JP2787661B2

JP2787661B2 - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2787661B2
Application number: JP19199495A
Authority: JP
Inventors: 宏明阿須間; 茂松山; 介和荒谷
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-07-27
Filing date: 1995-07-27
Publication date: 1998-08-20
Anticipated expiration: 2015-07-27
Also published as: JPH0943589A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表示むらのない画素構
造を備えた高画質の薄膜トランジスタ型液晶表示装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】パソコンやワープロ、その他の情報機器
のための表示デバイスとして、近年、液晶表示装置を用
いた薄型，軽量かつ低消費電力の表示装置が多用される
ようになった。

【０００３】液晶表示装置は、基本的には水平と垂直に
配列された多数の電極で形成されるマトリクスと上記水
平と垂直の電極の間に液晶組成物質からなる液晶層（以
下、単に液晶とも言う）を有し、２つの電極の交差部分
で画素を構成して２次元画像を表示するものである。

【０００４】この種の液晶表示装置には、水平と垂直の
電極に印加するパルスのタイミングで所定の画素を選択
する所謂単純マトリクス方式と、各画像にトランジスタ
等の非線型素子を配置して所定の非線型素子を選択する
所謂アクティブ・マトリクス方式とがある。

【０００５】アクティブ・マトリクス方式の液晶表示装
置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極のそれ
ぞれに対応して非線形素子（スイッチング素子）を設け
たものである。各画素における液晶は理論的には常時駆
動（デューティ比 1．０）されているので、時分割駆動
方式を採用している、いわゆる単純マトリクス方式と比
べてアクティブ方式はコントラストが良く、特にカラー
液晶表示装置では欠かせない技術となりつつある。スイ
ッチング素子として代表的なものとしては薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）がある。

【０００６】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示素子で
は、液晶層を駆動する電極として２枚の基板の界面上に
相対向させて形成した透明電極を用いている。

【０００７】このような電極構造とすることで、液晶に
印加する電界の方向は基板の界面にほぼ垂直な方向とな
る所謂ツイステッドネマチック表示方式に代表される表
示方式を採用している。

【０００８】一方、液晶に印加する電界の方向を基板の
界面にほぼ平行な方向とする表示方式として、液晶層を
駆動する電極を基板面と平行な櫛歯電極対を用いる方式
（所謂、横電界方式）が、例えば特公昭６３−２１９０
７号公報、特開平７−３６０５８号公報により提案され
ている。なお、櫛歯電極の設定方法および製造方法に関
しては、特願平７−１０５８６２号として本出願人によ
り出願済みである。

【０００９】図９は横電界方式の液晶表示装置を構成す
る１画素の構成と点灯動作を説明する模式断面図であっ
て、１はＴＦＴ基板、１’はカラーフィルタ基板、２は
共通電極、６は絶縁膜、１１は画素電極、１２は保護
膜、１７はブラックマスク、１８はカラーフィルタであ
る。

【００１０】同図において、ＴＦＴ基板１とカラーフィ
ルタ基板１’の間には液晶層が挟持されており、さらに
保護膜１２およびカラーフィルタ１８の上面には液晶層
を構成する液晶分子の配向方向を規定するための配向制
御膜、ＴＦＴ基板１とカラーフィルタ基板１’の外面側
には偏光板が設置されるが図示を省略してある。

【００１１】このような構成の横電界方式液晶表示装置
では、画素電極２と共通電極１１は共に一方の基板（Ｔ
ＦＴ基板１）に形成されており、他方の基板（カラーフ
ィルタ基板１’）にはブラックマスク１７で区画された
１画素の色を構成するカラーフィルタ１８が形成されて
いる。

【００１２】カラーフィルタを区画するブラックマスク
１７は外光の反射防止と、隣接画素からの光を吸収して
コントラストを上げる機能を有し、その材料としては顔
料に黒鉛を分散したスラリ（レジスト）を用いて形成す
るのが一般的である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】カラーフィルタ基板側
に共通電極を形成した従来の縦電界方式の液晶表示装置
では、カラーフィルタ基板を構成するブラックマスクに
要求される性能は高い光吸収性、と低い光反射性であ
り、その抵抗値については何ら考慮されていなかった。
上記した材料を用いたブラックマスクでは、特に光吸収
性を向上させようとすると黒鉛の添加量を多くすること
が行われていた。したがって、その抵抗値は黒鉛の添加
量の増大に応じて低下する。

【００１４】しかし、横電界方式の液晶表示装置におい
て、そのブラックマスクの抵抗値が低いと、図９に示し
たように、画素を点灯するために画素電極２と共通電極
１１との間に電圧を印加すると、画素電極２からの電気
力線は図示したように抵抗値の低いブラックマスク１７
に引き寄せられて基板界面に対して傾斜した乱れた電界
パターンになる。この結果、画素電極２と共通電極１２
の位置に所謂ドメインが発生して光の透過率が著しく低
下する。そのため、コントラストが低下してしまい、色
むらが発生して良好な画質表示を得ることができない。
あるいは、電気力線の水平成分が弱められてしまい、所
望の透過率を得ることができない。

【００１５】ブラックマスクを構成する材料として、光
吸収性の観点から現在では黒鉛を用いるのが最も望まし
いが、その混合量を増加すると電気的抵抗値が低下し、
上記したような問題が発生するため、その混合比率の選
定は極めて困難である。

【００１６】図１０は１画素に２本の櫛形の共通電極を
配置した横電界方式の液晶表示装置の１画素分の模式図
であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線
で切断した断面図である。なお、ブラックマスク１７で
囲まれた部分にはカラーフィルタが、また、その上層、
および共通電極２と画素電極１１の上層にも各種の成膜
がなされるが、ここでは省略してある。

【００１７】同図においては、ブラックマスクで囲まれ
た開口領域で１画素が形成され、当該領域に２本の櫛形
の共通電極２が配置されて、ＴＦＴ基板１とカラーフィ
ルタ基板１’の間に液晶層が挟持されている。なお、ブ
ラックマスクの比抵抗値は１０⁴Ω・ｃｍ以下である。

【００１８】点灯時に印加される信号電圧により、共通
電極２から、それぞれの隣接する画素電極１１との間に
電界が形成される。この電界は、印加される信号電圧の
大きさに応じて液晶層の液晶分子に強く作用し、その分
子配向方向が回転してＴＦＴ基板１からカラーフィルタ
基板１’に通過する光の透過率が大きくなる。

【００１９】図１１は図１０に示した２本の櫛形の共通
電極の間の透過率と各櫛形の共通電極と隣接する画素電
極との間の透過率の違いの説明図であって、スポットａ
は２本の櫛形の共通電極の間の透過率を、スポットｂは
各櫛形の共通電極と隣接する画素電極との間の透過率の
変化を示す。

【００２０】同図に示されたように、画素電極１１に印
加される信号電圧（Ｖ）が増加するに従い透過率が大き
くなって行くが、前記図１０に示したように、スポット
ｂはブラックマスク１７に近い位置にあるために、電界
のパターンが基板の平面に対して大きな角度で形成され
るために、電圧の増加に対する透過率の変化はスポット
ａに比較して立ち上がりが遅くなる。なお、図１１では
同一の透過率を得るためにはスポットｂではスポットａ
に対して約１Ｖの電圧増加が必要となる。

【００２１】そのため、同一の印加電圧では１画素内で
の中央部分と周辺部分とで透過率が異なって色むらが発
生する。

【００２２】本発明の目的は、所謂横電界方式の液晶表
示装置における上記した電界パターンの乱れを解消し、
色むらのない高画質の表示を可能とした薄膜トランジス
タ型液晶表示装置を提供することにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、少なくとも一方が透明な一対の基板、前
記一対の基板の一方に形成されたカラー表示のための色
の異なる少なくとも２種以上のカラーフィルタと各カラ
ーフィルタ間に介在させたブラックマスクと、前記一対
の基板のうち他方の基板上に形成された電極群と、前記
一対の基板間に挟持された誘電異方性を有する液晶組成
物質からなる液晶層および前記液晶組成物の分子配列を
所定の方向に配向させるための配向制御膜と、前記一対
の基板の少なくも一方に積層された偏光手段、および前
記電極群に駆動電圧を印加するための駆動手段とを具備
する薄膜トランジスタ型液晶表示装置において、前記電
極群が前記配向制御膜と前記液晶層の界面に対して、主
として平行な電界を形成するごとく配置された電極配列
構造を有し、前記液晶層の比抵抗値が１０ ⁹ Ω・ｃｍ以
上、かつ前記ブラックマスクの比抵抗値が３×１０ ⁶ Ω
・ｃｍ以上で、前記液晶層の透過率変化が許容される駆
動電圧の変化分が０．１Ｖ以下であることを特徴とす
る。

【００２４】なお、本発明はＴＦＴ型に限るものではな
く、他のアクティブ・マトリクス型、あるいは所謂単純
マトリクス型を含めた他の形式の液晶表示装置にも適用
可能である。

【００２５】

【作用】上記本発明の構成において、少なくとも一方が
透明な一対の基板の一方に形成されたカラー表示のため
の色の異なる少なくとも２種以上のカラーフィルタ間に
介在させたブラックマスクは、隣接する画素の点灯光の
侵入を遮断して表示光のコントラストを向上させる。

【００２６】前記一対の基板のうち他方の基板上に形成
された電極群は少なくとも共通電極と画素電極から構成
され、点灯時には両電極間に電界パターンを形成して液
晶層を構成する液晶組成物質の分子配列方向を回転させ
て光の透過率を変化させる。配向制御膜は、電界の印加
がないときの前記液晶組成物質の分子配列を所定の方向
に配向させる作用を有する。また、偏光手段は前記一対
の基板の少なくとも一方に積層されて液晶層を通過した
特定の方向に偏光された光を通過させる。

【００２７】駆動手段は前記電極群に駆動電圧を印加し
て所定の画素を点灯し、カラー表示を行わせる。

【００２８】前記電極群の電極構造は、前記配向制御膜
と前記液晶層の界面に対して、主として平行な電界を形
成するごとく配置され、前記電極群を構成する共通電極
と画素電極との間に上記電界が形成されたとき、前記液
晶分子を前記界面に平行な面内で回転させる。

【００２９】そして、前記液晶組成物質の比抵抗値を１
０ ⁹ Ω・ｃｍ以上、かつ前記ブラックマスクの比抵抗値
が３×１０ ⁶ Ω・ｃｍ以上としたことで前記した平行な
電界が形成される。

【００３０】これにより、液晶分子は前記界面に平行な
面内で回転し、所謂ドメインは発生しない。

【００３１】

【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て詳細に説明する。

【００３２】図１は本発明を適用する液晶表示装置の動
作を説明する１画素分の模式図であって、同図（ａ）は
電圧無印加時の断面図、同図（ｂ）は電圧印加時の断面
図、同図（ｃ）は電圧無印加時の平面図、同図（ｄ）は
電圧印加時の平面図である。ここで言う電圧とは共通電
極と画素電極との間に印加される選択電圧である。

【００３３】同図において、１，１’は透明ガラス基板
（以下、単に基板とも言う）、２は共通電極、６は絶縁
膜、１０は信号配線、１１は画素電極、１２は保護膜、
１３，１３’は偏光板、１４，１４’は偏光板の偏光
軸、１５は液晶分子の配向方向、１６は電界方向、１７
はブラックマスク（ＢＭ）、１８はカラーフィルタ、１
９は保護膜（平坦化膜）、２０，２０’は配向制御膜、
２１は液晶（棒状液晶分子）である。

【００３４】この液晶表示装置は、２枚の透明ガラス基
板１，１’の一方の基板（カラーフィルタ基板）１’に
偏光板１３’、遮光用のＢＭ１７、カラーフィルタ１
８、保護膜１９、および配向制御膜２０’を形成してな
る。また、液晶（液晶組成物質）２１を介した他方の基
板（ＴＦＴ基板）１には偏光板１３、配向制御膜２０、
信号電極１０、画素電極１１、共通電極２、各配線およ
び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成してなる。なお、
同図には各配線および薄膜トランジスタは図示を省略し
た。

【００３５】同図（ａ）（ｃ）に示したように、液晶２
１は配向制御膜２０，２０’により予め電界方向１６
（同図（ｂ）（ｄ）参照）と基板１，１’の界面とほぼ
平行な配向方向１５に配向されており、この状態では液
晶２１の分子配向方向は偏光板１３の偏光軸１４とほぼ
一致した関係にあり、上側の偏光板１３’の偏光軸１
４’が直交しており、画素は非表示（非点灯）の状態に
ある。

【００３６】次に、同図（ｂ）（ｄ）に示したように、
基板１に形成した共通電極２と画素電極１１間に電圧を
印加することで基板１，１’の界面とほぼ平行方向に電
界（電界方向１６）を形成すると、液晶２１の分子は基
板１，１’の界面と平行な面内で偏向されて回転する。
これにより、画素は表示（点灯）の状態になる。この画
素を多数配列して表示装置が構成される。

