KR19990023626A - 광기록매체 및 이를 이용한 기록 및 재생방법 - Google Patents
광기록매체 및 이를 이용한 기록 및 재생방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990023626A KR19990023626A KR1019980033148A KR19980033148A KR19990023626A KR 19990023626 A KR19990023626 A KR 19990023626A KR 1019980033148 A KR1019980033148 A KR 1019980033148A KR 19980033148 A KR19980033148 A KR 19980033148A KR 19990023626 A KR19990023626 A KR 19990023626A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- recording
- recording medium
- phase change
- optical recording
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 115
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 263
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 21
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 23
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 35
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 5
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910005936 Ge—Sb Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005169 Debye-Scherrer Methods 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004125 X-ray microanalysis Methods 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24067—Combinations of two or more layers with specific interrelation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/30—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture with provision for auxiliary signals
- G11B23/36—Signals on record carriers or on containers and recorded by the same method as the main recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/005—Reproducing
- G11B7/0052—Reproducing involving reflectivity, absorption or colour changes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/006—Overwriting
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
- G11B7/00718—Groove and land recording, i.e. user data recorded both in the grooves and on the lands
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/0945—Methods for initialising servos, start-up sequences
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B2007/0003—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the structure or type of the carrier
- G11B2007/0006—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the structure or type of the carrier adapted for scanning different types of carrier, e.g. CD & DVD
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/24322—Nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
- G11B7/00736—Auxiliary data, e.g. lead-in, lead-out, Power Calibration Area [PCA], Burst Cutting Area [BCA], control information
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2535—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polyesters, e.g. PET, PETG or PEN
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
본 발명은, 제1유전체층, 기록층, 제2유전체층, 광반사 및 방열층, 및 보호코팅층이 기판상에 연속적으로 적층되고, 상기 기록층은, 구성요소로서 Ag, In, Sb, Te 및 N 및/또는 O를 포함하는 상변화형 기록물질을 포함하고, 이들 각 요소에 대한 원자% α, β, γ, δ 및 ε(N 및/또는 O의 전체 원자%)의 관계가, 0 < α ≤ 6, 3 ≤ β ≤ 15, 50 ≤ γ ≤ 65, 20 ≤ δ ≤ 35, 0 ≤ ε ≤ 5, α+β+γ+δ+ε=100이고, 재결정화 상한 선속도가 2.5∼5.0㎧의 범위에 있도록 된 정보의 기록 및 소거가 가능한 광기록매체를 제공한다. 그리고, 이러한 광기록매체를 이용한, 기록방법 및 재생방법을 제공한다.
Description
본 발명은 광기록매체에 관한 것으로, 특히, 레이저비임을 적용함에 의해 상변화를 일으켜, 정보를 기록(recording), 재생(reproducing) 및 덮어쓰기(overwriting)가 가능한 기록재료를 포함하는 상변화형 광기록매체; 및 상기한 상변화형 광기록매체를 이용하여, 광기록기구, 특히 재기입가능한 콤팩트디스크(이하, 재기입가능한 CD 또는 CD-RW라 함)에 적용될 수 있는 기록 및 재생방법에 관한 것이다.
레이저비임과 같은 전자파를 적용함에 의해 정보를 기록, 재생 및 소거할 수 있는 광기록매체의 하나로써, 결정상과 비결정상 사이 또는 하나의 결정상과 다른 결정상 사이의 상변화를 이용하는, 상변화형 광기록매체가 널리 알려져 있다. 이러한 종류의 상변화형 광기록매체는, 광자기메모리를 이용하는 경우에는 재기입운전을 수행하는 것이 곤란하지만, 단일 레이저비임을 적용함에 의해 정보의 재기입이 가능하게 한다. 상변화형 광기록매체용 구동유니트의 광학계가 광자기기록매체용보다 단순하기 때문에, 이러한 종류의 기록매체에 대한 연구와 개발이 최근에 활발하게 이루어지고 있다.
미국특허 제3,530,441호에 개시된 바와같이, Ge-Te, Ge-Te-Sn, Ge-Te-S, Ge-Se-S, Ge-Se-Sb, Ge-As-Se, In-Te, Se-Te 및 Se-As등과 같은 이른바 칼코겐(chalcogen)계 합금재료가 상변화형 광기록매체용 기록재료로서 널리 사용되어진다. 게다가, 일본국 특개소 61-219692호에 개시된 바와같이, 기록재료의 안정성을 향상시키고 또한 결정화율을 증가시키기 위하여, 상기한 Ge-Te계 합금에 Au을 첨가하는 것이 제안되어 있다. 나아가, 상기와 동일한 목적으로, Ge-Te계 합금에 Sn과 Au을 첨가하고, Pd를 첨가하는 것이 일본국 특개소 61-270190호 및 62-19490호에 각각 제안되어 있다. 나아가, 특정 조성비로 된 Ge-Te-Se-Sb합금을 포함하는 기록재료와, 특정 조성비로 된 Ge-Te-Sb합금을 포함하는 기록재료가 일본국 특개소 62-73438호 및 63-228433호에 각각 개시되어, 각 기록재료를 포함하는 기록매체의 기록 및 소거반복특성을 향상시키고 있다.
그러나, 상기한 종래의 상변화형 광기록매체에 의해 상변화형 재기입가능한 광기록매체용에 요구되는 모든 특성들이 만족되는 것은 아니다. 특히, 도달하여야 할 가장 중요한 목표들로서, 기록감도와 소거감도의 향상, 재기입시 소거비의 감소방지, 및 기록부와 비기록부의 수명연장이 상기한 종래의 상변화형 광기록매체에 의해 미처 해결되지 못한 것들이다.
일본국 특개소 63-251290호에서는, 결정질상태에서 실질적으로 3원 이상으로 구성된 다원조성계인 화합물로 된 단층을 포함하는 기록층을 갖춘 광기록매체가 제안되어 있다. 이는 실질적으로 3원 이상으로 구성된 다원조성계인 화합물로 된 단층이, 3원 이상의 화학량론 조성을 갖는 화합물, 예컨데 In3SbTe2을 기록층내에 90원자%이상 포함하고 있다고 주장한다. 게다가 이는 이러한 종류의 기록층을 사용함으로써 기록 및 소거특성이 향상될 수 있다고 주장한다. 그러나, 이러한 광정보기록매체는 소거비가 적고 기록 및 소거에 필요한 레이저출력이 충분하게 저감되지 않는 단점을 가지고 있다.
나아가, 일본국 특개평 1-277338호는 (SbaTe1-a)1-bMb(여기에서 0.4≤a≤0.7, b≤0.2, M은 Ag, Al, As, Au, Bi, Cu, Ga, Ge, In, Pb, Pt, Se, Si, Sn 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택되어진 1종)으로 표현되는 조성의 합금으로 이루어진 기록층을 포함하는 광기록매체를 개시한다. 이 문헌에서, 상기한 합금의 기본계는 Sb2Te3이고, 이 합금에 원자%의 항목으로 과도한 양의 Sb를 첨가함에 의해 고속소거운전을 이루는 것이 가능하고 재현특성을 향상시키고, 나아가 요소 M의 첨가에 의해 고속소거성능을 향상시킬 수 있다. 게다가, 상기한 잇점에 부가하여, DC광을 적용함에 의해 얻어지는 소거비가 커진다. 그러나, 이 문헌에는 재기입운전시의 어떠한 특정소거비도 보여지지 않고, 본 발명의 발명자등에 의해 수행된 시험에 의하면, 비소거부가 재기입운전중에 관찰되며 얻어진 기록감도가 실용화에는 불충분하였다.
일본국 특개소 60-177446호는 (In1-xSbx)1-yMy(여기에서 0.55≤x≤0.80, 0≤y≤0.20, M은 Au, Ag, Cu, Pd, Pt, Al, Si, Ge, Ga, Sn, Te, Se 및 Bi로 이루어진 군으로부터 선택되어진 1종)으로 표현되는 조성의 합금으로 이루어진 기록층을 포함하는 광기록매체를 개시한다. 나아가, 일본국 특개소 63-228433호는 GeTe-Sb2Te3-Sb(과량)인 조성을 가지는 함금으로 된 광기입매체의 기록층을 개시하고 있다. 기록매체에 요구되는 기록감도 및 소거성이 상기에서 언급한 종래의 광기입매체의 어느것에 의해서도 만족되지 않는다.
게다가, 일본국 특개평 4-163839호는 Te-Ge-Sb합금을 포함하는 기록층에 질소원자를 첨가하는 광기록매체를 개시하고; 일본국 특개평 4-52188호는 Te, Ge 또는 Se의 적어도 한 요소가 질화물로 된 Te-Ge-Sb합금을 포함하는 기록층으로 형성된 광기록매체를 개시하며; 일본국 특개평 4-52189호는 Te-Ge-Sb합금을 포함하는 기록층에 N원자를 흡착시킨 광기록매체를 개시한다.
이러한 종래의 광기록매체는 실용화하기에 충분한 특성, 특히 기록감도와 소거감도의 향상, 기록시 소거비의 감소방지, 및 기록 및 비기록부의 수명연장에 대한 충분한 특성을 갖지 못하는 것이다.
콤팩트디스크(CD)의 급속한 확산으로, 데이터를 1회만 기입하는 것이 가능한 추기형 콤팩트디스크(CD-R)가 개발되고 시장에 보급되고 있다. 그러나, 추기형 콤팩트디스크(CD-R)의 경우에 있어서, 한번 잘못된 데이터가 CD-R에 기입되면, 그 기입된 데이터는 수정될 수 없어, CD-R을 폐기할 수밖에 없다. 이러한 사정이므로, 재기입이 가능한 콤팩트 디스크에 대한 실용화가 요망되고 있다.
재기입가능한 콤팩트디스크에 대한 일례로서, 광자기기록매체가 개발되어 있지만, 재기입운전을 수행하기가 곤란하고 CD-ROM 또는 CD-R과의 호환성이 불량하다는 단점을 가지고 있다. 이러한 사정이므로, 원리적으로 CD-ROM 또는 CD-R과의 호환성이 보장될 수 있는 상변화형 기록디스크의 실용화 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
상변화형 광기록매체를 이용한, 재기입가능한 콤팩트디스크에 대한 연구발표예로서, 다음과 같은 것들이 있다: Proceedings of the 4th Symposium on Phase-Change Recording p.70(1992), Furuya et al.; Proceedings of the 4th Symposium on Phase-Change Recording p.76(1992), Jinno et al.; Proceedings of the 4th Symposium on Phase-Change Recording p.82(1992), Kawanishi et al.; Jpn. J. Appl. Phys. 32(1993) p.5226, T. Handa et al.; Proceedings of the 5th Symposium on Phase-Change Recording p.9(1993), Yoneda et al.; 및 Proceedings of the 5th Symposium on Phase-Change Recording p.5(1993), Tominaga et al. 그러나, 이들 문헌에 기록된 재기입가능한 콤팩트디스크의 전반적인 성능은, 예컨데 CD-ROM과 CD-R과의 호환성, 기록 및 소거성능, 기록감도, 재기입운전의 반복가능횟수, 재생운전의 반복가능횟수, 및 보존안정성능에 대한 결점을 가지고 있다. 이들 결점들은 각각의 콤팩트디스크에 사용된 기록재료의 조성 및 구조에 기인하는 낮은 소거비에 주로 기인한다.
이러한 실정하에, 높은 소거율 및 높은 기록 및 소거감도를 가지는 상변화형 기록재료의 개발에 대한 요구가 증대하고, 또한 우수한 성능을 가지는 재기입가능한 상변화형 컴팩트디스크의 개발에 대한 요구가 증대하고 있다.
이러한 요구에 부합하기 위하여, 본 발명자등은, Ag-In-Sb-Te계 기록재료를 발명하여 제안하였는바, 그 예로서, 일본국 특개평 4-78031호와 4-123551호; Jpn. J. Appl. Phys. 31(1992) 461, H. Iwasaki et al.; Proceedings of the 3rd Symposium on Phase-Change Recording p.102(1991), Ide et al.; 및 Jpn. J. Appl. Phys. 32(1993) 5241, H. Iwasaki et al.에 개시되어 있다.
1996년 10월에는, 재기입가능한 콤팩트디스크(CD-RW)에 대한 규격으로서 일명 오렌지북(Orange Book)으로 알려진 재기입가능한 콤팩트디스크 파트 Ⅲ(Compact Disk Rewritable PART III): CD-RW 버전(Version )1.0가 발행되었다.
나아가, 디지털 비디오 디스크(DVD)와 DVD-RAM이 다가오는 세기에 대한 주요 광기록매체로서 주목받고 있다. 당연한 결과로서, 전술한 재기입가능한 콤팩트디스크가 DVD와의 재생호환이 가능하도록 요구된다. 그러나, 종래의 CD-RW의 기록신호는 DVD의 재생파장에 부합하는 650㎚의 파장 근처에서 반사율 및 변조도가 충분하게 나타나지 않기 때문에, 종래의 CD-RW는 실용화를 위한 충분한 신호특성을 가지지 않는다.
상기한 규격도서인 Compact Disk Rewritable PART III: CD-RW Version 1.0은 2배속 CD속도(2.4∼2.8㎧)에 대한 재기입가능한 콤팩트디스크의 규격을 기술한다. 그러나, 이러한 저속 선속도에서는 장시간의 기록시간이 요구되기 때문에, 고속기록을 수행할 수 있는 재기입가능한 콤팩트디스크가 요망된다.
상기 CD-RW의 개발에 부합하여, CD-RW용 구동계에 대한 개발도 활발하게 이루어지고 있고, 상기 CD-RW와 구동계 사이의 조화시험도 이루어지고 있다. 이러한 조화시험의 결과는 일부 구동계에서 6배속 CD속도 이상(7.2㎧ 이상)에서 재생중 결함이 증가하는 것으로 나타났고, 높은 선속도 재생이 그러한 구동계에 의해 수행되는 것이 곤란하다는 것이 입증되었다. 나아가, 일부 구동계에서, CD-RW에 대한 최적기록 광출력이 Compact Disk Rewritable PART III: CD-RW Version 1.0에서 규정된 최적전원제어처리(이하에서는 OPC처리라 함)에 의하여 결정될 수 없다는 것이 입증되었다.
CD-RW등의 상변화형 광기록매체는 초기화장치를 이용하여 기록매체의 기록층을 결정화함에 의해 제조공정중에 초기화된다. 상기 기록층의 초기화상태는 기록매체의 재기입성능에 민감하게 영향을 준다. 또한 상기 초기화상태는 사용된 초기화장치에 상당히 의존한다. 각 기록매체의 초기화상태를 제어하기 위하여, 각 기록매체에 추종되고 동일화되는 초기화장치가 필요하다. 그러나, 이러한 추종제어를 수행하기 위한 계는 아직까지 개발되지 않고 있다.
CD-RW는 수동으로 조작됨으로써, 오일 및 더스트등과 같은 이물질이 디스크의 전, 후 표면에 부착될 수 있다. 이러한 상태가 발생하면, 통상 오일 및 더스트와 같은 이물질로 덮여진 디스크의 표면을 천을 이용하여 닦아낸다. 그러나, 디스크의 표준적인 기판은 폴리탄산에스테르(polycarbonate)로 이루어지고, 그러한 폴리탄산에스테르기판의 표면이 천에 의해 이물질을 제거하기 위해 닦여진다면, CD-RW 기판의 표면은 긁혀지며, 기판 표면상에 형성된 긁힘에 기인하여 더 이상의 기록 및 재생이 수행될 수 없는 위험에 처하게 되는 것이다. 이러한 문제를 피하기 위하여, 기판의 비그루브표면, 즉 기판의 경면에 자외선을 이용한 경화수지층(ultraviolet-curing resin layer)과 같은 경화코팅층을 형성하는 것이 제안되어 있다. 이러한 UV-경화수지층은 이미 광자기기록디스크에 사용되어지고 있다. 그러나, UV-경화수지를 코팅하는 것은, 인젝션금형에 의해 기판상에 형성된 금형마크로부터 가장 깊은 그루브 단부까지 이르는 매우 좁은 영역의 기판상에 미리결정된 위치부터 시작하는 매우 정밀한 코팅기술을 필요로 한다. 이러한 정밀코팅기술은 상업적으로 사용가능한 상변화형 광기록매체인 구조물에 적용할 수 없는 것이다. 이는 경화코팅층의 코팅이 불균일하기 때문이며, 그 불균일정도가 경미할지라도, 기록매체의 부적절한 초기화를 피할 수 없는 것이다.
일반적으로, 광자기기록디스크에서 가장 깊은 그루브 가장자리는 그 중심으로부터 25㎜ 이상의 거리에 위치되는 반면에, CD-RW와 같은 광기록디스크에서 가장 깊은 그루브 가장자리는 그 디스크의 중심으로부터 22㎜ 거리의 동심원상에 위치되기 때문에, 광기록디스크의 가장 깊은 그루브 가장자리는 광자기기록디스크의 가장 깊은 그루브 가장자리보다 기판의 인젝션주형마크에 2㎜이상 근접하게 된다. 그러므로, 상변화형 기록디스크의 경우에, 재현성있게 안정적으로 기판상에 UV-경화수지층을 형성하는 것은 극히 곤란하다.
Ag-In-Sb-Te계 기록층을 포함하는 상변화형 광디스크가 우수한 기록성능을 나타내는 것으로 알려져 있다. 그러나, CD-R과의 호환성이 안전하게 이루어질 수 있고 재기입가능한 콤팩트디스크용에 요구되는 전반적인 성능을 만족하는 상변화형 광기입디스크는 아직까지 알려져 있지 않다.
따라서, 본 발명의 제1의 목적은, 종래기술의 문제점을 해소하여, 취급하기 용이하고, DVD와 완전한 재생호환성을 가지며, 선속도 영역 1.2∼5.6㎧에서 전반적으로 우수한 특성을 가지는 상변화형 광기록매체를 제공함에 있다.
본 발명의 제2의 목적은, DVD와 완전한 재생호환성을 가지면서 고속재생을 수행할 수 있는 상변화형 광기록매체를 제공함에 있다.
본 발명의 제3의 목적은, 매체에 대한 최적기록출력이 알려지지 않은 경우에도 잘못된 운전을 수행하지 않도록 된 상변화형 광기록매체를 제공함에 있다.
본 발명의 제4의 목적은, 정확한 최적기록출력, 재기입에 의해 기인된 반사율에서의 최소편차, 픽업기구에 의한 안정적인 트래킹, DVD와의 완벽한 재생호환성, 및 선속도영역 1.2∼5.6㎧에서의 전반적인 우수한 특성을 가지도록 된 상변화형 광기록매체를 제공함에 있다.
본 발명의 제5의 목적은, 초기화의 제어를 용이하게 하기 위하여, 기록매체를 초기화하도록 사용된 초기화장치가 우수한 추종성을 가지도록 된 상변화형 광기록매체를 제공함에 있다.
본 발명의 제6의 목적은, 초기화장치를 큰 정도로 변형시킬 필요가 없고 초기화제어공정에 부가적인 비용을 필요로 하지 않으며, DVD와 완전한 재생호환성을 가지고 선속도영역 1.2∼5.6㎧에서 우수한 특성을 가지면서, 초기화상태를 용이하게 제어할 수 있게 기록매체를 초기화시키도록 사용된 초기화장치가 우수한 추종성을 가지는 상변화형 광기록매체를 제공함에 있다.
본 발명의 제7의 목적은, DVD와 완전한 재생호환성을 가지고, 선속도영역 1.2∼5.6㎧에서 우수한 특성을 가지면서, 긁힘에 저항하는 향상된 항복강도를 가지도록 안정적으로 제조될 수 있는 경화코팅층을 가지는 상변화형 광기록매체를 제공함에 있다.
본 발명의 제8의 목적은, 2배속 CD속도모드와 4배속 CD속도모드 모두에서 사용될 수 있는 상변화형 광기록매체를 제공함에 있다.
본 발명의 제9의 목적은, 고속재생이 가능한 상변화형 광기록매체를 제공함에 있다.
도1은 본 발명에 따른 상변화형 광기록매체의 일례에 대한 개략단면도이다.
도2는 기록층을 이루는 Ag-In-Sb-Te를 포함하는 4원계 상변화형 기록재료내에서의 Te의 원자%와 상기 기록층을 포함하는 상변화형 광디스크 기록매체의 최적기록선속도의 관계를 보이는 그래프이다.
도3은 재기입가능한 콤팩트디스크 파트Ⅲ(Compact Disk Rewritable PART III): CD-RW 버전 1.0에 부합하는 2배속 CD속도에 대한 기입방법(strategy)이다.
도4는 본 발명에 따른 상변화형 광기록매체의 제1유전체층의 두께와 그루브부의 반사율 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도5는 경화코팅층 형성을 위한 코팅개시위치를 설명하기 위해 본 발명에 따른 상변화형 기록매체를 도시한 개략정면도이다.
도6A는 기록매체의 초기화를 위한 광출력과 그루브반사율 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도6B는 초기화단계동안 기록매체에 대한 광적용수단의 이동속도와 그루브반사율 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도6C는 초기화단계동안 기록매체의 선속도와 그루브반사율 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도7은 초기화단계에서 사용된 초기화장치를 동일화하기 위한 마크를 설명하기 위해 본 발명에 따른 상변화형 광기록매체를 도시한 개략정면도이다.
도8A 및 8B는 2배속 CD속도와 4배속 CD속도의 각각에 대한 기입방법을 도시한 그래프이다.
도9는 광비임의 적용시 상변화형 광기록디스크의 선속도와 광비임의 적용후 그루브반사율 사이의 관계를 보여주는 그래프이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 제1유전체층
3 : 기록층 4 : 제2유전체층
5 : 광반사 및 방열층 6 : 보호코팅층
7 : 인쇄층
본 발명의 제1의 목적은, 기판, 제1유전체층, 기록층, 제2유전체층, 광반사 및 방열층, 및 보호코팅층을 포함하고, 상기 제1유전체층, 상기 기록층, 상기 제2유전체층, 상기 광반사 및 방열층, 및 상기 보호코팅층이 상기 기판상에 연속적으로 적층되며, 상기 기록층은, (1) 구성요소로서 Ag, In, Sb, Te 및 N 및/또는 O를 포함하는 상변화형 기록물질을 포함하고, 이들 각 요소에 대한 원자% α, β, γ, δ 및 ε(N 및/또는 O의 전체 원자%)의 관계가,
0 < α ≤ 6,
3 ≤ β ≤ 15,
50 ≤ γ ≤ 65,
20 ≤ δ ≤ 35,
0 ≤ ε ≤ 5,
α+β+γ+δ+ε=100이고, (2) 재결정화 상한 선속도가 2.5∼5.0㎧의 범위에 있는 것을 특징으로 하는, 정보의 기록 및 소거가 가능한 광기록매체에 의해 달성될 수 있다.
본 발명의 제2의 목적은, 상기 기록매체가 780±15㎚의 파장을 가지는 재생광과 640±15㎚의 파장을 가지는 재생광의 각각에 대한 그루브 반사율이 0.18이상인 상기 광기록매체에 의해 달성될 수 있다.
