 가장 짧게 되어 적합하게 된다.
또 도 5a,b의 예에서는 상기 구동 IC칩(42) 상의 전극 패드가 상기 유리 기 판(11) 상에 놓을 수 있는 어드레스 전극(12)의 피치보다도 작은 피치로 형성되어 있지만, 이것은 IC칩의 사이즈가 어드레스 전극 피치의 누적 치수보다 작게 되어 있는 것에 의한다. 따라서 어드레스 전극 피치가 작게 되면 거의 동등이 되는 경우도 있다. 상기 IC칩(42)에 대한 본딩 와이어(42a,42b)의 본딩은 칩마다 순차적으로 또는 모든 칩에 대하여 먼저 와이어(42a 또는 42b)중의 한쪽의 와이어 본딩을 행하고 그 후에 다른쪽 와이어의 본딩을 하도록 하여도 좋다. 후자의 방법은 와이어(42a)의 본딩과 와이어(42b)의 본딩으로 본딩 조건을 변경할 필요가 있는 경우에 특히 유효하다. 상기 구동 IC칩(42)은 상기 어드레스 전극(12)을 구동하는 경우, 긴 가로의 플라즈마 표시 패널(10)의 가로변에 따라서 형성되지만, 먼저 언급한 850×480 해상도의 플라즈마 표시 패널의 경우에는, 가로변에 따라서 40개 이상의 구동 IC칩(42)이 상기 어드레스 전극(12)에 접속하여 형성된다.
본 실시예의 구성에 의하면, 상기 구동 IC칩(42)에서 생긴 발열은 즉시 상기히트 싱크 블록(41)에 의해 흡수, 외부로 방산되어 IC칩(42) 뿐만 아니라 플라즈마 표시 패널(10) 자체의 온도 상승이 효과적으로 회피된다. 본 발명은 보다 많은 구동 IC칩(42)을 고밀도로 실장할 필요가 있는 고해상도의 플라즈마 표시 장치를 형성하는 경우에도 IC칩 및 플라즈마 표시 패널의 온도 상승을 회피하는데 유용하다. 그 때, 상기 유리 기판(11)의 배면에 연재하는 히트 싱크 블록(41)의 가이드부(41 A)는 방열면으로서도 작용한다. 상기 가이드부(41A)의 크기는 쓰이는 구동 IC칩(42)의 개수 또는 개개의 칩의 발열에 따라서 최적화된다.
상기 본딩 와이어(42a,42b)의 접속 후, 상기 구동 IC칩(42)은 본딩 와이어 (42a,42b)와 함께 수지 봉지된다.
[제 2 실시예]
도 6a,b는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 플라즈마 표시 장치(50)의 구성을 나타낸다. 다만 도 6a,b중, 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 6a,b를 참조하면, 본 실시예에 의한 플라즈마 표시 장치(50)는 도 5a,b의 플라즈마 표시 장치(40)와 같은 구성을 갖지만, 상기 구동 IC칩(42)을 플라즈마 표시 패널(10) 및 배선 기판(43)에 접속하는데 본딩 와이어(42a,42b) 대신에 TAB 리드 42탭을 쓴 점이 서로 다르다.
도 6b의 사시도에 나타낸 바와 같이, 상기 TAB 리드 42탭은 각각의 구동 IC칩(42)에 대응하여 상기 구동 IC칩(42)을 덮도록 형성된다.
본딩 와이어(42a,42b) 대신에 TAB 리드 42탭을 사용함으로써, 상기 구동 IC칩(42)의 일괄 접속이 가능하게 되어 PDP 장치의 효율적인 제조가 가능하게 된다.
본 실시예의 그 밖의 구성상 및 작용상의 특징은 제 1 실시예의 경우와 같고 설명을 생략한다.
도 6c,d는 동일한 TAB 리드 42탭을 사용한 별도의 실시예에 의한 플라즈마 표시 장치(55)를 나타내고 있다. 이 플라즈마 표시 장치(55)에서는 히트 싱크 블록(41)을 유리 기판(11)의 전극(12)의 노출면에 대하여 이면측에 설치한 것이고 유리 기판(11)의 이면의 단면에 치우침에 따라서, 예컨대 두께가 5mm정도이고 폭이 50mm정도인 Al 각재를 접합시킨다.
구동 IC칩(42)은 이면측의 히트 싱크 블록(41)의 표면에 탑재, 접착되지만, 패널 전극(12)에의 접속은 TAB 리드 42탭의 출력측의 리드 길이를 패널과 히트 싱크 블록과의 두께분을 상회하는 길이로 설정해 놓고, 이 리드를 만곡시켜 이면측으로 돌려 넣도록 하여 접속할 수 있다.
