KR19980083765A - 횡전계방식 액정표시장치 - Google Patents

횡전계방식 액정표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR19980083765A
KR19980083765A KR1019970019200A KR19970019200A KR19980083765A KR 19980083765 A KR19980083765 A KR 19980083765A KR 1019970019200 A KR1019970019200 A KR 1019970019200A KR 19970019200 A KR19970019200 A KR 19970019200A KR 19980083765 A KR19980083765 A KR 19980083765A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
electric field
display device
crystal display
transverse electric
Prior art date
Application number
KR1019970019200A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100257370B1 (ko
Inventor
서성모
Original Assignee
구자홍
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, 엘지전자 주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019970019200A priority Critical patent/KR100257370B1/ko
Priority to US09/079,894 priority patent/US7551256B1/en
Publication of KR19980083765A publication Critical patent/KR19980083765A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100257370B1 publication Critical patent/KR100257370B1/ko
Priority to US09/645,332 priority patent/US6529256B1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/01—Function characteristic transmissive

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명의 횡전계방식 액정표시장치는 게이트배선과 데이터배선에 의해 정의되는 화소영역 내에 액정분자를 기판과 수평한 방향으로 스위칭시키는 적어도 한쌍의 데이터전극과 투명한 공통전극이 형성되어 있다. ITO(indium tin oxide)로 이루어진 공통전극은 데이터전극과 동일한 평면인 게이트절연막 위, 또는 보호막 위에 형성되어 개구율이 향상된다.

