KR19980701600A - 형광 램프 내에 수은 분배, 반응 가스 흡착 및 전극 밀봉을 위한 장치 및 그 제조 방법(process for producing a device for mercury dispensing,reactive gases sorption and electrode shielding within fluorescent lamps and device thus produced) - Google Patents

Abstract

형광 램프 내에 수은 분배, 반응 가스 흡착 및 전극 밀봉을 위한, 일반적으로 실드라고 불리는 장치를 제조하는 방법이 기술된다. 상기 실드는 그 위에 증착되는 금속 스트립 피스, 동일면 상에 분말 수은 방출 재료 및 게터 재료로 된 하나 이상의 트랙을 형성함으로써 형성된다. 상기 스트립상의 상기 재료의 증착 공정은 스트립의 변형이 발생되지 않도록 구현된다.

Description

형광 램프 내에 수은 분배, 반응 가스 흡착 및 전극 밀봉을 위한 장치 및 그 제조 방법

공지된 바와같이, 형광 램프는 유리관(램프의 형태에 따라 직선 또는 원형)으로 형성되고, 상기 유리관의 내부 표면은 가시적 광의 방사를 위한 능동 엘리먼트인 인광 물질로 불리는 형광 재료의 분말로 채워진다. 상기 관은 몇 밀리그램 정도의 수은 증기를 포함하는 일반적으로 아르곤 또는 네온인 희귀 가스로 채워진다. 마지막으로, 직선 램프 또는 원형 램프의 주어진 존의 튜브 양쪽 단부에 배치된 금속 와이어로서 형성된 캐소드라 불리는 두 개의 전극이 존재한다. 전위차는 전극들 사이에 인가되어 전자를 방출한다 : 결과적으로, 희귀 가스의 자유 전자 및 이온의 플라즈마는 수은의 원자를 여기함으로써 이온으로부터 UV 방사선을 방사시키도록 형성된다. 일반적으로 전극들은 캐소드에 의해 직접적인 전자 또는 이온 범버딩으로 인해, 전극 영역에서 인광 물질 블랙킹(blackening) 현상을 방지하기 위하여 램프에 동축으로 배치된 금속 스트립으로 만들어진 부재에 의해 측면으로 보호된다. 수은 원자에 의해 방사된 UV 방사선은 형광 현상을 통하여 가시 광선을 방사하는 인광 물질에 의해 흡수된다. 그러므로 수은은 램프 작용을 위하여 필요한 구성요소이다. 이 엘리먼트는 램프에서 가장 정밀하고 재생 가능한 방식으로 도핑된다. 실제적으로 수은은 램프가 작용하지 않는 최소 량으로 존재해야 하고, 수은의 독성으로 인해 수은이 램프의 파괴시 또는 수명 만료시 환경 문제를 유발하기 때문에, 필요한 양보다 너무 많은 양의 엘리먼트 양을 가지는 분량을 도입하는 것은 바람직하지 않다. 수은 분량 문제는 모양, 크기 및 구성요소 재료의 차가 있는 시장에서 증가한 램프의 다양성으로 인해 최근에 복잡하게 되었고, 그래서 매우 다를 수 있는 수은 양의 정확하고 반복 가능한 양을 결정하는 방법이 요구된다.

액체 상태에서 엘리먼트(수은)를 투약하기 위한 종래 방법은 신뢰할수없다. 왜냐하면 몇 μl의 범위에서 액체 수은의 양을 정확하게 및 재생 가능한 방식으로 투약하는 어려움 및 작업 영역에서 수은 증기의 확산에 대해 포함된 문제점 때문이다. 선택적인 다양한 방법이 제안되었는바: 아말감이 약 100℃ 이하의 온도에서 수은을 방출하고자 하기 때문에, 램프의 어셈블리동안 단점을 가지는 아연같은 엘리먼트를 가지는 아말감의 사용은 공지되었고, 한편 램프의 제조시 램프가 여전히 개방되는 동작 단계는 매우 높은 온도와 조우한다.

