KR19990037180A - 화학 기계적 연마 슬러리 및 방법 - Google Patents

화학 기계적 연마 슬러리 및 방법 Download PDF

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Abstract

구리 층(22)의 화학 기계적 연마(CMP) 방법은 구리 층(22)의 형성으로 개시된다. 이어서, 구리 층(22)을 슬러리(24)에 노출시킨다. 슬러리(24)는 산화제(예: H2O2), 카복실레이트 염(예: 암모늄 시트레이트), 연마제 슬러리(예: 알루미나 연마제), 임의의 트리아졸 또는 트리아졸 유도체 및 탈이온수와 같은 용매의 잔여액을 포함한다. 슬러리(24)를 사용하여 구리 층(22)을 고속으로 제거하면서 연마하면 구리 층(22)은 피팅(pitting)과 부식이 감소하고 우수한 구리 상호접속 평면화를 성취한다. 당해 슬러리(24)는 산화물에 대한 구리의 선택성이 우수하고, 그 결과, 구리 장치는 전기 성능이 우수해진다. 게다가, 슬러리(24)는 기타 선행 기술의 슬러리와 비교하는 경우 환경적으로 안전하기 때문에, 슬러리(24)의 처리는 환경적으로 어렵지 않다.

Description

화학 기계적 연마 슬러리 및 방법
본 발명은 일반적으로 반도체 제조에 관한 것이며, 보다 특히 과산화수소, 시트르산, 암모늄 시트레이트 및 집적 회로(IC)에서 구리 상호접속체(copper interconnects)를 연마하는 데 사용되는 알루미나 연마제를 포함하는 슬러리 조성물에 관한 것이다.
집적 회로(IC) 산업은 현재 집적 회로(ICs) 내에 사용될 수 있는 신규한 금속 상호접속 물질 및 구조물을 연구, 개발하고 있다. 집적 회로(IC) 상호접속용으로 미래에 사용되어질 유망한 금속 물질은 구리(Cu)이다. 구리는 집적 회로 산업에서 현재 사용되고 있는 알루미늄 및 기타의 금속 물질보다 내전자이동성이 우수하기 때문에, 집적 회로 산업에서 요구된다. 게다가, 구리가 기타 통상적으로 사용되는 금속 물질보다 저항이 낮아서, 집적 회로 장치의 성능은 구리 상호접속체를 사용하면 크게 향상될 수 있다.
그러나, 현재 효과적으로 플라즈마를 에칭하거나 구리 물질을 습윤 에칭할 수 있는 기술이 공지되어 있지 않기 때문에, 관능성 구리 상호접속체는 집적 회로의 표면 위에 겨우 형성된다. 이러한 한계를 극복하기 위해, 구리 화학 기계적 연마(CMP)는 집적 회로 위에 구리 상호접속체를 적합하게 형성할 수 있게 하는 가장 유망한 대안으로서 제안되었다. 따라서, 당해 산업에서는 집적 회로(IC) 위에 구리 상호접속체를 형성하는 데 사용될 수 있는 최적의 화학 기계적 연마(CMP) 슬러리를 현재 연구하고 있다.
집적 회로 산업에서는 알누미늄 연마를 수행하기 위해 슬러리에 산화제로서 H2O2및 H3PO4중의 하나를 사용하는 것이 공지되어 있다. 또한 당해 기술분야에서 텅스텐 물질을 연마하기 위해 H2O2, KIO3, Ce(NO3)4, Fe(NO3)3및 K3Fe(CN)6중의 하나를 사용하는 것이 공지되어 있다. 또한, 구리 연마를 수행하기 위해 HNO3, HN4OH 또는 KMnO4중의 하나를 사용하는 것이 공지되어 있다. 따라서, 이러한 화합물은 최적의 구리 CMP 공정을 발견하기 위한 시도에서 CMP 기술자들에 의해 광범위하게 조사되고 있다. 그러나, 이러한 공지된 화학 약품을 사용하여 아직은 최적의 구리 연마 결과를 수득하지 못하였다.
