JPH021117B2 - - Google Patents
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- JPH021117B2 JPH021117B2 JP56120154A JP12015481A JPH021117B2 JP H021117 B2 JPH021117 B2 JP H021117B2 JP 56120154 A JP56120154 A JP 56120154A JP 12015481 A JP12015481 A JP 12015481A JP H021117 B2 JPH021117 B2 JP H021117B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単結晶シリコン引上装置の改良に関す
るものである。
るものである。
LSIに使用される単結晶シリコン基板には無転
位単結晶シリコンが用いられる。ここで、単結晶
シリコンの口径が大きく、また長さが長いほど単
結晶シリコンからとれるチツプ数が増加し、チツ
プ当りの原価を低減することができるので、近年
単結晶シリコンの大口径化および長尺化が図られ
ている。この結果、単結晶を引上げる時間も長く
なる傾向にある。
位単結晶シリコンが用いられる。ここで、単結晶
シリコンの口径が大きく、また長さが長いほど単
結晶シリコンからとれるチツプ数が増加し、チツ
プ当りの原価を低減することができるので、近年
単結晶シリコンの大口径化および長尺化が図られ
ている。この結果、単結晶を引上げる時間も長く
なる傾向にある。
ところで、従来、単結晶シリコンは主にチヨコ
ラルスキー法(CZ法)によつて製造されている。
この方法は石英ルツボ内に多結晶シリコン原料を
入れ、周囲から加熱して該多結晶シリコンを溶融
させ、その溶融物を種結晶を用い、上方に引上
げ、単結晶シリコンを造るものである。この際、
単結晶シリコンに不純物が含まれるのを防止する
ため、チヤンバー内にアルゴン等の不活性ガスを
導入することが一般に行われている。
ラルスキー法(CZ法)によつて製造されている。
この方法は石英ルツボ内に多結晶シリコン原料を
入れ、周囲から加熱して該多結晶シリコンを溶融
させ、その溶融物を種結晶を用い、上方に引上
げ、単結晶シリコンを造るものである。この際、
単結晶シリコンに不純物が含まれるのを防止する
ため、チヤンバー内にアルゴン等の不活性ガスを
導入することが一般に行われている。
以下、従来の単結晶シリコン引上装置を第1図
を参照して説明する。
を参照して説明する。
図中1は上部1aと下部1bが開口したチヤン
バーである。このチヤンバー1内には、石英ルツ
ボ2が配置され、かつ該ルツボ2の外周面は黒鉛
製保護体3によつて包囲されている。この保護体
3の底面には、上記チヤンバー1の下部1b開口
から挿入された回転自在な支持棒4が連結されて
いる。また、上記保護体3の外周には、図示しな
い筒状の黒鉛製ヒータおよび筒状の遮熱体の順次
配設されている。さらに、上記チヤンバー1の上
部1aには、該上部1aの開口と合致する筒状突
起部5を有する上蓋6が設けられている。また、
上記筒状突起部5上には、ゲートバルブ7を介し
て、単結晶シリコン除冷後一時的にインゴツトを
収納するためのプルチヤンバー8が搭載されてい
る。また、上記上蓋6の筒状突起部5の側壁に
は、第2図aに示す如く不活性ガス導入口9が、
チヤンバー1の下部1bには第2図bに示す如く
不活性ガス排気口10がそれぞれ設けられてい
る。また、プルチヤンバー8の上部側壁には、不
活性ガス導入口11が、プルチヤンバー8の下部
側壁には、不活性ガス排気口12がそれぞれ設け
られている。また、上記プルチヤンバー8内部の
下部には、プルチヤンバー8内に除冷後の単結晶
シリコンを収納する時にプルチヤンバー8下部を
閉鎖するための回転自在なプルチヤンバー中蓋1
3が設けられている。また、上記上蓋6には、チ
ヤンバー1の上部1aまで挿入される測定用窓1
4が設けられ、かつ上蓋6の筒状突起部5には図
示しない炉内観察用窓が設けられている。さら
に、上記プルチヤンバー8からチヤンバー1内に
亘つて、下端に種結晶15を保持した引上チエー
ン16が回転可能に吊下されている。
バーである。このチヤンバー1内には、石英ルツ
ボ2が配置され、かつ該ルツボ2の外周面は黒鉛
製保護体3によつて包囲されている。この保護体
3の底面には、上記チヤンバー1の下部1b開口
から挿入された回転自在な支持棒4が連結されて
いる。また、上記保護体3の外周には、図示しな
い筒状の黒鉛製ヒータおよび筒状の遮熱体の順次
配設されている。さらに、上記チヤンバー1の上