본 발명의 제3의 목적은, 상기 기판은, 광기록매체용으로 미리 결정된 최적 기록출력을 포함하는 예-그루브 데이터(ATIP 데이터)에서 절대시간을 견디는 광기록매체에 의해 달성될 수 있다.
본 발명의 제4의 목적은, 상변화형 기록재료가 기록매체의 초기화를 위해 재결정화되어질 때, 상기 기록층이 포화그루브 반사율에 대한 95%이상의 그루브 반사율을 가지는 광기록매체에 의해 달성될 수 있다.
본 발명의 제5의 목적은, 상기 기록층이, 미리 결정된 소정의 초기화출력을 갖는 초기화광을 사용하여, 상기 기록매체를 초기화시키도록 사용된 초기화장치를 동일화시키기 위한 동일화정보를 가지는 상기 광기록매체에 의해 달성될 수 있다.
본 발명의 제6의 목적은, 상기 동일화정보가, 상기 초기화광의 초기화출력을 변조함에 의해 얻어진 광비임을 사용하여 상기 기판의 비그루브 표면상에 마크형상으로 기입되는 상기 광기록매체에 의해 달성될 수 있다.
본 발명의 제7의 목적은, 상기 기판에 대한 제1유전체층 반대쪽에, 상기 기판의 비그루브 표면상에 갖추어지는 경화코팅층을 더 포함하는 상기 광기록매체에 의해 달성될 수 있다.
상기한 광기록매체에서, 상기 경화코팅층은 2∼6㎛의 두께와, H 이상의 연필경도를 가지는 것이 바람직하다.
나아가, 상기 광기록매체에서, 상기 경화코팅층은 경화되어지기 전에 실온에서 40cps 이상의 점도를 가지는 경화된 UV-경화코팅수지를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제8의 목적은, 2.4∼5.6㎧의 범위내에 있는 선속도로 정보를 기록할 수 있고, 그로부터 기록된 정보를 소거하며, 상변화형 광기록매체로서, 상기한 본 발명의 광기록매체가 사용되는, 상변화형 기록매체에 정보를 기록하는 방법에 의해 달성될 수 있다.
본 발명의 제9의 목적은, 재생선속도에 부합하여 기록된 정보를 재생하도록 재생광의 재생광출력을 제어함에 의해 기록된 정보를 재생하는 것이 가능하고, 상변화형 광기록매체로서, 상기한 본 발명의 광기록매체가 사용되는, 상변화형 기록매체에 기록된 정보의 재생방법에 의해 달성될 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 광기록매체는 제1유전체층, 기록층, 제2유전체층, 광반사 및 방열층, 및 보호코팅층이 연속적으로 적층된 기판을 포함하고, 상기 기록층은 (1) 구성요소로서 Ag, In, Sb, Te, 및 N 원자 및/또는 O를 포함하는 상변화형 기록물질을 포함하며, 이들 각 요소의 원자% α, β, γ, δ 및 ε(N 원자 및/또는 O 원자의 전체 원자%)의 관계가,
0 < α ≤ 6,
6 ≤ β ≤ 15,
50 ≤ γ ≤ 65,
20 ≤ δ ≤ 35,
0 ≤ ε ≤ 5,
α+β+γ+δ+ε=100에 있고,
(2) 재결정화 상한 선속도가 2.5∼5.0㎧의 범위에 있다.
상기한 본 발명의 광기록매체에 대한 기록층의 재결정화 상한 선속도는, 기록층에 조사되는 광비임의 상한 선속도를 의미하고, 상기 기록층은 조사되는 광비임에 의해 용융된 후에 재결정화될 수 있으며, 그리고 나서 냉각되고 재결정화된다.
상기에서, 광비임으로서, 기록매체용 기입기(writer)에 탑재된 반도체레이저와 유사한 반도체 레이저비임을 사용한다.
상기한 광기록매체에 대한 기록층의 재결정화 상한 선속도는 기록매체를 특성화하는 새로운 값이며, 이는 본 발명의 발명자등에 의해 발견되었다.
상기 기록층의 재결정화 상한 선속도는 광비임에 노출된 상태에서 기록매체의 선속도, 또는 상기 기록층을 조사하는 광비임의 선속도에 대한 광기록매체의 기록층에 대한 그루브부 또는 랜드(land)부의 반사율의 의존성으로부터 결정될 수 있다.
도9는, (a) 광비임을 상변화형 광기록디스크의 기록층에 조사하고 있는 과정의 상변화형 광기록디스크의 선속도와 (b) 광비임으로 조사된 기록디스크의 그루브 반사율사이의 관계를 보이는 그래프이다. 도9에 도시된 바와같이, 광기록매체의 선속도가 증가하는 과정에서 그루브의 반사율이 소정 선속도에서 갑자기 저하하기 시작한다. 이 선속도는 기록층의 재결정화 상한 선속도로 규정된다. 도9에서 기록층의 재결정화 상한 선속도는 3.5㎧이다.
기록매체에 조사하는 광비임의 파장이 동일할지라도, 기록층의 재결정화 상한 선속도는 사용된 광비임의 출력과 직경에 의존하여 경미하게 변화한다. 예를들어, 파장이 780㎚인 레이저비임이 공칭구경(NA) 0.5인 픽업튜브를 사용하여 상변화형 광기록디스크에 인가될 때, 상기 기록층의 재결정화 상한 선속도의 최대변화는 약 ±0.5㎧이다.
상변화형 광기록매체의 성능은 기록층의 재결정화 상한 선속도에 의존한다.
상기 기록층의 재결정화 상한 선속도가 2.5㎧보다 작으면, 기록층의 재결정화가 높은 선속도로 수행될 수 없기 때문에, 기록매체를 초기화하는데 너무 많은 시간이 소요되어, 상변화형 광기록매체는 실용화하기에 적절하지 않다. 게다가, 이러한 기록매체에 4배속인 CD속도로 기록이 수행되면, 소거운전이 완전하게 수행될 수 없다. 한편, 기록층의 재결정화 상한 선속도가 5.0㎧를 초과하면, 정보가 기입될 때 기록층이 완전한 비결정화상태라고 추정될 수 없다. 따라서, 만족할만한 신호특성을 얻을 수 없다.
본 발명에 기재되어 있는 바와같이 기록층의 재결정화 상한 선속도를 제어하기 위하여는, 제1유전체층, 기록층, 제2유전체층, 광반사 및 방열층 및 보호코팅층이 순차로 기판상에 연속하여 적층될 때 상기 기판의 온도를 80℃ 이하에 있도록 하는 방법으로 상기 상변화형 광기록매체를 생산하는 것이 바람직하다. 기판의 온도가 80℃를 초과하면, 유전체층 및/또는 기록층이 형성과정중에 부분적으로 결정화되어, 요구되는 기록층의 재결정화 상한 선속도를 얻을 수 없거나, 도9에 도시한 바와같이 그루브반사율이 갑자기 떨어지는 선속도를 찾는 것이 곤란하게 된다.
게다가, 그 메커니즘(mechanism)이 알려져 있지는 않지만, 기록층의 필름형성속도가 기록층의 재결정화 상한 선속도에 영향을 준다. 기록층에 대한 필름형성속도가 감소함으로써, 기록층의 재결정화 상한 선속도가 감소한다. 요구되는 기록층의 재결정화 상한 선속도를 얻기 위하여, 기록층에 대한 필름형성속도를 2∼30㎚/s로 조절하는 것이 바람직하다. 기록층에 대한 필름형성속도가 2㎚/s이하이면, 기록층의 재결정화 상한 선속도가 2㎧보다 더 감소하고, 기록층에 대한 필름형성속도가 30㎚/s보다 크면, 기록층의 재결정화 상한 선속도가 5㎧를 초과한다.
광비임의 조사에 의하여 기록층이 용융점보다 더 높은 온도로 충분하게 가열되지 못하거나, 기록층이 용융된 후에 재결정화가 너무 신속하게 이루어지면, 기록층의 조성이 본 발명에서 특정한 것과 동일할지라도 도9에 도시한 바와같이 그루브반사율이 급격하게 저하하는 선속도를 발견하기 곤란하게 된다.
도1은 본 발명에 따른 상변화형 광기록매체의 일례에 대한 개략단면도를 보인다. 안내 그루브(1a)를 갖춘 기판(1)상에, 제1유전체층(2), 기록층(3), 제2유전체층(4), 광반사 및 방열층(5), 및 보호코팅층(6)이 연속적으로 적층된다. 나아가, 도1에 도시된 바와같이 인쇄층(7)이 상기 보호코팅층(6)상에 덧씌여질 수 있고, 또한 경화코팅층(8)이 기층(1)에 대한 제1유전체층(2) 반대측인, 기층(1)의 비그루브측에 갖추어질 수 있다.
본 발명의 상변화형 광기록매체에서, 기층(1)용 재료로서, 글라스(glass), 세라믹재료 및 수지가 사용될 수 있다. 특히, 제조단가와 성형성의 측면에서 수지기판이 다른 기판들보다 유리하다.
기판(1)용 재료로 사용되는 수지의 예로서는, 폴리탄산에스테르 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리스티렌 수지, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 수지, 폴리프로필렌 수지, 실리콘 수지, 플루오르화 플라스틱, ABS 수지 및 우레탄 수지를 포함한다. 이들 수지들중 폴리탄산에스테르 수지 및 아크릴 수지가 기판(1)용으로 사용되는 것이 바람직하고, 이는 성형성, 광학특성 및 제조단가측면에서 우수하기 때문이다. 상기 기판(1)은 디스크, 카드 또는 시이트(sheet)형으로 하여도 좋다.
본 발명의 상변화형 광기록매체가 재기입가능한 콤팩트디스크(CD-RW)에 사용되면, 상기 기판(1)은 0.25∼0.65㎛, 바람직하게는 0.30∼0.55㎛의 폭과, 250∼650Å, 바람직하게는 300∼550Å의 깊이로 된 안내 그루브를 가지는 것이 바람직하다.
상기 기판(1)의 두께에 대한 특별한 제한을 하지는 않지만, 기판은 1.2㎜ 또는 0.6㎜ 영역의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
상기 기록층(3)용 상변화형 기록재료로서는, Ag-In-Sb-Te를 함유하는 4원계의 재료가 바람직하고, 본 발명의 광기록 매체는 높은 기록감도 및 속도, 즉 결정화상태로부터 비결정화상태로의 뛰어난 상변화성능; 높은 소거감도 및 속도, 즉 비결정화상태로부터 결정화상태로의 뛰어난 상변화성능; 및 높은 소거성능을 가진다.
상기 Ag-In-Sb-Te 4원계는 4원계의 조성에 의존하는 최적의 기록선속도를 가진다. 따라서, 요구되는 기록선속도와 요구되는 선속도영역에 부합하여 Ag, In, Sb 및 Te를 함유하는 4원계의 조성을 적절하게 조정하는 것이 필요하다. Ag-In-Sb-Te 기록층을 가지는 기록매체에서 기록층내의 Te 조성비가 기록매체의 최적기록선속도와 서로 관계하는 것이 확실하다.
도2는 기록층에서 Ag-In-Sb-Te를 포함하는 4원계의 상변화형 기록재료에서 Te의 원자%와 기록층을 포함하는 상변화형 광디스크기록매체의 최적기록선속도와의 관계를 보이는 그래프이다.
