JP2655576B2 - 単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブ - Google Patents
単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブInfo
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- JP2655576B2 JP2655576B2 JP4285115A JP28511592A JP2655576B2 JP 2655576 B2 JP2655576 B2 JP 2655576B2 JP 4285115 A JP4285115 A JP 4285115A JP 28511592 A JP28511592 A JP 28511592A JP 2655576 B2 JP2655576 B2 JP 2655576B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K51/00—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
- F16K51/02—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、単結晶引上装置にお
いてメインチャンバの上端開口部を開閉するためのアイ
ソレーションバルブに関するものである。
いてメインチャンバの上端開口部を開閉するためのアイ
ソレーションバルブに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体原料の融液から単結晶棒を引き上
げるＣＺ（チョクラルスキー）法による単結晶引上装置
は、半導体原料を収容するルツボがメインチャンバ内に
配され、そのルツボの周囲にはヒータと断熱材等が設け
られた構造となっている。
げるＣＺ（チョクラルスキー）法による単結晶引上装置
は、半導体原料を収容するルツボがメインチャンバ内に
配され、そのルツボの周囲にはヒータと断熱材等が設け
られた構造となっている。
【０００３】また、メインチャンバの上端には、引き上
げられた単結晶棒を取り出すためのプルチャンバが設け
られ、メインチャンバとプルチャンバとの間には、チャ
ンバの上端開口部を開閉するためのアイソレーションバ
ルブが設けられている。このアイソレーションバルブに
ついては、例えば、特願平１−７０６９２号明細書に記
載のものが知られている。以下、このアイソレーション
バルブの構造を図４に基づいて説明する。
げられた単結晶棒を取り出すためのプルチャンバが設け
られ、メインチャンバとプルチャンバとの間には、チャ
ンバの上端開口部を開閉するためのアイソレーションバ
ルブが設けられている。このアイソレーションバルブに
ついては、例えば、特願平１−７０６９２号明細書に記
載のものが知られている。以下、このアイソレーション
バルブの構造を図４に基づいて説明する。
【０００４】図４において符号１はアイソレーションバ
ルブ全体を表し、このアイソレーションバルブ１におい
ては、シャッタ２が逆皿状に構成されている。また、メ
インチャンバの上端に付設したフランジ３の開口部３ａ
の外周にはシールリング４が設けられている。そして、
このアイソレーションバルブ１にあっては、開口部３ａ
にシャッタ２を上からかぶせ、その開口部３ａを閉塞す
ることによって、メインチャンバとプルチャンバとを絶
縁することができるようになっている。
ルブ全体を表し、このアイソレーションバルブ１におい
ては、シャッタ２が逆皿状に構成されている。また、メ
インチャンバの上端に付設したフランジ３の開口部３ａ
の外周にはシールリング４が設けられている。そして、
このアイソレーションバルブ１にあっては、開口部３ａ
にシャッタ２を上からかぶせ、その開口部３ａを閉塞す
ることによって、メインチャンバとプルチャンバとを絶
縁することができるようになっている。
【０００５】なお、図４において符号５はシャッタ２を
旋回させるための旋回用アームを示している。
旋回させるための旋回用アームを示している。
【０００６】このアイソレーションバルブ１を使用する
目的は、引き上げられた単結晶棒をプルチャンバから取
り出す際に、メインチャンバとプルチャンバとを遮断す
ることである。すなわち、本方式を採用することによっ
て、高温状態のルツボ内に結晶原料を補給しながら、単
結晶棒を連続的に引き上げる、いわゆる連続引上げ法が
可能になる。また、別の手段として、単結晶棒を取り出
した後に原料補給装置をプルチャンバ内に挿入し、同チ
ャンバ内を真空乃至不活性ガスで置換した後、アイソレ
ーションバルブを開放すれば、前記高温状態に維持され
た状態のルツボ内に追加の原料を補給することも可能に
なる。
目的は、引き上げられた単結晶棒をプルチャンバから取
り出す際に、メインチャンバとプルチャンバとを遮断す
ることである。すなわち、本方式を採用することによっ
