JP2001331969A

JP2001331969A - 相変化型光記録媒体

Info

Publication number: JP2001331969A
Application number: JP2000146098A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Kenjo; 竜雄見上; Eiji Noda; 英治野田; Katsuyuki Yamada; 勝幸山田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2000-05-18
Filing date: 2000-05-18
Publication date: 2001-11-30

Abstract

(57)【要約】【課題】高品質でかつ高い生産性をもつ相変化型光デ
ィスクを提供する。【解決手段】基板上に少なくとも第１保護層、記録
層、第２保護層、反射放熱層、ＵＶ硬化樹脂の順に積層
した層構成を有する相変化型光記録媒体において第１保
護層の層厚が４６〜６９ｎｍ、記録層の層厚が１２〜１
８ｎｍ、第２保護層の層厚が２５〜３０ｎｍ、反射放熱
層の層厚が８０〜１５０ｎｍであり、記録層積層時に窒
素を１０ｓｃｃｍ以下の流量で加えていることを特徴と
する相変化型光記録媒体である。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体、特に光
ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生じ
させ、情報の記録・再生を行い、かつ、書き換えが可能
である相変化形情報記録媒体に関し、光メモリー関連機
器、特に書き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ
Ｗ）に応用されるものである。

【0002】

【従来の技術】近年ＣＤの急速な普及にともない、ＣＤ
−Ｒが開発され、市場に広く普及してきた。また、書き
換え可能なＣＤ−ＲＷも市場に登場し、需要が高まりつ
つある。その需要に答えるためにはＣＤ−ＲＷの生産性
を現在よりも大幅に向上させる必要がある。

【0003】現在、市場に流通しているＣＤ−ＲＷについて
調べると大まかに２つの種類に分けることができる。す
なわち１つめは、第１保護層の層厚が８０〜１２０ｎ
ｍ、第２保護層の層厚が３０〜４０ｎｍ。もう１つは、
第１保護層の層厚が４０〜５０ｎｍ、第２保護層の層厚
が２０〜４０ｎｍ。前者の特徴としては生産性には劣る
がオーバーライトにおいて信号の劣化が見られないこと
があげられる。後者の特徴としては生産性に優れている
が、オーバーライト時の信号の劣化が著しく、オーバー
ライト可能な回数が大幅に少なくなることがあげられ
る。

【0004】このようなことから、生産性向上の具体的方法
として第１保護層および第２保護層の層厚を小さくした
場合、記録媒体としての性能が特にオーバーライトにお
いて低下してしまうことが問題であり、第１保護層およ
び第２保護層の層厚を小さくしつつ、オーバーライト時
の記録信号の特性を維持することが大きな課題であると
いえる。

【0005】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記従
来技術における問題をすべて解決し、高品質で、かつ高
い生産性をもつ相変化型光ディスクを提供することにあ
る。

【0006】

【課題を解決するための手段】本発明者らは光記録媒体
の改善に鋭意研究を重ねた結果、前記目的に合致する光
記録媒体を見出した。

【0007】すなわち本発明は、下記のとおりである。（１）基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保
護層、反射放熱層、ＵＶ硬化樹脂の順に積層した層構成
を有する相変化型光記録媒体において、第１保護層の層
厚が４６〜６９ｎｍ、記録層の層厚が１２〜１８ｎｍ、
第２保護層の層厚が２５〜３０ｎｍ、反射放熱層の層厚
が８０〜１５０ｎｍであり、記録層積層時に窒素を１０
ｓｃｃｍ以下の流量で加えていることを特徴とする相変
化型光記録媒体。

【0008】（２）記録線速度２．４〜２．８ｍ／ｓにおけ
る記録レーザーパワーＰ０２ｘおよび記録線速度４．８
〜５．６ｍ／ｓにおける記録レーザーパワーＰ０４ｘ
が、Ｐ０２ｘ≧Ｐ０４ｘであることを特徴とする（１）
に記載の相変化型光記録媒体。

【0009】（３）対物レンズのＮＡ０．５３の条件下で波
長７８０ｎｍ、パワー１１ｍＷのレーザー光を、線速を
変化させて照射したときに、図３に示すように線速４．
０〜５．０ｍ／ｓの範囲において反射率の低下が始まる
ことを特徴とする（１）又は（２）に記載の相変化型光
記録媒体。

【0010】（４）第１保護層および記録層の層厚が、それ
ぞれの層厚をｘ［ｎｍ］、ｙ［ｎｍ］としたときに０．００５９ｘ２ −０．５８２ｘ＋２７．５＜ｙ＜
０．２７ｘ−１の関係で表せることを特徴とした（１）〜（３）のいず
れかに記載の相変化型光記録媒体。

【0011】

【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明の形態を図１に示す。基本的な構成は、案
内溝を有する基板１上に第１保護層２、記録層３、第２
保護層４、反射放熱層５、オーバーコート層６を有す
る。さらに、好ましくは、オーバーコート層上に印刷層
７、基板鏡面に、ハードコート層８を有する。

【0012】基板の材料は通常ガラス、セラミックス、ある
いは樹脂であり、樹脂基板が成型性、コストの点で好適
である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロ
ニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、
ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹
脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられるが、成
型性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート
樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また、基板の形状と
してはディスク状、カード状あるいは、シート状であっ
てもよい。

【0013】ただし、本発明の光記録媒体を書き換え可能な
コンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）に応用する場合に
は、以下のような特定の条件が付与されることが望まし
い。その条件は、使用する基板に形成される案内溝（グ
ルーブ）の幅が０．２５〜０．６５μｍ好適には０．３
０〜０．５５μｍ、その案内溝の深さが２５０〜６５０
Å、好適には３００〜５５０Åとなっていることであ
る。基板の厚さは、特に制限されるものではないが、
１．２ｍｍ、０．６ｍｍが好適である。

【0014】記録層としては、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含
む４元系の相変化形記録材料を主成分として含有する材
料が、記録（アモルファス化）感度・速度、消去（結晶
化）感度・速度、及び消去比が極めて良好なため適して
いる。しかしながら、ＡｇＩｎＳｂＴｅは、その組成比
によって最適な記録線速度が存在する。そのため、目的
とする記録線速度および線速度領域によって、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅの組成比を調整する必要がある。

【0015】記録線速がどんなに遅くとも（０ｍ／ｓ）、Ｔ
ｅ組成比は３５ａｔ％以下となる。線速ＣＤ１倍速、
２倍速、４倍速、８倍速に対応した光記録媒体を得るた
めには、Ｔｅ組成比は、３３、３０、２７、２５ａｔ％
程度である必要がある。一方、ＡｇＩｎＳｂＴｅを記録
層とする相変化形記録媒体は、それらの組成によって、
保存信頼性に影響を与える。Ａｇが１５ａｔ％を超え
ると、オーバーライトシェルフの劣化が顕著になる。つ
まり、製造後数年たって、記録したときに十分な信号が
記録できなくなってしまう。また、Ａｇが１０ａｔ％を
超えると高線速において信号特性の劣化が生じる。ま
た、Ｉｎは組成比が大きい方が高い線速による記録が可
能となるが、２０ａｔ％を超えるとアーカイバルの劣化
が顕著になる。Ｓｂは、その組成比が大きい方が、オー
バーライトの繰り返し特性に優れるが、６５ａｔ％を超
えるとアーカイバル劣化をもたらす。また、アーカイバ
ル劣化の低減に、ＮおよびまたはＯの添加が効果的であ
る。それによって、アモルファスマークが安定化され
る。それらのメカニズムの詳細は、必ずしも明確ではな
いが、膜中への適量の窒素混入により、膜密度の減少、
微小欠陥の増加等により、構造的には粗の方向に変化す
る。その結果、窒素無添加の状態に比べ、膜の秩序性が
緩和され、アモルファスから結晶への転移は抑制される
方向になる。したがって、アモルファスマークの安定性
が増し、保存寿命が向上する。ＮおよびＯは、Ｔｅおよ
びまたはＳｂに結合していることがＩＲスペクトルから
明らかになっている。また、記録層の結晶部分は、Ａｇ
ＳｂＴｅ_２および／またはＩｎ _３ＳｂＴｅ_２と推定され
る化学種を含んでいることがＸ線回折分析から明らかに
なっている。これらの結晶は等方的な結晶構造をしてお
り、また記録部分のアモルファス相も等方性の高い構造
をしている。そのため、消去プロセスにおけるアモルフ
ァスから結晶への相変化に際して、結晶化が均一に起こ
り、そのため高い消去比を得ることができる。

【0016】好適なＮおよびＯの組成比は、５ａｔ％以下で
ある。５ａｔ％を超えると、記録層の窒化が進み過ぎて
しまい、結晶化が困難になる。その結果、初期化不足や
消去比の低減を生じてしまう。記録層へのＮ、Ｏの導入
はスパッタリング時のアルゴンガスに窒素ガスや酸素ガ
スを０〜１０ｓｃｃｍで流入させることで得られる。ま
た、窒素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いること
により記録層へのＮ、Ｏの導入を可能にする。混合ガス
は所望のモル比であらかじめ混合したガスを用いても、
チャンバー導入時に所望のモル比になるように流量をそ
れぞれ調整してもよい。

【0017】記録膜中のＮおよびＯの化学結合状態として
は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｄ、Ｔｅのいずれか一種以上と結合
していることが望ましいが、特に、Ｔｅに結合した状
態、具体的には、Ｔｅ−Ｎ、Ｔｅ−Ｏ、Ｓｂ−Ｔｅ−
Ｎ、といった化学結合が存在した時に、Ｏ／Ｗの繰り返
し回数の向上に、より効果が大きい。そのような化学結
合状態の分析手段としては、ＦＴ−ＩＲやＸＰＳ等の分
光分析法が有効である。例えば、ＦＴ−ＩＲでは、Ｔｅ
−Ｎによる吸収帯は５００〜６００ｃｍ^-1付近にそのピ
ークをもち、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎは、６００〜６５０ｃｍ^-1
付近にそのピークが出現する。

【0018】さらに、本発明の記録層材料には、さらなる性
能向上、信頼性向上等の目的に他の元素や不純物を添加
することができる。一例としては、特願平４−１４８８
号に記載されている元素（Ｂ、Ｎ、Ｃ、Ｐ、Ｓｉ）や
Ｏ、Ｓ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ａｕ等が好ましい例として挙げられる。

【0019】本発明においては、記録層の組成は記録膜を誘
導プラズマ発光分析法により測定して得られる値を用い
たが、その他にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフォー
ド後方散乱、オージェ電子分光、蛍光Ｘ線等の分光法が
考えられる。その場合は、発光分光法で得られる値との
比較検討をする必要がある。また、一般に発光分析法の
場合、測定値のおよそ±５％は分析誤差と考えられる。
２次イオン質量分析法などの質量分析も有効である。一
般的には、誘導プラズマ発光分析が、精度、再現性に優れ
る。

【0020】記録層中に含まれる物質の観測はＸ線回折また
は電子線回折が適している。すなわち結晶状態の判定と
して、電子線回折像でスポット状乃至およびまたはデバ
イリング状のパターンが観測される場合には結晶状態、
リング状のパターン乃至ハローパターンが観測される場
合には非結晶（アモルファス）状態とする。結晶子径は
Ｘ線回折ピークの半値幅からシェラーの式を用いて求め
ることができる。さらに、記録層中の化学結合状態、た
とえば酸化物、窒化物等の分析には、ＦＴ−ＩＲ、ＸＰ
Ｓ等の分析手法が有効である。

【0021】第１保護層および第２保護層の材料としては、
ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ
₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、
ＺｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₂、ＴａＳ₄などの硫化物、ＳｉＣ、Ｔ
ａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダ
イヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物があげ
られる。これらの材料は、単体で保護層とすることもで
きるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じ
て不純物を含んでもよい。必要に応じて、誘電体層を多
層化することもできる。ただし、第１保護層および第２
保護層の融点は記録層よりも高いことが必要である。こ
のような第１保護層および第２保護層は、各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパ
ッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。

【0022】第１保護層の層厚は、製膜にスパッタリング法
を用いた場合に、記録媒体の生産工程全体のタクトタイ
ムを向上させるためには６９ｎｍ以下とすることが要求
される。また４６ｎｍ以下とすると、オーバーライト特
性が劣化してしまうことから、第１保護層の層厚は４６
ｎｍ〜６９ｎｍであることが望ましい。

【0023】第２保護層の層厚としては、製膜に第１保護層
同様スパッタリング法を用いた場合、２５〜３０ｎｍと
するのがよい。これはスパッタリング装置のチャンバー
の構成を第１保護層２チャンバーに対し第２保護層１チ
ャンバーとした場合、タクトタイムをあわせるためには
第１保護層／第２保護層の層厚の比が、２．３〜１．７
である必要があり、また２５ｎｍより薄くなると感度の
低下を生じるためである。

【0024】記録層の層厚としては１２〜１８ｎｍとするの
がよい。１２ｎｍより薄いと感度が大きく低下してしま
う。また、１８ｎｍより厚いとオーバーライト特性が著
しく劣化してしまう。また、記録層の層厚が１４ｎｍ以
下であると未初期化状態における反射率が低くなり、初
期化しづらくなる。そのため初期化を容易にするために
は、記録層の層厚を１４〜１８ｎｍとすることが望まし
い。記録感度、保存信頼性の向上、好適記録線速度の調
整を図るために、記録層のスパッタリング時に、窒素流
を流入させることが有効である。生産性を確保するため
には、窒素流量が０〜１０ｓｃｃｍであることが望まし
い。１０ｓｃｃｍを超えると、スパッタターゲット表面の
窒化が進行してしまい、スパッタリング速度が低下し、
生産性を低下させてしまう。窒素の流入は記録層ターゲ
ットの組成のバラツキが十分に少なければ、窒素を流入
させなくとも長期にわたって、安定した品質が維持でき
る。しかし、記録層ターゲットの組成のバラツキが大き
い場合には、窒素流入を調整することで、品質をコントロ
ールさせる事ができる。

【0025】また、図２に示すように第１保護層と記録層の
厚さの関係としては、それぞれの層厚をｘ［ｎｍ］、ｙ
［ｎｍ］としたとき０．００５９ｘ２ −０．５８２ｘ＋２７．５＜ｙ＜
０．２７ｘ−１という関係であることが望ましい。０．００５９ｘ２
−０．５８２ｘ＋２７．５＞ｙとなると、プッシュプル
信号が小さくなってしまうため望ましくない。また、ｙ
＞０．２７ｘ−１となった場合には、オーバーライト時
の信号の劣化が大きくなってしまう。

【0026】反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
u、Ｔａなどの金属材料、またはそれらの合金などを用
いることができる。また添加元素としては、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用される。
このような反射放熱層は、各種気相成長法、たとえば真
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法な
どによって形成できる。反射放熱層の層厚としては、８
０〜１５０ｎｍとするのがよい。８０ｎｍより薄いと、
低線速度記録のオーバーライト特性が不十分となり、マ
ルチスピード記録に対応できなくなる。一方、１５０ｎｍ
より厚いと、記録信号の反射率が１５％よりも低くな
る。

【0027】反射放熱層の上には、その酸化防止としてオー
バーコート層を有することが望ましい。オーバーコート
層としては、スピンコートで作製した紫外線硬化樹脂が
一般的である。その厚さは、３〜１５μｍが適当であ
る。３μｍ以下では、オーバーコート層上に印刷層を設
ける場合、エラーの増大が認められることがある。一
方、１５μｍ以上の厚さでは、内部応力が大きくなって
しまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。

【0028】ハードコート層としては、スピンコートで作製
した紫外線硬化樹脂が一般的である。その厚さは、２〜
８μｍが適当である。２μｍ以下では、十分な耐擦傷性
が得られない。８μｍ以上の厚さでは、内部応力が大き
くなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響して
しまう。その硬度は、布でこすっても大きな傷がつかな
い鉛筆硬度であるＨ以上とする必要がある。必要に応じ
て、導電性の材料を混入させ、帯電防止を図り、埃等の
付着を防止することも効果的である。用いられるハード
コート層の紫外線硬化樹脂としては、再現性よくかつ精
度よく塗布位置を制御するために、粘度が４０ｃｐｓ以
上のものが望ましい。

【0029】消去パワー／書き込みパワー（Ｐｅ／Ｐｗ）
は、０．４０〜０．５０の範囲であることが望ましい。
０．４０よりも小さいと、オーバーライト特性が劣化し
てしまう。０．５０よりも大きいと好適な記録信号を得
ることができなくなる。

【0030】ＣＤ線速４ｘでの記録においては、対物レンズ
のＮＡ０．５３の条件下で波長７８０ｎｍ、パワー１１
ｍＷのレーザー光を、線速を変化させて照射したとき
に、図３に示すように反射率の低下が線速４．０〜５．
０ｍ／ｓの範囲において始まることが望ましい。反射率
の低下が４．０ｍ／ｓよりも小さい速度で起こる場合に
は、オーバーライト数回以内において、信号のジッタの
上昇が起きてしまう。また、反射率の低下が５．０ｍ／
ｓよりも大きい速度で起きる場合には、十分な信号強度
が得られなくなる。

【0031】また、従来の記録媒体においては、記録線速が
大きくなるにつれ記録時のレーザーパワーも強くなる傾
向にある。すなわち記録線速度２．４〜２．８ｍ／ｓに
おける記録レーザーパワーＰ０２ｘおよび記録線速度
４．８〜５．６ｍ／ｓにおける記録レーザーパワーＰ０
４ｘが、Ｐ０２ｘ≦Ｐ０４ｘであったが、上記層構成に
おいてはＰ０２ｘ≧Ｐ０４ｘであることが望ましい。Ｐ
０２ｘ≦Ｐ０４ｘとすると、ＣＤ線速４ｘにおけるオー
バーライト時の信号特性の劣化が起こってしまう。一般
的には、Ｐ０２ｘ≧Ｐ０４ｘとした場合、４Ｘ記録の信号
振幅が十分に得られないが、本発明の層構成では、Ｐ０
２ｘ≧Ｐ０４ｘでも４Ｘ記録の信号振幅が十分に得られ
る。

【0032】実施例幅０．６μｍ、深さ３０ｎｍのグルーブを有する１．２
ｍｍ厚のポリカーボネート基板に、以下の実施例および
比較例に示す第１保護層、記録層、第２保護層、反射層
を枚葉型スパッタ装置によって、連続製膜し、次いで、
紫外線硬化樹脂のスピンコートによるハードコート、オ
ーバーコートを形成し、相変化形光ディスクを作製し
た。第１保護層および第２保護層は、ＺｎＳＳｉＯ₂を
用いた。記録層はＡｇＩｎＳｂＴｅ合金を用いた。反射
層は、Ａｌ合金を用いた。ハードコートの最内周位置
は、２０．５ｍｍに制御した。ついで、大口径のＬＤを
有する初期化装置によって、ディスクの記録層の結晶化
処理を行った。初期化条件は、飽和反射率の９５％以上
を確保できる条件で行った。その際、ディスク内周半径
２１ｍｍの位置に初期化装置のナンバーを示すドットを
初期化装置のパワー変調によって記録した。次いで、オ
ーバーコート層の上に、印刷層を形成した。

【0033】

【表１】実施例１の層構成とすることによって生産性の大幅な向
上がはかれた。

【0034】

【表２】実施例２に示すように、Ｐ０２ｘ／Ｐ０４ｘを１．１と
することによって４ｘオーバーライト記録特性の大幅な
向上がはかれた。

【0035】

【表３】実施例３に示すように、結晶化線速度を４．４ｍ／ｓと
することによって４ｘ初期記録特性の向上がはかれた。

【0036】

【発明の効果】請求項１記載の層構成とすることによ
り、第１保護層の層厚を減らした上に従来と同等の記録
信号特性が得られた。

【0037】請求項２記載のパワーとすることにより、記録
線速４ｘでのオーバーライト時の信号特性を向上するこ
とができた。

【0038】請求項３記載の結晶化速度とすることにより、
４ｘ記録時の初期の信号特性の向上を図ることができ
た。

【0039】請求項４記載の関係式に当てはまる第１保護層
および記録層とすることにより、オーバーライト時の信
号特性が向上するとともにプッシュプルを好適な値とす
ることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本的な層構成を示す図である。

【図２】好適な第１保護層および記録層の厚さの関係を
示すグラフである。

【図３】好適な結晶化線速度のグラフである。

【符号の説明】

１基盤２第１保護層３記録層４第２保護層５反射放熱層６オーバーコート層７印刷層８ハードコート層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ (72)発明者山田勝幸東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内Ｆターム(参考） 4K029 BA41 BB02 BC10 BD00 CA06 EA01 EA04 EA05 5D029 JA01 JB18 JB35 LB07 MA14 MA27 5D121 AA01 EE17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも第１保護層、記録
層、第２保護層、反射放熱層、ＵＶ硬化樹脂の順に積層
した層構成を有する相変化型光記録媒体において第１保
護層の層厚が４６〜６９ｎｍ、記録層の層厚が１２〜１
８ｎｍ、第２保護層の層厚が２５〜３０ｎｍ、反射放熱
層の層厚が８０〜１５０ｎｍであり、記録層積層時に窒
素を１０ｓｃｃｍ以下の流量で加えていることを特徴と
する相変化型光記録媒体。
【請求項２】記録線速度２．４〜２．８ｍ／ｓにおけ
る記録レーザーパワーＰ０２ｘおよび記録線速度４．８
〜５．６ｍ／ｓにおける記録レーザーパワーＰ０４ｘ
が、Ｐ０２ｘ≧Ｐ０４ｘであることを特徴とする請求項
１に記載の相変化型光記録媒体。
【請求項３】対物レンズのＮＡ０．５３の条件下で波
長７８０ｎｍ、パワー１１ｍＷのレーザー光を、線速を
変化させて照射したときに、線速４．０〜５．０ｍ／ｓ
の範囲において反射率の低下が始まることを特徴とする
請求項１又は２に記載の相変化型光記録媒体。
【請求項４】第１保護層および記録層の層厚が、それ
ぞれの層厚をｘ［ｎｍ］、ｙ［ｎｍ］としたときに、
０．００５９ｘ２ −０．５８２ｘ＋２７．５＜ｙ＜
０．２７ｘ−１の関係で表せることを特徴とした請求項
１〜３のいずれかに記載の相変化型光記録媒体。