DE3743951A1 - Einrichtung zum ziehen von siliziumeinkristallen mit einem waermeisolierzylinder und verfahren zur herstellung des materials desselben - Google Patents
Einrichtung zum ziehen von siliziumeinkristallen mit einem waermeisolierzylinder und verfahren zur herstellung des materials desselbenInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 70
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 64
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 64
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 94
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 42
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 24
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 21
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 14
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 12
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 6
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical group Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 7
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000289 melt material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Einrichtung zum
Ziehen von Siliziumeinkristallen mit einem Wärmeiso
lierzylinder und ein Verfahren zur Herstellung des Ma
terials desselben. Siliziumeinkristalle, die als Subs
trat für Halbleiter verwendet werden, sind hauptsächlich
nach dem Czochralski-Verfahren (CZ-Verfahren) herge
stellt worden. Bei dem CZ-Verfahren wird ein Einkristall
block im Prinzip dadurch hergestellt, daß ein
Schmelztiegel drehbar in einer Kammer aufgenommen wird,
Siliziummaterial in den Schmelztiegel eingesetzt wird,
in dem Schmelztiegel das Siliziummaterial durch einen
Kohleheizer, der am Außenumfang des Schmelztiegels an
geordnet ist, geschmolzen wird, ein drehbar aufgehäng
ter Kristallkeim bzw. Impfkristall von oben mit der
Oberfläche der Siliziumschmelze im Schmelztiegel ein
tauchend in Berührung gebracht und anschließend nach
oben gezogen wird.
Um den Kohleheizer ist ein Wärmeisolierzylinder ange
bracht, der in herkömmlicher Weise hergestellt ist,
indem filzartig gewebtes Gewebematerial aus Graphit
fasern in einer Mehrzahl von Lagen auf den Außenumfang
einer kohlenstoffreichen Zylinderplatte aufgewickelt
ist. Das Wärmeisoliermaterial, das für den Wärmeisolier
zylinder verwendet wird, hat eine Porösität von unge
fähr 85%, eine relative inherente Dichte von ungefähr
1,7 und eine Raumdichte von ungefähr 0,4.
Im Falle der Verwendung eines Wärmeisolierzylinders,
der durch zylindrisches Aufwickeln des Gewebematerials
aus Graphitfasern hergestellt ist, muß die Wärmeabgabe
des Heizers jedoch erhöht werden, da die Barrierewirkung
des Wärmeisolierzylinders für die von dem Heizer er
zeugte Wärme verhältnismäßig niedrig ist. Außerdem wer
den Graphitfasern oxidiert und hierdurch zersetzt und
laufen hierdurch Gefahr während einer Langzeitverwendung
aufgelöst zu werden, was eine Verunreinigung durch Ein
dringen von Kohlenstoffpulver in den Schmelztiegel mit
sich bringt sowie ein Schrumpfen des Gewebematerials
bewirkt und die Wirksamkeit der Isolation für die in
der Kammer befindliche Wärme vermindert. Entsprechend
ist ein großer Wärmestrom erforderlich, um die Ab
kühlung der Kammer auszugleichen. Dies führt zu beson
ders schwierigen Problemen im Hinblick auf die gegen
wärtigen Anforderungen, bei denen der Durchmesser des
Schmelztiegels mit dem Durchmesser des Einkristallbloc
kes wachsen muß und auch die Wärmeabgabe erhöht werden
muß, um das Siliziummaterial zu schmelzen.
Außerdem kann keine ausreichende Wärmeisolationswirkung
mit solchem Wärmeisoliermaterial erzielt werden, das die
oben erwähnten Kennwerte an Porösität, Faserdichte und
Gewebedichte aufweist.
Übrigens wird teilweise als Schmelztiegel ein Schmelz
tiegel aus Quarzglas verwendet. Der Quarzschmelztiegel
reagiert mit der Siliziumschmelze zu SiO-Gas ent
sprechend:
SiO₂ + Si → 2 SiO
Das SiO-Gas reagiert mit dem Kohlenstoff, der auf die
höchste Temperatur erhitzt ist, zu CO-Gas entsprechend:
SiO + 2 C → SiC + CO
Im Ergebnis wird die Lebensdauer des Kohlenstoffheizers
verkürzt. Durch die Einleitung von CO-Gas in die Sili
ziumschmelze steigt außerdem die Kohlenstoffkonzentra
tion in dem Siliziumeinkristallblock und führt zu Kris
talldefekten.
Ein erstes Ziel der vorliegenden Erfindung besteht da
rin, einen Wärmeisolierzylinder zur Verwendung in einer
Einrichtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen zu
schaffen, der eine hohe Wärmeisolierkapazität besitzt
und keinen nachteiligen Einfluß auf die pysikalischen
Eigenschaften des Siliziumeinkristalles ausübt.
Ein zweites Ziel der vorliegenden Erfindung besteht da
rin, eine Einrichtung zum Ziehen von Siliziumeinkris
tallen zu schaffen, die eine hohe Wärmeisolierwirkung
besitzt und die physikalischen Eigenschaften des Sili
ziumeinkristalles nicht nachteilig beeinflußt.
Ein drittes Ziel der vorliegenden Erfindung besteht da
rin, ein Wärmeisoliermaterial zu schaffen, das einen
hohen Wärmeisoliereffekt besitzt und vorzugsweise zur
Verwendung für einen Wärmeisolierzylinder zum Einsatz
in eine Einrichtung zur Züchtung von Siliziumeinkris
tallen vorgesehen ist.
Ein viertes Ziel der vorliegenden Erfindung besteht da
rin, ein Verfahren zur Herstellung eines Wärmeisolier
materials mit hoher Wärmeisolierfähigkeit zu schaffen,
das für Wärmeisolierzylinder zum Einsatz in Einrichtun
gen zum Ziehen von Siliziumeinkristallen verwendet
werden kann.
Ein fünftes Ziel der vorliegenden Erfindung besteht
darin, eine Einrichtung zum Ziehen von Siliziumein
kristallen zu schaffen, die in der Lage ist, eine
Reaktion zwischen SiO-Gas und einem Kohlenstoffheizer
zu verhindern, so daß die Lebensdauer des Kohlenstoff
heizers erhöht wird und die Erzeugung von Siliziumein
kristallen möglich ist, die eine niedrige Kohlenstoff
konzentration und weniger Kristalldefekte enthalten.
Erfindungsgemäß wird das erste Ziel durch einen Wär
meisolierzylinder erreicht, der in folgenden Konfigu
rationen ausgeführt sein kann:
Gemäß einer ersten Ausführungsform besteht der Wärme
isolierzylinder zur Verwendung in einer Einrichtung
zum Ziehen von Siliziumeinkristallen aus einer Mehr
zahl plattenförmiger Teile aus wärmeisolierendem Ma
terial, die an ihren Seiten miteinander verbunden sind
und zu einem Zylinderkörper zusammengefügt sind.
Gemäß einer zweiten Ausführungsform umfaßt der Wärme
isolierzylinder zur Verwendung in einer Einrichtung
zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter Aufwärts
ziehen eine Mehrzahl rohrförmiger Teile aus wärmeiso
lierendem Material, die an ihren Umfangsflächen mit
einander in Berührung sind und zu einem Zylinderteil
zusammengefügt sind.