て、高温状態のルツボ内に結晶原料を補給しながら、単
結晶棒を連続的に引き上げる、いわゆる連続引上げ法が
可能になる。また、別の手段として、単結晶棒を取り出
した後に原料補給装置をプルチャンバ内に挿入し、同チ
ャンバ内を真空乃至不活性ガスで置換した後、アイソレ
ーションバルブを開放すれば、前記高温状態に維持され
た状態のルツボ内に追加の原料を補給することも可能に
なる。
【０００７】すなわち、引上げ作業終了後、プルチャン
バ内に存在する単結晶棒を取り出す際に、このアイソレ
ーションバルブ１によりプルチャンバとメインチャンバ
とを遮断しておけば、真空減圧下、若しくは不活性ガス
（Ａｒガス等）雰囲気下で、メインチャンバ内にある溶
融状態の結晶原料を含むルツボの温度を高温に維持した
状態で、外気による引上装置内の汚染を防止することが
できる。
バ内に存在する単結晶棒を取り出す際に、このアイソレ
ーションバルブ１によりプルチャンバとメインチャンバ
とを遮断しておけば、真空減圧下、若しくは不活性ガス
（Ａｒガス等）雰囲気下で、メインチャンバ内にある溶
融状態の結晶原料を含むルツボの温度を高温に維持した
状態で、外気による引上装置内の汚染を防止することが
できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、メインチャ
ンバを減圧状態に保ちながらプルチャンバを大気開放
し、この単結晶棒を取り出した後にプルチャンバ内を真
空乃至不活性ガスによって置換する作業を行う時、メイ
ンチャンバ内圧が、プルチャンバ内圧よりも高くなるこ
とがあり、この時にアイソレーションバルブ１のシール
が確実でないと、メインチャンバからプルチャンバに漏
れを生じて、メインチャンバ内圧力の異常低下をもたら
したり、時によってはプルチャンバで置換中のガスが逆
拡散してメインチャンバ内を汚染させ、以後の単結晶引
上げ作業を乱したり、単結晶の品質に対して悪影響を及
ぼす。
ンバを減圧状態に保ちながらプルチャンバを大気開放
し、この単結晶棒を取り出した後にプルチャンバ内を真
空乃至不活性ガスによって置換する作業を行う時、メイ
ンチャンバ内圧が、プルチャンバ内圧よりも高くなるこ
とがあり、この時にアイソレーションバルブ１のシール
が確実でないと、メインチャンバからプルチャンバに漏
れを生じて、メインチャンバ内圧力の異常低下をもたら
したり、時によってはプルチャンバで置換中のガスが逆
拡散してメインチャンバ内を汚染させ、以後の単結晶引
上げ作業を乱したり、単結晶の品質に対して悪影響を及
ぼす。
【０００９】また、従来のアイソレーションバルブ１に
あっては、メインチャンバとプルチャンバとの絶縁を完
全にするため、旋回用アーム５でシャッタ２を旋回させ
てメインチャンバ上端の開口部３ａを閉塞した後に、当
該開口部３ａにシャッタ２を上から押しつけておく必要
がある。そこで、従来のアイソレーションバルブ１で
は、シャッタ２の旋回軸６をエアシリンダ７によって下
方に動かし、これによって開口部３ａにシャッタ２を押
しつけておくようにしていた。
あっては、メインチャンバとプルチャンバとの絶縁を完
全にするため、旋回用アーム５でシャッタ２を旋回させ
てメインチャンバ上端の開口部３ａを閉塞した後に、当
該開口部３ａにシャッタ２を上から押しつけておく必要
がある。そこで、従来のアイソレーションバルブ１で
は、シャッタ２の旋回軸６をエアシリンダ７によって下
方に動かし、これによって開口部３ａにシャッタ２を押
しつけておくようにしていた。
【００１０】しかし、旋回軸６をエアシリンダ７によっ
て下方に動かすことによって開口部３ａにシャッタ２を
押しつけるような構造では、下記のような問題が生ず
る。
て下方に動かすことによって開口部３ａにシャッタ２を
押しつけるような構造では、下記のような問題が生ず
る。
【００１１】すなわち、連続して単結晶棒を引き上げる
場合、プルチャンバにおいては、単結晶棒の取出し後
に、再び扉を閉鎖して真空化する、若しくは、真空引き
作業と、不活性ガスの封入作業とを繰り返し、プルチャ
ンバ内を不活性ガスで置換することが行われている。こ
の場合、メインチャンバとプルチャンバとを絶縁しよう
とすると、従来のアイソレーションバルブ１では、シャ
ッタ２が旋回軸６に片持ち状態で支持される構造である
ため、旋回軸６から離れた自由端側を開口部３ａ寄りの
方へしっかりと押さえつけるのは困難であり、プルチャ
ンバ内を真空引きした際、プルチャンバ側がメインチャ
ンバ側に対して負圧となるので、メインチャンバ側から
受ける圧力によってその自由端側がめくれ上がってしま
う危険性があった。そして、シャッタ２の自由端側がめ
くれ上がった場合には、開口部３ａとシャッタ２との間
に隙間が生じてシール性が損なわれ、メインチャンバか
らプルチャンバに漏れによって、前述のような問題点を
生じる。特に今後、半導体ウェーハの大口径化が進み、
メインチャンバの開口部３ａが大口径化する場合、この
問題の解決は一層重要となる。
場合、プルチャンバにおいては、単結晶棒の取出し後
