JPH0467127A

JPH0467127A - 液晶ディスプレイパネル

Info

Publication number: JPH0467127A
Application number: JP2179672A
Authority: JP
Inventors: Toshihisa Tsukada; 俊久塚田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-07-09
Filing date: 1990-07-09
Publication date: 1992-03-03
Also published as: KR920003086A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は液晶ＴＶ、ＯＡ、情報端末用デイスプレィ装置
等に適用される液晶デイスプレイノくネルの構成に関す
る。

〔従来の技術〕

従来の液晶ディスプレイパネルは日経ＢＰ社、電子グル
ープ編「フラットパネル・デイスプレィＪ日経ＢＰ社　
１９８９．１１．Ｉ　　Ｐ、１１４　　図２に示される
ように、二枚のガラス基板の間に液晶を封入する構成が
基本である。上記の図は薄膜トランジスタ（Ｔ　Ｐ　Ｔ
）をスイッチ素子として用いるアクティブマトリクス型
液晶ディスプレイパネルを示したものである。

ディスプレイパネルの動作を上記公知側図面と同様な第
２図を用いて説明する。図は液晶を封入する二枚のガラ
ス基板のうちＴＰＴ基板１の回路図を示したものである
。もう１枚のガラス基板は全面に透明共通電極を形成し
、カラー用パネルの場合は色フィルタが付く。ＴＰＴ基
板にはゲートパスライン２とデータバスライン３が互い
に絶縁されて形成される。これらのパスラインの交点に
ＴＰＴ４と画素電極を形成する。画素電極ともう一枚の
基板の共通電極との間の液晶５に信号電圧すなわち映像
信号に対応する電圧が印加され液晶の透過率が制御変調
される。

信号電圧は一走査ライン毎に印加される。垂直シフトレ
ジスタ６から順次走査パルスがゲートパスラインに送ら
れ、水平シフトレジスタ７からの信号がこのゲートパス
ライン上のＴＰＴを介して液晶に印加される。液晶には
通常並列容量８が接続される。これは液晶に印加した電
圧を走査期間中保持するためのもので蓄積容量と呼ぶ。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は各画素毎に蓄積容量を付けることにより
、各画素に印加する電圧の実効的放電時定数の増大をは
かっている。これにより液晶の不安定性に起因する輝度
分布の不均一性を目立たなくさせることができる。

本発明の目的は液晶の不安定性要因を取り除き、経時変
化が起きないようにすることにある。

本発明の別の目的はノーマリホワイトＴＮ液晶を用いた
場合のブラックマトリクスを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するためにディスプレイパネルの表示領
域内に、特定の領域を設定しこの領域の液晶に高い電圧
振幅を有する交流電圧に印加するようにしたものである
。

上記課題はアクティブマトリクス方式液晶ディスプレイ
パネルすなわち薄膜トランジスタ等を用いた液晶パネル
においてとくに顕著に現れるため、アクティブマトリク
ス方式の場合とくに有効である。アクティブマトリクス
の配線工程に合わせであるいはこれとは別個に特定領域
を設定するための電極を形成する。この電極はゲート配
線、信号線配線２画素電極等の作製過程を利用して形成
することも可能であり、また別個に堆積する導電体ない
し金属により形成することも可能である。また、通常Ｔ
ＰＴ基板あるいは画素電極を形成する基板側に特定領域
を設定するための電極を形成するが、もう−枚の共通電
極基板側に特定領域設定のための電極を形成する場合も
ある。また、両方のガラス基板を利用する場合もある。

