KR100299152B1 - 형광랠프내에수은방출반응가스흡착및전극차폐를위한장치및그제조방법 - Google Patents

Abstract

형광 램프 내에 수은 분배, 반응 가스 흡착 및 전극 밀봉을 위한, 일반적으로 "실드"라고 불리는 장치를 제조하는 방법이 기술된다. 상기 실드는 그 위에 증착되는 금속 스트립 피스, 동일면 상에 분말 수은 방출 재료 및 게터 재료로 된 하나 이상의 트랙을 형성함으로써 형성된다. 상기 스트립상의 상기 재료의 증착 공정은 스트립의 변형이 발생되지 않도록 구현된다.

Description

형광 램프 내에 수은 방출, 반응 가스 흡착 및 전극 차폐를 위한 장치 및 그 제조 방법

공지된 바와 같이, 형광 램프는 유리관(램프의 형태에 따라 직선형 또는 원형)으로 형성되고, 상기 유리관의 내부 표면은 가시광의 방사를 위한 능동 원소인인(phosphors)으로 불리는 형광 재료 분말이 도포된다. 상기 유리관은 수은 증기를 포함하는 몇 밀리그램 정도의 희귀 가스(rare gas)로 채워지는데, 이는 통상 아르곤 또는 네온이다. 마지막으로, 직선 램프의 경우에는 유리관의 양단에 위치되고 원형 램프의 경우에는 소정의 영역에 위치된 금속 와이어로 형성되는 캐소드라 불리는 두 개의 전극이 존재한다.

전극들 사이에 전위차가 인가되면 전자 방출이 일어난다 : 그 결과, 희귀 가스의 자유 전자와 이온의 플라즈마가 형성됨에 따라, 수은 원자를 여기시킬 때 수은 원자로부터의 UV 광의 방사가 야기된다. 일반적으로 캐소드에 의한 직접적인 전자 또는 이온 충격으로 인한 전극 영역에서의 인의 흑화(blackening)현상을 방지하기 위하여 램프와 동축으로 배치된 금속 스트립으로 만들어진 부재에 의해 전극들이 측면으로 차폐된다.

수은 원자에 의해 방사된 UV 광은 인에 흡수되고, 인은 형광 현상을 통하여 가시 광선을 방사한다. 그러므로 수은은 램프 동작에 필수적인 원소이다. 이 원소는 가장 정밀하고 재현 가능한 방식으로 램프에 투여되어야 한다. 사실 수은은 그 아래에서는 램프가 동작하지 않는 최소량으로 존재해야 하며, 수은의 독성으로 인해 램프의 파괴시 또는 수명 만료시 수은이 환경 문제를 유발하기 때문에 필요한 최소량보다 너무 많은 양의 수은을 도입하는 것은 바람직하지 않다. 모양, 크기 및 구성 재료의 차이가 있는 점점 다양한 램프가 시장에 출현함에 따라 수은 방출 문제는 최근 수년 동안 더 복잡하게 되었고, 그래서 램프마다 매우 다를 수 있는 수은 양을 정확하고 재현 가능하게 투여하기 위한 방법이 요구되었다.

액체 상태에서 수은을 방출하는 종래 방법은 신뢰할 수 없다. 왜냐하면 수㎕ 범위의 분량의 액체 수은을 정확하고 재현 가능한 방식으로 투여하는 어려움 및 작업 영역에서 수은 증기의 확산에 관련된 문제점 때문이다. 그 대안으로 다양한 방법이 제안되었다 : 아연과 같은 원소와의 아말감의 사용이 공지되었으나, 이런 아말감은 약 100℃ 만큼 낮은 온도에서도 수은을 방출하는 경향이 있어서 램프의 조립 단계 동안 단점을 나타내었다. 램프의 제조 중에는 더 높은 온도에서도 램프가 개방되어 있는 작업 단계들이 있기 때문이다.