に、再び扉を閉鎖して真空化する、若しくは、真空引き
作業と、不活性ガスの封入作業とを繰り返し、プルチャ
ンバ内を不活性ガスで置換することが行われている。こ
の場合、メインチャンバとプルチャンバとを絶縁しよう
とすると、従来のアイソレーションバルブ１では、シャ
ッタ２が旋回軸６に片持ち状態で支持される構造である
ため、旋回軸６から離れた自由端側を開口部３ａ寄りの
方へしっかりと押さえつけるのは困難であり、プルチャ
ンバ内を真空引きした際、プルチャンバ側がメインチャ
ンバ側に対して負圧となるので、メインチャンバ側から
受ける圧力によってその自由端側がめくれ上がってしま
う危険性があった。そして、シャッタ２の自由端側がめ
くれ上がった場合には、開口部３ａとシャッタ２との間
に隙間が生じてシール性が損なわれ、メインチャンバか
らプルチャンバに漏れによって、前述のような問題点を
生じる。特に今後、半導体ウェーハの大口径化が進み、
メインチャンバの開口部３ａが大口径化する場合、この
問題の解決は一層重要となる。
【００１２】本発明は、かかる点に鑑みなされたもの
で、単結晶引上装置において、シール性の優れたアイソ
レーションバルブを提供することをその目的とする。
で、単結晶引上装置において、シール性の優れたアイソ
レーションバルブを提供することをその目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
メインチャンバとプルチャンバとの間に設けられ、前記
メインチャンバ上端開口部を開閉するシャッタを備えた
単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブにおい
て、前記シャッタは天板およびベース板とを有し、この
天板およびベース板間にはベローズが取り付けられ、こ
のベローズの取付けによって前記天板およびベース板間
に形成される内部空間には液体が給排できるように構成
され、この液体の給排によって前記シャッタは上下方向
に膨縮可能となっているとともに、前記シャッタの上下
にはその膨張時に前記天板およびベース板が着座する座
が設けられ、さらに前記ベース板または該ベース板が着
座する座にシールリングが設けられていることを特徴と
する。
メインチャンバとプルチャンバとの間に設けられ、前記
メインチャンバ上端開口部を開閉するシャッタを備えた
単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブにおい
て、前記シャッタは天板およびベース板とを有し、この
天板およびベース板間にはベローズが取り付けられ、こ
のベローズの取付けによって前記天板およびベース板間
に形成される内部空間には液体が給排できるように構成
され、この液体の給排によって前記シャッタは上下方向
に膨縮可能となっているとともに、前記シャッタの上下
にはその膨張時に前記天板およびベース板が着座する座
が設けられ、さらに前記ベース板または該ベース板が着
座する座にシールリングが設けられていることを特徴と
する。
【００１４】
【００１５】
【作用】上記した手段によれば、アイソレーションバル
ブのシャッタはその内部空間に供給した液体圧力によっ
て膨らみ、上下の座にシャッタの天板およびベース板が
密着し、これによって、メインチャンバとプルチャンバ
との絶縁が行われる。この場合、シャッタの天板および
ベース板はそれぞれ対応する座に密着するので、シャッ
タの下側から力が作用した場合でも、シャッタの天板は
それに対応する座によってサポートされるので、シャッ
タのベース板は、液体圧力によって均一に開口部に押し
付けられることになる。したがって、押しつけの弱い箇
所がなくなることになり、シャッタのめくりが防止で
き、その結果、シール性の向上が図れることになる。ま
た、シャッタの作動流体として液体を用いているため、
シャッタひいてはシールリングの冷却効果が高く、シー
ルリングの熱による損傷を効果的に防止することができ
る。この場合、天板または該天板が着座する座にシール
リングを設ける場合よりも、ベース板または該ベース板
が着座する座にシールリングを設ける場合の方が有利と
なる。単結晶の引上げ中および単結晶の取出し作業中に
メインチャンバは減圧に保たれており、特に単結晶の取
出し後はシャッタの上側が常圧で下側が減圧となる。そ
の結果、単結晶の取出し後はシャッタの上側から力が作
用することになるので、ベース板は座に強く押し付けら
れることになり、シール性が損なわれることはない。一
方、ベース板または該ベース板が着座する座にシールリ
ングを設ける代わりに、天板または該天板が着座する座
にシールリングを設ける場合には、単結晶の取出し後に
シャッタの上側から力が作用した場合には、天板と座と
の間に隙間が生じて、シール性が損なわれる危険性があ
る。
ブのシャッタはその内部空間に供給した液体圧力によっ
て膨らみ、上下の座にシャッタの天板およびベース板が
密着し、これによって、メインチャンバとプルチャンバ