상변화형 광디스크기록매체는 인쇄층(7)을 가지지 않는 도1에 도시한 바와같은 유사구조를 가지며, 3∼5㎛의 범위에 있는 두께를 가지는 경화코팅층(8), 1.2㎜의 두께를 가지는 기판(1), 100㎚의 두께를 가지는 제1유전체층(2), 25㎚의 두께를 가지는 Ag-In-Sb-Te 기록층(3), 30㎚의 두께를 가지는 제2유전체층(4), 140㎚의 두께를 가지는 금속 또는 합금으로 구성된 광반사 및 방열층(5), 및 8∼10㎛의 두께를 가지는 UV경화수지층으로 구성된 보호코팅층(6)을 포함한다.
기록은, 공칭구경(NA)이 0.5인 픽업튜브에 의해, 8 내지 14변조(EFM)에 의해, 기록매체에 780㎚인 파장(λ)을 가지는 광비임을 조사함으로서 수행되어지고, 기록펄스는 재기입가능한 콤팩트디스크 파트III에 기재된 방법에 따라 도3에 도시된 바와같이 결정되어진다. 기록용 광출력, 소거용 광출력, 및 바이어스출력이 각각 12㎽, 6㎽ 및 1㎽로 설정된다. 광기록선속도는 최대로 가능한 재기입운전의 반복횟수가 얻어질 수 있는 선속도로 규정된다.
도2에 도시된 그래프에 보여지는 바와같이, 기록매체의 최적기록선속도와 Ag-In-Sb-Te 기록층(2)에서의 Te(Te의 원자%)의 조성비 사이가 상관계수(R) 0.9133인 높은 상관관계를 가진다. 도2의 그래프 관점에서 상기 결과와 ±1 원자%의 실험오차를 고려하면, 기록재료의 조성에서 Te의 원자%는 기록선속도가 0㎧에 있도록 낮아질지라도 35 원자% 이하인 것으로 간주된다. 게다가, 1배속, 2배속, 4배속 및 8배속의 CD 속도의 선속도에 대응한 상변화형 광기록디스크를 얻기 위하여, 기록재료의 조성에서 Te의 원자%는 다음과 같도록 하는 것이 고려된다:
요구 선속도 | 바람직한 Te량(원자 %) |
1배속 CD속도(1.2∼1.4㎧) | 약 33 |
2배속 CD속도(2.4∼2.8㎧) | 약 30 |
3배속 CD속도(4.8∼5.6㎧) | 약 27 |
4배속 CD속도(9.6∼11.2㎧) | 약 20 |
Ag-In-Sb-Te계 기록층에서, 각 요소의 구성비는 얻어진 기록매체의 보존신뢰성에 영향을 미친다.
보다 상세하게는, 기록재료의 조성에서 요소 Ag의 원자%가 6원자%를 초과하면, 덮어쓰기층(overwriting shelf) 특성의 열화가 현저하게 된다. 즉, 기록매체의 제조후 수년동안 충분한 신호기록이 수행될 수 없다.
요소 In의 원자%가 15원자%를 초과하면, 기록보관수명(archival life)이 감소되고, 반면에 그 원자%가 3원자%보다 적으면, 기록감도가 저하된다.
요소 Sb에 대하여, 그 원자%가 커지면 커질수록 덮어쓰기운전의 반복성능이 나아진다. 그러나, 요소 Sb의 원자%가 65원자%를 초과하면, 기록보관수명이 감소된다.
상기 기록보관수명의 감소를 방지할 수 있도록 하기 위하여, 질소 및/또는 산소 원자를 상변화형 기록층의 조성에 부가하는 것이 매우 효과적이다. 기록층의 조성에 N 및/또는 O를 첨가함에 의하여, 비결정질마크가 안정화될 수 있다. 기록층의 조성에 적정한 량의 N 및/또는 O를 부가하는 것에 기인하여 디스크특성이 향상되는 것에 대한 메커니즘은 아직 설명되고 있지 않으나, 적정량의 N 및/또는 O가 기록층에 포함되고, 기록층의 밀도가 감소되며, 미소결함이 기록층내에서 증가될 때, 기록층의 무질서도가 배열면에서 증가된다. 결과적으로, 기록층에서의 질서도가 N 및/또는 O원자가 기록층에 포함되지 않은 경우에 비하여 완화된다. 따라서, 비결정질상태에서 결정질상태로의 전이가 억제되어, 비결정질마크의 안정성이 증가하고 그 비결정질마크의 보존수명이 향상된다.
N 및/또는 O가 기록층에 포함되면, N 및/또는 O가 기록층의 조성에서 Te 및/또는 Sb에 결합되어지는 것이 IR 스펙트럼에 의해 뚜렷하게 보여진다.
본 발명에 따르면, 기록층의 조성에서 N 및/또는 O의 전체 원자%는 5원자%이하이다. 전체 원자%가 5원자%를 초과하면, 기록층의 질화가 과도하게 진행하여, 기록층의 결정화가 곤란하게 된다. 결과적으로, 기록층은 충분하게 초기화될 수 없고, 소거비가 저감된다.
기록층이 끓음(sputtering)에 의해 형성될 때 아르곤 분위기에서 0∼10 몰% 이상의 농도를 가지는 질소가스 및/또는 산소가스를 포함함으로써 상기 질소 및/또는 산소가 기록층으로 도입될 수 있다. 끓음과정중에 질소 및/또는 산소가스와 아르곤 가스의 혼합가스를 사용함에 의해, 질소 및/또는 산소가 상기 기록층에 효과적으로 도입될 수 있다. 끓음단계에서의 사용을 위하여 상기 혼합가스는, 혼합가스가 끓음챔버로 도입되어지기 전에 소정의 혼합비로 질소 및/또는 산소가스와 아르곤가스를 혼합함에 의해 준비될 수 있다. 선택적으로, 상기 아르곤 가스와 질소 및/또는 산소가스는 요구된 몰비를 얻도록 조절된 각각의 유량비로 끓음챔버로 도입된다.
나아가, 질소 및/또는 산소를 기록층으로 도입함에 의해 얻어지는 잇점의 하나는, 기록층의 재결정화속도 또는 비가 지연될 수 있고, 이에 의해 기록층의 최적 재결정화속도를 조절할 수 있다. 다시말해, 비록 동일한 목표(target)를 사용할지라도, 끓음에 의한 기록층의 형성을 위해 단지 질소 및/또는 산소가스/아르곤 가스의 혼합비를 조절함에 의해 상변화형 광기록디스크의 최적기록선속도가 조절될 수 있다.
N 및/또는 O가 기록층내의 Ag, In, Sb 또는 Te의 적어도 한 요소에 화학적으로 결합되어지는 것이 바람직하다. 특히, N 및/또는 O가 Te에 결합되면, 예를들어 Te-N 결합, Te-O 결합 또는 Sb-Te-N 결합이면, 가능한 덮어쓰기의 반복횟수가, N 및/또는 O가 다른 요소의 어느 것에 화학적으로 결합되는 경우에 비하여 보다 효과적으로 증가될 수 있다. 이러한 기록층에서의 화학결합은 푸리에 변환 적외선 분광분석(fourier transform infrared spectroscope analysis)(FT-IR) 또는 X-선 광전자 분광기(XPS)등과 같은 분광분석에 의해 효과적으로 분섣될 수 있다. 예를들어, FT-IR 분석에 따르면, Te-N 결합은 500∼600㎝-1근처에서 정점을 나타내고; Sb-Te-N 결합은 600∼650㎝-1근처에서 정점을 나타낸다.
본 발명에서, 상변화형 광기록매체에서 사용될 기록층은 성능 및 신뢰도 향상을 위하여 다른 요소들과 불순물들을 포함할 수 있다. 예를들어, 일본국 특개평 4-1488호에 개시된 B, N, C, P 및 Si등과 같은 요소들, 및 O, S, Se, Al, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cr, Cu, Zn, Ga, Sn, Pd, Pt 및 Au등과 같은 다른 요소들이 기록층에 바람직한 요소들 또는 불순물들로서 포함될 수 있다.
본 발명에서, 상변화형 광기록매체에서 사용될 기록층의 조성이 방사분광분석을 이용하여 분석된다. 상기 방사분광분석뿐만 아니라, X-선 미량분석, 러더포드 후방산란, 오거(Auger) 전자분광분석, 및 X-선 형광분석이 기록층의 조성분석에 이용될 수 있다. 그러나, 이 경우, 그 분석된 조성을 방사분광분석에 의해 분석된 조성과 비교하는 것이 필요하다. 일반적으로, 조성이 방사분광분석으로 측정되면 ±5%의 분석오차가 있는 것으로 간주된다. 상기에 부가하여, 2차 이온질량분광분석과 같은 질량분광분석이 기록층의 조성을 분석하기 위한 효과적인 방법중 하나이다.
X-선 회절 또는 전자회절이 기록층에서의 재료상태를 분석하기 위해 효과적이다. 즉, 반점(spot) 패턴 또는 데바이-스케러(Debye-Scherrer) 링 패턴이 전자회절에 의해 기록층에서 관찰되면, 기록층내의 재료가 결정질화 상태에 있는 것으로 간주되고, 링패턴 또는 헤일로우(halo)패턴이 관찰되면, 기록층내의 재료가 비결정질화상태에 있는 것으로 간주된다.
기록층내에서의 결정 입자 직경은 예를들어 스케러 방정식을 사용함에 의해 X-선 회전분석 절정 폭의 반으로부터 결정될 수 있다.
나아가, 기록층내의 재료에 대한 화학결합상태의 분석, 예를 들어 기록층내의 산소 또는 질소와 같은 재료의 화학결합상태의 분석을 위하여, FT-IR 및 XPS등과 같은 분석방법이 효과적이다.
기록층의 두께는 10∼100㎚, 보다 바람직하게는 15∼50㎚의 범위에 있는 것이 바람직하다. 기록층의 두께가 10㎚ 이하에 있으면, 기록층의 광흡수성능이 감소하는 경향이 있고, 두께가 100㎚ 이상이면, 고속에서 기록층에 균일한 상변화를 수행하기 곤란한 경향이 있다.
나아가, 지터값(jitter value)과 같은 초기특성, 덮어쓰기특성 및 질량생성효과를 고려하면, 기록층의 두께가 15∼35㎚의 범위에 있는 것이 바람직하다.
상기한 기록층은 진공증착, 스퍼터링(sputtering), 플라즈마 화학진공증착, 광 화학진공증착, 이온플레이팅 또는 전자비임증착방법에 의해 형성될 수 있다. 이들 방법들중, 스퍼터링법이 양산성 및 얻어진 기록층의 필름품질측면에서 다른 방법에 비하여 우수하다.
제1 및 2유전체층(2)(4)이 보호층으로서 작용한다.
제1 및 2유전체층(2)(4)에 사용될 재료의 특별한 예로서, SiO, SiO2, ZnO, SnO2, Al2O3, TiO2, In2O3, MgO, 및 ZrO2등과 같은 금속산화물; Si3N4, AlN, TiN, BN 및 ZrN등과 같은 질화물; ZnS, In2S3및 TaS4등과 같은 유화물; SiC, TaC, B4C, WC, TiC 및 ZrC등과 같은 탄화물; 다이어몬드상 구조의 탄소; 및 이들의 혼합물이다. 나아가, 이들 유전체층들은 필요에 따라 불순물을 더 포함하여도 좋으며, 또는 각 유전체층을 다층 구조로 하여도 좋고, 제1 및 2유전체증(2)(4)의 용융점이 기록층(3)의 용융점보다 높도록 하는 것이 요구된다.
본 발명에 사용되는 제1 및 2유전체층(2)(4)은 진공증착, 스퍼터링, 플라즈마 화학진공증착, 광 화학진공증착, 이온플레이팅 또는 전자비임증착방법에 의해 형성될 수 있다. 이들 방법들중, 스퍼터링법이 양산성 및 얻어진 층들의 필름품질측면에서 다른 방법에 비하여 우수하다.
필요하다면, 제1 및 2유전체층(2)(4)의 각각이 다층 형태로 이루어져도 좋다.
제1유전체층(2)의 두께는, DVD에 기록된 재생신호용인 650㎚의 파장을 가지는 광의 그루브반사율에 현저한 영향을 미친다.
도4는, 2.0의 굴절율을 가지는 제1유전체층, 25㎚의 두께를 가지는 기록층, 30㎚의 두께와 2.0의 굴절율을 가지는 제2유전체층, 및 140㎚의 두께를 가지는 광반사 및 열방산층을 포함하는 상변화형 광기록매체에서, 기록매체의 그루브반사율이 제1유전체층의 두께에 얼마나 의존하는지를 보이는 그래프이다.
도4를 참조하면, 780㎚의 파장을 가지는 재생비임과 650㎚의 파장을 가지는 재생비임을 사용하여, CD-RW용으로 규격화된 0.15∼0.25의 그루브 반사율을 얻기위해, 제1유전체층(2)의 두께가 65∼130㎚의 범위내에 있도록 조정되어지는 것이 필요하다. 나아가, 650㎚의 파장을 가지는 재생비임을 사용하여, 실용화에 충분하다고 간주되는 0.18 이상의 그루브 반사율을 얻기 위하여는, 제1유전체층의 두께를 110㎚ 이하로 조정하는 것이 필요하다. 나아가, 780㎚의 파장을 가지는 재생비임을 사용하여, 상기한 그루브 반사율을 충분하게 얻기 위하여는, 제1유전체층의 두께를 80㎚ 이상으로 조정하는 것이 필요하다. 상기한 분석결과의 관점에서, 650㎚의 파장을 가지는 재생비임과 780㎚의 파장을 가지는 재생비임을 사용하여, 충분한 신호특성을 얻기 위하여, 제1유전체층의 최적두께가 80∼110㎚의 범위내에 있을 것이 요구된다.
제2유전체층(4)의 두께는 15∼45㎚, 보다 바람직하게는 20∼40㎚의 범위에 있는 것이 바람직하다. 제2유전체층(2)의 두께가 15㎚보다 작으면, 제2유전체층(4)이 열저항 보호층으로서 항상 효과적으로 작용하는 것은 아니며, 기록매체의 기록감도가 저하하는 경향이 있고, 제2유전체층(4)의 두께가 45㎚ 이상이면, 제2유전체층(4)은 소위 낮은 선속도인 1.2∼5.6㎧의 범위에서 사용될 때 박리되는 경향이 있고 따라서 기록반복성능이 저하하는 경향이 있다.
광반사 및 방열층에 대한 대표적인 재료예는, Al, Au, Ag, Cu 및 Ta등과 같은 금속, 및 이들의 합금이다. 상기 광반사 및 방열층(5)은 Cr, Ti, Si, Cu, Ag, Pd 및 Ta등과 같은 부가 요소를 더 포함하여도 좋다.
광반사 및 방열층(5)은 진공증착, 스퍼터링, 플라즈마 화학진공증착, 광 화학진공증착, 이온플레이팅 또는 전자비임증착방법에 의해 형성될 수 있다.
광반사 및 방열층(5)의 두께는 70∼180㎚, 보다 바람직하게는 100∼160㎚의 범위에 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 광반사 및 방열층(5)의 산화를 방지하기 위한 보호코팅층(6)을 상기 광반사 및 방열층(5)의 표면에 형성하는 것이 바람직하다. 상기 보호코팅층(6)으로서, 나선코팅(spin coating)으로 제조되는 자외선을 이용한 경화수지층이 일반적으로 사용된다.
상기 보호코팅층(6)의 두께는 7∼15㎛의 범위에 있는 것이 바람직하다. 두께가 7㎛보다 적으면, 인쇄층(7)이 보호코팅층(6)의 표면에 형성될 때 운전오류가 발생하는 경향이 있고, 두께가 15㎛보다 크면, 보호코팅층(6)의 내부응력이 증가하여, 보호코팅층(6)이 기록매체의 기계적 특성에 좋지 않은 영향을 크게 미치는 경향이 있다.
경화코팅층(8)이 상기 기판(1)의 비그루브측에 갖추어질 수 있다. 상기 경화코팅층(8)은 나선코팅으로 제작된 UV-경화수지에 의해 일반적으로 형성된다.
상기 경화코팅층(8)의 두께는 2∼6㎛의 범위에 있는 것이 바람직하다. 경화코팅층(8)의 두께가 2㎛ 이하이면, 긁힘저항이 저하하는 경향이 있으며, 상기 경화코팅층(8)의 두께가 6㎛ 이상이면, 경화코팅층(8)의 내부응력이 증가하여, 상기 경화코팅층(8)이 기록매체의 기계적 특성에 좋지 않은 영향을 크게 미치는 경향이 있다.
상기 경화코팅층(8)은 H 이상의 연필경도를 가지는 것이 바람직하고, 이는 천으로 마찰시키는 경우에도 경화코팅층(8)의 표면이 심하게 손상되기 때문이다. 필요하다면, 경화코팅층(8)에 도전성재료를 포함시켜 경화코팅층(8)이 대전되는 것을 방지하여 먼지등이 정전기적으로 부착되는 것을 방지한다.
경화코팅층(8)에 사용될 UV-경화수지는 실온에서 40cps 이상의 점도를 가지는 것이 바람직하고, 이는 높은 정밀도 및 높은 재현성으로 코팅위치를 제어할 수 있도록 하며, 이에 의해 경화코팅층(8)의 가장자리가 정확하게, 예컨데 도5에 도시한 바와같이 디스크의 중앙부로부터 20∼22㎜의 거리에 있는 영역내에 위치될 수 있게 된다.
도5는 본 발명에 따른 상변화형 광기록디스크의 개략 정면도로서, 경화코팅층(8)의 코팅영역을 설명하기 위해, 기판의 비그루브측으로부터 보여진다. 도5에 도시된 바와같이, 본 발명에 따른 상변화형 광기록디스크에는, 스택링(stack ring)(12)과, 인젝션주조에 의해 기판의 준비과정중에 동심원상으로 형성된 인젝션주조마크(13)가 형성된다.
참조부호(11)은 기록영역을 가르킨다. 기판의 반대측에는 기록영역(11)내에 나선형 그루브(15)가 갖추어지고, 나선형 그루브(15)의 가장 깊은 부분이 디스크의 중심으로부터 22㎜의 거리에 동심원상으로 위치한다. 그러므로, 기판(1)의 비그루브측에 경화코팅층(8)을 형성하기 위하여, UV-경화코팅수지의 스핀(spin) 코팅이 인젝션 주형마크(13)와 가장 깊은 부분의 그루브 가장자리(15) 사이의 영역에 있는 위치로부터 시작하는 것이 요구된다.
나아가, 상술한 바와같이, 기록층의 초기 결정화상태는 기록매체의 제작중에 사용된 초기화장치에 의존한다. 따라서, 초기화단계중 기판상에 기록매체를 초기화시키기 위해 사용된 초기화장치를 인식하기 위한 마크를 위치시키는 것이 바람직하다. 이 경우에, 이러한 마크는 가장 깊은 부분의 그루브 가장자리(15)의 내측에 형성되어도 좋다.
도7은 본 발명에 따른 상변화형 광기록매체의 개략정면도로서, 초기화장치를 인식하기 위한 마크의 위치를 설명하기 위해, 기판의 비그루브측으로부터 보여진다. 도7에 도시한 바와같이, 그러한 마크(16)는 인젝션 주형마크(13)와 가장 깊은 부분의 그루브 가장자리(15) 사이에 형성된다. 이러한 경우에, 개시위치를 설정하기 위한 공간이 더 제한되기 때문에, UV-경화수지의 스핀코팅이 경화코팅층(8)의 형성을 위해 초기화되어지는 것으로부터 개시위치가 매우 높은 정밀도로 위치될 것이 요구된다. 이러한 점에서, 경화코팅층(8)에 사용될 수지의 점도, 예를들어 UV-경화코팅수지의 점도는 매우 중요하다.
본 발명에 사용될 전자기파로서는, 기록층을 초기화하고, 기록, 재생 및 소거운전을 수행하기 위해 사용되며, 이는 레이저비임, 전자선, X-선, 자외선, 가시광선, 적외선, 및 극초단파가 사용될 수 있다. 이들 전자기파중, 반도체레이저비임을 생산하기 위한 반도체레이저가 크기면에서 소형이기 때문에, 반도체레이저비임이 본 발명에 사용되기에 가장 적당한 것으로 간주된다.
상기한 바와같이, CD-RW용 구동계가 활발하게 개발되어져 왔고, CD-RW와 구동계 사이의 조화특성을 평가하기 위해 다양한 조화시험이 수행되어졌다. 결과적으로, 구동계와 CD-RW의 결합에 있어서는, 다음과 같은 문제점들이 발생하는 것을 았았다.
(1) 데이터가 프로그램영역에 기입되어진 후, 리드인(Lead-In) 및 리드아웃(Lead-Out)신호가 구동계의 픽업기구로 프로그램영역의 내외측에 각각 기입되어진다. 그러나, 픽업기구가 리드인 및 리드아웃신호를 기입하기 위해 프로그램영역을 횡단함에 의해 탐색(seek) 운전을 수행할 때, 상기 픽업기구가 필요한 픽업위치에 위치할 수 없다.
(2) 디스크에 기록하기 위해 사용될 광기록출력을 결정하는 정밀도가 어떤 경우에는 매우 저하되어, 최적의 기록출력을 결정할 수 없다.
(3) 6배속 CD속도이상(즉, 7.2㎧ 이상)으로 높은 선속도에서 재생운전이 수행되어질 때 오류가 점진적으로 증가한다.
상기한 문제점 (1)은 기록층의 초기화 부족 또는 불량에 기인하는 것으로 알려졌다. 기록층의 초기화가 부족하면, Rtop가 덮어쓰기운전의 반복을 통해 증가된다. 결과적으로, 픽업기구의 추적운전이 불안정하게 되고 정확한 탐색이 수행될 수 없는 정도까지 기록층의 푸시풀(push-pull) 크기와 레이디얼콘트레스트(radial contrast)가 감소된다.
게다가, 기록층의 초기화가 불량하면, 푸시풀 신호와 Rf신호가 교란되어, 픽업기구의 추적운전이 불안정하게 되고, 정확한 탐색이 수행될 수 없게 된다.
상기한 문제점 (2)는 최적 기록출력이 결정될 수 없기 때문에 기인하는 것으로 알려졌다. 이는 OPC 처리를 이용하여, 광기록출력을 결정하도록 시도될 때, 기록출력이 증가될때조차도 변조도가 포화되지 않기 때문이다. 이들 문제점들은 또한 상기한 부족한 초기화 및 불량한 초기화에 의해 기인하는 것으로 알려졌다.
다양한 검토결과, 최적기록출력을 결정하기 위하여는, 광기록매체의 포화그루브반사율(Rg)에 대한 그루브반사율이 95% 이상에 있는 초기화가 바람직함을 알았다. 상기 포화그루브반사율은 최대그루브반사율을 의미한다. 포화그루브반사율에 대한 95% 이상의 그루브반사율은 도 6A, 6B 및 6C의 그래프에 도시한 바와같이, 초기화출력, 초기화운전동안 기록매체에 대한 광조사수단의 이동속도, 및 초기화운전동안 디스크의 선속도등과 같은 초기화조건을 적절하게 조절함에 의해 얻어질 수 있다.
더 상세하게는, 도 6A, 6B 및 6C는 (a) 그루브 반사율과 기록디스크에 인가된 초기화출력 사이의 관계, (b) 그루브반사율과 광조사수단이 초기화운전시 기록디스크상을 이동하는 속도 사이의 관계, 및 (c) 그루브반사율과 초기화운전시 기록디스크의 선속도 사이의 관계를 각각 나타낸다.
도6A 내지 6C에 도시된 이들 그래프들로부터 알 수 있듯이, 최적초기화출력영역, 초기화운전동안에 광조사수단의 최적이동속도영역, 및 초기화운전동안에 디스크의 최적선속도영역이, 포화그루브반사율에 대한 95% 이상의 그루브반사율을 얻을 수 있도록 결정될 수 있다.
각각 초기화된 상변화형 기록매체의 초기화상태를 제어하기 위하여, 특정한 초기화 장치와 상기 최기화 장치에 의해 초기화된 특정한 상변화형 기록매체 사이의 추적성(traceability)이 복수의 초기화장치와 다수의 초기화된 상변화형 기록매체에서 명확하게 할 필요가 있다.
상기한 추적성의 명확화를 위하여 그리고 이러한 초기화조건의 제어관점에서, 각 상변화형 기록매체의 기판상에, 초기화단계에서 상변화형기록매체가 초기화되어짐에 의해 초기화장치를 동일화하도록 하는 마크를 위치시키는 것이 바람직하다.
도7에 도시한 바와같이, 초기화출력을 변조함에 의해 가장 깊은 부분의 그루브 가장자리(15) 내측의 위치에 상기 마크(16)를 위치시키는 것이 바람직하다. 다수의 초기화장치(예컨데, 장치 No.1에서 No.6)가 상변화형 광기록디스크에 대한 초기화운전을 수행하도록 사용되면, 디스크의 중앙으로부터 21㎜인 거리에 초기화 장치 No.1을 사용하여 초기화에 관계되는 기록디스크상에 1-도트(one-dotted) 마크가 형성되고, 상기 장치의 각 No.에 도트의 수가 부합하는 방법으로, 장치 No.6을 사용하여 초기화에 관계되는 기록장치상에 6도트 마크가 형성될 수 있는 것이다.
선택적으로, 기록디스크상의 초기화개시위치는 각 초기화장치에 대하여 변화되어도 좋다.
또한, 최적기록출력이 OPC처리에 의해 결정되어질 수 없는 경우에 대응하기 위하여, 상기 기판은, 각 기록디스크에 대한 미리 결정된 소정의 최적광기록출력을 포함하는 예(pre)-그루브데이터(ATIP 데이터)에서 절대시간(Absolute Time) 견딘다.
상기한 문제점 (3)은, 즉, 재생운전이 6배속 CD속도 이상(즉, 7.2㎧이상)에서 수행될 때 오류가 증가하는 문제점은, 기록매체의 그루브반사율이 0.18 이하인경우에 발생한다. 상기 기록매체의 그루브반사율은, 예컨데 (ⅰ) 제1유전체증의 두께가 80㎚이상으로 증가함에 의하여, (ⅱ) 기록층의 조성에서 Sb의 원자%가 증가함에 의하여, (ⅲ) 제2유전체층의 두께가 감소함에 의하여, 또는 (ⅳ) 기판상에 형성된 그루브가 더 넓어지고 더 얕아짐에 의하여, 0.18이상으로 증가될 수 있다.
상기한 그루브반사율의 증가에 의해 얻어지는 것과 같은 동일한 효과가, 재생광의 출력을 1.2㎽, 1.4㎽ 또는 1.6㎽로 증가시킴에 의해 얻어질 수 있다. 구동계의 성능편차와 기록매체의 반사율에서의 편차를 고려하면, 8배속 CD속도(9.6∼11.2㎧)에서 재생운전을 위한 재생광의 출력을 1.2㎽ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 나아가, 12배속과 같이 높은 CD속도(14.4∼16.8㎧)에서의 재생운전을 위하여, 재생광의 출력을 1.4㎽ 이상으로 하는 것이 적정하다. 그러나, 상기 재생광의 출력이 1.8㎽ 이상이면, 재생이 1,000,000회 이상 반복될 때 오류발생이 증가한다.
상기 CD-RW 디스크는, 적어도 2배속 CD속도 내지 4배속 CD속도의 범위에 있는 기록선속도를 가지는 기록성능을 가질 것이 요구된다. 2배속 CD속도 기록/소거, 및 4배속 CD속도 기록/소거에서, 매체가 소거를 위해 결정화될 때 상변화형 기록매체의 냉각비와, 매체가 기입을 위하여 비결정화될 때 상변화형 기록매체의 냉각비 각각이 다르기 때문에, 냉각비의 조절이 매우 중요하다. 보다 상세하게는, 2배속 CD속도모드에서, 소거를 위하여 기록층을 결정화하는 것은 상대적으로 쉽지만, 기록을 위하여 기록층을 비결정화하는 것은 곤란하다. 이와는 다르게, 4배속 CD속도모드에서, 기록을 위하여 기록층을 비결정화하는 것은 상대적으로 쉽지만, 소거를 위하여 기록층을 결정화하는 것은 곤란하다. 특히, 4배속 CD속도모드에서, Rtop가 소거출력의 증가에 기인하여 감소한다. 따라서, 도8B에 도시한 방법과 같이 소거출력을 감소시키는 것이 효과적이다. 보다 상세하게는, 기입출력(P2w)에 대한 소거출력(P2e)의 비가 2배속 CD속도모드에서 0.50 또는 0.54에 있는 것이 바람직하고, 기입출력(P4w)에 대한 소거출력(P4e)의 비가 4배속 CD속도모드에서 0.46 또는 0.50에 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 대한 다른 특징들이 다음에 기술할 실시예에 의해 명백하여질 것이며, 이들에 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
[실시예 1 내지 9와 비교예 1 내지 4]
기판의 일측에 폭 0.5㎛, 35㎚인 안내그루브를 가지는 두께 1.2㎜의 폴리탄산 에스테르 기판 디스크가 80℃로 냉각된다.
제1유전체증, 기록층, 제2유전체층, 및 광반서 및 방열층이 스퍼터링장치를 이용하여 상기 폴리탄산 에스테르 기판상에 연속적으로 형성된다. 제1 및 제2유전체증용 재료는 ZnS·SiO2이며, 각 실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 4에서 기록층의 형성을 위한 스퍼터링목표조성은 표2에 나타나 있고, 열방산 및 방열층용 재료는 알루미늄 합금이다.
또한, 경화코팅층이 폴리탄산 에스테르 기판의 비그루브 표면에 자외선을 이용한 경화수지를 스핀코팅함에 의해 형성되고, 상기 자외선을 이용한 경화수지의 스핀코팅은 디스크중앙으로부터 20.5㎜ 떨어진 위치로부터 개시되어진다.
상기한 경화코팅층과 같이 자외선을 이용한 경화수지를 스핀코팅함에 의해, 열방산 및 방열층에 보호코팅층이 형성된다.
큰 스폿크기를 가지는 레이저다이오드를 장착한 다수개의 초기화장치를 이용하여, 그루브 반사율이 포화그루브반사율 95% 이상으로 확실하게 도달된 조건에서 각 기록층을 결정화함에 의해 각 상변화형 광기록디스크가 초기화된다. 나아가, 초기화운전중, 사용된 초기화장치를 동일화시키는 돗트마크가, 초기화출력의 변조에 의해 디스크의 중앙으로부터 21㎜인 거리에 있는 기판의 비그루브표면상에 기입되어진다.
나아가, 인쇄층이 상기 보호코팅층에 형성된다.
따라서, 실시예 1 내지 9와 같이 본 발명에 따른 디스크형 상변화 가능한 광기록배체 1번 내지 9번과, 비교예 1내지 4와 같이 비교용 디스크형 상변화가능한 광기록매체 1번 내지 4번이 제작된다.
표2는 상기한 층들 각각의 두께, 각 기록층 형성을 위한 스퍼터링 목표조성, 및 각 기록층의 재결정화 상한 선속도를 보인다.
제작된 상변화형 광기록매체의 성능은 NA 0.5인 픽업을 갖춘 평가용 CD-RW 구동계를 이용하고, 780㎚의 파장을 가지는 광비임을 이용하여 평가된다. 방법은 다음과 같다:
소거출력(P2e)/기록출력(P2w)의 비: 0.5
소거출력(P4e)/기록출력(P4w)의 비: 0.46
기록출력: 13㎽(2배속 및 4배속 CD속도 모드에서)
바이어스출력: 1㎽(2배속 및 4배속 CD속도 모드에서)
재생출력: 1.0㎽
블록오류비(BLER)는 직접 덮어쓰기운전이 1,000회 이루어진 후에 측정된다.
결과는 표3과 같았다.
표3에 나타낸 바와같이, 기록운전 및 재생운전이 2배속 CD속도에서 수행될 때, 실시예 1 내지 9에서 블록오류비는 100cps보다 작아, 이들 기록매체를 실용화하는데 문제가 없었다.
기록운전이 4배속 CD속도에서 수행되고 재생운전이 2배속 CD속도에서 수행되는 경우에, 기록층의 조성에서 요소 In의 조성비가 더 증가할수록 블록오류비가 더 커지는 경향이 있었다.
본 발명에 따라 실시예9로서 제작된 디스크형 상변화가능한 광기록매체 9번에서, 제1유전체증의 두께가 70㎚로 얇아서, 780㎚의 파장을 가지는 광에 대하여 디스크 반사율이 0.18 이하였으며, 블록오류비의 증가 때문에 6배속 CD속도에서 재생운전을 수행하는 것이 불가능하였다. 그러나, 재생출력이 1.0에서 1.2㎽로 변화되면 블록오류비는 250cps로 감소되었다.
제1유전체층 | 기록층 | 제2유전체층 | 광반사 및 열방산층 | 보호코팅층 | 경화코팅층 | 재결정화상한 선속도(㎧)* | ||
두께(㎚) | 조성(원자%) | 두께(㎚) | 두께(㎚) | 두께(㎚) | 두께(㎛) | 두께(㎚) | ||
Ag In Sb Te N | ||||||||
실시예1실시예2실시예3실시예4실시예5실시예6실시예7실시예8실시예9 | 1009595959590908070 | 5 9 56 30 05 7 58 30 05 6 60 28 15 5 60 30 04 3 60 33 03 5 62 30 03 5 62 29 11 6 63 28 21 6 65 23 5 | 252225222025302025 | 253035353040202525 | 140150150160160180100120140 | 7-127-127-127-127-127-128-1210-159-15 | 3-63-63-63-63-63-63-63-64-7 | 3.04.73.84.52.84.83.53.94.0 |
비교예1비교예2비교예3비교예4 | 959595100 | 5 17 60 18 08 5 58 27 24 3 58 31 44 3 65 28 0 | 20222216 | 35353540 | 150140150140 | 7-127-127-127-12 | 3-63-63-53-7 | 622.25.5 |
여기에서, (*) 비임출력: 12 ㎽, 파장: 780㎚, NA: 0.5
DOW(*)후 (2배속 CD속도)재생운전중 BLER | DOW(*)후 (6배속 CD속도)재생운전중 BLER | 650㎚의 광에의한 재생 | ||
2배속 CD속도에서 기입(cps)** | 4배속 CD속도에서 기입(cps)** | 2배속 CD속도에서 기입(cps)** | ||
실시예1실시예2실시예3실시예4실시예5실시예6실시예7실시예8실시예9 | 402012121224203236 | 1406032362836565240 | 55021011013010011095330-(***) | ○○○○○○○○○ |
비교예1비교예2비교예3비교예4 | -(***)20050-(***) | -(***)300-(***)200 | -(***)-(***)500-(***) | ○○○○ |
여기에서,
(*) BLER은 블록오류율(block error rate)
DOW는 직접기입(direct overwiting)
(**) cps는 초당 계수(count per second)
(***) 재생운전이 불가능함을 나타낸다.
상술한 바와같이 본 발명에 의하면, 취급하기 용이하고, DVD와 완전한 재생호환성을 가지며, 선속도 영역 1.2∼5.6㎧에서 전반적으로 우수한 특성을 가진다.
Claims (11)
- 기판, 제1유전체층, 기록층, 제2유전체층, 광반사 및 방열층, 및 보호코팅층을 포함하고, 상기 제1유전체층, 상기 기록층, 상기 제2유전체층, 상기 광반사 및 방열층, 및 상기 보호코팅층이 상기 기판상에 연속적으로 적층되며,상기 기록층은,(1) 구성요소로서 Ag, In, Sb, Te 및 N 및/또는 O를 포함하는 상변화형 기록물질을 포함하고, 이들 각 요소에 대한 원자% α, β, γ, δ 및 ε(N 및/또는 O의 전체 원자%)의 관계가,0 < α ≤ 6,3 ≤ β ≤ 15,50 ≤ γ ≤ 65,20 ≤ δ ≤ 35,0 ≤ ε ≤ 5,α+β+γ+δ+ε=100이고,(2) 재결정화 상한 선속도가 2.5∼5.0㎧의 범위에 있는 것을 특징으로 하는, 정보의 기록 및 소거가 가능한 광기록매체.
- 제1항에 있어서, 780±15㎚의 파장을 가지는 재생광과 640±15㎚의 파장을 가지는 재생광의 각각에 대한 그루브 반사율이 0.18이상임을 특징으로 하는 광기록매체.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은, 광기록매체용으로 미리 결정된 최적 기록출력을 포함하는 예-그루브 데이터(ATIP 데이터)에서 절대시간을 견딤을 특징으로 하는 광기록매체.
- 제1항에 있어서, 상변화형 기록재료가 기록매체의 초기화를 위해 재결정화되어질 때, 상기 기록층은 포화그루브 반사율에 대한 95%이상의 그루브 반사율을 가짐을 특징으로 하는 광기록매체.
- 제1항에 있어서, 상기 기록층은, 미리 결정된 소정의 초기화출력을 갖는 초기화광을 사용하여, 상기 기록매체를 초기화시키도록 사용된 초기화장치를 동일화시키기 위한 동일화정보를 가짐을 특징으로 하는 광기록매체.
- 제5항에 있어서, 상기 동일화정보는, 상기 초기화광의 초기화출력을 변조함에 의해 얻어진 광비임을 사용하여 상기 기판의 비그루브 표면상에 마크형상으로 기입됨을 특징으로 하는 광기록매체.
- 제1항에 있어서, 상기 기판에 대한 제1유전체층 반대쪽에, 상기 기판의 비그루므 표면상에 갖추어지는 경화코팅층을 더 포함함을 특징으로 하는 광기록매체.
- 제7항에 있어서, 상기 경화코팅층은 2∼6㎛의 두께와, H 이상의 연필경도를 가짐을 특징으로 하는 광기록매체.
- 제7항에 있어서, 상기 경화코팅층은 경화되어지기 전에 실온에서 40cps 이상의 점도를 가지는 경화된 UV-경화코팅수지를 포함함을 특징으로 하는 광기록매체.
- 2.4∼5.6㎧의 범위내에 있는 선속도로 정보를 기록할 수 있고, 그로부터 기록된 정보를 소거하며, 상변화형 광기록매체는, 기판, 제1유전체층, 기록층, 제2유전체층, 광반사 및 방열층, 및 보호코팅층을 포함하고, 상기 제1유전체층, 상기 기록층, 상기 제2유전체층, 상기 광반사 및 방열층, 및 상기 보호코팅층이 상기 기판상에 연속적으로 적층되며, 상기 기록층은, (1) 구성요소로서 Ag, In, Sb, Te 및 N 및/또는 O를 포함하는 상변화형 기록물질을 포함하고, 이들 각 요소에 대한 원자% α, β, γ, δ 및 ε(N 및/또는 O의 전체 원자%)의 관계가,0 < α ≤ 6,3 ≤ β ≤ 15,50 ≤ γ ≤ 65,20 ≤ δ ≤ 35,0 ≤ ε ≤ 5,α+β+γ+δ+ε=100이고,(2) 2.4∼2.8의 범위내에 있는 선속도에서의 소거출력(P2e)/기입출력(P2w)의 비가 4.8∼5.6의 범위내에 있는 선속도에서의 소거출력(P4e)/기입출력(P4w)의 비보다 큰 조건에서, 재결정화 상한 선속도가 2.5∼5.0㎧의 범위에 있는 것을 특징으로 하는, 상변화형 기록매체에 정보를 기록하는 방법.
- 재생선속도에 부합하여 기록된 정보를 재생하도록 재생광의 재생광출력을 제어함에 의해 기록된 정보를 재생하는 것이 가능하고, 상변화형 광기록매체는, 기판, 제1유전체층, 기록층, 제2유전체층, 광반사 및 방열층, 및 보호코팅층을 포함하고, 상기 제1유전체층, 상기 기록층, 상기 제2유전체층, 상기 광반사 및 방열층, 및 상기 보호코팅층이 상기 기판상에 연속적으로 적층되며, 상기 기록층은, (1) 구성요소로서 Ag, In, Sb, Te 및 N 및/또는 O를 포함하는 상변화형 기록물질을 포함하고, 이들 각 요소에 대한 원자% α, β, γ, δ 및 ε(N 및/또는 O의 전체 원자%)의 관계가,0 < α ≤ 6,3 ≤ β ≤ 15,50 ≤ γ ≤ 65,20 ≤ δ ≤ 35,0 ≤ ε ≤ 5,α+β+γ+δ+ε=100이고,(2) 2.4∼2.8의 범위내에 있는 선속도에서의 소거출력(P2e)/기입출력(P2w)의 비가 4.8∼5.6의 범위내에 있는 선속도에서의 소거출력(P4e)/기입출력(P4w)의 비보다 큰 조건에서, 재결정화 상한 선속도가 2.5∼5.0㎧의 범위에 있는 것을 특징으로 하는, 상변화형 기록매체에 기록된 정보의 재생방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-239557 | 1997-08-15 | ||
JP23955797 | 1997-08-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990023626A true KR19990023626A (ko) | 1999-03-25 |
KR100294586B1 KR100294586B1 (ko) | 2001-07-31 |
Family
ID=17046580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980033148A KR100294586B1 (ko) | 1997-08-15 | 1998-08-14 | 광기록매체및이를이용한기록및재생방법 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5974025A (ko) |
EP (2) | EP0898272B1 (ko) |
KR (1) | KR100294586B1 (ko) |
AU (1) | AU720280B2 (ko) |
DE (2) | DE69814761T2 (ko) |
ES (2) | ES2198620T3 (ko) |
SG (1) | SG72852A1 (ko) |
TW (1) | TW376517B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100748492B1 (ko) * | 2001-02-13 | 2007-08-13 | 엘지전자 주식회사 | 상변화형 광디스크의 초기화방법 |
KR100753968B1 (ko) * | 1999-08-18 | 2007-08-31 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 다시 쓰기 가능한 광학 정보 기록매체 |
Families Citing this family (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6143396A (en) * | 1997-05-01 | 2000-11-07 | Texas Instruments Incorporated | System and method for reinforcing a bond pad |
JPH11162010A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Nec Corp | 相変化記録媒体及びその記録再生方法 |
JP2000137928A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体および光記録方法 |
US6600725B1 (en) * | 1998-12-16 | 2003-07-29 | At&T Corp. | Apparatus and method for providing multimedia conferencing services with selective information services |
JP2000195112A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Ricoh Co Ltd | 相変化型情報記録媒体の初期化方法 |
US6511788B1 (en) * | 1999-02-12 | 2003-01-28 | Sony Corporation | Multi-layered optical disc |
US20020101816A1 (en) * | 1999-05-20 | 2002-08-01 | Michael F. Braitberg | Removable optical storage device and system |
JP2000339751A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Ricoh Co Ltd | 相変化形光記録媒体 |
ES2155396B1 (es) * | 1999-06-04 | 2001-12-16 | Consejo Superior Investigacion | Procedimiento de identificacion de toxinas psp mediante espectrometria de masas con ionizacion por nanospray. |
JP2000348378A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体および該光記録媒体を使用した記録方法 |
JP3765200B2 (ja) * | 1999-06-11 | 2006-04-12 | 株式会社リコー | 光ディスクのフォーマット方法とそれによりフォーマットされた光ディスク |
JP2001101660A (ja) | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体及び光記録媒体の記録方法 |
EP1117094B1 (en) * | 2000-01-17 | 2012-11-21 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Recording method for phase-change recording medium |
JP3839213B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2006-11-01 | 株式会社リコー | 相変化型光記録媒体の記録方法および記録再生装置 |
JP3839635B2 (ja) * | 2000-03-03 | 2006-11-01 | 株式会社リコー | 光情報記録方法、光情報記録装置及び光情報記録媒体 |
JP3790673B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2006-06-28 | Tdk株式会社 | 光記録方法、光記録装置および光記録媒体 |
JP2001319370A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Nec Corp | 相変化光ディスク |
US9990030B2 (en) | 2000-05-19 | 2018-06-05 | Edged Display Management Llc | Apparatus for the display of embedded information |
US7429965B2 (en) * | 2000-05-19 | 2008-09-30 | Technology Innovations, Llc | Apparatus for the display of embedded information |
US6592958B2 (en) | 2000-05-25 | 2003-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and sputtering target for fabricating the recording medium |
US6274463B1 (en) * | 2000-07-31 | 2001-08-14 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of a photoconductive or a cathoconductive device using lateral solid overgrowth method |
US6886177B2 (en) * | 2000-08-14 | 2005-04-26 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change type optical information recording medium |
TW556185B (en) * | 2000-08-17 | 2003-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information recording medium and the manufacturing method thereof, record reproduction method and record reproduction device |
US7507523B2 (en) | 2000-09-28 | 2009-03-24 | Ricoh Company, Ltd | Optical information recording medium, method of manufacturing the optical information recording medium, and method of and apparatus for recording/reproducing optical information |
JPWO2002043058A1 (ja) | 2000-11-27 | 2004-04-02 | Tdk株式会社 | 光記録媒体の検査方法及び光記録媒体の製造方法 |
KR20020079820A (ko) * | 2000-12-04 | 2002-10-19 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 최적 기록전력을 결정하기 위한 방법 및 광 기록장치 |
US7133331B2 (en) * | 2000-12-28 | 2006-11-07 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
EP1229530A3 (en) | 2001-02-01 | 2006-10-18 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
JP2002237096A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
US20020160305A1 (en) * | 2001-03-08 | 2002-10-31 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium, method of writing and erasing information using the same, and process of producing the same |
US7512052B2 (en) * | 2001-03-16 | 2009-03-31 | Ricoh Company, Ltd. | Formatting of phase-change optical disc for improved signal characteristics |
JP4091262B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2008-05-28 | 日立マクセル株式会社 | 情報記録媒体および情報記録媒体の製造方法 |
US7027382B2 (en) | 2001-06-26 | 2006-04-11 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium having relation between reflection layer and pit lengths |
US7123569B2 (en) * | 2001-09-04 | 2006-10-17 | Imation Corp. | Optical data storage medium |
EP1429318A1 (en) * | 2001-09-18 | 2004-06-16 | Sony Corporation | Recording medium recording method and recording medium |
CN1410972A (zh) * | 2001-09-25 | 2003-04-16 | 株式会社理光 | 光信息记录媒体,信息消去方法,信息记录方法及装置 |
DE10151853C1 (de) * | 2001-10-24 | 2003-03-20 | Ge Bayer Silicones Gmbh & Co | Verfahren zur Kratzfestbeschichtung von optischen Speichermedien |
CN100392729C (zh) * | 2002-01-22 | 2008-06-04 | 松下电器产业株式会社 | 多层信息记录媒介的记录方法 |
CN1290106C (zh) * | 2002-03-07 | 2006-12-13 | 株式会社理光 | 光记录媒体及其制造方法 |
JP3771859B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2006-04-26 | 株式会社リコー | 光情報記録方法及び光情報記録装置 |
JP3852408B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2006-11-29 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
JP2004046966A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体、記録条件決定方法、光情報記録装置及び情報処理装置 |
US7351516B2 (en) * | 2002-11-06 | 2008-04-01 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
JP2004272995A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Tdk Corp | 光ディスクおよびその製造方法 |
JP2004272994A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Tdk Corp | 光ディスクおよびその製造方法 |
JP2004272993A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Tdk Corp | 光ディスクおよびその製造方法 |
JP2005025910A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Nec Corp | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
EP1665245B1 (en) * | 2003-07-07 | 2016-05-18 | LG Electronics, Inc. | Method of recording data on an optical disc |
EP1644926A1 (en) * | 2003-07-07 | 2006-04-12 | Lg Electronics Inc. | Recording medium, method of configuring control information thereof, recording and/or reproducing method using the same, and apparatus thereof |
CA2474995C (en) | 2003-07-07 | 2011-11-22 | Lg Electronics Inc. | Recording medium, method of configuring control information thereof, recording and/or reproducing method using the same, and apparatus thereof |
KR100953637B1 (ko) | 2003-07-07 | 2010-04-20 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크 및 광디스크의 디스크정보 기록방법 |
KR100939717B1 (ko) | 2003-07-08 | 2010-02-01 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크 및 광디스크의 디스크정보 기록방법 |
