KR20000032040A

KR20000032040A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20000032040A
Application number: KR1019980048364A
Authority: KR
Inventors: 황장원
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1998-11-12
Filing date: 1998-11-12
Publication date: 2000-06-05
Also published as: US6545730B1; KR100288772B1; USRE43557E1

Abstract

투명한 하부 절연 기판 위에 채널 영역 및 채널 영역을 중심으로 양쪽에 소스 및 드레인 영역이 형성되어 있는 다결정 규소층이 형성되어 있다. 다결정 규소층을 덮는 게이트 절연막 위에는 게이트선 및 게이트선의 분지이며 채널 영역과 중첩되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과 화소 사이에 세로 방향의 유지 전극 및 유지 전극을 연결하며 게이트선과 평행한 유지 전극선을 포함하는 유지 배선이 형성되어 있다. 또한, 게이트 절연막 위에는 게이트 배선 및 유지 배선을 덮는 제1 층간 절연막이 형성되어 있으며, 제1 층간 절연막은 게이트 배선과 유지 배선을 덮는 부분에만 형성되어 있고 게이트 절연막도 동일한 모양으로 형성되어 있다. 노출된 소스 및 드레인 영역 상부 및 화소에는 ITO로 이루어진 소스 및 드레인용 ITO 전극 및 화소 전극으로 이루어진 화소 패턴 형성되어 있다. 여기서, 화소 전극의 세로 가장자리 양쪽은 각각 유지 전극의 양쪽 가장자리 일부와 중첩되어 있다. 기판의 전면 위에는 화소 패턴을 덮고 소스용 ITO 전극을 노출시키는 접촉 구멍을 가지는 제2 층간 절연막이 형성되어 있다. 제2 층간 절연막 위에는 게이트선과 교차하여 화소를 정의하며 접촉 구멍을 통해 소스용 ITO 전극과 연결되어 있는 데이터선이 형성되어 있다. 이때, 데이터선은 화소 전극사이에 형성되어 있으며, 유지 전극과 중첩되어 있다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법

이 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

액정 표시 장치의 단위 화소의 스위칭 소자로 주로 이용되는 박막 트랜지스터는 박막 트랜지스터의 채널이 형성되는 채널층으로 비정질 규소(amorphous silicon)를 사용하는 것과 다결정 규소(polysilicon)를 사용하는 것이 있다.

다결정 규소 박막 트랜지스터는 비정질 규소 박막 트랜지스터에 비하여 전자 이동도가 높기 때문에 배선을 보다 좁은 폭으로 형성하여 화소를 구동할 수 있고, 기판 위에 구동 회로를 집적시키는 것이 가능하므로 대형, 고정세의 액정 표시 장치에 적합하다. 특히 구동 회로의 내장이 가능하기 때문에 가격을 낮출 수 있을 뿐 아니라 소형으로 만들 수 있다는 장점이 있다.

이러한 다결정 규소 박막 트랜지스터를 사용하는 다결정 규소 박막 트랜지스터 액정 표시 장치는 일반적으로 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터(color filter) 기판으로 이루어진다. 개구부로 화소를 정의하는 블랙 매트릭스는 인접한 화소 사이의 빛샘을 막기 위해 사용되며, 보통 컬러 필터 기판 위에 형성된다. 그러나 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판의 정렬 오차를 고려하여 넓게 형성하기 때문에 개구율이 감소하는 문제점이 발생한다. 이러한 문제점을 개선하기 위하여 최근에는 블랙 매트릭스를 박막 트랜지스터 기판 위에 형성하는 방법이 사용되고 있다. 그러나, 이러한 박막 트랜지스터 기판과 정렬시키기 위한 정렬 키(align key)를 컬러 필터 기판에 별도로 형성해야 하기 때문에 제조 공정이 증가하는 단점이 있다.

이 발명이 이루고자 하는 과제는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 제조 공정을 단순화하는 동시에 개구율을 향상시키는 것이다.