との絶縁が行われる。この場合、シャッタの天板および
ベース板はそれぞれ対応する座に密着するので、シャッ
タの下側から力が作用した場合でも、シャッタの天板は
それに対応する座によってサポートされるので、シャッ
タのベース板は、液体圧力によって均一に開口部に押し
付けられることになる。したがって、押しつけの弱い箇
所がなくなることになり、シャッタのめくりが防止で
き、その結果、シール性の向上が図れることになる。ま
た、シャッタの作動流体として液体を用いているため、
シャッタひいてはシールリングの冷却効果が高く、シー
ルリングの熱による損傷を効果的に防止することができ
る。この場合、天板または該天板が着座する座にシール
リングを設ける場合よりも、ベース板または該ベース板
が着座する座にシールリングを設ける場合の方が有利と
なる。単結晶の引上げ中および単結晶の取出し作業中に
メインチャンバは減圧に保たれており、特に単結晶の取
出し後はシャッタの上側が常圧で下側が減圧となる。そ
の結果、単結晶の取出し後はシャッタの上側から力が作
用することになるので、ベース板は座に強く押し付けら
れることになり、シール性が損なわれることはない。一
方、ベース板または該ベース板が着座する座にシールリ
ングを設ける代わりに、天板または該天板が着座する座
にシールリングを設ける場合には、単結晶の取出し後に
シャッタの上側から力が作用した場合には、天板と座と
の間に隙間が生じて、シール性が損なわれる危険性があ
る。
【００１６】また、プルチャンバからの単結晶棒の取出
し作業、プルチャンバにおける真空引き作業および不活
性ガスの封入作業を行う場合に、例えば、シャッタ内の
流体圧力を大気圧以上にしておけば、確実に、メインチ
ャンバとプルチャンバとの絶縁を図ることができる。
し作業、プルチャンバにおける真空引き作業および不活
性ガスの封入作業を行う場合に、例えば、シャッタ内の
流体圧力を大気圧以上にしておけば、確実に、メインチ
ャンバとプルチャンバとの絶縁を図ることができる。
【００１７】
【００１８】
【実施例】以下、本発明に係るアイソレーションバルブ
の実施例を図面に基づいて説明する。
の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１９】まず、図１に基づいて単結晶引上装置１の
概略を説明すれば、ステンレス製円筒からなるメインチ
ャンバ１０の内部には石英製のルツボ１１が支持軸１２
上に載設されている。またメインチャンバ１０内の前記
ルツボ１１の周囲には、炭素材からなる円筒系のヒータ
１３が配され、このヒータ１３の周囲には同じく炭素材
からなる円筒状の断熱部材１４が配されている。
概略を説明すれば、ステンレス製円筒からなるメインチ
ャンバ１０の内部には石英製のルツボ１１が支持軸１２
上に載設されている。またメインチャンバ１０内の前記
ルツボ１１の周囲には、炭素材からなる円筒系のヒータ
１３が配され、このヒータ１３の周囲には同じく炭素材
からなる円筒状の断熱部材１４が配されている。
【００２０】メインチャンバ１０上端に付設されるフラ
ンジ１５の開口部１０ａにはアイソレーションバルブ１
６が設けられている。また、このアイソレーションバル
ブ１６の上方にはステンレス製円筒からなるプルチャン
バ１７が前記フランジ１５の開口部１０ａと同心的に設
けられている。このプルチャンバ１７の側部には開閉扉
１７ａが設けられている。
ンジ１５の開口部１０ａにはアイソレーションバルブ１
６が設けられている。また、このアイソレーションバル
ブ１６の上方にはステンレス製円筒からなるプルチャン
バ１７が前記フランジ１５の開口部１０ａと同心的に設
けられている。このプルチャンバ１７の側部には開閉扉
１７ａが設けられている。
【００２１】ここで、前記アイソレーションバルブ１６
の構成の詳細を図２および図３に基づいて説明する。
の構成の詳細を図２および図３に基づいて説明する。
【００２２】アイソレーションバルブ１６は、メインチ
ャンバ１０の上端に付設されたフランジ１５に取り付け
られている。アイソレーションバルブ１６は開口部１０
ａを開閉するシャッタ１８を含んでなる。このシャッタ
１８は、旋回軸１６ａに取り付けられたベース板１９と
それとは別体の天板２０との間がステンレス製のベロー
ズ２１によって連結された構造となっており、上下方向
に膨縮可能となっている。ここで、ベローズ２１は、そ
のベローズのバネ性を利用し、常に縮退状態となってい
る。ベローズ２１によってシャッタ１８に形成される内
部空間１８ａは、ベース板１９に設けたガス流路２２と
それに連結されるパイプ２３を通じてガス供給装置（図
示せず）に接続されている。また、パイプ２３の途中に
は圧力制御弁２４が設けられている。そうして、このア
イソレーションバルブ１６では、ガス供給装置からシャ
ッタ１８の内部空間にガスを供給することによって、シ
ャッタ１８を膨張させるようになっている。ここでの圧
力制御弁２４の設定圧力は、シャッタ１８の縮退状態の
ときのガス圧力が大気圧となるように、また、シャッタ