部1aには、該上部1aの開口と合致する筒状突
起部5を有する上蓋6が設けられている。また、
上記筒状突起部5上には、ゲートバルブ7を介し
て、単結晶シリコン除冷後一時的にインゴツトを
収納するためのプルチヤンバー8が搭載されてい
る。また、上記上蓋6の筒状突起部5の側壁に
は、第2図aに示す如く不活性ガス導入口9が、
チヤンバー1の下部1bには第2図bに示す如く
不活性ガス排気口10がそれぞれ設けられてい
る。また、プルチヤンバー8の上部側壁には、不
活性ガス導入口11が、プルチヤンバー8の下部
側壁には、不活性ガス排気口12がそれぞれ設け
られている。また、上記プルチヤンバー8内部の
下部には、プルチヤンバー8内に除冷後の単結晶
シリコンを収納する時にプルチヤンバー8下部を
閉鎖するための回転自在なプルチヤンバー中蓋1
3が設けられている。また、上記上蓋6には、チ
ヤンバー1の上部1aまで挿入される測定用窓1
4が設けられ、かつ上蓋6の筒状突起部5には図
示しない炉内観察用窓が設けられている。さら
に、上記プルチヤンバー8からチヤンバー1内に
亘つて、下端に種結晶15を保持した引上チエー
ン16が回転可能に吊下されている。
上述した引上装置によつて、単結晶シリコンを
引上げるには、不活性ガスをチヤンバー1内に導
入するとともに、引上チエーン16下端の種結晶
15を石英ルツボ2内の溶融シリコン17に浸
し、引上チエーン16を引上げることにより行
う。しかし、従来の引上装置では、溶融シリコン
に接した石英ルツボから発生するSiOガスに起因
して、単結晶シリコンの有転位化が結晶引上げ中
に起きるという問題があつた。
引上げるには、不活性ガスをチヤンバー1内に導
入するとともに、引上チエーン16下端の種結晶
15を石英ルツボ2内の溶融シリコン17に浸
し、引上チエーン16を引上げることにより行
う。しかし、従来の引上装置では、溶融シリコン
に接した石英ルツボから発生するSiOガスに起因
して、単結晶シリコンの有転位化が結晶引上げ中
に起きるという問題があつた。
そこで、本発明者は、上記従来の引上装置によ
る単結晶シリコンの引上げ中における有転位化の
原因について種々検討した結果、以下に示すこと
によることを究明した。
る単結晶シリコンの引上げ中における有転位化の
原因について種々検討した結果、以下に示すこと
によることを究明した。
すなわち、従来の引上装置の場合には、第2図
a,bに示すように、不活性ガスの導入口9およ
び排気口10が1つづつしか設けられていないた
め、チヤンバー1内で不活性ガス流が乱れ(第1
図矢印図示)、単結晶シリコンの周囲には、不活
性ガスの流れがほとんどない停滞層が局所的に生
じる。このような不活性ガスの停滞層付近では、
SiO粉がチヤンバー内に付着し、引上げ中にSiO
粉がルツボ内に落下するため単結晶シリコンの有
転位化率が大きくなる。しかも、近年は引上げ結
晶の大口径化、長尺化にともない引上げ時間の長
時間化の趨勢下にあるため、ますます上記の傾向
が助長される。
a,bに示すように、不活性ガスの導入口9およ
び排気口10が1つづつしか設けられていないた
め、チヤンバー1内で不活性ガス流が乱れ(第1
図矢印図示)、単結晶シリコンの周囲には、不活
性ガスの流れがほとんどない停滞層が局所的に生
じる。このような不活性ガスの停滞層付近では、
SiO粉がチヤンバー内に付着し、引上げ中にSiO
粉がルツボ内に落下するため単結晶シリコンの有
転位化率が大きくなる。しかも、近年は引上げ結
晶の大口径化、長尺化にともない引上げ時間の長
時間化の趨勢下にあるため、ますます上記の傾向
が助長される。
しかして、本発明者は上記究明結果に基づい
て、チヤンバー上部の導入口とチヤンバー下部の
排気口を引上軸(引上チエーン)を中心として対
称的に複数個設けることによつて、チヤンバー上
部の導入口から不活性ガスを導入した場合、引上
げ中の単結晶シリコンの周囲に不活性ガスを引上
軸を中心として対称的に流すことができ、SiOガ
スによる単結晶シリコンの有転位化を防止し、高
品質の単結晶シリコンの引上げを可能とした引上
装置を見い出した。
て、チヤンバー上部の導入口とチヤンバー下部の
排気口を引上軸(引上チエーン)を中心として対
称的に複数個設けることによつて、チヤンバー上
部の導入口から不活性ガスを導入した場合、引上
げ中の単結晶シリコンの周囲に不活性ガスを引上
軸を中心として対称的に流すことができ、SiOガ
スによる単結晶シリコンの有転位化を防止し、高
品質の単結晶シリコンの引上げを可能とした引上
装置を見い出した。
以下、本発明の一実施例を第3図及び第4図
a,bを参照して説明する。ただし、第3図にお
いて、第1図と同じ部材は第1図と同番号を付
し、説明を省略する。
a,bを参照して説明する。ただし、第3図にお
いて、第1図と同じ部材は第1図と同番号を付
し、説明を省略する。
チヤンバー1の上蓋6の筒状突起部5側壁に
は、第4図aに示す如く、不活性ガス導入口18
が引上軸を中心として対称的に複数個設けられて
いる。該不活性ガス導入口18は、ゲートバルブ
7下端から、ゲートバルブ7とチヤンバー1上端
間の長さの1/5の長さ以内に設けられている。チ
ヤンバー1の下部1bには、第4図bに示す如
く、不活性ガス排気口19が引上軸を中心として
対称的に複数個設けられている。但し、該不活性
ガス排気口19は、チヤンバー1の下部1bに限
らず、その下端からチヤンバー高さの1/5の長さ
以内に設ければよい。プルチヤンバー8の上部側
壁には、不活性ガス導入口20が引上軸を中心と
して対称的に複数個設けられている。該不活性ガ
ス導入口20は、プルチヤンバー8上端からプル
チヤンバー高さの1/5の長さ以内に設けられてい
る。また、プルチヤンバー8下部の不活性ガス排
気口12は、プルチヤンバー8下端からプルチヤ
ンバー高さの1/5の長さ以内に設けられている。
こうしたプルチヤンバー8は、単結晶シリコン引
上げ工程において、多結晶シリコン溶融、結晶引
上げ、除冷の各段階を経たインゴツトを一時的に
収納するためのものである。
は、第4図aに示す如く、不活性ガス導入口18
が引上軸を中心として対称的に複数個設けられて
いる。該不活性ガス導入口18は、ゲートバルブ
7下端から、ゲートバルブ7とチヤンバー1上端
間の長さの1/5の長さ以内に設けられている。チ
ヤンバー1の下部1bには、第4図bに示す如
く、不活性ガス排気口19が引上軸を中心として
対称的に複数個設けられている。但し、該不活性
ガス排気口19は、チヤンバー1の下部1bに限
らず、その下端からチヤンバー高さの1/5の長さ
以内に設ければよい。プルチヤンバー8の上部側
壁には、不活性ガス導入口20が引上軸を中心と
して対称的に複数個設けられている。該不活性ガ
ス導入口20は、プルチヤンバー8上端からプル
チヤンバー高さの1/5の長さ以内に設けられてい
る。また、プルチヤンバー8下部の不活性ガス排
気口12は、プルチヤンバー8下端からプルチヤ
ンバー高さの1/5の長さ以内に設けられている。
こうしたプルチヤンバー8は、単結晶シリコン引
上げ工程において、多結晶シリコン溶融、結晶引
上げ、除冷の各段階を経たインゴツトを一時的に
収納するためのものである。
さらに、チヤンバー1の上蓋6上の測定用窓1
4および炉内観察用窓(図示せず)も引上軸を中
心として複数個設けられている。
4および炉内観察用窓(図示せず)も引上軸を中
心として複数個設けられている。
以上のような構成によれば、石英ルツボ2内に
多結晶シリコン原料を入れ、図示しないヒータを
通電して、石英ルツボを加熱すると、多結晶シリ
コン原料が溶融して溶融シリコン17となる。こ
うした状態で、例えばアルゴンガスをチヤンバー
1の上蓋6の筒状突起部5側壁およびプルチヤン
バー8の上部側壁にそれぞれ開孔した不活性ガス
導入口18,20から導入し、チヤンバー1下部
に開孔した不活性ガス排気口19から排気する。
この場合、アルゴンガスの代りにヘリウムガス等
の他の不活性ガスを供給してもよい。この後、支
持棒4により、保護体3で包囲された石英ルツボ
2を回転しながら、引上チエーン16下端の種結
晶15を石英ルツボ2内の溶融シリコン17に浸
し、回転しながら引上げると、所定の結晶方位を
もつ単結晶シリコンが引上げられる。このような
引上時において、不活性ガス導入口18,20及
び排気口19が引上軸を中心として対称的に配置
されているため、導入口18,20が供給される
アルゴンのガス流は引上軸を中心として対称的に
流れ(第3図矢印図示)、引上装置内部において
アルゴンガス流の停滞層が生じず、したがつて、
SiOガスが引上装置内部に付着することを軽減す
ることができる。その結果、有転位化率の低い単
結晶シリコンを引上げることができる。
多結晶シリコン原料を入れ、図示しないヒータを
通電して、石英ルツボを加熱すると、多結晶シリ
コン原料が溶融して溶融シリコン17となる。こ
うした状態で、例えばアルゴンガスをチヤンバー
1の上蓋6の筒状突起部5側壁およびプルチヤン
バー8の上部側壁にそれぞれ開孔した不活性ガス
導入口18,20から導入し、チヤンバー1下部
に開孔した不活性ガス排気口19から排気する。
この場合、アルゴンガスの代りにヘリウムガス等
の他の不活性ガスを供給してもよい。この後、支
持棒4により、保護体3で包囲された石英ルツボ