도 1은 이 발명의 제1 실시예에 따른 다결정 규소 박막 트랜지스터 기판의 단면도이고,

도 2는 도 1에서 II-II' 선을 따라 절단한 단면도이고,

도 3 및 도 4는 본 발명의 제2 및 제3 실시예에 따른 다결정 규소 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 단면도이고.

도 5a 내지 도 5g는 이 발명의 제1 실시예에 따른 다결정 규소 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.

이와 같은 과제를 해결하기 위하여 이 발명에서는, 화소 전극과 중첩되어 유지 축전기를 이루는 유지 전극을 화소 전극의 가장자리 부분과 중첩되도록 형성하고 데이터선과 중첩되도록 형성한다.

본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판에는, 기판 위에 주사 신호를 전달하는 게이트선 및 유지 전극이 형성되어 있다. 또한, 가장자리 일부가 유지 전극과 절연되어 중첩되어 유지 축전기를 이루는 화소 전극이 형성되어 있으며, 게이트선과 절연되어 교차하고 유지 전극과 절연되어 중첩되어 있으며 화상 신호를 전달하는 데이터선이 형성되어 있다. 게이트선 및 데이터선과 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 단자, 화소 전극과 연결되어 있는 제3 단자로 이루어진 3단자 스위칭 소자가 형성되어 있다.

이때, 유지 전극은 화소 사이에서 누설되는 빛을 차단하는 블랙 매트릭스 기능을 가진다.

이렇게 하면, 컬러 필터 기판의 블랙 매트릭스는 박막 트랜지스터 및 게이트선이 형성되어 있는 부분에 대응하는 부분에만 형성해도 된다.

이때, 유지 전극은 이웃하는 화소에 주사 신호를 인가하는 전단 또는 후단의 게이트선과 연결되도록 형성하거나, 별도의 유지 전극선과 연결되도록 형성할 수 있다.

또한, 화소 전극과 데이터선 사이에서 발생하는 기생 용량을 최소화하기 위하여, 이들은 중첩되지 않도록 형성하는 것이 좋으며, 이를 위하여 유지 전극과 중첩하는 데이터선은 유지 전극은 안쪽으로 형성한다.

이제 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 다결정 규소 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판에 대한 배치도이고, 도 2는 도 1에서 II - II' 선을 따라 절단한 단면도이다. 도 2에서는 박막 트랜지스터 기판 외에도 컬러 필터 기판도 함께 도시하였다. 도 1에서 화소는 서로 교차하는 게이트선 및 데이터선으로 한정되는 부분이다.

도 1 및 도 2에 나타난 바와 같이, 유리, 석영, 사파이어 등의 하부 절연 기판(100) 위에 산화 규소(SiO₂) 또는 질화 규소(SiN_X)로 이루어진 버퍼층(20)이 형성되어 있다. 이 버퍼층(20)은 이후에 형성될 도핑된 다결정 규소로 이루어진 소스 및 드레인 영역을 과도한 식각으로부터 보호하고 기판(100)으로부터 불순물이 위로 올라오는 것을 방지하기 위하여 형성하는 것이다.

버퍼층(20) 위에는 다결정 규소층(30)이 형성되어 있는데, 다결정 규소층(30)에는 중앙의 도핑되지 않은 채널 영역(33) 및 채널 영역(33)을 중심으로 양쪽에 N형 또는 P형으로 도핑되어 있는 소스 및 드레인 영역(31, 32)이 형성되어 있다. 다결정 규소층(30) 위 및 화소 사이의 버퍼층(20) 위에는 게이트 절연막(40)이 형성되어 있다.

가로 방향의 화소 사이 게이트 절연막(40) 위에는 가로 방향으로 주사 신호를 전달하는 게이트선(50)이 길게 형성되어 있으며, 게이트선(50)의 분지인 게이트 전극(51)은 규소층(30)의 채널 영역(31)과 중첩되어 있다. 또한, 세로 방향의 화소 사이 게이트 절연막(40) 위에는 불투명한 유지 전극(10)이 세로 방향으로 형성되어 있으며, 이러한 유지 전극(10)은 게이트선(50)과 평행하게 형성되어 있는 유지 전극선(11)과 연결되어 있다. 도면으로 나타나지 않았지만 유지 전극선(11)도 게이트선(50)과 동일한 층에 형성되어 있다.