Description

횡전계방식 액정표시장치
본 발명은 횡전계방식 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 공통전극을 투명한 금속으로 형성함으로써 개구율을 향상시킨 횡전계방식 액정표시장치에 관한 것이다.
고화질, 저전력의 평판표시장치(flat panel display device)로서 주로 사용되는 트위스트네마틱모드(twisted nematic mode) 액정표시장치(liquid crystal display device)는 시야각이 좁다는 단점이 있다. 이것은 액정분자의 굴절율 이방성(refractive anisotropy)에 기인하는 것으로, 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 액정패널(liquid crystal panel)에 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직방향으로 배향되기 때문이다.
따라서, 액정분자를 기판과 거의 수평한 방향으로 배향하여 시야각 문제를 해결하는 횡전계방식 액정표시장치(in plane switching mode LCD)가 최근에 활발하게 연구되고 있다.
도 1은 상기한 횡전계방식 액정표시장치를 나타내는 도면이다. 도 1(a)에 나타낸 바와 같이, 투명한 제1기판(10)에는 종횡으로 게이트배선(1) 및 데이터배선(2)이 배열되어 있다. 이 게이트배선(1)과 데이터배선(2)에 의해 화소영역이 정의되는데, 실제의 액정패널은 수많은 화소영역으로 구성되어 있지만 도면에서는 설명의 편의를 위해 한 화소만을 나타낸다. 상기한 화소영역 내에는 게이트배선(1)과 평행한 공통배선(3)이 배열되어 있으며, 게이트배선(1)과 데이터배선(2)의 교차점에는 박막트랜지스터(thin film transistor)가 형성되어 있다. TFT는 도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 게이트전극(5), 게이트절연막(12), 소스/드레인전극(6), 반도체층(15), 오믹콘택층(16) 및 소스/드레인전극(6)으로 구성되며, 상기한 게이트전극(5) 및 소스/드레인전극(6)은 각각 게이트배선(1) 및 데이터배선(2)에 접속된다. 또한, 게이트절연막(12)은 기판 전체에 걸쳐서 적층되어 있다.
화소영역에는 서로 평행한 공통전극(9) 및 데이터전극(8)이 형성되어 있다. 공통전극(9)은 제1기판(10) 위에 게이트전극(5)과 동시에 형성되어 공통배선(3)에 접속되며, 데이터전극(8)은 게이트절연막(12) 위에 소스/드레인전극(6)과 동시에 형성되어 TFT의 소스/드레인전극(6)과 접속된다. 그리고 제1기판(10) 전체에 걸쳐서 보호막(20) 및 제1배향막(23a)이 도포되어 있다.
제2기판(11)에는 TFT, 게이트배선(1), 데이터배선(2)으로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙매트릭스(28)와 컬러필터층(color filter layer)(29)이 형성되어 있으며, 그 위에 제2배향막(23b)이 도포되어 있다. 또한, 상기한 제1기판(10) 및 제2기판(11) 사이에는 액정층(30)이 형성된다.
상기한 구조의 액정표시장치에서 전압이 인가되지 않는 경우에는 액정층(30) 내의 액정분자가 제1배향막(23a) 및 제2배향막(23b)의 배향방향에 따라 배향되지만, 공통전극(9)과 데이터전극(8) 사이에 전압이 인가되면 기판과 평행하게 스위칭되어, 상기한 공통전극(9) 및 데이터전극(8)의 연장방향과 수직한 방향으로 배향된다. 상기한 바와 같이, 액정층(30) 내의 액정분자가 항상 동일한 평면(plane) 상에서 스위칭되기 때문에, 상하방향 및 좌우방향의 시야각방향에서 계조표시(grey level)의 반전이 일어나지 않는다.
그러나, 상기한 구조의 횡전계방식 액정표시장치에서는 화면이 표시되는 화소영역 내에 불투명한 금속으로 이루어진 공통전극(9) 및 데이터전극(8)이 형성되어 있기 때문에, 개구율(aperture ratio)이 저하되는 문제가 있었다.
본 발명은 공통전극을 투명한 금속으로 형성함으로써 개구율이 대폭 향상된 횡전계방식 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치는 제1기판 및 제2기판과, 상기한 제1기판 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과, 상기한 화소영역 내에 게이트배선과 평행하게 배열된 공통배선과, 상기한 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기한 화소영역 내에 형성된 적어도 하나의 데이터전극과, 상기한 화소 내에 데이터배선과 평행하게 형성된 적어도 하나의 투명한 공통전극과, 상기한 기판 전체에 걸쳐서 적층된 보호막과, 상기한 보호막 위에 도포된 임의의 배향방향을 가진 제1배향막과, 상기한 제2기판에 형성되어 박막트랜지스터, 게이트배선 및 데이터배선 근처로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙매트릭스와, 상기한 블랙매트릭스 및 제2기판 위에 형성된 컬러필터층과, 상기한 컬러펄터층 위에 형성된 제2배향막과, 상기한 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 구성된다. 투명한 공통전극은 공통배선에 접속되며, 데이터전극은 박막트랜지스터의 소스/드레인전극에 접속된다. 공통배선은 투명한 공통전극과 동일한 물질로 동시에 형성될 수도 있으며, 다른 물질로 별도의 공정에 의해 형성될 수 있다. 공통전극과 데이터전극이 게이트절연막 위에 형성되는 경우에는 공통배선 역시 상기한 게이트절연막 위에 형성되며, 이 공통배선은 데이터배선과 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 보호막 위에 투명한 공통전극을 형성하는 공정에 의해 게이트패드와 데이터패드 위에 ITO로 이루어진 금속층이 형성되어 상기한 패드에 산화막이 형성되는 것을 방지한다.