Gemäß einer dritten Ausführungsform umfaßt der Wärme
isolierzylinder zur Verwendung in einer Einrichtung
zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter Aufwärts
ziehen ein Kohlenstoffverbundmaterial, das durch Form
gebung aufgewickelter Kohlenstoffasern in eine Zylinder
form hergestellt ist.
Eine vierte Ausführungsform eines Wärmeisolierzylinders
zur Verwendung in einer Einrichtung zum Ziehen von
Siliziumeinkristallen unter Aufwärtsziehen besteht aus
einem Zylinderteil, bestehend aus mehrlagig in Zylinder
form gewundenen Graphitfasern und einem zylindrischen
Kohlenstoffverbundmaterial, das aus gewickelten bzw.
gewundenen Graphitfasern in engem Kontakt mit zumindest
einer Innenumfangsfläche des Zylinderteiles besteht.
Entsprechend der ersten bis vierten Ausführungsform
für Wärmeisolierzylinder nach der vorliegenden Erfin
dung ist es möglich, Wärmeisolierzylinder zur Verwendung
in einer Einrichtung zum Ziehen von Siliziumeinkris
tallen unter Aufwärtsziehen zu schaffen, die eine hohe
Wärmeisolationswirkung besitzen und keinerlei uner
wünschte Einflüsse auf die physikalischen Eigenschaften
des Siliziumeinkristalles ausüben.
Da außerdem bei der dritten Ausführungsform für einen
Wärmeisolationszylinder nach der vorliegenden Erfindung
die Dicke des Kohlenstoffverbundmaterials vermindert
werden kann, kann zusätzlich zu dem vorbeschriebenen
Effekt eine Reinigungsbehandlung des Wärmeisolierzylin
ders erleichtert werden und im Ergebnis dessen kann
ein Wärmeisolierzylinder von hoher Reinheit und niedri
gem Preis erhalten werden.
Das plattenförmige Teil, das im Rahmen des Wärmeisolier
zylinders nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Er
findung verwendet wird, kann so ausgebildet werden,
daß es einen bogenförmigen Querschnitt besitzt, dessen
Krümmungsradius dem Radius des Umfangsabschnittes des
Wärmeisolierzylinders entspricht, so daß es z. B. ein
zylindrisches Wärmeisoliermaterial sein kann, das in
eine Mehrzahl von Abschnitten in Längsrichtung geteilt
ist oder das, alternativ dazu, ein Rohr sein kann, das
entlang einer Mittellängsebene zweigeteilt ist.
Das Wärmeisoliermaterial für diesen Wärmeisolierzylin
der nach der vorliegenden Erfindung besteht vorzugswei
se aus Siliziumkarbid oder Kohlenstoff.
Das rohrförmige Teil in dem Wärmeisolierzylinder nach
der zweiten Ausführungsform der Erfindung kann dadurch
gebildet werden, daß eine Mehrzahl rohrförmiger Teile
zu einer Doppelzylinderanordnung zusammengefügt ist.
Außerdem können Keramikfasern in die Hohlräume der
rohrförmigen Teile eingefüllt werden oder diese Hohl
räume können unter Vakuum verschlossen
werden, um die Wärmedämmeigenschaften bzw. Wärmeisola
tionswirkung weiter zu verbessern. Allerdings kann
diese beabsichtigte Wirkung nur erreicht werden, wenn ein
Ende jedes rohrförmigen Teiles verschlossen ist.
Das Wärmeisoliermaterial für den Wärmeisolierzylinder
nach der zweiten Ausführungsform der Erfindung kann
vorzugsweise aus einer Gruppe ausgesucht werden, die
Quarzglas, Aluminium, Siliziumkarbid und Kohlenstoff
enthält.
Das Kohlenstoffverbundmaterial für den Wärmeisolierzy
linder nach der dritten oder vierten Ausführungsform
der Erfindung kann dadurch erzeugt werden, daß die ge
wundenen Graphitfasern in Zylinderform gebracht werden,
die so ausgeformten Graphitfasern mit Kunstharzen im
prägniert und die so imprägnierten Graphitfasern ge
brannt werden. Da solches Kohlenstoffverbundmaterial
eine hohe mechanische Festigkeit hat, ist es möglich,
das Graphitverbundmaterial für sich mit reduzierter
Dicke und vermindertem Gewicht auszuführen.
Das zweite Ziel der Erfindung kann durch eine Ein
richtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter
Aufwärtsziehen erreicht werden, die nach einer ersten
Ausführungsform einen Schmelztiegel aufweist, der ge
schmolzenes Siliziummaterial enthält, einen ringförmi
gen Heizer besitzt, der so angeordnet ist, daß er den
Schmelztiegel zur Erwärmung des Siliziummaterials in
dem Schmelztiegel umgibt und eine Mehrzahl platten
förmiger Teile aus wärmeisolierendem Material besitzt,
derart angeordnet, daß sie den Heizer umgeben und mit
einander an ihren Seitenkanten verbunden und zu einer
Zylinderform zusammengefügt sind.
Nach einer zweiten Ausführungsform weist die Einrichtung
zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter Aufwärts
ziehen einen Schmelztiegel auf, der das geschmolzene
Siliziummaterial enthält, ferner einen ringförmigen
Heizer, der so angeordnet ist, daß er den Schmelztiegel
umgibt, um das Siliziummaterial in dem Schmelztiegel
zu erwärmen und eine Mehrzahl von rohrförmigen Teilen
aus wärmeisolierendem Material so angeordnet ist, daß
sie den Heizer umgeben und einander entlang ihrer Umfangs
flächen berühren und zu einer Zylinderform zusammen
gefügt sind.
Gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel umfaßt die
Einrichtung zur Herstellung von Siliziumeinkristallen
unter Aufwärtsziehen einen Schmelztiegel, der das ge
schmolzene Siliziummaterial enthält, einen ring
förmigen Heizer, der so angeordnet ist, daß er den
Schmelztiegel umgibt, um das Siliziummaterial im
Schmelztiegel zu erwärmen und ein Kohlenstoffverbund
material, das so angeordnet ist, daß es den Heizer
umgibt und durch Formgebung von Graphitfasern herge
stellt ist, die in eine Zylinderform gewickelt sind.
Nach einer vierten Ausführungsform umfaßt die Einrich
tung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter
Aufwärtsziehen einen Schmelztiegel, der das geschmolzene
Siliziummaterial enthält, einen ringförmigen Heizer,
der so angeordnet ist, daß er den Schmelztiegel um
gibt, um das Siliziummaterial in dem Schmelztiegel zu
erwärmen, ein Zylinderteil, das so angeordnet ist, daß
es den Heizer umgibt und das aus Graphitfasern besteht,
die mehrlagig zylindrisch gewickelt sind und mit einem
zylindrischen Kohlenstoffverbundmaterial, das aus ge
wickelten bzw. gewundenen Grahpitfasern besteht, wobei
das Kohlenstoffverbundmaterial in engem Kontakt mit zu
mindest einer inneren Umfangsfläche des zylindrischen
Teiles ist.
