RU95121442A - Устройство и способ для выращивания монокристалла - Google Patents
Устройство и способ для выращивания монокристаллаInfo
- Publication number
- RU95121442A RU95121442A RU95121442/25A RU95121442A RU95121442A RU 95121442 A RU95121442 A RU 95121442A RU 95121442/25 A RU95121442/25 A RU 95121442/25A RU 95121442 A RU95121442 A RU 95121442A RU 95121442 A RU95121442 A RU 95121442A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- melt
- container
- single crystal
- inert gas
- space
- Prior art date
Links
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims 1
Claims (4)
1. Устройство для выращивания монокристалла из кремния по методу Чохральского, состоящее из продуваемого инертным газом контейнера, размещенного в нем тигля для расплава, приспособления для вытягивания монокристалла из расплава и экранирующего растущий монокристалл трубчатого до конусообразного тела, которое делит пространство контейнера над расплавом на внутреннюю и внешнюю части, причем инертный газ, направляемый во внутреннюю часть пространства к расплаву, попадает между нижним концом тела и поверхностью расплава во внешнюю часть пространства контейнера, отличающееся тем, что тело имеет по меньшей мере одно отверстие, через которое инертный газ может попадать непосредственно из внутренней части во внешнюю часть пространства контейнера.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что отверстие в теле выполнено в виде прорези, проходящей по периферийной линии тела.
3. Устройство по п. 1 или 2, отличающееся тем, что тело ограничено на своем нижнем конце экраном в форме кольца.
4. Способ выращивания монокристалла из кремния по методу Чохральского, включающий в себя, в основном, следующие операции: в контейнере из находящегося наготове в тигле расплава вытягивают монокристалл, причем монокристалл окружен экранирующим его трубчатым до конусообразного телом, которое делит пространство контейнера над расплавом на внутреннюю и внешнюю части, и поток инертного газа направляют через внутреннюю часть пространства контейнера к поверхности расплава и между нижним концом тела и поверхностью расплава во внешнюю часть пространства контейнера, отличающийся тем, что часть потока инертного газа направляют по меньшей мере через одно отверстие в теле из внутренней части непосредственно во внешнюю часть пространства контейнера.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP4442829.4 | 1994-12-01 | ||
| DE4442829A DE4442829A1 (de) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU95121442A true RU95121442A (ru) | 1997-10-27 |
| RU2102539C1 RU2102539C1 (ru) | 1998-01-20 |
Family
ID=6534669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU95121442A RU2102539C1 (ru) | 1994-12-01 | 1995-11-30 | Устройство для выращивания монокристалла и способ выращивания монокристалла |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5578123A (ru) |
| EP (1) | EP0715005B1 (ru) |
| JP (1) | JP2855098B2 (ru) |
| KR (1) | KR0185467B1 (ru) |
| CN (1) | CN1044921C (ru) |
| DE (2) | DE4442829A1 (ru) |
| MY (1) | MY112189A (ru) |
| RU (1) | RU2102539C1 (ru) |
| TW (1) | TW302497B (ru) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0859386A (ja) * | 1994-08-22 | 1996-03-05 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体単結晶育成装置 |
| DE19546987A1 (de) * | 1995-12-15 | 1997-06-19 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls |
| JP3653647B2 (ja) * | 1996-05-31 | 2005-06-02 | イビデン株式会社 | シリコン単結晶引き上げ装置用の保温筒 |
| DE19628851A1 (de) * | 1996-07-17 | 1998-01-22 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls |
| JPH10101482A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-21 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 単結晶シリコンの製造装置および製造方法 |
| US5904768A (en) * | 1996-10-15 | 1999-05-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for controlling the oxygen content in silicon wafers heavily doped with antimony or arsenic |
| SG64470A1 (en) * | 1997-02-13 | 1999-04-27 | Samsung Electronics Co Ltd | Methods of manufacturing monocrystalline silicon ingots and wafers by controlling pull rate profiles in a hot zone furnace and ingots and wafers manufactured thereby |
| US6485807B1 (en) | 1997-02-13 | 2002-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Silicon wafers having controlled distribution of defects, and methods of preparing the same |
| US6503594B2 (en) | 1997-02-13 | 2003-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Silicon wafers having controlled distribution of defects and slip |