도 1(a)는, 종래의 횡전계방식 액정표시장치의 평면도.
도 1(b)는, 도 1(a)의 A-A'선 단면도.
도 2(a)는, 본 발명의 제1실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 평면도.
도 2(b)는, 도 2(a)의 B-B'선 단면도.
도 3(a)는, 본 발명의 제1실시예에 따른 게이트패드영역을 나타내는 도면.
도 3(b)는, 본 발명의 제1실시예에 따른 데이터패드영역을 나타내는 도면.
도 4는, 본 발명의 제2실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
101 : 게이트배선 102 : 데이터배선
105 : 게이트전극 106 : 소스/드레인전극
108 : 데이터전극 109 : 공통전극
110 : 기판 112 : 게이트절연막
115 : 반도체층 116 : 오믹콘택층
120 : 보호막 123a : 제1배향막
123b : 제2배향막 129 : 컬러필터층
130 : 액정층 135 : 게이트패드
136 : 데이터패드 140 : 금속층
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 횡전계방식 LCD를 나타내는 도면이다. 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 제1기판(110)에는 게이트배선(101) 및 데이터배선(102)이 종횡으로 교차하여 화소영역을 정의하며, 상기한 화소영역 내에는 공통배선(103)이 게이트배선(101)과 평행하게 배치되어 있다. 게이트배선(101)과 데이터배선(102)의 교차점에는 TFT가 형성되어 있다. TFT는 도 2(b)에 나타낸 바와 같이, 게이트전극(105)과, 상기한 게이트전극(105) 위에 적층된 게이트절연막(112)과, 상기한 게이트절연막(112) 위에 형성된 반도체층(115)과, 상기한 반도체층 위에 형성된 오믹콘택층(116)과, 상기한 오믹콘택층(116) 위에 형성된 소스/드레인전극(106)으로 구성된다. 이때, 상기한 게이트절연막(112)은 기판(110) 전체에 걸쳐서 적층되어 있다.
게이트전극(105)은 게이트배선(101)과 동일한 공정에 의해 형성되는 것으로, Al, Mo, Ta 또는 Al합금 등과 같은 금속을 스퍼터링(sputtering) 방법으로 적층한 후 포토에칭(photoetching)하여 형성한다. 이때, 절연성을 향상시키기 위해 게이트배선(101)과 게이트전극(105)을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 것도 가능하다. 게이트절연막(112)은 SiNx 또는 SiOx 등을 플라즈마 CVD(plasma chmeical vapor deposition) 방법에 의해 적층하여 형성한다.
반도체층(115)은 비정질실리콘(amorphous silicon)을 플라즈마 CVD 방법에 의해 적층하고 에칭하여 형성하며, 오믹콘택층(116)은 n+a-Si을 적층하여 형성한다. 소스/드레인전극(106)은 데이터전극(108)과 동시에 형성되는 것으로, Al, Cr, Ti, Al합금 등의 금속을 스퍼터링 방법으로 적층하고 에칭하여 형성한다. 이때, 상기한 반도체층(115), 오믹콘택층(116) 및 소스/드레인전극(106)을 각각 별개의 공정에 의해 형성하는 것도 가능하지만, 먼저 게이트절연막(112) 위에 a-Si층, n+a-Si층 및 금속층을 연속 적층한 후, 상기한 금속층을 에칭하여 소스/드레인전극(106)을 형성하고 이 소스/드레인전극(106)을 마스크로 하여 a-Si층 및 n+a-Si층을 에칭하여 반도체층(115) 및 오믹콘택층(116)을 형성하는 것도 가능하다. 또한, 상기한 반도체층(115) 위에는 에칭시 반도체층(115)의 채널영역이 에칭되는 것을 방지하기 위한 ES층(etching stopper)를 형성할 수도 있다.
SiOx나 SiNx 등과 같은 무기물 또는 BCB(benzocyclobutane)와 같은 유기물로 이루어진 보호막(120) 위에는 공통배선(103)과 공통전극(109)이 형성되어 있고, 그 위에 제1기판(110) 전체에 걸쳐서 제1배향막(123a)이 도포되어 있다. 상기한 공통배선(103)과 공통전극(109)은 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명한 금속을 스퍼터링 방법에 의해 적층하고 에칭하여 형성한다. 또한, 상기한 바와 같이 공통배선(103)과 공통전극(109)을 동일한 공정에 의해 형성하는 것도 가능하지만, 서로 다른 물질로 형성하는 것도 가능하다. 즉, 공통배선(103)을 게이트배선(101)과 동일한 물질인 Al, Mo, Ta 또는 Al합금 등과 같은 불투명한 금속으로 형성하고 공통전극(109)을 ITO와 같은 투명한 금속으로 형성하는 것도 가능하다.