Nach der ersten bis vierten Ausführungsform für eine
Einrichtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen,
wie vorbeschrieben, ist es möglich, eine Einrichtung
zur Züchtung von Siliziumeinkristallen unter Aufwärts
ziehen zu schaffen, bei der die Temperatur des Heizers
vorzugsweise dem Schmelzgut zugute kommt, während nach
teilige Wirkungen auf die physikalischen Eigenschaften
des Siliziumeinkristalles vermieden sind.
In einer Einrichtung nach der vorliegenden Erfindung
kann eine Mehrzahl von rohrförmigen Teilen, zusammen
gefügt zu einer Zylinderform, so angeordnet sein, daß
sie eine Mehrzahl plattenförmiger Teile, die zu einem
Zylinder zusammengesetzt sind, umgeben, wodurch die
Temperatur des Heizers noch besser lediglich im Innen
raum der Einrichtung zur Wirksamkeit kommt und, im
Ergebnis dessen, die Ausgangsleistung der Heizeinrich
tung vermindert werden kann. Das Material für die
plattenförmigen Teile und die rohrförmigen Teile kann
dabei gleich sein.
Das dritte Ziel der vorliegenden Erfindung kann durch
ein Wärmeisoliermaterial erreicht werden, das für einen
Wärmeisolierzylinder zur Verwendung in einer Einrichtung
zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter Aufwärts
ziehen verwendet wird, und das erfindungsgemäß eine
Porösität zwischen 50 und 99%, eine inhärente spezifi
sche Dichte von 1,06-1,90 und eine spezifische Ge
webedichte zwischen 0,02 und 0,6 aufweisen kann.
Da das Wärmeisoliermaterial nach der vorliegenden Er
findung ein poröses kohlenstoffhaltiges Material ist,
ist es möglich, ein Wärmeisoliermaterial zu schaffen,
das eine hohe Wärmeisolierwirkung besitzt, ohne daß
sich das Wärmeisoliermaterial selbst auflöst und ent
sprechend nachteilige Wirkungen auf die physikalischen
Eigenschaften des Siliziumeinkristalles ausübt.
Das vierte Ziel der vorliegenden Erfindung kann durch
ein Verfahren zur Herstellung eines wärmeisolierenden
Materials zur Verwendung für einen Wärmeisolierzylinder
im Rahmen einer Einrichtung zum Ziehen von Silizium
einkristallen unter Aufwärtsziehen ausgeführt werden,
wobei das Verfahren einen Schritt der Imprägnierung
eines Uretharschaumes mit einer flüssigen Mischung aus
einem Kunstharz und einem sauren Härtungsmittel, einen
Schritt des Verbrennens des imprägnierten Urethan
schaumes aufweist, um den Urethanschaum in Kohlenstoff
umzuwandeln und einen Schritt aufweist, den ver
brannten Urethanschaum einer Chloratmosphäre bei einer
Temperatur von nicht weniger als 2000°C auszusetzen.
Mit dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung ist
es möglich, ein Wärmeisoliermaterial zu erzeugen, das
eine hohe Wärmebeständigkeit besitzt und keinen uner
wünschten Einfluß auf die physikalischen Eigenschaften
des Siliziumeinkristalles ausübt.
Das Kunstharz bzw. der Kunststoff, der in dem Ver
fahren nach der vorliegenden Erfindung benutzt wird,
kann vorzugsweise ein wärmehärtendes Kunstharz bzw.
duraplastischer Kunststoff, wie z. B. Phenolharz sein.
Außerdem wird vorzugsweise Chlorwasserstoff als Säure
härtungsmittel in dem Verfahren nach der vorliegenden
Erfindung verwendet.
Der Schritt des Brennens des Urethanschaumes wird
bei dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung vor
zugsweise bei einer Temperatur von nicht weniger als
800°C durchgeführt, insbesondere bei einer Temperatur
von nicht weniger als 1200°C.
Da in dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung
der Schritt der Behandlung des Urethanschaumes in einer
Chloratmosphäre bei einer Temperatur von nicht weniger
als 2000°C ausgeführt wird, können Verunreinigungen,
die nachteilige Wirkungen auf die physikalischen Ei
genschaften des Siliziumeinkristalles ausüben könnten,
beseitigt werden. Wenn die Temperatur bei diesem Schritt
weniger als 2000°C beträgt, werden die Verunreinigungen
nicht ausreichend zur Reaktion mit dem Chlorgas gebracht
und die Reinheit des Kohlenstoffes kann nicht verbessert
werden. Äußerst vorzugsweise wird der vorerwähnte
Behandlungsschritt bei einer Temperatur von 2000 bis
2500°C ausgeführt.
Das fünfte Ziel der vorliegenden Erfindung kann mit
einer fünften Ausführungsform einer Einrichtung zum
Ziehen von Siliziumeinkristallen unter Aufwärtsziehen
erreicht werden, die einen Schmelztiegel aus Quarz,
der ein geschmolzenes Siliziummaterial aufweist,
einen ringförmigen Heizer aus Kohlenstoff, der so ange
ordnet ist, das er den Schmelztiegel zum Beheizen des
Siliziummateriales in dem Schmelztiegel umgibt und einen
Gasabschirmungszylinder aufweist, der zwischen dem
Schmelztiegel und dem Heizer angeordnet ist, so daß er
den Schmelztiegel umgibt und durch Formgebung von ge
wickelten Graphitfasern hergestellt ist, die in eine
dünne Zylinderform gewunden bzw. gewickelt sind.
Ferner kann diese Aufgabe auch durch eine Ein
richtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter
Aufwärtsziehen nach einer sechsten Ausführungsform der
Erfindung erreicht werden, mit einem Schmelztiegel aus
Quarz, der ein geschmolzenes Siliziummaterial ent
hält, einen ringförmigen Heizer aus Kohle, der so an
geordnet ist, daß er den Schmelztiegel umgibt, um das
Siliziummaterial darin zu erhitzen, einen Gasab
schirmungzylinder, der zwischen dem Schmelztiegel und
dem Heizer angeordnet ist, so daß er den Schmelztiegel
umgibt und durch Formgebung von Graphitfasern hergestellt ist, die
in eine dünne Zylinderform gewunden bzw. gewickelt wurden
sowie mit einem zylindrischen Wärmeisolierzylinder aus
wärmeisolierendem Material versehen ist, der so an
geordnet ist, daß er den Heizer umgibt.
In der Einrichtung nach der fünften oder sechsten Aus
führungsform der vorliegenden Erfindung ist es möglich,
das Gasabschirmungsmaterial zur Reaktion mit dem SiO-
Gas zu bringen, um eine Reaktion zwischen dem SiO-
Gas und dem Kohleheizer zu verhindern und hierbei die
Lebensdauer des Kohleheizers zu erhöhen.
Da außerdem die Dicke des Gasabschirmungszylinders
durch Verwendung von Graphitfasern mit einem kleinen
Faserdurchmesser extrem vermindert werden kann, behin
dert dieser nicht die Wärmeleitung von dem Kohleheizer
zu dem Schmelztiegel. Da jedoch der dünne Gasabschir
mungszylinder leicht mit hoher Reinheit hergestellt
werden kann, ist er in vorteilhafter Weise wirksam, um
die Reinheit des Siliziumeinkristalles zu erhöhen und
Kristalldefekte herabzusetzen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungs
beispielen und zugehörigen Zeichnungen näher erläutert.
In diesen zeigen:
Fig. 1 einen Vertikalschnitt (teilweise) einer Ein
richtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen
unter Aufwärtsziehen, versehen mit einem Wärme
isolierzylinder nach einem ersten Ausführungs
beispiel der Erfindung,
Fig. 2 einen Querschnitt einer Ausführungsform eines
Wärmeisolierzylinders nach der Erfindung in
einer ersten Ausführungsweise des Isolierzylin
ders,
Fig. 3 einen Querschnitt einer weiteren Ausführungs
form des Wärmeisolierzylinders nach einer
ersten Ausführungsweise der vorliegenden Er
findung,
Fig. 4 einen Querschnitt einer Ausführungsform für
einen Wärmeisolierzylinder nach einer zweiten
Ausführungsweise der vorliegenden Erfindung,
Fig. 5 einen Vertikalschnitt (Teilschnitt) einer
Einrichtung zum Ziehen von Siliziumein
kristallen unter Aufwärtsziehen, versehen mit
einem Wärmeisolierzylinder nach einer dritten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
Fig. 6 einen Querschnitt einer Ausführungsform ei
nes Wärmeisolierzylinders nach der dritten
Ausführungsweise der vorliegenden Erfindung,
Fig. 7 einen Vertikalschnitt (Teilschnitt) einer
Einrichtung zum Ziehen von Siliziumein
kristallen unter Aufwärtsziehen, versehen
mit einem Wärmeisolierzylinder nach der
vierten Ausführungsweise der vorliegenden
Erfindung, und
Fig. 8 einen Vertikalschnitt (Teilschnitt) einer
Einrichtung zum Ziehen von Siliziumeinkris
tallen unter Aufwärtsziehen, versehen mit
einem Gasabschirmungszylinder.
Die Ausführungsformen der Wärmeisolierzylinder und der
Einrichtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen
nach dieser Erfindung werden nachfolgend unter Bezug
nahme auf die Zeichnungen erläutert.
Die nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele
dienen lediglich der klareren Verdeutlichung des Ver
ständnisses der vorliegenden Erfindung und es sind von
diesen vielfältige Veränderungen und Abweichungen mög
lich, ohne daß hierdurch die Erfindung verlassen wird,
wie sie in den beigegebenen Ansprüchen bestimmt ist.
In Fig. 1 ist eine Zugkammer 2 auf einer Kammer 1 an
geordnet. Eine Drehwelle 3 ist von einer unteren
Öffnung der Kammer 1 eingesetzt und ein Schmelztiegel
schutzteil 4 aus Kohlenstoff ist am oberen Ende der
Drehwelle 3 befestigt, um im inneren einen Schmelztie
gel 5 aus Quarzglas schützend zu umgeben. Ein zylin
drischer Kohleheizer 6 umgibt den Außenumfang des
Schutzteiles 4 und ist mit Elektroden 7 verbunden, die
von unten in die Kammer 1 eingeführt sind.
Ein Wärmeisolierzylinder 8, bestehend aus einer Mehr
zahl plattenförmiger Teile, die zu einem Zylinder ver
bunden sind, erstreckt sich rings um den Außenumfang
des Heizers 6 und ein temperaturabschirmender Zylinder,
d.h. ein Wärmeisolierzylinder 9, bestehend aus einer
Mehrzahl rohrförmiger Teile, die in gleicher Weise
zu einem Zylinder verbunden sind, ist radial weiter
außen liegend in Umfangsrichtung vorgesehen.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, hat jedes der plattenförmi
gen Teile 10 a, bestehend aus Kohlenstoff zur Bildung
des Wärmeisolierzylinders 8 einen komplementären Vor
sprung und eine entsprechende Ausnehmung, die an bei
den Seitenenden vorgesehen sind, so daß benachbarte
Teile zusammengefügt werden können. Die Montage der
plattenförmigen Teile 10 a kann noch erleichtert werden,
wenn sie an den oberen und unteren Enden mit schienen
artigen Ringen befestigt werden, obwohl dies in der
Zeichnung nicht dargestellt ist.
Der Wärmeisolierzylinder 8 ist nicht auf die Aus
führungsform, wie sie in Fig. 2 gezeigt ist, beschränkt,
sondern kann, wie in Fig. 3 gezeigt eine Mehrzahl
plattenförmiger Teile 10 b enthalten, die jeweils durch
Teilung eines Rohres aus Siliziumkarbid gewonnen wurden
und alternierend, wie in Fig. 3 gezeigt, zu einer
Zylinderform zusammengefügt sind. Der Wärmeisolierzylin
der 9 wird, wie in Fig. 4 gezeigt, durch Zusammenfügen
einer Mehrzahl von Rohren 11 aus Quarzglas zwischen
einer oberen Ringschiene 11 a und einer unteren Ring
schiene 11 b, die aus Kohlenstoff bestehen, hergestellt,
wobei vier Stangen 12 in geeignetem Abstand verteilt
angeordnet sind, um die Schienen 11 a und 11 b zur
Halterung der Rohre 11 zu befestigen.
Der Wärmeisolierzylinder 9 kann von gleicher Struktur
und von gleichem Material wie der Wärmeisolierzylinder
8 sein.
Ein Siliziumeinkristallblock wird unter Verwendung der
gezeigten Einrichtung aufwärts gezogen, wie es nachfol
gend erläutert ist. D. h. nach dem Einsetzen des poly
kristallinen Siliziummaterials in den Schmelztiegel 5
wird der Heizer 6 mit elektrischem Strom versorgt, so
daß hierdurch das Siliziummaterial im Schmelztiegel 5
geschmolzen wird. Anschließend wird ein Impfkristall
bzw. Kristallkeim 16, der in einer Haltevorrichtung
15 am unteren Ende einer Zugwelle 14 befestigt ist und
die von oben in die Zugkammer 2 hineinragt, in die
Siliziumschmelze 13 eingetaucht und anschließend her
aufgezogen, um hierdurch den Block 17 des Siliziumein
kristalles aufwärts zu ziehen.
Nachfolgend wird eine bevorzugte Ausführungsform für
das Wärmeisoliermaterial nach der vorliegenden Er
findung und das Verfahren zu seiner Herstellung erläu
tert.
Zuerst wird ein zylindrischer Urethanschaum in der
Form mit 600 mm Innendurchmesser mal 700 mm Außendurch
messer mal 500 mm Höhe mit einem 3% Chlorwasserstoff
als saures Härtungsmittel aufweisenden Phenolharz im
prägniert und der Urethanschaum wird ausgehärtet und
anschließend bei 1200°C für drei Stunden gebrannt, so
daß der Urethanschaum in Kohlenstoff umgewandelt wird.
Außerdem wird der gebrannte Urethanschaum einer Hoch
reinigungsbehandlung in einer Chloratmosphäre bei
2000°C für drei Stunden ausgesetzt.
Das so erhaltene kohlenstoffreiche poröse Material hat
eine Porösität von 80%, eine spezifische Materialdichte
von 1, 78 und eine Raumdichte von 0,45 bei ausreichen
der mechanischer Festigkeit. Anschließend wird die
Wärmeisolierfähigkeit des erhaltenen porösen kohlenstoff
reichen Materials (Arbeitsmuster) durch Vergleich mit
einem Gewebestück aus Graphitfasern, die, gefolgt von
einer Formpreßteilherstellung, in eine zylindrische
Form gewickelt bzw. gewunden sind (Vergleichsmuster), geprüft,
wobei angenommen wird, daß dieses Vergleichsmuster eben
falls als Wärmeisolierzylinder Verwendung in einer Ein
richtung zur Züchtung von Siliziumeinkristallen
findet. Im Ergebnis dessen zeigt der Wärmeisolier
zylinder des Arbeitsmusters eine vergleichbare Wärme
isolierfähigkeit in bezug auf den herkömmlichen Wärme
isolierzylinder, wobei aufgrund der Tatsache, daß keine
Graphitfasern verwendet werden, eine nachteilige Ab
spaltung von Fasern oder dergleichen nicht auftritt und
hierdurch die Kohlenstoffverschmutzung des Silizium
einkristalles beseitigt wird.
Wenn die Siliziumeinkristalle tatsächlich unter Ver
wendung des erhaltenen kohlenstoffreichen porösen Ma
terials für den Wärmeisolierzylinder der Einrichtung
zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter Aufwärts
ziehen heraufgezogen werden, kann die Ausbeute an Si
liziumeinkristallen um 20% erhöht werden, da keine
Verunreinigungen durch Lösen von Partikeln des Wärme
isolierzylinder auftreten.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf Fig. 5 ein
weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
erläutert. In Fig. 5 sind die gleichen Bestandteile wie
diejenigen in der Einrichtung nach Fig. 1 mit den
gleichen Bezugszeichen bezeichnet, wobei diese Elemente
bereits im Zusammenhang mit Fig. 1 erläutert wurden.
In Fig. 5 sind Wärmeisolierzylinder 20, 21, 22 aus einem
Kohlenstoffverbundmaterial in drei Schichten rings um
den Außenumfang des Heizers 6 angeordnet, um den Durch
tritt der Wärme vom Heizer 6 nach außen weitgehendst zu
unterbinden. Die Wärmeisolierzylinder 20, 21, 22 werden
durch Formteilherstellung von in eine Zylinderform ge
wundenen bzw. gewickelten Graphitfasern, Imprägnieren
der geformten Graphitfasern mit einen Phenolkunstharz
und anschließendem Brennen der imprägnierten Graphitfasern
hergestellt.
Wie bei der oben beschriebenen Einrichtung, wird eine
Erhöhung der Kohlenstoffkonzentration in dem Kristall
block 17 vermieden, da kein Kohlenstoff von den Wärme
isolierzylindern 20, 21, 22 gelöst wird. Außerdem kann
durch Anordnung der Wärmeisolierzylinder 20, 21, 22 in
drei Lagen bzw. Schichten, wie es hier beispielsweise
in diesem Ausführungsbeispiel gezeigt ist, die Tem
peraturhaltewirkung und der Wärmeisolationseffekt ver
bessert werden, um hierdurch Heizleistung einzusparen
und die Strömungsmenge an Kühlwasser zu vermindern.
Da die Wärmeisolierzylinder in einer Mehrzahl von Schich
ten angeordnet sind, ist es nur erforderlich, den ver
brauchten Isolierzylinder, der dem Heizer 6 am nächsten
liegt, zu ersetzen, wobei dies vom wirtschaftlichen
Standpunkt aus vorteilhaft ist und ebenso die Temperatur
haltefähigkeit und Wärmeisolierwirkungen erhöhen kann,
um hierdurch Heizleistung für den Heizer 6 einzusparen
und die Kühlwasser-Strömumgsmenge zu vermindern.
In diesem Ausführungsbeispiel können Wärmeisolierzylin
der bestehend aus einer Mehrzahl von Rohren oder be
stehend aus plattenförmigen Teilen, die zu einem Zylin
der zusammengefügt sind, gemeinsam verwendet werden zu
sätzlich zu dem Wärmeisolierzylinder, der aus einem
Kohlenstoffverbundteil besteht, solange hierdurch keine
Ablösung von Kohlenstoff verursacht wird.
In einer modifizierten Ausführungsform, die in Fig. 6
gezeigt ist, und bei der ein Wärmeisolierzylinder 12
mit wellenförmigem Querschnitt und Wärmeisolierzylinder
20, 22 gemeinsam angeordnet sind, kann die Festigkeit
der Anordnung in Längsrichtung erhöht werden und eine
vorzügliche Wärmeisolation und Temperaturhaltefähigkeit
erlangt werden.
Unter Bezugnahme auf Fig. 7 wird ein weiteres Ausfüh
rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erläutert. In
Fig. 7 tragen die gleichen Bestandteile der Einrichtung
wie in Fig. 1 auch die gleichen Bezugszeichen und es
wird bezüglich ihrer Erläuterung auf Fig. 1 verwiesen.
In der Einrichtung gemäß Fig. 7 ist ein Wärmeisolier
zylinder 8 rings um den Heizer 6 angeordnet und ein
Zylinderkörper 23 aus einem Kohlenstoffverbundteil, be
stehend aus gewickelten Graphitfasern ist in enge Be
rührung mit der Innenumfangsfläche des Zylinders 8 ge
bracht.
In dieser Einrichtung hat der Zylinderkörper 23, der
in enger Anlage an dem Wärmeisolierzylinder 8 ist, für
sich eine hohe mechanische Festigkeit und es fallen
keine Graphitfasern von der Oberfläche des Wärmeisolier
zylinders 8 ab. Da der Zylinderkörper 23 somit ver
hindert, daß kleine Teilchen von den Graphitfasern
sich von der Oberfläche des Wärmeisolierzylinders 8 ab
lösen, können solche Teilchen von Graphitfasern nicht
in die Siliziumschmelze fallen. Überdies ist der Zylin
derkörper 23 dünn und kann leicht gereinigt werden, so
daß dieser Zylinderkörper 23 mit hoher Reinheit vor
liegt. Entsprechend kann die Kohlenstoffkonzentration
des Blockes 17 zur Verringerung von Kristalldefekten
vermindert werden.
Nachfolgend wird ein weiteres bevorzugtes Ausführungs
beispiel einer Einrichtung zum Ziehen von Siliziumein
kristallen unter Aufwärtsziehen erläutert, die mit ei
nem Gasabschirmfilter versehen ist, wobei auf Fig. 8
Bezug genommen wird. In Fig. 8 sind die gleichen Bestand
teile der Einrichtung wie in Fig. 1 mit den gleichen Be
zugszeichen bezeichnet und bezüglich ihrer Erläuterung
wird auf Fig. 1 verwiesen.
In Fig. 8 ist ein dünner zylindrischer Gasabschirmzylin
der 24, bestehend aus einem Kohlenstoffverbundteil mit
gewundenen bzw. gewickelten Graphitfasern, zwischen
einem Schutzkörper 4 und einem Kohleheizer 6 angeordnet.
Der Gasabschirmzylinder 24 wird durch Zylinderformgebung
der gewundenen Graphitfasern hergestellt, wobei die so
geformten Graphitfasern mit einem Phenolkunstharz im
prägniert werden, die so imprägnierten Graphitfasern
durch Wärmebehandlung ausgehärtet werden und die so
wärmebehandelten Graphitfasern gebrannt werden. Die
Dicke des Gasabschirmzylinders 24 beträgt 3 mm. Der
Wärmeisolierzylinder 8 erstreckt sich rings um den
Außenumfang des Heizers 6.
Der Wärmeisolierzylinder der Einrichtung, gezeigt in
Fig. 8, kann die nachfolgend noch einmal zusammengefaßt
erläuterten, modifizierten Ausführungsformen umfassen.
Ein Wärmeisolierzylinder 8 kann aus einer Mehrzahl
plattenförmiger Teile bestehen, die miteinander ent
lang ihrer Seitenkanten verbunden und zu einem Zylin
derkörper zusammengefügt sind.
Ein Wärmeisolierzylinder 8 kann aus einer Mehrzahl von
rohrförmigen Teilen bestehen, die einander umfangsseitig
berühren und zu einem Zylinderkörper zusammengefügt sind.
Ein Wärmeisolierzylinder 8 kann ein Kohlenstoffverbund
teil sein, hergestellt durch Formpressen bzw. Formteil
gebung von gewundenen Graphitfasern in Form eines
Zylinderteiles.
Ein Wärmeisolierzylinder 8 kann ein Zylinderteil bilden,
in dem Graphitfasern mehrlagig zylindrisch gewunden bzw.
gewickelt sind und ein zylindrisches Kohlenstoffver
bundmaterial aus gewundenen Kohlenstoffasern in enger
Berührung mit zumindest einer Innenumfangsfläche des
Zylinderteiles gebracht ist.
Für den Aufbau und das Material des Wärmeisolierzylin
ders 8 kann eine der Herstellungsweisen ausgewählt
werden, die im Rahmen der vorliegenden Beschreibung
erläutert wurden.
Da der Gasabschirmzylinder 24 in dem Ausführungsbei
spiel gemäß Fig. 8, der als Kohlenstoffverbundmaterial
durch Formgebung gewundener Graphitfasern hergestellt
wurde, in Reaktion mit dem SiO-Gas gebracht ist, das
bei der Reaktion zwischen dem Schmelztiegel 5 aus Quarz
glas und der Siliziumschmelze 13 entsteht, ist es mög
lich, eine Reaktion zwischen dem SiO-Gas und dem
Kohleheizer 6 zu verhindern und hierdurch die Lebens
dauer des Heizers 6 zu erhöhen. Da der Gasabschirm
zylinder 24 ein dünner Kohlenstoffverbundkörper ist,
kann er leicht gereinigt werden und besitzt eine hohe
Reinheit und all dies ist vorteilhaft zur Verringerung
von Kristalldefekten in den Siliziumeinkristallen.
Da der Gasabschirmzylinder 24 im Vergleich zum Heizer
6 mit sehr viel geringeren Kosten produziert werden
kann, erhöht er die Kosten selbst bei häufigem Austausch
nicht und ein zufriedenstellendes Siliziumeinkristall
kann jederzeit in wünschenswerter Weise aufwärtsgezogen
werden.
Claims (26)
1. Wärmeisolierzylinder zur Verwendung in einer Einrich
tung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter
Aufwärtsziehen,
gekennzeichnet durch
eine Mehrzahl plattenförmiger Teile (10 a, 10 b) aus
wärmeisolierendem Material, die miteinander entlang
ihrer Seitenkanten verbunden und zu einem Zylinder
körper zusammengefügt sind.
2. Wärmeisolierzylinder nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die plattenförmigen Teile (10) einen bogenförmigen
Querschnitt besitzen, der bezüglich eines Krümmungs
radius identisch zu einem Krümmungsradius eines Um
fangsabschnittes des Zylinderteiles ist.
3. Wärmeisolierzylinder nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die plattenförmigen Teile (10 b) aus einem in Längs
richtung zweigeteilten Rohr jeweils gebildet sind.
4. Wärmeisolierzylinder nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß das wärmeisolierende Material Siliziumkarbid ist.
5. Wärmeisolierzylinder nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Wärmeisoliermaterial Kohlenstoff bzw. Graphit
ist.
6. Einrichtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen
unter Aufwärtsziehen,
gekennzeichnet durch
einen Schmelztiegel (5), der geschmolzenes Silizium material (13) enthält, einen ringförmigen Heizer (6), der so angeordnet ist, daß er den Schmelztiegel (5) zur Beheizung des Schmelz materiales (13) in dem Schmelztiegel (5) umgibt, und
eine Mehrzahl von plattenförmigen Teilen (10 a, 10 b), die aus einem wärmeisolierenden Material bestehen und so angeordnet sind, daß sie den Heizer (6) umgeben und miteinander entlang Seitenkanten verbunden sind und zu einem Zylinderkörper (8) zusammengefügt sind.
einen Schmelztiegel (5), der geschmolzenes Silizium material (13) enthält, einen ringförmigen Heizer (6), der so angeordnet ist, daß er den Schmelztiegel (5) zur Beheizung des Schmelz materiales (13) in dem Schmelztiegel (5) umgibt, und
eine Mehrzahl von plattenförmigen Teilen (10 a, 10 b), die aus einem wärmeisolierenden Material bestehen und so angeordnet sind, daß sie den Heizer (6) umgeben und miteinander entlang Seitenkanten verbunden sind und zu einem Zylinderkörper (8) zusammengefügt sind.
7. Einrichtung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die plattenförmigen Teile (10 a) einen bogenför
migen Querschnitt aufweisen, der in einem Krümmungs
radius identisch zu einem Krümmungsradius eines Um
fangsabschnittes des Zylinderkörpers (8) ist.
8. Einrichtung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die plattenförmigen Teile (10 b) aus einem in Längs
richtung zweigeteilten Rohr jeweils gebildet sind.
9. Einrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Wärmeisoliermaterial Siliziumkarbid ist.
10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Wärmeisoliermaterial Kohlenstoff bzw. Graphit
ist.
11. Wärmeisolierzylinder zur Verwendung in einer Ein
richtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter
Aufwärtsziehen,
gekennzeichnet durch
eine Mehrzahl rohrförmiger Teile (11), die aus wärme
isolierendem Material bestehen und einander entlang
Außenumfangsseiten berühren und zu einem Zylinderteil
zusammengefügt sind.
12. Wärmeisolierzylinder nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß die rohrförmigen Teile (11) im Rahmen eines doppel
wandigen Zylinderteiles angeordnet sind.
13. Wärmeisolierzylinder nach Anspruch 11 oder 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß Keramikfasern in die Hohlräume der rohrförmigen
Teile (11) eingesetzt sind.
14. Wärmeisolierzylinder nach einem der Ansprüche 11 bis 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Wärmeisoliermaterial aus einer Gruppe ausge
wählt ist, die Quarzglas, Aluminium, Siliziumkarbid
und Kohlenstoff enthält.
15. Einrichtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen
unter Aufwärtsziehen,
gekennzeichnet durch
einen Schmelztiegel (5) zur Aufnahme geschmolzenen Siliziummaterials (13),
einen ringförmigen Heizer (6), der so angeordnet ist, daß er den Schmelztiegel (5) zur Beheizung des Siliziummaterials (13) in dem Schmelztiegel (5) umgibt, und
eine Mehrzahl rohrför miger Teile (11), die aus einem wärmeisolierenden Material bestehen und so angeordnet sind, daß sie den Heizer (6) umgeben und die einander umfangsseitig be rühren und zu einem Zylinderteil (9) montiert sind.
einen Schmelztiegel (5) zur Aufnahme geschmolzenen Siliziummaterials (13),
einen ringförmigen Heizer (6), der so angeordnet ist, daß er den Schmelztiegel (5) zur Beheizung des Siliziummaterials (13) in dem Schmelztiegel (5) umgibt, und
eine Mehrzahl rohrför miger Teile (11), die aus einem wärmeisolierenden Material bestehen und so angeordnet sind, daß sie den Heizer (6) umgeben und die einander umfangsseitig be rühren und zu einem Zylinderteil (9) montiert sind.
16. Einrichtung nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die rohrförmigen Teile (11) im Rahmen eines doppel
wandigen Zylinderteiles angeordnet sind.
17. Einrichtung nach Anspruch 15 oder 16,
dadurch gekennzeichnet,
daß Keramikfasern in die Hohlräume der rohrförmigen
Teile (11) eingesetzt sind.
18. Einrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 17,
dadurch gekennzeichnet, daß das Wärmeisoliermaterial
aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Quarzglas,
Aluminium, Siliziumkarbid und Kohlenstoff enthält.
19. Wärmeisoliermaterial zur Verwendung für einen Wärme
isolierzylinder zum Einsatz in einer Einrichtung zum
Ziehen von Siliziumeinkristallen unter Aufwärtsziehen,
gekennzeichnet durch
ein poröses kohlenstoffreiches Material, das eine Po rösität zwischen 50 und 99%, eine spezifische Ma terialdichte zwischen 1,06 und 1,90 sowie eine spe zifische Raumdichte von 0,02 bis 0,06 aufweist.
ein poröses kohlenstoffreiches Material, das eine Po rösität zwischen 50 und 99%, eine spezifische Ma terialdichte zwischen 1,06 und 1,90 sowie eine spe zifische Raumdichte von 0,02 bis 0,06 aufweist.
20. Verfahren zur Herstellung eines Wärmeisoliermateriales
zur Verwendung für einen Wärmeisolierzylinder zum Ein
satz in einer Einrichtung zum Ziehen von Silizium
einkristallen unter Aufwärtsziehen,
gekennzeichnet durch
einen Verfahrensschritt der Imprägnierung eines Urethanschaumes mit einer Flüssigkeitsmischung aus ei nem Kunstharz und einem sauren Härtungsmittel,
eine Verfahrensschritt des Brennens des imprägnierten Urethanschaumes, um diesen in Kohlenstoff umzuwandeln, und
einen Verfahrensschritt, den gebrannten Urethan schaum einer Chloratmosphäre bei einer Temperatur von zumindest 2000°C auszusetzen.
einen Verfahrensschritt der Imprägnierung eines Urethanschaumes mit einer Flüssigkeitsmischung aus ei nem Kunstharz und einem sauren Härtungsmittel,
eine Verfahrensschritt des Brennens des imprägnierten Urethanschaumes, um diesen in Kohlenstoff umzuwandeln, und
einen Verfahrensschritt, den gebrannten Urethan schaum einer Chloratmosphäre bei einer Temperatur von zumindest 2000°C auszusetzen.
21. Verfahren nach Anspruch 20,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Kunstharz ein Phenolkunstharz ist.
22. Verfahren nach Anspruch 20,
dadurch gekennzeichnet,
daß das saure Härtungsmittel Chlorwasserstoff ist.
23. Wärmeisolierzylinder zur Verwendung in einer Ein
richtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter
Aufwärtsziehen,
gekennzeichnet durch
ein Kohlenstoffverbundmaterial, hergestellt durch Form
gebung gewundener bzw. gewickelter Graphitfasern in
eine Zylinderform.
24. Einrichtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen
unter Aufwärtsziehen,
gekennzeichnet durch
einen Schmelztiegel (5), der ein geschmolzenes Sili ziummaterial (13) enthält,
einen ringförmigen Heizer (6), der so angeordnet ist, daß er den Schmelztiegel (5) zur Beheizung des Sili ziummateriales (13) in dem Schmelztiegel (5) umgibt, und
ein Kohlenstoffverbundmaterial, das so ange ordnet ist, daß es den Heizer (6) umgibt und durch Formgebung von gewickelten Graphitfasern in eine Zylinderform hergestellt ist.
einen Schmelztiegel (5), der ein geschmolzenes Sili ziummaterial (13) enthält,
einen ringförmigen Heizer (6), der so angeordnet ist, daß er den Schmelztiegel (5) zur Beheizung des Sili ziummateriales (13) in dem Schmelztiegel (5) umgibt, und
ein Kohlenstoffverbundmaterial, das so ange ordnet ist, daß es den Heizer (6) umgibt und durch Formgebung von gewickelten Graphitfasern in eine Zylinderform hergestellt ist.
25. Wärmeisolierzylinder zur Verwendung in einer Ein
richtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen unter
Aufwärtsziehen,
gekennzeichnet durch
ein Zylinderteil, in dem Kohlenstoffasern mehrlagig
zylindrisch gewickelt sind, und ein zylindrisches
Kohlenstoffverbundmaterial (23), das aus gewundenen bzw.
gewickelten Graphitfasern besteht und in enger Be
rührung mit zumindest einer Innenumfangsfläche des
Zylinderteiles (8) ist.
26. Einrichtung zum Ziehen von Siliziumeinkristallen
unter Aufwärtsziehen,
gekennzeichnet durch
einen Schmelztiegel (5), der ein geschmolzenes Sili ziummaterial (13) enthält,
einen ringförmigen Heizer (6), der so angeordnet ist, daß er den Schmelztiegel (5) zur Beheizung des Sili ziummateriales (13) in dem Schmelztiegel (5) umgibt,
ein Zylinderteil (8) aus Graphitfasern, die in mehr lagiger Anordnung zylindrisch gewickelt sind und das so angeordnet ist, daß es den Heizer (6) umgibt, und
ein zylindrisches Kohlenstoffverbundteil (23), das aus gewickelten Graphitfasern in enger Anlage an zu mindest einer Innenumfangsfläche des Zylinderteiles (8) besteht.
einen Schmelztiegel (5), der ein geschmolzenes Sili ziummaterial (13) enthält,
einen ringförmigen Heizer (6), der so angeordnet ist, daß er den Schmelztiegel (5) zur Beheizung des Sili ziummateriales (13) in dem Schmelztiegel (5) umgibt,
ein Zylinderteil (8) aus Graphitfasern, die in mehr lagiger Anordnung zylindrisch gewickelt sind und das so angeordnet ist, daß es den Heizer (6) umgibt, und
ein zylindrisches Kohlenstoffverbundteil (23), das aus gewickelten Graphitfasern in enger Anlage an zu mindest einer Innenumfangsfläche des Zylinderteiles (8) besteht.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61315599A JPH0798716B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | シリコン単結晶引上装置 |
JP31559886A JPS63166793A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | シリコン単結晶引上装置 |
JP61315577A JP2544730B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 炭素質多孔体断熱材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3743951A1 true DE3743951A1 (de) | 1988-07-07 |
DE3743951C2 DE3743951C2 (de) | 1993-01-28 |
Family
ID=27339482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873743951 Granted DE3743951A1 (de) | 1986-12-26 | 1987-12-23 | Einrichtung zum ziehen von siliziumeinkristallen mit einem waermeisolierzylinder und verfahren zur herstellung des materials desselben |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5098675A (de) |
KR (1) | KR910009130B1 (de) |
DE (1) | DE3743951A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0810305A1 (de) * | 1996-05-31 | 1997-12-03 | Ibiden Co, Ltd. | Vorrichtung zur Ziehung eines Silizium Einkristalls |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0772116B2 (ja) * | 1991-02-15 | 1995-08-02 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上装置 |
JP3128795B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2001-01-29 | 信越半導体株式会社 | チョクラルスキー法による結晶製造装置および製造方法 |
US6183553B1 (en) * | 1998-06-15 | 2001-02-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process and apparatus for preparation of silicon crystals with reduced metal content |
US20020170487A1 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Raanan Zehavi | Pre-coated silicon fixtures used in a high temperature process |
US7108746B2 (en) * | 2001-05-18 | 2006-09-19 | Integrated Materials, Inc. | Silicon fixture with roughened surface supporting wafers in chemical vapor deposition |
US8261690B2 (en) * | 2006-07-14 | 2012-09-11 | Georgia Tech Research Corporation | In-situ flux measurement devices, methods, and systems |
CA2701822A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Evergreen Solar, Inc. | Removable thermal control for ribbon crystal pulling furnaces |
CN101392407B (zh) * | 2008-10-07 | 2011-07-20 | 南京师范大学 | 一种圆柱空心型的大孔有序的胶体晶体的制备方法 |
JP5392040B2 (ja) * | 2009-12-04 | 2014-01-22 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
KR101218852B1 (ko) * | 2010-01-05 | 2013-01-18 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치 |
TWM441676U (en) * | 2012-07-17 | 2012-11-21 | Utech Solar Corp | Anti-electric arc heating electrode assembly used in crystal growth furnace |
US20140083349A1 (en) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Max Era, Inc. | Removable thermal control for ribbon crystal pulling furnaces |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3495630A (en) * | 1967-03-01 | 1970-02-17 | Carborundum Co | Composite tubes |
US3632385A (en) * | 1970-03-17 | 1972-01-04 | Atomic Energy Commission | Carbon composite structures and method for making same |
US3980105A (en) * | 1974-07-10 | 1976-09-14 | Hitco | Laminated article comprising pyrolytic graphite and a composite substrate therefor |
DE2827113A1 (de) * | 1978-06-21 | 1980-01-24 | Gni I Pi Redkometallitscheskoj | Vorrichtung zum ausziehen eines einkristalls aus der schmelze auf einem impfkristall |
DE3036178A1 (de) * | 1979-10-09 | 1981-04-23 | Siltec Corp., Menlo Park, Calif. | Leitung zum ueberfuehren eines fluessigkeitsstroms aus geschmolzenem halbleitermaterial |
JPS59102880A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-14 | 東レ株式会社 | 高温耐熱性材料 |
EP0177132A2 (de) * | 1984-09-05 | 1986-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vorrichtung zur Herstellung einer einkristallinen Halbleiterverbindung |
DE3441707A1 (de) * | 1984-11-15 | 1986-05-15 | Ringsdorff-Werke GmbH, 5300 Bonn | Tiegel zum herstellen von kristallen und verwendung des tiegels |
JPH06163592A (ja) * | 1980-03-27 | 1994-06-10 | Canon Inc | 非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3173765A (en) * | 1955-03-18 | 1965-03-16 | Itt | Method of making crystalline silicon semiconductor material |
US2822308A (en) * | 1955-03-29 | 1958-02-04 | Gen Electric | Semiconductor p-n junction units and method of making the same |
US3261671A (en) * | 1963-11-29 | 1966-07-19 | Philips Corp | Device for treating semi-conductor materials by melting |
US3551115A (en) * | 1968-05-22 | 1970-12-29 | Ibm | Apparatus for growing single crystals |
US3953281A (en) * | 1974-06-27 | 1976-04-27 | International Business Machines Corporation | Method and system for growing monocrystalline ingots |
US4134785A (en) * | 1977-04-13 | 1979-01-16 | Western Electric Company, Inc. | Real-time analysis and control of melt-chemistry in crystal growing operations |
US4235848A (en) * | 1978-06-15 | 1980-11-25 | Apilat Vitaly Y | Apparatus for pulling single crystal from melt on a seed |
JPS5556098A (en) * | 1978-10-17 | 1980-04-24 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method and apparatus for producing si single crystal rod |
JPS57112410A (en) * | 1980-12-27 | 1982-07-13 | Toho Rayon Co Ltd | Acrylonitrile fiber and its production |
JPS5913693A (ja) * | 1982-07-15 | 1984-01-24 | Toshiba Corp | 化合物半導体単結晶育成装置 |
JPS6163592A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-01 | Toshiba Corp | 化合物半導体単結晶の製造装置 |
JPS61256993A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Toyo Tanso Kk | シリコン単結晶引上げ装置用黒鉛子るつぼ及びヒ−タ− |
-
1987
- 1987-12-23 DE DE19873743951 patent/DE3743951A1/de active Granted
- 1987-12-26 KR KR1019870015146A patent/KR910009130B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1990
- 1990-01-16 US US07/464,957 patent/US5098675A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3495630A (en) * | 1967-03-01 | 1970-02-17 | Carborundum Co | Composite tubes |
US3632385A (en) * | 1970-03-17 | 1972-01-04 | Atomic Energy Commission | Carbon composite structures and method for making same |
US3980105A (en) * | 1974-07-10 | 1976-09-14 | Hitco | Laminated article comprising pyrolytic graphite and a composite substrate therefor |
DE2827113A1 (de) * | 1978-06-21 | 1980-01-24 | Gni I Pi Redkometallitscheskoj | Vorrichtung zum ausziehen eines einkristalls aus der schmelze auf einem impfkristall |
DE3036178A1 (de) * | 1979-10-09 | 1981-04-23 | Siltec Corp., Menlo Park, Calif. | Leitung zum ueberfuehren eines fluessigkeitsstroms aus geschmolzenem halbleitermaterial |
JPH06163592A (ja) * | 1980-03-27 | 1994-06-10 | Canon Inc | 非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造法 |
JPS59102880A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-14 | 東レ株式会社 | 高温耐熱性材料 |
EP0177132A2 (de) * | 1984-09-05 | 1986-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vorrichtung zur Herstellung einer einkristallinen Halbleiterverbindung |
DE3441707A1 (de) * | 1984-11-15 | 1986-05-15 | Ringsdorff-Werke GmbH, 5300 Bonn | Tiegel zum herstellen von kristallen und verwendung des tiegels |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
J. Cryst. Growth 39, 1977, S.1-16 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0810305A1 (de) * | 1996-05-31 | 1997-12-03 | Ibiden Co, Ltd. | Vorrichtung zur Ziehung eines Silizium Einkristalls |
US5954875A (en) * | 1996-05-31 | 1999-09-21 | Ibiden Co., Ltd. | Apparatus for pulling silicon single crystal |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5098675A (en) | 1992-03-24 |
DE3743951C2 (de) | 1993-01-28 |
KR880008413A (ko) | 1988-08-31 |
KR910009130B1 (ko) | 1991-10-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |