JPH01246191A - 単結晶引上装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、シリコン単結晶等をＣＺ法により引き上げる
単結晶引上装置に関する。

（従来の技術） 従来、抵抗加熱法による単結晶引上装置は、例えば第３
図に示すように、アッパーチャンバー１の下端部に、ロ
ウアーチャンバー２との連通を遮断可能なゲートパルプ
３を収容するパルプ収容部４を設け、アッパーチャンバ
ー１の上部に発生ガス除去のための不活性ガスの給気口
５を設ける一方、排気口６をロウアーチャンバー２の下
部に設けて概略構成されている。

第３図において７は回転軸８によって回転されるルツボ
、９はルツボ７周囲の抵抗加熱体（図示せず）によって
融解された融液１０から引き上げられる単結晶である。

上記の装置によりＳｉ単結晶を引き上げるには、ゲート
パルプ３を図示点線の位置から実線の位置へ移動してア
ッパーチャンバー１とロウアーチャンバー２とを連通し
、給気口５からアルゴンガス等を給気しかつ排気口６か
らＳｉＯ等と共に排気しながら、Ｓｉ単結晶を融液１０
から引き上げて行われる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来の単結晶引上装置によれば、Ｓ
ｔ単結晶の引き上げに際し、ロウアーチャンバー２内の
上部に付着するシリコン酸化物１１が、アッパーチャン
バー１内を流下する不活性ガスの流れのパルプ収容部４
の間口部４ａによる乱れによってルツボ７内に落下させ
られ、成長中のＳｉ＄結晶に付着し、単結晶化を低下さ
せている。

そこで本発明は、単結晶化率を向上させ得る半導体引上
装置の提供を目的とする。

（Ｌｉ！題を解決するための手段） 前記課題を解決するため、本発明は、アッパーチャンバ
ーの下端部にロウアーチャンバーとの連通を遮断可能な
ゲートパルプを収容するパルプ収容部を設け、アッパー
チャンバーの上部に不活性ガスの給気口を設ける一方、
排気口をロウアーチャンバーの下部に設けてなる単結晶
引上装置において、前記アッパーチャンバー内の下端部
に、パルプ収容部の開口部を閉鎖する閉鎖筒をアッパー
チャンバーの内周面に沿つて上下動可能に設けたもので
ある。

〔作用） 上記手段によれば、閉鎖筒の下降によりパルプ収容部の
開口部が閉鎖され、不活性ガスの流下に乱れを生じない
。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を第１図、第２図と共に説明する
。なお、以下の説明において第３図と同一の構成部材等
には同一の符号を付し、その説明を省略する。

第１図は第１実施例の単結晶引上装置の要部の縦断面図
であり、アッパーチャンバー１内の下端部には、パルプ
収容部４の開口部４ａを閉鎖する閉鎖筒１５が、アッパ
ーチャンバー１の内周面に沿って上下動可能に設けられ
ている。

閉鎮筒１５は、アッパーチャンバー１の内径より僅かに
小さな外径を有し、かつパルプ収容部４の開口部４ａよ
り適宜大ぎな長さを有しており、その上端部の相対する
位置には、吊持用のワイヤー１６の一端部が取り付けら
れている。

一方、パルプ収容部４の上方におけるアッパーチャンバ
ー１の相対する外側には、ワイヤー導出管１７がそれぞ
れ水平に突設されており、各ワイヤー導出管１７の端部
は、ジャバラ１８により気密に封止されている。そして
、前記各ワイヤー１６は、ワイヤー導出管１７内を挿通
し、他端部がジャバラ１８から気密に導出されている。

閉鎖筒１５のストロークは、通常、その長さ（高さ）分
であるが、ゲートパルプ３の高さを最小ストロークとす
ることもでき、かつストロークの調整は、ジャバラ１８
によって行う。

ワイヤー導出管１７は、通常、２０ｍｍ以下の直径とし
く最大４０ｍｍまで可）、基端部内にワイヤー１６の移
動をスムーズに行わせるワイヤーガイド１９を有する。

上記構成の単結晶引上装置によりｓｉ、＠結晶を引き上
げるには、まず、ゲートパルプ３を実線で示すように、
パルプ収容部４内に引き込み、アッパーチャンバー１と
ロウアーチャンバー２を連通し、かつ各ワイヤー１６の
他端部を押し込み、閉鎮筒１５を図示点線で示す位置か
ら実線で示す位１に下降させてパルプ収容部４の開口部
４ａを閉鎖する。

ついで、給気口からアルゴンガスを給気し、かつ排気口
からＳｉＯ等と共に排気しながら、Ｓｔ単結晶を融液か
ら引き上げる。

したがって、上記装置においては、アルゴンガスの流下
がパルプ収容部４の開口部４ａによって乱されることが
なく、ロウアーチャンバー２内の上部に付着したシリコ
ン酸化物１１がルツボ内に落下することがないので、５
ｉｌｌ−結晶の単結晶化率が向上する。

第２図は第２実施例の単結晶引上装置の要部の平断面図
であり、この実施例の単結晶引上装置は、第１実施例の
ものがワイヤー１６の操作を個別に行うのに対し、アッ
パーチャンバー１の直径より大きな半円状に形成したワ
イヤー導出管２０を、半径方向内方へ延びる両基端部２
０ａを介してアッパーチャンバー１の相対する外側に取
り付け、かつワイヤー導出管２０の中間部にジャバラ２
１を気密に取り付ける一方、閉鎖筒１５の上端部の相対
する位置に一端部が取り付けられ、かつそれぞれの基゛
端部２０ａからワイヤー導出管２０内を挿通したワイヤ
ー１６の他端部を、１本にまとめてジャバラ２１から気
密に導出し、ワイヤー１６の操作を一緒にし得るように
したものである。

他の構成及び作用効果は、第１実施例の単結晶引上装置
と同様であるので、その説明を省略する。

なお、上記各実施例においては、ワイヤー１６を２本と
する場合について述べたが、これに限定されるものでは
なく、例えば１本あるいは３本以上のワイヤー１６を用
いるようにしてもよい。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、閉鎖筒の下降によりパル
プ収容部の開口部が閉鎖され、不活性ガスの流下に乱れ
を生じないので、ロウアーチャンバー内の上部に付着す
るシリコン酸化物等のイ」着物の落下がなく、単結晶化
率を大幅に向上することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明に係る単結晶引上装置の第１
実施例及び第２実施例の要部の縦断面図及び平断面図、
第３図は従来の単結晶引上装置の縦断面図である。 １・・・アッパーチャンバー ２・・・ロウアーチャンバー　　３・・・ゲートパルプ
４・・・パルプ収容部　　　　４ａ・・・開口部５・・
・給気口　　　　　　　　６・・・排気口１５・・・閉
鎖筒　　　　　　　１６・・・ワイヤー１７・・・ワイ
ヤー導出管　　　１Ｂ・・・ジャバラ出願人　　東芝セ
ラミックス株式会社 ′−一一； 第１図 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）アッパーチャンバーの下端部にロウアーチャンバ
   ーとの連通を遮断可能なゲートパルプを収容するパルプ
   収容部を設け、アッパーチャンバーの上部に不活性ガス
   の給気口を設ける一方、排気口をロウアーチャンバーの
   下部に設けてなる単結晶引上装置において、前記アッパ
   ーチャンバー内の下端部に、パルプ収容部の開口部を閉
   鎖する閉鎖筒をアッパーチャンバーの内周面に沿って上
   下動可能に設けたことを特徴とする単結晶引上装置。