도 3은 게이트배선(102)과 데이터배선(101)을 외부구동회로(도면표시하지 않음)와 접속시키는 패드(pad)영역을 나타낸다. 게이트패드(135)는 제1기판(110) 위에 게이트배선(102) 및 게이트전극(105)과 동시에 형성되며, 데이터패드(136)는 게이트절연막(112) 위에 데이터배선(101) 및 소스/드레인전극(106)과 동시에 형성된다. 패드(135, 136)는 그 위의 보호막(120)이 에칭되어 외부구동회로와 접속되도록 외부에 노출되어 있다. 이러한 노출에 의해, 패드(135, 136)가 외부 공기와 접촉하게 되면, 패드(135, 136) 표면에 산화막이 형성되어 외부구동회로와의 접속불량의 원인이 된다. 따라서, 도 3(a) 및 도 3(b)에 나타낸 바와 같이, 공통전극(109)의 형성과 동시에 상기한 패드(135, 136) 위에 ITO로 이루어진 금속층(140)을 형성하면, 패드(135, 136)의 산화를 방지할 수 있게 된다.
보호막 위에 도포된 제1배향막(123a)은 폴리이미드(polyimide)나 광반응성물질로 구성된다. 폴리이미드로 이루어진 배향막(123a)은 기계적인 러빙(rubbing)에 의해 배향방향이 결정되지만, PVCN(polyvinylcinnemate)계 물질이나 폴리실록산계 물질과 같은 광반응성 물질로 이루어진 배향막(123a)은 자외선과 같은 빛의 조사에 의해 배향방향이 결정된다. 상기한 광반응성 물질을 배향막으로 사용할 때, 배향방향은 조사되는 빛의 편광방향 등과 같이 빛의 성질에 따라 달라진다.
제2기판(111)에는 차광층(shielding layer)인 블랙매트릭스(128)가 형성되어 있으며, 그 위에 컬러필터층(129)이 형성되어 있다. 블랙매트릭스(128)는 게이트배선(101), 데이터배선(102) 및 TFT 근처로 빛이 새는 것을 방지하기 위한 것으로, Cr이나 CrOx 등과 같은 금속을 적층하여 형성한다. 각 화소영역의 컬러필터층(129)에는 R, G, B가 연속적으로 형성된다. 또한, 상기한 컬러필터층(129) 위에는 평탄성을 향상시키기 위해 오버코트층(overcoat layer)이 형성될 수도 있다.
오버코트층 위에는 폴리이미드나 광반응성 물질로 이루어진 제2배향막(123b)이 도포된 후, 러빙이나 빛의 조사에 의해 임의의 배향방향이 결정된다. 제1기판(110)과 제2기판(111) 사이에는 진공상태에서 액정이 주입되어 액정층(130)이 형성된다.
상기한 구조의 액정표시장치에서, 도면표시하지 않은 외부구동회로로부터 TFT를 통해 전압이 인가되면, 공통전극(109)과 데이터전극(108) 사이에 기판의 표면과 평행한 횡전계가 형성된다. 이 횡전계에 의해, 제1배향막(123a)과 제2배향막(123b)의 배향방향을 따라 배향된 액정분자가 기판(110)과 수평하게 스위칭되어, 액정층(130)을 투과하는 빛의 양을 제어하게 된다. 전압이 인가되지 않았을 때, 액정은 주로 네마틱액정이고 제1배향막(123a) 제2배향막(123b)의 배향방향은 서로 수직으로 결정되어 액정분자가 액정층(130) 내에서 트위스트모드가 된다. 만약, 액정층(130)의 두께를 양 전극(108, 109)의 간격 보다 작게 하면, 횡전계가 액정층(130) 전체에 걸쳐서 균일하게 인가되기 때문에, 액정분자가 액정층(130) 내에서 평행하게 배열된다. 도면에는 표시하지 않았지만, 제1기판(110) 및 제2기판(111)에 부착되는 편광판을 편광축 방향을 서로 평행하게 배치하면, 전압의 무인가시에는 빛이 액정층을 투과하지 못하고 전압인가시에는 빛이 액정층을 투과하게 되어 흑색바탕모드(normally black mode)가 된다. 또한, 본 실시예에서는 제1배향막(123a)과 제2배향막(123b)에 의해 액정분자가 배향되지만, 제1기판(110)과 제2기판(111) 중 한쪽 기판에만 배향막을 도포한 후, 카이랄도판트(chiral dopant)를 첨가해도 액정분자를 트위스트시킬 수 있으므로 원하는 흑색바탕모드를 얻을 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 실시예의 액정표시장치와 종래의 액정표시장치의 차이는 투명한 금속으로 이루어진 공통전극(109)이 보호막(120) 위에 형성되어 있다는 것이다. 따라서, 종래에 비해 개구율이 대폭 향상된다.
도 4는 본 발명의 제2실시예를 나타내는 도면이다. 본 실시예와 제1실시예의 차이점은 ITO로 이루어진 공통전극(209)이 게이트절연막(212) 위에 데이터전극(208)과 동일한 평면상에 형성된다는 것이다. 이 때에도 공통배선(203)을 제1실시예와 마찬가지로 공통전극(209)과 동일한 물질인 ITO로 동일한 공정에 의해 형성할 수도 있으며, 불투명한 금속으로 다른 공정에 의해 형성할 수도 있다. 특히, Al, Cr, Ti, Al합금과 같은 불투명한 금속을 적층하여 데이터전극(208)의 형성과 동시에 형성할 수도 있다.
전극(208, 209)이 동일한 평면상에 형성된다는 것은, 두 전극 사이로 전압이 인가될 때 기판의 표면과 완전하게 평행한 횡전계의 발생을 의미한다. 따라서, 시야각이 더욱 향상된다. 더욱이, 도면에 나타낸 바와 같이, 화소영역의 보호막(220)을 에칭하면, 상기한 보호막(220)은 박막트랜지스터 영역만을 덮고 있기 때문에 전극(208, 209) 사이의 전계가 상기한 보호막(220)을 거치지 않고 직접 액정층(230)에 인가되어 더욱 강한 전계가 생성된다. 이러한 강한 전계에 의해 액정층(230) 내의 액정분자가 더욱 빠른 속도로 스위칭되기 때문에, 동화상 등의 구현이 용이해진다.
본 발명은 상기한 바와 같이, 공통전극이 투명한 금속으로 형성되기 때문에, 개구율이 대폭 향상된다. 또한, 보호막 위에 공통전극이 형성될 때 패드영역에 금속층이 동시에 형성되기 때문에 패드가 산화되는 것을 방지할 수 있게 된다. 더욱이, 공통전극과 데이터전극이 동일한 평면상에 형성될 때에는 화소영역의 보호막이 에칭되어 더욱 강하고 완전히 기판의 표면과 평행한 전계가 액정층에 인가되기 때문에, 시야각이 더욱 향상될 뿐만 아니라 액정의 스위칭이 더욱 빨라지게 되어 동화상 구현시에 화상이 끊어지는 현상을 방지할 수 있게 된다.

Claims (32)

  1. 제1기판 및 제2기판과;
    상기한 제1기판에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과;
    상기한 게이트배선 및 데이터배선의 교차점에 형성된 박막트랜지스터와;
    상기한 화소영역 내에 형성된 적어도 한쌍의 투명 제1금속층 및 제2금속층과;
    상기한 제1기판 위에 적층된 보호막으로 구성된 횡전계방식 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 박막트랜지스터가,
    상기한 게이트배선에 접속된 게이트전극과;
    상기한 게이트전극 위에 적층된 게이트절연막과;
    상기한 게이트절연막 위에 형성된 반도체층과;
    상기한 반도체층 위에 형성된 오믹콘택층과;
    상기한 오믹콘택층 위에 형성되어 데이터배선과 접속되는 소스/드레인전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  3. 제2항에 있어서, 게이트절연막이 제1기판 전체에 걸쳐서 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기한 화소영역 내에 형성된 공통배선을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기한 제1금속층이 공통전극이고 제2금속층이 데이터전극인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기한 제1금속층이 ITO(indium tin oxide)인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기한 제1금속층 및 제2금속층이 동일한 평면에 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기한 제1금속층 및 제2금속층이 게이트절연막 위에 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기한 공통배선이 게이트절연막 위에 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기한 공통배선이 투명한 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기한 투명한 금속이 ITO(indium tin oxide)인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기한 공통배선이 불투명한 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기한 공통배선이 데이터배선과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  14. 제9항에 있어서, 상기한 보호막이 박막트랜지스터 위에만 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기한 제1금속층 및 제2금속층이 다른 평면상에 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기한 제1금속층이 보호막 위에 형성되며 제2금속층이 게이트절연막 위에 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기한 공통배선이 보호막 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기한 공통배선이 투명한 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기한 투명한 금속이 ITO(indium tin oxide)인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  20. 제17항에 있어서, 상기한 공통배선이 불투명한 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  21. 제17항에 있어서,
    상기한 제1기판 위에 형성된 게이트패드와 데이터패드와;
    상기한 게이트패드 및 데이터패드 위에 형성된 제3금속층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기한 게이트패드 및 데이터패드 위의 보호막이 에칭된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  23. 제21항에 있어서, 상기한 제3금속층이 ITO인 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기한 제3금속층이 제1금속층과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  25. 제1항에 있어서, 상기한 제1기판 전체에 도포된 제1배향막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기한 제1배향막이 폴리이미드 또는 광반응성 물질인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기한 광반응성 물질이 PVCN(polyvinylcinnamate)계 물질 및 폴리실록산계 물질로 이루어진 일군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  28. 제1항에 있어서, 상기한 제2기판 위에 형성되어 박막트랜지스터, 게이트배선 및 데이터배선 근처로 빛이 새는 것을 방지하는 차광층과;
    상기한 제2기판 전체에 적층된 컬러필터층과;
    상기한 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  29. 제28항에 있어서, 상기한 컬러필터층 위에 형성된 오버코트층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  30. 제28항에 있어서, 상기한 제2기판 전체에 걸쳐서 도포된 제2배향막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  31. 제30항에 있어서, 상기한 제2배향막이 폴리이미드 또는 광배향성물질인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기한 광반응성 물질이 PVCN(polyvinylcinnamate)계 물질 및 폴리실록산계 물질로 이루어진 일군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
KR1019970019200A 1997-05-19 1997-05-19 횡전계방식액정표시장치 KR100257370B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970019200A KR100257370B1 (ko) 1997-05-19 1997-05-19 횡전계방식액정표시장치
US09/079,894 US7551256B1 (en) 1997-05-19 1998-05-15 In-plane switching mode liquid crystal display device
US09/645,332 US6529256B1 (en) 1997-05-19 2000-08-25 In-plane switching mode liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970019200A KR100257370B1 (ko) 1997-05-19 1997-05-19 횡전계방식액정표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980083765A true KR19980083765A (ko) 1998-12-05
KR100257370B1 KR100257370B1 (ko) 2000-05-15

Family

ID=19506199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970019200A KR100257370B1 (ko) 1997-05-19 1997-05-19 횡전계방식액정표시장치

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7551256B1 (ko)
KR (1) KR100257370B1 (ko)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6184961B1 (en) 1997-07-07 2001-02-06 Lg Electronics Inc. In-plane switching mode liquid crystal display device having opposite alignment directions for two adjacent domains
KR100282329B1 (ko) * 1997-07-07 2001-02-15 구본준 횡전계방식액정표시장치
US6281957B1 (en) 1997-05-19 2001-08-28 Lg Electronics, Inc. In-plane switching mode liquid crystal display device
US6297866B1 (en) 1997-09-08 2001-10-02 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
US6317183B2 (en) 1996-04-04 2001-11-13 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. IPS-LCD having correlation of electrodes and substrates
US6342937B2 (en) 1996-06-22 2002-01-29 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20020052562A (ko) * 2000-12-26 2002-07-04 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
US6445435B1 (en) 1998-01-23 2002-09-03 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid cystal display device having common electrode on passivation layer
US6509939B1 (en) 1998-07-07 2003-01-21 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Hybrid switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing thereof
US6529256B1 (en) 1997-05-19 2003-03-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
US6697140B2 (en) 1997-07-29 2004-02-24 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device wherein portions of second gate line overlaps with data electrode
US6791653B2 (en) 1999-12-15 2004-09-14 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display
US6900867B2 (en) 1999-12-14 2005-05-31 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of manufacturing a color filter substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device
KR100462381B1 (ko) * 1997-12-29 2005-06-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시소자의 제조 방법
KR100487424B1 (ko) * 1998-07-09 2005-08-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 복합전계방식액정표시소자및그제조방법
US6972818B1 (en) 1997-05-19 2005-12-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
KR100759963B1 (ko) * 2000-04-24 2007-09-18 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US7362399B2 (en) 1997-08-14 2008-04-22 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
KR100841614B1 (ko) * 2001-12-28 2008-06-27 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100910935B1 (ko) * 2000-03-16 2009-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
KR100919195B1 (ko) * 2002-12-31 2009-09-28 엘지디스플레이 주식회사 고개구율 액정표시소자
KR101331902B1 (ko) * 2007-02-26 2013-11-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시 장치의 배향막 형성 방법