미합중국특허 제 4,823,047 호 및 미합중국특허 제 4,754,193 호는 액체 수은을 포함하는 캡슐의 사용을 제안하지만, 이런 경우 엘리먼트의 투여 방법은 어렵고 유사한 어려움이 작은 크기 캡슐의 제조 방법이다. 미합중국특허 제 4,808,136 호 및 유럽특허 제 568317 호는 액체 수은이 흡수된 다공성 재료의 펠럿(pellet) 또는 필(pill)의 사용을 개시한다; 그러나 이 경우에 램프내의 이들 펠럿의 배치는 곤란함을 유발할 수 있다.

미합중국특허 제 3,657,589 호는 램프에 수은을 도입 및 정확하게 투여하기 위하여 티타늄 및/또는 지르코늄을 가지는 수은의 금속간 화합물 사용을 개시한다 ; 이들 재료는 약 500℃까지에서 안정하고, 그래서 램프 제조의 모든 일반적인 단계와 호환할 수 있다. 이들 재료 가운데 바람직한 화합물은 출원자에 의해 상표명 St 505로 제조 판매되는 Ti₃Hg이다. 상기 특허에 따라, St 505 화합물은 압축된 분말같은 자유 형태, 및 개방 컨테이너에서 압축되거나 지지 금속 스트립상에 배치된 분말같은 지지 형태로 램프에 도입된다. 최근의 가능성은 수은 배제 재료를 지니는 스트립이 링으로서 밀폐되어 전극 보호 부재를 형성하기 때문에 램프의 제조자에 의해 특히 인식된다. 램프 밀폐(밀봉)후, 수은은 약 900℃의 온도에서 약 30초동안 램프 외부 코일에 의해 생성된 RF 파에 의해 화합물을 가열함으로써 소위 활성화 처리를 통해 화합물로부터 방출된다. 활성화동안 이들 화합물의 수은 생산량은 약 50% 이하이고, 나머지 수은은 램프 수명동안 천천히 방출된다. 유럽특허출원 제 95830046.9 호(EP-A-0669639) 및 제 95830284.6(EP-A-0691670) 호는 상기된 수은 금속간 화합물과 구리-주석 및 구리-실리콘 합금(촉진 합금이라 불림)을 혼합하는 것을 제안하였고, 이것은 활성화 단계동안 금속간 화합물로부터 수은을 배출하는 기능을 가져서 보다 짧은 가열 시간 또는 보다 낮은 온도를 허용한다. 본 발명의 보호 엘리먼트에서 구리 기초 촉진 합금은 수은 금속간 화합물과 혼합되고, 명세서 및 청구범위에서 수은 방출 재료의 정의는 이 혼합 재료를 가리키기 위하여 사용된다.

형광 램프의 제조시 만나게 되는 다른 문제는 반응 가스의 흡착을 위한 수단을 제공하는 것이다. 실제적으로 다양한 메카니즘을 통하여 램프 동작이 몇몇 가스에 의해 손상되고 상기 몇몇의 가스중 수소(H₂)는 희귀 가스의 방전시 방출되는 일부분의 전자와 반응하고, 그것에 의해 램프상에서 스위칭하기 위하여 요구된 최소 전압의 증가를 유발하고; 산소(O₂) 및 물(H₂O)는 수은 산화물을 생성하여, 이 엘리먼트를 제거하고; 마지막으로 탄소 산화물(CO 및 CO₂)은 상기된 음의 효과로 전극과 접촉시 분해되어 O₂를 형성하고, 상기 탄소는 인광물질에 증착되어 램프의 어두운 존을 형성한다.

이런 문제는 유럽특허 제 0669639 및 유럽특허 제 0691670 호에 잘 다루어지고, 상기 특허들은 상기된 가스의 흡착 측면에서 수은 방출 재료의 분말에 게터 재료의 분말을 첨가하는 것이 제안되었다. 가장 일반적으로 사용된 게터 재료는 상표명 St 101으로 출원자에 의해 제조 판매되는 중량 퍼센트 Zr 84% - Al 16%까지의 퍼센트 구성을 가지는 합금이다. 램프에서 사용될 수 있는 다른 게터 재료는 예를들어 각각 상표명 St 707 및 St 198으로 출원자에 의해 제조 판매되는 중량 퍼센트 Zr 70% - V 24.6% - Fe 5.4%의 퍼센트 구성을 가지는 합금이고 중량 퍼센트 Zr 76.6% - Fe 23.4%의 퍼센트 구성을 가지는 합금이다.

전극을 둘러싸는 보호 부재상에 게터 재료 및 수은 방출 재료 양쪽을 직접적으로 제공하는 것이 종래 기술로부터 공지되었고, 그래서 동일 부재에 Hg 배제, 반응 가스 흡착 및 전극 보호의 모두 3개 기능을 포함한다. 이 부재는 상기 기술에서 간단히 실드라 불리고 이 용어는 다음 설명에서 사용된다.

미합중국특허 제 3,657,589 호에서 게터 재료와 수은 방출 재료를 혼합하는 것이 가능하고, 이것은 구리 기초 촉진 합금이 사용될 때 더 이상 가능하지 않다: 실제적으로, 수은 방출을 위한 활성화동안, 구리 기초 합금은 용융되어, 가스 흡착에 대한 기능성의 결과적인 감소로 게터 표면을 적어도 부분적으로 코팅한다. 이런 이유로 촉진 합금을 사용할 때 게터 재료가 수은 방출 재료로부터 분리되는 것은 바람직하다. 이것은 분말 수은 방출 재료 및 분말 게터 재료의 분리 트랙을 스트립 모양 지지부에 증착함으로써 가장 일반적인 방식으로 얻어진다. 상기된 유럽특허출원은 냉간 압연을 통하여 스트립의 양쪽 반대 면상에 두 개의 분말을 증착함으로써 이런 조건에 일치하는 가능성을 제안하였다. 상기 기술은 압력 롤러 사이에 적당한 구조로 냉 지지 스트립 및 분말을 통과시키는 단계로 구성되고, 그래서 분말의 트랙을 얻는다. 그러나, 스트립의 양쪽 반대 면에 증착은 실제적으로 수행되는 것이 어렵다. 사실상, 단일 작업 단계에서 양쪽 면에 롤링하는 것은 스트립의 두 개의 반대 측면에 두 개의 다른 분말을 붓는 동안 두 개의 반대 롤러 사이에 수직으로 스트립을 통과시키는 것을 요구하지만 이런 동작은 더 복잡한다. 다른 한편, 두 개의 특이한 통로의 반대 면에 증착을 수행할 때, 제 2롤링 단계동안, 제 1 증착 트랙이 제거되거나 어쨌든 변경되는 위험이 존재한다. 스트립의 양쪽 면에 롤링의 추가 위험은 만약 이것이 실드를 생성하기 위하여 구부러지면, 분말이 특히 구부러진 오목 부분상에서 특히 제거된다. 마지막으로, 최근의 가능한 단점은 분말을 롤링하는 것이 다른 분말의 사용에 제한을 둔다. 실제적으로, 다른 경도의 분말은 만일 불균형을 이룬다면 변형을 야기하는 다른 세기의 기계적인 스트립 변형을 지지 금속에서 유도한다. 특히, 스트립은 그 측면중 하나를 따라 확장될 수있어서, 측면 휨(사브라블레이드 형태)을 유발한다.

본 발명은 형광 램프 내에 수은 분배, 반응 가스 흡착 및 전극 밀봉을 위한 장치를 제조하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 실드를 제조하기 이한 스트립을 나타낸 도면.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실드를 제조하기 위한 스트립을 나타낸 도면.

도 3은 본 발명의 실드에 대한 바람직한 형태를 제조하기 위해 사용된 금속 지지부의 단면도.

도 4는 도 1의 스트립을 통해 얻어진 본 발명의 실드를 나타낸 도면.

도 5.a 및 도 5.b는 도 2의 스트립으로부터 얻어진 본 발명에 따른 실드의 두 개의 바람직한 실시예를 나타낸 도면.

도 6은 전극 주위의 작동위치에 장착된 본 발명에 따른 실드를 가진 램프의 절단도.

본 발명의 목적은 전술한 문제점없이 수은 분해 및 가스 게터링의 기능을 결합하는 형광 램프용 개선된 실드를 제조하기 위한 방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 제조된 실드이다.