2を回転しながら、引上チエーン16下端の種結
晶15を石英ルツボ2内の溶融シリコン17に浸
し、回転しながら引上げると、所定の結晶方位を
もつ単結晶シリコンが引上げられる。このような
引上時において、不活性ガス導入口18,20及
び排気口19が引上軸を中心として対称的に配置
されているため、導入口18,20が供給される
アルゴンのガス流は引上軸を中心として対称的に
流れ(第3図矢印図示)、引上装置内部において
アルゴンガス流の停滞層が生じず、したがつて、
SiOガスが引上装置内部に付着することを軽減す
ることができる。その結果、有転位化率の低い単
結晶シリコンを引上げることができる。
事実、次に示す実験例からも、無転位シリコン
を従来の引上装置よりも多く製造できることが確
認された。
を従来の引上装置よりも多く製造できることが確
認された。
実験例 1
ゲートバルブ7下方5cmのチヤンバー1の上蓋
6の筒状突起部5の上部側壁に不活性ガス導入口
18を引上げ軸を中心として対称的に4ケ所(第
4図a図示)、チヤンバー1の下部1bのチヤン
バー1の中心からチヤンバー内径の1/4の長さの
所に20mm幅のスリツト状の不活性ガス排気口19
を引上げ軸を中心として対称的に4ケ所(第4図
b図示)、プルチヤンバー8上端より下方4cmの
プルチヤンバー側壁に不活性ガス導入口20を引
上げ軸を中心として対称的に4ケ所、およびプル
チヤンバー8下端より上方5cmのプルチヤンバー
側壁に直径25mmの不活性ガス排気口12を1ケ所
それぞれ設けた。また、チヤンバー上蓋6上に長
方形の炉内観察用窓(図示せず)と直径85mmの測
定用窓14を引上げ軸を中心として対称的にそれ
ぞれ2ケ所づつ設けた。ここで、炉内観察用窓は
引上軸を中心として90゜回転すると測定用窓14
に同位する位置に設けた。また石英ルツボ2とし
ては寸法が直径12インチ、高さ9インチのものを
用いた。
6の筒状突起部5の上部側壁に不活性ガス導入口
18を引上げ軸を中心として対称的に4ケ所(第
4図a図示)、チヤンバー1の下部1bのチヤン
バー1の中心からチヤンバー内径の1/4の長さの
所に20mm幅のスリツト状の不活性ガス排気口19
を引上げ軸を中心として対称的に4ケ所(第4図
b図示)、プルチヤンバー8上端より下方4cmの
プルチヤンバー側壁に不活性ガス導入口20を引
上げ軸を中心として対称的に4ケ所、およびプル
チヤンバー8下端より上方5cmのプルチヤンバー
側壁に直径25mmの不活性ガス排気口12を1ケ所
それぞれ設けた。また、チヤンバー上蓋6上に長
方形の炉内観察用窓(図示せず)と直径85mmの測
定用窓14を引上げ軸を中心として対称的にそれ
ぞれ2ケ所づつ設けた。ここで、炉内観察用窓は
引上軸を中心として90゜回転すると測定用窓14
に同位する位置に設けた。また石英ルツボ2とし
ては寸法が直径12インチ、高さ9インチのものを
用いた。
以上のような構成の引上装置を用いて、ルツボ
に15Kgの多結晶シリコンを入れ、溶融し、チヤン
バー内を10torrのアルゴンガス減圧雰囲気にして
不活性ガス導入口18,20からアルゴンガスを
導入し、不活性ガス排気口19からアルゴンガス
を排気するとともに、定径部の直径4インチの単
結晶シリコン40cm引上げた。この引上げ工程にお
いて、炉内観察用窓からSiOの流れ状態を観察し
たところ、SiOガスが引上軸を中心として対称的
に流れて、排気口19に導かれることが観察され
た(第3図矢印図示)。このため、引上げ後の装
置内部でのSiO粉の付着が軽減されるとともに、
その付着の仕方も引上軸を中心として対称的であ
ることが確認された。
に15Kgの多結晶シリコンを入れ、溶融し、チヤン
バー内を10torrのアルゴンガス減圧雰囲気にして
不活性ガス導入口18,20からアルゴンガスを
導入し、不活性ガス排気口19からアルゴンガス
を排気するとともに、定径部の直径4インチの単
結晶シリコン40cm引上げた。この引上げ工程にお
いて、炉内観察用窓からSiOの流れ状態を観察し
たところ、SiOガスが引上軸を中心として対称的
に流れて、排気口19に導かれることが観察され
た(第3図矢印図示)。このため、引上げ後の装
置内部でのSiO粉の付着が軽減されるとともに、
その付着の仕方も引上軸を中心として対称的であ
ることが確認された。
また、上記装置を用いて、120時間の連結稼動
で得られる無転位単結晶シリコンの本数を調べ、
従来の装置を用いた場合と比較した。10回の稼動
の平均を算出したところ、従来の装置を用いた場
合、1回(120時間)あたり6.2本しか無転位単結
晶シリコンが得られなかつたが、上記装置を用い
た場合、1回あたり8.4本の無転位単結晶シリコ
