DE3723810A1 - Verfahren zum ziehen von einkristallsilicium und dafuer vorgesehenes verbundquarzglasteil - Google Patents

Verfahren zum ziehen von einkristallsilicium und dafuer vorgesehenes verbundquarzglasteil

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DE3723810A1 DE19873723810 DE3723810A DE3723810A1 DE 3723810 A1 DE3723810 A1 DE 3723810A1 DE 19873723810 DE19873723810 DE 19873723810 DE 3723810 A DE3723810 A DE 3723810A DE 3723810 A1 DE3723810 A1 DE 3723810A1
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Description

Halbleitersilicium wird üblicherweise als ein Einkristall aus einer schmelzflüssigen abgeteilten Menge von Polysilicium (polykristallines Silicium), das in einem Quarzglasgefäß enthalten ist, auf­ wachsen gelassen. Bei dem dafür angewendeten Czochralski-Verfahren wird ein Einkristallsiliciumstab aus der schmelzflüssigen Polysiliciummasse bei erhöhten Temperaturen, die oft 1450°C übersteigen, gezogen, und dieses Verfahren wird heutzutage diskontinuierlich oder kontinuierlich ausgeführt. Die sorgfältige Steuerung der Betriebstemperaturen muß aus zahlreichen Gründen erfolgen, um eine zufriedenstellende Ausbeute an auf diese Weise hergestelltem Halbleitermaterial aufrechtzuerhalten. Zur Veranschaulichung, bei einem typischen Herstellungsverfahren werden Heizelemente zusammen mit Hitzeschirmen benutzt, um sowohl die axialen als auch die radialen Temperaturen in der Schmelze sorgfältig zu steuern. Durch Steuern der Temperatur zusammen mit der Stabziehgeschwindigkeit wird bei diesem Verfahren der Durchmesser des wachsenden Kristalls dadurch gesteuert. Wenn ein Einkristall durch ein solches diskontinuierliches Verfahren gezogen wird, sinkt der Spiegel der Schmelze in dem Tiegelgefäß ebenfalls, so daß üblicherweise mit automatisch gesteuertem Anheben des Tiegels gearbeitet wird, um unerwünschte Änderungen im Wärmeprofil während des Wachstumsprozesses zu verhindern. Es ist klar, daß das Steuern der Temperaturverteilung bei diesem Verfahren ein kritischer Gesichtspunkt bleibt.
Ebenso erfolgt eine sorgfältige Temperatursteuerung, wenn ein Siliciumhalbleiterelement durch Dotieren des oben beschriebenen Einkristallmaterials bei erhöhten Temperaturen mit einer ein Dotierelement enthaltenden gasförmigen Atmosphäre hergestellt wird. Bei diesem kommerziellen Verfahren wird das Einkristallmaterial in einem geschlossenen Quarzglasgefäß erhitzt, und die gasförmige Atmosphäre für die thermische Diffusion des Dotierelements in das Einkristallmaterial wird eingelassen. Das üblicherweise verwendete Quarzglasgefäß ist ein Hohlzylinder, der an beiden Enden verschlossen ist und häufig aus optisch klarem Quarzglas hergestellt wird, um das Eindringen der Infrarotheizenergie zu ermöglichen, die wieder von umgebenden Heizelementen geliefert wird. Da unerwünschte Temperaturschwankungen bei dem Diffusionsprozeß aufgrund von Wärmeverlusten auftreten können, welche auf verschiedenerlei Weise verursacht werden können, bleibt die Steuerung der Temperaturverteilung auch in diesem Fall wichtig. Es ist deshalb erwünscht, das heutzutage bei der gesamten Wärmebehandlung von Halbleitersilicium verwendete Quarzglasmaterial auf eine Weise zu modifizieren, daß die Steuerung der Temperaturverteilung während der besonderen Verarbeitungsschritte erleichtert wird.
