JP3598681B2 - 単結晶の引上げ方法及び装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばチョクラルスキー法(CZ法)の単結晶引上げ方法及び装置に係り、重量の重い単結晶を機械的に保持し、安全かつ確実に引上げる場合において、特に結晶保持の際の成長結晶直径の変動を減少させ、精度良く成長させるための改良技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコン等の半導体材料の融液を収容したルツボから単結晶を引上げ育成する方法として、本出願人は例えば特願平8−212055号のような改良技術を提案している。
この技術による単結晶の引上げ方法は、図5に示すように、ワイヤ51下端の吊り具52に吊持される種結晶53を不図示のルツボ内の原料融液に接触させ、吊り具引上げ機構54によって種結晶53を引上げることで種結晶53の下方に単結晶Cを成長させるような製造方法において、不図示の昇降機構によって昇降自在な昇降体56上に保持ケース57を取付け、この保持ケース57内にワイヤ51を巻上げる前記吊り具引上げ機構54を設けるとともに、保持ケース57の下方には、シリンダユニット58、58の作動によって下端部が開閉自在な吊持具60、60を取付け、当初、吊り具52によって単結晶Cを引上げ、単結晶Cが成長して重量が重くなった時点で、吊り具52による引上げから吊持具60、60による引上げに移行するようにしている。
【0003】
すなわち、当初は昇降体56の位置を固定したまま吊り具52で吊持する種結晶53を原料融液に接触させ、吊り具引上げ機構54によって吊り具52を引上げると、図5(A)に示すように、種結晶53の下方に、種絞り59、凹凸部Ckに引続いて単結晶Cが形成される。
【0004】
そして、図5(B)に示すように、凹凸部Ckが所定の位置まで上昇すると、(C)に示すように、吊持具60、60が作動して下端部が凹凸部Ckの凹部に非接触状態で近接し、その後、(D)に示すように、昇降体56が上昇を開始するとともに、吊り具引上げ機構54が逆転作動して昇降体56に対して相対的に単結晶Cを降下させ、凹凸部Ckの凸部を吊持具60、60上に載せるように接触させる。
【0005】
この間、図6に示すように、昇降体56の上昇速度Vbと、昇降体56に対する吊り具52の相対速度Vaの加算値が一定(それまでの吊り具52だけでの引上げ時の上昇速度と同じ速度)になるように制御され、また、吊持具60、60に対して単結晶Cの全荷重のうち所定割合が移行すると、吊り具引上げ機構54の作動を停止させ、図5(E)に示すように、吊持具60、60だけによる引上げ(昇降体56の上昇)に移行する。
そしてこのように吊持具60、60を結晶の凹凸部Ckに対して横方向からではなく、上下方向から接触させることで、結晶を有転位化させることなく、安全且つ確実に引上げることが出来るというものである。
【0006】
因みに、この技術では、吊り具52による引上げから、吊持具60、60による引上げに移行する際、図6に示すように、吊り具52の速度Vaを緩めるだけでなく、最終的に昇降体56(吊持具60)に対して降下(Vaがマイナス値)させて単結晶Cの荷重を吊持具60に移行させるようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記技術の場合、吊持具60の速度Vbと吊り具52の速度Vaを変化させて引上げ手段の切換えを行っている間、これと同時に、吊り具52にかかる単結晶Cの荷重を吊持具60に移行するようにしているため、例えば結晶荷重によって吊持具60が変形したり、吊持具60と凹凸部Ckの間に滑りが発生したりするような時、速度Va、Vbを制御する要素が増えて制御が複雑になり、微調整が難しいという問題がある。
そして、この際速度Va、Vbの微調整がうまく補正されないと、単結晶の成長速度が変化し、結晶直径が変化する等の不具合を招くことになる。
【0008】