각각의 게이트 절연막(40) 위에는 게이트선(50), 게이트 전극(51), 유지 전극(10) 및 유지 전극선(11)을 덮는 제1 층간 절연막(60)이 게이트 절연막(40)과 동일한 모양으로 형성되어 있다. 규소층(30)의 소스 및 드레인 영역(31, 32) 일부는 제1 층간 절연막(60) 및 게이트 절연막(40)으로 덮이지 않고 노출되어 있으며, 노출된 부분 상부 및 화소의 버퍼층(20) 위에는 각각 투명한 도전 물질인 ITO (indium tin oxide)로 이루어진 소스용 및 드레인용 ITO 전극(81, 82) 및 드레인용 ITO 전극(82)과 연결되어 있는 화소 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 화소 전극(80)의 세로 가장자리 양쪽은 각각 유지 전극(10)의 양쪽 가장자리 일부와 중첩되어 있으며, 아래쪽 일부는 유지 전극선(11) 및 아래의 게이트선(50)과 일부 중첩되어 있다.

소스용 및 드레인용 ITO 전극(81, 82) 및 화소 전극(80)은 제2 층간 절연막(90)으로 덮여 있으며, 제2 층간 절연막(90)에는 소스용 ITO 전극(81)의 일부를 노출시키는 접촉 구멍(91)이 형성되어 있다.

제2 층간 절연막(90) 위에는 화상 신호를 전달하며 게이트선(50)과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선(70)이 세로 방향으로 형성되어 있는데, 데이터선(70)의 일부는 제2 층간 절연막(90)에 형성되어 있는 접촉 구멍(91)을 통해 소스용 ITO 전극(81)과 연결되어 있다. 이때, 데이터선(70)은 화소 전극(80) 사이에 형성되어 있으며, 유지 전극(80)과 중첩되어 있다.

한편, 하부 절연 기판(100)에 대향하는 상부 절연 기판(200)에는 다결정 규소층(30), 소스 및 드레인용 ITO 전극(81, 82), 게이트 전극(51)으로 이루어진 박막 트랜지스터와 게이트선(50)만을 가리도록 블랙 매트릭스(210)가 형성되어 있다. 또한, 상부 기판(200)에는 하판(100)의 화소 전극(80)에 대향하는 공통 전극(220)이 전면에 형성되어 있다.

이러한 본 발명의 제1 실시예에 따른 다결정 규소 액정 표시 장치에서, 유지 전극(10)은 화소 사이에서 누설되는 빛을 차단하는 블랙 매트릭스 역할을 대신하므로 도 2에서 보는 바와 같이, 상판(200)에 세로방향의 블랙 매트릭스를 형성할 필요가 없다. 이와 같이 블랙 매트릭스 기능을 가지는 유지 전극(10)을 최소의 폭으로 하판(100)에 형성하면 세로 방향으로는 상판(200)과 하판(100)의 오정렬을 고려할 필요가 없으므로 화소의 개구율을 향상시킬 수 있다.

이러한 본 발명의 제1 실시예에서는 도 2에서 보는 바와 같이 화소 전극(80)이 제2 층간 절연막(90)으로 덮여 있다. 그러므로 두 기판(100, 200) 사이에 채워진 액정 분자(도시하지 않음)를 구동하기 위해 공통 전극(220) 및 화소 전극(80)의 전위차로 인하여 생성된 전기장의 세기가 제2 층간 절연막(90)에 의해 감소할 수 있다.

이러한 문제를 개선하기 위하여 화소 전극(80) 상부의 제2 층간 절연막(90) 일부를 제거할 수 있다. 이에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 다결정 규소 박막 트랜지스터 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 단면도이다.

대부분의 구조는 도 3에서 보는 바와 같이 도 2와 유사하다. 하지만, 화소 전극(80)은 제2 층간 절연막(90)으로 덮이지 않고 노출되어 있다.

한편, 제1 실시예와 같은 구조에서는 데이터선(70)이 제2 층간 절연막(90)의 상부에 형성되어 외부로 노출되어 있으므로 도면에 도시되지 않은 부분에서 배선이 조밀하게 형성된 부분에서는 배선 사이에서 단락이 발생할 가능이 있다. 이를 방지하기 위하여 절연막을 추가로 형성할 수 있다. 이에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 다결정 규소 박막 트랜지스터 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 단면도이다.

도 4에서 보는 바와 같이 대부분의 구조는 제1 또는 제2 실시예와 유사하다. 하지만, 제2 층간 절연막(90)의 상부에 데이터선(70)을 덮는 제3 층간 절연막(900)이 형성되어 있다.

이러한 구조에서는 제3 층간 절연막(900)으로 데이터선(70)이 덮여 있으므로 데이터선과 동일한 층에 배선이 조밀하게 형성되더라도 이들이 단락되는 것을 방지할 수 있다.

그러면, 이러한 본 발명의 제1 내지 제3 실시예에 따른 다결정 규소 박막 트랜지스터 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 다결정 규소 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.

먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이, 유리, 석영, 사파이어 등의 투명한 절연 기판(100) 위에 질화 규소나 산화 규소로 이루어진 버퍼층(20) 및 비정질 규소나 미세결정 규소 등으로 이루어진 규소층(30)을 적층한다. 이때, 규소층(30)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)나 LPCVD(low pressure chemical vapor deposition) 또는 스퍼터링(sputtering) 법을 통하여 500∼1,000Å 정도로 형성한다. 다음, 레이저 조사나 급속 열처리 또는 어닐링(annealing)을 통하여 규소층(30)을 결정화하여 다결정 규소로 변화시킨다.

다음, 도 5b에서 보는 바와 같이, 규소층(30)을 패터닝하고, 질화 규소나 산화 규소로 게이트 절연막(40)을 형성한 다음, 게이트용 도전 물질을 적층하고 사진 식각하여 게이트선(50) 및 그 분지인 게이트 전극(51)으로 이루어진 게이트 배선과 유지 전극(10) 및 이와 연결된 유지 전극선(11, 도 1 참조)으로 이루어진 유지 배선을 형성한다.

다음, 도 5c에서 보는 바와 같이, 게이트 전극(51)을 마스크로 하여 규소층(30)에 N형 또는 P형의 불순물을 이온 주입하여 게이트 전극(51) 하부의 규소층(30)에 도핑되지 않은 채널 영역(33) 및 채널 영역(33)을 중심으로 양쪽에 위치하는 소스 및 드레인 영역(31, 32)을 각각 형성한다.

이때, 도면에는 나타나지 않았지만, 기판(100)의 가장자리에 N형 또는 P형의 구동 회로용 모스 트랜지스터를 형성하는 경우에 포토레지스트를 이용한 한 번 이상의 사진 공정 또는 한 번 이상의 이온 주입 공정을 추가할 수 있다.

다음, 도 5d에서 보는 바와 같이, 질화 규소 또는 산화규소로 이루어진 제1 층간 절연막(60)을 증착하고, 제1 층간 절연막(60)을 게이트 절연막(40)과 함께 패터닝하여 규소층(30)의 소스 및 드레인 영역(250, 270)을 노출시킨다. 제1 층간 절연막(60) 중에서 게이트 배선(50, 51) 및 유지 배선(10, 11)을 덮는 부분은 게이트 절연막(40)의 해당 부분과 함께 남기도록 한다.

이어, 도 5e에서 보는 바와 같이, ITO로 소스 및 드레인용 ITO 전극(81, 82) 및 드레인용 ITO 전극(82)과 연결되는 화소 전극(80)을 포함하는 화소 패턴을 형성한다. 이때, 화소 전극(80)의 가장자리를, 도 5e에서 보는 바와 같이, 유지 전극(10)과 중첩시켜 유지 축전기(A)를 형성한다.

다음, 도 5f에서 보는 바와 같이, 질화 규소나 산화 규소로 제2 층간 절연막(90)을 적층한 다음, 사진 식각하여 소스용 ITO 전극(81)을 노출시키는 접촉 구멍(91)을 형성한다.

이어, 도 5g에서 보는 바와 같이, 도전 물질을 적층하고 사진 식각하여 게이트선(50)과 교차하여 화소를 정의하며, 접촉 구멍(91)을 통하여 소스용 ITO 전극(81)과 연결되는 데이터선(70)을 형성한다.

여기서, 도 3과 같은 제2 실시예의 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 경우에는 제2 층간 절연막(90)을 패터닝하여 접촉 구멍(91)을 형성하는 단계에서 화소 전극(80)을 노출시킨다.

또한, 도 4와 같은 제3 실시예의 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 경우에는 기판(100)의 상부에 질화 규소나 산화 규소를 적층하여 데이터선(70)을 덮는 제3 층간 절연막(900)을 형성하는 공정을 추가할 수 있다.

이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는 데이터선(70)과 화소 전극(80) 사이에서 발생하는 기생 용량을 최소화하기 위하여 이들을 서로 중첩하지 않도록 형성하는 것이 좋다. 이를 위해서는 유지 전극(10)의 폭이 데이터선(70)의 폭보다 커야하며 유지 전극(10)과 중첩하는 데이터선(70)은 유지 전극(10)의 가장자리 안쪽으로 형성한다.

또한, 유지 축전기(A, 도 5e 참조)의 유지 용량이 충분한 경우에는 공통 전극선(11)을 생략하고, 유지 전극(10)을 아래의 게이트선(50)과 직접 연결되도록 형성할 수도 있다.

이 발명의 실시예에서와 같이, 화소 사이에서 누설되는 빛을 차단하는 블랙 매트릭스 기능을 가지는 유지 전극을 하판에 형성하고 상판에 블랙 매트릭스를 가로 방향으로만 형성함으로써, 세로 방향으로는 상판과 하판의 오정렬을 고려할 필요가 없으므로 화소의 개구율을 향상시킬 수 있는 동시에 제조 공정을 줄일 수 있다.

Claims

기판,

상기 기판 위에 형성되어 있으며 주사 신호를 전달하는 게이트선,

상기 기판 위에 형성되어 있는 유지 전극,

가장자리 일부가 상기 유지 전극과 절연되어 중첩되어 유지 축전기를 이루는 화소 전극,

상기 게이트선과 절연되어 교차하고 상기 유지 전극과 절연되어 중첩되어 있으며 화상 신호를 전달하는 데이터선,

상기 게이트선 및 상기 데이터선과 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 단자, 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제3 단자로 이루어진 3단자 스위칭 소자를 포함하는 액정 표시 장치용 기판.
제1항에서,

상기 유지 전극과 중첩되어 있는 상기 데이터선은 상기 유지 전극의 가장자리 안쪽으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 기판.
제2항에서,

상기 데이터선은 상기 화소 전극과 중첩하지 않는 액정 표시 장치용 기판.
기판,

상기 기판 위에 형성되어 있으며 중앙에 위치한 제1 부분과 상기 제1 부분의 양쪽에 위치한 제2 및 제3 부분을 가지고 있는 반도체층,

상기 반도체층의 제1 부분을 덮고 있으며 상기 반도체층의 제2 및 제3 부분은 덮고 있지 않은 게이트 절연막,

상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 게이트선 및 상기 게이트선과 연결되어 있으며 상기 게이트 절연막 위에 상기 반도체층의 제1 부분에 해당하는 위치에 형성되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,