Es ist überraschenderweise herausgefunden worden, daß kontrollierte Mengen an Siliciummetallkristallen in eine Quarzglasmatrix auf besondere Weise eingebracht werden können, um den Infrarotheizenergiedurchtritt durch dieses modifizierte Material zu verzögern. Eine dispergierte Phase von Siliciummetallteilchen feiner Größe, die eine Kugelform haben, wird in vorgewählten Gebieten verteilt, um ein Verbundquarzglasteil zu bilden, welches das modifizierte Verhalten selektiv in den Gebieten der dispergierten Phase zeigt. Beispielsweise kann ein Tiegel mit dem modifizierten Quarzglasmaterial hergestellt werden, bei dem die ausgewählten Gebiete sich auf die oberen Wandteile des Gefäßes beschränken, und zwar bei Verwendung bei dem oben beschriebenen Einkristallwachstumsverfahren. Auf diese Weise durchdringt die bei dem Verfahren verwendete Heizenergie ohne weiteres die unmodifizierten Quarzglasgebiete des Tiegels, dringt aber in die oberen Wandgebiete nur verzögert ein. Die Temperatursteuerung kann dadurch während des Wachstumsverfahrens mit dem modifizierten Quarzglasteil erfolgen, wodurch die Heizenergie hauptsächlich dem zentralen Gebiet der Polysiliciumschmelze zugeführt wird, während ein oberes Gebiet der Schmelze auf einer etwas niedrigeren Temperatur gehalten wird, was als erwünschter Betriebszustand angesehen wird. Wie weiter oben angegeben können die Quarzglasteile, die zur Zeit als Wärmeabschirmungen oder -ablenkplaten bei diesem Wachstumsverfahren benutzt werden, ebenfalls auf dieselbe allgemeine Weise modifiziert werden, um Wärmeverluste der Polysiliciumschmelze zu verringern, die sonst auftreten würden.
In verschiedenen Ausführungsformen, die zur Verwendung bei dem oben beschriebenen thermischen Diffusionsprozeß geeignet sind, weist das Quarzglasgefäß wenigstens ein Verbundquarzglasteil nach der Erfindung auf, das wieder zum Steuern der Temperaturverteilung in dem Halbleitermaterial, das verarbeitet wird, dient. Zur Veranschaulichung, das Diffusionsrohr aus optisch klarem Quarzglas, das zur Zeit üblicherweise benutzt wird, kann in einem oder in beiden geschlossenen Endgebieten modifiziert werden, indem Komponenten benutzt werden, die mit dem erfindungsgemäß modifizierten Verbundquarzglasmaterial hergestellt worden sind. Platten oder Scheiben des Verbundmaterials können dadurch als Endverschlüsse für das Diffusionsrohr dienen und Wärmeverluste reduzieren, die an dieser Stelle des geschlossenen Gefäßes auftreten. Weiter werden die Endverschlüsse die O-Ringdichtungen, die zur Zeit benutzt werden, um eine gasdichte Abdichtung in diesen Diffusionsrohren herzustellen, schützen. Hohlzylinderformen des Verbundquarzglasmaterials können auch an ein oder an beide Enden des Diffusionsrohres aus optisch klarem Quarzglas angeschlossen werden, um die Wärmeverluste zu blockieren, die sonst aufgrund von longitudinaler Wärmeleitung innerhalb der optisch klaren Rohrwände durch einen Lichtleiteffekt auftreten würden.
