PL180218B1

PL180218B1 - Sposób wytwarzania urzadzenia do dozowania rteci, sorpcji gazów reaktywnych i ekranowania elektrody wewnatrz lampy fluorescencyjnejoraz urzadzenie wytworzone tym sposobem PL PL PL PL PL PL PL PL PL

Info

Publication number: PL180218B1
Application number: PL96321138A
Authority: PL
Inventors: Porta Massimo Della
Original assignee: Getters Spa; Saes Getters Spa
Priority date: 1995-11-23
Filing date: 1996-11-21
Publication date: 2001-01-31
Also published as: KR19980701600A; JP3113286B2; US6099375A; TW309624B; HUP9801206A2; EP0806053A1; CZ291012B6; ES2145502T3; AU7708796A; CN1169207A; RU2138881C1; US6107737A; WO1997019461A1; EP0806053B1; CZ225397A3; CA2209545C; DE69607741D1; HUP9801206A3; ITMI952435A1; HU219936B

Abstract

1. Sposób wytwarzania urzadzenia do dozowa- nia rteci, sorpcji gazów reaktywnych i ekranowania elektrody wewnatrz lamp fluorescencyjnych, zna- mienny tym, ze osadza sie zmienna liczbe sciezek ze sproszkowanego materialu uwalniajacego rtec i z jed- nego lub wielu sproszkowanych materialów gettero- wych na jednej powierzchni metalowej wstegi przez operacje walcowania na zimno, tak ze róznica na- prezenia mechanicznego w dwóch punktach syme- trycznych wzgledem osi srodkowej tej tasmy jest nie wieksza niz 15%, tnie sie tasme na kawalki z po- dzialka, która jest nieco wieksza niz obwód lub równa wysokosci wytwarzanego ekranu, ksztaltuje sie pier- scien z tego kawalka tasmy i laczy sie ze soba dwie krótkie krawedzie tego kawalka. PL PL PL PL PL PL PL PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania urządzenia do dozowania rtęci, sorpcji gazów reaktywnych i ekranowania elektrody wewnątrz lamp fluorescencyjnych oraz urządzenie wytworzone tym sposobem.

Jak wiadomo, lampy fluorescencyjne są utworzone ze szklanych rur (prostoliniowych lub kołowych, zależnie od typu lampy), których wewnętrzna powierzchnia jest wyłożona proszkami fluorescencyjnych materiałów, zwanych luminoforami, które są aktywnymi elementami emitującymi światło widzialne. Rura jest wypełniona gazem szlachetnym, zwykle argonem lub neonem, zawierającym pary rtęci w ilości rzędu miligramów. Wreszcie są tam również dwie elektrody, nazywane również katodami, wykonane jako metalowe druty umieszczone przy obu końcach rury w przypadku lamp prostoliniowych lub w określonym obszarze w lampach kołowych. Pomiędzy te elektrody przykładana jest różnica potencjału, przez co po wodowana jest emisja elektronów. W konsekwencji powstąje plazma złożona z wolnych elektronów i jonów gazu szlachetnego, która na skutek pobudzenia atomów rtęci powoduje emitowanie z nich promieniowania ultrafioletowego. Zwykle elektrody są ekranowane bocznie za pomocą członów wykonanych z taśmy metalowej, umieszczonych współosiowo względem lampy, aby uniknąć zjawiska czernienia luminoforu w obszarze elektrod na skutek bezpośredniego bombardowania przez katody elektronami lub jonami. Promieniowanie ultrafioletowe emitowane przez atomy rtęci jest absorbowane przez luminofory, które dzięki zjawisku fluorescencji emitują światło widzialne. Z tego względu rtęć jest niezbędnym składnikiem dla pracy tych lamp. Pierwiastek ten musi być dozowany w tych lampach w sposób najbardziej precyzyjny i powtarzalny. W rzeczywistości rtęć musi być obecna w minimalnej ilości, poniżej której lampa nie pracuje, przy czym zalecane jest niewprowadzanie partii o ilościach tego pierwiastką które są za duże w porównaniu z niezbędnym minimum, ponieważ ze względu na toksyczność rtęci mogłoby to doprowadzić do problemów ze skażeniem środowiska w przypadku pęknięcia lampy lub też przy zakończeniu jej okresu eksploatacji. Problem dozowania miedzi stał się skomplikowany w ostatnich latach na skutek pojawienia się na rynku większej różnorodności lamp o różnym kształcie, wielkości i z różnych materiałów składowych, w związku z czym istnieje konieczność opracowania sposobu dokładnego i powtarzalnego dozowania ilości rtęci, które mogą być bardzo różne zależnie od typu lampy.