미합중국특허 제 4,823,047 호 및 미합중국특허 제 4,754,193 호는 액체 수은을 포함하는 캡슐의 사용을 제안하지만, 이 경우도 원소의 투여량 제어가 어려우며 작은 크기의 캡슐을 제조하는 것도 마찬가지로 어렵다. 미합중국특허 제4,808,136 호 및 유럽특허출원 제 568317 호는 액체 수은이 흡수된 다공성 재료의 펠렛(pellet) 또는 필(pill)의 사용을 개시한다. 그러나 이 경우에는 램프 내에서의 이들 펠럿의 배치가 곤란함을 유발할 수 있다.

본 출원인의 특허인 미합중국특허 제 3,657,589 호는 램프에 수은을 도입하고 정확하게 방출하기 위하여 티타늄 및/또는 지르코늄을 가지는 수은의 금속간 화합물(intermetallic compounds)을 사용하는 것을 개시한다 ; 이들 재료는 약 500℃의 온도까지는 안정하며, 따라서 램프 제조의 모든 통상적인 단계에서 사용될 수 있다. 이들 재료 가운데 바람직한 화합물은 본 출원인에 의해 상표명 St 505로 제조 판매되는 Ti₃Hg이다. 상기 특허에 의하면, St 505 화합물은 압축 분말 같은 자유 형태(free form)로 램프에 도입될 수도 있고, 개방된 용기에 압착된 분말이나 지지용 금속 스트립 상에 배치된 분말 같은 지지 형태(supported form)로 램프에 도입될 수도 있다. 특히 후자의 형태가 램프 제조자에게 진가를 인정받을 수 있는데, 수은 방출 재료를 지지하는 스트립이 링으로 닫혀서 전극 차폐 부재를 형성할 수 있기 때문이다. 램프 밀폐(밀봉)후 소위 활성 처리(activation treatment)를 통해 화합물로부터 수은이 방출되는데, 이는 램프 외부의 코일에 의해 생성된 RF파로 화합물을 약 900℃의 온도에서 약 30초 동안 가열하는 것이다. 한편, 활성 처리 동안 이 화합물의 수율(yield)은 약 50% 이하이고, 나머지 수은은 램프 수명동안 천천히 방출된다.

본 출원인의 출원인 유럽특허출원 제 95830046.9호(EP-A-0669639) 및 제95830284.6호(EP-A-0691670)는 상기한 수은 금속간 화합물과 구리-주석 및 구리-실리콘 합금(구리 기초 촉진 합금이라 불림)을 혼합하는 것을 제안하였는데, 이것은 활성화 단계 동안 금속간 화합물로부터 수은의 방출을 돕는 기능을 가져서, 보다 짧은 가열 시간 또는 보다 낮은 온도에서도 수은 방출이 가능하도록 한다. 본 발명의 차폐 구성요소에서 구리 기초 촉진 합금은 항상 수은 금속간 화합물과 혼합되어 있으므로, 이하의 명세서 및 청구범위에서 "수은 방출 재료(mercury releasing material)"는 이 혼합 재료를 가리키는 것으로 정의된다.

형광 램프의 제조시 만나게 되는 다른 문제는 반응 가스의 흡착을 위한 수단(means for the sorption of reactive gases)을 제공하는 것이다. 실제의 경우 램프 동작이 몇몇 가스에 의해 다양한 메커니즘을 통하여 손상된다고 알려져 있다 : 수소(H₂)는 희귀 가스의 방전시 방출되는 일부 전자와 반응함으로써 램프를 켜는데 필요한 최소 전압의 증가를 유발하고; 산소(O₂)와 수증기(H₂O)는 수은 산화물을 생성함으로써 수은을 제거하며; 마지막으로 탄소 산화물(CO 및 CO₂)은 전극과 접촉시 분해되어 상기한 부정적 효과를 가진 O₂를 형성하고, 인에 증착된 탄소는 램프에 어두운 영역(dark zone)을 형성한다.

