JP3964002B2 - 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 - Google Patents
単結晶保持装置及び単結晶保持方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3964002B2 JP3964002B2 JP15921097A JP15921097A JP3964002B2 JP 3964002 B2 JP3964002 B2 JP 3964002B2 JP 15921097 A JP15921097 A JP 15921097A JP 15921097 A JP15921097 A JP 15921097A JP 3964002 B2 JP3964002 B2 JP 3964002B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- holder
- crystal
- pulling wire
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/32—Seed holders, e.g. chucks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/911—Seed or rod holders
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、CZ法による単結晶製造装置に装着され、特に大重量の単結晶の製造に好適な単結晶保持装置及び単結晶保持方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
単結晶シリコンは一般にCZ法を用いて製造されている。CZ法は、単結晶製造装置内に設置した石英るつぼに多結晶シリコンを充填し、石英るつぼの周囲に設けたヒータによって前記多結晶シリコンを加熱溶解した上、シードホルダに取り付けた種結晶を融液に浸漬する。そして、シードホルダ及び石英るつぼを互いに同方向または逆方向に回転させながらシードホルダを引き上げて単結晶シリコンを所定の直径及び長さに成長させる方法である。
【0003】
種結晶には、融液に浸漬したときの熱衝撃で転位が発生する。この転位を単結晶に伝播させないようにするため、ダッシュネック法を用いて直径数mm程度のネック部を種結晶の下方に形成し、転位をネック部の表面に逃がす。そして、無転位化が確認された後、肩部を形成して単結晶を所定の直径まで拡大させ、次いで直胴部形成に移行する。
【0004】
近年、単結晶の直径及び長さの増大に伴ってその重量が増大し、ネック部の強度が限界に近づいている。この対策として、ダッシュネック法によって無転位化した後、ネック部と肩部との間に拡径部とこれより小径のくびれ部とを形成し、くびれ部に保持具を掛止して単結晶を保持する種々の工夫がなされている。単結晶重量の大部分を保持具で支えるため、ネック部の破断が防止され、ネック部が破断した場合でも保持具により単結晶の落下を防止することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、たとえば、単結晶保持装置を複数本のワイヤで吊り下げ、これらのワイヤを巻き取りドラムの駆動により巻き上げる方式の場合、各巻き取りドラムの巻き取り量を正確に制御することは困難である。そして、これが原因となって単結晶保持装置が傾き、単結晶重量を均等に負担することができなくなる。また、単結晶保持装置の偏心回転を誘発して前記保持装置の揺れが起こり、育成中の単結晶が有転位化する。更に、単結晶保持装置は単結晶製造装置の上端からワイヤで吊り下げられているため、単結晶保持装置の中心が育成中の単結晶の中心と一致しないことがあり、保持が不確実になるという問題点があった。
【0006】
本発明は上記従来の問題点に着目してなされたもので、単結晶を保持する際、及び保持後に単結晶保持装置が揺動したり傾斜したりすることがなく、かつ、単結晶保持装置の中心を育成中の単結晶の中心に一致させることが容易な構造を有する単結晶保持装置及び単結晶保持方法を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る単結晶保持装置は、結晶引き上げワイヤに加えられた荷重を検出する引き上げワイヤ用ロードセルと、結晶引き上げワイヤに加えられた荷重と単結晶保持具に加えられた荷重との合計荷重を検出する合計荷重用ロードセルとを備え、単結晶保持具が結晶引き上げワイヤに同期して回転し、前記結晶引き上げワイヤと単結晶保持具とを同時に昇降させる手段と結晶引き上げワイヤのみを昇降させる手段とを有することを特徴とする。
