JPH02157181A - 半導体単結晶の引上げ装置 - Google Patents
半導体単結晶の引上げ装置Info
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- JPH02157181A JPH02157181A JP31106588A JP31106588A JPH02157181A JP H02157181 A JPH02157181 A JP H02157181A JP 31106588 A JP31106588 A JP 31106588A JP 31106588 A JP31106588 A JP 31106588A JP H02157181 A JPH02157181 A JP H02157181A
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- Japan
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- single crystal
- pulling
- semiconductor
- heater
- heat insulating
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- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体材料を製造するチョクラルスキ法（以下
Ｃｚ法と略称する）、あるいは液体カプセル法（Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｅｎｃａｐｕｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａ
ｌｓｋｉ法、以下ＬＥＣ法と略称する）による半導体単
結晶引き上げ装置に関する。
Ｃｚ法と略称する）、あるいは液体カプセル法（Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｅｎｃａｐｕｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａ
ｌｓｋｉ法、以下ＬＥＣ法と略称する）による半導体単
結晶引き上げ装置に関する。
（従来の技術）
従来のＣｚ法、またはＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶引
き上げ装置を第３図に断面図で示す。
き上げ装置を第３図に断面図で示す。
第３図に示すように、半導体材料を溶融し収容するるつ
ぼ１０１は熱処理の施されたボロンナイトライドで形成
され、カーボンまたは窒化硼素（ＢＮ）等で形成された
水平の円板状テーブル１０４の中心上に配置されている
。また、前記テーブル１０４上には前記るつぼ１０１と
同軸に円筒状の均温壁部１０５が取付けられており、前
記テーブル１０４上心の下面に取付けされた回転軸１０
３によって前記るっぽ１０１と一体に回転する。さらに
、前記るっぽ１０１には前記均温壁部１０５を介し同軸
、かつ離隔して側面と底面を包囲するヒータ１０２が設
けられている。
ぼ１０１は熱処理の施されたボロンナイトライドで形成
され、カーボンまたは窒化硼素（ＢＮ）等で形成された
水平の円板状テーブル１０４の中心上に配置されている
。また、前記テーブル１０４上には前記るつぼ１０１と
同軸に円筒状の均温壁部１０５が取付けられており、前
記テーブル１０４上心の下面に取付けされた回転軸１０
３によって前記るっぽ１０１と一体に回転する。さらに
、前記るっぽ１０１には前記均温壁部１０５を介し同軸
、かつ離隔して側面と底面を包囲するヒータ１０２が設
けられている。
このヒータ１０２は、例えばカーボンの板状抵抗体を垂
直の円筒面内に上下方向に蛇行させて配列され、下面の
中央に開口部１０２ａを有してこれに前記回転軸１０３
が非接触に挿通されている。
直の円筒面内に上下方向に蛇行させて配列され、下面の
中央に開口部１０２ａを有してこれに前記回転軸１０３
が非接触に挿通されている。
前記回転軸１０３は下方の回転駆動機構部１０６に連接
し一例の５ ｒｐｍ程度の回転が付与される。この回転
により、前記テーブル１０４．均温壁部１０５および、
るつぼ１０１が一体に回転駆動される。
し一例の５ ｒｐｍ程度の回転が付与される。この回転
により、前記テーブル１０４．均温壁部１０５および、
るつぼ１０１が一体に回転駆動される。
次に、前記ヒータ１０２は、 その側面に外囲して設け
られた断熱部材１〕１ を介してこれに離隔して外囲す
るチャンバ１１２に対向する。前記断熱部材Ｉｌｌは、
−例としてカーボンで筒状に形成され同心に配置された
複数壁の断熱筒部１１１ａと、これらの間に充填された
例えばカーボンウールでなる断熱ｌ］］、ｌｂとからな
っている。
られた断熱部材１〕１ を介してこれに離隔して外囲す
るチャンバ１１２に対向する。前記断熱部材Ｉｌｌは、
−例としてカーボンで筒状に形成され同心に配置された
複数壁の断熱筒部１１１ａと、これらの間に充填された
例えばカーボンウールでなる断熱ｌ］］、ｌｂとからな
っている。
次に、前記るつぼ１０１の上方には、これと同軸かつ等
速回転し、下端に種結晶体１０７が装着された！ｌ、結
晶引」二げ軸１０８を含む単結晶用」二げ手段１０９が
設けられている。この単結晶引上げ軸１０８は種結晶体
１０７をるつぼ１０１内の溶融半導体材料に浸したのち
、所定速度で引き上げ、単結晶体が得られる。
速回転し、下端に種結晶体１０７が装着された！ｌ、結
晶引」二げ軸１０８を含む単結晶用」二げ手段１０９が
設けられている。この単結晶引上げ軸１０８は種結晶体
１０７をるつぼ１０１内の溶融半導体材料に浸したのち
、所定速度で引き上げ、単結晶体が得られる。
（発明が解決しようとする課り
一１―記従来の単結晶引上げ装置で製造される単結晶の
品質は、単結晶中に含まれる不純物の種類と量とに大き
な影響を受けることが知られている。
品質は、単結晶中に含まれる不純物の種類と量とに大き
な影響を受けることが知られている。
このためりｔ結晶引上げに先立って、チャンバ内に付着
している水分をはしめ不純物を除去する目的で、真空に
てヒータによる加熱を施す、いわゆるベーキングと称す
る排気を施す。
している水分をはしめ不純物を除去する目的で、真空に
てヒータによる加熱を施す、いわゆるベーキングと称す
る排気を施す。
しかし、断熱部材における、特にその外側の部分は内側
の断熱部材によって断熱されるため、ベーキング中のチ
ャンバ内の一部温度分布を示す第４図に見られるように
、温度が上昇しない。このため、ベーキングが断熱部材
の外側の部分については有効でなく、単結晶引上げ工程
中に緩慢にガス放出し、前述の如き単結晶品質の低下を
招来する。
の断熱部材によって断熱されるため、ベーキング中のチ
ャンバ内の一部温度分布を示す第４図に見られるように
、温度が上昇しない。このため、ベーキングが断熱部材
の外側の部分については有効でなく、単結晶引上げ工程
中に緩慢にガス放出し、前述の如き単結晶品質の低下を
招来する。
この発明は単結晶の引上げ装置における従来の問題点に
鑑みてなされたもので、予熱を有効に施すように改良が
施された単結晶の引−Ｌげ装置を提供する。
鑑みてなされたもので、予熱を有効に施すように改良が
施された単結晶の引−Ｌげ装置を提供する。
（課題を解決するための手段）
この発明にかかる半導体結晶の引上げ装置は、半導体材
料を収容しこれを溶融する回転可能なるつぼと、前記る
つぼと離隔してこれを包囲し半導体材料を溶融するヒー
タと、前記ヒータの外周側に設けられた断熱部材と、前
記断熱部材の外周側に設けられ単結晶の引」二げ装置の
予熱を施すベキング用ヒータと、前記るつぼから半導体
単結晶を引」−げる半導体単結晶の引上げ手段とを具備
したことを特徴とする。
料を収容しこれを溶融する回転可能なるつぼと、前記る
つぼと離隔してこれを包囲し半導体材料を溶融するヒー
タと、前記ヒータの外周側に設けられた断熱部材と、前
記断熱部材の外周側に設けられ単結晶の引」二げ装置の
予熱を施すベキング用ヒータと、前記るつぼから半導体
単結晶を引」−げる半導体単結晶の引上げ手段とを具備
したことを特徴とする。
（作 用）
この発明にかかる半導体単結晶の引上げ装置は、断熱部
材の外側部分に対する予熱が施せるので、高品質の半導
体単結晶体の製造を可能にする。
材の外側部分に対する予熱が施せるので、高品質の半導
体単結晶体の製造を可能にする。
（実施例）
以下、この発明の一実施例につき第１図および第２図を
参照して説明する。なお、説明において、従来と変わら
ない部分については図面に従来と同じ符号をつけて示し
説明を省略する。
参照して説明する。なお、説明において、従来と変わら
ない部分については図面に従来と同じ符号をつけて示し
説明を省略する。
第１図に示すように、断熱部材１１１における最外側の
断熱筒部１１１ａの外周にベーキング用ヒータ１１、例
えばシース・ヒータ（絶縁管封入ヒータ）が巻回されて
いる。そして、前記ヒータ１１は配線でチャンバ１１２
に設けられている端子１２に接続導出され、通電される
ように構成されている。
断熱筒部１１１ａの外周にベーキング用ヒータ１１、例
えばシース・ヒータ（絶縁管封入ヒータ）が巻回されて
いる。そして、前記ヒータ１１は配線でチャンバ１１２
に設けられている端子１２に接続導出され、通電される
ように構成されている。
軟土の装置により、−例としてＧａＡｓの引上げを行な
う場合、その融点のほぼ１３００℃に加熱を施すが、こ
の引上げ工程に先立って真空にて予熱が施せるようにベ
ーキング用ヒータ１１に通電し、−例として４００℃に
加熱を施す。 この昇温は新設の装置に対し約６０分間
施すとよいが、次回からは温度を低下し、または時間を
低減し常用してよい。
う場合、その融点のほぼ１３００℃に加熱を施すが、こ
の引上げ工程に先立って真空にて予熱が施せるようにベ
ーキング用ヒータ１１に通電し、−例として４００℃に
加熱を施す。 この昇温は新設の装置に対し約６０分間
施すとよいが、次回からは温度を低下し、または時間を
低減し常用してよい。
軟土の構成により、ベーキング時におけるチャンバ１２
内の温度分布は第２図に実線で示すように、断熱部材層
の外周で高温が示される。なお、従来との比較のために
従来の温度分布を同図中に破線で示した。
内の温度分布は第２図に実線で示すように、断熱部材層
の外周で高温が示される。なお、従来との比較のために
従来の温度分布を同図中に破線で示した。
この発明によれば、半導体引上げに先立って施すベーキ
ング時に断熱部材の、特に外周部の温度が上昇し、半導
体引上げ中に断熱部材から放散される不純物が抑制され
る。これにより、製造される単結晶半導体の品質が顕著
に向上する。
ング時に断熱部材の、特に外周部の温度が上昇し、半導
体引上げ中に断熱部材から放散される不純物が抑制され
る。これにより、製造される単結晶半導体の品質が顕著
に向上する。
第１図はこの発明にかかる一実施例の半導体単結晶引上
げ装置の断面図、第２図は一実施例のベーキング時にお
けるチャンバ内の温度分布を示す線図、第３図は従来例
の半導体単結晶引上げ装置の断面図、第４図は従来例の
ベーキング時におけるチャンバ内の温度分布を示す線図
である。 １．１−−−−− ヒータ １２−−−−一端子 １．０１−−−−−るつぼ １０２−−−−− ヒータ １．１１−−−−御所熱部材 １０９−−−−一引上げ手段 代理人 弁理士 大 胡 典 夫
げ装置の断面図、第２図は一実施例のベーキング時にお
けるチャンバ内の温度分布を示す線図、第３図は従来例
の半導体単結晶引上げ装置の断面図、第４図は従来例の
ベーキング時におけるチャンバ内の温度分布を示す線図
である。 １．１−−−−− ヒータ １２−−−−一端子 １．０１−−−−−るつぼ １０２−−−−− ヒータ １．１１−−−−御所熱部材 １０９−−−−一引上げ手段 代理人 弁理士 大 胡 典 夫
Claims (1)
- 半導体材料を収容しこれを溶融する回転可能なるつぼと
、前記るつぼと離隔してこれを包囲し半導体材料を溶融
するヒータと、前記ヒータの外周側に設けられた断熱部
材と、前記断熱部材の外周側に設けられ単結晶の引上げ
装置の予熱を施すベーキング用ヒータと、前記るつぼか
ら半導体単結晶を引上げる半導体単結晶の引上げ手段と
を具備したことを特徴とする半導体単結晶の引上げ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31106588A JPH02157181A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 半導体単結晶の引上げ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31106588A JPH02157181A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 半導体単結晶の引上げ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02157181A true JPH02157181A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=18012696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31106588A Pending JPH02157181A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 半導体単結晶の引上げ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02157181A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102695822A (zh) * | 2010-01-05 | 2012-09-26 | Lg矽得荣株式会社 | 单晶生长装置的绝热装置和包括绝热装置的单晶生长装置 |
| CN103397375A (zh) * | 2013-07-31 | 2013-11-20 | 杭州慧翔电液技术开发有限公司 | 带旋转保温钨屏的蓝宝石炉 |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP31106588A patent/JPH02157181A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102695822A (zh) * | 2010-01-05 | 2012-09-26 | Lg矽得荣株式会社 | 单晶生长装置的绝热装置和包括绝热装置的单晶生长装置 |
| EP2521805A1 (en) * | 2010-01-05 | 2012-11-14 | LG Siltron Inc. | Insulation device of single crystal growth device and single crystal growth device including the same |
| JP2013516384A (ja) * | 2010-01-05 | 2013-05-13 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 単結晶成長装置の断熱装置およびこれを含む単結晶成長装置 |
| EP2521805A4 (en) * | 2010-01-05 | 2013-09-04 | Lg Siltron Inc | INSULATION DEVICE FOR SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE AND SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE INCLUDING SAME |
| CN103397375A (zh) * | 2013-07-31 | 2013-11-20 | 杭州慧翔电液技术开发有限公司 | 带旋转保温钨屏的蓝宝石炉 |
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