이 문제도 상기 유럽특허출원 EP-A-0669639 및 유럽특허출원 EP-A-0691670에서 다루고 있는데, 상기 출원들은 상기 가스들의 흡착을 위해 수은 방출 재료 분말에 게터 재료 분말(powders of getter material)을 첨가하는 것을 제안하였다. 가장 일반적으로 사용된 게터 재료는 상표명 St 101로 본 출원인에 의해 제조 판매되는, 중량 퍼센트 Zr 84% - Al 16%의 퍼센트 구성을 가지는 합금이다. 램프에서 사용될 수 있는 다른 게터 재료는 예를 들어 각각 상표명 St 707 및 St 198로 본 출원인에 의해 제조 판매되는, 중량 퍼센트 Zr 70% - V 24.6% - Fe 5.4%의 퍼센트 구성을 가지는 합금과 중량 퍼센트 Zr 76.6% - Fe 23.4%의 퍼센트 구성을 가지는 합금이다.

전극을 둘러싸는 차폐 부재 상에 게터 재료 및 수은 방출 재료를 제공하여 동일 부재에 Hg방출, 반응 가스 흡착 및 전극 차폐의 3개 기능을 모두 포함하는 기술이 종래 기술로 공지되어 있다. 이 부재는 당업계에서 간단히 "실드(shield)"라 불리고, 이하의 설명에서는 이 용어가 사용된다.

미합중국특허 제 3,657,589 호에서도 게터 재료와 수은 방출 재료를 혼합할수 있었지만, 구리 기초 촉진 합금이 사용되기 때문에 불가능하였다 : 실제로는 수은 방출을 위한 활성화 동안 구리 기초 합금이 용융되어 게터 표면을 적어도 부분적으로 코팅하게 되므로 가스 흡착 기능이 결과적으로 감소한다. 이런 이유로 구리 기초 촉진 합금을 사용할 때는, 게터 재료가 수은 방출 재료로부터 분리되는 것이 바람직하다.

이것은 별개의 분말 수은 방출 재료 트랙과 분말 게터 재료 트랙을 스트립형 지지부 상에 증착함으로써 가장 편리하게 얻어진다. 상기한 유럽특허출원들은 냉간 압연(cold rolling)을 통하여 스트립의 양쪽 반대 면상에 두 분말을 증착함으로써 이런 조건의 실현가능성을 제시하였다. 상기 기술은 냉각된 지지 스트립 및 분말을 적당한 구조하에서 압착 롤러 사이로 통과시켜 분말 트랙을 얻는 것이다. 그러나, 스트립의 양쪽 반대 면에 증착하는 것은 실제로 수행되기 어렵다. 사실상, 단일 작업 단계에서 양쪽 면에 압연하기 위해서는 스트립의 두 개의 반대 측면에서 두 개의 서로 다른 분말을 붓는 동안 두 개의 마주보는 롤러 사이로 수직으로 스트립을 통과시켜야 하는데, 이런 동작은 매우 어렵다. 한편, 두 개의 별도의 경로로 반대 면들 상에 증착을 수행할 경우, 두 번째 압연 단계 동안 처음에 증착된 트랙이 제거되거나 변경될 위험이 존재한다. 스트립의 양쪽 면에 압연할 때의 다른 가능한 위험은, 만약 실드를 생성하기 위하여 스트립이 구부러질 때 분말이 제거된다는 것 특히 구부러진 오목 부분에서 분말이 제거된다는 것이다. 마지막으로, 가능한 마지막 단점은 압연 시에 서로 다른 분말을 사용해야 하는 경우에 발생한다. 실제로, 서로 다른 경도의 분말은 지지 금속 스트립에 서로 다른 강도의 기계적 스트레인(strain)을 유도하는데, 이것이 불균형을 이룰 경우 스트립의 변형을 야기하게 되고, 특히 스트립이 그 한쪽 측면을 따라 늘어나서 측면 휨(사브르-블레이드형성(sabre-blade shaping))을 유발한다.

본 발명은 형광 램프 내에 수은 방출(mercury dispensing), 반응 가스 흡착(reactive gases sorption) 및 전극 차폐(electrode shielding)를 위한 장치 및 그 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

제1도는 본 발명에 따른 실드의 제조를 위한 가능한 스트립을 나타낸 도면.

제2도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실드의 제조를 위한 가능한 스트립을 나타낸 도면.

제3도는 본 발명의 바람직한 형상의 실드 제조에 사용되는 금속 지지부의 가능한 단면도(단, 축척은 임의적임).

제4도는 제1도의 스트립을 통해 얻어진 본 발명의 실드를 나타낸 도면.

제5a도 및 제5b도는 제2도의 스트립으로부터 얻어진 본 발명에 따른 실드의 두 개의 바람직한 실시예를 나타낸 도면.

제6도는 전극 주위의 동작 위치에 장착된 본 발명에 따른 실드를 가진 램프의 절개도.

본 발명의 목적은 전술한 문제점 없이, 수은 방출 및 가스 흡착의 기능을 겸비한, 형광 램프용 개선된 실드를 제조하기 위한 방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 상기한 방법으로 제조된 실드를 제공하는 것이다.

이와 같은 목적은 본 발명의 방법에 따라 달성되는 바, 형광 램프 내에 수은방출, 반응 가스 흡착 및 전극 차폐를 위한 장치를 제조하는 방법으로서, 금속 스트립의 중심축에 대하여 대칭인 두 점에 가해지는 기계적 스트레인의 차이가 15%보다 크지 않도록, 냉각 압연 동작에 의하여, 금속 스트립의 일 단면 위에 분말 수은 방출 재료로 된 하나 이상의 트랙과 하나 이상의 분말 게터 재료로 된 하나 이상의 트랙을 증착하는 단계; 제조될 실드의 원주보다 크거나 이 제조될 실드의 높이와 동일한 피치(pitch)를 가진 조각으로 상기 금속 스트립을 절단하는 단계; 및 상기 금속 스트립 조각을 링 모양으로 만들고 이것의 두 짧은 에지를 서로 결합시키는 단계를 포함하는 방법에 의해 달성된다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 더 상세히 설명한다.

상기한 바와 같이, 롤러 아래로 계속하여 공급되는 지지 스트립 상에 유리된 분말의 트랙을 제공함에 의해 분말이 냉간 압축에 의해 상기 지지부에 부착될 수 있게 하는 공지된 기술인 냉간 압연에 의해, 여러 가지 재료의 트랙이 지지 금속스트립의 단일 면에 증착된다.

한편, 스트립은 여러 재료로 만들어 질 수 있으나, 고온의 램프에서의 동작단계 중에 발생할 수 있는 산화 작용에 대한 양호한 저항력과 양호한 기계적인 성질을 겸비한 니켈 도금강이 바람직하다. 스트립의 두께는 바람직하게는 0.1 내지 0.3㎜이다. 스트립의 폭은 일반적으로 4 내지 6.5㎜인 최종 실드의 높이와 일치할 수 있으며, 또는 설계된 실드의 원주보다 약간 클 수도 있다. 이 두 가지의 선택은 도 1 및 도 2에 각각 도시되어 있으며 이하에서 상세히 설명될 것이다.

스트립의 소위 "사브르-블레이드(sabre-blade)" 형성 문제를 방지하기 위해서, 재료를 압연할 때 스트립 축에 대해 대칭인 기계적 스트레인을 스트립 상에 가하도록 주의해야 한다. 이하에서는, 기계적 스트레인을 언급할 때 대칭의 개념은 어느 정도 완화된 의미로 사용된다. 즉, 정확히 동등한 기계적 부하 값을 의미하는 것이 아니라, 오히려, 스트립의 중심축에 대해 기하학적으로 대칭인 점에 인가되는 기계적 부하는 유사한 것으로서 그 값이 서로 15%이상 다르지 않음을 의미한다.

대칭 스트레인 조건(the condition of symmetric strain)은 다양한 다른 방식으로 얻어질 수 있다. 스트립 축 주위에 분말 트랙이 불균일하게 분포되어 있는 경우에, 좁은 롤러의 어레이를 사용하는 것이 가능하며, 이 때 각각의 롤러는 그 아래의 분말 트랙으로 덮여져 있거나 그렇지 않은 스트립 부분에 서로 다른 부하를 인가한다. 더 용이하게는, 스트립 축에 대해 대칭인 트랙들이 서로 15% 이상 다르지 않는 경도 값을 가진 재료로 구성되도록 다양한 재료를 증착함으로써 상기 대칭 스트레인 조건이 달성될 수 있다. 기하학적인 측면에서 보면, 상기 대칭 스트레인 조건을 위해서는 트랙이 짝수일 경우에는 스트립 축 상에 압연되는 재료가 존재하지 않고 트랙이 홀수일 경우에는 스트립 축과 하나의 재료 트랙 축이 일치해야 한다. 상기한 대칭 조건을 만족시키기 위해서는 사용된 다양한 재료의 경도를 알아야 한다. 일반적으로, 게터 합금은 수은 방출 금속간 화합물보다 더 단단하다. 그러나, 바람직한 실시예에 있어서, 필요한 경도 대칭성 조건은 스트립 축에 대해 동일한 재료로 이루어진 트랙 쌍을 대칭적으로 증착함으로써 충족된다(중심트랙을 제외하고).

대칭 재료 트랙을 가진 스트립의 일부가 도 1 및 도 2에 도시되어 있다. 도 1에는 최종 실드의 높이와 동일한 폭을 가진 스트립(10)이 도시되어 있는데, 금속 지지부(12)의 표면(11)상에 수은 방출 재료로 이루어진 몇몇 트랙(13, 13')과 게터재료로 이루어진 하나의 트랙(15)이 증착된다. 도면에는 예시적으로 수은 방출 재료로 이루어진 두 개의 트랙과 게터 재료로 이루어진 하나의 트랙을 가진 스트립이 도시되어 있지만, 이들 트랙들의 수, 위치 및 거리는 필요에 따라 변화될 수 있다.

도 2에는 도 1의 스트립보다 크며 제조될 실드의 원주보다 약간 큰 폭을 가진 금속 스트립(20)이 도시되어 있다. 지지부(22)의 표면(21)의 중심영역에 수은 방출 재료로 이루어진 트랙(23, 23', 23")과 게터 재료로 이루어진 트랙(24, 24')이 압연되어 있는데, 여기서는 수은 방출 재료로 이루어진 3개의 트랙과 게터 재료로 이루어진 2개의 트랙을 가진 스트립이 도시되어 있지만, 도 1의 스트립의 경우에서 이미 기술한 것처럼 그 수가 가변적임은 명백하다. 스트립 에지에 있는 표면(21)의 두 영역(25, 25')에는 재료 트랙이 없다. 압연 후 서로 다른 재료로 이루어진 트랙의 두께는 일반적으로 20 내지 120㎛이다.

스트립 상에 분말 트랙을 부착하는 것을 돕기 위해서, 공지 기술을 이용할 수 있다. 예를 들어, 기계적 처리에 의해 스트립 표면이 거칠게 될 수도 있고, 이와 달리 분말 트랙을 수용하기 위한 오목부를 스트립의 전체 길이를 따라 형성할 수도 있다. 이 선택 예가 본 발명의 스트립에 대한 가능한 단면도(관심부분을 상세히 보여주기 위해 강조된 두께/폭 비를 가진 도면)를 나타낸 도 3에 도시되어 있다. 스트립(30)은 활성 재료의 압연을 위해 상부면(31)상에 시트(32, 32', ...)를 가진다. 스트립(30)의 하부면(33)에 종방향의(longitudinal)변형부를 제공하면, 이하에 더 상세히 기술된 것처럼 바람직한 형태의 실드의 제조를 용이하게 할 수 있다. 스트립의 상기 또는 다른 적절한 단면은 분말 압연 단계 전에 편평한 금속 스트립을 적절한 형상의 롤러 사이로 통과시킴으로써 용이하게 얻을 수 있다.

다음, 재료 트랙(tracks of materials)을 가진 스트립이 조각으로 절단된다. 원하는 실드의 높이와 동일한 폭을 가진 도 1에 도시된 종류의 스트립은 도면의 점선을 따라 실드의 원주보다 약간 큰 피치로 절단된다. 도 2에 도시된 다른 실시예에 있어서, 스트립은 설계된 실드 원주보다 약간 더 넓을 수 있으며, 조각들은 도면의 점선을 따라 원하는 실드의 높이와 같은 피치로 스트립으로부터 절단된다.

두 경우 모두, 조각들은 직사각형 모양을 가지며, 에지 비는 약 5 : 1 내지 15 : 1이다.

본 발명의 실드를 제조하기 위한 최종 단계에서, 스트립으로부터 절단된 조각들을 구부리고 짧은 에지들을 결합시킴에 의해 조각들이 고리 형태로 닫혀진다.

상기 결합은 크림핑(crimping)에 의해 기계적으로 수행될 수도 있고 용접에 의해 수행될 수도 있다. 비록 타원형이나 정사각형과 같은 다양한 형태의 실드 단면을 얻는 것이 가능할 지라도, 바람직한 실시예는 도 5a와 도 5b에 각각 도시된 바와 같이 원형 단면 실드(51) 및 직사각형 단면 실드(52)이다.

본 발명의 두 번째 측면은, 전술한 공정에 의해 얻어진 램프용 실드에 관한 것이다.

제조되는 실제의 실드는 램프에 따라 다르며, 특히 재료의 양에 따라 다르다. 따라서, 증착될 트랙의 수 및 폭은 서로 다른 램프에 필요한 수은 방출 재료와 게터 재료의 양에 따라 다르다.

수은 방출 재료는 상기한 본 출원인의 미합중국 특허 제 3,657, 589 호에 따른 티타늄 및/또는 지르코늄을 가진 수은의 금속간 화합물과 본 출원인의 유럽특허출원 제 0669639호 및 제 0691670 호에 개시된 수은 방출 보조용 구리 합금의 혼합물이다. 이들 재료로부터 수은을 방출시키기 위한 준비 및 조건은 상기 문서들에 개시되어 있다. 이들 재료는 바람직하게는 100 내지 250㎛의 입자 크기를 가진 분말형태로 사용된다.

이용되는 게터 재료는 바람직하게는 상기한 St 101 합금으로서 미국특허 제3,203,901호에 기재되어 있으므로, 이 합금의 이용을 위한 준비 및 조건에 대해서는 상기 특허를 참조하기로 한다. 전술한 St 707 및 St 198 합금을 이용하는 것도 가능하며, 이들 합금의 사용을 위한 준비 및 조건은 각각 미국특허 제 4,312,669호와 제 4,306,887 호에 기술되어 있다. 게터 재료의 입자 크기는 바람직하게는 100 내지 250㎛로 구성된다.

도 4에는 도 1의 스트립을 이용하여 제조되는 실드(40)가 도시되며, 여기서 트랙은 원주 방향으로 증착되는 것으로 도시되어 있다. 도 1의 스트립은 실드 원주 보다 약간 큰 피치로 점선을 따라 절단되고, 이에 따라 얻어진 조작은 링 형태로 구부러지고 포인트(41)에서 점용접되어 외측면에 트랙(13, 13', 15)을 가진 완성된 실드(40)를 형성한다.

본 발명에 따른 실드의 바람직한 실시예는 도 2의 스트립으로부터 시작하여 얻어지며 도 5a 및 5b에 도시되어 있다. 스트립 에지는 두 개의 영역(25, 25')이 재료가 증착되지 않은 상태로 남겨져, 실드 제조의 마지막 용접 단계에 이용된다. 이 경우 상기 스트립은 도 2의 점선을 따라 원하는 실드 높이와 같은 피치로 절단함에 의해 잘려진다. 이렇게 얻어진 조작들은 이어서 구부러지고 영역(25, 25')에서 용접되어, 여러 가지 재료로 이루어진 트랙이 축방향과 평행한 방향으로 외측면(54)에 존재하는 실드가 형성된다. 실드의 가능한 단면은 수도 없이 많지만, 도 5a의 원형 단면의 실드(51)와 도 5b의 실질적 직사각형 단면의 실드(52)가 바람직하다. 도 2의 넓은 스트립의 이용이 바람직한데, 이 경우 용접(53)을 위한 넓은 자유 영역이 존재하며 또한 지지부를 램프 내에 위치시킨 상태에서 지지부에 실드를 용접할 수 있는 자유 영역이 존재하기 때문이다.

실드(52)의 모양은 도 3에 도시된 단면을 가진 스트립으로부터 시작하여 얻어질 때 특히 바람직한 결과를 가질 수 있다. 실드(52)가 직사각 단면을 가질 경우, 재료 트랙이 없는 영역에 조각의 굴곡부를 배치하는 것이 가능하며, 따라서 구부리는 동안 발생할 수 있는 입자 손실의 위험을 방지할 수 있다. 물론, 도 3에 도시된 단면을 가진 스트립으로부터 얻어진 직사각형 실드가 바람직하기는 하지만, 본 발명에 따른 실드 형상들과 스트립 단면들의 모든 조합이 가능하며; 예를 들어, 시트부(32, 32')가 없이 변형부(34,34')를 가진 스트립으로부터 시작하는 직사각형 실드를 제조하거나, 또는 실드의 외측면 상에 변형부(34, 34')가 없고 시트부(32, 32')가 있거나 없는 스트립을 이용하여 원형 단면을 가진 실드를 만드는 것도 가능하다.

도 6에는 직선 램프의 일단부의 절개도이며, 동작 위치에 있는 본 발명의 실드가 도시되어 있다. 램프(60), 전극(62)에 전력을 공급하는 전기 접점(61) 및 지지부(64)에 고정된 실드(63)가 상기 도면에 도시되어 있다.

본 발명의 실드는 종래 기술의 실드에 비해 많은 장점을 가진다. 가장 중요한 장점은 본 발명의 실드에서는 수은 방출 재료가 게터 재료로부터 분리되므로 여러 재료의 기능간의 가능한 간섭이 방지된다는 것이다. 또한, 본 발명의 실드는, 모든 재료가 지지부의 단일면 상에 압연되기 때문에, 두 개의 양쪽 면에 재료가 압연되어야 하는 종래 기술의 실드와 달리 제조하기가 용이하다.

Claims (4)

1. 형광 램프 내에 수은 방출, 반응 가스 흡착 및 전극 차폐를 위한 장치를 제조하는 방법에 있어서, -금속 스트립의 중심축에 대하여 대칭인 두 점에 가해지는 기계적 스트레인의 차이가 15%보다 크지 않도록, 냉각 압연 동작에 의하여, 금속 스트립의 일 단면 위에 분말 수은 방출 재료로 된 하나 이상의 트랙과 하나 이상의 분말 게터 재료로된 하나 이상의 트랙을 증착하는 단계; -제조될 실드의 원주보다 크거나 이 제조될 실드의 높이와 동일한 피치를 가진 조각으로 상기 금속 스트립을 절단하는 단계; 및 -상기 금속 스트립 조각을 링 모양으로 만들고 이것의 두 짧은 에지를 서로 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 금속 스트립의 한 면(31)에 종방향 시트부분(32, 32',...)을 제공함으로써 분말 트랙이 수용되는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 금속 스트립의 한 면(33)에 종방향 변형부(34, 34',...)를 제공함으로써 굴곡부가 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 형광 램프 내에서의 수은 방출, 반응 가스 흡착 및 전극 차폐를 위한 장치에 있어서, 링 모양의 금속 스트립(10; 20; 30)조각들을 포함하며, 상기 링 모양 조각의 일 단면 위에는 수은 방출 재료/구리 기초 촉진 합금의 혼합물 분말로 된 트랙(13, 13'; 23, 23') 및 하나 이상의 게터 재료로 된 트랙(15; 24, 24')이 증착되는 것을 특징으로 하는 장치.

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