Das besondere Verbundquarzglasmaterial, das zur Verwendung auf vorbeschriebene Weise geeignet ist, kann weiter als eine Glas- oder glasartige Matrix gekennzeichnet werden, die eingeschlossene Bläschen hat und weiter etwa 25 bis etwa 2000 Gew.ppm der kugelförmigen Siliciummetallkristalle feiner Größe enthält, die in der gesamten Quarzglasmatrix in vorgewählten Gebieten gleichmäßig verteilt sind, welche dazu dienen, die optische Infrarottransmission in diesen Gebieten auf einen Raumtemperaturwert von nicht mehr als etwa 30% bei einer Probendicke von 3 mm zu reduzieren. Der Gesamtgehalt an anderen Metallverunreinigungen in dem Quarzglasteil überschreitet etwa 100 Gew.ppm nicht, um eine Verunreinigung des verarbeiteten Siliciumhalbleitermaterials zu verhindern. Das verbesserte Verbundquarzglasmaterial kann durch bescheidene Modifizierungen der bereits bekannten Quarzherstellungsverfahren hergestellt werden, woraufhin die Siliciummetallkristalle, deren Partikelgröße von Submikrongröße bis zu etwa 15 µm im Durchmesser reicht, in den oben angegebenen Gewichtsverhältnissen mit kristallinen Quarzpartikeln gemischt werden, um ein Ausgangsmaterial zum anschließenden Schmelzen durch ansonsten herkömmliche Quarzherstellungsverfahren herzustellen. Während des Quarzschmelzschrittes läßt sich beobachten, daß eine chemische Reaktion zwischen den Siliciummetallkristallen und den Quarzteilchen stattfindet, die zur Folge hat, daß die Siliciumkristalle eine Kugelform annehmen und außerdem eine leichte Verfärbung in der ansonsten farblosen, lichdurchlässigen Quarzglasmatrix erfolgt. Entweder ein natürlicher Quarzsand oder ein zerkleinerter Quarzkristall kann zur Verwendung in dem Quarzausgangsgemisch gewählt und anschließend durch eine chemische Behandlung gereinigt werden, wie sie in dem US-Patent 37 64 286 der Anmelderin beschrieben ist. Es hat sich gezeigt, daß ein Siliciummetallzusatz zu dem Ausgangsgemisch unter der oben angegebenen unteren Grenze von 25 ppm keine ausreichende Reduzierung des Infrarotenergiedurchtritts in dem fertigen Verbundquarzglasteil ergibt. Andererseits wird ein Siliciummetallzusatz von mehr als dem oben angegebenen Maximalwert von 2000 ppm für unerwünscht gehalten, weil übermäßige Heizenergie erforderlich sein wird, um solche Gemische ausreichend zu schmelzen.
Die vorstehende zusammenfassende Beschreibung zeigt, daß die Erfindung in ihrer grundlegendsten Form dieses Verbundquarzglasmaterial vorteilhaft ausnutzt, wenn Halbleitersilicium thermisch verarbeitet wird. Demgemäß schafft die Erfindung in einer bevorzugten Ausführungsform ein verbessertes Verfahren zum Ziehen von Einkristallsilicium aus einer schmelzflüssigen Polysiliciummasse (polykristalline Siliciummasse) bei erhöhten Temperaturen, welches beinhaltet:
  • a) Schmelzen einer Polysiliciummasse bei erhöhten Temperaturen unter Verwendung wenigstens eines Verbundquarzglasteils mit eingeschlossenen Bläschen, das etwa 25 bis etwa 2000 Gew.ppm kugelförmige Siliciummetallkristalle feiner Größe enthält, die in der Quarzglasmatrix in vorgewählten Gebieten des Quarzglasteilchen gleichmäßig verteilt sind, um die Infrarotlichtdurchlässigkeit der vorgewählten Gebiete auf einen Raumtemperaturwert von nicht mehr als etwa 30% bei einer Probendicke von 3 mm zu reduzieren, wobei das Quarzglasteil weiter durch einen Gesamtgehalt an anderen Metallverunreinigungen gekennzeichnet ist, der etwa 100 Gew.ppm nicht übersteigt, und
  • b) Ziehen eines Einkristallsilicumstabes aus der schmelzflüssigen Polysiliciummasse, woraufhin
  • c) die vorgewählten Gebiete des Quarzglasteils zum Steuern der Temperaturverteilung bei dem Ziehprozeß dienen.
Ebenso kann die Erfindung in einer anderen bevorzugten Ausführungsform angewandt werden, um ein verbessertes Verfahren zu schaffen zum Herstellen eines Siliciumhalbleiterlements durch Dotieren von Halbleitereinkristallsiliciummaterial bei erhöhten Temperaturen mit einer gasförmigen Atmosphäre, die ein Dotierelement enthält, welches beinhaltet:
  • a) Erhitzen des Halbleitermaterials in einem geschlossenen Gefäß, das wenigstens ein Verbundquarzglasteil aufweist, welches eine Quarzglasmatrix hat, die etwa 25 bis 2000 Gew. ppm kugelförmige Siliciummetallkristalle feiner Größe enthält, die in der Quarzglasmatrix in vorgewählten Gebieten des Quarzglasgefäßes gleichmäßig verteilt sind, um die Infrarotlichtdurchlässigkeit der vorgewählten Gebiete auf einen Raumtemperaturwert von nicht mehr als etwa 30% bei einer Probendicke von 3 mm zu reduzieren, wobei das Quarzglasgefäß weiter gekennzeichnet ist durch einen Gesamtgehalt an anderen Metallverunreinigungen, der 100 Gew. ppm nicht übersteigt, und
  • b) Einleiten der gasförmigen Atmosphäre bei den erhöhten Temperaturen in das Quarzglasgefäß zur Diffusion des Dotierelements in das Halbleitermaterial, woraufhin
  • c) die vorgewählten Gebiete des Quarzglasgefäßes zum Steuern der Temperaturverteilung in dem behandelten Halbleitermaterial dienen.
Bei beiden verbesserten Verfahren ist der Hauptvorteil, der der selektiven Infrarotdurchlässigkeitsverringerung in dem modifizierten Verbundquarzglasteil zuzuschreiben ist, die verbesserte Steuerung der Wärmeübertragung, die in der Verarbeitungsausrüstung stattfindet.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 schematisch eine Vorrichtung, die zum Herstellen eines modifizierten Quarzglastiegels gemäß der Erfindung geeignet ist, und
Fig. 2 im Querschnitt den in der Vorrichtung nach Fig. 1 hergestellten Tiegel.
Fig. 1 zeigt schematisch eine bereits bekannte Vorrichtung 10 zum Herstellen eines Quarzglastiegels 12 auf in der US-PS 44 16 680 ausführlicher beschriebene Weise. Bei diesem Verfahren werden kristalline Quarzteilchen zuerst in eine hohle, rotierende Form eingebracht, um die Tiegelform herzustellen, und anschließend mit einem elektrischen Lichtbogen geschmolzen. Demgemäß wird eine hohle Metallschale 14 an einer Welle 16 drehbar befestigt, um eine Einrichtung zu schaffen, in der das Schmelzen stattfindet. Ein Antriebsmotor 18 dreht die Schmelzgehäusevorrichtung, um die Quarzsandmasse durch Fliehkraft an den Innenwänden des Metallmantels 14 zu halten. Gemäß Fig. 1 sind Perforationen 20 in den inneren Wänden des Metallmantels vorhanden, so daß das Schmelzen der geformten Sandmasse unter Vakuumbedingungen stattfinden kann, um den Bläschengehalt in dem Quarzglasteil zu reduzieren. Der Vakuumbetrieb wird erreicht, indem eine Versorgungsleitung 22 angeschlossen wird, die von dem Metallmantel 14 zu einer Vakuumpumpe 24 führt. Eine Elektrodenvorrichtung 25 ist oberhalb des Metallmantels 14 beweglich befestigt und bildet eine Wärmequelle, die die in dem Gefäß enthaltene Quarzsandform zum Schmelzen bringt. Bei dem üblichen Betrieb wird eine Menge des Quarzsandes in den Metallmantel 14 eingebracht, der gedreht wird, um eine poröse Form zu bilden, die die Tiegelkonfiguration hat. Die Vakuumpumpe 24 zieht Luft aus der porösen Sandform während deren anschließenden Schmelzens durch einen elektrischen Lichtbogen ab, der durch die zugeordnete Elektrodenvorrichtung 25 erzeugt wird. Die Elektrodenvorrichtung 25 kann so programmiert werden, daß sie sich in dem Metallmantel 14 während des Schmelzschrittes automatisch nach unten bewegt und nach dem Bilden des Quarzglasgefäßes in ihre ursprüngliche Höhe zurückgezogen wird. Der Metallmantel 14, der nun das Quarzglasteil enthält, kann anschließend von der Elektrodenvorrichtung 25 entfernt werden, um das Ausführen des nächsten Schmelzvorganges mit derselben Elektrodenvorrichtung 25 zu gestatten.
