KR19980703686A - 성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 ２피스 전지캔용 강판 - Google Patents

성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 ２피스 전지캔용 강판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 DI성형에 의한 측동부 박육화가 가능한 우수한 성형 가공성을 가짐과 동시에, 더욱 바람직하게는, 제캔된 상태에서 높은 캔체강도와 우수한 내이차가공취성 및 내식성을 갖는 2피스 전지캔용 강판을 얻는 것을 목적으로 한다. 이때문에 본 발명의 2피스 전지캔용 강판은 S와 O(단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, 바람직하게는 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035 (wt%), 바람직하게는 [S/10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하고, 더욱 바람직하게는, B를 0.0005∼0.0015wt%로, 또한 0.2≤B/N≤1.0을 만족하는 범위로 함유하든지, 또는 Cr: 0.03∼0.10wt%, Ni: 0.01∼0.10wt%의 1종 또는 2종을 합계 0.10wt%이하의 범위로 함유하고, 특히 우수한 내식성을 확보할 경우에는 강판 양면에 적어도 Ni 도금층 또는 Fe-Ni 합금화 도금층을 형성한다.

Description

성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 ２피스 전지캔용 강판
최근 전지캔 분야에서는 캔체의 경량화, 제조공정의 간략화, 소재 및 제조비 저감, 그리고 측동부(側胴部)의 박육화에 따른 충전제의 용량증가 등의 관점에서, 전지의 플러스단부와 측동부를 일체성형한 소위 2피스 전지캔이 개발되어 (특공평 7-99686호 공보) 이미 실용화되고 있다. 이 2피스 전지캔의 제조는 판두께 0.4∼0.5mm 정도의 강판을 원형으로 블랭크한 후, 원통상으로 디프 드로잉하여 성형하는 공정과, 이 원통부를 복수의 아이어닝 다이에 의해 아이어닝가공하는 공정으로 측동부의 동길이를 길게 함과 동시에 캔 벽두께를 얇게 하는 것으로, 측동부의 캔벽은 최종적으로 0.15mm이하의 두께까지 박육화된다.
따라서, 이 2피스 전지캔용 강판에는 아이어닝 가공 등에 있어서의 양호한 성형가공성과 함께 캔체로 가공된 상태에서 높은 캔체 강도와 우수한 내이차가공취성을 가질 것 등이 요구된다. 또, 2피스 전지캔은 단자부 등이 부식되기 쉽기 때문에 소재강판에는 우수한 내식성도 요구되고, 이 때문에 2피스 전지캔용 강판에는 내식성을 확보하기 위하여 Ni 도금이 실시되는 것이 일반적이다.
종래, 2피스 전지캔에 사용되는 강판에 관하여 다음과 같은 제안이 되어 있다.
①전지특성 및 내식성을 고려하여 DI성형시에 캔체 표면에 형성되는 미소한 균열이 전지성능에 유효하다는 기술(특개평 5-21044호 공보)
②강판의 면내 이방성과 코일폭방향의 균질성을 개선하기 위하여 열연 및 냉연공정에서의 온도의 균질화와 신장율의 균일화를 도모하여, 최종적인 강판의 r치와 △r치를 규정한 기술(특개평 6-344003호 공보)
③2피스 전지캔 용도의 강판을 연속풀림으로 제조하기 위하여 강중 탄소량을 0.009wt% 이하(실질적으로는 0.002∼0.003wt%)로 하는 기술(특개평 6-346150호 공보)
④DI성형시의 형수명을 연장하기 위하여 강판의 표면 거칠기를 규정한 기술(특개평 6-346282호 공보)
⑤전지캔의 내식성의 관점에서 Ni도금층의 막두께 및 형태를 제어하는 기술(특개평 6-346284호 공보)
이들의 종래기술은 상기한 특개평 7-99686호 공보가 개시하는 2피스 전지캔에 제공되는 강판 및 그 제조법에 대하여 규정한 것이나, 어느 제안에도 우수한 DI성형성이 얻어지고, 또한 캔체에 요구되는 캔체 강도와 우수한 내이차가공취성, Ni 도금성이나 Ni 확산처리시의 균질확산성, 내식성 등이 얻어지는 최적의 강성분 조건에 대하여 명확한 지침은 제시되지 않았고, 캔 측동부의 박육화에 대응한 하지강판의 제조기술을 제시하는 것은 아니다. 특히, 금후 캔체 측동부의 더 한층의 박육화가 진행될 경우, 캔 제조공정에서의 재료에 기인한 균열이나 주름발생 문제에 더하여 제강성 개재물에 대한 관리가 점점 엄격해질 것이 예상되며, 상기한 종래기술은 이와같은 과제에 충분히 대응할 수 있는 것은 아니다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 종래기술의 문제를 해결하고, DI성형에 의해 2피스 전지캔으로 제캔될때에 캔체 측동부의 박육화에 대응할 수 있는 양호한 성형가공성을 갖는 2피스 전지캔용 강판을 제공함에 있다.
또, 본 발명의 다른 목적은 DI성형시의 우수한 성형가공성을 가짐과 동시에, 캔체로 가공된 상태에서 높은 캔체 강도와 우수한 내이차가공취성을 가지며, 게다가 우수한 내식성을 겸비한 강판, 특히 박육비율 70%이상인 측동부 박육화를 수반하는 DI성형을 받을 경우에도 플랜지 균열이나 아이어닝 균열을 일으키지 않고, 게다가 캔 제조후에 있어서 고도의 캔체 강도와 우수한 내이차가공취성 및 단자 엠보스 가공부 등의 내식성을 얻을 수 있는 2피스 전지캔용 강판을 제공함에 있다.
발명의 개시
본 발명자들은 상기 제특성을 겸비한 2피스 전지캔용 강판을 얻기 위하여 판두께 0.4mm의 전지캔용 냉연강판에 대하여 강중에 분포하는 미세개재물의 구조를 해석하고, 그 해석결과와 강판을 2피스 전지캔 상당의 원통성형 캔으로 DI성형할 때의 아이어닝균열 발생상황과의 관계를 조사하였다. 그 결과, 아이어닝균열을 야기하는 주원인이, 제강성의 산화물계 비금속 개재물과 열연공정 이후의 고상(固相)반응에 의해 강중에 석출한 MnS인 것, 특히 강중에 존재하는 약간의 산화물계 또는 황화물계 비금속개재물이 DI성형시의 캔체 측동부나 플랜지부의 균열을 일으키는 원인이 되고 있다는 것이 판명되었다.
본 발명은 이와 같은 사실에 근거하여 산화물계 비금속 개재물과 황화물계 비금속 개재물의 제어가 2피스 전지캔의 캔체 측동부의 더한층의 박육화에 중요하다는 관점에서 이들 개재물의 절대량을 지배하는 강중의 O와 S 함유량의 최적 범위를 규정하였다.
또, 본발명은 O와 S가 상기 최적범위로 규제된 강중에 적당량의 B를 첨가함으로써 DI성형할 때의 미소한 균열의 전파저지와 높은 캔체 강도를 확보할 수 있다는 것, 특히 아이어닝 가공에 의한 박육화 시에 지철(地鐵)에 도달하는 미소한 균열이 캔체 측동부에 발생하는 것이 회피되고, 이에 따라 우수한 내이차가공취성과 캔체 강도를 확보하면서 더 한층의 캔체 측동부 박육화가 가능해짐과 동시에 단자주변의 굽힘 변형부의 외면 내식성도 향상된다는 것을 발견하고, 이러한 지견에 의거하여 강판중에 적당량의 B를 첨가하는 것이다.
그리고 본 발명은 DI성형된 2피스 전지캔은 제조시에 캔체 측동부나 단자부 주변의 굽힘가공부에 형성된 미소한 균열이 지철에 전파됨으로써 외면 내식성이 열화되나, 지철(하지강판)에 적당량의 Cr, Ni를 단독 또는 복합첨가함으로써 그와같은 외면 내식성 열화를 제어할 수 있다는 것을 발견하고, 이러한 지견에 의거하여 강판중에 적당량의 Cr 및/또는 Ni를 첨가하는 것이다.
즉, 본 발명의 특징으로 하는 구성은 이하와 같다.
(1) S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
(2) S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0.0025wt%, [S/ 10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
(3) B를 0.0005∼0.0015wt%로, 또한 0.2≤B/N≤1.0을 만족하는 범위로 함유하고, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/ 10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
(4) 상기 (3)의 2피스 전지캔용 강판에 있어서, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
(5) 상기 (3) 또는 (4)의 2피스 전지케이시용 강판에 있어서 Cr: 0.03∼0.10 wt%, Ni: 0.01∼0.10wt의 1종 또는 2종을 합계 0.10wt% 이하의 범위로 함유하는, 성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
(6) Cr: 0.03∼0.10wt%, Ni:0.01∼0.10wt%의 1종 또는 2종을 합계 0.10wt% 이하의 범위로 함유하고, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035wt%를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
(7) 상기 (6)의 2피스 전지캔용 강판에 있어서, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0030wt%를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
(8) 상기 (6) 또는 (7)의 2피스 전지캔용 강판에 있어서, Cr:0.05∼0.10 wt%, Ni: 0.03∼0.10wt%의 1종 또는 2종을 합계 0.10wt%이하의 범위로 함유하는, 성형가공성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
(9) 상기 (1),(2),(3),(4),(5),(6),(7) 또는 (8)의 강판 양면에 적어도 Ni 도금층 또는 Fe-Ni 합금화 도금층을 갖는 2피스 전지캔용 강판.
이와같은 본 발명의 2피스 전지캔용 강판에 따르면, DI성형에 의해 2피스 전지캔으로 제캔할 때에, 측동부의 박육화에 대응할 수 있는 양호한 성형가공성을 가짐과 동시에, 캔체로 가공된 상태에서 높은 캔체 강도와 우수한 내이차가공취성을 가지며, 게다가 우수한 내식성을 가지고 있다. 특히 2피스 전지캔 측동부가 종래 수준에 비해 더욱 박육화된 경우에도 플랜지 균열이나 아이어닝 균열을 일으키지 않고, 게다가 고도의 캔체 강도와 우수한 내이차가공취성 및 단자 엠보스 가공부 등의 내식성을 얻을 수 있다.
본 발명은 DI(Draw and lroning, 이하 동일) 성형에 적합한 2피스 전지캔(can)용 강판에 관한 것이다.
도 1은 2피스 전지캔용 강판을 DI성형할 때의 아이어닝 가공에 있어서의 한계 아이어닝률과 강판의 S량 및 O량과의 관계를 나타내는 그래프,
도 2는 2피스 전지캔용 강판을 DI성형하여 제조된 원통 성형 캔에 대하여 그 측동부를 편평하게 압축하여, 취성파괴하지 않고 측동부가 밀착가능하였던 아이어닝 박육화율과 강판의 B첨가량과의 관계를 나타내는 그래프,
도 3은 2피스 전지캔용 강판의 한계 드로잉비 및 드로잉비: 1.9로 컵성형할 때의 자투리비율(selvaging ratio)과 강판중의 B/N과의 관계를 나타내는 그래프,
도 4는 2피스 전지캔용 강판을 DI성형하여 제조된 원통성형 캔에 대하여 접촉저항치의 증가 정도로 평가되는 단자부 내식성과 강판중의 B첨가량과의 관계를 나타내는 그래프,
도 5는 B무첨가의 2피스 전지캔용 강판을 DI성형하여 제조된 원통성형캔에 대하여 접촉저항치의 증가 정도로 평가되는 단자부의 내식성과 강판중의 Ni, Cr첨가량과의 관계를 나타내는 그래프,
도 6은 B첨가의 2피스 전지캔용 강판을 DI성형하여 제조된 원통성형캔에 대하여 접촉저항치의 증가 정도로 평가되는 단자부의 내식성과 강판중의 Ni, Cr첨가량과의 관계를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명에 이른 경위와 본 발명의 상세 및 한정이유에 대하여 설명한다.
우선 본 발명은, 2피스 전지캔용 강판에 요구되는 아이어닝 가공시의 내아이어닝 균열성의 관점에서 강중의 S량과 O량(단, O: 전산소함유량, 이하 동일)을 규정한다. 도 1은 S량과 O량이 다른 강판(BAF: 상자 풀림재, CAL: 연속 풀림재로서, C는 각 풀림재의 C량을 표시한다. 이하 동일)을 소재로 하여 DI성형으로 2피스 전지캔 상당의 원통성형캔을 제캔하고, 그때의 한계 아이어닝률(아이어닝가공에 있어서 아이어닝 균열이 발생하지 않는 아이어닝률의 상한)에 미치는 S량과 O량의 영향을 나타낸 것이다.
도 1에 따르면, 0.005wt%≤S≤0.015wt%, O≤0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035 (wt%)의 범위에서 70% 이상의 한계아이어닝률이, 또한 0.005wt%≤S≤0.012wt%, O≤0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0030(wt%)의 범위에서 75%이상의 높은 한계아이어닝률이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 또한, S량이 0.005wt% 미만인 영역에서 내드로잉 균열성이 떨어지는 것은, 열간 압연시의 스케일 박리성 열화에 기인한 스케일성 표면 결함이 아이어닝시의 균열을 유기하기 때문이다.
이상의 결과에서 본 발명은 강판중의 S량과 O량을 0.005wt%≤S≤0.015wt%, O≤0.0025wt%(0%의 경우를 포함), [S/10+O]≤0.0035(wt%)의 범위, 더욱 바람직하게는 0.005wt%≤S≤0.012wt%, O≤0.0025wt%(0%의 경우를 포함), [S/10+O]≤0.0030 (wt%)의 범위로 규정한다.
다음에, B첨가에 따른 캔체 강도의 향상과 내이차가공취성의 개선효과에 대하여 검토한 결과에 대하여 설명한다.
S량과 O량이 상기 본 발명 범위 (S: 0.005∼0.010wt%, O: 0.0010∼0.0015 wt%, [S/10+O]≤0.0035wt%)로 조정되고 또한 B첨가량이 다른 강판을 소재로 하여 DI성형에 의해 여러 아이어닝 박육화율(아이어닝가공에 의한 박육화율)로 2피스 전지캔 상당의 원통성형 캔을 제캔하고, 이 원통성형 캔의 측동부를 편평하게 압축하여 취성파괴하지 않고 측동부가 밀착가능하였던 한계아이어닝 박육화율을 조사하였다. 도 2는 그 결과를 한계아이어닝 박육화율과 B첨가량과의 관계로 정리하여 표시한 것이다.
도 2에 따르면, 강판에 0.0003wt% 이상의 B를 첨가함으로써 높은 박육화율의 아이어닝성형에 따른 가공취화 현상이 현저히 개선되는 것을 알 수 있다. 이는, 강중에 적당량의 B를 첨가함으로써 페라이트 결정입계나 결정과 탄화물등의 계면 결합력이 상승하여 미세한 균열이 전파되기 어려워지기 때문이라 생각된다. 또, C량이 50ppm이하이고, Ti, Nb등의 탄질화물 형성원소가 첨가된 강판에서는 아이어닝률이 높아지면 입계의 균열 감수성이 높아지기 때문에, 미량의 B첨가는 그러한 감수성을 둔화시키기 위해서도 유효한 수단이라 생각된다.
한편, B량이 0.0015wt%를 넘으면 하지강판의 강도가 상승하여, 성형하중 증대에 의해 DI성형시에 형마손등의 제캔불량을 일으킬 경우가 있다.
한편, B는 Al과 함께 강중의 미량의 N을 BN으로서 석출시키고 시효성을 개선함과 동시에 코일내의 재질의 균질성을 개선하는 데도 유효한 원소이나, N량과의 관계로 B를 과잉 첨가하면 디프드로잉성 열화나 면내 이방성 현재화(顯在化)라는 문제를 일으킨다. 도 3은 S량과 O량이 상기 본 발명 범위(S: 0.008 ∼0.012wt%, O: 0.0010∼0.0018wt%, [S/10+O]≤0.0030wt%)로 조정되고 또한 B/N이 다른 강판에 대하여 한계 드로잉비와 드로잉비: 1.9로 컵성형할때의 자투리비율에 미치는 B/N의 영향을 나타낸 것이다. 동도면에 의하면, B/N이 0.2이상이면 자투리비율개선이 인정되고, 한편, B/N이 1.0을 초과하면 재차 자투리비율 열화가 인정된다.
일반적으로 2피스 전지캔용 강판은 Ni 도금이 실시되고, 도금 그대로의 상태 또는 열확산 처리에 의해 도금층 일부 또는 전부를 Fe-Ni 합금층으로 한 상태로 DI성형에 제공된다. 이같은 DI성형에 있어서, 아이어닝률: 70%이상, 혹은 더욱 엄격한 아이어닝률: 75% 이상의 아이어닝가공이 행해질 경우, 강판표층의 Ni 도금층이나 Fe- Ni 합금층이 파괴됨과 동시에 캔체와 아이어닝 다이의 윤활상태가 열화하여 도금층에 미소한 모(毛)균열이 생기게 된다. 이와 같은 상태에 이르러서는 Ni도금층 또는 Fe-Ni 합금층에 의한 내식성 향상효과가 충분히 발휘되지 않게 된다.