上記構成によれば、ネック部に加えられる荷重は引き上げワイヤ用ロードセルがモニタリングし、単結晶保持具に加えられる荷重は合計荷重用ロードセルの検出値と引き上げワイヤ用ロードセルの検出値との差によりモニタリングすることができる。そして、単結晶保持具は結晶引き上げワイヤに同期して回転及び昇降可能としたので、単結晶保持具で単結晶を保持する際に、結晶引き上げワイヤと単結晶保持具との回転速度差による摩擦や上昇速度差による衝撃が発生しない。また、単結晶保持具により単結晶を保持した後の実質的な引き上げ速度は、結晶引き上げワイヤのみによる引き上げ速度と同一である。
【0008】
また、本発明に係る単結晶保持装置は、結晶引き上げワイヤに加えられた荷重及び前記荷重と単結晶保持具に加えられた荷重との合計荷重をモニタリングする制御装置を備えていることを特徴とする。
単結晶の引き上げ時、結晶引き上げワイヤすなわちネック部で負担すべき単結晶重量と単結晶保持具が負担すべき単結晶重量については、ロードセルの検出値に基づく制御装置の指令により所定の値で配分される。
【0009】
本発明に係る単結晶保持装置は、具体的には、単結晶の上端に形成したくびれ部を保持する単結晶保持装置であって、結晶引き上げワイヤ巻き取り機構の下端に取着され、中心に結晶引き上げワイヤを通す穴を備えたシャフトと、前記シャフトを結晶引き上げワイヤ巻き取り機構とともに昇降させるキャリッジと、前記シャフトの下端に取着した単結晶保持具とを有し、単結晶保持具は中心に単結晶引き上げワイヤを通す穴を備え、この穴の周囲に複数のくり抜き溝を有するとともに、単結晶を保持する保持棒を前記複数のくり抜き溝内に上下動自在に配設したことを特徴とする。
上記構成によれば、単結晶保持具をシャフトを介して結晶引き上げワイヤ巻き取り機構に取着して一体構成とし、キャリッジにより昇降させるようにしたので、ワイヤに釣支された単結晶保持具のように揺動あるいは傾斜することがなく、かつ、結晶引き上げワイヤに対して単結晶保持具の中心が移動しない。また、単結晶は、単結晶保持具に設けたくり抜き溝内の保持棒によりくびれ部を保持される。
【0010】
単結晶保持装置の保持具において、前記保持棒は両端が太く、中央部が細くくびれた鼓型であることを特徴とする。
保持棒の形状を鼓型とすると、単結晶のくびれ部を形成する円錐面に対して保持棒1本ごとに2箇所で接触する。従って、1点接触の場合に比べて保持状態が安定するとともに、接触点に発生する応力が低下する。
【0011】
更に、単結晶保持装置の保持具及び保持棒は、モリブデン等の高融点金属または炭素繊維強化型炭素からなることを特徴とする。
単結晶保持装置の保持具は融液面の近傍まで下降するが、上記構成により破損、変形、劣化のおそれがなく、所定の重量を負担することができる。
【0012】
上記構成の単結晶保持装置を用いる場合、本発明に係る単結晶の保持方法は、結晶引き上げワイヤ巻き取り機構及び単結晶保持具を装着したキャリッジの昇降速度と結晶引き上げワイヤの巻き取り速度とを調整し、相対的に単結晶保持具を単結晶のくびれ部に近づけた上、単結晶を保持させることを特徴とする。
本発明の単結晶保持装置は結晶引き上げワイヤ巻き取り機構と一体に構成されているため、単結晶保持具の昇降に伴って前記ワイヤ巻き取り機構も昇降する。上記方法によれば、キャリッジの昇降速度と結晶引き上げワイヤの巻き取り速度とを調整することにしたので、単結晶の直胴部育成時に結晶引き上げワイヤの巻き取り速度を一定に維持したまま、単結晶保持具で単結晶のくびれ部を保持することができる。
【0013】
単結晶の保持に際し、キャリッジ及び結晶引き上げワイヤの速度調整方法として、結晶引き上げワイヤの巻き取り速度をVS/L とするとき、単結晶保持具を単結晶に掛止するために下降させる場合は、結晶引き上げワイヤの巻き取り速度をV S/L+α、キャリッジの下降速度をαとし、単結晶保持具を単結晶に掛止する場合は、結晶引き上げワイヤの巻き取り速度をV S/L−α、キャリッジの上昇速度をαとすることを特徴とする。
上記内容の速度調整により、単結晶の引き上げ速度を一定に維持したまま単結晶保持具を単結晶の所望の位置に近づけ、くびれ部に掛止し、更に単結晶保持具を上昇させることができる。
【0014】
また、本発明に係る単結晶の保持方法は、単結晶保持装置で単結晶を保持した後、単結晶の引き上げをキャリッジの上昇のみで制御するとともに、ネック部の負担重量をモニタリングしつつこの重量がネック部破断重量以下となるように結晶引き上げワイヤの巻き取り量を制御することを特徴とする。
上記構成によれば、単結晶保持装置で単結晶を保持した後、キャリッジの上昇により単結晶保持具と結晶引き上げワイヤ巻き取り機構が同時に上昇するので、結晶引き上げワイヤの巻き取りを原則として停止し、キャリッジの上昇のみで単結晶を引き上げればよい。そして、結晶引き上げワイヤの巻き取り量を制御することにより、単結晶の育成に伴う重量増加によるネック部の破断が防止される。
【0015】
【発明の実施の形態及び実施例】
次に、本発明に係る単結晶保持装置及び単結晶の保持方法の実施例について図面を参照して説明する。図1は単結晶保持装置の概略構成を示す模式的断面図である。CZ法による単結晶製造装置の上部にはガイドシャフト1に沿ってボールネジにより昇降するキャリッジ2が設置され、キャリッジ2の中心にシャフト3が回転自在に装着されている。シャフト3の上端に設けられたフランジ3aは、結晶引き上げワイヤ巻き取り機構11のプーリ12の下面に取着されている。キャリッジ2の上面には、単結晶製造装置の結晶引き上げワイヤに加えられた荷重と単結晶保持装置に加えられた荷重との合計荷重を検出する合計荷重用ロードセル4が設置され、前記フランジ3aはスラスト軸受3bを介して合計荷重用ロードセル4に載置されている。また、シャフト3の下端には単結晶保持具5が取着されている。単結晶保持具5は内部にくり抜き溝5aを備えた円筒で、前記くり抜き溝5a内に上下動自在の保持棒6が収容されている。単結晶保持具5の詳細については後述する。
【0016】
結晶引き上げワイヤ巻き取り機構11は、引き上げワイヤ用ロードセル7の上に載置されたワイヤ巻き取りドラム13と図示しないモータとを備え、結晶引き上げワイヤ巻き取り機構11、シャフト3、単結晶保持具5は結晶回転用モータ14により一体で回転する。ワイヤ巻き取りドラム13に巻き付けられた結晶引き上げワイヤ15は、前記シャフト3及び単結晶保持具5の中心に設けられた穴を通って垂れ下がり、その下端には種結晶を取り付けたシードホルダ16が釣支されている。
【0017】
引き上げワイヤ用ロードセル7及び合計荷重用ロードセル4の検出信号は単結晶製造装置の外部に設置された図示しない制御装置に伝達され、制御装置はこれらの信号に基づいてワイヤ巻き取りドラム13及びガイドシャフト1を正逆いずれかの方向に回転させる指令信号を出力する。
【0018】
キャリッジ2の下面と単結晶製造装置のゲートチャンバ17の上面とは伸縮自在のベローズ8で接続され、ゲートチャンバ17の下面にはトップチャンバ18及び図示しないメインチャンバが接続されている。また、メインチャンバに設置された石英るつぼ内の融液から引き上げられる単結晶19は、ネック部20に続いて拡径部19aと、拡径部19aより小径のくびれ部19bとを形成した後、所定の直径に育成される。
【0019】
図2は単結晶保持具の内部に設けられたくり抜き溝の形状を示す斜視図、図3はくり抜き溝の上面図である。単結晶保持具5は、中心に結晶引き上げワイヤ15を通す穴5bを備え、図1に示したシャフト3に結合するためのフランジ5cが上端に設けられている。前記穴5bの直径は単結晶の拡径部が容易に通過できる大きさで、穴5bの両側には上部の幅が広く下部の幅が狭い楔形のくり抜き溝5aが対向する位置に設けられ、これらのくり抜き溝5aの内側面の一部分が穴5bに開口している。くり抜き溝5aの底面は単結晶保持具5の下面よりも上方にあり、単結晶保持具5の下面には穴5bのみが開口している。また、くり抜き溝5aの内部には両端が太く、中央部がくびれた鼓形の保持棒6が1本ずつ収納されている。前記保持具5及び保持棒6はモリブデン等の高融点金属または炭素繊維強化型炭素を用いて製作されている。
【0020】
以下、本発明の単結晶保持装置を用いる場合の単結晶保持方法について、図1及び図4〜図10を参照して説明する。単結晶の拡径部及びくびれ部が形成された後、単結晶重量が所定の値に達するまでの間、単結晶保持具5は図1に示すように育成中の単結晶19の上方で待機する。このとき、保持棒6はいうまでもなくくり抜き溝5aの底部に静止している。また、単結晶19の重量は引き上げワイヤ用ロードセル7の検出信号に基づいて制御装置がモニタリングしている。なお、単結晶19の成長速度すなわち結晶引き上げワイヤ15の巻き取り速度はVS/L に保たれている。
【0021】
単結晶19の育成が進み、その重量が所定の値に達すると、制御装置の指令信号によりキャリッジ2が速度αで下降する。これに伴って結晶引き上げワイヤ巻き取り機構11も下降するため、結晶引き上げワイヤ15の巻き取り速度をVS/L +αに増速し、単結晶19の成長速度をVS/L に維持する。キャリッジ2とともに単結晶保持具5も下降し、図4に示すように保持棒6が単結晶19の拡径部19a上側の円錐面に接触する。保持棒6は前記円錐面によって外側方向及び上方向に押され、くり抜き溝5aの斜面5dに沿って上昇する。
【0022】
単結晶保持具5の下降に伴って拡径部の外周とくり抜き溝5aの斜面5dとの隙間が増大する。この隙間が保持棒6の中央部付近の直径より大きくなると、拡径部上側の円錐面に押されてくり抜き溝5a内を上昇していた保持棒6が、図5に示すように前記隙間を通過し、図6に示すようにくり抜き溝5cの底部に落下する。
【0023】
その後、制御装置の指令信号によりキャリッジの下降が停止し、続いて制御装置の指令信号によりキャリッジが上昇する。このときのキャリッジ上昇速度をαとすると、結晶引き上げワイヤの巻き取り速度はVS/L −αに減速される。キャリッジとともに単結晶保持具5が上昇し、図7に示すように単結晶19の拡径部19a下側の円錐面に当接した保持棒6は、前記円錐面によって外側方向及び下方向に押され、くり抜き溝5aの底部に押し付けられる。この状態になって単結晶保持具5による単結晶19の保持が完了する。以上説明したように、単結晶の保持に際して単結晶保持具を昇降させるためキャリッジを昇降させるが、これに対応して結晶引き上げワイヤの巻き取り速度を制御するので、キャリッジの昇降にかかわらず、単結晶の実質引き上げ速度をキャリッジ停止時と同一に保つことができる。
【0024】
単結晶のくびれ部を単結晶保持具によって保持した後、単結晶の重量Wc は結晶引き上げワイヤと単結晶保持具とに分配される。結晶引き上げワイヤの負荷重量をWw 、単結晶保持具の負荷重量をWsup とすると、Wc =Ww +Wsup となるので、Wc を結晶の成長制御に用いる。
【0025】
図8は、単結晶保持具の待機、下降、上昇及び単結晶保持、保持後の各ステップにおけるキャリッジ速度、結晶引き上げワイヤ速度及び実質的な単結晶引き上げ速度を示すグラフである。単結晶保持具を待機させているときキャリッジの速度は0で、単結晶を保持するため保持具を下降させ、ついで上昇させるときの速度はαである。ただし、下降時と上昇時とでは向きが異なる。また、結晶引き上げワイヤの速度はキャリッジの下降または上昇速度に対応してαだけ増加または減少する。これらの制御の結果、実質的な単結晶引き上げ速度は一定値を維持することになる。
【0026】
単結晶保持具で単結晶を保持し、単結晶重量を結晶引き上げワイヤと単結晶保持具とに分配すると、ワイヤ巻き取りドラムの回転は原則として停止する。そして、結晶引き上げワイヤ巻き取り機構と単結晶保持具とを装着したキャリッジが上昇を続け、単結晶の育成を継続する。結晶引き上げワイヤ巻き取り機構はキャリッジとともに上昇するので、結晶引き上げワイヤのたるみは生じない。ただし、単結晶の成長に比例してネック部にかかる荷重が増加するため、この荷重を所定の範囲内に制御してネック部の破断を防止する必要がある。そこで、図8に示すように単結晶保持後においても結晶引き上げワイヤの巻き取りまたは巻き戻しを行ってネック部にかかる荷重を調整する。前記荷重の調整は、ロードセルの検出値に基づいて制御装置が発する指令信号により実施される。なお、単結晶の重量を単結晶保持装置のみで負担してもよい。
【0027】
キャリッジを下降または上昇させる場合、図9に実線で示すように速度0からαまで段階的に増速させてもよく、点線で示すように速度0からαまで直線的に増速させてもよい。その場合、結晶引き上げワイヤ速度は前記キャリッジの速度変化に対応させるものとする。
【0028】
図10は、図8に示した各ステップにおけるネック部荷重、単結晶保持具荷重及び単結晶重量の変化を表すグラフである。単結晶の育成に伴って単結晶重量は漸増し、ネック部荷重は単結晶保持具で単結晶を保持するまでの間は漸増するが、保持後はその一部が減少した後、一定値を維持する。単結晶保持具の荷重は保持直後から漸増する。
【0029】
本実施例では、ネック部と単結晶の肩部との間に形成したくびれ部を保持する単結晶保持装置及び保持方法について説明したが、本発明は単結晶の直胴部上端に形成したくびれ部を保持する場合にも適用可能である。また、保持棒として、くびれのない棒を使用することもできる。
【0030】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、下記の効果が得られる。
(1)単結晶保持装置を結晶引き上げワイヤ巻き取り機構に固定し、前記保持装置の軸心と結晶引き上げワイヤの軸心とが一致する構造にしたので、単結晶保持具の軸心が単結晶の軸心に機械的に一致することになり、単結晶を高精度に保持する単結晶保持装置とすることができる。
(2)単結晶保持装置が従来の技術で述べたワイヤ釣支によるものでなく、剛構造であるため、単結晶保持具の揺動や傾斜が起こらず、従って保持時又は保持後に単結晶が有転位化するおそれがない。
(3)ネック部に加えられる荷重と単結晶保持具に加えられる荷重とをロードセルの検出値に基づいて調整し、ネック部荷重を許容範囲内に制御するようにしたので、ネック部の破断が確実に防止される。また、ネック部荷重を許容範囲内で任意に設定することができるので、単結晶保持具の許容荷重を考慮しつつ両者の荷重配分を設定することにより、引き上げ可能な単結晶重量を増加することが可能である。
(4)結晶引き上げワイヤ及び単結晶保持具を同一のモータで回転させるので、両者の回転速度が正確に一致する。従って、単結晶を単結晶保持具で保持する際に、回転速度の微妙な相違によって生じる単結晶と単結晶保持具との摩擦が起こり得ず、円滑かつ安全に保持することができる。
(5)結晶引き上げワイヤと単結晶保持具とを併用した単結晶引き上げにおいて、結晶引き上げワイヤのみによる単結晶引き上げ時と同様に、単結晶の育成速度を所望の値に制御しつつ単結晶を保持することが可能のため、従来から行われている高精度の結晶育成技術を容易に適用することができる。
(6)単結晶のくびれ部に接触する芯棒を鼓形とし、2点で接触させるようにしたので、保持時の応力集中が緩和され、単結晶の欠けや亀裂発生を回避することができる。
(7)上記各項の効果により、大重量の単結晶を能率よく製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】単結晶保持装置の概略構成を示す模式的断面図である。
【図2】単結晶保持具の内部に設けられたくり抜き溝の形状を示す斜視図である。
【図3】くり抜き溝の上面図である。
【図4】単結晶保持具が下降し、保持棒が単結晶に接触した状態を示す模式図である。
【図5】保持棒が単結晶とくり抜き溝との隙間を通過する状態を示す模式図である。
【図6】保持棒がくり抜き溝の底部に落下した状態を示す模式図である。
【図7】単結晶保持具を上昇させて単結晶を保持した状態を示す模式図である。
【図8】単結晶保持具の待機、下降、上昇及び単結晶保持、保持後の各ステップにおけるキャリッジ速度、結晶引き上げワイヤ速度及び実質的な単結晶引き上げ速度を示すグラフである。
【図9】キャリッジの下降及び上昇時の速度に関して、図8と異なる方法を示すグラフである。
【図10】図8に示した各ステップにおけるネック部荷重、単結晶保持具荷重及び単結晶重量の変化を表すグラフである。
【符号の説明】
2…キャリッジ、3…シャフト、4…合計荷重用ロードセル、5…単結晶保持具、5a…くり抜き溝、6…保持棒、7…引き上げワイヤ用ロードセル、11…結晶引き上げワイヤ巻き取り機構、15…結晶引き上げワイヤ、19…単結晶、19a…拡径部、19b…くびれ部、20…ネック部。
Claims (5)
- 結晶引き上げワイヤに加えられた荷重を検出する引き上げワイヤ用ロードセルと、結晶引き上げワイヤに加えられた荷重と単結晶保持具に加えられた荷重との合計荷重を検出する合計荷重用ロードセルとを備え、単結晶保持具が結晶引き上げワイヤに同期して回転し、前記結晶引き上げワイヤと単結晶保持具とを同時に昇降させる手段と結晶引き上げワイヤのみを昇降させる手段とを有することを特徴とする単結晶保持装置。
- 結晶引き上げワイヤに加えられた荷重及び前記荷重と単結晶保持具に加えられた荷重との合計荷重をモニタリングする制御装置を備えていることを特徴とする請求項1記載の単結晶保持装置。
- 単結晶の上端に形成したくびれ部を保持する単結晶保持装置であって、結晶引き上げワイヤ巻き取り機構の下端に取着され、中心に結晶引き上げワイヤを通す穴を備えたシャフトと、前記シャフトを結晶引き上げワイヤ巻き取り機構とともに昇降させるキャリッジと、前記シャフトの下端に取着した単結晶保持具とを有し、単結晶保持具は中心に単結晶引き上げワイヤを通す穴を備え、この穴の周囲に複数のくり抜き溝を有するとともに、単結晶を保持する保持棒を前記複数のくり抜き溝内に上下動自在に配設したことを特徴とする請求項1記載の単結晶保持装置。
- 前記保持棒は両端が太く、中央部が細くくびれた鼓型であることを特徴とする請求項3記載の単結晶保持装置。
- 単結晶保持装置の保持具及び保持棒は、モリブデンまたは炭素繊維強化型炭素からなることを特徴とする請求項3記載の単結晶保持装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15921097A JP3964002B2 (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 |
TW087107496A TW444070B (en) | 1997-06-02 | 1998-05-14 | Apparatus for pulling up single crystals and single crystal clamping device |
US09/088,657 US6099642A (en) | 1997-06-02 | 1998-06-02 | Apparatus for pulling up single crystals and single crystal clamping device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15921097A JP3964002B2 (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10338597A JPH10338597A (ja) | 1998-12-22 |
JP3964002B2 true JP3964002B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=15688737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15921097A Expired - Lifetime JP3964002B2 (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6099642A (ja) |
JP (1) | JP3964002B2 (ja) |
TW (1) | TW444070B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000327482A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶製造方法 |
US20050066888A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Griggs Jesse B. | Active dampening orbit stopper for Czochralski crystal growth |
JP4362760B2 (ja) * | 2003-10-14 | 2009-11-11 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体単結晶製造装置 |
CN112680786B (zh) * | 2011-04-20 | 2023-11-28 | Gtat Ip控股有限责任公司 | 用于硅锭的柴氏生长的侧边进料系统 |
CN102605419B (zh) * | 2012-03-25 | 2015-04-22 | 杭州慧翔电液技术开发有限公司 | 用于拉晶设备的可调式多晶料夹持装置 |
CN112725879B (zh) * | 2020-12-22 | 2022-03-22 | 江苏大学 | 一种可提拉的直拉法单晶硅夹持机构及工作方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0930889A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-02-04 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体単結晶の引上装置 |
JPH09165289A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-06-24 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 単結晶インゴット把持装置および把持方法 |
JP3615291B2 (ja) * | 1995-12-25 | 2005-02-02 | 信越半導体株式会社 | 引上げ結晶重量測定装置 |
JP3528448B2 (ja) * | 1996-07-23 | 2004-05-17 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の引上げ方法及び装置 |
JP3438492B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2003-08-18 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の引上げ方法 |
TW486572B (en) * | 1997-02-04 | 2002-05-11 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Device for dragging crystalline |
-
1997
- 1997-06-02 JP JP15921097A patent/JP3964002B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-05-14 TW TW087107496A patent/TW444070B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-02 US US09/088,657 patent/US6099642A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW444070B (en) | 2001-07-01 |
US6099642A (en) | 2000-08-08 |
JPH10338597A (ja) | 1998-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0286133B1 (en) | Monocrystal rod and method of pulling same from a melt and apparatus therefor | |
EP0712945B1 (en) | Method and apparatus for recharging of silicon granules in Czochralski single crystal growing | |
JPH1036187A (ja) | 単結晶の引上げ方法及び装置 | |
KR19990007931A (ko) | 단결정의 성장방법 및 장치 | |
JP3964002B2 (ja) | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 | |
US5584930A (en) | Method for measuring the diameter of a single crystal ingot | |
US5089239A (en) | Wire vibration prevention mechanism for a single crystal pulling apparatus | |
EP0369626B1 (en) | Recharging device for czochralski method | |
US5173270A (en) | Monocrystal rod pulled from a melt | |
JPH05270975A (ja) | 単結晶引上装置 | |
US6217648B1 (en) | Single crystal pull-up apparatus and single crystal pull-up method | |
US5196086A (en) | Monocrystal rod pulled from a melt | |
JPH05270974A (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP3949240B2 (ja) | 単結晶保持装置 | |
KR19980079894A (ko) | 단결정 인상장치 및 단결정 지지기구 및 단결정 인상방법 | |
US6033472A (en) | Semiconductor single crystal manufacturing apparatus | |
JP2000034189A (ja) | 単結晶引上げ装置及び引き上げ方法 | |
JP2990661B2 (ja) | 単結晶成長方法 | |
KR100581045B1 (ko) | 실리콘 단결정 제조방법 | |
JP2665500B2 (ja) | Cz炉のワイヤ振れ止め装置 | |
JP4026695B2 (ja) | 単結晶保持装置 | |
JP4068711B2 (ja) | 単結晶製造装置 | |
JP3076488B2 (ja) | 半導体単結晶育成装置 | |
JPS63303888A (ja) | 単結晶成長装置 | |
JP4070162B2 (ja) | 単結晶保持装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040330 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060905 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070417 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070522 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070523 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |