KR19980079894A - 단결정 인상장치 및 단결정 지지기구 및 단결정 인상방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 인상 CZ법에 의해 반도체 단결정을 제조하기 위한 단결정 인상장치에 있어서,종결정을 유지하여 상하방향으로 승강시키는 종결정 승강기구와,상기 종결정의 밑으로 형성되는 단결정의 잘록한 부분을 지지하는 단결정 지지기구를 가지는 것에 있어서,상기 단결정 지지기구가, 상기 잘록한 부분의 큰지름부를 아래쪽에서 선접촉적으로 지지하는 지지대로서, 상기 잘록한 부분을 통과시키는 관통구멍을 가지고, 또한 상기 잘록한 부분을 상기 관통구멍에 인도하기 위해서 상기 관통구멍과 상기 지지대의 외주부를 연통시키는 슬릿이 설치되는 것을 가지는 것을 특징으로 하는 단결정 인상장치.
- 제1항에 있어서, 상기 지지대를 상기 단결정의 인상방향으로 직교하는 방향으로 이동시키고, 상기 지지대가 상기 잘록한 부분의 큰지름부의 아래에서 벗어난 제1의 위치와, 상기 잘록한 부분의 큰지름부의 아래쪽의 제2의 위치와의 사이에서 가동으로 하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 단결정 인상장치.
- 제1항에 있어서, 상기 지지대가 그의 거의 중앙에 함몰을 가지는 것을 특징으로 하는 단결정 인상장치.
- 제1항 내지 제3항중 어느 하나에 있어서, 상기 단결정 지지기구가 상기 지지대의 한쪽 끝을 지지하는 아암부재와, 지지 이전의 아암위치에 있어서 회전에 의한 지지기구의 흔들림을 방지하기 위한 밸런스재를 가지는 것을 특징으로 하는 단결정 인상장치.
- 제1항 내지 제3항중 어느 하나에 있어서, 상기 슬릿의 폭이 상기 잘록한 부분의 좁은 부분의 지름보다 큰것을 특징으로 하는 단결정 인상장치.
- 제1항 내지 제3항중 어느 하나에 있어서, 상기 종결정 승강기구의 적어도 구동부분 및 상기 단결정 지지기구의 적어도 구동부분을 수납하는 수납용기와,상기 수납용기를 상하방향으로 승강시키는 수납용기 승강기구를 더 가지는 단결정 인상장치.
- 제6항에 있어서, 상기 수납용기 승강기구에 의한 승강작동에 동기하여, 상기 종결정 승강기구 및/또는 상기 단결정 파지기구의 구동용 전원케이블 및/또는 제어신호용 케이블의 감기를 하는 동기 감기기구를 더 가지는 단결정 인상장치.
- 인상 CZ법에 의해 반도체 단결정을 제조할 때에 사용되는 단결정 지지기구용의 지지기구에 있어서,단결정의 잘록한 부분의 큰지름부를 아래쪽에서 지지하는 지지대로서, 상기 잘록한 부분을 통과시키는 관통구멍을 가지고, 또한 상기 잘록한 부분을 상기 관통구멍에 인도하기 위해서 상기 관통구멍과 상기 지지대의 외주부를 연통시키는 슬릿이 설치되는 것을 특징으로 하는 단결정 지지기구.
- 제8항에 있어서, 상기 지지대가 그의 함몰부를 가지는 것을 특징으로 하는 단결정 지지기구.
- 제9항에 있어서, 상기 함몰부가 태이퍼형태이고, 상기 함몰부의 경사가 상기 지지대의 축방향과 직교하는 방향에 대하여 10°내지 70°의 각도를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 단결정 지지기구.
- 제8항 내지 제10항중 어느 하나에 있어서, 상기 슬릿의 폭이 상기 잘록한 부분의 좁은 부분의 지름보다 큰것을 특징으로 하는 단결정 지지기구.
- 인상 CZ법에 의해 반도체 단결정을 제조하기 위한 단결정 인상방법으로서,종결정 승강기구에 의해 종결정을 석영 도가니내의 용융액에 침지하도록 하는 스텝과,상기 종결정 승강기구에 의해 상기 종결정을 인상하는 것에 의해 상기 종결정의 밑으로 단결정의 넥부를 형성하는 스텝과,이어서 상기 넥부의 밑으로 단결정의 구상부를 성장시키도록, 상기 종결정 승강기구에 의한 인상속도를 제어하여 상기 단결정의 지름을 증대시키는 스텝과,상기 단결정의 구상부의 아래쪽에 잘록한 부분을 형성하도록, 상기 종결정 승강기구에 의한 인상속도를 제어하여 상기 단결정의 지름을 좁히는 스텝과,지지대로서, 상기 잘록한 부분을 통과시키는 관통구멍을 가지고, 또한 상기 관통구멍과 상기 지지대의 외주부를 연통시키는 슬릿이 설치되는 것을 사용하여, 상기 슬릿을 통해, 상기 잘록한 부분이 상기 관통구멍에 위치하도록, 상기 지지대를 상기 잘록한 부분의 축에 대하여 거의 직교하는 방향으로 이동시키는 스텝과,상기 지지대를 상기 종결정 승강기구와 동기시켜 인상하는 것에 의해, 상기 잘록한 부분의 큰지름부의 아래쪽에 단결정의 바디부를 형성하는 스텝을 가지는 단결정 인상방법.
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Cited By (2)
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KR100947747B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2010-03-17 | 주식회사 실트론 | 고체원료 공급장치와 단결정 성장장치의 연결장치 |
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW370580B (en) * | 1997-09-22 | 1999-09-21 | Super Silicon Crystal Res | Monocrystal pulling device |
DE102005040229B4 (de) | 2005-08-25 | 2011-12-22 | Siltronic Ag | Unterstützungsvorrichtung zur Unterstützung eines wachsenden Einkristalls aus Halbleitermaterial und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE3414290A1 (de) * | 1984-04-14 | 1985-10-24 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Kristallhalter |
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JPS63252991A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Mitsubishi Metal Corp | 落下防止保持部を有するcz単結晶 |
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JPH04321583A (ja) * | 1991-04-23 | 1992-11-11 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体単結晶の引上げ法 |
JP2946934B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-09-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 単結晶引上装置 |
JP2946933B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-09-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 単結晶引上装置 |
JP2946936B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-09-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 単結晶引上装置およびその引上方法 |
JP2946935B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-09-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 単結晶引上装置およびその引上方法 |
JPH07172981A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-07-11 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体単結晶の製造装置および製造方法 |
JP3402012B2 (ja) * | 1995-04-21 | 2003-04-28 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の成長方法及び装置 |
US5843226A (en) * | 1996-07-16 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Etch process for single crystal silicon |
JP3528448B2 (ja) * | 1996-07-23 | 2004-05-17 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の引上げ方法及び装置 |
JP3438492B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2003-08-18 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の引上げ方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100947747B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2010-03-17 | 주식회사 실트론 | 고체원료 공급장치와 단결정 성장장치의 연결장치 |
WO2020111368A1 (ko) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 웅진에너지 주식회사 | 잉곳 성장장치 |
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