DE3835646A1 - Schale zur bewehrung eines quarztiegels - Google Patents
Schale zur bewehrung eines quarztiegelsInfo
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- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B35/002—Crucibles or containers
Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Kri
stallzüchtung aus einer Schmelze und sie betrifft insbe
sondere eine Schale zur Bewehrung eines Quarztiegels, der
zur Züchtung von Halbleiterkristallen verwendet wird.
Die Erfindung kann mit einer besonderen Wirksamkeit
zur Züchtung von Einkristallen aus einer Schmelze, bei
spielsweise aus Silizium, Galliumarsenid und anderen Halb
leitermaterialien ihre Anwendung finden, weil sie es ge
stattet, Wärmefelder in Übereinstimmung mit den Anforde
rungen, welche die technologischen Prozesse an die Tempe
raturgefälle in der Schmelze und im Kristall stellen, zu
erzeugen, Verzerrungen der Geometrie des Wärmefeldes, das
von einem Heizelement erzeugt wird, auszuschließen, den
Verunreinigungsgrad im Züchtungsraum zu vermindern und
die Betriebszuverlässigkeit der Quarztiegel zu erhöhen.
Die Erfindung kann auch bei der Durchführung von
technologischen Prozessen zur Herstellung von anderen
Kristallen ihre Anwendung finden, die in einem Tempera
turbereich von 1000 bis 2000 K verlaufen.
Zur Bewehrung von Quarztiegeln finden eine umfassen
de Anwendung Graphitschalen (Untersätze, Kokillen und ähn
liches). Eine große Anzahl von verschiedenartigen Kon
struktionen der Graphitschalen zeugt jedoch davon, daß
zur Zeit keine Konstruktionen bestehen, die es ermögli
chen, in einem breiten Bereich die Größen der Temperatur
gefälle in der Schmelze und im Kristall zu ändern, ein
Wärmefeld, das von einem Heizelement erzeugt wird, ohne
Verzerrungen zu reproduzieren, den Verunreinigungsgrad
im Züchtungsraum zu vermindern sowie das Niveau der chemischen
Wechselwicklung zwischen der Schale und dem Tiegel herab
zusetzen. So wird z. B. zur Bewehrung eines Quarztiegels
zur Züchtung von Siliziumeinkristallen nach der Czochralski-
Methode eine Graphitschale (ein Untersatz) verwendet (DE-
C 30 05 492). Die Verwendung dieser Schale führt zu einer
Asymmetrie des Wärmefeldes, das vom Heizelement erzeugt
wird, stellt größere Temperaturgefälle in der Schmelze
her und vermindert im Verlauf des Prozesses das axiale
Temperaturgefälle im Kristall wesentlich, wobei die Lei
stung des Prozesses dadurch begrenzt wird. Eine größere
Kontaktfläche zwischen der Schale und dem Tiegel führt
zu einer chemischen Wechselwirkung derselben, was zu ei
ner Steigerung des Verunreinigungsgrades im Züchtungsraum
führt und eine Zerstörung des Tiegels während des techno
logischen Prozesses herbeiführen kann. Zu einer Herab
setzung des Verunreinigungsgrades im Züchtungsraum (Ofen
raum) wird die Schale beispielsweise in Freon gereinigt;
zur Aufrechterhaltung des Reinheitsgrades der Schale beim
Betrieb der Anlage werden die Graphitporen mit Glanzkoh
lenstoff, Siliziumkarbid und ähnlichen Stoffen verdichtet,
was zu einer wesentlichen Erhöhung der Selbstkosten der
Schale führt.
Die bekannten Schalen, die zur Bewehrung der Quarz
tiegel verwendet werden, begrenzen die Leistung der tech
nologischen Prozesse und die Gewinnung der zu züchtenden
Kristalle mit einer hohen Qualität und sind durch hohe
Selbstkosten und eine nicht ausreichend hohe Betriebszuver
lässigkeit gekennzeichnet.
Es ist eine Schale zur Bewehrung von einem Quarztiegel
zur Kristallzüchtung aus einer Schmelze bekannt, die aus einem
Seitenteil und einem Bodenteil besteht, aus einem Werkstoff
auf Kohlenstoffbasis hergestellt ist und Durch
brüche aufweist (JP-B 58-1 40 392).
Durch die Verwendung von Graphit als Schalenmaterial
werden die Möglichkeiten der Anlage hinsichtlich der Lei
stung des Prozesses und der Qualität der zu züchtenden Kri
stalle begrenzt. Wie bekannt, nehmen die Temperaturgefälle
im Unterkristallbereich der Schmelze zu, während das axiale
Temperaturgefälle im Kristall abnimmt, was zu einer
bedeutenden Herabsetzung der Züchtungsgeschwindigkeit des
Kristalls am Ende des Züchtungsprozesses führt. Eine un
gleichmäßige Durchwärmung an der Umfangsfläche des Quarz
tiegels, die auf einen unterschiedlichen Kontakt mit der
Graphitschale (Asymmetrie des Wärmefeldes in der Schmelze)
zurückzuführen ist, macht eine Überhitzung der Schmelze
erforderlich, um dadurch ein Erstarren derselben an der
Tiegelwand zu vermeiden. Das führt, wie bekannt, zu einer
Verminderung der Geschwindigkeit der Kristallzüchtung, an
gefangen beim Austritt am Zylinder. Außerdem ist es
bekannt, daß die Asymmetrie des Wärmefeldes in der Schmel
ze auf den Unterkristallbereich übertragen wird, wo
sie Mikrofehler und andere Unvollkommenheiten der Struk
tur des zu züchtenden Kristalls hervorruft. Die Kontakt
fläche zwischen der Graphitschale und dem Quarztiegel ist
beträchtlich, wodurch chemische Reaktionen ausgelöst wer
den, deren Produkte, falls sie über die Gasphase in die
Schmelze und dann in den Kristall gelangen, zu einer Stö
rung eines versetzungsfreien Einkristallwachstums führen
können.
Außerdem ist es bekannt, daß Graphitschalen,
welche eine hohe Porosität aufweist, bei Lagerung, Trans
port und Betrieb aus dem umgebenden Medium Beimengungen
sorbieren kann, die (beispielsweise Laugen) in chemische
Reaktionen mit Quarz treten und eine Zerstörung des Tie
gels während der Kristallzüchtung bewirken können. Eine
der Ursachen der Tiegelzerstörung im Stadium der Metall
schmelze kann in einem größeren Temperaturunterschied
zwischen der Oberkante des Tiegels und dem Tiegelboden
liegen, was ebenfalls auf die Besonderheiten einer Graphit
schale zurückzuführen ist.
Die Ausbildung der Schale mit Durchbrüchen
gestattet es, das Temperaturgefälle im Unterkristallbereich
etwas zu vermindern, das axiale Temperaturgefälle im Kri
stall zu vergrößern und die Asymmetrie des Wärmefeldes in der
Schmelze und im Unterkristallbereich herabzusetzen. Das
führt seinerseits zu einer Steigerung der Züchtungsge
schwindigkeit (der Leistung der Züchtung) und einer Ver
besserung der Qualität der zu gewinnenden Kristalle. Dabei
vermindern sich jedoch die mechanische Festigkeit und die
Korrosionsbeständigkeit der Schale und es erhöhen sich bedeu
tend die Selbstkosten derselben.
Durch die Verwendung von Graphit als Schalenmaterial
werden die Möglichkeiten der Anlage hinsichtlich der Lei
stung der Züchtung und der Qualität der zu züchtenden Ein
kristalle begrenzt.
Sogar bei der Verwendung von hochfesten Graphitsorten
liegt die "Transparenz", welche von uns als Verhältnis zwi
schen der Gesamtfläche der Querschnitte der Durchbrüche
und dem Flächeninhalt der Außenfläche des Tie
gels zum Ausdruck gebracht wird, unter 0,15.
Das Hauptziel der vorliegenden Erfindung besteht in
der Entwicklung einer neuen vervollkommneren Schale zur
Bewehrung eines Quarztiegels, der zur Kristallzüchtung
aus einer Schmelze verwendet wird, die eine Formierung der Wär
mefelder mit entsprechenden Temperaturgefällen in der
Schmelze und in dem zu züchtenden Kristall sowie die Über
tragung eines asymmetrischen Wärmefeldes vom Heizelement
auf die Schmelze und den Unterkristallbereich ohne Verzer
rungen bewirkt.
Außerdem ist Ziel der vorliegenden Erfindung
die Entwicklung einer solchen Schale zur Beweh
rung eines Quarztiegels, die es ermöglicht, den Verunreini
gungsgrad im Züchtungsraum des Tiegels und somit in dem zu
züchtenden Kristall herabzusetzen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht in der Ent
wicklung einer solchen Schale zur Bewehrung des Quarztie
gels, die die Betriebszuverlässigkeit des Quarztiegels
erhöht.
Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung besteht
in der Entwicklung einer solchen Schale zur Bewehrung des
Quarztiegels, die eine hohe mechanische Festigkeit besitzt.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht
in der Entwicklung einer solchen Schale zur Bewehrung des
Quarztiegels, die eine hohe Korrosionsbeständigkeit auf
weist.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde,
eine solche Schale zur Bewehrung des Quarztiegels zur Kri
stallzüchtung aus einer Schmelze zu entwickeln, daß
eine verzerrungs
freie Übertragung des asymmetrischen Wärmefeldes auf die
Schmelze und den Unterkristallbereich des zu züchtenden
Kristalls sowie die Formierung der Wärmefelder mit ent
sprechenden Temperaturgefällen in der Schmelze und in dem
zu züchtenden Kristall sowie eine Herabset
zung des Verunreinigungsgrades der Beimengungen im Züchtungs
raum des Tiegels und damit in dem zu züchtenden Kristall
gewährleistet und die Betriebszuverlässigkeit sowie die Korro
sionsbeständigkeit des Quarztiegels erhöht wird.
Die gestellte Aufgabe wird dadurch gelöst, daß in
einer Schale zur Bewehrung eines Quarztiegels zur Kristall
züchtung aus einer Schmelze, die einen Seitenteil und einen Bo
denteil vorsieht, die aus einem Kohlenstoffmaterial ausge
führt ist und Durchbrüche besitzt, bei der er
findungsgemäß das Material auf Kohlenstoffbasis zu
mindest eines Teils der Schale eine Kohlenstoffaser dar
stellt, die zu 10 bis 150% mit Glanzkohlenstoff verdichtet
ist, wobei das Verhältnis zwischen der Gesamtfläche der
Querschnitte der Durchbrüche dieser Schale und dem
Flächeninhalt der Außenfläche des Tiegels in einem Bereich
von 0,15 bis 0,98 liegt.
Die Ausführung der gesamten Schale oder eines belie
bigen Teils derselben aus einer Kohlenstoffaser, die zu
10 bis 150% mit Glanzkohlenstoff verdichtet ist, ermöglicht
deren Herstellung mit einem breiten Bereich hinsichtlich
der Querschnittsflächen der Durchbrüche, weil die
mechanische Festigkeit dieses Materials und dessen Korro
sionsbeständigkeit diese Parameter für Graphitschalen we
sentlich übersteigen. Der Bereich der Verdichtung wurde
experimentell ermittelt. So wird z. B. im Falle, wo der
Verdichtungsgrad der Kohlenstoffaser mit Glanzkohlenstoff
unter 10% liegt, die Lebensdauer der Schale und somit die
Betriebszuverlässigkeit des Tiegels stark vermindert. Ein
Verdichtungsgrad von über 150% liefert keine wesentliche
Erhöhung der Lebensdauer der Schale, sondern führt zu
einer bedeutenden Vergrößerung der Selbstkosten derselben.
Eine Ausführung der Schale, bei der das Verhältnis
zwischen der Gesamtfläche der Querschnitte der Durchbrüche
und dem Flächeninhalt der Außenfläche des Tie
gels 0,15 bis 0,98 beträgt, gewährleistet die Formierung
der Wärmefelder in der Schmelze und im Kristall in einem
breiten Bereich. Dabei wird von der Schale die Symmetrie
des Wärmefeldes, das vom Heizelement erzeugt wird, nicht
verzerrt. Der Verunreinigungsgrad im Züchtungsraum des
zu züchtenden Kristalls wird sowohl durch eine Verminde
rung der chemischen Reaktionen zwischen der Schale und dem
Tiegel infolge einer Reduzierung der Kontaktfläche zwi
schen diesen als auch durch eine Verminderung (um 2 Größen
ordnungen) der Masse der Schale herabgesetzt. Der Be
reich des Verhältnisses zwischen der Gesamtfläche der
Querschnitte von Durchbrüchen und dem Flächenin
halt der Tiegelaußenfläche wurde experimentell ermittelt
und er beträgt von 0,15 bis 0,98. Im Falle, wo die Größe
des Verhältnisses unter 0,15 liegt, wird von der Schale die
Symmetrie des vom Heizelement in der Schmelze zu erzeugen
den Wärmefeldes auch im Unterkristallbereich verzerrt, wo
bei ebenfalls Begrenzungen hinsichtlich der Temperaturge
fälle in der Schmelze und im Kristall entstehen. Eine Über
schreitung des Bereiche von 0,98 kann zu einer Zerstörung
der Schale während der Kristallzüchtung führen.
Zur Herstellung von zu züchtenden Kristallen mit einem
verminderten Kohlenstoffgehalt ist die Schale vorzugs
weise im Körper des Quarztiegels unterzubringen.
In diesem Falle wird die Möglichkeit einer Übertra
gung des Kohlenstoffes über die Gasphase aus der Schale auf
die Schmelze und weiter auf den zu züchtenden Kristall aus
geschlossen.
Es ist empfehlenswert, die Schale zur Bewehrung des
Quarztiegels derart auszuführen, daß der Querschnitt ei
nes Durchbruchs der Schale der Fläche eines Quadra
tes mit einer Seite gleich ist, die 1 bis 20 Wanddicken
des Tiegels beträgt.
Dadurch wird die "Transparenz" der Schale in einem
breiten Bereich unter Erhaltung der Betriebszuverlässig
keit des Quarztiegels gewährleistet. Der Bereich der Quer
schnittsfläche einer Durchgangsbohrung der Schale wurde
experimentell gewählt. Im Falle, wo dieser Bereich unter 1
(einer) Dicke der Tiegelwand liegt, wird von der Schale die
Symmetrie des vom Heizelement zu erzeugenden Wärmefeldes
verzerrt; außerdem bleibt die in der Schmelze und im Un
terkristallbereich vorhandenen Temperaturgefälle recht
hoch. Eine Überschreitung des Bereiches von 20 kann eine
Zerstörung (undichte Stellen) der Quarztiegelschale infol
ge einer geringen Viskosität des Quarzes bei Temperaturen
von oberhalb 1700 K verursachen.
Es ist empfehlenswert, die Schale derart auszuführen,
daß die Dicke der Wand ihres Seitenteils 0,1 bis 2,5 der
Dicke der Tiegelwand beträgt.
Dadurch werden eine hohe mechanische Festigkeit und
Korrosionsbeständigkeit der Schale im gewählten Bereich
der "Transparenz" gewährleistet. Der Bereich der Wanddicke
des Seitenteils der Schale wurde experimentell, ausgehend von
den Werten der Betriebszuverlässigkeit und der Selbstko
sten, gewählt. Liegt die Wanddicke der Schale unter 0,1 der
Wanddicke des Tiegels, dann sind die mechanische Festig
keit und die Korrosionsbeständigkeit der Schale nicht aus
reichend, während bei einer Größe der Wanddicke der Scha
le von über 2,5 der Wanddicke des Tiegels die Selbstkosten
der Schale unbegründet zunehmen und deren "Transparenz"
abnimmt.
Es ist empfehlenswert, die Schale derart auszuführen,
daß die Dicke der Wand ihres Bodenteils 1 bis 5 Dicken
der Tiegelwand beträgt.
Dadurch wird die Betriebszuverlässigkeit des Tiegels
infolge einer Verminderung des Temperaturunterschiedes
zwischen dessen Seitenteil und Bodenteil noch mehr erhöht.
Der Bereich der Wanddicke des Bodenteils der Schale wurde
experimentell gewählt. Liegt die Dicke der Wand unter der
Dicke der Tiegelwand, dann ist die Betriebszuverlässigkeit
nicht ausreichend, während bei einer Größe der Wanddicke
der Schale von über 5 Dicken der Tiegelwand die Betriebs
zuverlässigkeit des Tiegels abnimmt und die Selbstkosten
der Schale zunehmen.
Andere Vorteile sowie die Erfindung werden anhand von nach
stehend angeführten Ausführungsbeispielen und Zeichnungen
näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 - eine schematische Darstellung einer Erwär
mungseinrichtung mit einer Schale zur Bewehrung eines Quarz
tiegels, der zur Züchtung von Einkristallen nach der Czochral
ski-Methode verwendet wird, im Längsschnitt;
Fig. 2 - eine erfindungsgemäße Schale zur Bewehrung
eines Quarztiegels, im Längsschnitt;
Fig. 3 - eine erfindungsgemäße Schale zur Bewehrung
eines Quarztiegels, die im Körper des Tiegels untergebracht
ist, im Längsschnitt;
Fig. 4 - eine erfindungsgemäße Schale zur Bewehrung
eines Quarztiegels mit einem Seitenteil aus einer Kohlen
stoffaser und einem Bodenteil aus Graphit, im Längsschnitt;
Fig. 5 - einen Quarztiegel mit einer weiteren erfindungsgemäßen
Schale zur Bewehrung des Tiegels, deren Bodenteil aus ei
ner Kohlenstoffaser hergestellt ist, im Teillängsschnitt;
Fig. 6 - den Bodenteil der erfindungsgemäßen
Schale zur Bewehrung des Quarztiegels, die aus einer Koh
lenstoffaser hergestellt ist gemäß Fig. 5, im Querschnitt.
Es wird eine Schale zur Bewehrung eines Quarztiegels
vorgeschlagen, die zur Kristallzüchtung aus einer Schmelze,
beispielsweise zur Züchtung von Siliziumkristallen aus
einer Schmelze, nach der Czochralski-Methode verwendet wird.
Fig. 1 zeigt eine Erwärmungseinrichtung, die einen
Quarztiegel 1 vorsieht, welcher in einer Schale 2 zu des
sen Bewehrung untergebracht und an einer Kolbenstange 3
angeordnet ist, die mit Antrieben (nicht darge
stellt) zu dessen Dreh- und Senkrechtbewegungen verbunden
ist. An der Außenseite des Tiegels 1 sind koaxial zu die
sem ein Widerstandsheizelement 4, welches ein Wärmefeld in
der Schmelze 5 mit vorgegebenen Temperaturgefällen erzeugt,
sowie Erwärmungsschirme 6 angeordnet. Der Kristall 7, welcher an
einem Kristallkeim 8 aus der Schmelze 5 gezüchtet wird,
wird an einer oberen Kolbenstange 9 befestigt, welche für
die Drehung des Kristalls um seine Achse und für dessen Senk
rechtbewegung sorgt.
Die Erwärmungseinrichtung ist in einer Kammer 10 un
tergebracht, die mit Elementen der Erwärmungseinrichtung
einen Züchtungsraum 11 für den zu züchtenden Kristall 7
bildet.
Die Schale 2 zur Bewehrung des Quarztiegels besteht
aus einem Seitenteil 12 und einem Bodenteil 13, ist aus
einem Material auf der Basis von Kohlenstoff ausgeführt
und weist Durchgangsbohrungen 14 (Fig. 2) auf.
Gemäß der Erfindung ist mindestens ein Teil, der Seiten
teil 12 oder der Bodenteil 13, oder die ganze Schale 2 aus
einer Kohlenstoffaser ausgeführt, die zu 10 bis 150% mit
Glanzkohlenstoff verdichtet ist, wodurch die Herstellung
einer Schale 2 gewährleistet wird, die eine hohe mechani
sche Festigkeit und eine hohe Korrosionsbeständigkeit auf
weist.
Fig. 1 und Fig. 2 zeigen eine Schale 2, bei der der
Seitenteil 12 aus einer Kohlenstoffaser ausgeführt ist,
die zu 10 bis 50% mit Glanzkohlenstoff verdichtet ist,
während der Bodenteil 13 aus Graphit ausgeführt ist.
Die Ausführung der ganzen Schale 2 oder eines ihrer
Teile aus einer Kohlenstoffaser, die zu 10 bis
150% mit Glanzkohlenstoff verdichtet ist, gestattet es,
die "Transparenz" der Schale 2 in einem breiten Bereich
zu bewirken, wobei die Betriebszuverlässigkeit der Schale
infolge einer hohen mechanischen Festigkeit und einer ho
hen Korrosionsbeständigkeit aufrechterhalten werden. Die
mechanische Festigkeit ist dabei durch hohe Festigkeits
eigenschaften der Kohlenstoffaser bedingt, während die
Korrosionsbeständigkeit durch die Beseitigung der Poren
durch Behandlung mit Glanzkohlenstoff gewährleistet wurde.
Die erfindungsgemäße Schale 2 ist auch dadurch ge
kennzeichnet, daß bei dieser Schale das Verhältnis zwi
schen der summarischen Fläche der Querschnitte der Durch
brüche bzw. -gänge bzw. durchgehenden Öffnungen 14 und dem Flächen
inhalt der Außenfläche des Tiegels 1 in einem Bereich von 0,15 bis
0,98 liegt.
Durch die Ausführung der Schale 2 mit einer "Trans
parenz" von 0,15 bis 0,98 wird die Formierung der Wärmefel
der in der Schmelze 5 und im Kristall 7 in einem breiten
Bereich gewährleistet. Das ist darauf zurückzuführen, daß
die Schale 2 nicht mehr als Abschirmung zwischen der Schmelze
5 und dem Widerstandsheizelement 4 dient, wie
das bei den bekannten verwendeten Konstruktio
nen der Fall ist. Die hohe "Transparenz" der Schale 2 ge
stattet es praktisch, das vom Widerstandsheizelement 4 er
zeugte Wärmefeld vollständig auf den Kristallisationsbereich des zu
züchtenden Kristalls 7 zu übertragen, wobei die Symmetrie
des Wärmefeldes relativ zu der Achse des zu züchtenden
Kristalls 7 aufrechterhalten wird. Eine gleichmäßige Durch
wärmung des Tiegels 11 gestattet es, die Geschwindigkeit
der Züchtung des Kristalls 7 zu erhöhen, die am Ende des
Prozesses infolge einer niedrigen Wärmeleitfähigkeit der
Schale 2 aufrechterhalten wird, wobei die niedrige Wärmeleit
fähigkeit durch das verwendete Material und das Verhältnis
zwischen der Querschnittsfläche der Durchbrüche
14 und dem Flächeninhalt der Außenfläche des Tiegels 1
bedingt ist. Dadurch wird es außerdem möglich, eine Er
wärmung des Kristalls 7 durch die Schale 2 auszuschlie
ßen, die Kontaktfläche zwischen der Schale 2 und dem Tie
gel 1 zu reduzieren, was zu einer Senkung des Niveaus der
chemischen Wechselwirkung zwischen diesen und als Folge
zu einer Herabsetzung des Verunreinigungsgrades im Züch
tungsraum 11 führt, der von der Kammer 10 und den Elementen
der Erwärmungseinrichtung gebildet ist.
Fig. 3 zeigt eine Ausführungsvariante einer Schale 15,
ausgeführt ganz aus einer Kohlenstoffaser, welche zu 10
bis 150% mit Glanzkohlenstoff verdichtet ist, die im Kör
per des Quarztiegels 16 untergebracht ist und Durch
gänge 17 aufweist. Eine solche Gestaltung der Schale
15 gestattet es, den Verunreinigungsgrad im Züchtungsraum
des zu züchtenden Kristalls herabzusetzen und die Mög
lichkeit einer Übertragung des Kohlenstoffes durch die
Gasphase aus der Schale auf die Schmelze und weiter auf
den zu züchtenden Kristall auszuschließen.
Fig. 4 zeigt eine Ausführungsvariante einer Schale 18
zur Bewehrung eines Quarztiegels 19, der einen Seitenteil
20 und einen Bodenteil 21 aufweist. Der Seitenteil 20 der
Schale 18 ist aus einer Kohlenstoffaser ausgeführt, die
zu 10 bis 150% mit Glanzkohlenstoff verdichtet ist, wäh
rend der Bodenteil 21 aus Graphit ausgeführt ist.
Dabei ist die Querschnittsfläche einer Öffnung 22 der
Schale 18 der Fläche eines Quadrates gleich, das eine Sei
te aufweist, die 1 bis 20 Dicken L der Wand des Tiegels
19 beträgt. Die Wahl eines solchen Bereiches ist durch die
Erzielung einer maximalen "Transparenz" der Schale 18 un
ter Aufrechterhaltung der Betriebszuverlässigkeit des Tie
gels 19 bedingt.
Fig. 5 stellt eine Ausführungsvariante einer Schale 23
zur Bewehrung eines Quarztiegels 24 dar, die aus einem
Seitenteil 25 und einem Bodenteil 26 besteht. Dabei sind
die beiden Teile 25 und 26 der Schale 23, d. h. die ganze
Schale 23, aus einer Kohlenstoffaser ausgeführt, die zu
10 bis 150% mit Glanzkohlenstoff verdichtet ist.
Dabei liegt die Dicke "K" der Wand des Seitenteils
25 der Schale 23 in einem Bereich von 0,1 bis 25 Dicken "l"
der Wand des Tiegels 24.
Die Dicke "m" der Wand des Bodenteils 26 der Schale
23 liegt in einem Bereich von 1 bis 5 Dicken "l" der Wand des
Tiegels 24. Die
Dicken "k" und "m" der Wand des Seitenteils 25 und des
Bodenteils 26 der Schale 23 werden mit Rücksicht auf die
Gewährleistung der Betriebszuverlässigkeit der Schale 23
und des Tiegels 24 unter minimalen Selbstkosten der Schale
23 gewählt.
Der Seitenteil 25 der Schale 23 und der Bodenteil 26
weisen Durchgänge 27 bzw. 28 auf. Die Form der
Durchgänge 27 und 28 kann ganz unterschiedlich
sein. Der Seitenteil 25 der Schale 23 ist beispielsweise
in Form eines Netzes mit Durchgängen 27 ausgeführt, die
die Form eines Rhombus (Fig. 5) aufweisen, während
der Bodenteil 26 der Schale 23 in Form eines Netzes mit
dreieckigen Durchgängen 28 ausgebildet ist
(Fig. 6).
Die in Fig. 1 bis 6 wiedergegebenen Konstruktionen
der Schalen (2, 15, 18, 23) gewährleisten Verhältnisse
zwischen der Gesamtfläche der Querschnitte der Durchgangs
bohrungen 14, 17, 22, 27, 28 und dem Flächeninhalt der Au
ßenfläche des Tiegels 1, 16, 19, 24 in einem Bereich von
0,15 bis 0,98.
Die erfindungsgemäße Schale gestattet es, neben den
obenerwähnten Vorzügen, die mit der Formierung der Wärme
felder, einer Herabsetzung des Verunreinigungsgrades in
der Kammer und mit einer Erhöhung der Betriebszuverlässig
keit der Quarztiegel verbunden sind, den Energieaufwand
zu vermindern und den Verbrauch an hochgereinigtem Graphit
zu reduzieren, dessen Kosten mit der Vergrößerung der
Tiegelmasse stark zunehmen.
Die Schale zur Bewehrung eines Quarztiegels hat folgen
de Wirkungsweise:
In einen Quarztiegel 1 wird kristallines Silizium
eingebracht, und der Quarztiegel 1 wird in einer Schale 2
untergebracht. Dann wird der Tiegel 1 an einer Kolbenstan
ge 3 in einer Kammer 10 angeordnet, in der ein Widerstands
heizelement 4 und Erwärmungsschirme 6 untergebracht sind.
Anschließend wird die Kammer 10 hermetisch geschlossen
und in dieser wird Vakuum erzeugt und Argon eingelassen.
Das Widerstandsheizelement 4 wird eingeschaltet und auf eine
Temperatur von 1900 K erhitzt. Infolge einer Wärmeüber
tragung durch Ausstrahlung vom Widerstandsheizelement 4 auf
das kristalline Silizium wird dieses im Tiegel 1 einge
schmolzen (bei einer Schmelztemperatur von 1690 K). Dabei
ist zwischen dem Widerstandsheizelement 4 und der Silizium
schmelze 5 eine "transparente" Schale 2 angeordnet. Nach
dem Einschmelzen des Siliziums wird in die Schmelze 5 ein
Kristallkeim 8 eingetaucht, der an einer Kolbenstange 9
befestigt ist; durch die Drehung und Bewegung der Kolben
stange 9 wird der Kristall 7 auf den Kristallkeim 8 gezo
gen.
Die erfindungsgemäße Schale 2, in welcher der Tiegel
1 untergebracht ist, ermöglicht es, Temperaturgefälle im
Unterkristallbereich herabzusetzen und das axiale Tem
peraturgefälle im Kristall zu erhöhen. Dabei vermindert
sich die Asymmetrie des Wärmefeldes in der Schmelze, wo
durch die Geschwindigkeit der Züchtung des Kristalls und
dessen Qualität erhöht werden. Außerdem wird die Kontakt
fläche zwischen der Schale und dem Tiegel wesentlich redu
ziert, was seinerseits zu einer Verminderung der Menge
der Produkte von chemischen Reaktionen im Züchtungsraum
und des Überganges derselben in den Kristall und folglich
zu einer Verbesserung der Qualität des zu züchtenden Kri
stalls führt.
Die oben beschriebenen Ausführungsvarianten der Er
findung wurden nur als Ausführungsbeispiele angeführt und
sie beschränken das Patentbegehren nicht. Es sind verschie
dene Vervollkommnungen und Änderungen der Erfindung ohne
eine Abweichung vom durch die Patentansprüche bestimmten
Erfindungswesen und -umfang möglich.
Claims (5)
1. Schale (2, 15, 18, 23) zur Bewehrung eines Quarz
tiegels (1, 16, 19, 24) zur Kristallzüchtung aus einer Schmel
ze, die einen Seitenteil (12, 20, 25) und einen Boden
teil (13, 21, 26) aufweist, aus einem Kohlenstoffmateri
al ausgeführt ist und Durchbrüche (14, 17, 22,
27, 28) besitzt, dadurch gekennzeichnet,
daß das Kohlenstoffmaterial zumindest eines Teils (12,
20, 25 bzw. 13, 21, 26) der Schale (2, 15, 18, 23) eine
Kohlenstoffaser darstellt, die zu 10 bis 150% mit Glanz
kohlenstoff verdichtet ist, wobei das Verhältnis zwischen
der Gesamtfläche der Querschnitte der Durchbrüche
(14, 17, 22, 27, 28) dieser Schale und dem Flächeninhalt
der Außenfläche des Tiegels (1, 16, 19, 24) in einem Be
reich von 0,15 bis 0,98 liegt.
2. Schale nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß sie im Körper des Quarztiegels (6)
untergebracht ist.
3. Schale nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Querschnitt eines Durchbruchs
(22) der Fläche eines Quadrates mit einer Seite
gleich ist, die 1 bis 20 Dicken (L) der
Wand des Tiegels (10) gleich ist.
4. Schale nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Dicke (K) der Wand ihres Sei
tenteils (22) 0,1 bis 2,5 Dicken (l) der
Wand des Tiegels (24) beträgt.
5. Schale nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Dicke (m) der Wand ihres Boden
teils (26) 1 bis 5 Dicken (l) der Wand des
Tiegels (24) beträgt.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8181 | Inventor (new situation) |
Free format text: BULAEV, ANATOLIJ SEMENOVIC RASKUTINA, LJUBOV MICHAILOVNA, MOSKAU/MOSKVA, SU SERGEICUK, VLADIMIR VASIL EVIC GUZENKO, NIKOLAJ KONSTANTINOVIC NYRKOV, STALINID PETROVIC MAIZANOV, BORIS TROFIMOVIC, KIROVOGRADSKAJA OBLAST , SU BOCKAREV, ELLIN PETROVIC, MOSKAU/MOSKVA, SU ZYKOVA, IRINA VLADIMIROVNA LEONT EV, NIKOLAJ GRIGOR EVIC GRANKOVSKIJ, EDUARD VLADIMIROVIC, MOSKOVSKAJA OBLAST , SU BUSUEV, MICHAIL GENNAD EVIC KOSTIN, VLADIMIR VLADIMIROVIC OGURCOV, ALEKSANDR IVANOVIC, MOSKAU/MOSKVA, SU |
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