KR101218852B1 - 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치 - Google Patents

단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101218852B1
KR101218852B1 KR1020100000518A KR20100000518A KR101218852B1 KR 101218852 B1 KR101218852 B1 KR 101218852B1 KR 1020100000518 A KR1020100000518 A KR 1020100000518A KR 20100000518 A KR20100000518 A KR 20100000518A KR 101218852 B1 KR101218852 B1 KR 101218852B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
single crystal
crystal growth
growth apparatus
insulating
heat
Prior art date
Application number
KR1020100000518A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110080342A (ko
Inventor
이상훈
오현정
최일수
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020100000518A priority Critical patent/KR101218852B1/ko
Priority to EP10842278.3A priority patent/EP2521805A4/en
Priority to CN201080060718XA priority patent/CN102695822A/zh
Priority to JP2012547944A priority patent/JP5715159B2/ja
Priority to PCT/KR2010/004775 priority patent/WO2011083898A1/en
Publication of KR20110080342A publication Critical patent/KR20110080342A/ko
Priority to US13/542,590 priority patent/US20120266809A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101218852B1 publication Critical patent/KR101218852B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

실시예는 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치에 관한 것이다.
실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치는 단결정 성장장치의 챔버 내에 설치되는 단열장치에 있어서, 상기 단열장치는, 제1 거리로 이격되도록 적층된 복수의 단열블록; 및 상기 단열블록 사이에 구비된 제1 단열층을 포함한다.