Konwencjonalny sposób dozowania tego pierwiastka w stanie ciekłym nie jest niezawodny ze względu na trudności w dozowaniu dokładnie i w powtarzalny sposób objętości ciekłej rtęci rzędu kilku mililitrów oraz ze względu na problemy napotykane przy dyfuzji par rtęci w obszarze roboczym. W charakterze alternatywy proponowano różne sposoby. Znane jest stosowanie amalgamatów z pierwiastkami takimi jak cynk, które jednak wykazują wady w etapie montażu lamp, ponieważ amalgamaty te mają tendencję do uwalniania rtęci przy temperaturach tak niskich jak około 100°C, podczas gdy przy wytwarzaniu lamp istniejąetapy pracy, w których lampa jest jeszcze otwarty przy wyższych temperaturach.

Patenty USA 4.823.047 i USA 4.754.193 sugerują stosowanie kapsułek zawierających ciekłą rtęć, ale również w takim przypadku dozowanie tego pierwiastka jest trudne i podobnie trudne jest wytwarzanie kapsułek o małych wymiarach. Patent USA 4.808.136 i zgłoszenie EP-A-568317 opisują zastosowanie granulek lub tabletek z porowatych materiałów nasyconych ciekłą rtęcią. W tym przypadku umieszczenie tych granulek w lampie może okazać się kłopotliwe.

Patent USA 3.657.589 na rzecz tego samego zgłaszającego opisuje zastosowanie związków międzymetalicznych rtęci z tytanem i/lub cyrkonem do wprowadzania i dokładnego dozowania rtęci w lampach. Materiały te są stabilne przy temperaturach do około 500°C, dzięki czemu są kompatybilne ze wszystkimi normalnymi etapami produkcji lamp. Wśród tych materiałów

180 218 korzystnym związkiem jest Ti₃Hg, wytwarzany i sprzedawany przez zgłaszającego pod nazwą handlową St 505. Według tego patentu związek St 505 można wprowadzać w lampę zarówno w postaci swobodnej, jako sprasowane proszki, jak też w postaci podpartej, jako proszek wtłoczony w otwarty pojemnik lub osadzony na wsporczej taśmie metalowej. Ta ostatnia możliwość jest szczególnie doceniana przez producentów lamp, ponieważ taśma z materiałem dozującym rtęć może być zamknięta w pierścień, przez co powstaje człon ekranujący elektrodę. Po zamknięciu (uszczelnieniu) lampy rtęć jest uwalniana z tego związku przez tzw. obróbkę aktywacyjną przez ogrzewanie tego związku za pomocąfal o częstotliwości radiowej wytwarzanych przez uzwojenie usytuowane na zewnątrz lampy przez około 30 sekund przy temperaturach około 900°C. Uzysk rtęci z tych związków podczas aktywacji jest jednak mniejszy niż 50%, natomiast reszta rtęci jest powoli uwalniana podczas eksploatacji lampy. Europejskie zgłoszenia patentowe nr 95830046.9 (EP-A-0669639) oraz 95830284.6 (EP-A-0691670) na rzecz zgłaszającego sugerują mieszanie wymienionych wyżej międzymetalicznych związków rtęci ze stopami miedzi z cyną i miedzi z krzemem, zwanymi stopami promującymi, które mają za zadanie polepszenie uwalniania rtęci ze związku międzymetalicznego w etapie aktywacji, aby umożliwić przez to krótszy czas grzania lub niższe temperatury. Ponieważ w elementach ekranuj ących według przedmiotowego wynalazku stopy promujące na bazie miedzi występują zawsze zmieszane z międzymetalicznymi związkami miedzi, w pozostałej części opisu i w zastrzeżeniach patentowych określenie materiał uwalniający rtęć będzie używane do oznaczenia tej mieszaniny materiałów.

Innym problemem napotykanym przy wytwarzaniu lamp fluorescencyjnych jest stosowanie środków do sorpcji reaktywnych gazów. Faktycznie wiadomo, że działanie lampy jest pogarszane przez różne mechanizmy, przez pewne gazy: wodór (H₂) współdziała z częściąelektronów emitowanych w wyładowaniu w gazie szlachetnym, przez co powoduje zwiększenie minimalnego napięcia potrzebnego do włączenia lampy; tlen (O₂) i woda (H₂O) wytwarzają tlenek rtęci, powodując przez to usunięcie tego pierwiastka; wreszcie tlenki węgla CO i CO₂ rozkładają się w kontakcie z elektrodą tworząc O₂ z opisanym powyżej szkodliwym działaniem oraz węgiel, który osadza się na luminoforach, tworząc ciemne obszary w lampie.

Problem ten napotykany jest również w EP-A-0669639 i EP-A-0691670, które promują dodawanie proszków materiałów getterowych do proszków materiału uwalniającego rtęć dla sorpcji wspomnianych wyżej gazów. Najpospoliciej stosowanym materiałem getterowym jest stop o składzie 84% wag. Zr i 16% wag. Al, wytwarzany i sprzedawany przez zgłaszającego pod nazwą handlową St 101. Inne materiały getterowe, które mogą być używane w lampach, to przykładowo stop o składzie 70% wag. Zr, 24,6% wag. V i 5,4% wag. Fe oraz stop o składzie 76,6% wag. Zr i 23,4% wag. Fe, oba wytwarzane i sprzedawane przez zgłaszającego pod nazwami handlowymi St 707 i St 198.

Ze stanu techniki znane jest stosowanie bezpośrednio na członach ekranujących, otaczających elektrody, zarówno materiału getterowego jak i materiału uwalniającego rtęć, przez co w tym samym członie zawarte są wszystkie trzy funkcje dozowania rtęci, sorpcji gazów reaktywnych i ekranowania elektrod. Człon ten jest po prostu nazywany ekranem i określenie to będzie używane w dalszej części opisu.

Chociaż według patentu USA 3.657.589 możliwe było mieszanie materiału getterowego z materiału uwalniającym rtęć, nie jest to już możliwe, kiedy wykorzystywane są stopy promujące na bazie miedzi. Rzeczywiście, podczas aktywacji uwalniania rtęci stopy na bazie miedzi topią się, pokrywając przez to przynajmniej częściowo powierzchnię gettera, co powoduje pogorszenie jego funkcjonalności przy sorpcji gazów. Z tego powodu, jeżeli stosuje się stopy promujące, korzystne jest oddzielenie materiału getterowego od materiału uwalniającego rtęć. Można to uzyskać w najkorzystniejszy sposób przez osadzenie na taśmowo ukształtowanym podłożu oddzielnych ścieżek sproszkowanego materiału uwalniającego rtęć i sproszkowanego gettera. Wspomniane powyżej europejskie zgłoszenia patentowe sugerująjuż możliwość postępowania zgodnie z tym warunkiem przez osadzanie dwóch proszków na dwóch przeciwległych powierzchniach taśmy przez walcowanie na zimno. Sposób ten polega na przepuszczaniu zimnej taśmy