そこで、このような複雑な制御を行うことなく、もっと簡単な成長速度の制御によって、引上げられる単結晶の直径を精度良く育成出来る技術が望まれていた。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明は、請求項1において、吊り具引上げ機構により、吊り具に吊持される種結晶の下方に単結晶を成長させ、吊り具によって所定の位置まで引上げ、所定の位置から吊り具の引上げ速度を減少させつつ、吊り具を支持する昇降体を上昇させて単結晶の引上げ速度を一定に保持し、最終的に吊り具による引上げに代えて昇降体の上昇による引上げに完全に移行したのちに、前記昇降体に設けられた吊持具、又は少なくともその一部を上下方向に移動させて結晶の所定部に接触させ結晶を保持するようにした。
【0010】
すなわち、吊り具と吊持具の引上げ手段を切換えるタイミングと、結晶の荷重を吊持具に移行するタイミングをずらして別個に行わせ、同時に制御する制御量を減らして、結晶の荷重を移行する際に生起する各種不具合、例えば吊持具の変形、又は吊持具と結晶保持部の滑り等の誤差を精度良く補正出来るようにする。このため、従来では、吊持具に結晶を接触させる際、昇降体に対して位置固定状態の吊持具に対して結晶側を上下方向に移動させて接触させていたが、本案では、吊持具側、又は吊持具の少なくとも一部を上下方向に移動させて結晶に接触させる。ここで、吊持具の少なくとも一部とは、吊持具のうち例えば結晶に接触する部分である。
【0011】
また請求項2では、吊持具による接触位置を、意図的又は自然に形成された結晶の凹凸部とした。
そして例えば吊持具を凹凸部のうち凹部に臨ませた後、この吊持具上に凸部部分を載せるように接触させる。
【0012】
また、吊持具を移動させて結晶の所定部に接触させる際、請求項3のように、吊り具にかかる荷重の1〜50%を吊持具に移行させることが好ましい。
ここで下限が1%と低いのは、当初は僅かな荷重であっても、単結晶が成長して重量が増えると、ワイヤが僅かに伸びて荷重が自然に吊持具側に移行するためであり、当初からある割合以上の荷重を移行させると、結果的に単結晶の成長速度が一時的に増加し、結晶直径が変動するため好ましくない。そしてこの変動許容の上限は50%程度であり、変動を最小限に抑えるには、25%程度以下が望ましい。
【0013】
また、請求項4では、吊り具引上げ機構を有し、吊り具に吊持される種結晶の下方に単結晶を成長させ、この単結晶を吊り具によって引上げるとともに、引上げ途中で単結晶の一部を吊持具に接触させ、以降の引上げを吊持具に切り替えるようにした単結晶の引上げ装置において、吊り具と吊持具を、昇降機構によって昇降自在な昇降体に設けて、お互いに独立して昇降動可能とし、吊持具の全体又は少なくともその一部を、移動機構によって昇降体に対して上下に相対移動可能とした。
【0014】
そしてこのような引上げ装置によって、請求項1〜請求項3に示すような引上げ方法で単結晶を引上げることが出来る。
【0015】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について添付した図面に基づき説明する。
ここで、図1は本発明の単結晶引上げ装置の構成例を示す要部図、図2は本発明の単結晶引上げ方法を説明する作用図、図3は本発明の引上げ方法における引上げ手段移行時の吊り具と吊持具の速度変化を示すグラフ、図4は吊持具の先端部を揺動可能にした別構成例図である。
【0016】
本発明の単結晶の引上げ装置は、例えば半導体材料であるシリコン結晶を成長させるいわゆるチョクラルスキー法(CZ法)のような単結晶引上げ装置において、特に重量の重い単結晶を安全かつ正確に、しかも精度良く成長させることの出来る装置として構成されている。そこで、まず図1に基づいて本発明の引上げ装置の概要について説明する。
【0017】
引上げ装置1は、不図示のルツボを収容する不図示の下部チャンバと、この下部チャンバの上部に取付けられる伸縮自在なベローズチャンバ2と、このベローズチャンバ2の上部に取付けられる昇降体3を備えており、この昇降体3の上部には、筒状の軸受部3aによって回転自在に支持される保持ケース4が設けられている。
【0018】
そして昇降体3は、昇降機構23によって上下動自在にされ、この昇降機構23は、例えば不図示の駆動源によって垂直軸回りに回転するボールネジ24と、このボールネジ24に螺合する昇降体3の螺合部3rと、昇降体3の昇降動をガイドするガイドバー25を備え、ボールネジ24を回転させることでベローズチャンバ2を伸縮させながら昇降体3を昇降動させるようにしている。
【0019】
また、前記保持ケース4の上部には、吊り具引上げ機構5と荷重測定機構6が設けられ、吊り具引上げ機構5は、先端に吊り具7を取付けたワイヤ8を巻上げる巻上げプーリ10と、ガイドプーリ11を備えている。そして吊り具7の先端部には、種結晶9が保持されている。
【0020】
また、荷重測定機構6は、ガイドプーリ11を支持するアーム12と、このアーム12の基端側を枢支する支持部材13と、アーム12の先端側を載置せしめるロードセル14を備え、吊り具引上げ機構5で成長した単結晶Cを引上げる際、ガイドプーリ11、アーム12を介してロードセル14にかかる荷重を測定することで、単結晶Cの荷重を測定するようにしている。
【0021】
また、保持ケース4の中間部には、吊持具駆動機構15が設けられている。
この吊持具駆動機構15は、保持ケース4に取付けられる一対の開閉シリンダユニット16、16と、この開閉シリンダユニット16、16のシリンダロッド先端に連結される一対の吊持具17、17を備えており、この吊持具17、17は、中間部がピン18で枢支されるハサミ構造とされている。すなわち、開閉シリンダユニット16、16の作動によって、吊持具17、17下端の結晶保持部17a、17aが開閉する。
【0022】
また、この吊持具17、17は、移動機構20によって上下方向に所定ストローク移動可能とされている。すなわち、この移動機構20は、例えば不図示の駆動源によって回転自在なピニオン21と、このピニオン21に噛合し上下方向に延出するラック筒22を備え、このラック筒22に前記吊持具17、17の支点を枢支するピン18が支持されている。
一方、前記開閉シリンダユニット16、16の基端側は、保持ケース4に対してピン26で枢支され、先端側(吊持具17との連結側)が上下に揺動可能に取付けられている。
このため、ピニオン21が作動するとラック筒22が上下動し、これに連れて吊持具17、17も上下動する。
【0023】
次に、以上のような引上げ装置による単結晶の引上げ方法について、図2に基づき説明する。
まず、吊り具7に保持される種結晶9をルツボの原料融液の表面に接触させ、吊り具引上げ機構5によってワイヤ8を所定速度で引上げる。そして、種結晶9の下方に種絞り19、凹凸部Ckに連なる単結晶Cを成長させる。この時、凹凸部Ckは、引上げ速度又は原料融液温度等を制御して意図的に形成しても良く、又は自然に形成されるものでも良い。また凹凸部Ckの形状、位置はこのようなものに限定されるものではなく、吊持具17、17によって保持出来るものであれば原則としてどのような形状、位置の凹凸部であっても構わない。
又この時、図2(A)に示すように、昇降体3の位置を固定し、また吊持具17、17の結晶保持部17a、17aを開いている。
【0024】
次いで、図2(B)に示すように、単結晶Cの凹凸部Ckが、吊持具17、17の結晶保持部17a、17aで掴める位置まで引上げられると、昇降体3が上昇を開始し、吊り具引上げ機構5による吊り具7の引上げ速度が緩められる。
この時、昇降体3(吊持具17)の上昇速度をVbとし、昇降体3に対する吊り具7の相対上昇速度をVaとした場合、両者の関係は、図3に示すように、昇降体3(吊持具17)が上昇し始めた時点(x点)から、Va+Vbが一定になるように制御され、吊り具7の減速分に応じた速度だけ昇降体3(吊持具17)が増速される。
【0025】
そして図3のy点で吊り具7の引上げ速度Vaがゼロとなり、吊持具17(昇降体3)の上昇速度Vbが所定の引上げ速度に達して、これ以降、吊持具17だけによる引上げに移行する。
【0026】
こうして、引上げ手段が切換えられると、図2(C)に示すように、開閉シリンダユニット16、16が作動し、吊持具17、17の結晶保持部17a、17aが閉じられる。この時、結晶保持部17a、17aを凹凸部Ckに接触させても良いが、本実施形態では、結晶保持部17a、17aを凹凸部Ckの凹部に非接触状態で近接させるようにしている。これは、直接接触させることによって、単結晶Cに横方向の力が加わり、成長結晶に振動を生じさせたり、有転位化してしまう等の不具合を生じさせないためである。
【0027】
そして吊持具17、17が閉じられると、図2(D)に示すように、移動機構20のピニオン21を作動させ、ラック筒22によって吊持具17、17を僅かに上昇させる。
すると、結晶保持部17a、17aの上部が凹凸部Ckの凸部に接触し、それまで吊り具7にかかっていた単結晶Cの荷重が吊持具17、17に移行し始め、ロードセル14の値が減少してくる。
【0028】
吊持具17、17に所定割合の荷重が移行されると、移動機構20による吊持具17、17の上昇を停止させる。
この吊持具17、17に移行される荷重は、当初のロードセル14の値の1〜50%の範囲とし、好ましくは25%以下である。この際、移行荷重を大きくしすぎると結晶の成長速度が一時的に大きくなりすぎて結晶の直径変動を招き好ましくない。
そして、荷重の移行が終えると、以後、吊持具17、17による引上げが続行される(図2(E))。
【0029】
【実施例】
次に本発明の実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1、比較例)
図2に示すような本発明の引上げ方法と、図5に示すような従来の引上げ方法とによって、直径150mmφ、全重量50kgの単結晶Cを成長させるにあたり、結晶重量が約30kgの位置で引上げ手段を吊り具から吊持具に切換えた。この引上げ手段切換え時に吊持具に移行する結晶の荷重割合は50%とした。
【0030】
この結果、単結晶Cの外形を較べると、結晶荷重を移行した部分で両者とも結晶直径の変動が認められたが、従来の場合は直径変動が−2.0mmであったのに対して、本案の場合は−1.0mmと変動幅が小さかった。
【0031】
(実施例2)
図2に示すような本発明の引上げ方法において、直径150mmφ、全重量50kgの単結晶Cを成長させるにあたり、結晶重量が約30kgの位置で引上げ手段を吊り具7から吊持具17、17に切換えるとともに、吊持具17、17に対する移行荷重を変化させて直径変動を測定した。
【0032】
この結果、移行荷重が0%の場合は直径変動が0.0mm、移行荷重が1%の場合は直径変動が0.0mm、移行荷重が25%の場合は直径変動が−0.3mm、移行荷重が50%の場合は直径変動が−1.0mm、移行荷重が60%の場合は直径変動が−2.1mmであり、移行荷重を増加させるに連れて変動が大きくなり、特に50%以上になると実用上問題になるまで変動幅が大きくなることが確認された。因みに、移行荷重0%は、吊持具が結晶に接触しているか否かが確認出来ず、実用的でない。
【0033】
ところで、本発明の吊持具17、17の結晶保持部17a、17aは、図4に示すように、部分的に移動可能にしても良い。
すなわちこの構成例では、吊持具17、17の先端に結晶保持部17a、17aの中間部をピン27、27で枢着し、この結晶保持部17a、17aの一端側を、ピニオン・ラック機構によって上下動可能な移動部材28で押圧し、てこ式に結晶保持部17a、17aを揺動させ結晶保持側端部を上下動させる。
【0034】
そしてこの場合は、結晶を保持する際、結晶保持部17a、17aの長さが短いため、長さの長い吊持具17、17全体を開閉することに較べて変形等が少なくなり、正確に所望の位置に配置することが出来、しかも成長結晶を正確に保持出来るため保持した時の滑り等を少なく出来るという利点がある。