Description

단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치{Insulating Apparatus in a Single Crystal Grower and Single Crystal Grower including the same}
실시예는 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치에 관한 것이다.
반도체를 제조하기 위해서는 웨이퍼를 제조하고 이러한 웨이퍼에 소정의 이온을 주입하고 회로 패턴을 형성하는 단계 등을 거쳐야 한다. 이때, 웨이퍼의 제조를 위해서는 먼저 단결정 실리콘을 잉곳(ingot) 형태로 성장시켜야 한다.
실리콘 단결정 잉곳(IG) 성장을 위한 대표적인 제조방법으로는 단결정인 종자결정(seed crystal)을 용융 실리콘에 담근 후 천천히 끌어올리면서 결정을 성장시키는 쵸크랄스키(Czochralsk:CZ)법이 있다.
종래기술에 의하면 단결정 성장 공정에서의 단열재는 히터(Heater)로부터 발생한 열이 외부로 빠져나가지 않도록 설계되어 있다. 이러한 설계를 통해 히터의 외측부를 열전도도가 낮은 단열재를 이용하여 열의 로스(Loss)를 차단하고 있으며, 단열재의 두께는 가능한 두껍게 사용되고 있다.
한편, 종래기술에 따른 단결정 성장장치는 히터로부터 발생한 열이 외부로 유출되지 않도록 단열재의 두께를 이용하여 제어함에 따라 열의 3가지 특성인 전도, 대류, 복사 중 전도만을 고려하여 열의 유출을 억제하고자 하는 한계가 있다.
실시예는 대류나 복사를 이용해서도 열의 흐름을 차단할 수 있는 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치는 단결정 성장장치의 챔버 내에 설치되는 단열장치에 있어서, 상기 단열장치는, 제1 거리로 이격되도록 적층된 복수의 단열블록; 및 상기 단열블록 사이에 구비된 제1 단열층을 포함한다.
또한, 실시예에 따른 단결정 성장장치는 히터를 구비하는 챔버; 상기 히터 일측의 상기 챔버 내부에 설치되는 단열장치;를 포함하며, 상기 단열장치는, 제1 거리로 이격되도록 적층된 복수의 단열블록; 및 상기 단열블록 사이에 구비된 제1 단열층을 포함한다.
실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치에 의하면, 단결정 성장공정에서 히터파워(Heater Power) 값을 300mm 기준 약 3KW~ 8KW까지 다운(down)이 가능할 것으로 보이며, 이로 인해 도가니(Quartz)의 열화 현상 및 핫존 수명(Hot zone Life time) 증가 및 공정비용 등의 감소효과가 있다.
또한, 실시예에 의하면 히터 파워가 높은 경우 도가니 근처의 온도가 높아 멜트(melt)의 상태가 불안정해지는데, 히터 파워를 낮춤으로써 멜트가 안정상태가 될 수 있다.
또한, 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치를 적용하는 경우 종래의 단결정 성장장치와 비교할 경우 같은 히터 파워에서 작업시 실리콘 멜팅 시간(melting time)이 줄어드는 효과가 있다.
또한, 실시예에 의하면 450mm와 같이 대구경의 결정성장시에는 히터파워 값 감소가 중요한 만큼 대구경 결정성장 기술에 있어서 큰 효과를 줄 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 단결정 성장장치의 예시도.
도 2는 제1 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치의 부분 단면도.
도 3은 제2 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치의 부분 단면도.
도 4은 제3 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치의 부분 단면도.
도 5는 종래기술에 따른 단결정 성장장치의 열분포 시뮬레이션 예시도.
도 6는 제1 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치의 열분포 시뮬레이션 예시도.
도 7은 제2 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치의 열분포 시뮬레이션 예시도.
이하, 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 단결정 성장장치의 예시도다.
실시예에 따른 단결정 성장장치(100)는 챔버(110), 도가니(120), 히터(127), 인상수단(미도시) 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 따른 단결정 성장장치(100)는 챔버(110)와, 상기 챔버(110)의 내부에 구비되며, 실리콘 융액(SM)을 수용하는 도가니(120)와, 상기 챔버(110)의 내부에 구비되며, 상기 도가니(120)를 가열하는 히터(127) 및 단결정 잉곳(IG)을 감싸는 냉각관(115) 등을 포함할 수 있다.