Der oben beschriebene Schmelzprozeß kann in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung modifiziert werden, indem zuerst die übliche abgeteilte Quarzsandmenge in die unteren Gebiete 26 des hohlen, rotierenden Mantels 14 eingebracht und anschließend eine abgeteilte Quarzsandmenge, welche die Siliciummetallteilchen wie oben beschrieben enthält, in das obere Gebiet 28 in dem weiterhin rotierenden Mantel eingebracht wird. Das Schmelzen der Verbundsandmasse auf übliche Weise ergibt einen glasartigen Gegenstand, in welchem sich das Siliciummetall enthaltende Material noch auf die oberen Randgebiete des Tiegels beschränkt. Ebenso kann die Herstellung eines Verbundquarzglasteils in Form eines Hohlzylinders auf dieselbe allgemeine Weise erfolgen, der als Wärmeabschirmung dient. Eine rotierende Formvorrichtung, die die zylindrische Form hat, wird in der Vorrichtung vorgesehen, und eine zweiteilige Sandmasse wird wie oben beschrieben anschließend auf die innere Wand der rotierenden Hohlform aufgebracht. Es wird in dieser letztgenannten Ausführungsform möglich, vorgewählte Gebiete herzustellen, die die Siliciummetallpartikel an jedem Ende des glasartigen Gegenstands enthalten, oder ein solches vorgewähltes Gebiet zu schaffen, das sich über den gesamten Innenwandteil des Teils erstreckt.
Ein Querschnitt des Tiegels 12, der gemäß der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform hergestellt worden ist, ist in Fig. 2 gezeigt. Der Zeichnung ist zu entnehmen, daß die unteren Gebiete 26 des Verbundtiegels das gewöhnliche glasartige Material aufweisen,welches nur winzige eingeschlossene Bläschen hat, die in der gesamten glasartigen Matrix dispergiert sind. Das obere Gebiet 28 des Tiegels enthält weiter eine dispergierte Phase der kugelförmigen Siliciummetallkristalle, welche in der glasartigen Matrix verteilt sind, um die Infrarotlichtdurchlässigkeit gemäß der Erfindung zu reduzieren. Der Gesamtgehalt der anderen Metallverunreinigungen, die in dem gesamten Verbundtiegel verteilt sind, wird auf nicht mehr als 100 Gew.ppm gehalten, um das Verunreinigen des Halbleitersiliciummaterials (nicht dargestellt), welches in dem Gefäß verarbeitet wird, zu verhindern. Es ist zwar in der Zeichnung nicht dargestellt, es können jedoch andere Verbundquarzglasteile in Verbindung mit dem Verbundtiegel bei dem angegebenen Halbleiterwachstumsprozeß benutzt werden. Beispielsweise hilft ein Deckel für den Tiegel, der aus dem erfindungsgemäß modifizierten Quarzglasmaterial hergestellt wird, die Temperaturverteilung steuern, wenn das Wachstumsverfahren ausgeführt wird, indem wieder der Wärmeeintritt in den oberen Tiegelgebieten reduziert wird. Das Erhitzen des Tiegelinhalts wird in den unteren Tiegelgebieten auf herkömmliche Weise ermöglicht.
Vorstehende Beschreibung zeigt, daß eine insgesamt brauchbare Verbesserung zum Steuern der Temperaturverteilung bei der thermischen Bearbeitung von Siliciummaterial von Halbleiterqualität geschaffen worden ist. Es sind zwar bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung gezeigt und beschrieben worden, im Rahmen der Erfindung sind jedoch verschiedene andere Ausführungsformen zusammen mit Herstellungsverfahren möglich. Beispielsweise dürfte die vorstehende Beschreibung gezeigt haben, daß noch andere bekannte Quarzherstellverfahren, wie beispielsweise das in der oben erwähnten US-PS 37 64 286 vollständiger beschriebene, gewählt werden können, um gewisse Verbundquarzglasteile zur Verwendung gemäß der Erfindung herzustellen.

Claims (18)

1. Verfahren zum Ziehen von Einkristallsilicium aus einer Polysiliciummasse (polykristallinen Siliciummasse) bei erhöhten Temperaturen, gekennzeichnet durch:
  • a) Schmelzen einer Polysiliciummasse bei erhöhten Temperaturen unter Verwendung wenigstens eines Verbundquarzglasteils mit eingeschlossenen Bläschen, das etwa 25 bis etwa 2000 Gew.ppm kugelförmige Siliciummetallkristalle feiner Größe enthält, welche in der Quarzglasmatrix in vorgewählten Gebieten des Quarzglasteils gleichmäßig verteilt sind, um die Infrarotlichtdurchlässigkeit der vorgewählten Gebiete auf einen Raumtemperaturwert von nicht mehr als etwa 30% bei einer Probendicke von 3 mm zu reduzieren, wobei das Quarzglasteil weiter durch einen Gesamtgehalt an anderen Metallverunreinigungen gekennzeichnet ist, der etwa 100 Gew.ppm nicht übersteigt, und
  • b) Ziehen eines Einkristallsiliciumstabes aus der schmelzflüssigen Polysiliciummasse, woraufhin
  • c) die vorgewählten Gebiete des Quarzglasteils zum Steuern der Temperaturverteilung bei dem Ziehprozess dienen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Quarzglasteil ein am Ende geschlossener Tiegel ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Quarzglasteil die Form eines Hohlzylinders hat, der als Wärmeabschirmung dient.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine abgeteilte Polysiliciummenge benutzt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Polysilicium auf kontinuierliche Weise geschmolzen wird.
6. Verfahren zum Herstellen eines Siliciumhalbleiterelements durch Dotieren von Einkristallsiliciummaterial von Halbleiterqualität bei erhöhten Temperaturen mit einer gasförmigen Atmosphäre, die das Dotierelement enthält, gekennzeichnet durch:
  • a) Erhitzen des Materials von Halbleiterqualität in einem geschlossenen Gefäß, welches wenigstens ein Verbundquarzglasteil aufweist, das eine Quarzglasmatrix hat, die etwa 25 bis etwa 2000 Gew.ppm kugelförmige Siliciummetallkristalle feiner Größe enthält, welche in der Quarzglasmatrix in vorgewählten Gebieten des Quarzglasgefäßes gleichmäßig verteilt sind, um die Infrarotlichtdurchlässigkeit der vorgewählten Gebiete auf einen Raumtemperaturwert von nicht mehr als etwa 30% bei einer Probendicke von 3 mm zu reduzieren, wobei das Quarzglasgefäß weiter gekennzeichnet ist durch einen Gesamtgehalt an anderen Metallverunreinigungen, der 100 Gew.ppm nicht übersteigt, und
  • b) Einleiten der gasförmigen Atmosphäre bei den erhöhten Temperaturen in das geschlossene Quarzglasgefäß zur Diffusion des Dotierelements in das Material von Halbleiterqualität, woraufhin
  • c) die vorgewählten Gebiete des Quarzglasgefäßes zum Steuern der Temperaturverteilung in dem Material von Halbleiterqualität, das behandelt wird, dienen.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Quarzglasgefäß ein an den Enden geschlossener Zylinder ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß sich die vorgewählten Gebiete des Quarzglasgefäßes auf die geschlossenen Enden beschränken.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Zylinderteil des an den Enden verschlossenen Hohlzylinders aus optisch klarem Quarzglas hergestellt wird.
10. Verbundquarzglasteil, das beim Ziehen eines Einkristallsiliciumstabes aus einer schmelzflüssigen Polysiliciummasse bei erhöhten Temperaturen benutzt wird und eine Quarzglasmatrix mit eingeschlossenen Bläschen aufweist, die etwa 25 bis etwa 2000 Gew.ppm kugelförmige Siliziummetallkristalle feiner Größe enthält, welche in der Quarzglasmatrix in vorgewählten Gebieten (28) des Quarzglasteils (12) gleichmäßig verteilt sind, um die Infrarotlichtdurchlässigkeit in den vorgewählten Gebieten (28) auf einen Raumtemperaturwert von nicht mehr als etwa 30% bei einer Probendicke von 3 mm zu reduzieren, wobei das Quarzglasteil (12) weiter gekennzeichnet ist durch einen Gesamtgehalt an anderen Metallverunreinigungen, der 100 Gew.ppm nicht übersteigt, woraufhin die vorgewählten Gebiete (28) des Quarzglasteils (12) zum Steuern der Temperaturverteilung bei dem Ziehprozeß dienen.
11. Quarzglasteil nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß es die Form eines am Ende verschlossenen Hohlgefäßes hat.
12. Quarzglasteil nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß sich die vorgewählten Gebiete (28) in den oberen Wandteilen des Gefäßes (12) befinden.
13. Quarzglasteil nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß es die Form einesHohlzylinders hat, der als Hitzeschild dient.
14. Quarzglasteil nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß es die Form einer zylindrischen Scheibe hat.
15. Verbundquarzglasteil, das bei der Herstellung eines Halbleiterelements durch Dotieren von Einkristallsiliciummaterial von Halbleiterqualität bei erhöhten Temperaturen mit einer gasförmigen Atmosphäre, die das Dotierelement enthält, benutzt wird und ein geschlossenes Gefäß bildet, das wenigstens ein Verbundquarzglasteil aufweist, welches eine Quarzglasmatrix mit eingeschlossenen Bläschen hat, die etwa 25 bis etwa 2000 Gew.ppm kugelförmige Siliciummetallkristalle feiner Größe enthält, welche in der Quarzglasmatrix in vorgewählten Gebieten (28) des Verbundquarzglasteils gleichmäßig verteilt sind, um die Infrarotlichtdurchlässigkeit in den vorgewählten Gebieten auf einen Raumtemperaturwert von nicht mehr als etwa 30% bei einer Probendicke von 3 mm zu reduzieren, wobei das Verbundquarzglasteil weiter gekennzeichnet ist durch einen Gesamtgehalt an anderen Metallverunreinigungen, der 100 Gew.ppm nicht übersteigt, woraufhin die vorgewählten Gebiete (28) des Quarzglasgefäßes zum Steuern der Temperaturverteilung in dem Halbleitermaterial, das behandelt wird, dienen.
16. Quarzglasteil nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß es die Form eines an den Enden verschlossenen Hohlzylinders hat.
17. Quarzglasteil nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß sich die vorgewählten Gebiete (28) des Quarzglasgefäßes auf die geschlossenen Enden beschränken.
18. Quarzglasteil nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß der zentrale Teil des an den Enden verschlossenen Zylinders weiter optisch klares Quarzglas aufweist.
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