상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트선과 분리되어 형성되어 있는 유지 전극,

상기 게이트선 및 게이트 전극과 상기 유지 전극을 덮고 있으며 상기 반도체층의 제2 및 제3 부분을 덮고 있지 않은 제1 층간 절연막,

상기 반도체층의 제2 및 제3 부분 위에 각각 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 그리고 가장자리 일부가 상기 유지 전극과 중첩되어 있으며 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 화소 패턴,

상기 화소 패턴을 덮고 있으며, 상기 소스 전극을 노출시키는 접촉 구멍을 가지는 제2 층간 절연막,

상기 제2 층간 절연막 위에 상기 유지 전극과 중첩되어 형성되어 있고 상기 접촉 구멍을 통하여 상기 소스 전극과 연결되어 있는 데이터선을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제4항에서,

상기 게이트 절연막 위에 상기 유지 전극과 연결되어 형성되어 있으며, 상기 게이트선과 평행한 유지 전극선을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제5항에서,

상기 기판 바로 위에 상기 기판 전체에 거쳐 형성되어 있는 버퍼층을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제6항에서,

상기 화소 전극은 상기 제2 층간 절연막으로 덮이지 않은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제6항에서,

상기 제2 층간 절연막 및 상기 데이터선을 덮는 제3 층간 절연막을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제8항에서,

상기 반도체층은 다결정 규소로 이루어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제4항에서,

상기 제1 부분은 도핑되어 있지 않으며, 상기 제2 및 제3 부분은 불순물로 도핑되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
주사 신호를 전달하는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하고 화상 신호를 전달하는 데이터선, 상기 데이터선과 절연되어 중첩되어 있는 유지 전극, 가장자리 일부는 상기 유지 전극과 절연되어 중첩되어 유지 축전기를 이루는 화소 전극, 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 단자, 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제3 단자로 이루어진 3단자 스위칭 소자를 포함하는 제1 기판,

상기 게이트선 및 상기 스위칭 소자에 대응하는 위치에 형성되어 있는 블랙 매트릭스를 포함하는 제2 기판을 포함하며,

상기 데이터선에 대응하는 위치에는 상기 블랙 매트릭스가 제거되어 있는 액정 표시 장치.
투명한 절연 기판 위에 반도체층을 형성하는 단계,

상기 반도체층을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계,

상기 게이트 절연막 상부에 게이트선 및 상기 게이트선의 분지인 게이트 전극으로 이루어진 게이트 배선과 유지 전극 및 유지 전극선으로 이루어진 유지 배선을 형성하는 단계,

상기 게이트 배선 및 상기 유지 배선을 덮는 제1 층간 절연막을 형성하는 단계,

상기 제1 층간 절연막을 상기 게이트 절연막과 함께 패터닝하여 상기 반도체층의 양끝 부분 일부를 노출시키는 단계,

상기 반도체층의 노출되 부분 상부에 소스 및 드레인 전극 및 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극으로 이루어진 화소 패턴을 형성하는 단계,

상기 화소 패턴을 덮는 제2 층간 절연막을 형성하는 단계,

상기 제2 층간 절연막을 패터닝하여 상기 소스 전극을 노출시키는 접촉 구멍을 형성하는 단계,

상기 제2 층간 절연막 상부에 상기 접촉 구멍을 통하여 상기 소스 전극과 연결되는 데이터선을 형성하는 단계

를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
제12항에서,

상기 반도체층은 다결정 규소로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
제13항에서,

상기 게이트 전극을 마스크로 불순물을 이온 주입하여 상기 게이트 전극 하부의 상기 반도체층에 도핑되지 않은 채널 영역 및 상기 채널 영역을 중심으로 양쪽에 소스 및 드레인 영역을 각각 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
제14항에서,

상기 반도체층 형성 단계 이전에 산화 규소 또는 질화 규소로 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
제15항에서,

상기 제2 층간 절연막을 패터닝하여 상기 화소 전극을 노출시키는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
제15항에서,

질화 규소나 산화 규소로 상기 데이터선을 덮는 제3 층간 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.