１８の膨張状態のときのガス圧力が大気圧よりも高い一
定の値になるようにされている。なお、この設定圧力
は、これに限定はされず、メインチャンバ１０内の不活
性ガスの漏出防止を図るためには、シャッタ１８が膨張
したときのガス圧力が少なくともメインチャンバ１０内
の不活性ガスの圧力以上となっていれば良い。勿論、そ
の場合には、シャッタ１８の縮退状態における設定圧力
は、膨張時の設定圧力以下となるようにしなければなら
ないことは言うまでもない。
ャンバ１０の上端に付設されたフランジ１５に取り付け
られている。アイソレーションバルブ１６は開口部１０
ａを開閉するシャッタ１８を含んでなる。このシャッタ
１８は、旋回軸１６ａに取り付けられたベース板１９と
それとは別体の天板２０との間がステンレス製のベロー
ズ２１によって連結された構造となっており、上下方向
に膨縮可能となっている。ここで、ベローズ２１は、そ
のベローズのバネ性を利用し、常に縮退状態となってい
る。ベローズ２１によってシャッタ１８に形成される内
部空間１８ａは、ベース板１９に設けたガス流路２２と
それに連結されるパイプ２３を通じてガス供給装置（図
示せず）に接続されている。また、パイプ２３の途中に
は圧力制御弁２４が設けられている。そうして、このア
イソレーションバルブ１６では、ガス供給装置からシャ
ッタ１８の内部空間にガスを供給することによって、シ
ャッタ１８を膨張させるようになっている。ここでの圧
力制御弁２４の設定圧力は、シャッタ１８の縮退状態の
ときのガス圧力が大気圧となるように、また、シャッタ
１８の膨張状態のときのガス圧力が大気圧よりも高い一
定の値になるようにされている。なお、この設定圧力
は、これに限定はされず、メインチャンバ１０内の不活
性ガスの漏出防止を図るためには、シャッタ１８が膨張
したときのガス圧力が少なくともメインチャンバ１０内
の不活性ガスの圧力以上となっていれば良い。勿論、そ
の場合には、シャッタ１８の縮退状態における設定圧力
は、膨張時の設定圧力以下となるようにしなければなら
ないことは言うまでもない。
【００２３】また、シャッタ１８の上下には座２５，２
６が設けられ、この座２５，２６にはシャッタ１８が膨
張したときにその天板２０およびベース板１９が密着可
能になっている。この場合、メインチャンバ１０の不活
性ガスの漏出を防止するため、ベース板１９と座２６と
の気密性を高くする必要がある。そこで、このアイソレ
ーションバルブ１６ではベース板１９にシールリング２
７を設けている。もっとも、このシールリング２７は座
２６に設けても良い。
６が設けられ、この座２５，２６にはシャッタ１８が膨
張したときにその天板２０およびベース板１９が密着可
能になっている。この場合、メインチャンバ１０の不活
性ガスの漏出を防止するため、ベース板１９と座２６と
の気密性を高くする必要がある。そこで、このアイソレ
ーションバルブ１６ではベース板１９にシールリング２
７を設けている。もっとも、このシールリング２７は座
２６に設けても良い。
【００２４】また、このアイソレーションバルブ１６に
あっては旋回軸１６ａが僅かではあるが上下動可能に構
成されているとともに、旋回時にベース板１９の底面が
座２６に摺接しないように旋回軸１６ａをスプリング２
９によって上方に付勢している。
あっては旋回軸１６ａが僅かではあるが上下動可能に構
成されているとともに、旋回時にベース板１９の底面が
座２６に摺接しないように旋回軸１６ａをスプリング２
９によって上方に付勢している。
【００２５】なお、図２および図３において符号３０は
旋回用アームを示しており、この旋回用アーム３０はエ
アシリンダ（図示せず）によって駆動されるようになっ
ている。
旋回用アームを示しており、この旋回用アーム３０はエ
アシリンダ（図示せず）によって駆動されるようになっ
ている。
【００２６】次に、このアイソレーションバルブ１６の
動作を説明する。
動作を説明する。
【００２７】シャッタ１８の旋回はその内部空間のガス
を抜いた状態で旋回用アーム３０を駆動させることによ
って行われる。また、メインチャンバ１０とプルチャン
バ１７との絶縁は、ガス供給装置からのシャッタ１８の
内部空間１８ａへガスを供給することによってなされ
る。この場合、圧力制御弁２４の設定圧を例えば大気圧
より高いある圧力に設定した後、シャッタ１８の内部空
間１８ａにガスを供給すると、それに伴いその内部空間
１８ａのガス圧力が徐々に増してゆき、まず、ベローズ
２１が伸びて最初に天板２０またはベース板１９のいず
れか一方が、対応する座２５，２６に突き当たる。さら
に、ガスの供給を行ってゆくと、天板２０およびベース
板１９の他方が、対応する座２５，２６に突き当たる
（図３）。これによって、メインチャンバ１０とプルチ
ャンバ１７との絶縁が行われる。
を抜いた状態で旋回用アーム３０を駆動させることによ
って行われる。また、メインチャンバ１０とプルチャン
バ１７との絶縁は、ガス供給装置からのシャッタ１８の