상기 챔버(110)는 반도체 등의 전자부품 소재로 사용되는 실리콘 웨이퍼(wafer)용 단결정 잉곳(Ingot)을 성장시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다.
상기 챔버(110)는 도가니(120)가 수용되는 성장챔버와, 상기 성장챔버 상에 단결정 잉곳(IG)이 성장되어 나가는 풀챔버를 포함할 수 있다.
상기 챔버(110)의 내벽에는 히터(127)의 열이 상기 챔버(110)의 측벽부로 방출되지 못하도록 단열장치(130)가 설치될 수 있다.
실시예는 실리콘 단결정 성장 시의 산소 농도를 제어하기 위하여 석영 도가니(120)의 회전 내부의 압력 조건 등 다양한 인자들을 조절할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 산소 농도를 제어하기 위하여 실리콘 단결정 성장 장치의 챔버(110) 내부에 아르곤 가스 등을 주입하여 하부로 배출할 수 있다.
상기 도가니(120)는 실리콘 융액(SM)을 담을 수 있도록 상기 챔버(110)의 내부에 구비되며, 석영 재질로 이루어질 수 있다. 상기 도가니(120)의 외부에는 도가니(120)를 지지할 수 있도록 흑연으로 이루어지는 도가니 지지대(125)가 구비될 수 있다. 상기 도가니 지지대(125)는 회전축(미도시) 상에 고정 설치되고, 이 회전축은 구동수단(미도시)에 의해 회전되어 도가니(120)를 회전 및 승강 운동시키면서 고-액 계면이 동일한 높이를 유지하도록 할 수 있다.
상기 히터(127)는 도가니(120)를 가열하도록 챔버(110)의 내부에 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 히터(127)는 도가니 지지대(125)를 에워싸는 원통형으로 이루어질 수 있다. 이러한 히터(127)는 도가니(120) 내에 적재된 고순도의 다결정 실리콘 덩어리를 용융하여 실리콘 융액(SM)으로 만들게 된다.
실시예는 실리콘 단결정 잉곳(IG) 성장을 위한 제조방법으로 단결정인 종자결정(seed crystal)을 실리콘 융액(SM)에 담근 후 천천히 끌어올리면서 결정을 성장시키는 쵸크랄스키(Czochralsk:CZ)법을 채용할 수 있다.
이 방법에 따르면, 먼저, 종자결정으로부터 가늘고 긴 결정을 성장시키는 네킹(necking)공정을 거치고 나면, 결정을 직경방향으로 성장시켜 목표직경으로 만드는 숄더링(shouldering)공정을 거치며, 이후에는 일정한 직경을 갖는 결정으로 성장시키는 바디그로잉(body growing)공정을 거치며, 일정한 길이만큼 바디그로잉이 진행된 후에는 결정의 직경을 서서히 감소시켜 결국 용융 실리콘과 분리하는 테일링(tailing)공정을 거쳐 단결정 잉곳(IG) 성장이 마무리된다.
도 1은 단결정 잉곳(IG) 성장 공정 중 바디그로잉(body growing)공정을 도시한 것이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 단결정 성장장치 중 단열장치의 부분 단면도이다.
제1 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치(130)는 소정의 제1 거리(d1)로 이격되도록 적층된 복수의 단열블록(131, 132, 133, 134, 135)을 포함할 수 있다. 이때, 챔버와 히터가 원통인 것을 가정하면, 단열블록들(131, 132, 133, 134, 135)은 챔버와 히터 사이에서 반경 방향으로 소정의 제1 거리(d1)를 두고 이격된 상태를 유지하며, 서로 적층되도록 배열된다.
실시예에 의하면 단열장치(130)의 단열재를 하나의 블록(Block)이 아니라 복수의 단열블록(131, 132, 133, 134, 135)으로 나눈 형태로 형성함으로써 복사(Radiation)에 의한 단열효과에 의해 히터의 파워값을 감소시킬 수 있다.
도 2는 단열블록의 개수를 5개로 도시하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 2개 이상의 복수로 가능하다.
또한, 실시예는 상기 단열블록(131, 132, 133, 134, 135) 사이의 이격거리를 약 1mm 내지 약 5mm인 제1 거리(d1)로 이격시킴으로써 복사(Radiation)에 의한 단열효과에 의해 히터의 파워값을 감소시킬 수 있다.
실시예에서 상기 단열블록(131, 132, 133, 134, 135) 사이의 이격거리인 제1 거리(d1)는 반드시 서로 같은 거리일 필요는 없으며 약 1mm 내지 약 5mm 범위로 서로 다른 거리를 가질 수도 있다.
단열블록사이의 거리 0 mm 1 mm 3 mm 5 mm
히터 파워값 97.9KW 97.1KW 97.6KW 97.8KW
표 1은 단열블록 사이의 제1 거리에 따른 히터 파워값이다.
제1 실시예에 의하면 단열블록을 복수로 하고, 단열블록 사이의 이격거리를 약 1mm 내지 약 5mm로 이격시킴으로써 복사(Radiation)에 의한 단열효과에 의해 히터의 파워값을 약 1KW 정도 감소시킬 수 있다.
도 3은 제2 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치의 부분 단면도이다.