본 실시예에서는 상술한 도 5 제 1 실시예의 구성(40) 및 도 6 동상의 구성(50)에 비하여 패널의 사이즈를 초과하여 접지되는 부품이 거의 없기 때문에, 플라즈마 표시 장치 전체의 소형화를 꾀할 수 있는 특징이 있다.
그 밖의 구성상 및 작용상의 특징은 같다.
[제 3 실시예]
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 의한 플라즈마 표시 장치(60)의 구성을 나타낸다. 다만 도 8중, 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에서는 상기 플라즈마 표시 패널(10)을 구성하는 유리 기판(11)의 측 가장자리부에 내부에 배선구조를 갖는 히트 싱크 블록(41B)을 접착등에 의해 결합한다. 상기 히트 싱크 블록(41B)은 본딩 와이어(42b)에 의해 상기 플라즈마 표시 패널(10)과 전기적으로 접속된 구동 IC칩(42)을 담지하고 상기 유리 기판(11)의 측 가장자리부에 접착·고정되어 있다. 뒤에 별도의 실시예에 관련하여 설명되는 바와 같이, 상기 히트 싱크 블록(41B)은 Al 등으로 되는 금속 코어를 절연막으로 덮은 구성을 가지며, 상기 절연막 상에 배선 패턴이 형성되어 있다.
또한 상기 히트 싱크 블록(41B)은 상기 유리 기판(11)의 배면에 배설된 배선 기판(43)에, 평 케이블(44) 및 커넥터(44A)에 의해 접속된다.
본 실시예에서는 상기 히트 싱크 블록(41B) 자신이 구동 IC칩(42)에 공급하는 신호 배선 및 전원 배선 기판의 기능을 갖고 있기 때문에, 이들을 별체로서 설치할 필요가 없고 부재 삭감을 꾀하는 것이 가능한 것과 상기 배선 기판(43) 사이의 접속을 상기 유리 기판(11)의 뒷편에서 짧은 평 케이블(44)에 의해 간단히 할수 있는 것이 특징이다.
[제 4 실시예]
도 9는 도 5a,b의 플라즈마 표시 장치(40)에 있어서, 상기 히트 싱크 블록( 41)을 유리 기판(15) 상의 버스 전극(17)에 접속되는 구동 IC칩(42)의 방열에 사용한 예를 나타낸다. 환언하면, 도 9의 구성에서, 상기 히트 싱크 블록(41)은 긴 가로의 플라즈마 표시 패널(10)의 세로변을 따라서 형성되어 있다. 다만 도 9중, 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 9의 구성(70)에서는 플라즈마 표시 패널(10)은 상하 반전되어 있고 상측 유리 기판(15)이 가로 방향으로 길게 뻗어서 상기 가이드부(41A)를 갖는 히트 싱크 블록(41)이 상기 유리 기판(15)의 측 가장자리부에 계합하여 설치되어 있다. 또한 상기 구동 IC칩(42)은 상기 히트 싱크 블록(41) 상에서 본딩 와이어(42b)에 의해, 상기 유리 기판(15) 상에 연재하는 버스 전극(17)에 전기적으로 접속된다.
먼저도 설명한 해상도가 850×480인 42인치 플라즈마 표시 장치에서는 이러한 구동 IC칩(42)이 상기 플라즈마 표시 패널의 세로변을 따라서 8개 배설된다.
또 도 9의 구성은 도 5a,b의 플라즈마 표시 장치(40)의 하나의 변형례라고 간주할 수 있다. 이 경우에는 도 5a의 상태의 플라즈마 표시 패널(10)을 그대로 상기 히트 싱크 블록(41)과 조합시켜 사용한다. 이 경우, 상기 유리 기판(15 )의 발광면이 배선 기판(43)에 의해 덮여지기 때문에, 플라즈마 표시 패널(10)의 발광은 유리 기판(11)의 밑면에서 도 9중 아래쪽으로 방사된다.
[제 5 실시예]
도 10a,b는 본 발명의 제 5 실시예에 의한 플라즈마 표시 장치(80)의 구성을 나타내고 각각 도 5a,b에 대응하는 단면도 및 사시도이다. 다만 도 10a,b중, 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 10a,b를 참조하면 본 실시예에 의한 플라즈마 표시 장치(80)는 도 5a,b의 플라즈마 표시 장치(40)와 실질적으로 동일한 구성을 갖지만, 상기 히트 싱크 블록 (41) 상의 상기 구동 IC칩(42) 바로 밑의 부분에 홈(41G)이 형성되어 있다.