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000147511A (ja) * 1998-11-13 2000-05-26 Fujitsu Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP3634249B2 (ja) * 1999-09-24 2005-03-30 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその表示方法
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) * 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4393662B2 (ja) * 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4785229B2 (ja) 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20020017047A (ko) * 2000-08-28 2002-03-07 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
US7071037B2 (en) * 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100475110B1 (ko) * 2001-12-26 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2008164787A (ja) 2006-12-27 2008-07-17 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
JP5246782B2 (ja) 2008-03-06 2013-07-24 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置および電子機器

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4239346A (en) 1979-05-23 1980-12-16 Hughes Aircraft Company Compact liquid crystal display system
JPS60158421A (ja) 1984-01-28 1985-08-19 Seiko Instr & Electronics Ltd マトリクス液晶表示装置
JPS6278532A (ja) 1985-10-02 1987-04-10 Hitachi Ltd 液晶表示素子
US4726659A (en) 1986-02-24 1988-02-23 Rca Corporation Display device having different alignment layers
US5210045A (en) * 1987-10-06 1993-05-11 General Electric Company Dual dielectric field effect transistors for protected gate structures for improved yield and performance in thin film transistor matrix addressed liquid crystal displays
EP0368260B1 (en) 1988-11-10 1995-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device and color filter for use with the liquid crystal display device and method of making the color filter
US5576867A (en) 1990-01-09 1996-11-19 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Liquid crystal switching elements having a parallel electric field and βo which is not 0° or 90°
JPH0467127A (ja) 1990-07-09 1992-03-03 Hitachi Ltd 液晶ディスプレイパネル
US5245450A (en) 1990-07-23 1993-09-14 Hosiden Corporation Liquid crystal display device with control capacitors for gray-scale
DE69130921T2 (de) 1990-11-21 1999-06-24 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd., Tokio/Tokyo Überzugslösung zur bildung eines durchsichtigen, leitfähigen films, verfahren zu deren herstellung, leitfähiges substrat, verfahren zur dessen herstellung, und anzeigevorrichtung mit einem durchsichtigen, leitfähigen substrat
US5307189A (en) 1991-03-05 1994-04-26 Oki Electric Industry Co., Ltd. Active-matrix-addressed liquid crystal with conductor collecting lines of force emanating from data electrode
DE69218092T2 (de) 1991-09-26 1997-07-10 Toshiba Kawasaki Kk Elektrodenstruktur einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
US5576858A (en) 1991-10-14 1996-11-19 Hosiden Corporation Gray scale LCD control capacitors formed between a control capacitor electrode on one side of an insulating layer and two subpixel electrodes on the other side
US5317433A (en) * 1991-12-02 1994-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Image display device with a transistor on one side of insulating layer and liquid crystal on the other side
EP0592063A3 (en) 1992-09-14 1994-07-13 Toshiba Kk Active matrix liquid crystal display device
DE69332575T2 (de) 1992-09-18 2003-11-20 Hitachi, Ltd. Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
JP2940354B2 (ja) 1992-09-18 1999-08-25 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH06160850A (ja) * 1992-11-26 1994-06-07 Sharp Corp 液晶表示装置
JP3296913B2 (ja) 1993-01-20 2002-07-02 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
US5477358A (en) 1993-06-21 1995-12-19 Case Western Reserve University Chiral nematic liquid crystal display with homeotropic alignment and negative dielectric anisotropy
JP2975844B2 (ja) 1993-06-24 1999-11-10 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP2701698B2 (ja) 1993-07-20 1998-01-21 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR970000356B1 (ko) 1993-09-18 1997-01-08 엘지전자 주식회사 액정표시소자(lcd)용 광 폴리머 배향막 형성방법
KR100367869B1 (ko) 1993-09-20 2003-06-09 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 액정표시장치
JP3294689B2 (ja) 1993-11-09 2002-06-24 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2942161B2 (ja) 1993-12-28 1999-08-30 キヤノン株式会社 液晶の配向処理方法、該方法を用いた液晶素子の製造方法、並びに液晶素子
JP3543351B2 (ja) 1994-02-14 2004-07-14 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH10325961A (ja) 1994-03-17 1998-12-08 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
EP0683417A1 (en) 1994-05-17 1995-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and liquid crystal apparatus
JPH0862586A (ja) 1994-08-19 1996-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子
JP3544572B2 (ja) 1995-02-01 2004-07-21 株式会社日立製作所 液晶パネルおよび液晶表示装置
TW354380B (en) 1995-03-17 1999-03-11 Hitachi Ltd A liquid crystal device with a wide visual angle
JPH095763A (ja) 1995-06-14 1997-01-10 Hitachi Ltd カラー液晶表示装置
JP2787661B2 (ja) 1995-07-27 1998-08-20 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH0943590A (ja) 1995-07-27 1997-02-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
TW477905B (en) 1995-06-14 2002-03-01 Hitachi Ltd Liquid crystal display device formed of high resistance black matrix with wide view angle
JPH095764A (ja) * 1995-06-20 1997-01-10 Hitachi Ltd 液晶表示基板
JP3289099B2 (ja) 1995-07-17 2002-06-04 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
JP3464570B2 (ja) 1995-08-21 2003-11-10 株式会社 日立ディスプレイズ カラー液晶表示素子
US5760856A (en) 1995-09-08 1998-06-02 Hitachi, Ltd. In-plane field type liquid crystal display device with light shielding pattern suitable for high aperture ratio
WO1997010530A1 (fr) 1995-09-14 1997-03-20 Hitachi, Ltd. Dispositif d'affichage a cristaux liquides et a matrice active
TW454101B (en) 1995-10-04 2001-09-11 Hitachi Ltd In-plane field type liquid crystal display device comprising liquid crystal molecules with more than two different kinds of reorientation directions and its manufacturing method
JP3632934B2 (ja) 1995-10-04 2005-03-30 株式会社 日立ディスプレイズ アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH09105908A (ja) 1995-10-09 1997-04-22 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3427611B2 (ja) 1996-03-27 2003-07-22 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2758864B2 (ja) 1995-10-12 1998-05-28 株式会社日立製作所 液晶表示装置
TW505801B (en) 1995-10-12 2002-10-11 Hitachi Ltd In-plane field type liquid crystal display device comprising a structure prevented from charging with electricity
JPH09105941A (ja) 1995-10-13 1997-04-22 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示装置
TW329500B (en) 1995-11-14 1998-04-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Electro-optical device
JPH09146108A (ja) * 1995-11-17 1997-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその駆動方法
US5745207A (en) 1995-11-30 1998-04-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Active matrix liquid crystal display having electric fields parallel to substrates
US6014190A (en) * 1995-11-30 2000-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. In-plane switching liquid crystal display and a manufacturing method thereof
KR0169016B1 (ko) 1995-12-29 1999-03-20 구자홍 광을 이용한 트위스트네메틱 액정셀 제조방법
JPH09297310A (ja) 1996-05-01 1997-11-18 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示素子とその製造方法
US6055028A (en) * 1996-02-14 2000-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal electro-optical device
US5852485A (en) 1996-02-27 1998-12-22 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for producing the same
JP3708620B2 (ja) * 1996-03-01 2005-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型液晶電気光学装置
JPH09269507A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Hosiden Corp 液晶表示素子
KR100225910B1 (ko) 1996-04-04 1999-10-15 구자홍 액정표시장치(liquid crystal display device)
JP3396130B2 (ja) 1996-06-03 2003-04-14 シャープ株式会社 液晶表示装置
US5959708A (en) 1996-06-21 1999-09-28 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Liquid crystal display having a conductive high molecular film for preventing the fringe field in the in-plane switching mode
JP2701832B2 (ja) 1996-07-31 1998-01-21 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100250796B1 (ko) 1996-11-29 2000-04-01 김영환 액정 표시 소자 및 그 제조방법
KR100250795B1 (ko) 1996-11-29 2000-04-01 김영환 액정 표시 소자 및 그 제조방법
KR100257370B1 (ko) 1997-05-19 2000-05-15 구본준 횡전계방식액정표시장치
JP4024901B2 (ja) 1997-05-22 2007-12-19 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド アクティブマトリックス型液晶表示装置
KR100293806B1 (ko) 1997-06-25 2001-10-24 박종섭 액정표시소자
KR100248210B1 (ko) 1997-06-30 2000-03-15 김영환 액정 표시 소자
US5907380A (en) 1997-10-30 1999-05-25 International Business Machines Corporation Liquid crystal cell employing thin wall for pre-tilt control
KR19990056726A (ko) 1997-12-29 1999-07-15 김영환 액정표시소자

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042543B2 (en) 1996-04-04 2006-05-09 Lg Philips Lcd Co., Ltd Liquid crystal display
US6903792B2 (en) 1996-04-04 2005-06-07 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display
US6317183B2 (en) 1996-04-04 2001-11-13 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. IPS-LCD having correlation of electrodes and substrates
US6323927B1 (en) 1996-04-04 2001-11-27 Lg Philips Lcd Co., Ltd. IPS—LCD having electrodes′characteristics
US7683999B2 (en) 1996-04-04 2010-03-23 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display
US7369203B2 (en) 1996-04-04 2008-05-06 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display
US6781660B2 (en) 1996-04-04 2004-08-24 Lg Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display
US6630978B2 (en) 1996-06-22 2003-10-07 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7193675B2 (en) 1996-06-22 2007-03-20 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Liquid crystal display device
US6342937B2 (en) 1996-06-22 2002-01-29 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device
US6778245B2 (en) 1996-06-22 2004-08-17 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7551256B1 (en) 1997-05-19 2009-06-23 Lg Display Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
US6529256B1 (en) 1997-05-19 2003-03-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
US6665036B2 (en) 1997-05-19 2003-12-16 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device having particular common electrodes
US6972818B1 (en) 1997-05-19 2005-12-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
US6281957B1 (en) 1997-05-19 2001-08-28 Lg Electronics, Inc. In-plane switching mode liquid crystal display device
US6853429B2 (en) 1997-07-07 2005-02-08 Lg Electronics, Inc. In-plane switching mode liquid crystal display device having multiple domains
KR100282329B1 (ko) * 1997-07-07 2001-02-15 구본준 횡전계방식액정표시장치
US6184961B1 (en) 1997-07-07 2001-02-06 Lg Electronics Inc. In-plane switching mode liquid crystal display device having opposite alignment directions for two adjacent domains
US6466291B2 (en) 1997-07-07 2002-10-15 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device having plurality of pixel regions
US6697140B2 (en) 1997-07-29 2004-02-24 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device wherein portions of second gate line overlaps with data electrode
US7362399B2 (en) 1997-08-14 2008-04-22 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
US6297866B1 (en) 1997-09-08 2001-10-02 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
KR100462381B1 (ko) * 1997-12-29 2005-06-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시소자의 제조 방법
US6445435B1 (en) 1998-01-23 2002-09-03 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid cystal display device having common electrode on passivation layer
US6628362B2 (en) 1998-01-23 2003-09-30 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device having a high aperture ratio
US6509939B1 (en) 1998-07-07 2003-01-21 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Hybrid switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing thereof
US7145627B2 (en) 1998-07-07 2006-12-05 Lg.Philips Lcd. Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing thereof
US6833881B2 (en) 1998-07-07 2004-12-21 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing thereof
KR100487424B1 (ko) * 1998-07-09 2005-08-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 복합전계방식액정표시소자및그제조방법
US6900867B2 (en) 1999-12-14 2005-05-31 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of manufacturing a color filter substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device
KR100504531B1 (ko) * 1999-12-15 2005-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치
US6791653B2 (en) 1999-12-15 2004-09-14 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display
KR100910935B1 (ko) * 2000-03-16 2009-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
US9298056B2 (en) 2000-03-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR100759963B1 (ko) * 2000-04-24 2007-09-18 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR20020052562A (ko) * 2000-12-26 2002-07-04 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100841614B1 (ko) * 2001-12-28 2008-06-27 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100919195B1 (ko) * 2002-12-31 2009-09-28 엘지디스플레이 주식회사 고개구율 액정표시소자
KR101331902B1 (ko) * 2007-02-26 2013-11-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시 장치의 배향막 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7551256B1 (en) 2009-06-23
US6529256B1 (en) 2003-03-04
KR100257370B1 (ko) 2000-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100257370B1 (ko) 횡전계방식액정표시장치
KR100257369B1 (ko) 횡전계방식액정표시장치
KR100313949B1 (ko) 멀티도메인액정표시소자
KR100251512B1 (ko) 횡전계방식 액정표시장치
KR100293436B1 (ko) 횡전계방식액정표시장치
KR20010061491A (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100258063B1 (ko) 횡전계방식액정표시소자및그제조방법
KR100257976B1 (ko) 횡전계방식액정표시장치
US6587173B2 (en) Multidomain liquid crystal display device
KR100269351B1 (ko) 횡전계방식 액정표시장치
KR100244537B1 (ko) 액정표시소자
JP4166849B2 (ja) 液晶表示素子の製造方法
KR100293432B1 (ko) 횡전계방식액정표시장치
KR19990012990A (ko) 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100251655B1 (ko) 횡전계방식 액정표시장치
KR100313950B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100282329B1 (ko) 횡전계방식액정표시장치
KR19990024620A (ko) 복합전계방식 액정표시소자
KR100257862B1 (ko) 횡전계방식액정표시장치
KR20010049146A (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100259257B1 (ko) 횡전계방식 액정표시장치
KR100487424B1 (ko) 복합전계방식액정표시소자및그제조방법
KR100269354B1 (ko) 횡전계방식 액정표시소자
KR100841614B1 (ko) 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100282330B1 (ko) 횡경사전계방식액정표시소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121228

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131227

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150127

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160128

Year of fee payment: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170116

Year of fee payment: 18

EXPY Expiration of term