이와같은 목적은 형광 램프 내에 수은 분배, 반응 가스 흡착 및 전극 밀봉을 위한 장치를 제조하는 방법에 있어서, 스트립의 중심축에 대하여 대칭인 두 점에 가해지는 상이한 기계적 응력이 15%보다 높지 않도록 냉각 압연 동작에 의하여 금속 스트립의 단일면 위에 분말 수은 방출 재료 및 하나 이상의 분말 게터 재료로 된 다수의 트랙을 증착하는 단계; 제조될 실드의 원주보다 크거나 높이와 동일한 피치를 가진 피스로 스트립을 절단하는 단계; 및 상기 스트립 피스를 링모양으로 만들고 이것의 두 짧은 에지를 서로 결합시키는 단계를 포함하는 방법에 의해 달성됩니다.

본 발명은 도면을 참조로 하여 이하에서 더 상세히 설며될 것이다.

여기에 기술된 것처럼, 다양한 재료의 트랙은 분말이 냉각 압축에 의해 지지부에 부착될 수있게 하는 롤러에 의해 연속적으로 제공된 지지부 스트립상에 트랙상에 유리된 분말의 트랙을 주조하는 단계를 포함하는 공지된 기술인 냉간압연에 의해 지지부 금속 스트립의 단일 면사에 증착된다.

스트립은 다양한 금속으로 만들어 질 수있으나, 고온의 램프에서 작동단계동안 발생할 수 있는 산화작용에 대한 양호한 저항력을 가진 양호한 기계적인 성질을 결합한 니켈 도금 강철이 바람직하다. 스트립의 두께는 바람직하게 0,1 내지 0.3mm이다. 스트립의 폭은 최종 실드의 높이, 일반적으로 4 내지 6.5mm의 높이과 일치할 수 있으며 설계된 실드의 원주보다 약간 클 수 있다. 이들 두 가지의 선택은 도 1 및 도 2에 각각 기술되며 이하에서 상세히 설명될 것이다.

재료의 롤링동안 스트립의 소위 사브르블레이드(sabreblade) 형태의 문제점을 방지하기 위해서, 동일한 스트립 축에 대해 대칭인 스트립상에 기계적인 응력을 가하는 것에 주위를 기울여야 한다. 그 다음, 기계적인 경도에 대하여, 대칭의 개념은 완화된 의미로 사용된다. 즉, 기계적인 부하의 값에 대한 정확한 동일성을 의미하지 않는다. 오히려, 스트립의 중심축에 대해 기하학적으로 대칭인 점에 공급된 기계적인 부하는 유사하며 15%이상 서로 다르지 않다.

대칭 경도의 조건은 다양한 다른 방식으로 얻어질 수 있다. 스트립 축주위에 분말 트랙의 불균일한 분배의 경우에, 좁은 롤러의 어레이를 사용하는 것이 가능하며, 각각의 롤러는 분말 트랙 또는 다른 트랙으로 덮혀진 스트립 섹션 하부에 다른 부하를 제공한다. 더욱이, 상기 대칭적인 경도 조건은 스트립 축에 대한 대칭 트랙이 15% 이상만큼 서로 다르지 않는 값을 가진 재료로 이루어지도록 다양한 재료를 증착함으로써 달성될 수 있다. 기하학적인 특징하에서, 이러한 조건은 다수의 트랙 쌍의 경우에 스트립의 축이 롤링된 재료와 무관한 것을 요구하며, 홀수의 트랙의 경우 스트립의 축이 하나의 재료 트랙의 축과 일치하는 것을 요구한다. 전수한 대칭 조건을 만족시키기 위해서, 사용된 다양한 재료의 경도를 알리는 것이 필요하다. 일반적인 규칙으로써, 게터 합금은 수은 방출 금속 합금보다 더 단단하다. 그러나, 바람직한 실시예에 있어서, 경도 대칭성의 요구된 조건은 스트립 축에 대해 동일한 재료로 이루어진 트랙쌍을 대칭적으로 증착함으로써 충족된다(가능한 중심트랙을 제외하고).