ンを得ることができた。
で得られる無転位単結晶シリコンの本数を調べ、
従来の装置を用いた場合と比較した。10回の稼動
の平均を算出したところ、従来の装置を用いた場
合、1回(120時間)あたり6.2本しか無転位単結
晶シリコンが得られなかつたが、上記装置を用い
た場合、1回あたり8.4本の無転位単結晶シリコ
ンを得ることができた。
実験例 2
ゲートバルブ7下方5cmのチヤンバー1の上蓋
6の筒状突起部5の上部側壁に不活性ガス導入口
18′を引上軸を中心として対称的に20ケ所(第
5図a図示)、チヤンバー底部のチヤンバー1中
心からチヤンバー内径の1/4の長さの所に、直径
30mmの不活性ガス排気口19′を引上げ軸を中心
として対称的に12ケ所(第5図b図示)およびプ
ルチヤンバー8上端より下方4cmのプルチヤンバ
ー側壁に不活性ガス導入口20を引上軸を中心と
して対称的に20ケ所それぞれ設けた。ここで、ア
ルゴンガス常圧雰囲気とした以外、他の条件は実
験例1と同一にして単結晶シリコン引上げを行つ
た。
6の筒状突起部5の上部側壁に不活性ガス導入口
18′を引上軸を中心として対称的に20ケ所(第
5図a図示)、チヤンバー底部のチヤンバー1中
心からチヤンバー内径の1/4の長さの所に、直径
30mmの不活性ガス排気口19′を引上げ軸を中心
として対称的に12ケ所(第5図b図示)およびプ
ルチヤンバー8上端より下方4cmのプルチヤンバ
ー側壁に不活性ガス導入口20を引上軸を中心と
して対称的に20ケ所それぞれ設けた。ここで、ア
ルゴンガス常圧雰囲気とした以外、他の条件は実
験例1と同一にして単結晶シリコン引上げを行つ
た。
以上のような構成の引上装置を用いて、120時
間の連続稼動で得られる無転位単結晶シリコンの
本数を調べ、従来の装置を用いた場合と比較し
た。10回の稼動の平均を算出したところ、従来の
装置を用いた場合、1回(120時間)あたり5.1本
しか無転位単結晶シリコンが得られなかつたが、
上記装置を用いた場合、7.2本の無転位単結晶シ
リコンを得ることができた。
間の連続稼動で得られる無転位単結晶シリコンの
本数を調べ、従来の装置を用いた場合と比較し
た。10回の稼動の平均を算出したところ、従来の
装置を用いた場合、1回(120時間)あたり5.1本
しか無転位単結晶シリコンが得られなかつたが、
上記装置を用いた場合、7.2本の無転位単結晶シ
リコンを得ることができた。
上記実験例1、2から明らかなように、本発明
の装置を使用した場合、アルゴンガスの流れが引
上軸を中心として対称的となるため、従来の装置
を使用した場合と比較して、1回の稼動で得られ
る無転位単結晶シリコンの本数が多くなることが
わかる。
の装置を使用した場合、アルゴンガスの流れが引
上軸を中心として対称的となるため、従来の装置
を使用した場合と比較して、1回の稼動で得られ
る無転位単結晶シリコンの本数が多くなることが
わかる。
以上詳述したように、本発明によれば不活性ガ
スの流れが引上軸を中心として対称的となるた
め、単結晶シリコンの有転位化が抑制され、引上
げ単結晶シリコンの大口径化、長尺化およびその
結果としての引上げ時間の長時間化の傾向に十分
応じることができる単結晶シリコンを製造しうる
引上装置を提供できるものである。
スの流れが引上軸を中心として対称的となるた
め、単結晶シリコンの有転位化が抑制され、引上
げ単結晶シリコンの大口径化、長尺化およびその
結果としての引上げ時間の長時間化の傾向に十分
応じることができる単結晶シリコンを製造しうる
引上装置を提供できるものである。
第1図は従来の単結晶シリコン引上装置を示す
断面図、第2図aは第1図のA−A断面図、第2
図bは第1図のB−B断面図、第3図は本発明の
単結晶シリコン引上装置を示す断面図、第4図a
は第3図のC−C断面図、第4図bは第3図のD
−D断面図、第5図a,bは第4図a,bに対応
する他の形態の不活性ガス導入口、排気口を示す
断面図である。 1……チヤンバー、2……石英ルツボ、3……
黒鉛製保護体、4……支持棒、6……上蓋、8…
…プルチヤンバー、9,11,18,18′,2
0……不活性ガス導入口、10,12,19,1
9′……不活性ガス排気口、14……測定用窓、
15……種結晶、16……引上チエーン、17…
…溶融シリコン。
断面図、第2図aは第1図のA−A断面図、第2
図bは第1図のB−B断面図、第3図は本発明の
単結晶シリコン引上装置を示す断面図、第4図a
は第3図のC−C断面図、第4図bは第3図のD
−D断面図、第5図a,bは第4図a,bに対応
する他の形態の不活性ガス導入口、排気口を示す
断面図である。 1……チヤンバー、2……石英ルツボ、3……
黒鉛製保護体、4……支持棒、6……上蓋、8…
…プルチヤンバー、9,11,18,18′,2
0……不活性ガス導入口、10,12,19,1
9′……不活性ガス排気口、14……測定用窓、
15……種結晶、16……引上チエーン、17…
…溶融シリコン。
Claims (1)
- 1 チヤンバー内に石英ガラス製ルツボを載置
し、該ルツボ内の溶融シリコンを常圧以下の不活
性ガス雰囲気下で引上げて単結晶シリコンを造る
装置において、上記チヤンバー上部の所望位置に
複数個の不活性ガス導入口を、該チヤンバーの下
部付近に複数個の不活性ガス排気口を、それぞれ
引上軸を中心として対称的に配置されるように設
けたことを特徴とする単結晶シリコン引上装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12015481A JPS5826095A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 単結晶シリコン引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12015481A JPS5826095A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 単結晶シリコン引上装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5826095A JPS5826095A (ja) | 1983-02-16 |
JPH021117B2 true JPH021117B2 (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=14779288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12015481A Granted JPS5826095A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 単結晶シリコン引上装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5826095A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61111990A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-30 | Kokusai Electric Co Ltd | 単結晶引上装置 |
JPS61122184A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-10 | Kokusai Electric Co Ltd | 単結晶引上げ装置におけるガス吹出し方法 |
JP3838013B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2006-10-25 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5177064A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-03 | Shinetsu Handotai Kk | Handotaitanketsushohikiagesochiniokeru geetobarubu |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6123008Y2 (ja) * | 1981-05-06 | 1986-07-10 |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP12015481A patent/JPS5826095A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5177064A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-03 | Shinetsu Handotai Kk | Handotaitanketsushohikiagesochiniokeru geetobarubu |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5826095A (ja) | 1983-02-16 |
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