JP3076488B2 - 半導体単結晶育成装置 - Google Patents
半導体単結晶育成装置Info
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- JP3076488B2 JP3076488B2 JP05287621A JP28762193A JP3076488B2 JP 3076488 B2 JP3076488 B2 JP 3076488B2 JP 05287621 A JP05287621 A JP 05287621A JP 28762193 A JP28762193 A JP 28762193A JP 3076488 B2 JP3076488 B2 JP 3076488B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ケーブル巻き上げ機構
を持たないシャフト方式の半導体単結晶育成装置に関す
る。
を持たないシャフト方式の半導体単結晶育成装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の基板となるシリコン単結晶
の育成方法の一つとして、るつぼ内の原料融液から円柱
状の単結晶を引き上げるチョクラルスキー法（以下ＣＺ
法という）が用いられている。ＣＺ法においては、単結
晶育成装置のチャンバ内に設置したるつぼに原料である
多結晶シリコンを充填し、前記るつぼの外周に設けたヒ
ータによって原料を加熱溶解した上、シードホルダに取
り付けた種子結晶を融液に浸漬し、シードホルダおよび
るつぼを同方向または逆方向に回転しつつシードホルダ
を引き上げて単結晶を成長させる。単結晶の直径制御に
は、一般に、ロードセルによる結晶重量式直径制御シス
テムまたはテレビカメラ等で直径を測定する光学式直径
制御システムが用いられている。
の育成方法の一つとして、るつぼ内の原料融液から円柱
状の単結晶を引き上げるチョクラルスキー法（以下ＣＺ
法という）が用いられている。ＣＺ法においては、単結
晶育成装置のチャンバ内に設置したるつぼに原料である
多結晶シリコンを充填し、前記るつぼの外周に設けたヒ
ータによって原料を加熱溶解した上、シードホルダに取
り付けた種子結晶を融液に浸漬し、シードホルダおよび
るつぼを同方向または逆方向に回転しつつシードホルダ
を引き上げて単結晶を成長させる。単結晶の直径制御に
は、一般に、ロードセルによる結晶重量式直径制御シス
テムまたはテレビカメラ等で直径を測定する光学式直径
制御システムが用いられている。
【０００３】図７は、シャフト方式による従来の半導体
単結晶育成装置の主要部分について、その概略構成を模
式的に示したものである。引き上げシャフト２１は、ガ
イドレール２２に沿って上下動するキャリッジ２３に軸
受を介して回転自在に取り付けられ、前記引き上げシャ
フト２１の下端にはシードホルダ３が取着されている。
前記引き上げシャフト２１の上端には歯車２４が嵌着さ
れ、駆動軸２５によって駆動される歯車列を介して歯車
２４および引き上げシャフト２１が回転し、最終的には
種子結晶から成長した単結晶４に回転運動を与える。な
お、２６は融液、１０はるつぼ、２７はるつぼ１０を回
転ならびに昇降させるるつぼ軸である。結晶重量式直径
制御システムを有するシャフト方式の半導体単結晶育成
装置の場合は、中空の引き上げシャフトにフォースバー
が遊貫され、このフォースバーの上端はロードセルの荷
重印加部に連結され、下端にはシードホルダが取着され
ている。
単結晶育成装置の主要部分について、その概略構成を模
式的に示したものである。引き上げシャフト２１は、ガ
イドレール２２に沿って上下動するキャリッジ２３に軸
受を介して回転自在に取り付けられ、前記引き上げシャ
フト２１の下端にはシードホルダ３が取着されている。
前記引き上げシャフト２１の上端には歯車２４が嵌着さ
れ、駆動軸２５によって駆動される歯車列を介して歯車
２４および引き上げシャフト２１が回転し、最終的には
種子結晶から成長した単結晶４に回転運動を与える。な
お、２６は融液、１０はるつぼ、２７はるつぼ１０を回
転ならびに昇降させるるつぼ軸である。結晶重量式直径
制御システムを有するシャフト方式の半導体単結晶育成
装置の場合は、中空の引き上げシャフトにフォースバー
が遊貫され、このフォースバーの上端はロードセルの荷
重印加部に連結され、下端にはシードホルダが取着され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記シャフト方式の半
導体単結晶育成装置においては、キャリッジを上昇させ
ることによって引き上げシャフトとともに単結晶を引き
上げる。従って、単結晶の直胴部長さを従来のものより
長くしようとすると、半導体単結晶育成装置自体の全高
を高くしなければならず、設備コストの上昇を招く。こ
れに伴って育成装置を収容するクリーンルームの高さも
高くする必要があり、単結晶の原価に占める設備コスト
の割合は極めて高いものとなる。本発明は上記従来の問
題点に着目してなされたもので、ケーブル巻き上げ機構
を持たないシャフト方式の半導体単結晶育成装置におい
て、従来よりも長尺の単結晶を引き上げるためシード移
動ストロークを延長させることができるような半導体単
結晶育成装置を提供することを目的としている。
導体単結晶育成装置においては、キャリッジを上昇させ
ることによって引き上げシャフトとともに単結晶を引き
上げる。従って、単結晶の直胴部長さを従来のものより
長くしようとすると、半導体単結晶育成装置自体の全高
を高くしなければならず、設備コストの上昇を招く。こ
れに伴って育成装置を収容するクリーンルームの高さも
高くする必要があり、単結晶の原価に占める設備コスト
の割合は極めて高いものとなる。本発明は上記従来の問
題点に着目してなされたもので、ケーブル巻き上げ機構
を持たないシャフト方式の半導体単結晶育成装置におい
て、従来よりも長尺の単結晶を引き上げるためシード移
動ストロークを延長させることができるような半導体単
結晶育成装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体単結晶育成装置の第１の発明で
は、シャフト方式の半導体単結晶育成装置において、全
長を短くした引き上げシャフトまたはフォースバーの下
端あるいは、ロードセルの下端にワイヤを介してシード
ホルダを取着した上、前記ワイヤの一部をシードホルダ
の上方で横方向にたぐり寄せる機構を設けたことを特徴
としている。また第２の発明では、シャフト方式の半導
体単結晶育成装置において、全長を短くした引き上げシ
ャフトまたはフォースバーの下端あるいは、ロードセル
の下端にワイヤ引張り機構を設け、一端にシードホルダ
を釣支したワイヤの他端を前記ワイヤ引張り機構に掛止
したことを特徴とし、第３の発明では、シャフト方式の
半導体単結晶育成装置において、全長を短くした引き上
げシャフトまたはフォースバーの下端あるいは、ロード
セルの下端にワイヤを介してシードホルダを取着した
上、前記シードホルダを上方に吊り上げる機構を設けた
ことを特徴としている。
め、本発明に係る半導体単結晶育成装置の第１の発明で
は、シャフト方式の半導体単結晶育成装置において、全
長を短くした引き上げシャフトまたはフォースバーの下
端あるいは、ロードセルの下端にワイヤを介してシード
ホルダを取着した上、前記ワイヤの一部をシードホルダ
の上方で横方向にたぐり寄せる機構を設けたことを特徴
としている。また第２の発明では、シャフト方式の半導
体単結晶育成装置において、全長を短くした引き上げシ
ャフトまたはフォースバーの下端あるいは、ロードセル
の下端にワイヤ引張り機構を設け、一端にシードホルダ
を釣支したワイヤの他端を前記ワイヤ引張り機構に掛止
したことを特徴とし、第３の発明では、シャフト方式の
半導体単結晶育成装置において、全長を短くした引き上
げシャフトまたはフォースバーの下端あるいは、ロード
セルの下端にワイヤを介してシードホルダを取着した
上、前記シードホルダを上方に吊り上げる機構を設けた
ことを特徴としている。
【０００６】
【作用】シャフト方式の半導体単結晶育成装置におい
て、上記第１の発明は、光学式直径制御システムを用い
る単結晶育成装置の場合は全長を短くした引き上げシャ
フトの下端あるいは、ロードセルの下端、結晶重量式直
径制御システムを用いる単結晶育成装置の場合は全長を
短くしたフォースバーの下端あるいは、ロードセルの下
端にワイヤを介してシードホルダを取着し、従来のシャ
フトまたはフォースバーの大部分あるいは、全体をワイ
ヤに置き換えたものである。このワイヤの一部をシード
ホルダの上方で水平方向にたぐり寄せることにより、単
結晶育成装置の全高を高くしなくてもシード移動ストロ
ークを従来よりも長くすることができ、単結晶はより上
方に引き上げられる。従って、従来よりも長尺の単結晶
を取り出すことができる。
て、上記第１の発明は、光学式直径制御システムを用い
る単結晶育成装置の場合は全長を短くした引き上げシャ
フトの下端あるいは、ロードセルの下端、結晶重量式直
径制御システムを用いる単結晶育成装置の場合は全長を
短くしたフォースバーの下端あるいは、ロードセルの下
端にワイヤを介してシードホルダを取着し、従来のシャ
フトまたはフォースバーの大部分あるいは、全体をワイ
ヤに置き換えたものである。このワイヤの一部をシード
ホルダの上方で水平方向にたぐり寄せることにより、単
結晶育成装置の全高を高くしなくてもシード移動ストロ
ークを従来よりも長くすることができ、単結晶はより上
方に引き上げられる。従って、従来よりも長尺の単結晶
を取り出すことができる。
【０００７】第２の発明では、引き上げシャフトまたは
フォースバーの下端あるいは、ロードセルの下端にワイ
ヤ引張り機構を設け、シードホルダを釣支するワイヤの
端末を前記ワイヤ引張り機構に掛止したので、ワイヤ引
張り手段を用いて前記ワイヤの端末を引っ張ることによ
り、単結晶を従来よりも上方まで引き上げることができ
る。また第３の発明では、引き上げシャフトまたはフォ
ースバーの下端にワイヤを連結した上、前記ワイヤの下
端に取着したシードホルダを上方に吊り上げる機構を設
けたので、前記吊り上げ機構を駆動することにより単結
晶を従来よりも上方まで引き上げることができる。
フォースバーの下端あるいは、ロードセルの下端にワイ
ヤ引張り機構を設け、シードホルダを釣支するワイヤの
端末を前記ワイヤ引張り機構に掛止したので、ワイヤ引
張り手段を用いて前記ワイヤの端末を引っ張ることによ
り、単結晶を従来よりも上方まで引き上げることができ
る。また第３の発明では、引き上げシャフトまたはフォ
ースバーの下端にワイヤを連結した上、前記ワイヤの下
端に取着したシードホルダを上方に吊り上げる機構を設
けたので、前記吊り上げ機構を駆動することにより単結
晶を従来よりも上方まで引き上げることができる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体単結晶育成装置
の実施例について、図面を参照して説明する。図１は請
求項１の第１実施例に基づく半導体単結晶育成装置の概
略構成を示す模式図で、育成の完了した単結晶をチャン
バ上方に引き上げて冷却している状態を示している。こ
の単結晶育成装置は結晶重量式直径制御システムを有
し、装置頂部にロードセル１が設けられている。前記ロ
ードセル１に連結されたフォースバーの長さは極めて短
いものであり、その下端にワイヤ２が接続されている。
また、ロードセル下端に直接ワイヤ２を接続してもい
い。前記ワイヤ２の下端にはシードホルダ３が取着さ
れ、種子結晶の下端には育成された単結晶４が釣支され
ている。また、チャンバ５の上方空間はベローズ６によ
って被包され、減圧状態が維持されている。前記ベロー
ズ６の左外側には２個のプーリ７，８が配設され、右外
側にはプーリ９が配設されている。これらのプーリ７，
８，９はいずれも図示しない手段によって水平方向に移
動可能である。なお、１０は融液を貯留するるつぼであ
る。
の実施例について、図面を参照して説明する。図１は請
求項１の第１実施例に基づく半導体単結晶育成装置の概
略構成を示す模式図で、育成の完了した単結晶をチャン
バ上方に引き上げて冷却している状態を示している。こ
の単結晶育成装置は結晶重量式直径制御システムを有
し、装置頂部にロードセル１が設けられている。前記ロ
ードセル１に連結されたフォースバーの長さは極めて短
いものであり、その下端にワイヤ２が接続されている。
また、ロードセル下端に直接ワイヤ２を接続してもい
い。前記ワイヤ２の下端にはシードホルダ３が取着さ
れ、種子結晶の下端には育成された単結晶４が釣支され
ている。また、チャンバ５の上方空間はベローズ６によ
って被包され、減圧状態が維持されている。前記ベロー
ズ６の左外側には２個のプーリ７，８が配設され、右外
側にはプーリ９が配設されている。これらのプーリ７，
８，９はいずれも図示しない手段によって水平方向に移
動可能である。なお、１０は融液を貯留するるつぼであ
る。
【０００９】冷却した単結晶４を炉外に取り出すに当た
り、ベローズ６を上方に圧縮する。このとき、プーリ
７，８，９から下方が露出される。次に、図２に示すよ
うにプーリ７，８をワイヤ２に当接するまで右方に水平
移動させ、プーリ９をワイヤ２に当接した後も更に左方
に水平移動させる。これによりワイヤ２の一部は、プー
リ７から上方の部分とプーリ８から下方の部分とを垂直
に保ちながらその中間の部分が横方向にたぐり寄せら
れ、その分だけ単結晶４が上方に引き上げられることに
なる。従って、従来よりも直胴部長さの長い単結晶を取
り出すことができる。
り、ベローズ６を上方に圧縮する。このとき、プーリ
７，８，９から下方が露出される。次に、図２に示すよ
うにプーリ７，８をワイヤ２に当接するまで右方に水平
移動させ、プーリ９をワイヤ２に当接した後も更に左方
に水平移動させる。これによりワイヤ２の一部は、プー
リ７から上方の部分とプーリ８から下方の部分とを垂直
に保ちながらその中間の部分が横方向にたぐり寄せら
れ、その分だけ単結晶４が上方に引き上げられることに
なる。従って、従来よりも直胴部長さの長い単結晶を取
り出すことができる。
【００１０】図３は請求項１の第２実施例に基づく半導
体単結晶育成装置の概略構成を示す模式図で、育成の完
了した単結晶を冷却中の状態を示している。この単結晶
育成装置は結晶重量式直径制御システムを有し、第１実
施例と同様にロードセル１には長さの短いフォースバー
を介してワイヤ２が接続されている。また、ロードセル
下端に直接ワイヤ２を接続してもいい。また、磁性流動
体ケース１１とベローズ６との間にプーリケース１２が
設けられ、このプーリケース１２内にはワイヤ２の近傍
左側に２個のプーリ７，８が、右側にはプーリ９がいず
れも水平方向に移動自在に収容されている。
体単結晶育成装置の概略構成を示す模式図で、育成の完
了した単結晶を冷却中の状態を示している。この単結晶
育成装置は結晶重量式直径制御システムを有し、第１実
施例と同様にロードセル１には長さの短いフォースバー
を介してワイヤ２が接続されている。また、ロードセル
下端に直接ワイヤ２を接続してもいい。また、磁性流動
体ケース１１とベローズ６との間にプーリケース１２が
設けられ、このプーリケース１２内にはワイヤ２の近傍
左側に２個のプーリ７，８が、右側にはプーリ９がいず
れも水平方向に移動自在に収容されている。
【００１１】育成の完了した単結晶４はベローズ６に囲
まれた空間内に引き上げられるが、従来よりも長尺の単
結晶の場合は、シード移動ストローク限度まで引き上げ
ても単結晶の下端がゲートバルブよりも上方に上がらな
い場合がある。しかし本実施例の場合はプーリ７，８を
ワイヤ２に当接するまで右方に水平移動させ、プーリ９
をワイヤ２に当接した後も更に左方に水平移動させるこ
とにより、ワイヤ２の一部がプーリケース１２内で横方
向にたぐり寄せられるので、単結晶４の下端をゲートバ
ルブよりも上方に引き上げることができる。冷却済みの
単結晶４はベローズ６を上方に圧縮した後、取り出され
る。
まれた空間内に引き上げられるが、従来よりも長尺の単
結晶の場合は、シード移動ストローク限度まで引き上げ
ても単結晶の下端がゲートバルブよりも上方に上がらな
い場合がある。しかし本実施例の場合はプーリ７，８を
ワイヤ２に当接するまで右方に水平移動させ、プーリ９
をワイヤ２に当接した後も更に左方に水平移動させるこ
とにより、ワイヤ２の一部がプーリケース１２内で横方
向にたぐり寄せられるので、単結晶４の下端をゲートバ
ルブよりも上方に引き上げることができる。冷却済みの
単結晶４はベローズ６を上方に圧縮した後、取り出され
る。
【００１２】図４は請求項２の第１実施例に基づく半導
体単結晶育成装置において、育成した単結晶を取り出す
場合を示す模式図である。長さの短い引き上げシャフト
またはフォースバー１３の下端にはプーリ１４が軸着さ
れ、ワイヤ２の上端は前記プーリ１４から外れないよう
にストッパによって掛止されている。ワイヤ２の下端に
はシードホルダ３が取着され、プーリ１４は、単結晶育
成時にワイヤ２が引き上げシャフトまたはフォースバー
１３の中心を通る鉛直線と一致する位置を維持するよう
に取り付けられている。
体単結晶育成装置において、育成した単結晶を取り出す
場合を示す模式図である。長さの短い引き上げシャフト
またはフォースバー１３の下端にはプーリ１４が軸着さ
れ、ワイヤ２の上端は前記プーリ１４から外れないよう
にストッパによって掛止されている。ワイヤ２の下端に
はシードホルダ３が取着され、プーリ１４は、単結晶育
成時にワイヤ２が引き上げシャフトまたはフォースバー
１３の中心を通る鉛直線と一致する位置を維持するよう
に取り付けられている。
【００１３】冷却した単結晶４を炉外に取り出す際、ベ
ローズ６を上方に圧縮し、引き上げシャフトまたはフォ
ースバー１３の下端から下の部分を露出する。次に、ワ
イヤ２上端のストッパに図示しないワイヤ引張り手段を
連結してワイヤ２を引っ張り、単結晶４を取り出し可能
な高さまで引き上げる。この操作により、従来よりも長
尺の単結晶を取り出すことができる。
ローズ６を上方に圧縮し、引き上げシャフトまたはフォ
ースバー１３の下端から下の部分を露出する。次に、ワ
イヤ２上端のストッパに図示しないワイヤ引張り手段を
連結してワイヤ２を引っ張り、単結晶４を取り出し可能
な高さまで引き上げる。この操作により、従来よりも長
尺の単結晶を取り出すことができる。
【００１４】図５は請求項２の第２実施例に基づく半導
体単結晶育成装置において、育成した単結晶を取り出す
場合を示す模式図で、長さの短い引き上げシャフトまた
はフォースバー１３の下端に２個のプーリ１５が軸着さ
れ、シードホルダ３の上端にもプーリ１６が軸着されて
いる。ワイヤ２は、一側のプーリ１５からプーリ１６を
介して他側のプーリ１５に張架され、左右両端末にはそ
れぞれストッパが取着されていて、前記プーリ１５から
脱落することを防止している。図示しないワイヤ引張り
手段によりワイヤ２の両端を引っ張ることにより、単結
晶４を取り出し可能な高さまで引き上げることができ
る。
体単結晶育成装置において、育成した単結晶を取り出す
場合を示す模式図で、長さの短い引き上げシャフトまた
はフォースバー１３の下端に２個のプーリ１５が軸着さ
れ、シードホルダ３の上端にもプーリ１６が軸着されて
いる。ワイヤ２は、一側のプーリ１５からプーリ１６を
介して他側のプーリ１５に張架され、左右両端末にはそ
れぞれストッパが取着されていて、前記プーリ１５から
脱落することを防止している。図示しないワイヤ引張り
手段によりワイヤ２の両端を引っ張ることにより、単結
晶４を取り出し可能な高さまで引き上げることができ
る。
【００１５】図６は請求項３の実施例に基づく半導体単
結晶育成装置において、育成した単結晶を取り出す場合
を示す模式図である。シードホルダ３の上部にはくびれ
が設けられ、このくびれの部分に引き上げ金具１７が嵌
着されている。前記引き上げ金具１７の左右両端と単結
晶育成装置の頂部に設置された２個のワイヤ巻き取りド
ラム１８との間にそれぞれワイヤ１９が張架されてい
る。前記ワイヤ１９は単結晶４の育成中はたるませてお
き、ロードセルにフォースバーを介して連結されたワイ
ヤ２のみに荷重がかかるようにしておく。ワイヤ２は直
接ロードセルに連続してもいい。育成が完了した単結晶
４は、前記ワイヤ巻き取りドラム１８を駆動して２本の
ワイヤ１９を巻き取ることにより、ベローズ６で囲まれ
た空間内にシードホルダ３とともに引き上げられ、冷却
される。単結晶４の冷却が完了したら、ベローズ６を上
方に圧縮して炉外に取り出す。
結晶育成装置において、育成した単結晶を取り出す場合
を示す模式図である。シードホルダ３の上部にはくびれ
が設けられ、このくびれの部分に引き上げ金具１７が嵌
着されている。前記引き上げ金具１７の左右両端と単結
晶育成装置の頂部に設置された２個のワイヤ巻き取りド
ラム１８との間にそれぞれワイヤ１９が張架されてい
る。前記ワイヤ１９は単結晶４の育成中はたるませてお
き、ロードセルにフォースバーを介して連結されたワイ
ヤ２のみに荷重がかかるようにしておく。ワイヤ２は直
接ロードセルに連続してもいい。育成が完了した単結晶
４は、前記ワイヤ巻き取りドラム１８を駆動して２本の
ワイヤ１９を巻き取ることにより、ベローズ６で囲まれ
た空間内にシードホルダ３とともに引き上げられ、冷却
される。単結晶４の冷却が完了したら、ベローズ６を上
方に圧縮して炉外に取り出す。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、引
き上げシャフトまたはフォースバーの長さを短くしてそ
の下端にワイヤを連結し、このワイヤを横方向または上
方向にたぐり寄せる機構を設けて単結晶をより上方に引
き上げられるようにしたので、ケーブル巻き上げ機構を
持たないシャフト方式の半導体単結晶育成装置を用い
て、従来よりも長尺の単結晶を引き上げることが可能と
なる。従って、下記の効果が得られる。 （１）半導体単結晶育成装置の高さと、前記育成装置を
収容するクリーンルームの高さを、従来のシャフト方式
の場合に比べて低くすることができ、設備コストの低
減、ひいては単結晶製造コストの低減が可能となる。ま
た、既存のシャフト方式の単結晶育成装置に小規模の改
良を施すことにより、従来よりも長尺の単結晶を引き上
げることができるようになる。 （２）本発明を適用すればシード移動ストロークに余裕
ができるので、るつぼの大口径化すなわちチャージ量の
増大が可能となり、単結晶生産効率を向上させることが
できる。
き上げシャフトまたはフォースバーの長さを短くしてそ
の下端にワイヤを連結し、このワイヤを横方向または上
方向にたぐり寄せる機構を設けて単結晶をより上方に引
き上げられるようにしたので、ケーブル巻き上げ機構を
持たないシャフト方式の半導体単結晶育成装置を用い
て、従来よりも長尺の単結晶を引き上げることが可能と
なる。従って、下記の効果が得られる。 （１）半導体単結晶育成装置の高さと、前記育成装置を
収容するクリーンルームの高さを、従来のシャフト方式
の場合に比べて低くすることができ、設備コストの低
減、ひいては単結晶製造コストの低減が可能となる。ま
た、既存のシャフト方式の単結晶育成装置に小規模の改
良を施すことにより、従来よりも長尺の単結晶を引き上
げることができるようになる。 （２）本発明を適用すればシード移動ストロークに余裕
ができるので、るつぼの大口径化すなわちチャージ量の
増大が可能となり、単結晶生産効率を向上させることが
できる。
【図１】請求項１の第１実施例に基づく半導体単結晶育
成装置の概略構成を示す模式図である。
成装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】図１の半導体単結晶育成装置において、単結晶
を取り出す場合を示す模式図である。
を取り出す場合を示す模式図である。
【図３】請求項１の第２実施例に基づく半導体単結晶育
成装置の概略構成を示す模式図である。
成装置の概略構成を示す模式図である。
【図４】請求項２の第１実施例に基づく半導体単結晶育
成装置において、単結晶を取り出す場合を示す模式図で
ある。
成装置において、単結晶を取り出す場合を示す模式図で
ある。
【図５】請求項２の第２実施例に基づく半導体単結晶育
成装置において、単結晶を取り出す場合を示す模式図で
ある。
成装置において、単結晶を取り出す場合を示す模式図で
ある。
【図６】請求項３の実施例に基づく半導体単結晶育成装
置において、単結晶を取り出す場合を示す模式図であ
る。
置において、単結晶を取り出す場合を示す模式図であ
る。
【図７】シャフト方式による従来の半導体単結晶育成装
置の主要部分について、その概略構成を示す模式図であ
る。
置の主要部分について、その概略構成を示す模式図であ
る。
１ ロードセル ２，１９ ワイヤ ３ シードホルダ ４ 単結晶 ７，８，９，１４，１５，１６ プーリ １２ プーリケース １３ フォースバー １７ 引き上げ金具 １８ ワイヤ巻き取りドラム
Claims (3)
- 【請求項１】 シャフト方式の半導体単結晶育成装置に
おいて、全長を短くした引き上げシャフトまたはフォー
スバーの下端あるいは、ロードセルの下端にワイヤを介
してシードホルダを取着した上、前記ワイヤの一部をシ
ードホルダの上方で横方向にたぐり寄せる機構を設けた
ことを特徴とする半導体単結晶育成装置。 - 【請求項２】 シャフト方式の半導体単結晶育成装置に
おいて、全長を短くした引き上げシャフトまたはフォー
スバーの下端あるいは、ロードセルの下端にワイヤ引張
り機構を設け、一端にシードホルダを釣支したワイヤの
他端を前記ワイヤ引張り機構に掛止したことを特徴とす
る半導体単結晶育成装置。 - 【請求項３】 シャフト方式の半導体単結晶育成装置に
おいて、全長を短くした引き上げシャフトまたはフォー
スバーの下端あるいは、ロードセルの下端にワイヤを介
してシードホルダを取着した上、前記シードホルダを上
方に吊り上げる機構を設けたことを特徴とする半導体単
結晶育成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05287621A JP3076488B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 半導体単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05287621A JP3076488B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 半導体単結晶育成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07118091A JPH07118091A (ja) | 1995-05-09 |
| JP3076488B2 true JP3076488B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=17719628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05287621A Expired - Fee Related JP3076488B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 半導体単結晶育成装置 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3076488B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5483591B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2014-05-07 | 日鉄住金ファインテック株式会社 | 単結晶引上装置および坩堝支持装置 |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP05287621A patent/JP3076488B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07118091A (ja) | 1995-05-09 |
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