예를 들면, 위에서 기술한 공지된 화학 약품을 사용하여 다양하게 실험을 수행한 결과, (1) 제거 속도가 불량하여 CMP 작업 처리량 불충분함, (2) 구리 물질의 과도한 피팅 및/또는 부식으로 인해 장치 성능과 장치 수율 감소, (3) 층 평면화 문제, (4) 불량한 IC 전기 성능 및 (5) 인접한 산화물에 의한 구리에 대한 불량한 선택성("산화물"은 "이산화규소"를 나타내고, 이들 두 가지 용어는 본 명세서에서 교환하여 사용될 수 있음) 중의 하나 이상이 발생된다.
따라서, 위에서 언급한 구리 CMP 문제 중의 하나 이상을 감소시키거나 제거하는 구리 상호접속체를 제조하는 데 사용될 수 있는 향상된 CMP 슬러리가 산업에서 존재할 필요가 있다. 이러한 향상된 슬러리는 우수한 제거 속도로 인해 CMP 작업 처리량이 향상되고, 구리 물질의 피팅 및 부식이 감소되거나 제거되어 장치 성능 및 수율이 향상되고, 구리 층의 평면화가 향상되고, 집적 회로의 전기 성능이 향상되고/되거나 산화물에 대한 구리의 선택성이 향상된다.
도 1 내지 도 5는 단면도로서, 본 발명에 따르는 화학 기계적 연마(CMP) 슬러리를 사용하여 집적 회로(IC) 위에 구리 상호접속체를 형성하는 방법을 나타낸다.
일반적으로, 본 발명은 화학 기계적으로 연마된(CMP) 구리 상호접속체를 형성하기 위한 집적 회로(IC) 산업용의 신규한 슬러리에 관한 것이다. 특히, 슬러리는 본 발명에서 산화제(예: 과산화수소 H2O2), 시트레이트 염(예: 암모늄 시트레이트 또는 칼륨 시트레이트), 연마제 슬러리(예: 알루미나 연마제 또는 실리카 연마제) 및 탈이온수 또는 알코올과 같은 용매의 잔여액을 포함한다고 교시되어 있다. 게다가, 화합물 1,2,4-트리아졸 또는 트리아졸 유도체(예: 벤조트리아졸)는 구리 연마 평면화를 향상시키기 위해 슬러리 내에 도입시킬 수 있다.
이런 신규한 구리 슬러리를 사용한 결과, 구리의 제거 속도가 향상되어 CMP 공정 기계를 통해 작업 산출량이 향상될 수 있음을 실험적으로 나타내었다. 1분당 5000Å 이상의 제거 속도가 관찰되었다. 게다가, 실험 결과는 선행 기술분야의 구리 슬러리보다 구리 물질의 피팅 및 부식이 감소되어 집적 회로의 속도가 향상되고 집적 회로의 수율도 향상됨을 나타내었다. 게다가, 본 명세서에서 교시된 슬러리를 사용하는 경우, 우수한 평면화를 성취함을 나타내었다. 우수한 평면화로 구리 상호접속체의 단면적이 증가되어 상호접속 저항이 감소하며 전기 성능이 향상된다. 게다가, 당해 슬러리를 사용하는 경우, 이산화규소에 대한 구리의 선택성이 높아서, 구리 이중 상감(象嵌) 공정과 단일 상감 공정을 수행하는 경우, 연마를 정지할 수 있다. 추가로, 본 명세서에 교시된 CMP 슬러리는 집적 회로(IC) 산업에서 사용되는 기타 슬러리보다 환경적으로 훨씬 안전하다.
본 발명은 도 1 내지 5와 관련되어 추가로 이해될 수 있다.
간단하고 명석한 설명을 위해 도면에 설명된 구성요소를 축소하여 그린 것은 아님을 인지할 것이다. 예를 들면, 명석하게 하기 위해 구성요소의 일부 치수는 기타 구성요소보다 상대적으로 과장되었다. 추가로, 고려된 적합한 참고 번호는 상응하는 구성요소 또는 유사 구성요소를 나타내는 도면에서 반복된다.
도 1 내지 5는 집적 회로(IC)용 구리 상호접속체를 형성하는 방법을 나타낸다. 도 1은 기판(12)을 갖는 반도체 구조물(10)을 나타낸다. 도 1에서 기판(12)은 통상적으로 단결정성 실리콘 웨이퍼인 기저/바닥 영역을 갖는다. 그러나, 기타 반도체 기판으로 게르마늄, 비소화 갈륨, 게르마늄 규소, 규소-대-절연체(SOI) 기판, 탄화규소 기판, 에피택셜 층, 폴리실리콘 기판 등이 사용될 수 있다.