【0035】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【0036】
【発明の効果】
以上のように本発明は、吊り具と吊持具によって単結晶の引上げを行う際、吊り具と吊持具の引上げ手段を切換えるタイミングと、結晶の荷重を吊持具に移行するタイミングをずらして別個に行わせ、同時に制御する制御量を減らすようにしたため、例えば荷重移行時の吊持具の変形、又は吊持具と結晶保持部の滑り等の誤差を精度良く補正出来、直径変動の少ない単結晶を成長させることが出来る。
また、吊持具を移動させて結晶の所定部に接触させる際、吊り具にかかる荷重の1〜50%を吊持具に移行させれば、直径変動を小さく抑えることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の単結晶引上げ装置の構成例を示す要部図である。
【図2】(A)〜(E)は、本発明の単結晶引上げ方法を説明する作用図である。
【図3】本発明の引上げ方法における引上げ手段移行時の吊り具と吊持具の速度変化を示すグラフであり、Vbは吊持具の速度、Vaは吊持具に対する吊り具の相対速度である。
【図4】吊持具の先端部を揺動可能にした別構成例図である。
【図5】(A)〜(E)は、従来の単結晶引上げ方法を説明する作用図である。
【図6】従来の引上げ手段移行時の吊り具と吊持具の速度変化を示すグラフであり、Vbは吊持具の速度、Vaは吊持具に対する吊り具の相対速度である。
【符号の説明】
1…引上げ装置、 2…ベローズチャンバ、
3…昇降体、 3a…軸受部、
3r…螺合部、 4…保持ケース、
5…吊り具引上げ機構、 6…荷重測定機構、
7…吊り具、 8…ワイヤ、
9…種結晶、 10…巻上げプーリ、
11…ガイドプーリ、 12…アーム、
13…支持部材、 14…ロードセル、
15…吊持具駆動機構、 16…開閉シリンダユニット、
17…吊持具、 17a…結晶保持部、
18…ピン、 19…種絞り、
20…移動機構、 21…ピニオン、
22…ラック筒、 23…昇降機構、
24…ボールネジ、 25…ガイドバー、
26…ピン、 27…ピン、
28…移動部材、 51…ワイヤ、
52…吊り具、 53…種結晶、
54…吊り具引上げ機構、 56…昇降体、
57…保持ケース、 58…シリンダユニット、
59…種絞り、 60…吊持具、
C…単結晶、 Ck…凹凸部。
Claims (4)
- 吊り具引上げ機構により、吊り具に吊持される種結晶の下方に単結晶を成長させ、吊り具によって所定の位置まで引上げる工程と、所定の位置から吊り具の引上げ速度を減少させつつ、吊り具を支持する昇降体を上昇させて単結晶の引上げ速度を一定に保持する工程と、最終的に吊り具による引上げを停止して昇降体の上昇による引上げに移行する工程と、前記昇降体に設けられた吊持具、又は少なくともその一部を上下方向に移動させて結晶の所定部に接触させる工程からなることを特徴とする単結晶の引上げ方法。
- 請求項1に記載の単結晶の引上げ方法において、前記吊持具による接触位置は、意図的又は自然に形成された結晶の凹凸部であることを特徴とする単結晶の引上げ方法。
- 請求項1又は請求項2に記載の単結晶の引上げ方法において、前記吊持具が移動して結晶の所定部に接触する際、吊り具にかかる荷重の1〜50%を吊持具に移行せしめることを特徴とする単結晶の引上げ方法。
- 吊り具引上げ機構を有し、吊り具に吊持される種結晶の下方に単結晶を成長させ、この単結晶を吊り具によって引上げるとともに、引上げ途中で単結晶の一部を吊持具に接触させ、以降の引上げを吊持具に切り替えるようにした単結晶の引上げ装置であって、前記吊り具と吊持具は、昇降機構によって昇降自在な昇降体に設けられ、お互いに独立して昇降動可能とされるとともに、前記吊持具の全体又は少なくともその一部は、移動機構によって前記昇降体に対して上下に相対移動可能とされることを特徴とする単結晶の引上げ装置。
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