【００３７】図２は本発明による液晶表示装置の１実施
例を構成するＴＦＴ基板の構造例の説明図であって、
（ａ）は平面図を、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿っ
た断面図を、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面
図を示す。

【００３８】同図において、前記図１と同一符号は同一
部分に対応し、３は共通配線、４は走査電極、５は走査
配線、６は絶縁膜、７は半導体層、８は薄膜トランジス
タ部（ＴＦＴ部）、１０は信号配線、１１は画素電極、
１２は保護膜である。

【００３９】走査電極４、走査配線５、共通電極２およ
び共通配線３は同層かつ同材料で形成されている。これ
らの各層と絶縁膜６を介して半導体層７を、また上記各
電極と配線と同層かつ同材料で信号配線１０および画素
電極１１を形成している。

【００４０】また、画素電極１１の一部が共通配線３と
基板面に垂直な方向で絶縁膜６を介してオーバーラップ
させて配置し、電気的容量を持たせて画素電極１１と共
通電極２の間に与えられた信号電圧を保持する信号保持
能力を向上させている。

【００４１】図３は本発明による液晶表示装置の１実施
例を構成するカラーフィルタ基板の構造例の説明図であ
って、図１と同一符号は同一部分に対応する。

【００４２】同図に示したように、このカラーフィルタ
基板は透明基板１’の一面側にＢＭ１７で区画した複数
のカラーフィルタ（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が形成され、その上に
保護膜（平滑層）１９と配向制御膜２０’とが形成され
ている。また、透明基板１’の他面側には偏光板１３’
が積層されている。

【００４３】複数のカラーフィルタＲ，Ｇ，Ｂを区画す
るＢＭ１７の比抵抗値は、液晶層の比抵抗を１０ ⁹ Ω・
ｃｍ以上とした場合に、３×１０ ⁶ Ω・ｃｍ以上として
いる。

【００４４】液晶層とＢＭの比抵抗値を上記のような関
係としたことで、共通電極と画素電極との間に印加され
る選択電圧によって形成される電界パターンは液晶層と
配向制御膜との界面に略々平行となり、ドメインの発生
が著しく低減され、高コントラストの表示が得られる。

【００４５】すなわち、図４は本発明による液晶表示装
置の１実施例を構成する１画素分の断面における電界パ
ターンの模式図であって、共通電極２と画素電極１１と
の間に形成される電気力線はＢＭ１７に影響されること
がなく、その電界パターンは液晶層と配向制御膜との界
面に略々平行となり、画素電極１１の位置および共通電
極２の位置での各ドメインの発生が著しく低減され、１
画素の開口領域での透過率が向上し、高コントラストの
表示が得られる。

【００４６】ブラックマスクの材料は、有機顔料にカー
ボンを混合したものを用いて、当該カーボンの混合量を
調整することにより、上記した所要の比抵抗値の範囲と
なるようにする。

【００４７】図５は上記本発明の各実施例における液晶
層とＢＭの比抵抗値を変えた場合のＢＭの比抵抗値に対
する駆動電圧の関係の説明図である。

【００４８】同図において、駆動電圧の変化に対する透
過率変化を許容する当該駆動電圧の上昇分は０．１Ｖ以
下となり、液晶の比抵抗値が１０⁹Ω・ｃｍではＢＭの
比抵抗値は３×１０⁶Ω・ｃｍとなり、液晶の比抵抗値
が１０¹³Ω・ｃｍではＢＭの比抵抗値は５×１０⁷Ω・
ｃｍとなる。

【００４９】なお、ブラックマスクの材料としては、上
記したように有機顔料にカーボンを混合したものを用
い、そのカーボン混合率を調整して前記した比抵抗値の
範囲となるようにすることができるが、本発明はこれに
限るものではなく、他の吸光材料を用いて所要の比抵抗
値とすることも可能である。

【００５０】次に、本発明のより具体的な構成例につい
て説明する。

【００５１】図６は本発明による液晶表示装置の表示マ
トリクス部の等価回路とその周辺回路の結線図である。

【００５２】同図において、ＡＲは複数の画素を２次元
的に配列したマトリクスアレイ、Ｘは映像信号線ＤＬを
示し、添字Ｇ，Ｂ，Ｒはそれぞれ緑，青，赤の各画素に
対応する。

【００５３】また、ＤＴＭはドレイン端子、ＧＴＭはゲ
ート端子、Ｙは走査信号線ＧＬを意味し、添字１，２，
３，・・・，ｅｎｄは走査タイミングの順に従う。な
お、この走査信号線Ｙ（添字省略）は垂直走査回路Ｖに
接続されている。

【００５４】映像信号線Ｘ（添字省略）は表示パネルの
長辺の一方に配置される映像信号駆動回路Ｈに接続さ
れ、走査信号線Ｙと同様に液晶表示パネルの片側のみに
端子が引き出されている。

【００５５】ＳＵＰは１つの電圧源から分圧した安定化
された電圧源を得るための電源回路やホスト（上位演算
処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報をＴＦＴ
液晶表示装置用の情報に変換する回路も含む。

【００５６】図７は本発明による液晶表示装置の１構成
例を説明する分解斜視図であって、液晶表示装置（以
下、液晶表示パネル，回路基板，バックライト、その他
の構成部材を一体化したモジュール：ＭＤＬと称する）
の具体的構造を説明するものである。

【００５７】同図において、ＳＨＤは金属板からなるシ
ールドケース（メタルフレームとも言う）、ＷＤは表示
窓、ＩＮＳ１〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は回路基
板（ＰＣＢ１はドレイン側回路基板：映像信号線駆動用
回路基板、ＰＣＢ２はゲート側回路基板、ＰＣＢ３はイ
ンターフェース回路基板）、ＪＮ１〜３は回路基板ＰＣ
Ｂ１〜３同士を電気的に接続するジョイナ、ＴＣＰ１，
ＴＣＰ２はテープキャリアパッケージ、ＰＮＬは液晶表
示パネル、ＧＣはゴムクッション、ＩＬＳは遮光スペー
サ、ＰＲＳはプリズムシート、ＳＰＳは拡散シート、Ｇ
ＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＭＣＡは一体化成
形により形成された下側ケース（モールドフレーム）、
ＭＯはＭＣＡの開口、ＬＰは蛍光管、ＬＰＣはランプケ
ーブル、ＧＢは蛍光管ＬＰを支持するゴムブッシュ、Ｂ
ＡＴは両面粘着テープ、ＢＬは蛍光管や導光板等からな
るバックライトを示し、図示の配置関係で拡散板部材を
積み重ねて液晶表示モジュールＭＤＬが組立てられる。

【００５８】液晶表示モジュールＭＤＬは、下側ケース
ＭＣＡとシールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材
を有し、絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜
３、液晶表示パネルＰＮＬを収納固定した金属製のシー
ルドケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ、導光板ＧＬＢ、プリ
ズムシートＰＲＳ等からなるバックライトＢＬを収納し
た下側ケースＭＣＡとを合体させてなる。

【００５９】映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１には液
晶表示パネルＰＮＬの各画素を駆動するための集積回路
チップが搭載され、またインターフェース回路基板ＰＣ
Ｂ３には外部ホストからの映像信号の受入れ、タイミン
グ信号等の制御信号を受け入れる集積回路チップ、およ
びタイミングを加工してクロック信号を生成するタイミ
ングコンバータＴＣＯＮ等が搭載される。

【００６０】上記タイミングコンバータで生成されたク
ロック信号はインターフェース回路基板ＰＣＢ３および
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１に敷設されたクロッ
ク信号ラインＣＬＬを介して映像信号線駆動用回路基板
ＰＣＢ１に搭載された集積回路チップに供給される。

【００６１】インターフェース回路基板ＰＣＢ３および
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１は多層配線基板であ
り、上記クロック信号ラインＣＬＬはインターフェース
回路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣ
Ｂ１の内層配線として形成される。

【００６２】なお、液晶表示パネルＰＮＬにはＴＦＴを
駆動するためのドレイン側回路基板ＰＣＢ１、ゲート側
回路基板ＰＣＢ２およびインターフェース回路基板ＰＣ
Ｂ３がテープキャリアパッケージＴＣＰ１，ＴＣＰ２は
で接続され、各回路基板間はジョイナＪＮ１，２，３で
接続されている。

【００６３】液晶表示パネルＰＮＬは前記した本発明に
よる横電界方式の液晶表示装置であり、そのカラーフィ
ルタ基板に形成したＢＭの比抵抗を高くして画素電極と
共通電極の間に形成される電界パターンが液晶層の界面
に略々平行に形成される。

【００６４】図８は本発明による液晶表示装置を実装し
た情報処理装置の一例を説明するパソコンの外観図であ
って、前記各図と同一符号は同一部分に対応し、ＩＶは
蛍光管駆動用のインバータ電源、ＣＰＵはホスト側中央
演算装置である。

【００６５】同図に示されたように、本発明による液晶
表示装置を実装したパソコンは、映像信号線駆動用回路
基板（水平駆動用回路基板：ドレイン側回路基板）ＰＣ
Ｂ１を画面の上部にのみ配置したことで、当該表示部の
下側（キーボード側）のスペースに余裕ができ、キーボ
ード部と表示部を結合するヒンジの設置スペース（ヒン
ジスペース）が少なくて済む。したがって、表示部の外
形サイズを低減でき、パソコン全体のサイズを小さくす
ることが可能となる。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
所謂横電界方式の薄膜トランジスタ型液晶表示装置にお
ける選択電圧で生じる電界がブラックマスクに侵入しな
いため、上記した電界パターンの乱れによるドメインの
発生を解消し、色むらのない高画質のカラー液晶表示装
置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用する液晶表示装置の動作を説明す
る１画素分の模式図である。

【図２】本発明による液晶表示装置の１実施例を構成す
るＴＦＴ基板の構造例の説明図である。

【図３】本発明による液晶表示装置の１実施例を構成す
るカラーフィルタ基板の構造例の説明図である。

【図４】本発明による液晶表示装置の１実施例を構成す
る１画素分の断面における電界パターンの模式図であ
る。

【図５】本発明の各実施例における液晶層とＢＭの比抵
抗値を変えた場合のＢＭの比抵抗値に対する駆動電圧の
関係の説明図である。

【図６】本発明による液晶表示装置の表示マトリクス部
の等価回路とその周辺回路の結線図である。

【図７】本発明による液晶表示装置の１構成例を説明す
る分解斜視図である。

【図８】本発明による液晶表示装置を実装した情報処理
装置の一例を説明するパソコンの外観図である。

【図９】横電界方式の液晶表示装置を構成する１画素の
構成と点灯動作を説明する模式断面図である。

【図１０】１画素に２本の櫛形の共通電極を配置した横
電界方式の液晶表示装置の１画素分の模式図である。

【図１１】図１０に示した２本の櫛形の共通電極の間の
透過率と各櫛形の共通電極と隣接する画素電極との間の
透過率の違いの説明図である。

【符号の説明】

１，１’ 透明ガラス基板（基板）２共通電極６絶縁膜１０信号配線１１画素電極１２保護膜１３，１３’ 偏光板１４，１４’ 偏光板の偏光軸１５液晶分子の配向方向１６電界方向１７ブラックマスク（ＢＭ）１８カラーフィルタ１９保護膜（平坦化膜）２０，２０’ 配向制御膜２１液晶層。

フロントページの続き (56)参考文献特開平６−160878（ＪＰ，Ａ) 特開平６−148596（ＪＰ，Ａ) 特開平７−128516（ＪＰ，Ａ) 特開平５−216061（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−179156（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/136 500 G02F 1/1343 G02F 1/1335 500

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方が透明な一対の基板、前
記一対の基板の一方に形成されたカラー表示のための色
の異なる少なくとも２種以上のカラーフィルタと各カラ
ーフィルタ間に介在させたブラックマスクと、前記一対
の基板のうち他方の基板上に形成された電極群と、前記
一対の基板間に挟持された誘電異方性を有する液晶組成
物質からなる液晶層および前記液晶組成物の分子配列を
所定の方向に配向させるための配向制御膜と、前記一対
の基板の少なくも一方に積層された偏光手段、および前
記電極群に駆動電圧を印加するための駆動手段とを具備
する薄膜トランジスタ型液晶表示装置において、前記電極群が前記配向制御膜と前記液晶層の界面に対し
て、主として平行な電界を形成するごとく配置された電
極配列構造を有し、前記液晶層の比抵抗値が１０ ⁹ Ω・ｃｍ以上、かつ前記
ブラックマスクの比抵抗値が３×１０ ⁶ Ω・ｃｍ以上
で、前記液晶層の透過率変化が許容される駆動電圧の変
化分が０．１Ｖ以下であることを特徴とする薄膜トラン
ジスタ型液晶表示装置。