도 1에 명확하게 설명되어 있지 않을지라도 통상적인 집적 회로 공정은 절연 및 출발 기판 물질의 표면 위에 활성 전기 장치[예: 커패시터, MOSFET, 양극성 장치(bipolar device), 다이오드, 논리 게이트(logic gate) 등] 영역을 형성하는 데 사용된다. 이들 층은 도 1에서 기저/바닥 층(12)으로서, 본질적으로 총괄하여 나타낸다. 기판 위에 형성된 이들 활성 장치는 폴리실리콘, 무정형 규소와 같은 반도체 층 또는 규화물로 처리된(salicided) 영역 위에 상호접속된다. 선택적으로, 이들 활성 회로는 또한 금속 상호접속체, 또는 반도체 상호접속체와 금속 접속체와의 특정 결합에 의해 상호접속될 수 있다. 도 1은 이들 반도체 또는 금속 상호접속 구조물 중의 하나 이상을 나타내는 층(14)을 나타낸다. 층(14)이 금속 상호접속체로서 선택되는 경우, 텅스텐, 알루미늄 및 이의 합금, 구리, 금, 은, 내열 금속, 전도성 산화물, 이들의 복합물 등과 같은 물질이 통상적으로 선택된다.
도 1은 유전층(16)이 상호접속 구조물(14)의 상부에 형성됨을 나타낸다. 하나의 형태에서, 도 1의 층(16)은 노(爐) 테트라에틸오르토실리케이트(TEOS) 층 및/또는 오존 TEOS 층이다. 다른 형태에서, 층(16)은 유전성이 낮은 보로포스포실리케이트 유리(BPSG), 불소화 TEOS(FTEOS), 중합체 물질, 플라즈마 향상 TEOS(PETEOS), 이들의 복합물 등일 수 있다. 층(16)의 전형적인 두께는 약 2000 내지 8000Å의 범위이고 유전층은 전형적으로 화학증착(CVD)의 특정 형태로 형성된다.
이어서, 에칭 정지층(etch stop layer)(18)을 층(16) 위에 형성시킨다. 층(18)은 전형적으로 플라즈마 향상 질화물(PEN), 옥시질화규소(SiON) 물질, 이들의 복합물로부터 형성되고 이와 같은 층 등은 산화물 에칭 종에 노출되는 경우, 산화물과는 에칭 속도가 다르다. 층(18)의 전형적인 두께는 약 100 내지 300Å이다. 시간 에칭(time etching)이 사용될 수 있으므로 도 1의 구조물에 필요한 에칭 정지층이 필요가 없다. 따라서, 에칭 정지층(18)은 선택적이다.
에칭 정지층(18)이 형성된 후, 이어서 유전층(20)이 에칭 정지층(18)의 상부에 형성된다. 층(20)의 물질 조성물은 이전에 기술된 층(16)과 유사하다. 게다가, 층(20)의 두께는 이전에 기술한 층(16)의 두께와 유사하거나 층(16)의 반이다. 이와 같은 공지된 사진석판 공정 및 통상적인 에칭 기술을 사용하여 층(16)을 통해 비어 개구(via opening)를 형성하고 층(20)을 통해 트렌치(trench) 상호접속 개구를 형성한다. 층(16, 20)을 통한 이러한 개구는 이중 상감 기술에서 공지된 비어 제1 방법 또는 트렌치 제1 방법으로 형성될 수 있다. 게다가, 이중 상감 공정을 도 1 내지 5에 나타낼지라도, 본 명세서에 교시된 연마 슬러리 및 공정은 단일 상감 구조물 또는 구리 플러그 영역을 형성하는 데 사용될 수 있다.
이어서, 전도 층(22)을 층(20)의 상부 표면 위, 층(16)의 비아 개구 내부 및 층(20)의 상호접속 개구 내부에 부착시킨다. 도 1에서 층(22)의 형성은 얇은 장벽층(barrier layer)의 형성으로 개시된다. 전형적인 장벽층은 질화탄탈륨, 질화티탄, 텅스텐티탄, 탄탈륨, 티타늄, 규소질화탄탈륨, 질화텅스텐, 이들 물질의 합금, 이들의 복합물 등을 포함한다. 장벽층의 전형적인 두께는 약 20 내지 수백 Å이다. 후속의 금속화 영역 내부에 구리가 적합하게 함유되어 있음을 장벽층으로 확인할 필요가 있다. 구리 원자를 함유하는 후속의 구리 영역은 충분한 장벽이 형성되기만 하면 규소 함유 영역(예: SiO2) 주변을 역으로 오염시키지 않을 것이다.
장벽층이 형성된 후, 이어서 화학증착(CVD) 공정을 사용하여 장벽층에 위에 구리 층을 형성한다. 이러한 구리 층은 전형적으로 두께가 1000 내지 3000Å이다. 이러한 구리 물질은 순수한 구리 층(즉, 구리 층에 또다른 원자 또는 원자 세트를 계획적으로 첨가하지 않음)이거나 구리 합금(Cu 이외의 또다른 원자를 계획적으로 첨가함)이다. 게다가, 이러한 CVD 구리 층은 또한 이전에 부착된 장벽층과 화학적으로 상호작용하여 도 1에서 나타낸 층(22) 내부에 적어도 접촉면/바닥 합금 물질을 형성한다. CVD 구리 층을 구리의 이온화된 금속 플라즈마(IMP) 층 또는 구리 합금의 IMP 층으로 대체시킬 수 있다. 또한, 시드(seed) 층의 형성은 조준된 물리증착(PVD) 공정으로 수행될 수 있다. 전형적으로, 도 1에서 부착된 구리 물질은 구리 농도가 80% 이상이다.
IMP 및/또는 CVD 구리 층의 형성 후, 전기도금 공정으로 CVD 구리 기저 또는 IMP 구리 기저 위에 구리 물질을 추가로 형성한다. 전형적으로, 구리 전기도금은 층(22)의 모든 두께가 약 7,000 내지 15,000Å로 성취될 때까지 수행한다. 전기도금된 구리는 순수한 구리 또는 구리 복합 물질일 것이다.
도 2는 도 1의 구조물(10)을 화학 기계적 공정(CMP) 기계 속에 위치시킴을 나타낸다. 도 1의 구리 층(22)을 도 2에 나타낸 화학 기계적 연마(CMP) 슬러리(24)와 접촉시켜 내부에 위치시킨다. 화학 기계적 연마 패드(26)를 슬러리(24)와 접촉하게 위치시키고 기계적으로 회전시킨 다음, 압력을 가하여 층(22)의 상층 부분을 화학적/기계적으로 효과적으로 제거한다.
도 2는 층(22)로부터 형성된 산화된 층(22a)을 나타낸다. 도 2에서 층(22a)은 슬러리(24)에 층(22)이 노출되기 때문에 형성된 산화된 구리 층이다. 본질적으로, 층(24)은 층(22)의 얇은 상층 부분이 산화되어 도 2에 나타낸 바와 같은 층(22a)을 형성하는 산화 종을 포함한다. 슬러리(24) 내부의 기타 화학 종은 층(22a)을 공격하여 층(22a)을 슬러리(24) 속으로 용해시킨다. 게다가, 슬러리(24) 내부의 다양한 입자 또는 연마 슬러리와 함께 연마 패드(26)의 기계적 제거로 층(22a)의 기계적 연마는 층(22)으로부터 층(22a)의 제거를 달성한다. 층(22a)과 후속의 산화된 Cu 층의 점진적인 산화 및 제거를 통해, 층(22a)의 상부 표면이 제거되어 유효한 구리 화학 기계적 연마(CMP)를 할 수 있다.
도 2에 나타낸 슬러리(24)는 산화제, 카복실레이트 염(예: 시트레이트 염), 연마 슬러리, 용매 및 임의의 티아졸 또는 티아졸 유도체를 포함한다. 특히, 슬러리 내부에 사용할 수 있는 산화제는 과산화수소(H2O2)이다. 구리를 제거하는 데 효과적인 카복실레이트 염은 암모늄 시트레이트 및 칼륨 시트레이트 중의 하나 이상과 같은 다수의 시트레이트 염 중의 하나를 포함한다. 구리 제거와 평면화에 우수한 결과를 실험적으로 나타내는 통상적인 연마제는 알루미나 연마제이지만, 알루미나 연마제 대신 실리카 연마제를 사용하거나 알루미나 연마제를 첨가하여 사용할 수 있다. 게다가, 임의의 티아졸 유도체 또는 티아졸 용액을 슬러리에 첨가할 수 있다. 예를 들면, 1,2,4-티아졸을 구리 CMP 슬러리에 첨가하면 구리 함몰 양이 산화물 트렌치 개구 속으로 감소되어 구리 평면화가 향상되는 것으로 실험적으로 밝혀졌다. 도 2의 슬러리(24)에 사용된 통상적인 용매는 탈이온수(H2O) 및 알코올 중의 하나 이상이다.
일반적으로, 슬러리(24)의 산화제는 약 0.2 내지 5.0중량%(wt%)의 범위이다. 카복실레이트 염 또는 시트레이트 염은 약 0.2 내지 20중량%의 범위이다. 연마제 슬러리(알루미나 연마제)는 슬러리(24)의 약 1.0 내지 12.0중량%의 범위이다. 게다가, 임의의 티아졸 또는 티아졸 유도체는 슬러리(24)의 약 0.05 내지 2.0중량%의 범위로 제공될 수 있다. 슬러리(24)의 잔류액은 전형적으로 탈이온수 및/또는 알코올 용액이다.
바람직한 형태에 있어서, 충분한 구리(Cu) 연마는 과산화수소 범위 1.0 내지 1.5중량%, 시트레이트 염 농도 범위 0.8 내지 1.3중량%, 알루미나 연마제 농도 범위 2.0 내지 4.0중량%, 트리아졸 농도 약 0.1 내지 0.2중량% 및 잔여 용매를 사용하여 성취됨을 실험적으로 나타내었다. 이러한 범위 내에서 사용되는 바람직한 용액은 과산화수소 1.2중량%, 암모늄 시트레이트 1.1중량%, 알루미나 슬러리 3.0중량%, 1,2,4-트리아졸 0.12중량% 및 탈이온수(H2O) 잔여액이다.
도 3은 이전에 나타낸 층(22a)이 연마 패드(26)의 기계적 부분과 함께 슬러리(24)에 의해 제거됨을 나타낸다. 산화된 층(22b)은 연마가 진행되고 산화된 물질이 제거됨에 따라 지속적으로 형성된다. 시간이 지남에 따라 지속적으로 형성되고 새로운 Cu 원자가 슬러리에 노출된 이들 산화된 층(22b)은 연마 패드(26)의 기계적 상호작용과 함께 슬러리(24)의 화학적 상호작용으로 지속적으로 제거된다. 따라서, 도 3에 나타낸 바와 같이 유전체(20) 위에 위치한 층(22)의 모든 두께는 감소하지만 층(22)의 모든 평면화는 시간에 따라 점차적으로 향상된다.
도 4는, 슬러리(24)를 사용한 화학 기계적 연마(CMP)는 구리 상호접속체(28)가 도 4에 나타낸 바와 같이 형성될 때까지 지속됨을 나타낸다. 바람직한 형태에서, 상호접속체(28)는 층(20)의 상부 표면과 동일 평면상에 형성될 것이다. 그러나, 구리 층(22)의 일부 함몰/디싱(dishing)은 도 4에 나타낸 함몰된 상호접속체(28)의 결과, 대부분 CMP 시스템에서 발생할 수 있다. CMP 슬러리에서 티아졸 또는 티아졸 유도체의 존재가 구리 상호접속체(28)의 이런 불리한 함몰을 감소시킴을 실험적으로 나타냄을 주지하는 것이 중요하다. 그러나, 층(28) 함몰 전체를 제거하는 것은 모든 적용에서 불가능하다. 도 4는 얇은 구리 산화물 층(22)이 또한 상호접속체(28)의 상부 표면에서 잔존해 있음을 나타낸다.
도 5는 도 4에 설명된 구리 함몰 문제가 도 2 내지 4에 설명된 구리 연마 외에 후속적인 산화물 연마를 수행함으로써 개선될 수 있음을 나타낸다. 산화물 연마를 수행하기 위해, 제2 슬러리(30)와 제2 연마 패드(32)를 반도체 구조물(10)의 상부에 적용하여 제2의 CMP 작용을 수행한다. 도 5의 연마 패드(32)와 도 3의 패드(26)가 동일한 CMP 기계에서 동일한 패드일지라도 패드(26)과 패드(32)는 매우 다른 CMP 장치에서 다른 연마 패드일 것이다. 슬러리(30)는 구리에 대해 선택적으로 산화물을 제거하여 최적화되고 슬러리(24)는 산화물에 대해 선택적으로 구리를 제거하여 최적화되므로 슬러리(30)와 슬러리(24)는 바람직하게는 다르다. 도 5에서, 슬러리(30)는 전형적으로 KOH와 탈이온수를 포함하는 실리카 연마제이다. 연마 패드(32)와 인접한 당해 슬러리(30)는 층(20)이 구리 상호접속체(28)의 상부 표면과 동일 평면상에서 다시 제조되므로 층(20)의 얇은 상층 부분의 제거로 유효해질 것이다.