180 218 podłoża i proszków w odpowiedniej konfiguracji pomiędzy walcami dociskowymi, przez co otrzymuje się ścieżkę z proszku. Jednakże osadzanie na obu przeciwległych powierzchniach taśmy jest w praktyce trudne do przeprowadzenia. Faktycznie walcowanie na obu powierzchniach w jednej operacji wymaga przepuszczania taśmy pionowo pomiędzy dwoma przeciwległymi walcami w trakcie wpuszczania dwóch różnych proszków z dwóch różnych stron taśmy, ale operacja ta jest raczej skomplikowana. Z drugiej strony, przy przeprowadzaniu osadzania na przeciwległych powierzchniach w dwóch różnych przejściach istnieje ryzyko, że podczas drugiego etapu walcowania pierwsza osadzona ścieżka może zostać usunięta lub w jakiś sposób zmieniona. Dalsze możliwe ryzyko z walcowaniem na obu powierzchniach taśmy polega na tym, że jeśli taśma ta jest gięta w celu wytworzenia ekranu, proszek może zostać usunięty, zwłaszcza na wklęsłej części zagięcia. Ostatnia możliwa wada występuje wtedy, gdy walcowanie wiążące się ze stosowaniem różnych proszków. Faktycznie, proszki o różnej twardości powodują w taśmie metalowej naprężenia mechaniczne o różnej wartości, które, jeżeli nie są skompensowane, powodują odkształcenie taśmy. W szczególności taśma może zostać rozciągnięta wzdłuż jednego ze swych boków, co powoduje boczne wygięcie (kształt klingi szabli).

Celem przedmiotowego wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania lepszego ekranu do lamp fluorescencyjnych, który łączy w sobie funkcje dozowania rtęci i getterowanie gazu bez wykazywania wymienionych wyżej wad. Innym celem wynalazku jest wytworzony w ten sposób ekran.

Cele te osiągnięto według przedmiotowego wynalazku, który w pierwszym aspekcie dotyczy sposobu wytwarzania urządzenia do dozowania rtęci, sorpcji gazów reaktywnych i ekranowania elektrody wewnątrz lamp fluorescencyjnych i polega na tym, że osadza się zmienną liczbę ścieżek z proszkowego materiału uwalniającego rtęć i z jednego lub wielu sproszkowanych materiałów getterowych na jednej powierzchni taśmy metalowej przez operację walcowania na zimno tak, że różnica naprężeń mechanicznych w dwóch punktach symetrycznych względem osi taśmy jest nie większa niż 15%, tnie się tę taśmę na kawałki z podziałką którajest albo nieco większa niż obwód, albo równa wysokości wytwarzanego ekranu, z tego kawałka taśmy kształtuje się pierścień i łączy się jego krótkie krawędzie.

Wynalazek jest dokładniej opisany na podstawie rysunku, na którym fig. 1 przedstawia taśmę do wytwarzania ekranów według wynalazku, fig. 2 - taśmę do wytwarzania ekranów według alternatywnego przykładu realizacji wynalazku, fig. 3 - możliwy przekrój (bez zachowania skali) metalowej podpory stosowanej do wytworzenia korzystnego kształtu ekranów według wynalazku, fig. 4 - ekran według wynalazku otrzymany z taśmy z fig. 1, fig. 5a i 5b - dwa korzystne przykłady wykonania ekranów według wynalazku otrzymanych z taśmy z fig. 2, a fig. 6 przedstawia wyrwanie lampy z ekranem według wynalazku zamontowanym w swym położeniu roboczym wokół elektrody.

Jak podano powyżej, ścieżki z różnych materiałów osadza się na jednej powierzchni wsporczej taśmy metalowej przez walcowanie na zimno, które jest znaną techniką polegającąna wtapianiu ścieżek luźnych proszków na taśmie wsporczej wprowadzanej w sposób ciągły pod walce, które powodują przywieranie tych proszków do podłoża przez ściskanie na zimno.

Taśma może być wykonana z różnych metali, jednakże korzystne jest stosowanie stali niklowanej, która łączy dobre właściwości mechaniczne z dobrąodpomościąna utlenianie, które mogłoby wystąpić podczas operacji obróbki przy wysokiej temperaturze lampy. Grubość taśmy jest korzystnie w zakresie 0,1 - 0,3 mm. Szerokość taśmy może odpowiadać wysokości gotowego ekranu, zwykle 4 - 6,5 mm, lub też może być nieco większa niż obwód przewidzianego ekranu. Te dwie możliwości są zilustrowane odpowiednio na fig. 1 i 2 i omówione szczegółowo poniżej.

Aby uniknąć problemu tzw. nadawania taśmie kształtu klingi szabli podczas walcowania materiałów, trzeba starać się wywierać na taśmę naprężenia mechaniczne, które są symetryczne względem osi tej taśmy. Następnie, jeśli chodzi o naprężenie mechaniczne, koncepcji symetrii nadawane będzie raczej mniejsze znaczenie, tzn. nie będzie to oznaczać dokładnej równości wartości obciążenia mechanicznego, a raczej będzie oznaczać, że obciążenia mechaniczne przyłożone do punktów geometrycznie symetrycznych względem osi środkowej taśmy są podobne i nie różnią się od siebie bardziej niż o 15% wartości.

Stan symetrycznego naprężenia można uzyskać różnymi sposobami. W przypadku nierównomiernego rozłożenia ścieżek proszkowych wokół osi taśmy możliwe jest zastosowanie układu wąskich walców, z których każdy przykłada inne obciążenie do sekcji taśmy usytuowanej pod spodem niezależnie od tego, czy jest ona pokryta ścieżkąproszkową, czy też nie. Stan symetrycznego naprężenia, wymieniony powyżej, można łatwiej osiągnąć przez osadzanie różnych materiałów w taki sposób, że ścieżki symetryczne względem osi taśmy sązłożone z materiałów o wartościach twardości, które nie różnią się od siebie bardziej niż o 15%. Pod względem geometrycznym stan ten wymaga, aby w przypadku parzystej liczby ścieżek oś taśmy była wolna od walcowanego materiału, natomiast w przypadku nieparzystej liczby ścieżek oś taśmy powinna być zgodna z osiąjednej ścieżki materiału. Aby spełnić wymieniony wyżej warunek symetrii, trzeba znać twardość różnych stosowanych materiałów. Z reguły można powiedzieć, że stopy getterowe są twardsze niż związki intermetaliczne uwalniające rtęć. Jednakże w korzystnym przykładzie realizacji żądany warunek symetrii twardości jest spełniany po prostu przez symetryczne osadzanie, względem osi taśmy, par ścieżek z tego samego materiału (za wyjątkiem ewentualnie ścieżki środkowej).

Na fig. 1 i 2 pokazano sekcje możliwych taśm z symetrycznymi ścieżkami materiałów. Na fig. 1 pokazana jest taśma 10 o szerokości równej wysokości gotowego ekranu, gdzie na powierzchni czołowej 11 metalowego podłoża 12 osadzone są ścieżki 13, 13' z materiału uwalniającego rtęć oraz jedna ścieżka 15 z materiału getterowego. Na rysunku tym tylko na zasadzie przykładu przedstawiono taśmę z dwiema ścieżkami z materiału uwalniającego rtęć i jedną ścieżkę z materiału getterowego, ale oczywiście liczba, położenie i odstęp tych ścieżek mogą się różnić w zależności od wymagań. Na fig. 2 pokazano metalową taśmę 20 o szerokości większej niż szerokość taśmy z fig. 1 i nieco większej niż obwód wytwarzanego ekranu. W środkowym obszarze czołowej powierzchni 21 podłoża 22 są wwalcowane ścieżki 23, 23', 23” z materiału uwalniającego rtęć oraz ścieżki 24, 24' z materiału getterowego. W tym przypadku podano przykład taśmy z trzema ścieżkami z materiału uwalniającego rtęć i dwiema ścieżkami z materiału getterowego, ale oczy wiście, j ak już stwierdzono w przypadku taśmy z fig. 1, liczby te mogąulec zmianie. Przy krawędziach taśmy dwa obszary 25,25' powierzchni czołowej 21 są pozostawione wolne od ścieżek z materiałów. Grubość ścieżek z różnych materiałów po walcowaniu wynosi zasadniczo 20 -120 mm.

Aby wspomóc adhezję ścieżek proszkowych na taśmie, możliwe jest zastosowanie znanych sposobów, np. powierzchnia taśmy może być uszorstniona przez obróbkę mechaniczną, albo też możliwe jest wykonanie wzdłuż całej długości taśmy zagłębień przeznaczonych do przyjęcia ścieżek proszkowych. Możliwość ta została pokazana na fig. 3, gdzie przedstawiono przekrój poprzeczny ewentualnej taśmy według wynalazku (rysunek bez zachowania skali z bardzo powiększonym stosunkiem grubość/szerokość, aby lepiej pokazać interesujące szczegóły). Taśma 30 ma na swej górnej powierzchni 31 gniazda 32, 32',......., do wwalcowania aktywnych materiałów. Zastosowanie podłużnych odkształceń 34,34',... na dolnej powierzchni 33 taśmy 30 może służyć do wspomagania wytwarzania korzystnego typu ekranu, jak to lepiej opisano poniżej. Te lub inne odpowiednie przekroje taśmy można łatwo otrzymać przez spowodowanie przejścia płaskiej taśmy metalowej pomiędzy odpowiednio ukształtowanymi walcami przed operacją wwalcowania proszków.

Taśma ze ścieżkami z materiałów jest następnie cięta na kawałki. Taśma rodzaju pokazanego na fig. 1, mająca szerokość równą wysokości potrzebnego ekranu, jest cięta z podziałką nieco większą niż obwód ekranu wzdłuż linii przerywanych na rysunku. W alternatywnym przykładzie realizacji, przedstawionym na fig. 2, taśma może być nieco szersza niż przewidywany obwód ekranu, a kawałki sącięte z tej taśmy z podziałką odpowiadającą wysokości żądanego ekranu wzdłuż linii przerywanych na rysunku. W obu przypadkach kawałki mająkształt prostokątów ze stosunkiem boków zasadniczo w zakresie 5:1 do 15:1.

180 218

W końcowej fazie wytwarzania ekranów według wynalazku kawałki cięte z taśmy są gięte i zamykane na kształt pierścienia przez łączenie krótkich krawędzi kawałka. Łączenie może być realizowane mechanicznie, np. przez obciskiwanie, albo przez zgrzewanie. Chociaż możliwe jest uzyskanie różnych kształtów przekroju ekranu, takich j ak przekrój o kształcie owalnym lub kwadratowym, korzystnymi przykładami realizacji sąprzykłady pokazane na fig. 5a i 5b, pokazujące odpowiednio ekran 51 o przekroju kołowym i ekran 52 o przekroju zasadniczo prostokątnym.

Według drugiego aspektu wynalazek dotyczy ekranów lamp otrzymanych poprzez proces opisany powyżej. Ekran jest w rzeczywistości wytwarzany w zależności od lampy, do której jest przeznaczony. Zwłaszcza ilość materiałów, a więc liczba i szerokość osadzanych ścieżek, zależą od ilości materiału uwalniającego rtęć i materiału getterowego, które są potrzebne w różnych lampach.

Materiały uwalniaj ące rtęć sązwiązkami intermetalicznymi rtęci z tytanem i/lub cyrkonem według wspomnianego patentu USA nr 3.657.589 w zmieszaniu ze stopami miedzi polepszającymi uwalnianie rtęci, jak opisano w EP-A-0669639 i EP-A-0691670 na rzecz tego samego zgłaszającego. W sprawie przygotowania i warunków uwalniania rtęci z tych materiałów - patrz wymienione wyżej dokumenty. Materiały te są korzystnie stosowane w postaci sproszkowanej z ziarnistością 100 - 250 mm.

Stosowany materiał getterowy jest korzystnie wspomnianym stopem St 101 opisanym w patencie USA nr 3.203.901, gdzie podano również przygotowanie i warunki zastosowania tego stopu. Możliwe jest również stosowanie wymienionych stopów St 707 i St 198, których przygotowanie i warunki stosowania opisano w patentach USA 4.312.669 i 4.306.887. Wielkość cząstek materiału getterowego jest korzystnie zawarta w zakresie 100 - 250 mm.

Na fig. 4 pokazano ekran 40 wytworzony przy zastosowaniu taśmy z fig. 1, gdzie pokazano ścieżki usytuowane w kierunku obwodowym. Taśma z fig. 1 jest cięta wzdłuż linii przerywanych z podziałką która jest nieco większa niż obwód ekranu. Tak otrzymany kawałek jest gięty do kształtu pierścienia zgrzewany punktowo w punktach 41, przez co powstaje kompletny ekran 40 posiadający ścieżki 13, 13' i 15 na swej zewnętrznej powierzchni 42.

Korzystne przykłady realizacji ekranu według wynalazku są otrzymywane zaczynając od taśmy z fig. 1 i sąpokazane na fig. 5a i 5b. Przy krawędziach taśmy dwa obszary 25,25' sąpozbawione osadzonych materiałów i są pozostawione dostępne dla etapu końcowego zgrzewania przy wytwarzaniu ekranu. W tym przypadku taśmę dzieli się przez cięcia z podziałką odpowiadającą żądanej wysokości ekranu wzdłuż linii przerywanych z fig. 2. Otrzymane kawałki gnie się następnie i zgrzewa w obszarach 25, 25', przez co otrzymuje się ekrany, w których ścieżki z różnych materiałów sąusytuowane na zewnętrznej powierzchni 54 ekranu w kierunku równoległym do kierunku osiowego. Możliwe są różne przekroje ekranów, ale korzystnie przekroje sąpokazane na fig. 5a, gdzie pokazano ekran 51 o przekroju kołowym, oraz na fig. 5b, gdzie pokazano ekran 52 o przekroju zasadniczo prostokątnym. Użycie szerokiej taśmy z fig. 2 jest korzystniejsze, ponieważ w takim przypadku dostępny jest szeroki wolny obszar do wykonania zgrzewów 53 jak również wolne obszary do zgrzewania ekranu z podporą utrzymującąjego położenie wewnątrz lampy.

Kształt ekranu 52 może mieć szczególnie korzystny wpływ, jeżeli jest otrzymany zaczynając od taśmy mającej przekrój pokazany na fig. 3. W przypadku ekranu 52 mającego przekrój zasadniczo prostokątny możliwe jest usytuowanie zagięć tego kawałka w obszarach pozbawionych ścieżek z materiałów, przez co unika się całkowicie ryzyka odłączania się cząstek, które mogłoby występować podczas zginania. Oczywiście chociaż ekran prostokątny otrzymany z taśmy o przekroju pokazanym na fig. 3 jest korzystny, według wynalazku możliwe są wszelkie kombinacje kształtów ekranu i przekrojów taśmy, np. możliwe jest wytwarzanie prostokątnego ekranu zaczynając od taśmy z rowkami 34,34',..., ale bez gniazd 32, 32',... lub też ekranu o przekroju kołowym z wykorzystaniem taśmy bez rowków 34,34',... i bez gniazd 32,32',... lub z tymi gniazdami na zewnętrznej powierzchni ekranu. Na fig. 6 przedstawiono wyrwanie części końcowej prostoliniowej lampy z pokazaniem ekranu według wynalazku w położeniu roboczym.

180 218

Na rysunku tym pokazano lampę 60, styki elektryczne 61, zasilające energią elektryczną elektrodę 62, oraz ekran 63, przymocowany do podpory 64.

Ekrany według wynalazku mogąmieć zalety w porównaniu z ekranami według stanu techniki. Główną zaletą jest to, że w przypadku ekranów według wynalazku materiały uwalniające rtęć są trzymane oddzielnie od materiałów getterowych, przez unika się ewentualnych zakłóceń w działaniu różnych materiałów. Ponadto, w przypadku ekranów według wynalazku wszystkie materiały są walcowane na jednej powierzchni podłoża, przez co unika się walcowania dwóch przeciwległych powierzchni, co jest potrzebne w przypadku niektórych ekranów według stanu techniki, które w praktyce są trudne do wytworzenia.

180 218

j4 34'

180 218

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 70 egz. Cena 4,00 zł.

Claims

Zastrzeżenia patentowe

1. Sposób wytwarzania urządzenia do dozowania rtęci, sorpcji gazów reaktywnych i ekranowania elektrody wewnątrz lamp fluorescencyjnych, znamienny tym, że osadza się zmienną liczbę ścieżek ze sproszkowanego materiału uwalniającego rtęć i z jednego lub wielu sproszkowanych materiałów getterowych na jednej powierzchni metalowej wstęgi przez operację walcowania na zimno, tak że różnica naprężenia mechanicznego w dwóch punktach symetrycznych względem osi środkowej tej taśmy jest nie większa niż 15%, tnie się taśmę na kawałki z podziałką, która jest nieco większa niż obwód lub równa wysokości wytwarzanego ekranu, kształtuje się pierścień z tego kawałka taśmy i łączy się ze sobą dwie krótkie krawędzie tego kawałka.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że w przypadku niesymetrycznego rozmieszczenia ścieżek proszkowych wokół osi środkowej taśmy stosuje się zestaw wąskich walców, z których każdy przykłada inne obciążenie do usytuowanej pod nim sekcji taśmy.
3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że proszki różnych materiałów osadza się na taśmie w taki sposób, że ścieżki symetryczne względem osi środkowej taśmy są złożone z materiałów o wartościach twardości, które różnią się od siebie nie więcej niż o 15%.
4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że taśma (10) ma szerokość równą wysokości wytwarzanego ekranu, a taśmę tę tnie się na kawałki o długości nieco większej niż obwód wytwarzanego ekranu.
5. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że taśma (20) ma szerokość nieco większą niż obwód wytwarzanego ekranu, a ponadto taśmę tę tnie się na kawałki o długości równej wysokości wytwarzanego ekranu.
6. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że jedna powierzchnia (31) taśmy jest przystosowana do przyj mowania ścieżek proszkowych przez wykonanie wzdłużnych gniazd (32, 32',...).
7. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że jedna powierzchnia (33) taśmy jest dostosowana do usytuowania zagięć przez zastosowanie wzdłużnych odkształceń (34, 34',...).
8. Urządzenie do dozowania rtęci, sorpcji gazów reaktywnych i ekranowania elektrody w lampach fluorescencyjnych, znamienne tym, że zawiera pierścieniowo ukształtowany kawałek metalowej taśmy (10; 20; 30) na jednej powierzchni której osadzone są ścieżki (13,13'; 23, 23', 23”) z proszków z mieszaniny materiału uwalniającego rtęć i stopu promocyjnego na bazie miedzi oraz ścieżki (15; 24, 24') z jednego lub wielu materiałów getterowych.
9. Urządzenie według zastrz. 8, znamienne tym, że materiały rozmieszczone symetrycznie względem osi taśmy maj ą wartości twardości, które różniąsię od siebie nie więcej niż o 15%.
10. Urządzenie według zastrz. 8, znamienne tym, że ścieżki (13,13'; 15) są osadzone obwodowe na zewnętrznej powierzchni (54) pierścienia.
11. Urządzenie według zastrz. 8, znamienne tym, że ścieżki (23', 23”; 24,24') sąosadzone równolegle do kierunku osiowego zewnętrznej powierzchni (54) pierścienia.
12. Urządzenie według zastrz. 8, znamienne tym, że wymieniona mieszanina zawiera intermetaliczny związek Ti₃Hg i stop promujący uwalnianie rtęci, wybrany spośród stopów miedzi i cyny oraz stopów miedzi i krzemu.
13. Urządzenie według zastrz. 8, znamienne tym, że materiałem getterowym jest stop o składzie 84% wag. Zr i 16% wag. Al.
14. Urządzenie według zastrz. 11, znamienne tym, że ma kształt zasadniczo prostokątny w przekroju poprzecznym, przy czym obszary osadzenia mieszaniny materiałów uwalniających

180 218 rtęć i materiału getterowego są zasadniczo płaskie, a zagięcia są usytuowane w obszarach pozbawionych tych materiałów.

* * *