内部空間１８ａへガスを供給することによってなされ
る。この場合、圧力制御弁２４の設定圧を例えば大気圧
より高いある圧力に設定した後、シャッタ１８の内部空
間１８ａにガスを供給すると、それに伴いその内部空間
１８ａのガス圧力が徐々に増してゆき、まず、ベローズ
２１が伸びて最初に天板２０またはベース板１９のいず
れか一方が、対応する座２５，２６に突き当たる。さら
に、ガスの供給を行ってゆくと、天板２０およびベース
板１９の他方が、対応する座２５，２６に突き当たる
（図３）。これによって、メインチャンバ１０とプルチ
ャンバ１７との絶縁が行われる。
【００２８】このように構成された実施例のアイソレー
ションバルブ１６によれば、下記のような効果を得るこ
とができる。
ションバルブ１６によれば、下記のような効果を得るこ
とができる。
【００２９】すなわち、実施例のアイソレーションバル
ブ１６によれば、アイソレーションバルブ１６のシャッ
タ１８はその内部空間に供給した流体圧力によって膨ら
み、シャッタ１８の天板２０およびベース板１９にはそ
れぞれ座２５，２６に密着するので、シャッタ１８の下
側から圧力が作用した場合でも、シャッタ１８の天板２
０はそれに対応する座２５によってサポートされ、シャ
ッタ１８のベース板１９は流体圧力によって均一に開口
部１０ａに押しつけられているので、押しつけの弱い箇
所がなくなることになり、シール性の向上が図れること
になる。
ブ１６によれば、アイソレーションバルブ１６のシャッ
タ１８はその内部空間に供給した流体圧力によって膨ら
み、シャッタ１８の天板２０およびベース板１９にはそ
れぞれ座２５，２６に密着するので、シャッタ１８の下
側から圧力が作用した場合でも、シャッタ１８の天板２
０はそれに対応する座２５によってサポートされ、シャ
ッタ１８のベース板１９は流体圧力によって均一に開口
部１０ａに押しつけられているので、押しつけの弱い箇
所がなくなることになり、シール性の向上が図れること
になる。
【００３０】また、プルチャンバ１７からの単結晶棒の
取出し作業、プルチャンバ１７における真空引き作業お
よび不活性ガスの封入作業を行う場合に、シャッタ１８
内の流体圧力をメインチャンバ１０の内部圧力以上に保
っているので、メインチャンバとプルチャンバとの絶縁
を確実に図ることができ、メインチャンバ１０からのガ
スの漏出を確実に防止でき、メインチャンバ内圧の異常
低下や内部雰囲気の空気汚染が防止できることになる。
取出し作業、プルチャンバ１７における真空引き作業お
よび不活性ガスの封入作業を行う場合に、シャッタ１８
内の流体圧力をメインチャンバ１０の内部圧力以上に保
っているので、メインチャンバとプルチャンバとの絶縁
を確実に図ることができ、メインチャンバ１０からのガ
スの漏出を確実に防止でき、メインチャンバ内圧の異常
低下や内部雰囲気の空気汚染が防止できることになる。
【００３１】さらに、ガスとして不活性ガスを利用して
いるので、ベローズ２１の損壊などにより、万一、その
不活性ガスがメインチャンバ側に流入しても、空気汚染
のような不測のトラブルの発生を防止することができ
る。
いるので、ベローズ２１の損壊などにより、万一、その
不活性ガスがメインチャンバ側に流入しても、空気汚染
のような不測のトラブルの発生を防止することができ
る。
【００３２】以上、本発明の実施例を図面に基づいて説
明したが、本発明は、かかる実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能
である。
明したが、本発明は、かかる実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能
である。
【００３３】前記実施例では、シャッタ１８の内部空間
に不活性ガスを給排するようにしたが、必ずしも不活性
ガスに限らず、他のガスであっても、また、水その他の
液体であっても作動は可能である。この場合、液体を供
給するようにすれば、シャッタ１８自体の冷却も同時に
行えるというメリットがある。
に不活性ガスを給排するようにしたが、必ずしも不活性
ガスに限らず、他のガスであっても、また、水その他の
液体であっても作動は可能である。この場合、液体を供
給するようにすれば、シャッタ１８自体の冷却も同時に
行えるというメリットがある。
【００３４】また、前記実施例では、シャッタ１８の天
板２０およびベース板１９を平板状に構成しているが、
その一方あるいは双方を逆皿状に構成するようにしても
良いことは勿論である。
板２０およびベース板１９を平板状に構成しているが、
その一方あるいは双方を逆皿状に構成するようにしても
良いことは勿論である。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、メインチャンバとプル
チャンバとの間に設けられ、前記メインチャンバ上端開
口部を開閉するシャッタを備えた単結晶引上装置におけ
るアイソレーションバルブにおいて、前記シャッタは天
板およびベース板とを有し、この天板およびベース板間
にはベローズが取り付けられ、このベローズの取付けに
よって前記天板およびベース板間に形成される内部空間
には液体が給排できるように構成され、この液体の給排
によって前記シャッタは上下方向に膨縮可能となってい
るとともに、前記シャッタの上下にはその膨張時に前記
天板およびベース板が着座する座が設けられ、さらに前
記ベース板または該ベース板が着座する座にシールリン
グが設けられているので、シール性の向上を図れること
になる。また、シャッタの作動流体として液体を用いて
いるため、シャッタひいてはシールリングの冷却効果が
高く、シールリングの熱による損傷を効果的に防止する
ことができる。
チャンバとの間に設けられ、前記メインチャンバ上端開
口部を開閉するシャッタを備えた単結晶引上装置におけ
るアイソレーションバルブにおいて、前記シャッタは天
板およびベース板とを有し、この天板およびベース板間
にはベローズが取り付けられ、このベローズの取付けに
よって前記天板およびベース板間に形成される内部空間
には液体が給排できるように構成され、この液体の給排
によって前記シャッタは上下方向に膨縮可能となってい
るとともに、前記シャッタの上下にはその膨張時に前記
天板およびベース板が着座する座が設けられ、さらに前
記ベース板または該ベース板が着座する座にシールリン
グが設けられているので、シール性の向上を図れること
になる。また、シャッタの作動流体として液体を用いて
いるため、シャッタひいてはシールリングの冷却効果が
高く、シールリングの熱による損傷を効果的に防止する
ことができる。
【図１】単結晶引上装置の概略縦断面図である。
【図２】実施例のアイソレーションバルブの概略縦断面
図である。
図である。
【図３】実施例のアイソレーションバルブの概略縦断面
図である。
図である。
【図４】従来のアイソレーションバルブの概略縦断面図
である。
である。
１６ アイソレーションバルブ １８ シャッタ １９ ベース板 ２０ 天板 ２５ 座 ２６ 座
Claims (1)
- 【請求項１】 メインチャンバとプルチャンバとの間に
設けられ、前記メインチャンバ上端開口部を開閉するシ
ャッタを備えた単結晶引上装置におけるアイソレーショ
ンバルブにおいて、前記シャッタは天板およびベース板
とを有し、この天板およびベース板間にはベローズが取
り付けられ、このベローズの取付けによって前記天板お
よびベース板間に形成される内部空間には液体が給排で
きるように構成され、この液体の給排によって前記シャ
ッタは上下方向に膨縮可能となっているとともに、前記
シャッタの上下にはその膨張時に前記天板およびベース
板が着座する座が設けられ、さらに前記ベース板または
該ベース板が着座する座にシールリングが設けられてい
ることを特徴とする単結晶引上装置におけるアイソレー
ションバルブ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285115A JP2655576B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブ |
| US08/125,187 US5356113A (en) | 1992-09-30 | 1993-09-23 | Isolation valve for single crystal pulling apparatus |
| DE69320579T DE69320579T2 (de) | 1992-09-30 | 1993-09-29 | Abschlussventil für Einkristallziehvorrichtung |
| EP93307734A EP0590964B1 (en) | 1992-09-30 | 1993-09-29 | Isolation valve for single crystal pulling apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285115A JP2655576B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06117558A JPH06117558A (ja) | 1994-04-26 |
| JP2655576B2 true JP2655576B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=17687315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4285115A Expired - Lifetime JP2655576B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5356113A (ja) |
| EP (1) | EP0590964B1 (ja) |
| JP (1) | JP2655576B2 (ja) |
| DE (1) | DE69320579T2 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3041670B2 (ja) * | 1995-07-04 | 2000-05-15 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上げ装置 |
| DE19746241C2 (de) * | 1997-10-20 | 2000-05-31 | Vat Holding Ag Haag | Einrichtung zum Verschließen einer Öffnung |
| CH692821A5 (de) * | 1998-02-04 | 2002-11-15 | Unaxis Trading Ag | Vakuumventilplatte und Vakuumkammeranordnung mit einer solchen. |
| JP2002241189A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-28 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶引上げ装置 |
| JP4488654B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2010-06-23 | コマツ工機株式会社 | 半導体単結晶引上装置のゲートバルブ |
| AU2003254050A1 (en) * | 2002-07-22 | 2004-02-09 | Mdc Vacuum Products Corporation | High-vacuum valve with retractable valve plate to eliminate abrasion |
| JP2006526125A (ja) * | 2003-05-13 | 2006-11-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理チャンバの開口を封止するための方法および装置 |
| US7348076B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-03-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Single crystals and methods for fabricating same |
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| US11047650B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-06-29 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Transparent composite having a laminated structure |
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| US3717322A (en) * | 1970-10-27 | 1973-02-20 | Verreries Appliquees | Shutter valves for high-vacuum applications |
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-
1992
- 1992-09-30 JP JP4285115A patent/JP2655576B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-09-23 US US08/125,187 patent/US5356113A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-29 EP EP93307734A patent/EP0590964B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-29 DE DE69320579T patent/DE69320579T2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06117558A (ja) | 1994-04-26 |
| DE69320579D1 (de) | 1998-10-01 |
| EP0590964B1 (en) | 1998-08-26 |
| DE69320579T2 (de) | 1999-03-11 |
| US5356113A (en) | 1994-10-18 |
| EP0590964A1 (en) | 1994-04-06 |
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