JP2003200666A - 光記録媒体及びこれの記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＤＶＤディスクとの再生互換が行なえる書き
換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）に有用な
相変化形光記録媒体を提供する。 【解決手段】 円盤状の基板上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、金属又は合金属、ＵＶ硬化樹脂層、
該記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ及び
Ｎおよび／またはＯであり、それぞれの組成比α、β、
γ、δ、ε（εはＮとＯの合計）（原子％）が ０＜α≦６ ３≦β≦１５ ５０≦γ≦６５ ２０≦δ≦３５ ０≦ε≦５ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００ であって、この記録層の再結晶化上限線速度が２．５〜
５．０ｍ／ｓであることを特徴とする光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体、特に光
ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生じ
させ、情報の記録・再生を行い、かつ書き換えが可能で
ある相変化形光情報記録媒体、及びこれの再生方法に関
し、光メモリー関連機器、特に書き換えに可能なコンパ
クトディスク（ＣＤ−ＲＷ）に応用されるものである。

【０００２】

【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る記録、再生および消去が可能な光メモリー媒体のひと
つとして、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知
られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビーム
によるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学
系もより単純であることなどから最近その研究開発が活
発になっている。

【０００３】その代表的な例として、ＵＳＰ３５３０４
４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ
−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、
Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料があげ
られる。また安定性、高速結晶化などの向上を目的にし
て、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２
号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０
号）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号）などを添加し
た材料の提案や、記録／消去のくり返し性能向上を目的
にして、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの
組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特
開昭６３−２２８４３３号）の提案などもなされてい
る。しかし、そのいずれもが相変化形書換可能な光メモ
リー媒体として要求される諸特性のすべてを満足しうる
ものとはいえない。特に、記録感度、消去感度の向上、
オーバーライト時の消し残りによる消去比低下の防止、
ならびに記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重
要課題となっている。

【０００４】特開昭６３−２５１２９０号では結晶状態
が実質的に三元以上の多元化合物単層からなる記録層を
具備した光記録媒体が提案されている。ここで、実質的
に三元以上の多元化合物単層とは、三元以上の化学量論
組成を持った化合物（例えばＩｎ₃ＳｂＴｅ₂）を記録層
中に９０原子％以上含むものとされている。このような
記録層を用いることにより記録、消去特性の向上が図れ
るとしている。しかしながら消去比が小さい、記録消去
に要するレーザーパワーが未だ充分に低減されていない
などの欠点を有している。

【０００５】さらに、特開平１−２７７３３８号には
（ＳｂａＴｅ₁−ａ）₁−ｙＭｙ（ここで０．４≦ａ≦
０．７、ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａ
ｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓ
ｅ、Ｓｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群より選ばれる少なく
とも１種である。）で表される組成の合金からなる記録
層を有する光記録媒体が提案されている。この系の基本
はＳｂ₂Ｔｅ₃であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速
消去、繰り返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消
去を促進させている。加えて、ＤＣ光による消去比も大
きいとしている。しかし、この文献にはオーバーライト
時の消去比は示されておらず（本発明者らの検討結果で
は消し残りが認められた）、記録感度も不十分である。

【０００６】同様に、特開昭６０−１７７４４６号では
記録層に（Ｉｎ_1-xＳｂｘ）_1-yＭｙ（０．５５≦ｘ≦
０．８０、０≦ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｔ
ｅ、Ｓｅ、Ｂｉである。）なる合金を用い、また、特開
昭６３−２２８４３３号では記録層にＧｅＴｅ−Ｓｂ₂
Ｔｅ₃−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いているが、いずれ
も感度、消去等の特性を満足するものではなかった。加
えて、特開平４−１６３８３９号には記録薄膜Ｔｅ−Ｇ
ｅ−Ｓｂを合金にＮを含有させることによって形成し、
特開平４−５２１８８号には記録薄膜をＴｅ−Ｇｅ−Ｓ
ｅ合金にこれら成分のうちの少なくとも１つが窒化物と
なっているものを含有させて形成し、特開平４−５２１
８９号には記録薄膜がＴｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合金にＮを吸着
させることによって形成し、これら記録薄膜をそれぞれ
設けた光記録媒体が記載されている。しかし、これらの
光記録媒体でも十分な特性を有するものを得ることがで
きていない。

【０００７】これまでみてきたように、光記録媒体にお
いては、特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。

【０００８】一方、近年ＣＤ（コンパクトディスク）の
急速な普及にともない、一回だけの書き込みが可能な追
記型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が開発され、市場
に普及されはじめた。しかし、ＣＤ−Ｒでは書き込み時
に一度でも失敗すると修正不可能なため、そのディスク
は使用不能となってしまい廃棄せざるを得ない。したが
って、その欠点を補える書き換え可能なコンパクトディ
スクの実用化が待望されていた。研究開発された一つの
例として、光磁気ディスクを利用した書き換え可能なコ
ンパクトディスクがあるが、オーバーライトの困難さ
や、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒとの互換がとりにくい等と
いった欠点を有するため、原理的に互換確保に有利な相
変化形光ディスクの実用化開発が活発化してきた。

【０００９】相変化形光ディスクを用いた書き換え可能
なコンパクトディスクの研究発表例としては、古谷
（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿
集、７０（１９９２）、神野（他）：第４回相変化記録
研究会シンポジウム講演予稿集、７６（１９９２）、川
西（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予
稿集、８２（１９９２）、Ｔ．Ｈａｎｄａ（ｅｔ ａ
ｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１９
９３）、米田（他）：第５回相変化記録研究会シンポジ
ウム講演予稿集、９（１９９３）、富永（他）：第５回
相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、５（１９９
３）のようなものもあるが、いずれも、ＣＤ−ＲＯＭ、
ＣＤ−Ｒとの互換性確保、記録消去性能、記録感度、書
き替えの繰り返し可能回数、再生回数、保存安定性等、
総合性能を充分満足させるものではなかった。それらの
欠点は、主に記録材料の組成、構造に起因する消去比の
低さによるところが大きかった。

【００１０】これらの事情から消去比が大きく、高感度
の記録、消去に適する相変化形記録材料の開発、さらに
は高性能で書き換え可能な相変化形コンパクトディスク
が望まれていた。本発明者等は、それらの欠点を解決す
る新材料として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を見出し
提案してきた。その代表例としては、特開平４−７８０
３１号、特開平４−１２３５５１号、Ｈ．Ｉｗａｓａｋ
ｉ（ｅｔ ａｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，３１（１９９２）４６１、井手（他）：第３回相
変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、１０２（１９
９１）、Ｈ．Ｉｗａｓａｋｉ（ｅｔ ａｌ）：Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１９９３）５２４１
等があげられる。また、１９９６年１０月には、書き換
え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）の規格とし
て、オレンジブックパートIII（ｖｅｒ１．０）が発行
された。

【００１１】一方、近年デジタルビデオディスク（ＤＶ
Ｄ）およびＤＶＤ−ＲＡＭ等の開発も活発に行われてお
り、２１世紀初期の主要光記録媒体として注目されてい
る。このような環境下で、書き換え可能なコンパクトデ
ィスクに、ＤＶＤとの再生互換も要求されるようになっ
た。これまでに開発されてきたＣＤ−ＲＷの記録信号
は、ＤＶＤの再生波長である６５０ｎｍ付近での反射率
および変調度が小さく十分な信号特性が得られていな
い。オレンジブックパートIII（ｖｅｒ１．０）は、２
×線速度記録（２．４〜２．８ｍ／ｓ）のＣＤ−ＲＷに
対する規格であるが、このような低線速度の記録では、
記録時間が長くかかってしまい、より高速記録の書き換
え可能なコンパクトディスクが望まれている。

【００１２】最近、ＣＤ−ＲＷディスクの開発ととも
に、ＣＤ−ＲＷドライブの開発も進んでおり、それらの
マッチング試験も行われるようになった。これらの試験
の結果、ドライブの中には、ＣＤ６×速度（７．２ｍ／
ｓ）以上の線速度での再生ではエラーが急増することが
わかり、高線速度再生が困難であるものが存在すること
が分かった。また、ドライブのなかには、オレンジブッ
クパートIIIに記載のγ法では、ＣＤ−ＲＷディスクへ
の最適記録パワーを決定することができないものも存在
することがわかった。ＣＤ−ＲＷディスク等の相変化形
光記録媒体は、記録層の結晶化処理という初期化工程を
有する。初期化状態は、光記録媒体のオーバーライト特
性に敏感に影響し、初期化装置依存性も大きい。しか
し、その初期化状態の管理および製造時の初期化装置と
ディスクとのトレーサビリディー管理は充分に開発され
ていない。

【００１３】これらＣＤ−ＲＷディスクは、ＣＤ−ＲＯ
Ｍディスクと同様に、円盤状のディスクを直接手で扱う
ため、ディスク表面および裏面に油分やごみが付着す
る。その際、これらを拭き取るために、布等で拭き取る
ことが想定される。その時、ＣＤ−ＲＷディスクの標準
的な基板であるポリカーボネートでは傷がついてしま
い、その大きさによっては、記録および再生ができなく
なってしまう。その対策として、光記録媒体の非グルー
ブ面（鏡面）にＵＶ硬化樹脂層（ハードコート層）を設
けることが知られており、光磁気ディスク等では、既に
用いられている。この際、ハードコート層の塗りはじめ
は、基板の金型跡とグループ端の間としなければならな
い。その技術をＣＤ−ＲＷディスク等の相変化形ディス
クに応用した場合、わずかなハードコート層の塗りムラ
は、初期化不良を生じ、実際の商品に用いられることが
なかった。特に、ＣＤ−ＲＷディスク等のＣＤ系光ディ
スクでは、グループ端が半径２２ｍｍと光磁気記録媒体
の２５ｍｍよりも３ｍｍも内側にきており、グループ端
と基板の金型跡がわずか２ｍｍと近接しており、再現性
よく、安定にハードコート層を設けることができなかっ
た。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】これらの開示技術によ
り、ＡｇＩｎＳｂＴｅを記録層とすることによって極め
て優れた性能を有する相変化形光ディスクを獲得できる
ことは既に明らかであったが、ＣＤ−Ｒとの互換性確保
等、上記総合性能を完璧に満足し、新たな市場を形成し
えるに足る相変化形光ディスクの作製技術を完成させる
ためには、さらなる改良が望まれていた。

【００１５】したがって、本発明の第一の目的は、上記
従来技術における問題をすべて解消し、かつＤＶＤディ
スクとの再生互換を確保できる取り扱いの容易な光記録
媒体を提供することにある。本発明の第二の目的は、デ
ィスク回転速度が１．２ｍ／ｓから５．６ｍ／ｓの領域
で記録消去を行う最適な光記録媒体を提供することにあ
る。本発明の第三の目的は、ＣＤ−ＲＷディスクのドラ
イブとのマッチングを向上させたＣＤ−ＲＷディスクを
提供することにある。本発明の第四の目的は、ＣＤ−Ｒ
Ｗディスクの製造工程における安定性、歩留りの向上が
図られる光記録媒体を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは光記録媒体
の改善に鋭意研究を重ねた結果、前記課題の解決に合致
する光記録媒体を見出した。すなわち、本発明によれば （１）円盤状の基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘
電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂層の順に積層し
てなる光記録媒体において、該記録層の構成元素が主に
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＮ及び／又はＯであり、そ
れぞれの組成比α、β、γ、δ、ε（εはＮとＯの合
計）（原子％）が ０＜α≦６ ３≦β≦１５ ５０≦γ≦６５ ２０≦δ≦３５ ０≦ε≦５ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００ であって、この記録層の再結晶化上限線速度が２．５〜
５．０ｍ／ｓであることを特徴とする光記録媒体が提供
される。

【００１７】また本発明によれば、（２）７８０±１５
ｎｍと６５０±１５ｎｍの再生波長のそれぞれの反射率
が１８％以上であることを特徴とする上記（１）の光記
録媒体、（３）書き換え型コンパクトディスク（ＣＤ−
ＲＷ）の記録方法であるγ法で、最適記録パワーが見出
せなかった場合に選択すべき所定の記録パワーをあらか
じめ基板のＡＴＩＰ情報に有することを特徴とする上記
（１）の光記録媒体、（４）初期化後の反射率がその光
記録媒体の最高到達反射率の９５％以上であることを特
徴とする上記（１）の光記録媒体、（５）半径２２ｍｍ
以内に光記録媒体の製造における初期化工程で記録され
た情報を有することを特徴とする上記（１）の光記録媒
体、（６）初期化工程で記録する情報が初期化パワーの
変調による反射率のコントラストを利用するものである
ことを特徴とする上記（５）の光記録媒体、（７）膜厚
２〜６μｍ、鉛筆硬度Ｈ以上のＵＶ硬化樹脂層が非グル
ーブ面（鏡面）に有する書き換え型コンパクトディスク
（ＣＤ−ＲＷ）において、その最内周が２２．０ｍｍ以
下であり、該ＵＶ硬化樹脂層を形成する硬化前のＵＶ硬
化樹脂の室温粘度が４０ｃｐｓ以上であることを特徴と
する上記（１）の光記録媒体、（８）２．４〜５．６ｍ
／ｓの線速度で記録可能なＣＤ−ＲＷディスクにおい
て、２．４〜２．８ｍ／ｓの消去パワー／書き込みパワ
ー（Ｐ₂ｅ／Ｐ₂ｗ）が４．８〜５．６ｍ／ｓの消去パワ
ー／書き込みパワー（Ｐ₄ｅ／Ｐ₄ｗ）より大きいことを
特徴とする上記（１）〜（７）の光記録媒体の記録方
法、（９）記録の再生が再生線速の増減に応じて再生光
パワーを増減させて行なうことを特徴とする上記（１）
〜（７）の光記録媒体の再生方法、が提供される。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明の再結晶化上限線速度とは、本発明者らが
見出した相変化形光記録媒体の新規な特性値である。こ
の特性値は、所定の線速度で走査している相変化形光記
録媒体の記録層が光ビームの照射によって溶融したあと
に、再結晶化できる上限の線速度のことである。光ビー
ムは、ライターに搭載されているものと類似の半導体レ
ーザーの光ビームを用いる。再結晶化上限線速度は、所
定の線速で走査している相変化形光記録媒体のグルーブ
またはランドに光ビームを照射したあとのグルーブまた
はランドの反射率の線速度依存性から求められる。その
測定結果は、一般的には図９のようになる。このとき、
光ビーム照射線速度の増大とともに、急激に反射率が減
少しはじめる線速度（図９では、３．５ｍ／ｓ）を再結
晶化上限線速度とする。本発明で定義している再結晶化
上限線速度は、光ビームのパワーやビームの大きさによ
っても幾分異なり、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５程度の
ピックアップで最大±０．５ｍ／ｓ程度の違いがある。
再結晶化線速度は、相変化形光記録媒体の性能を左右す
る。再結晶化線速度が２．５ｍ／ｓより小さいと、高速
で再結晶化できないため、初期化プロセスに時間がかか
ってしまい実用的でない。また、ＣＤ４×速度での記録
では、消去の際、非晶質してしまう。一方、再結晶化線
速度が５．０ｍ／ｓを超えてしまうと、記録する際、非
晶質化が不十分となり、良好な信号特性が得られなくな
る。

【００１９】相変化形光記録媒体を本発明の再結晶化上
限線速度に制御するためには、第１誘電体層、記録層、
第２誘電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂層の順に
積層した円盤状基板の基板温度を８０℃以下にすること
が望ましい。基板温度が８０℃を越えると、誘電体層お
よびまたは記録層が部分的に結晶化し所望の再結晶化上
限速度から外れたり、図９に示したような反射率が減少
する線速度が見出せなくなってしまう。また、そのメカ
ニズムは詳細に分かっていないが、記録層の製膜速度も
再結晶化上限速度を左右することが分かった。製膜速度
が小さいと再結晶化線速度が遅くなることが分かった。
所望の再結晶化上限線速度を得るためには、記録層の製
膜速度を２ｎｍ／ｓから３０ｎｍ／ｓとすることが望ま
しい。２ｎｍ／ｓ以下の製膜速度では、再結晶化線速度
が２ｍ／ｓ以下に、３０ｎｍ／ｓ以上では、再結晶化線
速度が５ｍ／ｓ以上となってしまう。本発明の記録層組
成範囲であっても図９のような反射率が減少する線速度
が見出せないものもある。それは、光ビームの照射で、
記録層の融点以上に加熱できない場合や記録層は溶融す
るが再結晶化が速すぎて、評価線速領域では反射率の低
下が見出せないときなどがある。

【００２０】本発明の光記録媒体の代表例を図１に示
す。基本的な構成は、案内溝を有する基板１上に第１誘
電体層（第１保護層）２、記録層３、第２誘電体層（第
２保護層）４、又はは合金層（反射放熱層）５、ＵＶ硬
化樹脂層（オーバーコート層）６を有する。さらに、好
ましくは、オーバーコート層６上に印刷層７、基板１の
裏面に、ハードコート層８を有する。

【００２１】基板１の材料は通常ガラス、セラミックス
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アク
リロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリスチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系
樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられるが、
成型性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネー
ト樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また、基板の形状
としてはディスク状、カード状あるいはシート状であっ
てもよい。

【００２２】ただし、本発明の光記録媒体を書き換え可
能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）に応用する場合
には、以下のような特定の条件が付与されることが望ま
しい。この条件は、使用する基板に形成される案内溝
（グルーブ）の幅が０．２５〜０．６５μｍ好適には
０．３０〜０．５５μｍ、その案内溝の深さが２５０〜
６５０Å、好適には３００〜５５０Åとなっていること
である。基板の厚さは、特に制限されるものではない
が、１．２ｍｍ、０．６ｍｍが好適である。

【００２３】記録層３としては、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔ
ｅを含む４元系の相変化形記録材料を主成分として含有
する材料が、記録（アモルファス化）感度・速度、消去
（結晶化）感度・速度、及び消去比が極めて良好なため
適している。しかしながら、ＡｇＩｎＳｂＴｅは、その
組成比によって最適な記録線速度が存在する。そのた
め、目的とする記録線速度および線速度領域によって、
ＡｇＩｎＳｂＴｅの組成比を調整する必要がある。これ
までの検討の結果、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層のＴｅの組
成比が記録線速度に高い相関があることが分かってい
る。

【００２４】図２に、種々の組成比を有するＡｇＩｎＳ
ｂＴｅを記録層として作製した相変化形光ディスクの最
適記録線速度のＴｅ組成比依存性を示す。層構成は、ハ
ードコート層３〜５μｍ／基板１．２ｍｍ／第１誘電体
層１００ｎｍ／記録層ＡｇＩｎＳｂＴｅ２５ｎｍ／第２
誘電体層３０ｎｍ／金属又は合金層（反射放熱層）１４
０ｎｍ／ＵＶ硬化樹脂層（オーバーコート層）８〜１０
μｍとした。記録は、ＮＡＯ．＝５０、λ＝７８０ｎｍ
のピックアップを用い、ＥＦＭ変調による記録をした。
記録パルスストラテージは、オレンジブックパートIII
に準拠した（図３）。記録パワー、イレースパワー、バ
イアスパワーは、１２ｍＷ、６ｍＷ、１ｍＷとした。最
適記録線速とは、オーバーライト回数がもっとも多くな
る線速とした。図２に示すように、最適記録線速と記録
層のＴｅ組成比がＲ²＝０．９１３３の高い相関がある
ことが分かった。この結果および実験精度±１ａｔ％を
考慮すると、記録線速がどんなに遅くとも（０ｍ／
ｓ）、Ｔｅ組成比は３５ａｔ％以下と推測される。ＣＤ
線速１×、２×、４×、８×に対応した光記録媒体を得
るためには、その線速１．２〜１．４ｍ／ｓ、２．４〜
２．８ｍ／ｓ、４．８〜５．６ｍ／ｓ、９．６〜１１．
２ｍ／ｓに対応するＴｅ組成比は、３３、３０、２７、
２０ａｔ％程度と推測される。

【００２５】一方、ＡｇＩｎＳｂＴｅを記録層とする相
変化形記録媒体は、それらの組成によって、保存信頼性
に影響を与える。Ａｇが６ａｔ％を超えると、オーバー
ライトシェルフの劣化が顕著になる。つまり、製造後数
年たって、記録したときに十分な信号が記録できなくな
ってしまう。また、Ｉｎが１５ａｔ％を超えるとアーカ
イバルの劣化が顕著になり、３ａｔ％より少ないと記録
感度の低下をもたらす。Ｓｂは、その組成比が大きい方
が、オーバーライトの繰り返し特性に優れるが、６５ａ
ｔ％を超えるとアーカイバル劣化をもたらす。また、ア
ーカイバル劣化の低減に、Ｎおよび／またはＯの添加が
効果的である。それによって、アモルファスマークが安
定化される。それらのメカニズムの詳細は、必ずしも明
確ではないが、膜中への適量のＮ、Ｏの混入により、膜
密度の減少、微小欠陥の増加等により、構造的には粗の
方向に変化する。その結果、Ｎ、Ｏ無添加の状態に比
べ、膜の秩序性が緩和され、保存寿命が向上する。Ｎお
よび／またはＯは、Ｔｅおよび／またはＳｂに結合して
いることがＩＲスペクトルから明らかになっている。

【００２６】好適なＮおよび／またはＯの組成比は、こ
れらの総計で５ａｔ％以下である。５ａｔ％を超える
と、記録層の窒化が進み過ぎてしまい、結晶化が困難に
なる。その結果、初期化不足や消去比の低減を生じてし
まう。記録層へのＮ、Ｏの導入はスパッタリング時のア
ルゴンガスに窒素ガスや酸素ガスを０ｍｏｌ％以上１０
ｍｏｌ％以下混合したガスを用いることで得られる。ま
た、窒素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いること
により記録層へのＮ、Ｏの導入を可能にする。混合ガス
は所望のモル比であらかじめ混合したガスを用いても、
チャンバー導入時に所望にモル比になるように流量をそ
れぞれ調整してもよい。

【００２７】さらに、Ｎおよび／またはＯの添加効果の
一つとして、記録層の再結晶化速度の制御法としても有
効である。具体的には、Ｎおよび／またはＯの添加によ
り、再結晶化速度を遅くすることができる。これによっ
て、最適記録速度を制御することができる。これは、同
一のターゲットを使っても、記録膜作製時の（Ｎ₂及び
／又はＯ₂）／Ａｒガス混合比の制御のみで、相変化光
ディスクの最適記録線速度を調整することができる。

【００２８】記録膜中のＮおよび／またはＯの化学結合
状態としては、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅのいずれか一種
以上と結合していることが望ましいが、特に、Ｔｅに結
合した状態、具体的には、Ｔｅ−Ｎ、Ｔｅ−Ｏ、Ｓｂ−
Ｔｅ−Ｎといった化学結合が存在したときに、Ｏ／Ｗの
繰り返し回数の向上に、より効果が大きい。そのような
化学結合状態の分析手段としては、ＦＴ−ＩＲやＸＰＳ
等の分光分析法が有効である。例えば、ＦＴ−ＩＲで
は、Ｔｅ−Ｎによる吸収帯は５００〜６００ｃｍ ^-1付近
にそのピークをもち、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎは、６００〜６５
０ｃｍ^-1付近にそのピークが出現する。

【００２９】さらに、本発明の記録層材料には、さらな
る性能向上、信頼性向上等の目的に他の元素や不純物を
添加することができる。一例としては、特願平４−１４
８８号に記載されている元素（Ｂ、Ｎ、Ｃ、Ｐ、Ｓｉ）
やＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｕ等が好ましい例として挙げられる。

【００３０】本発明においては、記録層の組成は記録膜
を発光分析法により測定して得られる値を用いたが、そ
の他にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフォード後方散
乱、オージェ電子分光、蛍光Ｘ線等の分光法が考えられ
る。その場合は、発光分光法で得られる値との比較検討
をする必要がある。また、一般に発光分析法の場合、測
定値のおよそ±５％は分析誤差と考えられる。２次イオ
ン質量分析法などの質量分析も有効である。記録層中に
含まれる物質の観測はＸ線回析または電子線回析が適し
ている。すなわち結晶状態の判定として、電子線回析像
でスポット状乃至デバイリング状のパターンが観測され
る場合には結晶状態、リング状のパターン乃至ハローパ
ターンが観測される場合には非結晶（アモルファス）状
態とする。結晶子径はＸ線回析ピークの半値幅からシェ
ラーの式を用いて求めることできる。さらに、記録層中
の化学結合状態、たとえば酸化物、窒化物等の分析に
は、ＦＴ−ＩＲ、ＸＰＳ等の分析手法が有効である。

【００３１】記録層の膜厚としては１０〜１００ｎｍ、
好適には１５〜５０ｎｍとするのがよい。さらに、ジッ
ター等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考
慮すると、好適には１５〜３５ｎｍとするのがよい。１
０ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層とし
ての役割を果たさなくなる。また、１００ｎｍより厚い
と高速で均一な相変化がおこりにくくなる。このような
記録層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパ
ッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオン
プレーテイング法、電子ビーム蒸着法などによって形成
できる。なかでも、スパッタリング法が量産性、膜質等
に優れている。

【００３２】第１保護層２および第２保護層４の材料と
しては、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂等の金属酸
化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの
窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₃、ＴａＳ₄などの硫化物、Ｓ
ｉＣ、ＴａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化
物やダイヤモンド状カーボンなどがあげられる。これら
の材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの
混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含ん
でもよい。必要に応じて、誘電体層を多層化することも
できる。ただし、第１保護層および第２保護層の融点は
記録層よりも高いことが必要である。このような第１保
護層および第２保護層の材料としては、各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパ
ッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。

【００３３】第１保護層の膜厚は、ＤＶＤ（デジタルビ
デオディスク）の再生波長である６５０ｎｍの反射率に
大きく影響する。図４に、記録層２５ｎｍ、第２保護層
（屈折率２．０）３０ｎｍ、反射放熱層１４０ｎｍのと
きのグルーブ反射率の第１保護層（屈折率２．０）厚依
存性を示す。７８０ｎｍと６５０ｎｍの再生波長でＣＤ
−ＲＷディスクの規格である反射率０．１５〜０．２５
を満足するためには、第１保護層を６５〜１３０ｎｍと
することが要求される。また、６５０ｎｍの再生波長で
も十分な反射率（１８％程度）を得るためには、第１保
護層を１１０ｎｍ以下とすることが望ましい。したがっ
て、波長７８０ｎｍでの記録再生および６５０ｎｍの再
生で十分な信号特性を得るためには、第１保護層を８０
〜１１０ｎｍとすることが好適と判断される。

【００３４】第２保護層の膜厚としては、１５〜４５ｎ
ｍ、好適には２０〜４０ｎｍとするのがよい。１５ｎｍ
より薄くなると耐熱性保護層としての性能を果たさなく
なる。また、感度の低下を生じる。一方、４５ｎｍより
厚くなると、１．２〜５．６ｍ／ｓの低線速度で使用し
た場合、界面剥離を生じやすくなり、繰り返し記録性能
も低下する。

【００３５】反射放熱層５としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｔａなどの金属材料、またはそれらの合金な
どを用いることができる。また添加元素としてはＣｒ、
Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用され
る。このような反射放熱層は各種気相成長法、たとえば
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
などによって形成できる。反射放熱層の膜厚としては、
７０〜１８０ｎｍ、好適には１００〜１６０ｎｍとする
のがよい。

【００３６】反射放熱層の上には、その酸化防止として
オーバーコート層６を有することが望ましい。オーバー
コート層としては、スピンコートで作製した紫外線硬化
樹脂が一般的である。その厚さは、７〜１５μｍが適当
である。７μｍ以下では、オーバーコート層上に印刷層
を設ける場合、エラーの増大が認められることがある。
一方、１５μｍ以上の厚さでは、内部応力が大きくなっ
てしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしま
う。

【００３７】ハードコート層としては、スピンコートで
作製した紫外線硬化樹脂が一般的である。その厚さは、
２〜６μｍが適当である。２μｍ以下では、十分な耐擦
傷性が得られない。６μｍ以上の厚さでは、内部応力が
大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響
してしまう。その硬度は、布でこすっても大きな傷がつ
かない鉛筆硬度であるＨ以上とする必要がある。必要に
応じて、導電性の材料を混入させ、帯電防止を図り、挨
等の付着を防止することも効果的である。ハードコート
層の紫外線硬化樹脂としては、再現性よくかつ精度よく
塗布位置を制御するために、粘度が４０ｃｐｓ以上のも
のが望ましい。それによって、精度よく半径２０〜２２
ｍｍという狭い領域に精度よくハードコートの端が形成
される（図５）。さらに、初期化装置によるマーキング
がその領域に形成されると、その精度は、２０〜２１ｍ
ｍとさらに厳しい要求となる。紫外線効果樹脂の粘度を
４０ｃｐｓ以下とすると、樹脂が流れてしまい、内周の
塗りはじめの位置精度が十分でなくなる。その結果、基
板の金型の後に紫外線硬化樹脂がかかってしまい、塗り
斑を生じてしまう。

【００３８】本発明の情報記録媒体の初期化、記録、再
生、消去に用いる電磁波としてはレーザー光、電子線、
Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波など種々
のものが採用可能である。中でも小型でコンパクトな半
導体レーザーが最適である。最近、ＣＤ−ＲＷドライブ
の開発も進んでおり、ＣＤ−ＲＷディスクとのマッチン
グテストが行われるようになった。その結果、ドライブ
とディスクの組み合わせによっては、 １）データを書き込んだ後に、リードインおよびリード
アウトを書き込むときに、つまり、記録媒体上をドライ
ブのピックアップがシークしたときに、ピックアップ位
置を判別できなくなる、 ２）最適記録パワーを決める時の精度が悪く、場合によ
っては、最適記録パワーを決定できなくなる、 ３）ＣＤ６×速度（７．２ｍ／ｓ）以上の高線速再生
で、エラーが増大してしまう、 といった問題を生じることがわかった。

【００３９】これらの問題を検討した結果、上記１）に
ついては、初期化不足や初期化不良が原因であることが
分かった。初期化不足になると、オーバーライトによっ
て、Ｒｔｏｐの増大を生じる。その結果、プッシュプル
やラジアルコントラストの低下を生じてしまい、トラッ
キングが不安定になり、正確なシークができなくなるこ
とが分かった。また、初期化不良になると、プッシュプ
ル信号、Ｒｆ信号に乱れを生じてしまい、トラッキング
が不安定になり、正確なシークができなくなることが分
かった。

【００４０】上記２）については、最適記録パワーをγ
法で決定する際、記録パワーを増大させたときに、変調
度が飽和しないために、最適パワーを決定できなかった
ためであった。その原因は、初期化不足や初期化不良に
よるものであった。種々検討した結果、最適記録パワー
を精度よく決めるためには、飽和グルーブ反射率（Ｒ
ｇ）の９５％以上の初期化状態を達成することが必要と
分かった。飽和Ｒｇの９５％以上の初期化を達成するた
めには、パワー、線速、送り速度等の初期化条件の調整
によって可能である。たとえば、図６に示したように、
記録パワーの増大、送り速度の低減、初期化線速の低減
によって、飽和グルーグ反射率の９５％以上が達成され
る。しかし、初期化状態を管理するためには、複数ある
初期化装置と初期化された相変化記録媒体とのトレーサ
ビリティーを明確にしなければならない。その方法とし
て、初期化の際に、マーキングする方法が効果的であ
る。マーキングの方法として、グルーブ端よりも内周
に、初期化パワーを変調して記録することが好適である
（図７）。たとえば、１、２、３、４、５、６号初期化
装置に対応した相変化形記録媒体の内周（２０ｍｍ）
に、それぞれ、１、２、３、４、５、６ドットのマーキ
ングを行う。また、初期化装置によって、内周の初期化
開始位置を変える方法も効果的である。一方、γ法で決
められなかったときのために、使用する最適記録パワー
をＡＴＩＰ情報にすることも効果的である。

【００４１】上記３）の問題は、ディスクの反射率が１
８％以下の場合に発生した。したがって、ディスクの反
射率を１８％以上にするためには、第１保護層を８０ｎ
ｍ以上とすることで達成される。あるいは記録層のＳｂ
組成比を増大させる、第２保護層の厚さを減少させる等
によっても達成される。あるいは、基板の溝を広く、浅
くすることでも達成される。また、ディスク反射率の増
大と同様の効果は、再生光のパワーを１．２ｍＷ、１．
４ｍＷ、１．６ｍＷと増大させることでも達成される。
ドライブのばらつきとメディア反射率のばらつきを考慮
すると、ＣＤ８×（９．６〜１１．２ｍ／ｓ）で再生す
るためには、再生光１．２ｍＷ以上が好適であった。さ
らに、ＣＤ１２×以上の高線速での再生では１．４ｍＷ
以上が好適であった。しかし再生光１．８ｍＷ以上で
は、１００万回以上の再生でエラーの増大が認められ
た。

【００４２】これからは、記録線速のマージンの向上が
要求されている。少なくとも、ＣＤ−ＲＷディスクでは
２×〜４×速度の記録が可能なものが必要とされる。２
×記録／消去と４×記録／消去とでは、相変化記録媒体
の結晶化およびアモルファス化の際の冷却速度が異なる
ため、その制御が重要となる。２×速度では、結晶化容
易であるがアモルファス化が困難となる。一方、４×速
度では、アモルファス化は容易であるが結晶化が困難と
なる。特に、４×速度記録時に消去パワーの増大によっ
てＲｔｏｐが小さくなってしまう問題がある。従って、
４×速度記録では消去パワーをより小さくしたストラテ
ージが効果的である。具体的には、図８に示すように、
２×（２．４〜２．８ｍ／ｓ）の消去パワー／書き込み
パワー（Ｐ₂ｅ／Ｐ₂ｗ）で０．５０、０．５４、４×
（４．８〜５．６ｍ／ｓ）の消去パワー／書き込みパワ
ー（Ｐ₄ｅ／Ｐ₄ｗ）でそれぞれ０．４６、０．５０とす
ることが効果的である。

【００４３】

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。

【００４４】実施例１〜１２、比較例１ 幅０．５μｍ、深さ３５ｎｍのグルーブを有する１．２
ｍｍ厚の８０℃以下に冷却したポリカーボネート基板
に、表１に示す第１保護層、記録層、第２保護層、放熱
反射層を枚葉形スパッタ装置によって１０秒タクトで連
続製膜し、次いで、紫外線硬化樹脂のスピンコートによ
るハードコート、オーバーコートを形成し、相変化形光
ディスクを作製した。第１保護層および第２保護層には
ＺｎＳＳｉＯ₂を用いた。放熱反射層にはアルミニウム
合金を用いた。ハードコートの最内周位置は２０．５ｍ
ｍに制御した。ついで、大口径のＬＤを有する初期化装
置によって、ディスクの記録層の結晶化処理を行った。
初期化条件は、飽和反射率の９５％以上を確保できる条
件で行った。その際、ディスク内周半径２１ｍｍの位置
に初期化装置のナンバーを示すドットを初期化装置のパ
ワー変調によって記録した。次いで、オーバーコート層
の上に印刷層を形成した。

【００４５】このようにして得た相変化形光ディスクの
評価は、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを
搭載した評価機を用いて行った。記録ストラテージは、
２×の消去パワー／書き込みパワー（Ｐ₂ｅ／Ｐ₂ｗ）を
０．５０、４×の消去パワー／書き込みパワー（Ｐ₄ｅ
／Ｐ₄ｗ）を０．４６とした。記録パワー、バイアスパ
ワーは、２×記録、４×記録ともに、それぞれ１３ｍ
Ｗ、１ｍＷとした。再生パワーは、１．０ｍＷとした。

【００４６】表１に、オーバーライト１０００回後のＣ
１エラーを示す。２×記録２×再生では、いずれの実施
例も１００以下のエラーであり、実用上問題無かった。
４×記録２×再生では、１ｎの組成比が大きいディスク
では、Ｃ１エラーが増大する傾向にあった。一方、オー
バーコート厚の小さい比較例１では、印刷層による欠陥
の増大が認められ、Ｃ１エラーが増大した。また、第１
保護層が１５０ｎｍと厚い比較例２では、ＤＶＤピック
アップ（波長６５０ｎｍ）での再生ができなかった。ま
た、第１保護層が７０ｎｍと薄い実施例１１では、波長
７８０ｎｍでの反射率が１８％以下となり、６×再生で
のＣ１エラーが増大し測定不可となった。しかし、実施
例１１のサンプルも再生パワーを１．２ｍＷとすると、
６×再生でのＣ１エラーが２５０ｃｐｓまで低減され
た。

【００４７】

【表１】

【００４８】

【発明の効果】１）請求項１の発明によれば、光記録媒
体の各層の膜厚および記録層の組成を特定化すること
で、低線速領域（１．２〜５．６ｍ／ｓ）での総合性能
に優れ、かつデジタルビデオディスクと再生互換を有す
る相変化形光記録媒体が得られる。 ２）請求項２の発明によれば、ＣＤ再生波長とＤＶＤ再
生波長のいずれも１８％以上の反射率を有することで、
高速再生可能かつ、デジタルビデオディスクと再生互換
を有する相変化形光記録媒体が得られる。 ３）請求項３の発明によれば、あらかじめ、最適記録パ
ワーを基板のＡＴＩＰ情報に有するため、最適記録パワ
ーを見出せなくても、エラーを発生することがない光記
録媒体が得られる。 ４）請求項４の発明によれば、初期化が十分にされてい
るため、最適記録パワーの精度が向上し、かつオーバー
ライトによる反射率変動も小さく、ピックアップが記録
媒体上をシークしても、トラッキングが安定している、
低線速領域（１．２〜５．６ｍ／ｓ）での総合性能に優
れ、かつデジタルビデオディスクと再生互換を有する相
変化形光記録媒体が得られる。 ５）請求項５の発明によれば、光ディスクの内周に、初
期化装置ごとに異なるマークがあるため、光ディスクが
どの初期化装置で初期化されたかが明確になり、初期化
の管理が著しく容易になり、初期化管理された低線速領
域（１．２〜５．６ｍ／ｓ）での総合性能に優れ、かつ
デジタルビデオディスクと再生互換を有する相変化形光
記録媒体が得られる。 ６）請求項６の発明によれば、光ディスクの内周に、初
期化装置ごとに異なるマークが初期化パワーを変調させ
て形成することができるため、初期化装置の大幅な改造
を必要としない。したがって、コストをほとんど変えず
に、初期化管理された低線速領域（１．２〜５．６ｍ／
ｓ）での総合性能に優れ、かつデジタルビデオディスク
と再生互換を有する相変化形光記録媒体が得られる。 ７）ＣＤ−ＲＷディスクへのハードコート層の形成を歩
留まりよく可能にするため、耐擦傷性が高く、低線速領
域（１．２〜５．６ｍ／ｓ）での総合性能に優れ、かつ
デジタルビデオディスクと再生互換を有する相変化形光
記録媒体が得られる。 ８）請求項２の発明によれば、２×ＣＤ線速の消去パワ
ー／書き込みパワーを４×ＣＤ線速の消去パワー／書き
込みパワーより大きくするように記録ストラテージを調
整することで、２Ｘ〜４ＸＣＤ線速に対応した光記録媒
体が得られる。 ９）請求項９の発明によれば、再生線速に応じて、再生
光パワーを制御することで、より高速な再生を可能とす
る光記録媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一例の概略図。

【図２】記録層のＴｅ組成比と最適記録線速との関連を
表わした図。

【図３】オレンジブックパートIIIに準拠した記録パル
スストラテージを表わした図。

【図４】第１保護層の厚さとグルーグ反射率との関係を
表わした図。

【図５】半径２０〜２２ｍｍの領域にハードコートの端
が形成される様子を表わした図。

【図６】図６（ａ）は初期化パワーと飽和グルーグ反射
率（Ｒｇ）との関係を表わした図、図６（ｂ）は送り速
度とＲｇとの関係を表わした図、図６（ｃ）は線速とＲ
ｇとの関係を表わした図。

【図７】グルーグ端よりも内周に初期化パワーを変調し
て記録することを説明するための図。

【図８】図８（ａ）は２×ＣＤ用記録ストラテージを表
わした図、図８（ｂ）は４×ＣＤ用記録ストラテージを
表わした図。

【図９】再結晶化上限線速度を表わした図。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第１誘電体層（第１保護層） ３ 記録層 ４ 第２誘電体層（第２保護層） ５ 金属又は合金層（反射放熱層） ６ オーバーコート層 ７ 印刷層 ８ ハードコート層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１１ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ａ ５３５ ５３５Ｂ ５３５Ｇ ５３８Ｃ ５３８ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 野田 英治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 服部 恭士 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 相原 謙一 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 近江 文也 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 金子 裕治郎 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA43 FA01 FA12 FA14 FA21 FB09 FB12 FB17 FB21 FB24 FB25 FB30 5D029 JA01 LB07 LC11 LC13 MA17 5D090 AA01 BB05 CC01 CC04 KK03 KK06

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円盤状の基板上に第１誘電体層、記録
   層、第２誘電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂層の
   順に積層してなる光記録媒体において、該記録層の構成
   元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＮおよび／また
   はＯであり、それぞれの組成比α、β、γ、δ、ε（ε
   はＮとＯの合計）（原子％）が ０＜α≦６ ３≦β≦１５ ５０≦γ≦６５ ２０≦δ≦３５ ０≦ε≦５ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００ であって、この記録層の再結晶化上限線速度が２．５〜
   ５．０ｍ／ｓであることを特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 ７８０±１５ｎｍと６５０±１５ｎｍの
   再生波長のそれぞれの反射率が１８％以上であることを
   特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
3. 【請求項３】 書き換え型コンパクトディスク（ＣＤ−
   ＲＷ）の記録方法であるγ法で最適記録パワーが見出せ
   なかった場合に選択すべき所定の記録パワーをあらかじ
   め基板のＡＴＩＰ情報に有することを特徴とする請求項
   １記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 初期化後の反射率がその光記録媒体の最
   高到達反射率の９５％以上であることを特徴とする請求
   項１に記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 半径２２ｍｍ以内に光記録媒体の製造に
   おける初期化工程で記録された情報を有することを特徴
   とする請求項１記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 初期化工程で記録する情報が初期化パワ
   ーの変調による反射率のコントラストを利用するもので
   あることを特徴とする請求項５記載の光記録媒体。
7. 【請求項７】 膜厚２〜６μｍ、鉛筆硬度Ｈ以上のＵＶ
   硬化樹脂層が非グルーブ面（鏡面）に有する書き替え型
   コンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）において、その最内
   周が２２．０ｍｍ以下であり、該ＵＶ硬化樹脂層を形成
   する硬化前のＵＶ硬化樹脂の室温粘度が４０ｃｐｓ以上
   であること特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
8. 【請求項８】 ２．４〜５．６ｍ／ｓの線速度で記録可
   能なＣＤ−ＲＷディスクにおいて、２．４〜２．８ｍ／
   ｓの消去パワー／書き込みパワー（Ｐ₂ｅ／Ｐ₂ｗ）が
   ４．８〜５．６ｍ／ｓの消去パワー／書き込みパワー
   （Ｐ₄ｅ／Ｐ₄ｗ）より大きいことを特徴とする請求項１
   〜７のいずれかに記載の光記録媒体の記録方法。
9. 【請求項９】 記録の再生が再生線速の増減に応じて再
   生光パワーを増減させて行なうことを特徴とする請求項
   １〜７のいずれかに記載の光記録媒体の再生方法。