도 5에서, 구리 이중 상감 상호접속체는 본 명세서에 교시된 구리 CMP 슬러리의 사용으로 완결된다.
본 발명이 특정 양태와 관련하여 기술되고 설명될지라도 본 발명을 실례가 되는 양태로 제한하려는 의도는 아니다. 당해 기술분야의 숙련가들은 변형과 변화가 본 발명의 정신 및 범주로부터 벗어나지 않음을 인지할 것이다. 예를 들면, 본 명세서에 기술된 두께는 석판술 특징 크기가 수축하면 시간에 따라 대부분 수축할 것이고 기술적 진보가 진행된다. 저압 CVD(LPCVD), 플라즈마 향상 CVD(PECVD), 물리증착(PVD), 무전해 도금, 스퍼터링(sputtering) 등과 같은 기타 증착방법으로 본 발명에서 다양한 층을 형성할 수 있다. 본 명세서에서 교시된 산화제가 구리를 산화시키는 특정 화학약품일 수 있다는 점에서 H2O2이외의 기타 산화제가 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 추가한 청구항의 범주 내에 모든 변화와 변형을 포함할 것이다.
본 발명의 슬러리는 산화물에 대한 구리의 선택성이 우수하고, 그 결과, 구리 장치에서 전기 성능이 우수하며, 이의 배열을 기타 선행 기술 슬러리와 비교하는 경우 환경적으로 안전하기 때문에, 슬러리(24)의 처리는 환경적으로 어렵지 않다.

Claims (3)

  1. 산화제 0.2 내지 5중량%, 카복실레이트 염 0.2 내지 20중량% 및 연마 슬러리 1.0 내지 12중량%를 포함하는 화학 기계적 연마 슬러리(24).
  2. 상부 표면을 갖는 유전층(20)을 형성하는 단계,
    유전층(20)에서 개구를 형성하는 단계,
    개구 내부와 유전층의 상부 표면에 구리(22)를 포함하는 층을 형성하는 단계,
    구리(22)를 포함하는 층을 산화제, 시트레이트 염, 연마 슬러리 및 용매를 포함하는 슬러리(24)로 연마하는 단계(여기서, 유전층의 상부 표면 위에 위치하는 구리를 포함하는 층의 일부는 제거되고, 구리를 포함하는 층의 일부는 개구에 잔존한다)를 포함하여, 집적 회로(10)에서 구리 층(22)을 연마하는 방법.
  3. 제1 유전층(16)을 형성하는 단계,
    제1 유전층(18) 위에 에칭 정지층을 형성하는 단계,
    에칭 정지층 위에 제2 유전층(20)을 형성하는 단계(여기서, 제2 유전층은 상부 표면을 갖는다),
    제1 유전층을 통해 비어(via)를 형성하는 단계,
    제2 유전층을 통해 상호접속 트렌치를 형성하는 단계(여기서, 비어는 상호접속 트렌치의 아래에 놓여 있다),
    상호접속 트렌치와 비어를 경유하여 장벽층을 형성하는 단계,
    구리(22)를 포함하는 층을 상호접속 트렌치와 비어의 내부, 제2 유전층의 상부 표면 및 장벽층 상부에 형성하는 단계 및
    구리를 포함하는 층을 산화제, 시트레이트 염, 연마 슬러리, 트리아졸 유도체 및 용매를 포함하는 슬러리(24)로 연마하는 단계(제2 유전층의 상부 표면 위에 위치한 구리를 포함하는 층의 일부가 제거되는 동안, 구리를 포함하는 층의 일부는 비어와 상호접속 트렌치에 잔존한다)를 포함하여, 집적 회로(IC)에서 구리 층(22)을 연마하는 방법.
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