JPH0772116B2 - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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- JPH0772116B2 JPH0772116B2 JP3042168A JP4216891A JPH0772116B2 JP H0772116 B2 JPH0772116 B2 JP H0772116B2 JP 3042168 A JP3042168 A JP 3042168A JP 4216891 A JP4216891 A JP 4216891A JP H0772116 B2 JPH0772116 B2 JP H0772116B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- electrodes
- single crystal
- crucible
- crystal pulling
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヒーター移動が可能な
単結晶引上装置に関する。
単結晶引上装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】所謂ＣＺ法（Czochralski 法）を採用す
る単結晶引上装置は、チャンバー内に、その中心軸回り
に回転駆動されるルツボ、該ルツボの周囲に配されるヒ
ーター等を収納して構成され、ルツボ内に投入されたシ
リコン等の多結晶原料をヒーターによって溶融して多結
晶融液を得、この多結晶融液に、ワイヤー等の上軸の下
端に取り付けられた種結晶を浸漬し、上軸を回転させな
がらこれを所定の速度で引き上げることによって種結晶
の下に所要の単結晶を成長させる装置である。
る単結晶引上装置は、チャンバー内に、その中心軸回り
に回転駆動されるルツボ、該ルツボの周囲に配されるヒ
ーター等を収納して構成され、ルツボ内に投入されたシ
リコン等の多結晶原料をヒーターによって溶融して多結
晶融液を得、この多結晶融液に、ワイヤー等の上軸の下
端に取り付けられた種結晶を浸漬し、上軸を回転させな
がらこれを所定の速度で引き上げることによって種結晶
の下に所要の単結晶を成長させる装置である。
【０００３】斯かる単結晶引上装置においては、ルツボ
内の多結晶融液の液位は単結晶の引き上げと共に下がる
ため、融液面をチャンバー内で一定高さ位置に保つため
には液位の低下分だけルツボを上動せしめる必要があ
り、そのために従来からルツボは上下動自在に支持さ
れ、単結晶引き上げ時には融液面の位置が一定になるよ
うに該ルツボは駆動手段によって所定の速度で上動せし
められていた。
内の多結晶融液の液位は単結晶の引き上げと共に下がる
ため、融液面をチャンバー内で一定高さ位置に保つため
には液位の低下分だけルツボを上動せしめる必要があ
り、そのために従来からルツボは上下動自在に支持さ
れ、単結晶引き上げ時には融液面の位置が一定になるよ
うに該ルツボは駆動手段によって所定の速度で上動せし
められていた。
【０００４】しかしながら、従来、ヒーターは固定であ
って、単結晶引き上げ中に移動しないため、チャンバー
内のヒートバランスを一定に保てず、引き上げられる単
結晶の成長軸方向の酸素濃度分布が引き上げの進行と共
に低下する傾向があった。
って、単結晶引き上げ中に移動しないため、チャンバー
内のヒートバランスを一定に保てず、引き上げられる単
結晶の成長軸方向の酸素濃度分布が引き上げの進行と共
に低下する傾向があった。
【０００５】そこで、ヒーターを移動可能に支持し、ル
ツボの移動に応じてヒーターを移動せしめるヒーター移
動型の単結晶引上装置が提案されている。
ツボの移動に応じてヒーターを移動せしめるヒーター移
動型の単結晶引上装置が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図４の平面
図に示すように、従来はヒーター１０５が２本の電極１
０８，１０８によって相対向する２点（円周上で角度１
８０°だけ隔てた２点）を支持されているのみであった
ため、ヒーター１０５の不支持点、特に支持点から周方
向に角度９０°をなす点ａ，ｂでの変形量が局部的に大
きくなる。特に、近年の単結晶の大口径化の傾向に伴っ
てヒーター径が大きくなると、ヒーターの局部的な変形
量も大きくなり、該ヒーターとルツボとの径方向距離が
周方向に不均一となり、チャンバー内の周方向の熱分布
に不均一が生じるとともに、ヒーターとこれを囲むヒー
トシールドとのクリアランスが約２０ｍｍ程度と小さい
ため、最悪の場合には両者が接触して種々の不具合が発
生する虞がある。
図に示すように、従来はヒーター１０５が２本の電極１
０８，１０８によって相対向する２点（円周上で角度１
８０°だけ隔てた２点）を支持されているのみであった
ため、ヒーター１０５の不支持点、特に支持点から周方
向に角度９０°をなす点ａ，ｂでの変形量が局部的に大
きくなる。特に、近年の単結晶の大口径化の傾向に伴っ
てヒーター径が大きくなると、ヒーターの局部的な変形
量も大きくなり、該ヒーターとルツボとの径方向距離が
周方向に不均一となり、チャンバー内の周方向の熱分布
に不均一が生じるとともに、ヒーターとこれを囲むヒー
トシールドとのクリアランスが約２０ｍｍ程度と小さい
ため、最悪の場合には両者が接触して種々の不具合が発
生する虞がある。
【０００７】又、ヒーターは脆弱なカーボンにて成形さ
れているため、僅かな変形で割れが生じ易く、繰り返さ
れる解体、セット時に破損する危険がある。
れているため、僅かな変形で割れが生じ易く、繰り返さ
れる解体、セット時に破損する危険がある。
【０００８】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、大口径のヒーターであって
も、これの変形量を最小限に抑え、該ヒーターとルツボ
及びヒートシールドとの距離を周方向に一定に保ってチ
ャンバー内の周方向熱分布の均一化、ヒーターとヒート
シールドとの接触防止等を図ることができるとともに、
ヒーター自身の耐久性向上を図ることができる単結晶引
上装置を提供することにある。
で、その目的とする処は、大口径のヒーターであって
も、これの変形量を最小限に抑え、該ヒーターとルツボ
及びヒートシールドとの距離を周方向に一定に保ってチ
ャンバー内の周方向熱分布の均一化、ヒーターとヒート
シールドとの接触防止等を図ることができるとともに、
ヒーター自身の耐久性向上を図ることができる単結晶引
上装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、チャンバー内のルツボの周囲に配されるヒータ
ーを上下動させる単結晶引上装置において、前記ヒータ
ーを長さ方向にスリットを有する筒状の単一ヒーターと
し、且つ当該ヒーターを２個の電極と複数のダミー電極
の組み合わせで支持するとともに、これら電極及びダミ
ー電極を同期させて一体的に上下動させるようにしたこ
とを特徴とする。
発明は、チャンバー内のルツボの周囲に配されるヒータ
ーを上下動させる単結晶引上装置において、前記ヒータ
ーを長さ方向にスリットを有する筒状の単一ヒーターと
し、且つ当該ヒーターを２個の電極と複数のダミー電極
の組み合わせで支持するとともに、これら電極及びダミ
ー電極を同期させて一体的に上下動させるようにしたこ
とを特徴とする。
【００１０】又、本発明は、同様の単結晶引上装置にお
いて、前記ヒーターを長さ方向にスリットを有し、円周
方向に複数のヒーター要素に分割され、且つ一体的に構
成された筒状ヒーターとし、並びに当該ヒーターを４個
以上の電極又は４個以上の電極と複数のダミー電極の組
み合わせで支持するとともに、これら電極及びダミー電
極を同期させて一体的に上下動させるようにしたことを
特徴とする。
いて、前記ヒーターを長さ方向にスリットを有し、円周
方向に複数のヒーター要素に分割され、且つ一体的に構
成された筒状ヒーターとし、並びに当該ヒーターを４個
以上の電極又は４個以上の電極と複数のダミー電極の組
み合わせで支持するとともに、これら電極及びダミー電
極を同期させて一体的に上下動させるようにしたことを
特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明によれば、ヒーターは複数の電極の他に
複数のダミー電極によって支持されるため、その変形量
が周方向に均一となって、且つ小さく抑えられる。従っ
て、ヒーターとルツボ及びヒートシールドとの距離が周
方向に均一に保たれ、チャンバー内の熱分布が周方向に
均一化されるとともに、ヒーターとヒートシールドとの
接触が防がれる。
複数のダミー電極によって支持されるため、その変形量
が周方向に均一となって、且つ小さく抑えられる。従っ
て、ヒーターとルツボ及びヒートシールドとの距離が周
方向に均一に保たれ、チャンバー内の熱分布が周方向に
均一化されるとともに、ヒーターとヒートシールドとの
接触が防がれる。
【００１２】又、ヒーターの変化量が小さく抑えられる
結果、該ヒーター自身の割れや破損が免がれ、その耐久
性向上が図られる。
結果、該ヒーター自身の割れや破損が免がれ、その耐久
性向上が図られる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１は本発明に係る単結晶引上装置の断面
図、図２はヒーターの側面図、図３は同ヒーターの平面
図である。
図、図２はヒーターの側面図、図３は同ヒーターの平面
図である。
【００１５】図１に示す単結晶引上装置１において、２
はステンレス製円筒から成るメインチャンバーであっ
て、これの内部には石英製のルツボ３がルツボ軸４によ
って上下動自在に支持されて収納されている。そして、
このルツボ３の周囲には、カーボン製の円筒状ヒーター
５が配され、このヒーター５の周囲には同じくカーボン
製の円筒状ヒートシールド６が配されている。
はステンレス製円筒から成るメインチャンバーであっ
て、これの内部には石英製のルツボ３がルツボ軸４によ
って上下動自在に支持されて収納されている。そして、
このルツボ３の周囲には、カーボン製の円筒状ヒーター
５が配され、このヒーター５の周囲には同じくカーボン
製の円筒状ヒートシールド６が配されている。
【００１６】ところで、前記ヒータ５ーは図２及び図３
に示すように円筒状に成形され、これには抵抗値をコン
トロールするための複数のスリット５ａ…が形成されて
いる。そして、このヒーター５は、図３に示すように、
その下部を２本の電極７，７と４本のダミー電極８…に
よって支持されるが、これら電極７，７及びダミー電極
８…は同一円周上に等角度ピッチ（６０°ピッチ）で配
されている。
に示すように円筒状に成形され、これには抵抗値をコン
トロールするための複数のスリット５ａ…が形成されて
いる。そして、このヒーター５は、図３に示すように、
その下部を２本の電極７，７と４本のダミー電極８…に
よって支持されるが、これら電極７，７及びダミー電極
８…は同一円周上に等角度ピッチ（６０°ピッチ）で配
されている。
【００１７】而して、上記電極７，７及びダミー電極８
…は、図１に示すように、メインチャンバー２の底部を
摺動自在に貫通してメインチャンバー２外に延出してお
り、これら電極７，７及びダミー電極８…の下端に結着
されたリング状の移動キャリア９には、該移動キャリア
９の上下に固設されたリング状のプレート１０，１１間
に垂直に架設された３本のガイド軸１２…（図１には１
本のみ図示）が摺動自在に挿通している。又、プレート
１０，１１間には１本のボールネジ軸１３が回転自在に
支承されて垂直に設けられており、該ボールネジ軸１３
は前記移動キャリア９に螺合、挿通している。そして、
このボールネジ軸１３の移動キャリア９の下方へ突出す
る端部にはタイミングプーリー１４が結着されており、
該タイミングプーリー１４と図示のモーターＭ１の出力
軸端に結着されたタイミングプーリー１５との間には無
端状のタイミングベルト１６が巻き掛けられている。
…は、図１に示すように、メインチャンバー２の底部を
摺動自在に貫通してメインチャンバー２外に延出してお
り、これら電極７，７及びダミー電極８…の下端に結着
されたリング状の移動キャリア９には、該移動キャリア
９の上下に固設されたリング状のプレート１０，１１間
に垂直に架設された３本のガイド軸１２…（図１には１
本のみ図示）が摺動自在に挿通している。又、プレート
１０，１１間には１本のボールネジ軸１３が回転自在に
支承されて垂直に設けられており、該ボールネジ軸１３
は前記移動キャリア９に螺合、挿通している。そして、
このボールネジ軸１３の移動キャリア９の下方へ突出す
る端部にはタイミングプーリー１４が結着されており、
該タイミングプーリー１４と図示のモーターＭ１の出力
軸端に結着されたタイミングプーリー１５との間には無
端状のタイミングベルト１６が巻き掛けられている。
【００１８】又、電極７，７の各下端部には、ヒーター
５に電力を供給するためのフルキシブルリード板１７，
１７（図１には一方のみ図示）が結着されており、これ
らフルキシブルリード板１７，１７は不図示の加熱電源
装置に接続されている。尚、ダミー電極８…は電気的に
絶縁されており、これらは電極７，７と共にヒーター５
の上下動に対してガイド軸として機能する。
５に電力を供給するためのフルキシブルリード板１７，
１７（図１には一方のみ図示）が結着されており、これ
らフルキシブルリード板１７，１７は不図示の加熱電源
装置に接続されている。尚、ダミー電極８…は電気的に
絶縁されており、これらは電極７，７と共にヒーター５
の上下動に対してガイド軸として機能する。
【００１９】一方、ルツボ３を支持する前記ルツボ軸４
はメインチャンバー２の底部を摺動自在に貫通して該メ
インチャンバー２外へ垂直に延出しており、その下端部
はスライダー１８に回転自在に支承されている。
はメインチャンバー２の底部を摺動自在に貫通して該メ
インチャンバー２外へ垂直に延出しており、その下端部
はスライダー１８に回転自在に支承されている。
【００２０】又、メインチャンバー２の底部とプレート
１９間には、３本のガイド軸２０…（図１には１本のみ
図示）が前記スライダー１８を摺動自在に貫通して垂直
に架設されるとともに、１本のボールネジ軸２１がスラ
イダー１８を螺合、貫通して設けられている。そして、
ボールネジ軸２１のプレート１９の下方へ突出する端部
に結着されたタイミングプーリー２２と図示のモーター
Ｍ２の出力軸端に結着されたタイミングプーリー２３と
の間には無端状のタイミングベルト２４が巻き掛けられ
ている。
１９間には、３本のガイド軸２０…（図１には１本のみ
図示）が前記スライダー１８を摺動自在に貫通して垂直
に架設されるとともに、１本のボールネジ軸２１がスラ
イダー１８を螺合、貫通して設けられている。そして、
ボールネジ軸２１のプレート１９の下方へ突出する端部
に結着されたタイミングプーリー２２と図示のモーター
Ｍ２の出力軸端に結着されたタイミングプーリー２３と
の間には無端状のタイミングベルト２４が巻き掛けられ
ている。
【００２１】更に、前記スライダー１８にはモーターＭ
３が取り付けられており、該モーターＭ３の出力軸端に
結着されたタイミングプーリー２５と前記ルツボ軸４の
スライダー１８の下方へ突出する端部に結着されたタイ
ミングプーリー２６との間には無端状のタイミングベル
ト２７が巻き掛けられている。
３が取り付けられており、該モーターＭ３の出力軸端に
結着されたタイミングプーリー２５と前記ルツボ軸４の
スライダー１８の下方へ突出する端部に結着されたタイ
ミングプーリー２６との間には無端状のタイミングベル
ト２７が巻き掛けられている。
【００２２】尚、メインチャンバー２の上部には、間に
アイソレーションバルブ２８を介在せしめてプルチャン
バー２９が立設されており、プルチャンバー２９の上部
には不図示の巻上装置が取り付けられている。そして、
巻上装置に巻回された上軸であるワイヤー３０の一端は
垂直に吊り下げられており、その端部には種結晶保持具
３１によって種結晶３２が取り付けられている。
アイソレーションバルブ２８を介在せしめてプルチャン
バー２９が立設されており、プルチャンバー２９の上部
には不図示の巻上装置が取り付けられている。そして、
巻上装置に巻回された上軸であるワイヤー３０の一端は
垂直に吊り下げられており、その端部には種結晶保持具
３１によって種結晶３２が取り付けられている。
【００２３】次に、本単結晶引上装置１の作用を説明す
る。
る。
【００２４】単結晶の引き上げに際しては、前記アイソ
レーションバルブ２８が開けられてメインチャンバー２
とプルチャンバー２９とが連通せしめられた上で、両チ
ャンバー２，２９内は減圧下の不活性ガスで満たされ、
単結晶の引き上げは不活性ガス雰囲気中で行なわれる。
レーションバルブ２８が開けられてメインチャンバー２
とプルチャンバー２９とが連通せしめられた上で、両チ
ャンバー２，２９内は減圧下の不活性ガスで満たされ、
単結晶の引き上げは不活性ガス雰囲気中で行なわれる。
【００２５】即ち、ルツボ３内にはシリコン等の多結晶
原料が投入され、この多結晶原料はヒーター５によって
加熱、溶融され、ルツボ３内には多結晶融液３３が収容
される。その後、不図示の巻上装置が駆動され、これに
巻回された前記ワイヤー３０が徐々に下げられてその下
端に取り付けられた前記種結晶３２がルツボ３内の多結
晶融液３３に浸漬される。
原料が投入され、この多結晶原料はヒーター５によって
加熱、溶融され、ルツボ３内には多結晶融液３３が収容
される。その後、不図示の巻上装置が駆動され、これに
巻回された前記ワイヤー３０が徐々に下げられてその下
端に取り付けられた前記種結晶３２がルツボ３内の多結
晶融液３３に浸漬される。
【００２６】次に、モーターＭ３が駆動され、これの回
転がプーリー２５、タイミングベルト２７及びプーリー
２６を経てルツボ軸４に伝達され、該ルツボ軸４及びこ
れに支持されたルツボ３がその中心軸回りに所定の速度
ＣＲで回転駆動される。これと同時に、不図示の巻上装
置が駆動されてワイヤー３０が所定の速度ＳＥで巻き取
られるとともに、速度ＳＲで回転せしめられ、この結
果、ワイヤー３０は回転しながら上昇し、これの下端に
取り付けられた種結晶３２には単結晶が成長して図１に
示すように単結晶インゴットＷが引き上げられる。
転がプーリー２５、タイミングベルト２７及びプーリー
２６を経てルツボ軸４に伝達され、該ルツボ軸４及びこ
れに支持されたルツボ３がその中心軸回りに所定の速度
ＣＲで回転駆動される。これと同時に、不図示の巻上装
置が駆動されてワイヤー３０が所定の速度ＳＥで巻き取
られるとともに、速度ＳＲで回転せしめられ、この結
果、ワイヤー３０は回転しながら上昇し、これの下端に
取り付けられた種結晶３２には単結晶が成長して図１に
示すように単結晶インゴットＷが引き上げられる。
【００２７】ところで、単結晶の引き上げが進行するに
伴ってルツボ３内の融液３３の液位が下がるため、該融
液３３の液面をメインチャンバー２内で一定高さ位置に
保つためにルツボ３が所定の速度ＣＥで上動せしめられ
る。即ち、モーターＭ２が駆動されてこれの回転がプー
リー２３、タイミングベルト２４及びプーリー２２を経
てボールネジ軸２１に伝達され、該ボールネジ軸２１が
回転駆動されると、スライダー１８がガイド軸２０…に
案内されて上動せしめられるため、該スライダー１８に
支承されたルツボ軸４及び該ルツボ軸４に支持されたル
ツボ３が所定の速度ＣＥで上動せしめられる。
伴ってルツボ３内の融液３３の液位が下がるため、該融
液３３の液面をメインチャンバー２内で一定高さ位置に
保つためにルツボ３が所定の速度ＣＥで上動せしめられ
る。即ち、モーターＭ２が駆動されてこれの回転がプー
リー２３、タイミングベルト２４及びプーリー２２を経
てボールネジ軸２１に伝達され、該ボールネジ軸２１が
回転駆動されると、スライダー１８がガイド軸２０…に
案内されて上動せしめられるため、該スライダー１８に
支承されたルツボ軸４及び該ルツボ軸４に支持されたル
ツボ３が所定の速度ＣＥで上動せしめられる。
【００２８】又、本実施例では、単結晶の引き上げ中に
ヒーター５も所定の速度ＨＥで移動せしめられる。即
ち、モーターＭ１が駆動されてこれの回転がプーリー１
５、タイミングベルト１６及びプーリー１４を経てボー
ルネジ軸１３に伝達され、該ボールネジ軸１３が回転駆
動されると、移動キャリア９がガイド軸１２…に案内さ
れて移動せしめられるため、該移動キャリア９に支持さ
れた電極７，７、ダミー電極８…及びヒーター５が同期
して所定の速度ＨＥで一体的に移動せしめられる。
ヒーター５も所定の速度ＨＥで移動せしめられる。即
ち、モーターＭ１が駆動されてこれの回転がプーリー１
５、タイミングベルト１６及びプーリー１４を経てボー
ルネジ軸１３に伝達され、該ボールネジ軸１３が回転駆
動されると、移動キャリア９がガイド軸１２…に案内さ
れて移動せしめられるため、該移動キャリア９に支持さ
れた電極７，７、ダミー電極８…及びヒーター５が同期
して所定の速度ＨＥで一体的に移動せしめられる。
【００２９】而して、以上のようにして引き上げられた
単結晶インゴットＷはプルチャンバー２９内に収容さ
れ、その後にアイソレーションバルブ２８が閉じられて
メインチャンバー２とプルチャンバー２９との連通が遮
断され、プルチャンバー２９の開閉扉が開けられて単結
晶インゴットＷが取り出される。
単結晶インゴットＷはプルチャンバー２９内に収容さ
れ、その後にアイソレーションバルブ２８が閉じられて
メインチャンバー２とプルチャンバー２９との連通が遮
断され、プルチャンバー２９の開閉扉が開けられて単結
晶インゴットＷが取り出される。
【００３０】以上において、本実施例では、ヒーター５
は２本の電極７，７の他に４本のダミー電極８…によっ
てその６点を同一円周上等角度ピッチ（６０°ピッチ）
で支持されているため、その変形量が周方向に均一とな
って、且つ小さく抑えられる。従って、ヒーター５とル
ツボ３及びヒートシールド６との距離が周方向に均一に
保たれ、メインチャンバー２内の熱分布が周方向に均一
化されるとともに、ヒーター５とヒートシールド６との
接触が防がれる。
は２本の電極７，７の他に４本のダミー電極８…によっ
てその６点を同一円周上等角度ピッチ（６０°ピッチ）
で支持されているため、その変形量が周方向に均一とな
って、且つ小さく抑えられる。従って、ヒーター５とル
ツボ３及びヒートシールド６との距離が周方向に均一に
保たれ、メインチャンバー２内の熱分布が周方向に均一
化されるとともに、ヒーター５とヒートシールド６との
接触が防がれる。
【００３１】又、上述のようにヒーター５の変形量が小
さく抑えられる結果、該ヒーター５自身の割れや破損が
免がれ、その耐久性向上が図られる。
さく抑えられる結果、該ヒーター５自身の割れや破損が
免がれ、その耐久性向上が図られる。
【００３２】尚、以上の実施例では、電極７，７及びダ
ミー電極８…を単一のモーターＭ１及びボールネジ１３
を使って同期させて一体的に移動させたが、例えば電極
７，７及びダミー電極８…の各々にステッピングモータ
ーを取り付け、これら電極７，７及びダミー電極８…を
同期させて上下動させるようにしてもよい。
ミー電極８…を単一のモーターＭ１及びボールネジ１３
を使って同期させて一体的に移動させたが、例えば電極
７，７及びダミー電極８…の各々にステッピングモータ
ーを取り付け、これら電極７，７及びダミー電極８…を
同期させて上下動させるようにしてもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、チャンバー内のルツボの周囲に配されるヒーター
を上下動させる単結晶引上装置において、前記ヒーター
を複数の電極と複数のダミー電極で支持するとともに、
これら電極及びダミー電極を同期させて一体的に上下動
させるようにしたため、大口径のヒーターであっても、
これの変形量を最小限に抑え、該ヒーターとルツボ及び
ヒートシールドとの距離を周方向に一定に保ってチャン
バー内の周方向熱分布の均一化、ヒーターとヒートシー
ルドとの接触防止等を図ることができるとともに、ヒー
ター自身の耐久性向上を図ることができるという効果が
得られる。
れば、チャンバー内のルツボの周囲に配されるヒーター
を上下動させる単結晶引上装置において、前記ヒーター
を複数の電極と複数のダミー電極で支持するとともに、
これら電極及びダミー電極を同期させて一体的に上下動
させるようにしたため、大口径のヒーターであっても、
これの変形量を最小限に抑え、該ヒーターとルツボ及び
ヒートシールドとの距離を周方向に一定に保ってチャン
バー内の周方向熱分布の均一化、ヒーターとヒートシー
ルドとの接触防止等を図ることができるとともに、ヒー
ター自身の耐久性向上を図ることができるという効果が
得られる。
【図１】本発明に係る単結晶引上装置の断面図である。
【図２】ヒーターの側面図である。
【図３】ヒーターの平面図である。
【図４】従来のヒーターの支持構造を示す平面図であ
る。
る。
１ 単結晶引上装置 ２ メインチャンバー（チャンバー） ３ ルツボ ５ ヒーター ７ 電極 ８ ダミー電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−160788（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−293390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−222983（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−137894（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−50881（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−42165（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバー内のルツボの周囲に配される
ヒーターを上下動させる単結晶引上装置において、前記
ヒーターは長さ方向にスリットを有する筒状の単一ヒー
ターであり、且つ当該ヒーターを２個の電極と複数のダ
ミー電極の組み合わせで支持するとともに、これら電極
及びダミー電極を同期させて一体的に上下動させるよう
にしたことを特徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項２】 チャンバー内のルツボの周囲に配される
ヒーターを上下動させる単結晶引上装置において、前記
ヒーターは長さ方向にスリットを有し、円周方向に複数
のヒーター要素に分割され、且つ一体的に構成された筒
状ヒーターであり、並びに当該ヒーターを４個以上の電
極又は４個以上の電極と複数のダミー電極の組み合わせ
で支持するとともに、これら電極及びダミー電極を同期
させて一体的に上下動させるようにしたことを特徴とす
る単結晶引上装置。 - 【請求項３】 前記電極又は電極とダミー電極の組み合
わせが、前記ルツボ回転軸の同心円の一の円周上に配さ
れることを特徴とする請求項１又は２記載の単結晶引上
装置。
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