このように設定する電極はゲート配線、信号線配線ある
いは画素電極、蓄積容量等への影響を極小化した構成で
設定される。

このように設定した特定領域は上記特定領域を設定する
電極に電圧を印加し、この領域の液晶に一定値以上の交
流電圧を印加するものである。

〔作用〕

特定領域を構成するための電極は液晶に交流電圧を印加
するために利用される。第３図はＴＮ液晶デイスプレィ
の画素電極部と特定領域部の違いを示したものである。

画素電極９および特定領域電極１０と共通電極１１との
間には信号電圧および特定領域用電圧がそれぞれに印加
される。第３図は画素電極に信号電圧が印加されていな
い場合を示している。すなわち液晶分子１３はガラス基
板に対し水平方向に配向している。特定領域用電極には
パネル動作時常時電圧が印加されており液晶分子はガラ
ス基板に対して垂直方向に配向している。このため液晶
分子は特定領域内において面内の動きを妨げられ液晶の
不安定性を生じない。

また、ノーマリホワイト型ＴＮ液晶パネルにおいては特
定領域は電圧が印加されているため常時光を透過しない
。′したがってこの領域はブラックマトリクスの作用を
もち、画素電極の周囲に特定領域を設定すればブラック
マトリクスあるいはブラックストライプを構成すること
ができ、パネルのコントラストの改善作用を持つことに
なる。第１７図はこの様子を示したもので特定領域部で
は電圧が印加されているためここを通過する光の偏波面
は回転せず光は偏光板４２により遮断される。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により説明する。

第１図は本発明の一実施例であるＴＰＴ液晶デイプスレ
イのＴＰＴ基板の平面図を示したものである。第１図の
ａａ’部の断面図は第４図に示しである。まず、これら
の図を用いて作成プロセスを簡単に説明する。ガラス基
板１上にゲートパスライン２およびＴＦＴのゲート１４
をＣｒにより形成するｍ　Ｃｒゲート電極１４はスパッ
タ蒸着により厚さ１１００ｎで形成し通常のホトリソグ
ラフィ法により所望の形状にパターニングする。

ついでプラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜ＳｉＮ層１
５．アンドープアモルファスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈこ
こではａ−８ｉと略す）層１６゜オーミックコンタクト
用ｎ”ａ−８ｉ１７　　を順次堆積する。厚さはそれぞ
れ３５０ｎｍ　（ＳｉＮ）、１５０ｎｍ　（ａ−８ｉ）
、６０ｎｍ（ｎ”ａ−８ｉ）である。

ａ−８ｉ層はＴＰＴ領域形成のため島状にエツチングし
、次に画素電極９を透明電極ＩＴＯで形成する。ＩＴＯ
電極の膜厚は１２０ｎｍである。

ついでＴＰＴのソース、ドレイン電極を形成する。

信号パスラインに接続されるＴＰＴ電極（ドレインとす
る）１８９画素電極に接続されるＴＰＴ電極（ソースと
する）１９をパターニングし、これをマスクにしてａ　
−Ｓ　ｉのｎ十層をエツチングすることによりＴＰＴが
完成する。ソース、ドレイン電極はＣｒ　／　Ａ　Ｑの
二重層を用い、厚さはそれぞれ１００　／　５００　ｎ
　ｍである。この上にもう一度保護膜２０としてＳｉＮ
をプラズマＣＶＤで８００ｎｍ厚に堆積後、特定領域電
極１０を形成するためＩＴＯ電極を４００ｎｍ厚でスパ
ッタ蒸着し、パターニングする。パターニングは第１図
の一点鎖線で示したように行った。この−点鎖線で示し
たＩＴＯ部は本発明のかなめとなる部分であり、第３図
の特定領域電極にあたるｓａａ’で示したところはＴＦ
Ｔ部を示したもので、この上部のＩＴＯは特定領域電極
１０の一部で後述するようにノーマリホワイト液晶の場
合遮光を兼ねる。

第１図に示すようにＴＰＴ領域以外にも特定領域が形成
される。本実施例では画素電極の周囲を完全にＩＴＯ電
極がとりかこむような形状となっている。このとき留意
すべき点は本特定領域電極と他電極との相互作用をでき
るだけ少なくすることである。すなわち容量カップリン
グをなるべく小さくするため電極間のオーバラップを少
なくしている。

ＴＰＴ基板とは別にカラーフィルタと共通電極１１（Ｉ
ＴＯ）を形成したカラーフィルタ基板を用意し、これら
の基板の間に液晶を封入する。封入する液晶はＴＮ液晶
で基板間ギャップすなわち液晶の厚さは５μｍである。

第１図の一点鎖線部で示した特定領域への電気的接続を
ガラス基板の端部にて行い、パネルへの駆動回路の接続
等の実装を行ってパネル製作を完成した。

パネル動作は通常の液晶パネルと同様に行う。

すなわち１つのゲートパスラインに走査用ゲートパルス
を印加して、上記ゲートパスライン上のＴＰＴを開く、
信号線パスラインを介して線順次方式で上記パスライン
上の画素電極に信号電圧を印加する。この操作を順次繰
り返すことによりパネル上の全画素に映像信号を印加す
る。

上記映像信号とは別個に特定領域には一定の交流電圧を
印加する。ここでは映像の信号電圧の最大振幅に合わせ
、交流電圧振幅を６．３■とし４０Ｈｚの交流電圧を印
加した。本実施例では、ノーマリホワイト液晶構成を用
いているので特定領域は光を透過しない領域となり、ブ
ラックマトリクス化がはかれる。また、ＴＦＴ部の遮光
も十分行われる。

このような特定領域をメツシュ状に設置し、ここに電圧
を印加することにより画素と画素の間の液晶分子の移動
を抑制することができる。これにより液晶の不安定性要
因を除去し、経時変化に伴う液晶の不安定性を抑えるこ
とが可能となる。

第５図は本発明の別の実施例を示したものである。本実
施例は基本的には第３図と同じ構成を有しているが本実
施例では特定領域用電極１０作成にＣｒを用いた。すな
わちＴＰＴを作成し保護膜を堆積した後Ｃｒをスパッタ
蒸着してパターン化した。また、特定領域の設定が前実
施例とは異なっており、ＴＦＴ部に特定領域電極を重畳
させていない点等が違っている。但し、特定領域は画素
ピッチでメツシュ状に配置されているので、液晶パネル
作成後この領域に交流電圧を６０　Ｈｚで振幅５．ＯＶ
で印加することにより液晶分子の画素間移動をなくし経
時変化を抑えることができた。

前記二つの実施例はＴＰＴの構成が似たものについて述
べたが、ＴＰＴの構成はこれに限るものでないことは無
論である。第６図に示した実施例はその例を示したもの
であるａＴＦＴは画素電極の下部に設置し、特定領域１
０の設置は第６図の実施例の上下方向には画素ピッチで
行い、同図の左右方向には３画素に１本の割合で設置し
ている。

３画素はＲＧＢカラー画素に対応する。

第７図は本発明の別の実施例を示したものである。

本実施例においては特定領域を設定する電極の形成をゲ
ート電極の形成と同時に行なう。特定領域は画素電極の
まわりをとりかこむように配置し、相互に配線２１を介
して接続し、水平方向につながった配線は基板端部にお
いてひとつにまとめられ外部端子へ導かれる。

ゲートパスライン２およびゲート電極１４の形成は特定
領域の形成と同時に行われる。このためにＣｒを１３０
ｎｍの厚さにスパッタ蒸着し、ホトリソグラフィ工程を
経てパターン加工される。

ゲート電極形成後のプロセスは第１図、第４図の実施例
で述べたような工程を経て実行される。すなわち第７図
のＡＡ’断面である第８図に示すようにゲート絶縁膜１
５としてＳｉＮ、ＴＰＴチャネル層としてａ−８ｉ層１
６．オーミックコンタクト層１７としてｎ”ａ−８ｉ層
、ＴＰＴのソース電極１９．ドレイン電極１８としてＣ
ｒ／ＡＱを用いた。ＴＰＴ作製作製後膜護膜成してＴＰ
Ｔ基板プロセスが完了する。

ＴＰＴ基板プロセス終了後の平面図が第７図であるが、
この基板を用いて液晶ディスプレイパネルを作り特定領
域への電圧印加をおこなうことにより所望の効果を得る
ことができた。このとき注意すべき場所は特定領域電極
の配線部２１と信号線との交差部２２やソース電極１９
と特定領域電極との重畳部２３等である。これらの領域
２２゜２３はまず液晶への電圧印加が、上部の電極にシ
ールドされて、行われない。したがって特定領域は部分
的に分断された状況になり、この部分は液晶分子の移動
が起こりうる。しかしながらこれらの領域は局所的なも
のであり、経時変化を抑えるという所望の効果を十分あ
げることができる。もう一つ留意すべき点は交流電圧の
カップリングである。

交差部２２あるいは重畳部２３を通して信号線や画素電
極への電圧結合がある。これらは出来るだけ小さく抑え
ることが必要であり、そのためには重畳部の面積を極小
化することが大切である。

信号線へのカップリングは信号線が一定電圧に外部で設
定されているので大きな影響はないが、重畳部の面積を
出来るだけ小さくすることは重要である。

画素電極部への交流電圧の影響をなくした構成例を第９
図に示す。第７図における重畳部２３を除いた構成であ
り、単純な構成となっている。本実施例の作製プロセス
は前実施例と同じである。

上記実施例は特定領域に印加する交流電圧が画素電極に
与える影響を極小化する方向のものであった。しかしな
がらその影響をむしろ積極的に利用することもできる。

第１０図はこの場合の実施例を示したものである。本実
施例のポイントは特定領域形成用電極１ｏと画素電極９
との間に重畳部２４を設けたことである。

第１１図は第１０図のＢＢ’断面を示したもので、ここ
に示すようにこの領域２４はゲート絶縁膜であるＳｉＮ
が両電極間に介在しており容量を形成している。液晶デ
ィスプレイパネル動作時に電極１０に交流電圧を印加す
るとこの２４部の容量を介して交流電圧が画素電極に加
わる。この電圧は結局画素電極部の液晶に印加される。

この電圧は液晶にバイアス電圧を加える働きを持つ、液
晶のしきい値電圧に略々等しい電圧が画素電極に加わる
ように結合容量値を制御しておく。ＴＰＴを介して与え
られる信号電圧はこのバイアス電圧とは別個に印加され
るが、バイアス電圧がある分車さい電圧で済むので信号
線およびＴＰＴに与える電圧はその分低くすることがで
きる。付は加えるならば、ここで述べた容量は液晶の放
電時定数を増す働きも有しており、いわゆる保持容量も
しくは蓄積容量（第２図の容量８）と等価である。

第１０図において電極１０のうち画素電極部とオーバラ
ップしない部分は上記実施例で述べたと同様液晶の特定
領域を設定するための電極として働き、経時変化の防止
およびノーマリホワイト液晶使用時のブラックマトリク
スの働きを有するものである。第１０図の実施例に限ら
ずノーマリホワイト液晶用ブラックマトリクスの働きを
完全にするには画素電極部以外からの光の漏洩がないよ
うにする必要がある。上記特定領域用電極のみでは光の
漏洩を遮断することは難しい、光の漏洩を完全になくす
ためには共通電極用ガラス基板１２側にもブラックマト
リクスを設ける必要がある。

共通電極用基板に設けるブラックマトリクスはＣｒ等の
金属を用いる場合が多い。したがってブラックマトリク
スではあるが共通電極側から見ると光を反射することに
なる。したがって共通電極基板のブラックマトリクス用
電極は出来るだけその面積を少なくすることが望ましい
。上記実施例における特定領域を設けることにより、共
通電極基板側の光を反射するＣｒ等の面積を極小化する
ことができる。この効果は小さくない。

第１２図は本発明の別の実施例を示したものである。ダ
イオードを用いたアクティブマトリクス液晶ディスプレ
イパネルである。ダイオード２５はＭ　Ｉ　Ｍ　（Ｍｅ
ｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）方式のもの
でガラス基板上にスパッタ蒸着したＴａを陽極化成して
Ｔａ、Ｏ，層を形成し、この上にＣｒをスパッタする方
法でＭＩＭダイオードを作成した。信号線２６もＴａを
用いて形成し画素電極９を形成した後、保護膜を形成し
、特定領域設定用電極１０をメツシュ状にＡＱで形成し
た。

一方対向するカラーフィルタ基板側電極は信号線に直交
するストライプ状透明電極を形成し、画素電極へ信号電
圧を印加した。特定領域電極へは５０Ｈｚの交流信号電
圧を印加して動作を行い、液晶に経時変化のないことを
確認した。

第１３図は本発明の別の実施例を示したものである。上
記の実施例においてはＴＰＴ基板（ダイオード基板）側
に特定領域設定用の電極を形成するケースを詳述した。

本実施例では、これをさらに徹底するために対向する共
通電極基板側にもＴＰＴ基板に対応した特定領域設定用
電極を設けたものである。

まずガラス基板上にカラーフィルタを形成する。

赤色カラーフィルタ２７．緑色カラーフィルタ２８、青
色カラーフィルタ２９を順次形成した後保護膜３０によ
り色フィルタを保護し共通電極１１を全面に形成する。

再度この上に、保護膜３１を形成し、特定電極設定用電
極３２を格子状に形成する。保護膜３０および３１はポ
リイミド系の透明有機膜を用いることによりプロセス簡
略化をはかった。

ＴＰＴ基板とカラーフィルタ基板を合わせて液晶を封入
し、ディスプレイパネルを作った。特定領域への電圧印
加は振幅３ｖの９０Ｈｚ交流電圧をそれぞれの基板の電
極１０および電極３２に逆相で加えることにより行った
。液晶には９０　Ｈｚの交流電圧が実効振幅６■で加わ
ることになり、所望の結果を得ることができた。これは
小振幅の電圧印加で済む点がパネル動作に際して有利な
点である。このように電圧印加をＴＰＴ基板側に限定し
ないで行うごとはパネル設計上の裕度を拡大することに
なりフレキシビリティの増大につながる。ＴＰＴ基板上
では配線が複雑にからんでおり特定電極の設置が設計ル
ールの点あるいは寄生容量結合の点から制限されるケー
スが多い。対向基板上に設置する場合はそのようなこと
は少ないので設計の自由度は増大する。

第１３図に示した例では共通電極１１と特定領域用電極
３２との間には保護膜３１を介した容量が形成される。

この容量はメツシュがパネル全体にわたって形成される
ため大きな値となり電極３２を駆動するとき負荷は重く
なる。これを避ける方法を第１４図に示す。格子状電極
３２は第１３図の場合と同じであるが共通電極は第１４
図の３３に示すように欠損部を設けた。これにより第１
３図の共通電極１１起因の容量は大幅に低減され格子状
電極に電圧を印加する際の負荷の大幅低減をはかること
ができた。

カラーフィルタ基板側に特定領域設定用電極を設ける場
合、ＴＰＴ基板側の電極をそれに対応して別途設ける実
施例について述べたがＴＰＴ基板側にはＴＦＴ用の配線
が走っているのでこれを利用することも出来る。第１５
図はこのような例を示したものである。この実施例では
ＴＰＴ基板のゲートパスライン配線を利用する。ゲート
パスラインを同図に示したように枝分かれした形状で形
成し、これに対向するカラーフィルタ基板側の特定領域
形成用電極３２を同図の斜線部の如く形成する。

パネルを仕上げた後でカラーフィルタ側電極に交流電圧
を印加する。ＴＰＴ基板側のゲート電極は通常は負の一
定電圧に保持され、走査時に正電圧パルスが印加される
。パルス電圧の印加デユーティ比は走査線数をＮとすれ
ば１／Ｎとなる。この実施例では走査線数は４８０本な
のでデユーティ比はｌ／４８０となる。したがってゲー
ト電極は交流的にはほぼ接地された状態となっており、
カラーフィルタ基板側の電極３２に交流電圧を印加する
ことにより第１５図の斜線部に対応する液晶に交流電圧
が印加される。

第１６図は本発明の別の実施例を示したもので第１５図
の方式に蓄積容量の一種である付加容量３４を加えたも
のである。第２図でも述へたように液晶の放電時定数を
増大するために蓄積容量を液晶セルに並列に接続するこ
とが一般に行われている。付加容量は走査ゲート線の次
段もしくは前段のゲート線と画素電極との間に容量を形
成するものでプロセスが簡単な点に特徴がある。第１６
図においては、３４で示した領域が付加容量形成領域と
なる。

一方、第１５図の場合と同様カラーフィルタ基板側に特
定領域設定用電極３２を設け（第１６図斜線部）、パネ
ル作製後コニに電圧を印加して液晶不安定性を抑えるこ
とができた。この方式は本発明の主旨を従来の付加容量
パネルへ展開しうる点で大きな効果を持つものである。

以上本発明を実施例に基づいて述べてきたが、本発明の
主旨は以上に限られるものではない。

アクティブマトリクス型のデイスプレィなかでもａ−５
ｉ　　ＴＦＴおよびＴａ系ＭＩＭについて述へてきたが
、単純マトリクス型液晶デイスプレィであってもよい。

液晶はＴ　Ｎ　（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）型
あるいはＳ　Ｔ　Ｎ　（Ｓｕｐｅｒ　ＴＮ）型でもよい
。ノーマリホワイトに限らずノーマリブラック液晶であ
ってもよい。また、ＴＰＴもａ−３ｉ系に限らずＣｄＳ
ｅ、ｐｏｌｙ　　Ｓｉ、Ｔｅ等であってもよく、ダイオ
ードもＭＩＭに限らずａ−８ｉのダイオードの組み合わ
せやダイオードリング等であっても良い。また、トラン
ジスタの構造、材料も実施例で述べた例に限るものでな
いことは勿論である。

特定領域設定のために印加する交流電圧も、周波数は実
施例に述べたもの以外でもよく、それより低周波、高周
波いずれであってもよい。液晶に実効的に交流電圧がか
かればよく矩形波形等でも構わない。電圧値もその振幅
を信号電圧のそれに比して大きく選んだがこれに限られ
るものではない。但し、液晶分子がガラス基板に垂直に
立ってくるような電圧であることは必要である。少なく
とも液晶にかかる信号電圧の平均値以上の電圧を印加す
ることは必要である。

また、パネルはカラーデイスプレィを念頭に置いたが、
カラーデイスプレィである必要は必ずしもなくモノクロ
パネルであっても一向に差し支えない。

特定領域の配置は８来るだけ密な方が望ましいが、画素
単位でなくてもよい。数画素に一本であってもよい。こ
れはパネルの縦方向、横方向とも数画素に一本という場
合を含む。

〔発明の効果〕

本発明によれば液晶の不安定性あるいは経時変化をなく
すことができるので、信頼性の高い液晶デイスプレィを
得ることができるという大きな効果がある。

上記の経時変化はとくにアクティブマトリクス型ディス
プレイパネルで起こりやすいので、ここに適用するとき
とくに効果が大き′い。

特定領域に電圧を印加することはノーマリホワイト液晶
の場合は、この領域が黒表示の領域となることを意味す
るので、ブラックマトリクスの働′きを有する効果をも
つ。これによりコントラストの向上ができる。

この特定領域をＴＦＴ上に設定すればＴＰＴの遮光を兼
ねることができる。

特定領域に印加する交流電圧は結合容量を利用して液晶
にバイアス電圧を加えることもできる。

このときは信号電圧を低くすることができるという効果
を持つ。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は従来
ディスプレイパネルの構成図、第３図は本発明の原理説
明図、第４図は第１図のａａ’線断面図、第５図、第６
図、第７図は、本発明の別の実施例の平面図、第８図は
第７図のＡＡ’線の断面図、第９図、第１０図は本発明
の別の実施例を示す平面図、第１１図は第１０図のＢＢ
’線断面図、第１２図は本発明の別の実施例平面図、第
１３図は本発明の別の実施例の斜視図、第１４図、第１
５図、第１６図は本発明の別の実施例の平面図である。第１７図は本発明のブラックマトリクス効果を示す図面
。１・・・ガラス基板、２・・・ゲートパスライン、３・
・・データバスライン、４・・・薄膜トランジスタ（Ｔ
　Ｐ　Ｔ）。５・・・液晶、６・・・垂直シフトレジスタ、７・・・
水平シフトレジスタ、８・・・蓄積容量、９・・・画素
電極、１ｏ・・・特定領域電極、１１・・・共通電極、
１２・・・共通電極基板、１３・・・液晶分子、１４・
・・ゲート電極、１５・・・ゲート絶縁膜、１６・・・
ａ−８ｉ、１７・・・オーミックコンタクト、１８・・
・ドレイン電極、１９・・・ソース電極、２０・・・保
護膜、２１・・・特定領域電極配線部、２２・・・２１
と信号線の交差部、２３・・・２１とソース電極との重
畳部、２４・・特定領域電極と画素電極との重畳部、２
５・・・ＭＩＭダイオード、２６・・・信号線、２７・
・・赤色カラーフィルタ、２８・・・緑色カラーフィル
タ、２９・青色カラーフィルタ、３０・・・保護膜、３
１・・・保護膜、３２・・共通電極基板側特定領域設定
用電極、３３・・欠損部付き共通電極、３４・・・付加
容量、４１・・偏光板、４２・・・偏光板、４３・・・
バックライト、４４・・・透過第１図第３図第５図第７図ＡＡ’ 断面第１１図 ■ 第１０図第９図第１２図第１５図第１４図第１６図

Claims

【特許請求の範囲】１、液晶を用いたディスプレイパネルにおいて、上記デ
ィスプレイパネルの表示領域内に画像表示のための信号
電圧とは異なる交流電圧を印加する特定領域を設けたこ
とを特徴とする液晶ディスプレイパネル。２、上記液晶ディスプレイパネルが薄膜トランジスタを
スイッチ素子として用いたアクティブマトリクス型パネ
ルであることを特徴とする第１項記載の液晶ディスプレ
イパネル。３、上記液晶ディスプレイパネルがダイオー
ドをスイッチ素子として用いたアクティブマトリクス型
パネルであることを特徴とする第１項記載の液晶ディス
プレイパネル。４、上記交流電圧印加領域がパネル内において周期的に
配置されてなることを特徴とする第１項乃至第３項のい
ずれかに記載の液晶ディスプレイパネル。５、上記交流電圧印加領域がパネル内において画素単位
の周期で配置されてなることを特徴とする第１項乃至第
４項のいずれかに記載の液晶ディスプレイパネル。６、上記交流電圧印加領域が表示領域内の各画素電極の
周囲に設置されていることを特徴とする第１項乃至第５
項のいずれかに記載の液晶ディスプレイパネル。７、上記交流電圧印加領域に印加される交流電圧の振幅
が、そのパネル内の液晶に印加する信号電圧の平均振幅
値以上であることを特徴とする第１項乃至第６項のいず
れかに記載の液晶ディスプレイパネル。８、上記交流電圧印加領域に印加される交流電圧の振幅
が、そのパネル内の液晶に印加する信号電圧の最大振幅
以上であることを特徴とする第１項乃至第７項のいずれ
かに記載の液晶ディスプレイパネル。９、上記液晶パネルがノーマリホワイト型のＴＮ液晶か
らなることを特徴とする第１項乃至第８項のいずれかに
記載の液晶ディスプレイパネル。１０、上記液晶パネルの特定領域がパネルのブラックマ
トリクス領域を少なくとも含むことを特徴とする第９項
記載の液晶ディスプレイパネル。