재료의 대칭 트랙을 가진 스트립의 섹션은 도 1 및 도 21에 도시된다. 도 1에는 최종 실드의 높이와 동일한 폭을 가진 스트립(10)이 도시되어 있으며, 금속 지지부(12)의 표면(11)상에 수은 방출 재료로 이루어진 일부 트랙(13, 13') 및 게터 재료로 이루어진 하나의 트랙(15)이 증착된다. 도면에는 수은 방출 재료로 이루어진 두 개의 트랙 및 게터 재료로 이루어진 하나의 트랙을 가진 스트립이 예로서만 도시되어 있으며, 스트립의 노정 수, 위치 및 거리는 필요에 따라 변화될 수 있다. 도 2에는 도 1의 스트립보다 크며 제조될 실드의 원주보다 약간 큰 폭을 가진 금속 스트립(20)이 도시되어 있다. 지지부(22)의 표면(21)의 중심영역에서는 수은 방출 금속으로 이루어진 트랙(23, 23',23)과 게터 재료로 이루어진 트랙(24, 24')이 롤링된다. 이 경우, 수은 방출 재료로 이루어진 3개의 트랙을 가진 스트랩이 예로서 제공되며 트랙의 수가 변화할 수 있는 도 1의 스트립의 경우에서 이미 기술한 것처럼 명료해야 한다. 스트립 에지에서, 표면(21)의 두 영역(25, 25')은 상기와 같은 재료로 이루어진 트랙과 무관하게 유지된다. 롤링후 다른 재료로 이루어진 트랙의 두께는 일반적으로 20 내지 120μm이다.

스트립상에 분말 트랙을 부착하기 위해서, 공지되 기술을 이용하는 것이 가능하다. 예를들어, 스트립 표면은 기계적인 처리공정에 의해 처리될 있으며, 분말 트랙을 수용하기 임의의 개구부를 스트립의 전체 길이를 따라 형성하는 것이 가능하다. 이러한 선택은 본 발명의 스트립에 대한 단면도(두께/폭 비를 가진 비계도가 아님)를 도시한 도 3에 기술되어 있다. 스트립(30)은 활성 재료를 롤링하기 위해 상부면(31)상에 시트(32, 32',...)를 가진다. 스트립(30)의 하부면(33)에 세로 응력을 가하면, 이하에 더 상세히 기술된 것처럼 바람직한 형태의 실드의 제조를 용이하게 할 수 있다. 스트립의 상기 또는 다른 적절한 단면도는 분말 롤링 단계전에 편평한 금속 스트립을 적절한 형태의 롤러사이로 통과시킴으로써 용이하게 얻어질 수 있다.

상기 재료로 이루어진 트랙을 가진 스트립은 피스로 절단된다. 적절 실드의 높이와 동일한 폭을 가진 도 1에 도시된 종류의 스트립은 도면의 점선을 따라 실드의 원주보다 약간 큰 피치로 절단된다. 도 2에 도시된 다른 실시예에 있어서, 스트립은 적정 실드 원주보다 약간 넓을 수 있으며 피치는 도면의 점선을 따라 적정 실드의 높이에 대응하는 피치에서 스트립으로부터 절단된다. 양 경우에, 피스는 직사각형 모양을 가지며, 에지 비는 약 5:1 내지 15:1이다.

본 발명의 실드를 제조하기 위한 최종 제조단계에서, 스트립으로부터 절단된 피스는 구부러지며 에지를 결합시킴으로써 링형태로 폐쇄된다. 상기 결합은 크림핑 또는 용접에 의해 기계적으로 수행될 수 있다. 비록 달걀형 또는 사각형과 같은 다양한 형태의 실드 단면을 얻는 것이 가능할 지라도, 바람직한 실시예는 도 5a 및 도 5b에 도시된 것이며, 도 5a 및 도 5b는 각각 원형 단면을 가진 실드(51) 및 직사각형 단면을 가진 실드(52)를 도시한다.

제 2 특징에 있어서, 본 발명은 전술한 공정에 의해 얻어진 램프용 실드에 관한 것이다.

제조될 실제 실드는 소정의 램프에 따르며, 특히 재료의 양과 증착될 트랙의 수 및 폭은 수은 방출 재료와 다른 램프에서 요구되는 게터 재료의 양에 따른다.