| US5911825A (en) * | 1997-09-30 | 1999-06-15 | Seh America, Inc. | Low oxygen heater |
| JP3267225B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2002-03-18 | 住友金属工業株式会社 | 単結晶引き上げ方法、及び単結晶引き上げ装置 |
| US8152921B2 (en) * | 2006-09-01 | 2012-04-10 | Okmetic Oyj | Crystal manufacturing |
| ATE539182T1 (de) * | 2009-05-13 | 2012-01-15 | Siltronic Ag | Verfahren und vorrichtung zur züchtung eines siliciumeinzelkristalls durch schmelzung |
| CN101914808A (zh) * | 2010-07-19 | 2010-12-15 | 常州天合光能有限公司 | 可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场 |
| CN107075717B (zh) | 2014-09-19 | 2020-06-16 | 各星有限公司 | 用于防止熔体污染的拉晶机 |
| RU2663130C1 (ru) * | 2018-02-12 | 2018-08-01 | Акционерное общество "Управляющая компания "АКЦЕНТ" | Способ выращивания монокристалла кремния из расплава |
| DE102018217509A1 (de) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | Siltronic Ag | Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial nach der CZ-Methode aus einer Schmelze und Verfahren unter Verwendung der Vorrichtung |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2821481C2 (de) * | 1978-05-17 | 1985-12-05 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Vorrichtung zum Ziehen von hochreinen Halbleiterstäben aus der Schmelze |
| DE3005492C2 (de) * | 1980-02-14 | 1983-10-27 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Herstellung reinster Einkristalle durch Tiegelziehen nach Czochralski |
| JPH0639352B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1994-05-25 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造装置 |
| EP0340941A1 (en) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Nkk Corporation | Method and apparatus for manufacturing silicon single crystals |
| JP2686460B2 (ja) * | 1990-03-12 | 1997-12-08 | 住友シチックス株式会社 | 単結晶製造方法 |
| DE4204777A1 (de) * | 1991-02-20 | 1992-10-08 | Sumitomo Metal Ind | Vorrichtung und verfahren zum zuechten von einkristallen |
| JP2795036B2 (ja) * | 1992-02-04 | 1998-09-10 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上装置 |
| JP2952733B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1999-09-27 | コマツ電子金属株式会社 | シリコン単結晶製造方法 |
| JP2807609B2 (ja) * | 1993-01-28 | 1998-10-08 | 三菱マテリアルシリコン株式会社 | 単結晶の引上装置 |
-
1994
- 1994-12-01 DE DE4442829A patent/DE4442829A1/de not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-09-26 TW TW084110074A patent/TW302497B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-10-10 US US08/541,341 patent/US5578123A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-25 MY MYPI95003202A patent/MY112189A/en unknown
- 1995-11-20 CN CN95117532A patent/CN1044921C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-28 KR KR1019950044146A patent/KR0185467B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-30 RU RU95121442A patent/RU2102539C1/ru active
- 1995-11-30 EP EP95118840A patent/EP0715005B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-30 DE DE59505372T patent/DE59505372D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-01 JP JP7335638A patent/JP2855098B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU95121442A (ru) | Устройство и способ для выращивания монокристалла | |
| RU2102539C1 (ru) | Устройство для выращивания монокристалла и способ выращивания монокристалла | |
| KR960007832A (ko) | 반도체 단결정 육성장치 | |
| TW371291B (en) | Emptying device for bulk bags and use thereof | |
| KR970059320A (ko) | 단결정 인상 장치 | |
| KR102537117B1 (ko) | 용융물로부터 cz 법에 의해 반도체 재료의 단결정을 인상하기 위한 장치 및 장치를 사용하는 방법 | |
| EP0781866A3 (en) | An apparatus and a method for growing a single crystal | |
| EP0373899A3 (en) | Monocrystal ingot pulling apparatus | |
| KR880005984A (ko) | 용기 배출구를 개통 시키기 위한 개량된 장치 | |
| JPH0397688A (ja) | 単結晶引上装置用整流筒 | |
| JPH0523580Y2 (ru) | ||
| GR77217B (ru) | ||
| JP2001354489A (ja) | 単結晶引上装置のクリーニング装置及びクリーニング方法 | |
| EP0831158A3 (en) | Method of holding a monocrystal and method of growing the same | |
| JPH0825831B2 (ja) | シリコン単結晶製造装置 | |
| JPS5537460A (en) | Structure of crucible | |
| JPS5532770A (en) | Crystal producing device | |
| JPH04209789A (ja) | 単結晶シリコン引上げ装置 | |
| JPH1179777A (ja) | 光ファイバの紡糸装置 | |
| CN212952442U (zh) | 一种单晶硅导料筒 | |
| EP0415559A1 (en) | Monocrystal growing apparatus | |
| JP2644360B2 (ja) | シリコン単結晶の引上装置 | |
| RU2000127355A (ru) | Способ выращивания монокристалла кремния из расплава | |
| JPS54119375A (en) | Pulling-up apparatus for silicon single crystal | |
| US3988197A (en) | Crucible-free zone melting of semiconductor crystal rods including oscillation dampening |