본 발명에서는, 이와같은 높은 아이어닝률로 아이어닝가공을 행할 때에 불가피적으로 발생하고 있던 미소한 모균열, 즉 지철의 결정입계 또는 결정입과 탄화물 등의 제2상과의 계면을 기점으로 하여 발생하는 모균열을 방지하는 데도 B첨가가 유효하고, 내식성을 효과적으로 개선할 수 있다는 것을 발견하였다. 따라서, 이와같은 관점에서도 B의 적당량 첨가에 의해 2피스 전지캔의 한계아이어닝률을 높일 수 있다.
2피스 전지캔용 강판에 있어서의 B첨가가 내식성에 미치는 영향을 조사하기 위하여 S량과 O량이 상기 본 발명 범위(S: 0.008∼0.012wt%, O: 0.0010∼0.0018wt% , [S/10+O]≤0.0030wt%)로 조정되고 또한 B첨가량이 다른 강판에 도금두께 1㎛, 2㎛, 4㎛의 Ni 도금을 실시하고, 이들 강판을 소재로 하여 DI 성형에 의해 2피스 전지캔 상당의 원통캔을 제캔하고, 이 원통캔을 32℃, 85% RH의 환경에 100시간 유지할때의 단자부의 접촉저항 증가 정도를 조사하여 단자부의 내식성을 평가하였다. 도 4는 단자부의 접촉저항치 증가 정도와 강판의 B첨가량과의 관계를 나타낸 것으로, B량 0.0005wt% 이하에서 단자부의 접촉저항 증가 정도가 급격히 상승하고 있다. 이것은 도 2에 나타낸 B 첨가에 의한 하지강판의 인성(내이차가공취성)의 개선이 DI 성형시에 전지캔 단자부나 측동부에 형성되는 미소한 모균열을 방지하는 것에도 유효하게 작용하고 있다는 것을 시사하고 있으며, B의 적당량 첨가로 고온다습 환경하에서의 접촉저항의 증대억지효과가 얻어져, 내식성이 효과적으로 향상되는 것이다.
여기서, 도 2에 나타낸 바와 같이 내이차가공취성은 B: 0.0003wt% 이상에서 개선효과가 인정되나, 도 4에 따르면 B첨가로 내식성 개선효과가 현저히 나타나는 것은 B:0.0005wt% 이상이고, 따라서, 본 발명은 2피스 전지캔에서는 내식성이 매우 중요한 요구 성능인 것을 고려하여, B의 하한을 0.0005wt%로 규정한다. 한편, 도 2에 도시된 바와 같이 B량이 0.0015%를 초과하면 제캔상의 문제가 현재화되기 때문에 B량의 상한을 0.0015wt%로 규정한다. 또한 본 발명은 도 3의 결과에 의거하여 B량(wt%)을 N량(wt%)과의 관계로 B/N: 0.2∼1.0의 범위로 규정한다.
다음에 Ni, Cr첨가에 의한 내식성 개선효과를 검토한 결과에 대하여 설명한다.
본 발명은 높은 아이어닝률(가령, 아이어닝률: 75% 이상)로 아이어닝가공을 행할때에 불가피적으로 발생하고 있던 미소한 모균열, 즉 지철의 결정입계 또는 결정입과 탄화물등의 제2상과의 계면을 기점으로 하여 발생하는 미소한 모균열과 상기 도금층의 파괴가, 단순히 캔체의 외면부식을 촉진시킬 뿐아니라 단자부의 접촉저항 증가를 촉진시킴으로써 캔체의 내식성을 열화시키고 있는 점에 착안하여 이와같은 DI성형시의 강판 표층부의 손상에 기인하는 내식성 열화를 하지강판에 적당량의 Cr 및/또는 Ni를 첨가함으로써 억지하는 것이다.
2피스 전지캔용 강판(B 무첨가의 2피스 전지캔용 강판)에 있어서의 Ni, Cr 첨가가 내식성에 미치는 영향을 조사하기 위하여 S량, O량이 본 발명 범위 (S: 0.008∼0.012wt%, O: 0.0010∼0.0018wt%, [S/10+O]≤0.0035wt%)로 조정된 강(B 무첨가강)에 Ni, Cr을 각각 단독으로, 또한 첨가량을 여러 가지로 변화시켜서 첨가한 강판을 하지강판으로 하여 여기에 도금 두께 2㎛, 4㎛의 Ni 도금을 실시하고, 이 강판을 소재로 하여 DI성형으로 2피스 전지캔 상당의 원통성형캔을 제캔하고, 이 원통성형캔을 32℃, 85% RH의 환경에 100시간 유지할 때의 단자부의 접촉저항 증가 정도를 조사하여, 단자부 내식성을 평가하였다. 도 5는 단자부의 접촉저항치 증가 정도와 강판의 Ni, Cr 첨가량과의 관계를 나타낸 것으로, 0.03wt% 이상(더 바람직하게는 0.05wt% 이상)의 Cr 또는 0.01wt% 이상(더 바람직하게는 0.03wt% 이상)의 Ni를 첨가함으로써 단자부의 외면내식성이 효과적으로 개선됨을 알 수 있다.
그러나, Cr을 0.10wt%를 초과하여 첨가하면 하지 강판의 극표층부에 Cr의 치밀한 산화피막이 형성되고, 이것이 Ni 도금등의 도금성을 열화시켜서 내식성 열화를 초래한다. 또, Ni를 0.10wt%를 초과하여 첨가하면 지철강도가 상승하고 아이어닝가공시의 면압이 상승하여 형 마손을 일으키기 쉬워진다.