수은 방출 재료는 유럽특허 제 0669639호 및 유럽특허 제 0691670에 개시된 수은 방출 보강 구리 합금을 혼합물에서 미합중국 특허 제 3,657,589호에 따른 티타늄 및/또는 지르코늄을 가진 수은의 중간 화합물이다. 이들 재료로부터 수은을 방출하기 위한 공정 및 조건에 대해서는 상기와 같은 명세서에 개시되어 있다. 이들 재료는 바람직하게 100 내지 250μm의 입자 크기를 가진 분말 형태로 사용된다.

이용되는 게터 재료는 바람직하게 전술한 St 101합금이며, 이는 미국특허 제 3,203,901호에 기재되어 있으며, 여기서, 상기 합금의 제조 및 이용 조건에 대하여 상기 특허가 인용된다. 전술한 St 707 및 St 198 합금을 이용하는 것이 가능하며, 상기 합금의 제조 및 사용 조건은 각각 미국특허 제 4,312,669호에 기술되어 있다. 게터 재료의 입자 크기는 바람직하게 100 및 250um 사이로 구성된다.

도 4에는 도 1의 스트립을 이용함으로써 제조되는 실드(40)가 도시되며, 여기서 트랙은 원주 방향으로 증착되는 것으로 도시된다. 도 1의 스트립은 실드 원주 보다 약간 큰 피치로 점선 라인을 따라 절단되며; 이렇게 하여 얻어진 피스는 링으로서 구부러지고 포인트(41)에서 스폿용접되며, 따라서 그 외부면에 트랙(13, 13', 15)을 가진 완전한 실드(40)가 형성된다.

본 발명에 따른 실드의 바람직한 실시예는 도 2의 스트립으로부터 시작하여 얻어지며 도 5a 및 5b에 도시된다. 스트립 에지에는 두 개의 영역(25, 25')이 증착되지 않은 상태를 유지하여 실드 제조의 마지막 용접 단계에 이용될 수 있도록 남겨진다. 이 경우 상기 스트립은 도 2의 점선을 따라 실드의 적정 높이에 상응하는 피치를 가진 절단부를 형성함으로써 절단된다. 얻어진 피스는 다음에 영역(25, 25')에서 구부러지고 용접되어, 여러 가지 재료로 이루어진 트랙이 축방향과 평행한 방향으로 존재하는 실드가 형성된다. 실드의 가능한 단면은 수도 없이 많지만, 원형 단면의 실드(51)가 도시되는 도 5a 및 사각형 단면을 가진 실드(52)를 도시하는 도 5b에 도시된 단면이 바람직하다. 도 2의 넓은 스트립의 이용이 바람직한데, 이 경우 넓은 자유 영역은 램프 내의 정위치에 실드를 유지하는 지지부에 실드를 용접하기 위한 자유 영역과 마찬가지로 용접부(53)를 형성하기에 적합하기 때문이다.

실드(52)의 모양은 특히 도 3에 도시된 단면을 가진 스트립으로부터 시작하여 얻어질 때 바람직한 결과를 가질 수 있다. 실드(52)가 사각 단면을 가질 경우, 재료 트랙이 없는 영역에 피스의 굴곡부를 배치하는 것이 가능하며, 따라서 구부리는 동안 발생할 수 있는 입자 손실의 위험을 방지할 수 있다. 물론, 도 3에 도시된 단면의 스트립으로부터 얻어진 사각 실드가 바람직하기는 하지만, 실드 모양 및 스트립 단면의 모든 조합이 본 발명에 따라 가능하며; 예를 들어, 시트부분(32, 32')가 없이 변형부(피스로, 피스로')를 가진 스트립으로부터 시작하는 사각 실드 또는 실드의 외부면 상에 변형부(피스로, 피스로')가 없고 시트부분(32, 32')를 가지거나 가지지 않은 실드를 만드는 것이 가능하다. 도 6에는 직선 램프 단부의 절개부도가 도시되며, 여기서 작동 위치에 있는 본 발명의 실드가 도시된다. 램프(60), 전력이 제공된 전극을(62)을 공급하는 전기 접점(61) 및 지지부(64)에 고정된 실드(63)가 도면에 도시되어 있다.

본 발명의 실드는 종래 기술의 실드를 능가하는 장점을 가질 수 있다. 가장 중요한 장점은 본 발명의 실드를 이용하여 수은 방출 재료가 게터 재료로부터 분리를 유지하고 따라서 여러 가지 재료의 작용에 의한 가능한 간섭이 제거된다는 것이며; 또한 본 발명의 실드에 의하여 모든 재료는 지지부의 단일면 상에 롤링되기 때문에, 두 개의 양쪽 면에 감기는 종래 기술의 실드와 달리 실제로 제조가 용이하다.

Claims (14)

1. 형광 램프 내에 수은 분배, 반응 가스 흡착 및 전극 밀봉을 위한 장치를 제조하는 방법에 있어서,

   - 스트립의 중심축에 대하여 대칭인 두 점에 가해지는 상이한 기계적 응력이 15%보다 높지 않도록 냉각 압연 동작에 의하여 금속 스트립의 단일면 위에 분말 수은 방출 재료 및 하나 이상의 분말 게터 재료로 된 다수의 트랙을 증착하는 단계;

   - 제조될 실드의 원주보다 크거나 높이와 동일한 피치를 가진 피스로 스트립을 절단하는 단계; 및

   - 상기 스트립 피스를 링모양으로 만들고 이것의 두 짧은 에지를 서로 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 스트립의 중심축을 주위로 분말 트랙이 비대칭으로 분배된 경우, 각각 스트립의 하부 영역에 상이한 하중을 제공하는 좁은 롤러 어래이가 이용되는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기 스트립의 중심축에 대하여 대칭인 트랙이 15% 이상 서로 상이하지 않은 경도값을 가진 재료로 구성되도록 다른 재료의 분말이 상기 스트립 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제 1항에 있어서, 상기 스트립(10)은 제조될 실드의 높이와 같은 폭을 가지며, 상기 스트립은 제조될 실드의 원주보다 약간 큰 길이의 피스로 절단되는 것을 특징으로 하는 방법.
5. 제 1항에 있어서, 상기 스트립(20)은 제조될 실드의 원주 보다 약간 큰 폭을 가지며, 상기 스트립은 제조될 실드의 높이와 동일한 길이의 피스로 절단되는 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제 1항에 있어서, 상기 스트립의 한 면(31)은 종방향 시트부분(32, 32')를 제공함으로써 분말 트랙을 수용하는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 제 1항에 있어서, 상기 스트립의 한 면(33)은 종방향 변형부(피스로, 피스로')를 제공함으로써 굴곡부를 배치하는 것을 특징으로 하는 방법.
8. 형광 램프 내에 수은 분배, 반응 가스 흡착 및 전극 밀봉을 위한 장치에 있어서,

   금속 스트립(10; 20; 30)으로된 링모양 피스를 포함하며, 상기 링모양 피스의 단일면 위에는 혼합 수은 방출 재료/구리 기본 촉진 합금 분말로 된 트랙(13, 13'; 23, 23') 및 하나 이상의 게터 재료로 된 트랙(15; 24, 24')이 증착되는 것을 특징으로 하는 장치.
9. 제 8항에 있어서, 스트립 축에 대하여 대칭으로 배치된 재료는 서로 15% 이상 상이하지 않은 경도값을 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
10. 제 8항에 있어서, 상기 트랙(13, 13'; 15)은 상기 링의 외부면(54) 위에 원주방향으로 증착되는 것을 특징으로 하는 장치.
11. 제 8항에 있어서, 상기 트랙(23, 23', 23; 24, 24')은 상기 링의 외부면 위에 축방향과 평행하게 증착되는 것을 특징으로 하는 장치.
12. 제 8항에 있어서, 상기 혼합물은 금속간 화합물 Ti₃Hg 및 구리-주석 합금 및 구리-실리콘 합금중 선택된 수은 방출 촉진 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
13. 제 8항에 있어서, 상기 게터 재료는 Zr 84중량% - Al 16중량%로 조성된 합금인 것을 특징으로 하는 장치.
14. 제 11항에 있어서, 상기 장치는 수은 방출 재료 혼합물 및 평탄한 게터 재료를 위한 증착 영역과 상기 재료들이 없는 영역에 배치된 굴곡부를 가진 사각 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 장치.