일반적으로 플라즈마 표시 장치에서는 구동 IC가 실장 전에 미리 검사되어 양품(良品)만 조립하여 사용되지만 실장 공정 중의 취급 시에 어떠한 결함이 발생하여 고장에 이르는 경우도 생각된다. 따라서 최종적으로 구동 IC의 양부(良否)는 구동 IC를 실제로 플라즈마 표시 패널과 조합시켜 실장한 후, 테스트 신호를 입력하여 그것을 동작시켜 검사함으로서 판정하는 것으로 된다. 이러한 경우, 일단 실장한 구동 IC(42)가 불량이었던 경우에는 그것을 용이하게 떼어 낼 수 있도록 고려된 구조가 바람직하다. 도 10a,b의 플라즈마 표시 장치(80)에서는 상기 홈(41G)에 공구를 삽입함으로써, 시험 결과 불량이라고 판정된 구동 IC칩(42)을 용이하게 떼어 낼 수 있다.
[제 6 실시예]
도 11은 본 발명의 제 6 실시예에 의한 플라즈마 표시 장치(90)의 구성을 나타내는 단면도이다. 다만 도 11중, 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 의한 플라즈마 표시 장치(90)는 도 5a,b의 플라즈마 표시 장치(40)와 실질적으로 동일한 구성을 갖지만, 상기 히트 싱크 블록(41)상의 상기 구동 IC칩(42) 바로 밑의 부분에 관통 구멍(41H)이 형성되어 있다.
이 관통 구멍(41H)은 상기 제 5 실시예에서의 홈(41G)과 같은 목적으로 설치한 것이고 시험에 의해 구동 IC가 불량이라고 판명된 경우에는 관통 구멍(41H)을 사용하여 떼어 낼 수 있다.
즉, 관통 구멍(41H)을 통해서 끝이 가는 봉상의 공구를 사용하여 IC칩 이면으로부터 밀어 붙임으로써, 벗겨내는 힘을 확실하게 가할 수 있으므로 떼어내는 작업이 용이하다.
[제 7 실시예]
도 12는 본 발명의 제 7 실시예에 의한 플라즈마 표시 장치(100)의 구성을 나타낸다. 다만 도 12중, 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 12를 참조하면, 플라즈마 표시 장치(100)는 도 8의 플라즈마 표시 장치 (60)의 하나의 변형례이고 상기 플라즈마 표시 패널(10)을 구성하는 유리 기판(11)에 당접·접착된 Al 등으로 되는 히트 싱크 블록(41)를 갖고 상기 히트 싱크 블록(41) 상에는 구동 IC칩(42)이 담지된다.
상기 히트 싱크 블록(41)은 Al203등의 절연막(41i)에 의해 덮여지고 상기 절연막(41i) 상에는 배선 패턴(41j)이 형성된다.
또한 도 12의 구성에서는 상기 히트 싱크 블록(41)에 인접하여 Al 등으로 되는 별도의 히트 싱크 블록(41C)이 형성되고, 상기 히트 싱크 블록(41C)은 상기 절연막(41i)과 같은 절연막(41k)에 의해 덮여지고, 상기 절연막(41k) 상에는 상기 배선 패턴(41j)과 같은 별도의 배선 패턴(41l 또는 41m)이 형성된다. 도 12의 예에서는 상기 히트 싱크 블록(41C) 상에 칩 커패시터(41n)가 형성되어 있다.
도 12의 구성의 플라즈마 표시 장치(100)에서는 배선 기판(43)이 생략되고, 그 대신 히트 싱크 블록(41,41C)에 배선 기판(43)의 기능이 부여된다.
이상의 제 1 실시예∼제 7 실시예에서 진술한 히트 싱크 블록을 갖는 플라즈마 표시 장치에 있어서, 히트 싱크 블록의 구조로서는 보다 방열 효율을 높이는 연구도 가능하고 단순히 폭이나 두께를 늘리는 것 이외에, 도 13이나 도 14에 나타낸 바와 같이, 핀(fin) 형상으로 표면을 가공하여 표면적을 늘리는 방법이 유효하다.
도 13은 히트 싱크 블록의 구동 IC칩 실장면과는 반대측의 이면측에서 수평의 긴 쪽 방향으로 다수의 핀을 철(凸) 형상으로 설치한 것이고 도 14는 같은 이면측의 수직 방향으로 다수의 핀을 철 형상으로 설치한 것이다.
도 15a,b는 또한 방열 효율을 높인 구조를 제공하는 것이고 히트 싱크 블록 (41)을 열 교환기에 의해 구성한 것이며, 이하에 열 교환기의 일종인 히트 파이프를 적용한 것에 대해서 예시한다.
히트 파이프는 원리적으로 알루미늄 등의 열 전도율이 좋은 금속에 의해 밀폐된 용기를 제조, 이 용기 내에 냉매로서의 액체를 봉입하고, 이 냉매에 의해 열 흡수부에서 흡수한 열을 방열부까지 이송하여 방열부보다 외부에 열을 방산하는 것이다.
따라서 발열원의 열을 떨어진 위치까지 이송하여 열 방산하기 쉬운 장소에서 효율적으로 방산하는 수단으로서 유효하다.
도 15a,b의 구조는 구동 IC 탑재부의 바로 밑에 배치한 히트 싱크 블록(41)이 히트 파이프의 열 흡수부(41P)를 형성하고, 이 열 흡수부(41P)의 중공 용기(41 R) 내에는 상기 냉매(41S)가 봉입되어 있다. 이 냉매(41S)에 의해 열을 흡수, 플라즈마 표시 패널(10)의 양 사이드에 설치한 방열기(41Q)까지 이송하여 열을 공기중에 방산한다.
이 도 15a,b의 구성에 의하면, 기본적으로 구동 IC 탑재부에서는 열 방산 부분이 불필요하기 때문에, 그만큼 소형화가 가능하고 열 흡수의 효율도 높기 때문에 대단히 고밀도의 실장이 가능한 것이 특징이다.
본 발명에 의한 히트 싱크 블록를 갖는 플라즈마 표시 장치의 구동 구성은 이상에서 설명한 플라즈마 표시 장치뿐만 아니라, 도 16에 나타낸 EL형 표시 장치( 110) 등, 다른 발광형 평면 표시 장치에서도 적용 가능하다.
도 16을 참조하면, EL형 표시 장치(110)는 구동 전극 패턴(112)을 담지한 유리 기판(111) 상에 형성되고 상기 유리 기판(111)상에 상기 구동 전극 패턴(112)을 덮도록 형성된 절연막(113)과 상기 절연막(113) 상에 형성된 Mn 도프 ZnS 등의 발광층(114)과, 상기 발광층(114)을 상기 발광층(114) 상의 절연막(115)을 통하여 덮는 대향 전극(116)으로 되고, 상기 구동 전극 패턴(112)과 대향 전극(116)과의 사이에 구동 전압을 인가함으로써 상기 발광층(114) 중에 EL 발광을 유기한다.
이러한 구성에서도, 상기 구동 전극 패턴(112)을 구동하기 위해서는 실질적인 전력을 공급하는 구동 회로가 필요하고, 구동 IC칩을 히트 싱크 블록 상에 담지한 구성의 본 발명의 구동 회로 구성은 효율적인 방열 및 구동 IC칩의 온도 상승의 억제에 유효하다.
또 본 발명의 히트 싱크를 포함하는 구동 회로 구성은 액정 표시 장치 등의 평면 표시 장치 일반에 유효하다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시예에 한정되는 것이 아니고 특허 청구의 범위에 기재한 요지 내에서 여러가지의 변형·변경이 가능하다.
청구항 1∼11 기재의 본 발명의 특징에 의하면, 발광형 평면 표시 장치의 구동 IC칩을 히트 싱크 블록 상에 형성함으로써, 이러한 구동 IC칩을 고밀도로 실장할 필요가 있는 고해상도 표시 장치에서 생기는 발열의 문제가 해소된다.

Claims (8)

  1. 표시 패널과,
    상기 표시 패널에 근접하여 형성되고, 상기 표시 패널에 전기적으로 접속된 구동 집적 회로칩과,
    상기 표시 패널에 근접하여 형성되고, 상기 구동 집적 회로칩을 담지하는 히트 싱크를 구비한 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 히트 싱크는 상기 표시 패널보다도 열전도율이 높은 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 히트 싱크는 또한 배선 패턴을 담지한 배선 기판을 담지하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 히트 싱크는 상기 표시 패널에 접착되는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 히트 싱크는 상기 표시 패널의 가장자리부에 접착되는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 히트 싱크는 상기 표시 패널의 가장자리부와 계합하는 위치 결정 단부를 갖는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구동 집적 회로칩과 상기 표시 패널은 와이어 본딩에 의해 접속되는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구동 집적 회로칩과 상기 표시 패널은 TAB에 의해 접속되는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
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