이상의 이유로 Cr, Ni 첨가량은 각각 Cr: 0.03∼0.10wt%, 바람직하게는 0.05∼0.10wt%, Ni: 0.01∼0.10wt%, 바람직하게는 0.03∼0.10wt%로 한다.
또한, Ni와 Cr의 합계 첨가량이 0.10wt%를 초과하면 하지강판의 강도가 상승하고 아이어닝 성형시에 면압이 상승하여 형 마손 등의 제캔 불량이 발생하는 경우가 있고, 이 때문에 Ni+Cr량은 0.10wt%를 상한으로 한다.
또, 상기 B첨가의 2피스 전지캔용 강판에 있어서도 Cr, Ni를 단독 또는 복합하여 첨가할 수 있다. 이와같이 B첨가의 본 발명 강판에 있어서 Cr, Ni를 단독 또는 복합하여 첨가하는 목적은, B를 적당량 첨가할 경우라도 공구나 가공조건에 따라서는 상기와 같은 미소한 모균열이 하지강판내에 전파될 우려가 있고, 이와같은 경우를 상정하여 Cr, Ni 첨가로 강판에 내식성을 부여함에 있다.
B첨가의 2피스 전지캔용 강판에 있어서의 Ni, Cr 첨가가 내식성에 미치는 영향을 조사하기 위하여 S량, O량 및 B량이 본 발명 범위(S: 0.008∼0.012wt%, O: 0.0010∼0.0018wt%, [S/10+O]≤0.0035wt%, B: 0.0005wt%)로 조정된 강에 Ni, Cr을 각각 단독으로, 또한 첨가량을 여러 가지로 변화시켜서 첨가한 강판을 하지강판으로 하여 여기에 도금두께 2㎛의 Ni도금을 실시하고, 이 강판을 소재로 하여 DI성형으로 2피스 전지캔 상당의 원통성형캔을 제캔하고, 이 원통캔 단자부의 내식성을 도 4와 동일한 조건으로 평가하였다. 도 6은 단자부의 접촉저항치 증가 정도와 강판의 Ni, Cr의 각 첨가량과의 관계를 나타낸 것으로, 0.03wt% 이상의 Cr 또는 0.01wt% 이상의 Ni를 첨가함으로써 B를 단독첨가한 경우에 비해 내식성이 더 한층 향상됨을 알 수 있다.
그러나, 상기 B무첨가의 본 발명 강판의 경우와 같이 Cr을 0.10wt%를 초과 하여 첨가하면 하지 강판의 극표층부에 Cr의 치밀한 산화피막이 형성되고, 이것이 Ni 도금 등의 도금성을 열화시켜서 내식성 열화를 초래한다. 또, Ni를 0.10wt%를 초과하여 첨가하면 지철 강도가 상승하고 아이어닝가공시의 면압이 상승하여 형 마손을 일으키기 쉽게 된다.
이상의 이유로, B첨가의 2피스 전지캔용 강판에 있어서의 Cr, Ni 첨가량도 각각 Cr: 0.03∼0.10wt%, Ni: 0.01∼0.10wt%로 한다.
또한 Ni와 Cr의 합계첨가량이 0.10wt%를 초과하면 하지강판의 강도가 상승하고 아이어닝 성형시의 면압이 상승하여 형 마손 등의 제캔 불량이 발생할 경우가 있고, 이 때문에 Ni+Cr량은 0.10wt%를 상한으로 한다.
본 발명 강판은 상기 성분원소 이외의 성분원소에 대해서는 특단의 한정을 행하지 않아도 소망하는 효과가 얻어지나, DI성형성등의 관점에서는 필요이상으로 강도레벨이 높거나 또는 고용(固溶)C가 과잉으로 잔류하고 있는 상태는 바람직하지 않고, 양호한 2피스 전지캔 제조에 지장을 가져올 우려가 있다. 이 때문에, 강중의 주요원소에 관해서는 이하와 같은 범위로 하는 것이 바람직하다.
C: C는 2피스 전지캔에 요구되는 내압강도, 패널강도, 좌굴강도 등의 강도레벨을 확보하는 점에서 매우 중요한 원소이다. 그러나, C는 0.02wt%를 초과하는 분에 대해서는 압연방향으로 전신(展伸)한 군락상(群落狀)의 시멘타이트로서 석출되고, 또 0.02wt% 이하의 분에 대해서는 풀림중에 페라이트 입계 혹은 페라이트 입내에 시멘타이트(Fe3C)로서 석출되기 때문에 이들 탄화물과 모상(母相)의 계면이 균열의 기점이 되기 쉽다. 특히, 연속 풀림법으로 제조되는 강판은 통상의 저탄소강에서는 고용 C가 잔류하기 쉬워 변형시효성이 문제가 된다. 또, 상자 풀림법으로 강중의 고용 C를 완전 석출시킬 경우에도 과잉의 C는 시멘타이트나 펄라이트의 체적률 증가를 가져와서 소재의 강도레벨을 상승시킨다. 따라서, 본 발명의 효과를 최대한으로 발휘하기 위해서는 상기 관점에서 C량의 상한을 정하는 것이 바람직하고, C량의 상한은 하지강판이 연속 풀림재인 경우는 0.03wt%(0%의 경우를 포함), 또 하지강판이 상자 풀림재인 경우에는 0.06wt%(0%의 경우를 포함)로 하는 것이 바람직하다.
Si: Si가 강판중에 과잉으로 첨가되면 Ni도금성이 저해되기 때문에, Si는 0.03wt%이하(0%의 경우를 포함)로 하는 것이 바람직하다.
Mn: Mn은 강중의 S를 MnS로서 석출시킴으로써 슬래브의 열간 균열을 방지하는 효과가 있고, 이와같은 관점에서는 강중에 불가결한 원소이다. 그러나, Mn은 강의 내식성에는 반드시 바람직한 원소는 아니고, 특히 전지캔의 내식성을 확보한다는 관점에서는 극력 적은 쪽이 바람직하다. 이때문에, Mn은 S를 석출고정하기 위하여 최저한 필요한 0.1wt%를 하한으로 하고, 한편 내식성 및 Ni 도금 등의 도금성을 확보한다는 관점에서 0.3wt%를 상한으로 하는 것이 바람직하다.
P: P는 Ni 도금 등의 도금성의 관점에서는 극력 적은 쪽이 바람직하나, 0.02wt% 이하의 범위이면 실용상의 영향은 없고, 이때문에 P는 0.02wt%이하(0%의 경우를 포함)로 하는 것이 바람직하다.
S, O: 상기한 바와 같이 S 및 O는 2피스 전지캔용 강판의 조성에 있어서 규제가 필요한 특히 중요한 원소이다. 이들중 S는 MnS로서 강중에 존재하고, 2피스 전지캔의 제캔시에 있어서의 아이어닝 균열의 기점이 되기 쉽다. 또, O는 강중에서 주로 Al2O3계 개재물로서 존재하고(드물게 CaO, MnO계 개재물로서 잔류하는 수가 있다), 이러한 산화물계 개재물은 MnS와 함께 DI제캔시의 균열을 조장한다. 이때문에 본 발명은 도 1의 결과에 의거하여 S량 및 O량(전산소함유량)을 상기 범위로 규정한다.
sol. Al: sol. Al은 강중 N을 AlN으로서 석출시킴으로써 고용 C와 같이 동적변형시효현상에 의해 강판의 국부연성을 저하시키는 고용 N에 의한 폐해를 경감시킨다. 그러나, sol. Al량을 높이기 위하여 다량의 Al첨가를 행하면 미소한 Al2O3개재물이 잔류하기 쉬워지고, 이 개재물의 존재로 DI제캔시의 균열이 조장되는 결과가 된다. 이때문에 sol. Al량은 강중 N을 AlN으로서 석출시키기 위하여 최저한 필요한 0.01wt%를 하한으로 하고, 한편 2피스 전지캔의 제캔성을 저해하지 않기 위하여 0.10wt%를 상한으로 하는 것이 바람직하다.
N: N은 AlN, BN으로서 석출하여 무해화되는 경향이 있으나, 그 함유량은 제강기술상 가능한한 적은 쪽이 바람직하고, 통상 0.004wt% 이하(0%의 경우를 포함)로 하는 것이 바람직하다.
본 발명 강판은 2피스 전지캔으로 제캔한 후의 내식성을 확보하기 위하여, 통상 강판 양면에 도금층 및/또는 합금화 도금층 등의 내식피복층을 형성하여 사용된다. 적용되는 도금층, 합금화 도금층으로는 내식성을 확보할 수 있는 것이면 그 종류에 특별한 제약은 없고, 단층 또는 복층의 도금층 및/또는 이 도금층을 열확산 처리하여 얻어진 합금화 도금층을 강판 양면에 형성하면 된다.
단, 특히 우수한 내식성을 얻기 위해서는, 적어도 Ni 도금층 또는 Fe-Ni 합금화 도금층을 설치하는 것이 바람직하다. Fe-Ni 합금화 도금층은 Ni 도금층을 열확산 처리하여 얻어지는 것으로, Ni 도금층 전부를 합금화(Fe-Ni)시킨 것이어도 좋고, Ni도금층의 하층측만을 합금화시킨 것이어도 좋다. 또, Fe-Ni합금화 도금층 상층에 다시 Ni 도금층을 형성한 복층구조로 하여도 된다. 어느 쪽이든 본 발명의 강판(하지 강판)에 의해 부여되는 내식성과 복합화시킴으로써 특히 우수한 내식성을 확보하기 위해서는 강판 양면에 각각 적어도 1층의 Ni 도금층 및/또는 Fe-Ni 합금화 도금층을 설치하는 것이 바람직하다. 또, Ni 도금층 및/또는 Fe-Ni 합금화 도금층 상층에 Sn 도금층을 설치하여 더욱 내식성을 높일 수도 있다.
또, 2피스 전지캔용 강판인 본 발명 강판은 DI성형용도에 한정되는 것은 아니고, 드로잉 성형용도에도 적용할 수 있다.
[실시예 1]
표 1 및 표 2에 표시하는 No. 1∼No.20의 강을 용제후 연속주조하여 얻어진 주편을 1200℃로 가열후, 마무리 온도: 870℃, 감기온도: 560℃로 열간압연하여 2.3mm두께의 열연강판으로 하였다. 이 열연강판을 산세척후, 판두께 0.5mm 또는 0.4mm까지 냉간압연하고, 계속하여 상자 풀림로에서 650℃로 재결정 풀림을 행하였다. 풀림후의 강판에 조질(調質) 압연을 행한 후, Ni 도금 처리를 실시하고, 이어서 650℃로 열확산처리를 행하였다. 이들 강판에서 원형 블랭크를 채취하여 원통상으로 디프드로잉 성형후, 아이어닝가공으로 측동부 두께 0.18∼0.08mm인 2피스 전지캔 상당의 원통성형캔을 제캔하고, 이들 원통성형캔에 대하여 한계아이어닝률, 캔체의 내이차가공취성, 자투리비율, 단자부의 내식성을 조사하였다. 그 결과를 표 3과 표 4에 표시한다.
또한, 내이차가공취성은 원통성형캔의 측동부를 편평하게 압축하여, 측동부가 취성파괴하지 않고 밀착가능하였던 한계아이어닝 박육화율에 의해 평가하였다. 또, 단자부 내식성은 원통성형캔을 32℃, 85% RH의 환경에 100시간 유지했을때의 단자부의 접촉저항치 증가정도에 의해 평가하였다.
표 3과 표 4에 따르면, S, O를 본 발명 범위로 규제한 강판 No. 1∼No. 5, No. 8, No. 10∼No. 15, No. 17∼No. 20은 높은 한계 아이어닝률이 얻어지고 있음을 알 수 있다.
[실시예 2]
표 5에 표시하는 No. 21∼No. 30의 강을 용제후 연속주조하여 얻어진 주편을 1200℃로 가열후, 마무리온도: 890℃, 감기온도: 640℃로 열간압연하여 2.3mm 두께의 열연강판으로 하였다. 이 열연강판을 산세척후, 판두께 0.5mm 또는 0.4mm까지 냉간압연하고, 계속하여 연속풀림로에서 720℃로 재결정 풀림을 행하였다. 풀림후의 강판에 조질압연을 행한 후, Ni 도금 처리를 실시하고, 이어서 650℃로 열확산처리를 행하였다. 이들 강판에서 원형 블랭크를 채취하여 원통상으로 디프드로잉 성형한 후, 아이어닝가공으로 측동부 두께가 0.18∼0.08mm인 2피스 전지캔 상당의 원통성형캔을 제캔하고, 이들 원통성형캔에 대하여 한계 아이어닝률, 캔체의 내이차가공취성, 자투리비율, 단자부의 내식성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 표시한다.
또한, 내이차가공취성 및 단자부 내식성은 실시예 1과 같이 평가하였다.
표 6에 따르면, S, O를 본 발명 범위로 규제한 강판 No. 21∼No. 23, No. 26 ∼No. 30은 높은 한계 아이어닝률이 얻어지고 있음을 알 수 있다. 또, S, O를 본 발명 범위로 규제하고, 또한 B를 본 발명 범위로 첨가한 강판 No. 23, No. 26, No. 27, No. 29, No. 30은 한계 아이어닝률이 높고, 내이차가공취성도 효과적으로 개선되고 있음과 동시에, 단자부의 접촉저항치 증가정도가 작고, 내식성도 효과적으로 개선되고 있음을 알 수 있다.
[실시예 3]
표 7에 표시한 No. 31∼No. 40의 강을 용제후 연속주조하여 얻어진 주편을 1200℃로 가열후, 마무리 온도: 870∼900℃, 감기온도: 560∼680℃로 열간압연하여 2.0mm 두께의 열연강판으로 하였다. 이 열연강판을 산세척후, 판두께 0.5mm까지 냉간압연하고, 계속하여 상자 풀림로의 경우에는 650℃로, 또 연속풀림로의 경우는 720℃로 각각 재결정 풀림을 행하였다. 풀림후의 강판에 조질압연을 행한 후, Ni도금처리를 실시하였다. 이들 강판에서 원형 블랭크를 채취하여 원통상으로 디프드로잉 성형후, 아이어닝가공으로 측동부 두께 0.18∼0.08mm의 2피스 전지캔 상당의 원통성형캔을 제캔하고, 이들 원통성형캔에 대하여 한계아이어닝률, 캔체의 내이차 가공취성, 자투리비율, 단자부의 내식성을 조사하였다. 그 결과를 표 8에 표시한다.
또한, 내이차가공취성 및 단자부 내식성은 실시예 1과 같이 평가하였다.
표 8에 따르면, S, O를 본 발명 범위로 규제하고, 또한 B와 Ni 및/또는 Cr을 본 발명 범위로 첨가한 강판 No. 31, No. 33, No. 34, No. 37, No. 38∼No. 40은 한계 아이어닝률이 높고, 내이차가공취성도 효과적으로 개선됨과 동시에, 단자부 의 접촉저항치 증가정도가 작고, 내식성도 효과적으로 개선되고 있음을 알 수 있다.
[실시예 4]
표 9에 표시한 No. 41∼No. 54의 강을 용제후 연속 주조하여 얻어진 주편을 1200℃로 가열후, 마무리온도: 870℃, 감기온도: 560℃로 열간압연하여 2.3mm두께의 열연강판으로 하였다. 이 열연강판을 산세척후, 판두께 0.5mm까지 냉간압연하고, 계속하여 상자풀림로에서 650℃로 재결정 풀림을 행하였다. 풀림후의 강판에 조질압연을 행한 후, Ni도금처리를 실시하고, 이어서 650℃로 열확산처리를 행하였다. 이들 강판에서 원형블랭크를 채취하여 원통상으로 디프드로잉 성형후, 아이어닝가공으로 측동부 두께가 0.18∼0.08mm인 2피스 전지캔 상당의 원통성형캔을 제캔하고, 이들 원통성형캔에 대하여 한계아이어닝률과 단자부의 내식성을 조사하였다. 그 결과를 표 10에 표시한다.
또한, 단자부 내식성은 실시예 1과 같이 평가하였다.
표 10에 따르면, S, O를 본 발명 범위로 규제하고, 또한 Cr 및/또는 Ni를 본 발명 범위로 첨가한 강판 No. 43, No. 44, No. 47, No. 49∼No. 51, No. 53은 한계 아이어닝률이 높고, 게다가 단자부의 접촉저항치 증가정도가 작고, 내식성 열화가 효과적으로 억제되고 있음을 알 수 있다.
[실시예 5]
표 11에 표시한 No. 55∼No. 63의 강을 용제후 연속주조하여 얻어진 주편을 1200℃로 가열후, 마무리온도: 890℃, 감기온도: 640℃로 열간압연하여 2.3mm두께의 열연강판으로 하였다. 이 열연강판을 산세척후, 판두께 0.4mm까지 냉간압연하고, 계속하여 연속풀림로에서 720℃로 재결정 풀림을 행하였다. 풀림후의 강판에 조질 압연을 행한후, Ni 도금처리를 실시하고, 이어서 650℃로 열확산 처리를 행하였다. 이들 강판에서 원형 블랭크를 채취하여 원통상으로 디프드로잉 성형후, 아이어닝가공으로 측동부 두께 0.18∼0.08mm의 2피스 전지캔 상당의 원통성형캔을 제캔하고, 이들 원통성형캔에 대하여 한계 아이어닝률과 단자부의 내식성을 조사하였다. 그 결과를 표 12에 표시한다.
또한, 단자부 내식성은 실시예 1과 같이 평가하였다.
표 12에 따르면, S, O를 본 발명 범위로 규제하고, 또한 Cr 및/또는 Ni를 본 발명 범위로 첨가한 강판 No. 56, No. 58, No. 60∼No. 62는 한계 아이어닝률이 높고, 게다가 단자부의 접촉저항치 증가정도가 작고, 내식성 열화가 효과적으로 억제되고 있음을 알 수 있다.
본 발명은 2피스 전지캔용 소재, 특히 DI 성형으로 제조되는 2피스 전지캔의 측동부용 소재로서 적합한 강판이다.

Claims (21)

  1. S와 O(단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/ 10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  2. S와 O(단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/ 10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  3. C: 0∼0.06wt%, Si: 0∼0.03wt%, Mn: 0.1∼0.3wt%, P: 0∼0.02wt%, sol. Al: 0.01∼0.10wt%, N: 0∼0.004wt%를 함유하고, 또한 S와 O(단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하고, 잔부 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지는, 성형가공성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  4. 제 3 항에 있어서, S와 O(단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0 ∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  5. B를 0.0005∼0.0015wt로, 또한 0.2≤B/N≤1.0을 만족하는 범위로 함유하고, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성, 내이차가공성취성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  6. 제 5 항에 있어서, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  7. C: 0∼0.06wt%, Si: 0∼0.03wt%, Mn: 0.1∼0.3wt%, P: 0∼0.02wt%, sol. Al: 0.01∼0.10wt%, N: 0∼0.004wt%를 함유하고, B를 0.0005∼0.0015wt%로, 또한 0.2≤B/N≤1.0를 만족하는 범위로 함유하고, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하고, 잔부 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지는, 성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  8. 제 7 항에 있어서, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/ 10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  9. B를 0.0005∼0.0015wt%로, 또한 0.2≤B/N≤1.0를 만족하는 범위로 함유하고, Cr: 0.03∼0.10wt%, Ni: 0.01∼0.10wt%의 1종 또는 2종을 합계 0.10wt%이하의 범위로 함유하고, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025 wt%, [S/10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  10. 제 9 항에 있어서, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성,내이차가공취성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  11. C: 0∼0.06wt%, Si: 0∼0.03wt%, Mn: 0.1∼0.3wt%, P: 0∼0.02wt%, sol. Al: 0.01∼0.10wt%, N: 0∼0.004wt%를 함유하고, B를 0.0005∼0.0015wt%로, 또한 0.2≤B/N≤1.0를 만족하는 범위로 함유하고, Cr: 0.03∼0.10wt%, Ni: 0.01∼0.10wt%의 1종 또는 2종을 합계 0.10wt%이하의 범위로 함유하고, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하고, 잔부 Fe 및 불가피불순물로 이루어지는, 성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  12. 제 11 항에 있어서, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성, 내이차가공취성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  13. Cr: 0.03∼0.10wt%, Ni: 0.01∼0.10wt%의 1종 또는 2종을 합계 0.10wt%이하의 범위로 함유하고, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  14. 제 13 항에 있어서, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  15. C: 0∼0.06wt%, Si: 0∼0.03wt%, Mn: 0.1∼0.3wt%, P: 0∼0.02wt%, sol. Al: 0.01∼0.10wt%, N: 0∼0.004wt%를 함유하고, Cr: 0.03∼0.10wt%, Ni: 0.01∼0.10wt%의 1종 또는 2종을 합계 0.10wt%이하의 범위로 함유하고, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하고, 잔부 Fe 및 불가피불순물로 이루어지는, 성형가공성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  16. 제 15 항에 있어서, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  17. Cr: 0.05∼0.10wt%, Ni: 0.03∼0.10wt%의 1종 또는 2종을 합계 0.10wt%이하의 범위로 함유하고, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  18. 제 17 항에 있어서, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  19. C: 0∼0.06wt%, Si: 0∼0.03wt%, Mn: 0.1∼0.3wt%, P: 0∼0.02wt%, sol. Al: 0.01∼0.10wt%, N: 0∼0.004wt%를 함유하고, Cr: 0.05∼0.10wt%, Ni: 0.03∼0.10wt%의 1종 또는 2종을 합계 0.10wt%이하의 범위로 함유하고, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.015wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0035(wt%)를 만족하는 범위로 함유하고, 잔부 Fe 및 불가피불순물로 이루어지는, 성형가공성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  20. 제 19 항에 있어서, S와 O (단, O: 전산소함유량)를 S: 0.005∼0.012wt%, O: 0∼0.0025wt%, [S/10+O]≤0.0030(wt%)를 만족하는 범위로 함유하는, 성형가공성 및 내식성이 우수한 2피스 전지캔용 강판.
  21. 제 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 또는 20 항에 기재된 강판 양면에 적어도 Ni 도금층 또는 Fe-Ni 합금화 도금층을 갖는 2피스 전지캔용 강판.
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