EP1858009B1 (en) * | 2003-07-07 | 2013-03-27 | LG Electronics Inc. | Method of recording control information on multi layer recording medium, multi layer recording medium and apparatus thereof |
KR100959529B1 (ko) | 2003-07-08 | 2010-05-27 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크 및 광디스크의 기록매질 식별정보 기록방법 |
US7684295B2 (en) | 2003-07-08 | 2010-03-23 | Lg Electronics, Inc. | Recording medium, method of recording control information on a recording medium, method of recording/reproducing data using control information, and apparatus for recording/reproducing data using control information |
KR100976473B1 (ko) * | 2003-07-08 | 2010-08-18 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크 및 광디스크의 디스크정보 기록방법 |
US7564760B2 (en) | 2003-07-09 | 2009-07-21 | Lg Electronics, Inc. | Recording medium, method of configuring disc control information thereof, recording and reproducing method using the same, and apparatus thereof |
JP2005044491A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-17 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体およびその製造方法 |
KR101024904B1 (ko) | 2003-08-14 | 2011-03-31 | 엘지전자 주식회사 | 기록매체, 기록방법, 기록장치 및 기록재생시스템 |
ATE467889T1 (de) | 2003-08-14 | 2010-05-15 | Lg Electronics Inc | Aufzeichnungsmedium, konfigurationsverfahren für diesbezügliche steuerinformation, aufzeichnungs- und wiedergabeverfahren sowie gerät dafür |
AU2003303081B8 (en) | 2003-08-14 | 2009-02-26 | Lg Electronics Inc. | Recording medium, method of configuring control information thereof, recording and/or reproducing method using the same, and apparatus thereof |
DE602004026224D1 (de) | 2003-08-14 | 2010-05-06 | Lg Electronics Inc | Aufzeichnungsmedium, Konfigurationsverfahren für diesbezügliche Steuerinformation, Aufzeichnungs- und Wiedergabeverfahren sowie Gerät dafür |
US20050221050A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-10-06 | Michiaki Shinotsuka | Two-layered optical recording medium, method for manufacturing the same, and, method and apparatus for optical recording and reproducing using the same |
US7488701B2 (en) | 2004-03-29 | 2009-02-10 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium, manufacturing method thereof and image processing method |
US7767284B2 (en) * | 2004-04-28 | 2010-08-03 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and, method for manufacturing the same, and method and apparatus for optical recording and reproducing thereof |
BRPI0510788A (pt) | 2004-05-13 | 2007-11-20 | Lg Electronics Inc | meio de gravação, método e aparelho de leitura/gravação de meio de gravação |
JP4382646B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2009-12-16 | 株式会社リコー | 光記録媒体とその製造方法 |
KR101041809B1 (ko) | 2004-07-27 | 2011-06-17 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크 및 광디스크 제어정보 구성방법 및 이를 이용한광디스크 기록재생방법과 장치 |
TW200615935A (en) * | 2004-11-02 | 2006-05-16 | Ritek Corp | One-time writing high-density optical information recording medium |
US20060174256A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-03 | Tohru Yashiro | Optical recording medium, production method thereof, and, method and apparatus for recording and reproducing optical recording medium |
JP2006313077A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Ricoh Co Ltd | 光学積層体検査方法,光学積層体製造方法および光学積層体検査装置ならびに光学積層体製造装置 |
TW200809851A (en) * | 2006-04-25 | 2008-02-16 | Victor Company Of Japan | Optical storage medium |
WO2007136513A1 (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Nova Chemicals Inc. | Multilayered structures and their use as optical storage media |
CN101479793B (zh) * | 2006-07-04 | 2011-11-09 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于以不同读取速度从光学记录载体读取信息的方法与设备 |
US8339911B2 (en) * | 2006-07-04 | 2012-12-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for retrieving information from an optical record carrier at various reading speeds |
WO2009040239A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-04-02 | Thomson Licensing | Recordable optical recording medium |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63200340A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
JPH01205743A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-08-18 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
US5080947A (en) * | 1987-12-25 | 1992-01-14 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording medium |
JP2941848B2 (ja) * | 1988-07-20 | 1999-08-30 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
US5024927A (en) * | 1988-10-06 | 1991-06-18 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording medium |
US5100700A (en) * | 1989-03-10 | 1992-03-31 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording medium |
JP2815659B2 (ja) * | 1990-03-06 | 1998-10-27 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
JPH05151619A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-06-18 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体及び記録方法 |
JP3693125B2 (ja) * | 1993-12-13 | 2005-09-07 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
JP2990011B2 (ja) * | 1994-03-29 | 1999-12-13 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
JPH08216522A (ja) * | 1995-02-09 | 1996-08-27 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
US5736657A (en) * | 1995-03-31 | 1998-04-07 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target |
JP3150267B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2001-03-26 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
JPH08315418A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体及びその製造方法 |
DE69731411T2 (de) * | 1996-06-14 | 2006-03-02 | Mitsubishi Chemical Corp. | Optische Phasenänderungsscheibe |
US5876822A (en) * | 1996-06-27 | 1999-03-02 | U.S. Philips Corporation | Reversible optical information medium |
JPH10166738A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-23 | Tdk Corp | 光記録材料および光記録媒体 |
-
1998
- 1998-08-13 SG SG1998003069A patent/SG72852A1/en unknown
- 1998-08-13 TW TW087113331A patent/TW376517B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-08-13 US US09/133,378 patent/US5974025A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-14 ES ES98115351T patent/ES2198620T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-14 AU AU80002/98A patent/AU720280B2/en not_active Ceased
- 1998-08-14 DE DE69814761T patent/DE69814761T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-14 EP EP98115351A patent/EP0898272B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-14 DE DE69829228T patent/DE69829228T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-14 KR KR1019980033148A patent/KR100294586B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-08-14 EP EP01122245A patent/EP1172810B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-14 ES ES01122245T patent/ES2236104T3/es not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100753968B1 (ko) * | 1999-08-18 | 2007-08-31 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 다시 쓰기 가능한 광학 정보 기록매체 |
KR100748492B1 (ko) * | 2001-02-13 | 2007-08-13 | 엘지전자 주식회사 | 상변화형 광디스크의 초기화방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG72852A1 (en) | 2000-05-23 |
US5974025A (en) | 1999-10-26 |
AU8000298A (en) | 1999-02-25 |
KR100294586B1 (ko) | 2001-07-31 |
EP1172810A2 (en) | 2002-01-16 |
ES2198620T3 (es) | 2004-02-01 |
DE69829228T2 (de) | 2006-04-06 |
EP0898272A2 (en) | 1999-02-24 |
DE69829228D1 (de) | 2005-04-07 |
EP0898272A3 (en) | 1999-05-19 |
AU720280B2 (en) | 2000-05-25 |
DE69814761T2 (de) | 2004-04-08 |
EP0898272B1 (en) | 2003-05-21 |
ES2236104T3 (es) | 2005-07-16 |
EP1172810A3 (en) | 2002-01-30 |
TW376517B (en) | 1999-12-11 |
EP1172810B1 (en) | 2005-03-02 |
DE69814761D1 (de) | 2003-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100294586B1 (ko) | 광기록매체및이를이용한기록및재생방법 | |
US6115352A (en) | Optical information recording medium capable of rewriting data at low reflectance and deterioration condition | |
US7611762B2 (en) | Optical recording medium | |
US20060078825A1 (en) | Optical recording medium and method for recording data in the same | |
JP2002358691A (ja) | 光情報記録媒体、光情報記録再生方法、光情報記録再生装置、及び光情報記録媒体の製造方法 | |
EP1296315B1 (en) | Phase change optical information recording medium, information recording method and apparatus therefor, and information erasing method therefor | |
US20070037093A1 (en) | Information-recording medium | |
EP1414029A2 (en) | Optical recording medium and method for manufacturing the same | |
US5876822A (en) | Reversible optical information medium | |
JP3782223B2 (ja) | 光記録媒体及びこれの記録再生方法 | |
JP2003072244A (ja) | ライト・ワンスアプリケーション用の相変化記録素子 | |
US20060233998A1 (en) | Optical recording medium, method for manufacturing the same, sputtering target, method for using optical recording medium, and optical recording apparatus | |
EP1058248A2 (en) | Optical recording medium and recording method using the medium | |
JP3949492B2 (ja) | 光記録媒体、これの製造方法体及びこの光記録媒体の記録再生方法 | |
JPH08329521A (ja) | 光記録媒体 | |
JP3969613B2 (ja) | 相変化型光記録媒体の製造方法 | |
US6735165B1 (en) | Rewritable optical information medium | |
EP1695839A1 (en) | Optical recoding medium and its manufacturing method, sputtering target, usage of optical recording medium, and optical recording/reproducing apparatus | |
JPH08249721A (ja) | 光記録媒体 | |
JP2003200666A (ja) | 光記録媒体及びこれの記録再生方法 | |
US20050227176A1 (en) | Rewritable optical storage medium and use of such medium | |
JP2001297481A (ja) | 相変化形光記録媒体 | |
JPH11144310A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
JP2002157778A (ja) | 記録再生テスト用光記録媒体 | |
JP2002245679A (ja) | 光情報記録媒体、その初期化方法及び初期化装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130404 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140410 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160407 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170406 Year of fee payment: 17 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |