JPH11144310A

JPH11144310A - 光記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11144310A
Application number: JP9321972A
Authority: JP
Inventors: Eiji Noda; 英治野田; Katsuyuki Yamada; 勝幸山田; Hiroko Iwasaki; 博子岩崎; Kenichi Aihara; 謙一相原; Takashi Hattori; 恭士服部
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-11-10
Filing date: 1997-11-10
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】ＣＤ−ＲＷディスクの保存安定性の向上さ
せ、ＣＤ−ＲＷディスクの製造工程における安定性、歩
留りを向上させること。【解決手段】円盤状の基板上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂の順
に積層してなる光記録媒体において、第１誘電体層の膜
厚が６５〜１３０ｎｍ、記録層の膜厚が１５〜３５ｎ
ｍ、第２誘電体層の膜厚が１５〜４５ｎｍ、金属又は合
金層の膜厚が７０〜１８０ｎｍ、ＵＶ硬化樹脂層の膜厚
が７〜１５μｍであり、記録を担う物質の相変化により
記録消去を行なう光記録媒体の記録層の構成元素が主に
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｎ或いはＯであり、それぞれ
の構成比α、β、γ、δ、ε（原子％）が、０＜α≦
６、３≦β≦１５、５０≦γ≦６５、２０≦δ≦３５、
０≦ε≦５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００である光記録
媒体であって、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、
金属又は合金層、各々の層の形成領域の異なることを特
徴とする光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体、特に光
ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生じ
させ、情報の記録・再生を行ない、且つ、書き換えが可
能である相変化形情報記録媒体に関し、光メモリ関連機
器、特に書き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ
Ｗ）に応用されるものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の真空成膜による積層型光ディスク
は、内マスク・外マスクと呼ばれる防着治具を基板に密
着させたまま成膜している。そのため、各層は基板の露
出部に同一に形成されている。ターゲットの焼結度の差
によるターゲット間バラツキや、経時変化によるターゲ
ット内バラツキで生じる成膜レートの変化を補正する為
に、ターゲット毎に成膜レートを測定したり、定期的に
成膜レートを測定し膜厚の維持管理を行なっていた。ま
た、成膜領域の内外端では記録層が露出し腐食しやす
い、マスク端で発生する異常放電で膜や基板が焦げる、
成膜レートの測定は通常の生産とは異なる作業であるた
め連続生産を中断させてしまう等、突発的な膜厚の変化
により品質が不安定になるという問題点があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
第一の目的は、ＣＤ−ＲＷディスクの保存安定性の向上
にあり、第二の目的は、ＣＤ−ＲＷディスクの製造工程
における安定性、歩留りの向上にある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは光記録媒体
の改善に鋭意研究を重ねた結果、前記目的に合致する光
記録媒体、その光記録媒体の記録方法、その光記録媒体
の製造方法を見い出した。すなわち、上記課題は、本発
明の（１）「円盤状の基板上に第１誘電体層、記録層、
第２誘電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂の順に積
層してなる光記録媒体において、第１誘電体層の膜厚が
６５〜１３０ｎｍ、記録層の膜厚が１５〜３５ｎｍ、第
２誘電体層の膜厚が１５〜４５ｎｍ、金属又は合金層の
膜厚が７０〜１８０ｎｍ、ＵＶ硬化樹脂層の膜厚が７〜
１５μｍであり、記録を担う物質の相変化により記録消
去を行なう光記録媒体の記録層の構成元素が主にＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｎ或いはＯであり、それぞれの構成
比α、β、γ、δ、ε（原子％）が、０＜α≦６、３≦
β≦１５、５０≦γ≦６５、２０≦δ≦３５、０≦ε≦
５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００である光記録媒体であ
って、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属又は
合金層、各々の層の形成領域の異なることを特徴とする
光記録媒体」、（２）「基板のグルーブ形成領域の内径
及び外径が（Ｒ０１〜Ｒ０２）で、各々の層の形成領域
の内径及び外径が第１誘電体層（Ｒ１１〜Ｒ１２）、記
録層（Ｒ２１〜Ｒ２２）、第２誘電体層（Ｒ３１〜Ｒ３
２）、金属又は合金層（Ｒ４１〜Ｒ４２）であり、Ｒ１
１＜Ｒ２１＜Ｒ０１、Ｒ０２＜Ｒ２２＜Ｒ１２かつＲ３
１＜Ｒ２１＜Ｒ０１、Ｒ０２＜Ｒ２２＜Ｒ３２であるこ
とを特徴とする前記（１）項に記載の光記録媒体」、
（３）「Ｒ４１＜Ｒ１１＜Ｒ３１若しくはＲ４１＜Ｒ３
１＜Ｒ１１であることを特徴とする前記（２）項に記載
の光記録媒体」、（４）「放電の種類（ＲＦ、ＤＣ）を
変える真空成膜により、各層の形成領域を異ならせるこ
とを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１に記載の
光記録媒体」によって解決される。

【０００５】また、（５）「マスクと基板間の距離を変
える真空成膜により、各層の形成領域を異ならせること
を特徴とする前記（１）〜（３）項のうちいずれか１に
記載の光記録媒体の製造方法」、（６）「Ｒ４１〜Ｒ１
１の反射率、Ｒ（１）％、Ｒ１１〜Ｒ３１の反射率、Ｒ
（２）％、Ｒ３１〜Ｒ２１の反射率、Ｒ（３）％、より
第１誘電体層、第２誘電体層の膜厚を管理することを特
徴とする前記（３）項に記載の光記録媒体の製造方法」
によって解決される。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を用いて更に
詳細に説明する。図１２は従来の光記録媒体の形態例を
示したものである。基本的な構成は、案内溝を有する基
板（１）上に第１保護層（２）、記録層（３）、第２保
護層（４）、反射放熱層（５）、オーバーコート層
（６）を有する。更に好ましくは、基板鏡面にハードコ
ート層（７）を有する。

【０００７】基板の材料は通常ガラス、セラミックス、
或いは樹脂であり、樹脂基板が成型性、コストの点で好
適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリ
ロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系
樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、
成型性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネー
ト樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また、基板の形状
としてはディスク状、カード状或いは、シート状であっ
てもよい。但し、本発明の光記録媒体を書き換え可能な
コンパクトディスク（ＣＤ一ＲＷ）に応用する場合に
は、以下のような特定の条件が付与されることが望まし
い。その条件は、使用する基板に形成される案内溝（グ
ルーブ）の幅が０．２５〜０．６５μｍ、好適には０．
３０〜０．５５μｍ、その案内溝の深さが２５０〜６５
０Å、好適には３００〜５５０Åとなっていることであ
る。基板の厚さは特に制限されるものではないが、１．
２ｍｍ、０．６ｍｍが好適である。

【０００８】記録層としては、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ
を含む４元系の相変化形記録材料を主成分として含有す
る材料が、記録（アモルファス化）感度・速度、消去
（結晶化）感度・速度、及び消去比が極めて良好なため
適している。しかしながら、ＡｇＩｎＳｂＴｅは、その
組成比によって最適な記録線速度が存在する。そのた
め、目的とする記録線速度及び線速度領域によって、Ａ
ｇＩｎＳｂＴｅの組成比を調整する必要がある。これま
での検討の結果、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層のＴｅの組成
比が記録線速度に高い相関があることが分かっている。

【０００９】次に、図１に種々の組成比を有するＡｇＩ
ｎＳｂＴｅを記録層として作製した相変化形光ディスク
の最適記録線速度のＴｅ組成比依存性を示す。層構成
は、ハードコート層３〜５μｍ／基板１．２ｍｍ／第１
誘電体層１００ｎｍ／ＡｇＩｎＳｂＴｅ２５ｎｍ／第２
誘電体層３０ｎｍ／反射放熱層１４０ｎｍ／オーバーコ
ート層８〜１０μｍとした。記録は、ＮＡ０．５０、λ
７８０ｎｍのピックアップを用い、ＥＦＭ変調による記
録をした。記録パルスストラテージは、オレンジブック
パートIIIに準拠した（図２）。記録パワー、イレース
パワー、バイアスパワーは、１２ｍＷ、６ｍＷ、１ｍＷ
とした。最適記録線速とは、オーバーライト回数がもっ
とも多くなる線速とした。

【００１０】図１に示すように、最適記録線速と記録層
のＴｅ組成比がＲ２＝０．９１３３の高い相関があるこ
とが分かった。この結果及び実験精度±１ａｔ％を考慮
すると、記録線速がどんなに遅くとも（０ｍ／ｓ）、Ｔ
ｅ組成比は３５ａｔ％以下と推測される。ＣＤ線速１
Ｘ、２Ｘ、４Ｘ、８Ｘに対応した光記録媒体を得るため
には、その線速１．２〜１．４ｍ／ｓ、２．４〜２．８
ｍ／ｓ、４．８〜５．６ｍ／ｓ、９．６〜１１．２に対
応するＴｅ組成比は、３３、３０、２７、２０ａｔ％程
度と推測される。

【００１１】一方、ＡｇＩｎＳｂＴｅを記録層とする相
変化形記録媒体は、それらの組成によって、保存信頼性
に影響を与える。Ａｇが６ａｔ％を超えると、オーバー
ライトシェルフの劣化が顕著になる。つまり、製造後数
年たって記録したときに十分な信号が記録できなくなっ
てしまう。また、Ｉｎが１５ａｔ％を超えるとアーカイ
バルの劣化が顕著になる。一万、３ａｔ％より少ない
と、記録感度の低下をもたらす。Ｓｂはその組成比が大
きい方がオーバーライトの繰り返し特性に優れるが、６
５ａｔ％を超えるとアーカイバル劣化をもたらす。ま
た、アーカイバル劣化の低減に、ＮおよびまたはＯの添
加が効果的である。それによって、アモルファスマーク
が安定化される。それらのメカニズムの詳細は、必ずし
も明確ではないが、膜中への適量の窒素混入により、膜
密度の減少、微小欠陥の増加等により、構造的には粗の
方向に変化する。その結果、窒素無添加の状態に比べ、
膜の秩序性が緩和され、アモルファスから結晶への転移
は抑制される方向になる。したがって、アモルファスマ
ークの安定性が増し、保存寿命が向上する。Ｎ及びＯ
は、Ｔｅ及び／又はＳｂに結合していることがＩＲスペ
クトルから明らかになっている。

【００１２】好適なＮおよびＯの組成比は、５ａｔ％以
下である。５ａｔ％を超えると、記録層の窒化が進み過
ぎてしまい、結晶化が困難になる。その結果、初期化不
足や消去比の低減を生じてしまう。記録眉へのＮ、Ｏの
導入はスパッタリング時のアルゴンガスに窒素ガスや酸
素ガスを０ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下混合したガス
を用いることで得られる。また、窒素ガスとアルゴンガ
スとの混合ガスを用いることにより記録層へのＮ、Ｏの
導入を可能にする。混合ガスは所望のモル比であらかじ
め混合したガスを用いても、チャンバー導入時に所望の
モル比になるように流量をそれぞれ調整してもよい。

【００１３】さらに、ＮおよびＯの添加効果の一つとし
て、転移線速度の制御法としても有効である。具体的に
は、ＮおよびＯの添加により、転移線速度すなわち最適
な記録線速度を低線速度側に変化させることができる。
これは、同一のターゲットを使っても、記録膜作製時の
Ｎ₂（Ｏ₂）／Ａｒガス混合比の制御のみで、相変化光デ
ィスクの最適記録線速度を調整することができる。

【００１４】記録膜中のＮおよびＯの化学結合状態とし
ては、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅのいずれか一種以上と結
合していることが望ましいが、特に、Ｔｅに結合した状
態、具体的には、Ｔｅ−Ｎ、Ｔｅ−○、Ｓｂ−Ｔｅ−
Ｎ、といった化学結合が存在した時に、Ｏ／Ｗの繰り返
し回数の向上に、より効果が大きい。そのような化学結
合状態の分析手段としては、ＦＴ−ＩＲやＸＰＳ等の分
光分析法が有効である。例えば、ＦＴ−ＩＲでは、Ｔｅ
−Ｎによる吸収帯は５００〜６００ｃｍ^-1付近にそのピ
ークをもち、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎは、６００〜６５０ｃｍ^-1
付近にそのピークが出現する。

【００１５】さらに、本発明の記録層材料には、さらな
る性能向上、信頼性向上等の目的に、他の元素や不純物
を添加することができる。一例としては、特開平５−１
８５７８２号公報に記載されている元素（Ｂ、Ｎ、Ｃ、
Ｐ、Ｓｉ）やＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ａｕ等が好ましい例として挙げられる。

【００１６】本発明においては、記録層の組成は記録膜
を発光分析法により測定して得られる値を用いたが、そ
の他にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフォード後方散
乱、オージェ電子分光、蛍光Ｘ線等の分光法が考えられ
る。その場合は、発光分光法で得られる値との比較検討
をする必要がある。また、一般に発光分析法の場合、測
定値のおよそ±５％は分析誤差と考えられる。２次イオ
ン質量分析法等の質量分析も有効である。

【００１７】記録層中に含まれる物質の観測はＸ線回折
または電子線回折が適している。すなわち結晶状態の判
定として、電子線回折像でスポット状及至およびまたは
デバイリング状のパターンが観測される場合には、結晶
状態、リング状のパターン及至ハローパターンが観測さ
れる場合には非結晶（アモルファス）状態とする。結晶
子径はＸ線回折ピークの半値幅からシェラーの式を用い
て求めることができる。さらに、記録層中の化学結合状
態、例えば酸化物、室化物等の分析にはＦＴ−ＩＲ、Ｘ
ＰＳ等の分析手法が有効である。

【００１８】記録層の膜厚としては１０〜１００ｎｍ、
好適には１５〜５０ｎｍとするのがよい。さらに、ジッ
ター等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考
慮すると、好適には１５〜３５ｎｍとするのがよい。１
０ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層とし
ての役割を果たさなくなる。また、１００ｎｍより厚い
と高速で均一な相変化がおこりにくくなる。このような
記録層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプ
レーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成で
きる。なかでも、スパッタリング法が量産性、膜質等に
優れている。

【００１９】第１保護層および第２保護層の材料として
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔ
ｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｍｇ○、ＺｒＯ₂などの金属酸化物、
Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化
物、ＺｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₃、ＴａＳ₄などの硫化物、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物やダイヤモンド状カーボン、或いはそれらの混合物が
挙げられる。

【００２０】これらの材料は、単体で保護層とすること
もできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に
応じて不純物を含んでもよい。必要に応じて、誘電体層
を多層化することもできる。ただし、第１保護層および
第２保護層の融点は記録層よりも高いことが必要であ
る。このような第１保護層および第２保護層の材料とし
ては、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリ
ング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレー
ティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。なかでも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優
れている。

【００２１】第１保護層の膜厚は、ＤＶＤ（デジタルビ
デオディスク）の再生波長である６５０ｎｍの反射率に
大きく影響する。図３に、記録層２５ｎｍ、第２保護届
（屈折率２．０）３０ｎｍ、反射放熱層１４０ｎｍのと
きのグルーブ反射率の第１保護層（屈折率２．０）厚依
存性を示す。７８０ｎｍと６５０ｎｍの再生波長でＣＤ
−ＲＷディスクの規格である反射率０．１５〜０．２５
を満足するためには、第１保護層を６５〜１３０ｎｍと
することが要求される。また、６５０ｎｍの再生波長で
も十分な反射率（１８％程度）を得るためには、第１保
護層を１１０ｎｍ以下とすることが望ましい。したがっ
て、波長７８０ｎｍでの記録再生および６５０ｎｍの再
生で十分な信号特性を得るためには、第１保護層を８０
〜１１０ｎｍとすることが好適と判断される。

【００２２】第２保護層の膜厚としては、１５〜４５ｎ
ｍ、好適には２０〜４０ｎｍとするのがよい。１５ｎｍ
より導くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなく
なる。また、感度の低下を生じる。一方、４５ｎｍより
厚くなると、１．２〜５．６ｍ／ｓの低線速度で使用し
た場合、界面剥離を生じやすくなり、繰り返し記録性能
も低下する。

【００２３】反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｔａなどの金属材料、または、それらの合金等を
用いることができる。また、添加元素としては、Ｃｒ、
Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａ等が使用される。
このような反射放熱層は、各種気相成長法、例えば真空
蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶ
Ｄ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等に
よって形成できる。反射放熱層の膜厚としては、７０〜
１８０ｎｍ、好適には１００〜１６０ｎｍとするのがよ
い。

【００２４】反射放熱層の上には、その酸化防止とし
て、オーバーコート層を有することが望ましい。オーバ
ーコート層しては、スピンコートで作製した紫外線硬化
樹脂が一般的である。その厚さは、７〜１５μｍが適当
である。７μｍ以下では、オーバーコート層上に印刷層
を設ける場合、エラーの増大が認められることがある。
一方、１５μｍ以上の厚さでは、内部応力が大きくなっ
てしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしま
う。

【００２５】ハードコート層としては、スピンコートで
作製した紫外線硬化樹脂が一般的である。その厚さは、
２〜６μｍが適当である。２μｍ以下では、十分な耐擦
傷性が得られない。６μｍ以上の厚さでは、内部応力が
大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響
してしまう。その硬度は、布でこすっても大きな傷がつ
かない鉛筆硬度であるＨ以上とする必要がある。必要に
応じて、導電性の材料を混入させ、帯電防止を図り、埃
等の付着を防止することも効果的である。用いられるハ
ードコート層の紫外線硬化樹脂としては、再現性よくか
つ精度よく塗布位置を制御するために、粘度が４０ｃｐ
ｓ以上のものが望ましい。それによって、精度よく半径
２２〜２０ｍｍという狭い領域に精度よくハードーコー
トの端が形成される（図５）。

【００２６】

【実施例】以下、本発明を実施例によって更に具体的に
説明する。実施例１〜３及び比較例１幅０．５μｍ、深さ３５ｎｍのグルーブを有する１．２
ｍｍ厚のポリカーボネート基板に、以下の実施例及び比
較例に示す第１保護層、記録層、第２保護層、反射層を
表１の半径に成膜し、保護層を記録層より内外に広い領
域に成膜する方法としては、（１）保護層をＲＦ放電で
スパッタすることで基板とマスクの隙間に保護層を回り
込ませる、（２）各層を成膜する際のマスクの大きさを
変える、（３）基板とマスクの距離が広ければ広い範囲
に成膜できるということを利用して、成膜時に基板とマ
スクの距離を各々変える、等の方法を用いた。

【００２７】次いで、紫外線硬化樹脂のスピンコートに
よるハードコート、オーバーコートを形成し、相変化形
光ディスクを作製した。第１保護層及び第２保護層はＺ
ｎＳＳｉＯ₂を用いた。反射層はアルミニウム合金を用
いた。次いで、大口径のＬＤを有する初期化装置によっ
て、ディスクの記録層の結晶化処理を行なった。初期化
条件は飽和反射率の９５％以上を確保できる条件で行な
った。

【００２８】

【表１】

【００２９】次いで、紫外線硬化樹脂のスピンコートに
よるハードコート、オーバーコートを形成し、相変化形
光ディスクを作製した。第１保護層及び第２保護層はＺ
ｎＳＳｉＯ₂を用いた。反射層はアルミニウム合金を用
いた。次いで、大口径のＬＤを有する初期化装置によっ
て、ディスクの記録層の結晶化処理を行なった。初期化
条件は飽和反射率の９５％以上を確保できる条件で行な
った。実施例２、３の各保護層の膜厚は、図８に示す膜
厚−反射率の関係から求めて制御した。

【００３０】このようにして得た相変化形光ディスク評
価は、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを搭
載した評価機を用いて行なった。記録ストラテージは、
消去パワー／書込みパワー（Ｐｅ／Ｐｗ）を０．５０と
した。記録パワー、バイアスパワーは、それぞれ１２ｍ
Ｗ、１ｍＷとした。再生パワーは１．０ｍＷとした。表
２に保存試験（８０℃、８５％ＲＨ、５００時間）の結
果を示す。

【００３１】

【表２】

【００３２】

【発明の効果】以上、詳細且つ具体的な説明より明らか
なように、本発明は記録層より広い領域に第１保護層お
よび第２保護層が形成されているのでバリア性が向上
し、保存信頼性に優れた相変化形光記録媒体を獲得で
き、Ｒ４１〜Ｒ１１の反射率、Ｒ（１）％とＲ１１〜Ｒ
３１の反射率、Ｒ（２）％とＲ３１〜Ｒ２１の反射率、
Ｒ（３）％を管理することで、第１保護層および第２保
護層の膜厚が精度よく管理できるので、信号品質の量産
安定性に優れた相変化形光記録媒体を獲得でき、また、
スパッタの放電の種類で成膜範囲が制御できるので、機
械的な変更なしで請求項２の相変化形光記録媒体を獲得
できるという極めて優れた効果を奏する。また、各層毎
にマスクを変更すること無しに基板とマスク間の距離で
成膜範囲が制御できるので、成膜範囲の差をより大きく
することができて、第１保護層および第２保護層の反射
率が測定しやすくなり、安価な測定装置で管理できるよ
うになるという極めて優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の相変化形光記録媒体における最適記録
線速度のＴｅ組成比依存性を示す図である。

【図２】本発明の相変化形光記録媒体における記録パル
スストラテージの１例を示す図である。

【図３】本発明の相変化形光記録媒体におけるグルーブ
反射率の第１保護層（屈折率２．０）厚依存性を示す図
である。

【図４】本発明の相変化形光記録媒体の形態の１例を示
す構成図である。

【図５】本発明の相変化形光記録媒体の形態の他の１例
を示す構成図である。

【図６】本発明の相変化形光記録媒体の形態の別の１例
を示す構成図である。

【図７】本発明の相変化形光記録媒体の形態のまた別の
１例を示す構成図である。

【図８】本発明の相変化形光記録媒体の形態のまた別の
１例を示す構成図である。

【図９】本発明の相変化形光記録媒体の形態のまた別の
１例を示す構成図である。

【図１０】本発明の相変化形光記録媒体の形態のまた別
の１例を示す構成図である。

【図１１】比較例の相変化形光記録媒体の形態を示す構
成図である。

【図１２】従来の光記録媒体の形態例を示す構成図であ
る。

【符号の説明】

１基板２第１保護層（６５〜１３０ｎｍ）３記録層（１５〜３５ｎｍ）４第２保護層（１５〜４５ｎｍ）５反射放熱層（７０〜１８０ｎｍ）６オーバーコート層（７〜１５ｎｍ）７ハードコート層（２〜６ｎｍ）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＧ１１Ｂ 7/24 ５６１Ｇ１１Ｂ 7/24 ５６１Ｂ (72)発明者相原謙一東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者服部恭士東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】円盤状の基板上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂の順
に積層してなる光記録媒体において、第１誘電体層の膜
厚が６５〜１３０ｎｍ、記録層の膜厚が１５〜３５ｎ
ｍ、第２誘電体層の膜厚が１５〜４５ｎｍ、金属又は合
金層の膜厚が７０〜１８０ｎｍ、ＵＶ硬化樹脂層の膜厚
が７〜１５μｍであり、記録を担う物質の相変化により
記録消去を行なう光記録媒体の記録層の構成元素が主に
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｎ或いはＯであり、それぞれ
の構成比α、β、γ、δ、ε（原子％）が、０＜α≦
６、３≦β≦１５、５０≦γ≦６５、２０≦δ≦３５、
０≦ε≦５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００である光記録
媒体であって、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、
金属又は合金層、各々の層の形成領域の異なることを特
徴とする光記録媒体。
【請求項２】基板のグルーブ形成領域の内径及び外径
が（Ｒ０１〜Ｒ０２）で、各々の層の形成領域の内径及
び外径が第１誘電体層（Ｒ１１〜Ｒ１２）、記録層（Ｒ
２１〜Ｒ２２）、第２誘電体層（Ｒ３１〜Ｒ３２）、金
属又は合金層（Ｒ４１〜Ｒ４２）であり、Ｒ１１＜Ｒ２
１＜Ｒ０１、Ｒ０２＜Ｒ２２＜Ｒ１２かつＲ３１＜Ｒ２
１＜Ｒ０１、Ｒ０２＜Ｒ２２＜Ｒ３２であることを特徴
とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】Ｒ４１＜Ｒ１１＜Ｒ３１若しくはＲ４１
＜Ｒ３１＜Ｒ１１であることを特徴とする請求項２に記
載の光記録媒体。
【請求項４】放電の種類（ＲＦ、ＤＣ）を変える真空
成膜により、各層の形成領域を異ならせることを特徴と
する請求項１〜３のうちいずれか１に記載の光記録媒
体。
【請求項５】マスクと基板間の距離を変える真空成膜
により、各層の形成領域を異ならせることを特徴とする
請求項１〜３のうちいずれか１に記載の光記録媒体の製
造方法。
【請求項６】Ｒ４１〜Ｒ１１の反射率、Ｒ（１）％、
Ｒ１１〜Ｒ３１の反射率、Ｒ（２）％、Ｒ３１〜Ｒ２１
の反射率、Ｒ（３）％、より第１誘電体層、第２誘電体
層の膜厚を管理することを特徴とする請求項３に記載の
光記録媒体の製造方法。