JP3041670B2 - 単結晶引上げ装置 - Google Patents

単結晶引上げ装置

Info

Publication number
JP3041670B2
JP3041670B2 JP7191087A JP19108795A JP3041670B2 JP 3041670 B2 JP3041670 B2 JP 3041670B2 JP 7191087 A JP7191087 A JP 7191087A JP 19108795 A JP19108795 A JP 19108795A JP 3041670 B2 JP3041670 B2 JP 3041670B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
heat shield
shield plate
opening
crystal pulling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP7191087A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0920585A (ja
Inventor
栄一 飯野
清隆 高野
雅規 木村
孝司 水石
浩利 山岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP7191087A priority Critical patent/JP3041670B2/ja
Priority to US08/673,590 priority patent/US5735951A/en
Priority to EP96304901A priority patent/EP0752488B1/en
Priority to DE69604455T priority patent/DE69604455T2/de
Publication of JPH0920585A publication Critical patent/JPH0920585A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3041670B2 publication Critical patent/JP3041670B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14Heating of the melt or the crystallised materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • Y10T117/1068Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン単結晶等をチ
ョクラルスキー法(CZ法)により引上げ形成する引上
げ装置に係り、特に、アイソレーションバルブの高温化
によるトラブルを防止するに好適な単結晶引上げ装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】図5に示すようにCZ法によって単結晶
を育成するための引上げ装置1cは大別して、シリコン
の溶融液17を蓄溜する石英製のルツボ18、加熱手段
のヒータ19、断熱材20等を収納するロアチャンバ1
3と、単結晶22を種結晶21を介して引上げるワイヤ
23やこの駆動機構部(図略)を収納するアッパチャン
バ14と、両チャンバ13,14間に介設され両チャン
バ13,14の連通を遮断するアイソレーションバルブ
16のバルブ収納部15等から構成される。なお、アイ
ソレーションバルブ16は、ロアチャンバ13とアッパ
チャンバ14間の開口部24を開閉する形状のものから
なり、各シール手段,冷却手段,真空保持手段等を有す
る構造からなる。
【0003】育成された単結晶22を取り出すには、ま
ず、アイソレーションバルブ16で開口部24を閉止
し、ロアチャンバ13は減圧状態に保持したまま、アッ
パチャンバ14を常圧に戻して単結晶22の取り出しを
行う。次に、アッパチャンバ14を減圧し、アイソレー
ションバルブ16を開き、再び単結晶22の引上げ操作
を行う。なお、アイソレーションバルブ16は閉止時に
おいてはバルブ収納部15と相対向する位置に形成され
る収納部6にその先端側を収納して支持される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】単結晶22の大径化に
伴ってアイソレーションバルブ16も大型化し、その構
造も複雑になってきている。一方、引上げ装置内は高温
雰囲気となっており、このアイソレーションバルブ16
が高温雰囲気に直接接触するとアイソレーションバルブ
16の各シール手段に熱破損が発生したり、冷却手段や
真空保持手段等が損傷するトラブルが生じ易い。以上の
ようなトラブルが発生するとアイソレーションバルブの
開閉動作が不確実になり、シール性も低下するためその
後の単結晶22の引上げ操作が不能となる。
【0005】上記と関連する公知技術の1つとして特開
平1−246191号公報に開示する技術がある。この
「単結晶引上装置」は、アッパチャンバ内の下端部に、
アイソレーションバルブの出入口を閉鎖する閉鎖筒をア
ッパチャンバの内周面に沿って上下動可能に設けたもの
である。この公知技術ではアイソレーションバルブが開
の状態の時には高温雰囲気から隔離されるが、閉の状態
の時には引上げ装置内の高温雰囲気に直接接触するの
で、上記従来の問題の解決は不充分である。また、前記
したように閉鎖筒がアッパチャンバの内周面に沿って上
下動するため上下動作機構が複雑となり、且つ前記内周
面にSiO膜の形成により発生したゴミが閉鎖筒の上下
動に伴ってルツボに落下する問題点がある。このため結
晶体が有転位化し不良品が発生して生産性が低下すると
共に、コストの上昇につながる問題点がある。
【0006】本発明は、以上の事情に鑑みて創案された
もので、アイソレーションバルブの高温化が防止されて
その開閉動作が確実に行われ、単結晶の引上げ操作を円
滑に行うことができる単結晶引上げ装置を提供すること
を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の単結晶
引上げ装置は、融液を蓄溜するルツボとその加熱手段と
を収納するロアチャンバと、種結晶を介して前記ルツボ
内から単結晶を引き上げるワイヤとその駆動機構部を収
納するアッパチャンバと、両チャンバ間の開口部を開閉
するアイソレーションバルブを収納するバルブ収納部と
を備える単結晶引上げ装置であって、前記アイソレーシ
ョンバルブの下方側に、該アイソレーションバルブの閉
止動作よりやや早く閉止動作し、前記アイソレーション
バルブの開放動作よりやや遅れて開放動作する遮熱板を
設けることを特徴とする。
【0008】請求項2に記載の単結晶引上げ装置は、前
記遮熱板が、前記バルブ収納部内の下方に配置されて開
閉動作することを特徴とする。
【0009】請求項3に記載の単結晶引上げ装置は、前
記遮熱板が、前記バルブ収納部と隔離される遮熱板収納
部内に配置されることを特徴とする。
【0010】請求項4に記載の単結晶引上げ装置は、前
記遮熱板が、前記開口部を覆って開閉するシャッタ状の
構造体からなることを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明の請求項1記載の単結晶引上げ装置によ
れば、アイソレーションバルブによる前記開口部の閉止
動作よりやや早く閉止動作し、前記アイソレーションバ
ルブによる前記開口部の開放動作よりやや遅れて開放動
作する遮熱板を設けたため、ロアチャンバからの熱が遮
熱板により遮られるので、アイソレーションバルブがロ
アチャンバからの熱気と直接接触することが防止され
る。そのためアイソレーションバルブの高温化が防止さ
れる。
【0012】本発明の請求項2に記載の単結晶引上げ装
置によれば、遮熱板が前記バルブ収納部内の下方に配置
されて開閉動作するようにしたので、遮熱板の収納スペ
ースが簡素化され、装置への遮熱板の配設が比較的容易
に行われる。
【0013】本発明の請求項3に記載の単結晶引上げ装
置によれば、遮熱板がバルブ収納部と隔離された場所に
収納されるため、遮熱板の開閉動作によるアイソレーシ
ョンバルブ側への悪影響が防止される。また、遮熱板の
開閉機構部の設置も比較的容易に行われる。
【0014】本発明の請求項4に記載の単結晶引上げ装
では、シャッタ状の構造体からなる遮熱板を採用する
ことにより、前記開口部の開閉動作を迅速に行うことが
でき、かつ省スペース化が可能になる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。図1はアイソレーションバルブの下方に遮熱板を有
する単結晶引上げ装置の軸断面図、図2はバルブ収納部
と隔離した場所に収納される遮熱板を有する単結晶引上
げ装置の軸断面図、図3はシャッタ状の構造体からなる
遮熱板を有する単結晶引上げ装置の軸断面図、図4は図
3の遮熱板の開閉動作を示す平面図である。
【0016】図1に示すように、単結晶引上げ装置1
は、ロアチャンバ13,アッパチャンバ14,その間の
バルブ収納部15等で囲まれた装置構造を有する。前記
したように、ロアチャンバ13内にはシリコンの融液1
7を蓄溜するルツボ18,ヒータ19,断熱材20等が
収納され、アッパチャンバ14には種結晶21を介して
単結晶22を引き上げるワイヤ23やその駆動機構部
(図略)等が収納される。また、バルブ収納部15には
アイソレーションバルブ16が収納される。
【0017】図1に示すように、バルブ収納部15内に
収納されたアイソレーションバルブ16の下方には遮熱
板2が平行に配設される。なお、遮熱板2はストローク
の関係上バルブ収納部15より少し張り出した遮熱板収
納部4内に収納される。遮熱板2にはこれを往復動させ
る開閉手段3が設けられる。本実施例では遮熱板2側に
ラック(図略)を形成し、これに噛合するピニオンギヤ
5とその駆動用のモータ(図略)を開閉手段とするが、
それに限定するものではない。前記モータを作動しピニ
オンギヤ5を回転することにより遮熱板2が移動し、開
口部24の開閉を行う。なお、閉止された状態で遮熱板
2はアイソレーションバルブ16と共に収納部6にその
先端側を収納支持される。
【0018】前記モータとアイソレーションバルブ16
の駆動機構部とは、図略の制御手段により動作が制御さ
れる。すなわち、開口部24の閉止工程において、ま
ず、前記モータが作動され遮熱板2が閉方向に移動す
る。また、これよりやや遅れてアイソレーションバルブ
16の駆動機構部が作動し、アイソレーションバルブ1
6が閉方向に移動する。一方、開放工程の場合は、アイ
ソレーションバルブ16側がまず開方向に移動し、これ
よりやや遅れて遮熱板2の前記モータが作動し、遮熱板
2を開方向に移動するように制御される。以上により、
ロアチャンバ13からの熱気がアイソレーションバルブ
16に直接接触することが防止される。
【0019】遮熱板2としては、例えば耐熱性無機繊維
材を炭化材に含浸させ、成形後、高温で焼成したものを
使用することができる。また、耐熱性無機繊維材として
は、例えば炭化珪素(SiC),窒化珪素(Si3 N4
)、モリブデン(Mo),タングステン(W)、タン
タル(Ta)、石英等の繊維の他、カーボン繊維、ガラ
スコートされたカーボン繊維等が使用される。また、上
記耐熱性無機繊維材の板状成形物25の外面を図6のよ
うにセラミックス層26で被覆したものも遮熱板として
用いることができる。セラミックス層の替わりに金属層
を用いる場合は図7に示すように、少なくとも上面と下
面を金属層27とし、周囲は断熱のためにリング状の断
熱被覆材28を設けるのが好ましい。
【0020】図2の単結晶引上げ装置1aは図1のもの
とほぼ同一構造のものからなるが、遮熱板2の収納され
る遮熱板収納部4aがバルブ収納部15と隔離されて形
成されている点において相違する。すなわち、遮熱板収
納部4aはバルブ収納部15の下方にこれとほぼ平行に
隔壁を介して形成される。遮熱板収納部4aを隔離する
ことにより、バルブ収納部15に設けられている各装置
類と遮熱板2自体およびその開閉手段3aとの干渉が避
けられると共に、開閉手段3aのレイアウトが自由に行
われるメリットがある。
【0021】また、隔離することにより遮熱板2からア
イソレーションバルブ16側への熱影響が緩和される。
また、遮熱板2側からのゴミの影響も防止される。本実
施例の場合も、前記の実施例と同様に開閉手段3aは、
ピニオンギヤ5aおよび図略のモータ等からなり、ピニ
オンギヤ5aと遮熱板2の前記ラックとの噛合により遮
熱板2の開閉動作を行う。また、閉止において遮熱板2
は遮熱板収納部4aと相対向して配置される収納部7内
にその先端部を収納し支持される。なお、図2において
図1と同一符号のものは同一物又は同一の機能を有する
ものである。
【0022】図3はシャッタ状の構造体からなる遮熱板
2bを有する単結晶引上げ装置1bを示す。なお、遮熱
板2bおよびその開閉手段3b以外の構造は前記実施例
のものと同一であり、重複説明を省略する。図示のよう
に、この遮熱板2bは開口部24を直接覆って配置さ
れ、アイソレーションバルブ16の閉止動作よりやや早
く閉止動作し、アイソレーションバルブ16の開放動作
よりやや遅れて開放動作するものからなる。遮熱板2b
は写真機等に使用されるシャッタのような構造のものか
らなり、図4(a),(b)に示すように多数枚のシャ
ッタ羽根8を放射状に配置したものからなる。この開閉
手段3bは公知技術が適用されるが、一例としてはシャ
ッタ羽根8のそれぞれに係合するワイヤ部材9や、この
巻取りプーリ10およびモータ11等からなる。モータ
11の正逆転により、図4に示すようにシャッタ羽根8
の開閉が行われる。なお、シャッタ羽根8は開放時には
シャッタ収納部12に収納される。
【0023】以上の説明において、図示のような遮熱板
2,2bおよび開閉手段3,3a,3bを採用したが、
勿論それ等に限定するものではない。例えば、回動式の
ものや観音開き的なものも適用される。いずれにして
も、アイソレーションバルブ16が開放・閉止する際
に、これがロアチャンバ13側の熱気に直接接触しない
構造・動作の遮熱板であればよい。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、次のような顕著な効果
を奏する。 1)請求項1に記載の単結晶引上げ装置によれば、遮熱
板がアイソレーションバルブの閉止動作よりやや早く閉
止動作し、アイソレーションバルブの開放動作よりやや
遅れて開放動作するように構成したので、アイソレーシ
ョンバルブがロアチャンバからの熱気と直接接触するこ
とが防止される。このためアイソレーションバルブの高
温化が防止され、高温化に伴うシール手段の破損、冷却
手段の水漏れ、真空保持手段の損傷等のトラブルが解消
される。また、アイソレーションバルブがSiOガスと
直接接触する問題も確実に防止され、さらに、水蒸気爆
発の危険性も防止される。 2)請求項2に記載の単結晶引上げ装置によれば、アイ
ソレーションバルブを収納するバルブ収納部の下方に遮
熱板を開閉自在に配設したので、遮熱板の収納スペース
が簡素化され、この単結晶引上げ装置への遮熱板の配設
を比較的容易に行うことができる。 3)請求項3 に記載の単結晶引上げ装置によれば、バル
ブ収納部と隔離された遮熱板収納部を形成することによ
り、遮熱板からの熱影響ゴミの付着が防止され、且つ
遮熱板の開閉手段の配置が自由に行われ、アイソレーシ
ョンバルブ側との干渉が防止される。4)請求項4 に記載の単結晶引上げ装置によれば、シャ
ッタ状の構造体からなる遮熱板を採用することにより開
閉動作の迅速化が図れ、かつ省スペース化が可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の全体構造を示す軸断面図。
【図2】アイソレーションバルブのバルブ収納部と隔離
した遮熱板収納部を有する本発明の単結晶引上げ装置の
実施例の全体構造を示す軸断面図。
【図3】シャッタ状の構造体の遮熱板を有する本発明の
単結晶引上げ装置の実施例の全体構造を示す軸断面図。
【図4】図3における遮熱板の詳細構造とその開閉手段
の概要を示す平面図。
【図5】従来の単結晶引上げ装置の全体構造を示す軸断
面図。
【図6】遮熱板の一例を示す断面図。
【図7】遮熱板の一例を示す断面図。
【符号の説明】
1 単結晶引上げ装置 1a 単結晶引上げ装置 1b 単結晶引上げ装置 2 遮熱板 2b 遮熱板 3 開閉手段 3a 開閉手段 3b 開閉手段 4 遮熱板収納部 4a 遮熱板収納部 5 ピニオンギヤ 5a ピニオンギヤ 6 収納部 7 収納部 8 シャッタ羽根 9 ワイヤ部材 10 巻取りプーリ 11 モータ 12 シャッタ収納部 13 ロアチャンバ 14 アッパチャンバ 15 バルブ収納部 16 アイソレーションバルブ 17 融液 18 ルツボ 19 ヒータ 20 断熱材 21 種結晶 22 単結晶 23 ワイヤ 24 開口部 25 耐熱性無機繊維材の板状成形物 26 セラミックス層 27 金属層 28 断熱被覆材
フロントページの続き (72)発明者 水石 孝司 群馬県安中市磯部2丁目13番1号 信越 半導体株式会社 磯部工場内 (72)発明者 山岸 浩利 群馬県安中市磯部2丁目13番1号 信越 半導体株式会社 半導体磯部研究所内 (56)参考文献 特開 平4−160087(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C30B 1/00 - 35/00

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 融液を蓄溜するルツボとその加熱手段と
    を収納するロアチャンバと、種結晶を介して前記ルツボ
    内から単結晶を引き上げるワイヤとその駆動機構部を収
    納するアッパチャンバと、両チャンバ間の開口部を開閉
    するアイソレーションバルブを収納するバルブ収納部と
    を備える単結晶引上げ装置であって、前記アイソレーシ
    ョンバルブの下方側に、該アイソレーションバルブの閉
    止動作よりやや早く閉止動作し、前記アイソレーション
    バルブの開放動作よりやや遅れて開放動作する遮熱板を
    設けることを特徴とする単結晶引上げ装置。
  2. 【請求項2】 前記遮熱板が、前記バルブ収納部内の下
    方に配置されて開閉動作することを特徴とする請求項1
    に記載の単結晶引上げ装置。
  3. 【請求項3】 前記遮熱板が、前記バルブ収納部と隔離
    される遮熱板収納部内に配置されることを特徴とする
    求項2に記載の単結晶引上げ装置。
  4. 【請求項4】 前記遮熱板が、前記開口部を覆って開閉
    するシャッタ状の構造体からなることを特徴とする請求
    項1に記載の単結晶引上げ装置。
JP7191087A 1995-07-04 1995-07-04 単結晶引上げ装置 Expired - Lifetime JP3041670B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7191087A JP3041670B2 (ja) 1995-07-04 1995-07-04 単結晶引上げ装置
US08/673,590 US5735951A (en) 1995-07-04 1996-07-01 Single crystal pulling apparatus
EP96304901A EP0752488B1 (en) 1995-07-04 1996-07-03 Single crystal pulling apparatus
DE69604455T DE69604455T2 (de) 1995-07-04 1996-07-03 Einkristallziehvorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7191087A JP3041670B2 (ja) 1995-07-04 1995-07-04 単結晶引上げ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0920585A JPH0920585A (ja) 1997-01-21
JP3041670B2 true JP3041670B2 (ja) 2000-05-15

Family

ID=16268648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7191087A Expired - Lifetime JP3041670B2 (ja) 1995-07-04 1995-07-04 単結晶引上げ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5735951A (ja)
EP (1) EP0752488B1 (ja)
JP (1) JP3041670B2 (ja)
DE (1) DE69604455T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9596920B2 (en) 2009-08-04 2017-03-21 Pollogen Ltd. Cosmetic skin rejuvination
US11590346B2 (en) 2009-11-16 2023-02-28 Pollogen Ltd. Apparatus and method for cosmetic treatment of human mucosal tissue
US11918804B2 (en) 2009-11-16 2024-03-05 Pollogen Ltd. Method and device for skin treatment by heating and muscle stimulation

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2202657C1 (ru) * 2002-04-02 2003-04-20 Костин Владимир Владимирович Устройство для вытягивания монокристаллов
KR100955221B1 (ko) * 2007-10-05 2010-04-29 주식회사 글로실 힌지를 이용한 도어 개폐장치가 구비된 태양전지용 다결정실리콘 주괴 제조 장치
JP2012101965A (ja) * 2010-11-09 2012-05-31 Matels Inc 熱遮蔽機
KR101332271B1 (ko) * 2011-07-26 2013-11-22 주식회사 케이씨씨 사파이어 단결정 성장 장치
CN102517627B (zh) * 2011-12-20 2014-05-14 北京京仪世纪电子股份有限公司 水冷轴结构
KR101466061B1 (ko) * 2013-06-14 2014-11-28 한국생산기술연구원 분리형 씨드 투입 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4350560A (en) * 1981-08-07 1982-09-21 Ferrofluidics Corporation Apparatus for and method of handling crystals from crystal-growing furnaces
JPH01246191A (ja) * 1988-03-26 1989-10-02 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶引上装置
JP2628370B2 (ja) * 1989-03-24 1997-07-09 信越半導体 株式会社 単結晶引上装置
JPH04260686A (ja) * 1991-02-08 1992-09-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上装置
JPH0772116B2 (ja) * 1991-02-15 1995-08-02 信越半導体株式会社 単結晶引上装置
JP2655576B2 (ja) * 1992-09-30 1997-09-24 信越半導体株式会社 単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブ

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9596920B2 (en) 2009-08-04 2017-03-21 Pollogen Ltd. Cosmetic skin rejuvination
US11712560B2 (en) 2009-08-04 2023-08-01 Pollogen Ltd. Cosmetic skin rejuvenation
US11590346B2 (en) 2009-11-16 2023-02-28 Pollogen Ltd. Apparatus and method for cosmetic treatment of human mucosal tissue
US11865336B2 (en) 2009-11-16 2024-01-09 Pollogen Ltd. Apparatus and method for cosmetic treatment of human mucosal tissue
US11918804B2 (en) 2009-11-16 2024-03-05 Pollogen Ltd. Method and device for skin treatment by heating and muscle stimulation

Also Published As

Publication number Publication date
EP0752488B1 (en) 1999-09-29
EP0752488A1 (en) 1997-01-08
DE69604455T2 (de) 2000-04-13
JPH0920585A (ja) 1997-01-21
DE69604455D1 (de) 1999-11-04
US5735951A (en) 1998-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3041670B2 (ja) 単結晶引上げ装置
JP2655576B2 (ja) 単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブ
JP2628370B2 (ja) 単結晶引上装置
JP2010080923A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2002038256A (ja) 複数ポケットの電子ビーム源
KR100457348B1 (ko) 단일 웨이퍼 어닐링 오븐
US5500388A (en) Heat treatment process for wafers
JP3359324B2 (ja) 半導体製造用加熱装置
JP2940439B2 (ja) 単結晶引上げ装置
JPH08139047A (ja) 熱処理装置
JP2595894B2 (ja) 水素ラジカル発生装置
KR100749360B1 (ko) 반도체 수납 용기 개폐 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP3240180B2 (ja) 熱処理装置
US5599390A (en) Apparatus for crystal pulling
JPH0322708Y2 (ja)
JPH067003B2 (ja) ナトリウムベーパー侵入防止型密封栓
JPH11260725A (ja) 固体デバイス製造装置
KR20010056331A (ko) 반도체 소자 제조장치
JP2002241189A (ja) 単結晶引上げ装置
KR20020062439A (ko) 보조 밸브를 가지는 반도체 제조장비
KR19990031616A (ko) 반도체소자 제조설비의 스핀들포크조립체의 고정장치
JPH04282080A (ja) 炉における開口部の構造
KR980010306A (ko) 이중 수직형 열처리로(dual vertical thermal processing furnace)
JPH10209045A (ja) 真空成膜法の基板冷却方法、および真空成膜装置の基板冷却装置
KR20000073222A (ko) 반도체 공정챔버의 웨이퍼 로딩/언로딩 구조