제2 실시예는 상기 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.
제2 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치는 상기 단열블록(131, 132, 133, 134, 135) 사이에 제1 단열층(137)을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 실시예는 복사효과를 고려하여 복수의 단열블록 사이에 단열블록보다 방사율(emissivity)이 낮은 제1 단열층(137)을 개재시킬 수 있다.
예를 들어, 방사율 0.8보다 낮은 재질을 제1 단열층(137)으로 추가할 경우 단열효과가 증가하여 히터 파워 값을 감소시킬 수 있다.
실시예는 단열블록의 재질을 흑연(Graphite)의 방사율 0.8보다 낮은 약 0.45의 방사율을 가지는 스틸(steel) 등을 상기 제1 단열층(137)의 재질로 채용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 상기 단열블록과 상기 제1 단열층(137) 사이의 제2 거리(d2)는 1mm 내지 10mm일 수 있다.
단열블록과 제1 단열층 사이의 거리 1 mm 5 mm 10 mm
히터 파워값 95.82KW 96.62KW 97.35KW
표 2은 단열블록과 제1 단열층(137) 사이의 제2 거리(d2)에 따른 히터 파워값이다.
제2 실시예에 의하면 방사율 낮은 재질을 단열블록 사이에 제1 단열층(137)으로 추가할 경우 단열효과가 증가하여 히터 파워 값이 현저히 감소함을 알 수 있다.
도 4은 제3 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치의 부분 단면도이다.
제3 실시예는 상기 제1 실시예, 제2 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.
제3 실시예는 상기 제2 실시예와 달리 상기 단열블록(131, 132, 133, 134, 135) 외벽에 코팅된 제2 단열층(138)을 포함할 수 있다.
상기 제2 단열층(138)은 상기 단열블록보다 낮은 방사율을 가질 수 있으며, 상기 제2 단열층(138) 사이의 제3 거리(d3)는 1mm 내지 10mm일 수 있다.
도 5는 종래기술에 따른 단결정 성장장치의 열분포 시뮬레이션 예시도이며, 도 6은 제1 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치의 열분포 시뮬레이션 예시도이고, 도 7은 제2 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치의 열분포 시뮬레이션 예시도이다.
도 5는 종래기술에 따라 챔버(10), 히터(27), 단일블록의 단열재(30)를 구비하는 경우이며, 도 6은 제1 실시예에 따라 5개의 단열블록을 약 1mm 간격으로 설정한 예이다.
제1 실시예에 의하면 단열블록을 복수로 하고, 단열블록 사이의 이격거리를 약 1mm 내지 약 10mm로 이격시킴으로써 복사(Radiation)에 의한 단열효과에 의해 히터의 파워값을 약 1KW 정도 감소시킬 수 있다.
도 7은 방사율이 낮은 물질을 제1 단열층으로 하여 단열블록 사이에 넣어 단열효과를 증대시킨 경우로, 예를 들어 흑역(Graphite) 재질의 단열블록 사이에 약 1mm 두께의 스틸(Steel) 재질의 제1 단열층(137)을 단열블록과의 거리를 약 1mm가 되도록 하여 배치한 경우의 시뮬레이션 예이다.
제2 실시예에 의하면 방사율 낮은 재질을 단열블록 사이에 제1 단열층(137)으로 추가할 경우 단열효과가 증가하여 히터 파워 값이 약 3KW 이상 감소키실 수 있다.
실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치에 의하면, 단결정 성장공정에서 히터파워(Heater Power) 값을 300mm 기준 약 3KW~ 8KW까지 다운(down)이 가능할 것으로 보이며, 이로 인해 도가니(Quartz)의 열화 현상 및 핫존 수명(Hot zone Life time) 증가 및 공정비용 등의 감소효과가 있다.
또한, 실시예에 의하면 히터 파워가 높은 경우 도가니 근처의 온도가 높아 멜트(melt)의 상태가 불안정해지는데, 히터 파워를 낮춤으로써 멜트가 안정상태가 될 수 있다.
또한, 실시예에 따른 단결정 성장장치의 단열장치를 적용하는 경우 종래의 단결정 성장장치와 비교할 경우 같은 히터 파워에서 작업시 실리콘 멜팅 시간(melting time)이 줄어드는 효과가 있다.
또한, 실시예에 의하면 450mm와 같이 대구경의 결정성장시에는 히터파워 값 감소가 중요한 만큼 대구경 결정성장 기술에 있어서 큰 효과를 줄 수 있다.
본 발명은 기재된 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 청구항의 권리범위에 속하는 범위 안에서 다양한 다른 실시예가 가능하다.
100: 단결정 성장장치
110: 챔버
120: 도가니
127: 히터

Claims (16)

  1. 단결정 성장장치의 챔버 내에 설치되는 단열장치에 있어서,
    상기 단열장치는,
    제1 거리로 이격되도록 적층된 복수의 단열블록; 및
    상기 단열블록 사이에 구비된 제1 단열층을 포함하는 단결정 성장장치의 단열장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 단열블록 사이의 제1 거리는 1mm 내지 5mm인 단결정 성장장치의 단열장치.
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 단열블록과 상기 제1 단열층 사이의 제2 거리는 1mm 내지 10mm인 단결정 성장장치의 단열장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 단열층은,
    상기 단열블록보다 낮은 방사율을 가지는 단결정 성장장치의 단열장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 단열층은
    0.8 이하의 방사율을 가지는 단결정 성장장치의 단열장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 단열블록 외벽에 코팅된 제2 단열층을 더 포함하는 단결정 성장장치의 단열장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제2 단열층은,
    상기 단열블록보다 낮은 방사율을 가지는 단결정 성장장치의 단열장치.
  9. 히터를 구비하는 챔버;
    상기 히터 일측의 상기 챔버 내부에 설치되는 단열장치;를 포함하며,
    상기 단열장치는,
    제1 거리로 이격되도록 적층된 복수의 단열블록; 및
    상기 단열블록 사이에 구비된 제1 단열층을 포함하는 단결정 성장장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 단열장치의 단열블록 사이의 제1 거리는 1mm 내지 10mm인 단결정 성장장치.
  11. 삭제
  12. 제9 항에 있어서,
    상기 단열블록과 상기 제1 단열층 사이의 제2 거리는 1mm 내지 10mm인 단결정 성장장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 단열층은,
    상기 단열블록보다 낮은 방사율을 가지는 단결정 성장장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 단열층은
    0.8 이하의 방사율을 가지는 단결정 성장장치.
  15. 제9 항에 있어서,
    상기 단열블록 외벽에 코팅된 제2 단열층을 더 포함하는 단결정 성장장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 단열층은,
    상기 단열블록보다 낮은 방사율을 가지는 단결정 성장장치.
KR1020100000518A 2010-01-05 2010-01-05 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치 KR101218852B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100000518A KR101218852B1 (ko) 2010-01-05 2010-01-05 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치
EP10842278.3A EP2521805A4 (en) 2010-01-05 2010-07-21 INSULATION DEVICE FOR SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE AND SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE INCLUDING SAME
CN201080060718XA CN102695822A (zh) 2010-01-05 2010-07-21 单晶生长装置的绝热装置和包括绝热装置的单晶生长装置
JP2012547944A JP5715159B2 (ja) 2010-01-05 2010-07-21 単結晶成長装置
PCT/KR2010/004775 WO2011083898A1 (en) 2010-01-05 2010-07-21 Insulation device of single crystal growth device and single crystal growth device including the same
US13/542,590 US20120266809A1 (en) 2010-01-05 2012-07-05 Insulation device of single crystal growth device and single crystal growth device including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100000518A KR101218852B1 (ko) 2010-01-05 2010-01-05 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110080342A KR20110080342A (ko) 2011-07-13
KR101218852B1 true KR101218852B1 (ko) 2013-01-18

Family

ID=44305625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100000518A KR101218852B1 (ko) 2010-01-05 2010-01-05 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120266809A1 (ko)
EP (1) EP2521805A4 (ko)
JP (1) JP5715159B2 (ko)
KR (1) KR101218852B1 (ko)
CN (1) CN102695822A (ko)
WO (1) WO2011083898A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112626609A (zh) * 2020-12-15 2021-04-09 南京晶能半导体科技有限公司 一种可调节半导体单晶硅熔液对流的热场及单晶炉

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT13369U1 (de) 2012-12-20 2013-11-15 Plansee Se Thermisches Abschirmsystem
AT15319U1 (de) * 2016-06-01 2017-06-15 Plansee Se Hochtemperatur-Isoliersystem
CN111893561B (zh) * 2020-07-01 2021-08-17 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构及单晶硅生长炉

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63166795A (ja) * 1986-12-26 1988-07-09 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶引上装置
JP2009274928A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Sumco Corp 分割式ヒーターならびにこれを用いた単結晶引上げ装置および引上げ方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3743951A1 (de) * 1986-12-26 1988-07-07 Toshiba Ceramics Co Einrichtung zum ziehen von siliziumeinkristallen mit einem waermeisolierzylinder und verfahren zur herstellung des materials desselben
JPH02157181A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Toshiba Corp 半導体単結晶の引上げ装置
JP2985040B2 (ja) * 1994-04-15 1999-11-29 昭和電工株式会社 単結晶製造装置及び製造方法
JP3634867B2 (ja) * 1995-12-08 2005-03-30 信越半導体株式会社 単結晶製造装置および製造方法
JP3676123B2 (ja) * 1999-06-24 2005-07-27 東芝セラミックス株式会社 単結晶引上装置
US8545629B2 (en) * 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US20050126473A1 (en) * 2002-04-02 2005-06-16 Prescott Margaret F. Device for pulling monocrystals
JP4128842B2 (ja) * 2002-10-15 2008-07-30 コバレントマテリアル株式会社 シリコン単結晶引上装置
JP4500531B2 (ja) * 2002-11-19 2010-07-14 株式会社トクヤマ フッ化アルカリ土類金属のアズグロウン単結晶体
JP4932179B2 (ja) * 2004-07-02 2012-05-16 新日本製鐵株式会社 外壁構造、屋根構造
DE102005001502A1 (de) * 2005-01-10 2006-07-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Strahlungsschutzschirm
CN101389914B (zh) * 2006-03-23 2012-07-25 株式会社村田制作所 热处理炉
US8152921B2 (en) * 2006-09-01 2012-04-10 Okmetic Oyj Crystal manufacturing
KR100891570B1 (ko) * 2007-11-09 2009-04-03 주식회사 실트론 단결정 실리콘 성장 장치 및 냉각 방법
JP2009274926A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Sumco Corp ヒーターおよび断熱材等ならびにこれを用いた単結晶引上げ装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63166795A (ja) * 1986-12-26 1988-07-09 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶引上装置
JP2009274928A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Sumco Corp 分割式ヒーターならびにこれを用いた単結晶引上げ装置および引上げ方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112626609A (zh) * 2020-12-15 2021-04-09 南京晶能半导体科技有限公司 一种可调节半导体单晶硅熔液对流的热场及单晶炉
CN112626609B (zh) * 2020-12-15 2022-02-01 南京晶能半导体科技有限公司 一种可调节半导体单晶硅熔液对流的热场及单晶炉

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011083898A1 (en) 2011-07-14
US20120266809A1 (en) 2012-10-25
JP2013516384A (ja) 2013-05-13
EP2521805A1 (en) 2012-11-14
EP2521805A4 (en) 2013-09-04
CN102695822A (zh) 2012-09-26
JP5715159B2 (ja) 2015-05-07
KR20110080342A (ko) 2011-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101303422B1 (ko) 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼
JP5560862B2 (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造装置
TWI519684B (zh) 在控制壓力下使用氦氣之高溫製程改良
US11661671B2 (en) Technique for controlling temperature uniformity in crystal growth apparatus
KR20150060690A (ko) 실리콘 단결정 육성장치 및 실리콘 단결정 육성방법
EP3666933A1 (en) Large-size high-purity silicon carbide single crystal, substrate, preparation method therefor and preparation device thereof
US20200141024A1 (en) N-type silicon single crystal production method, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer, and epitaxial silicon wafer
KR101218852B1 (ko) 단결정 성장장치의 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치
KR101574749B1 (ko) 단결정 제조용 상부히터, 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법
KR20160012138A (ko) 실리콘 단결정 제조방법
US20240026564A1 (en) Method for producing silicon single crystal
KR100942185B1 (ko) 실리콘 잉곳 성장방법
EP2149627B1 (en) Quartz glass crucible for silicon single crystal pulling operation and process for manufacturing the same
KR101724291B1 (ko) 역 승화법을 이용한 탄화규소 단결정 성장장치
KR102315981B1 (ko) n형 실리콘 단결정의 제조 방법, n형 실리콘 단결정의 잉곳, 실리콘 웨이퍼 및 에피택셜 실리콘 웨이퍼
US20050139149A1 (en) Process for producing single-crystal semiconductor and apparatus for producing single-crystal semiconductor
KR102038960B1 (ko) 실리콘 단결정 제조 방법
CN112680788A (zh) 一种半导体晶体生长装置
KR101129112B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳 제조장치
JP4396505B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法
KR101020429B1 (ko) 비저항 특성이 균일한 단결정 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 단결정
JP2009286650A (ja) 分割式ヒーターおよびこれを用いた単結晶引上げ装置
KR101252923B1 (ko) 챔버의 하부 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치
KR101222217B1 (ko) 단결정 잉곳 및 그 제조방법과 이를 통해 제조된 웨이퍼
KR101330418B1 (ko) 단결정 잉곳 성장방법 및 이에 의해 제조된 웨이퍼

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150924

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160928

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170927

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181004

Year of fee payment: 7