JP2946936B2 - 単結晶引上装置およびその引上方法 - Google Patents
単結晶引上装置およびその引上方法Info
- Publication number
- JP2946936B2 JP2946936B2 JP9341392A JP9341392A JP2946936B2 JP 2946936 B2 JP2946936 B2 JP 2946936B2 JP 9341392 A JP9341392 A JP 9341392A JP 9341392 A JP9341392 A JP 9341392A JP 2946936 B2 JP2946936 B2 JP 2946936B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- pulling
- silicon single
- crystal rod
- rod
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＺ（Czochralski）
法による単結晶引上装置およびその引上方法に関するも
のである。
法による単結晶引上装置およびその引上方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、大口径および長尺の円柱状シリコ
ン単結晶棒の製造に適したＣＺ法は、シリコン融液にシ
リコン単結晶の種子結晶を浸し、この種子結晶を回転さ
せながら徐々に引き上げ、種子結晶と同じ結晶方位の大
口径のシリコン単結晶棒を成長させるものである。この
場合、種子結晶に存在していた転位がシリコン単結晶棒
中に伝播しないように、種子結晶から成長させるとき、
シリコン単結晶棒を一旦細く絞ってから太らせる、いわ
ゆるダッシュズネック（Dash's neck）部を形成して、
シリコン単結晶棒を無転位化させることが行われてい
る。一方、シリコン単結晶棒は、より大口径化、より長
尺化の傾向にあり、その自重を増大させている。
ン単結晶棒の製造に適したＣＺ法は、シリコン融液にシ
リコン単結晶の種子結晶を浸し、この種子結晶を回転さ
せながら徐々に引き上げ、種子結晶と同じ結晶方位の大
口径のシリコン単結晶棒を成長させるものである。この
場合、種子結晶に存在していた転位がシリコン単結晶棒
中に伝播しないように、種子結晶から成長させるとき、
シリコン単結晶棒を一旦細く絞ってから太らせる、いわ
ゆるダッシュズネック（Dash's neck）部を形成して、
シリコン単結晶棒を無転位化させることが行われてい
る。一方、シリコン単結晶棒は、より大口径化、より長
尺化の傾向にあり、その自重を増大させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のＣＺ
法の単結晶引上方法にあっては、ダッシュズネック部の
細く絞った直径は３〜４ｍｍ、その長さは数１０ｍｍ、
その機械的強度は１００〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2であっ
た。この強度はシリコン単結晶棒の引張強度である。し
かしながら、シリコン単結晶棒のダッシュズネックは上
述のごとく絞られているので、材料力学的に弱く、シリ
コン単結晶棒の大口径化、長尺化を制限してしまうとい
う課題があった。一方、シリコン単結晶棒のダッシュズ
ネック部を限界値を超えて太くすると、種子結晶中の転
位がシリコン単結晶棒に伝播し、シリコン単結晶棒を無
転位化できないという問題点があった。
法の単結晶引上方法にあっては、ダッシュズネック部の
細く絞った直径は３〜４ｍｍ、その長さは数１０ｍｍ、
その機械的強度は１００〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2であっ
た。この強度はシリコン単結晶棒の引張強度である。し
かしながら、シリコン単結晶棒のダッシュズネックは上
述のごとく絞られているので、材料力学的に弱く、シリ
コン単結晶棒の大口径化、長尺化を制限してしまうとい
う課題があった。一方、シリコン単結晶棒のダッシュズ
ネック部を限界値を超えて太くすると、種子結晶中の転
位がシリコン単結晶棒に伝播し、シリコン単結晶棒を無
転位化できないという問題点があった。
【０００４】そこで、本発明は、シリコン単結晶棒のダ
ッシュズネック部を補強して、その材料力学的強度の向
上を図ることができる単結晶引上装置およびその引上方
法を提供することを、その目的とする。
ッシュズネック部を補強して、その材料力学的強度の向
上を図ることができる単結晶引上装置およびその引上方
法を提供することを、その目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の単結晶
引上装置は、結晶融液を保持する坩堝と、種子結晶を把
持し、該種子結晶を上記結晶融液から引き上げつつ、該
種子結晶から該種子結晶より直径の大きい単結晶棒を成
長させる引上機構と、を備えた単結晶引上装置におい
て、上記種子結晶が上記結晶融液の液面から所定距離引
き上げられたとき、該単結晶棒のダッシュズネック部に
巻きつけられる可撓性材を備えるものである。
引上装置は、結晶融液を保持する坩堝と、種子結晶を把
持し、該種子結晶を上記結晶融液から引き上げつつ、該
種子結晶から該種子結晶より直径の大きい単結晶棒を成
長させる引上機構と、を備えた単結晶引上装置におい
て、上記種子結晶が上記結晶融液の液面から所定距離引
き上げられたとき、該単結晶棒のダッシュズネック部に
巻きつけられる可撓性材を備えるものである。
【０００６】また、請求項２に記載の単結晶引上方法
は、単結晶棒のダッシュズネック部、肩部、直胴部を、
回転させながら連続的に形成する単結晶引上方法におい
て、上記単結晶棒の上昇によりそのダッシュズネック部
が所定高さに達したら可撓性材の一端を該ダッシュズネ
ック部に係合させる工程と、上記単結晶棒の回転により
可撓性材を上記ダッシュズネック部から上記肩部を経て
上記直胴部に巻き付ける工程と、を有するものである。
は、単結晶棒のダッシュズネック部、肩部、直胴部を、
回転させながら連続的に形成する単結晶引上方法におい
て、上記単結晶棒の上昇によりそのダッシュズネック部
が所定高さに達したら可撓性材の一端を該ダッシュズネ
ック部に係合させる工程と、上記単結晶棒の回転により
可撓性材を上記ダッシュズネック部から上記肩部を経て
上記直胴部に巻き付ける工程と、を有するものである。
【０００７】
【作用】本発明に係る単結晶引上方法にあっては、種子
結晶から単結晶棒のダッシュズネック部、肩部、直胴部
をそれぞれ回転させながら形成する。そして、所定長さ
だけ単結晶棒の直胴部を成長させる。単結晶棒のダッシ
ュズネック部が所定高さに達する。このとき、可撓性
材、例えばカーボンファイバ製の糸の一端をダッシュズ
ネック部に係合させる。例えば、種子結晶にピンを取り
付け、このピンにドラムに巻かれた糸の一端を係止させ
る。この係止した糸は単結晶棒の回転上昇によりダッシ
ュズネック部に係合しながら巻かれていく。そして、こ
の糸は単結晶棒の肩部を経て、その直胴部まで巻かれて
いく。この結果、単結晶棒のダッシュズネック部は補強
される。したがって、単結晶棒のダッシュズネック部
は、材料力学的に強化されるものである。
結晶から単結晶棒のダッシュズネック部、肩部、直胴部
をそれぞれ回転させながら形成する。そして、所定長さ
だけ単結晶棒の直胴部を成長させる。単結晶棒のダッシ
ュズネック部が所定高さに達する。このとき、可撓性
材、例えばカーボンファイバ製の糸の一端をダッシュズ
ネック部に係合させる。例えば、種子結晶にピンを取り
付け、このピンにドラムに巻かれた糸の一端を係止させ
る。この係止した糸は単結晶棒の回転上昇によりダッシ
ュズネック部に係合しながら巻かれていく。そして、こ
の糸は単結晶棒の肩部を経て、その直胴部まで巻かれて
いく。この結果、単結晶棒のダッシュズネック部は補強
される。したがって、単結晶棒のダッシュズネック部
は、材料力学的に強化されるものである。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の一実施例に係る単結晶引上装置の
断面図である。
する。図１は本発明の一実施例に係る単結晶引上装置の
断面図である。
【０００９】この図に示すように、チャンバ（図示略）
内には回転自在であって、かつ、昇降自在に坩堝軸１が
直立した状態で設けられている。この坩堝軸１の上端に
は、有底円筒状の黒鉛サセプタ２が固定されている。こ
の黒鉛サセプタ２内に、石英坩堝３が着脱可能に保持さ
れている。この石英坩堝３も有底円筒状をなしている。
この石英坩堝３内には、メルト状態のシリコン融液４が
注入、保持されている。黒鉛サセプタ２の外側には、シ
リコン融液４の加熱用ヒータ５がこの黒鉛サセプタ２を
取り囲むように配設されている。さらに、石英坩堝３の
上方には、その半径が略一定の（例えば口径８インチ）
シリコン単結晶棒９を引き上げるための引上機構（図示
略）が設けられている。
内には回転自在であって、かつ、昇降自在に坩堝軸１が
直立した状態で設けられている。この坩堝軸１の上端に
は、有底円筒状の黒鉛サセプタ２が固定されている。こ
の黒鉛サセプタ２内に、石英坩堝３が着脱可能に保持さ
れている。この石英坩堝３も有底円筒状をなしている。
この石英坩堝３内には、メルト状態のシリコン融液４が
注入、保持されている。黒鉛サセプタ２の外側には、シ
リコン融液４の加熱用ヒータ５がこの黒鉛サセプタ２を
取り囲むように配設されている。さらに、石英坩堝３の
上方には、その半径が略一定の（例えば口径８インチ）
シリコン単結晶棒９を引き上げるための引上機構（図示
略）が設けられている。
【００１０】この引上機構によって、引上ワイヤ６が石
英坩堝３の上方で、石英坩堝３と反対方向に回転しつつ
上下動するようになっている。この引上ワイヤ６の先端
には、シードチャック７を介してシリコン単結晶の種子
結晶８が取り付けられている。この種子結晶８に、Ｃ字
状でモリブデン製のピン１４が突出している。種子結晶
８を、シリコン融液４に浸した後上昇させることによ
り、種子結晶８を始点として順次成長したシリコン単結
晶棒９がアルゴン雰囲気中で引き上げられるものであ
る。この引き上げの際に、種子結晶８に存在していた転
位がシリコン単結晶棒９中に伝播しないように、種子結
晶８から成長させるとき、シリコン単結晶棒９を一旦細
く絞ってから太らせるダッシュズネック部１０を形成し
て、シリコン単結晶棒９を無転位化させている。
英坩堝３の上方で、石英坩堝３と反対方向に回転しつつ
上下動するようになっている。この引上ワイヤ６の先端
には、シードチャック７を介してシリコン単結晶の種子
結晶８が取り付けられている。この種子結晶８に、Ｃ字
状でモリブデン製のピン１４が突出している。種子結晶
８を、シリコン融液４に浸した後上昇させることによ
り、種子結晶８を始点として順次成長したシリコン単結
晶棒９がアルゴン雰囲気中で引き上げられるものであ
る。この引き上げの際に、種子結晶８に存在していた転
位がシリコン単結晶棒９中に伝播しないように、種子結
晶８から成長させるとき、シリコン単結晶棒９を一旦細
く絞ってから太らせるダッシュズネック部１０を形成し
て、シリコン単結晶棒９を無転位化させている。
【００１１】支持板１３が、石英坩堝３の上方で、チャ
ンバの内壁に、所定高さ位置で固定されている。この支
持板１３上に、糸巻機構２０が設置されている。この糸
巻機構２０は、支持板１３上を水平移動可能な走行台車
２１と、この走行台車２１に軸着されたドラム１５を有
している。走行台車２１はバネ２２の一端に係止してい
る。このバネ２２の他端は、支持板１３の縦板２３に係
止している。このバネ２２は、走行台車２１をシリコン
単結晶棒９より離れる方向に付勢している。ドラム１５
には、可撓性材、例えばカーボンファイバ製の糸１１が
巻かれている。この糸１１の直径は０.２〜０.３ｍｍで
ある。糸１１の一部にはフックが固着している。糸１１
のフックが種子結晶７のピン１４に係止されると、糸１
１はシリコン単結晶棒９の回転上昇により、ダッシュズ
ネック部１０に係合しながら巻かれていく。そして、こ
の糸１１はシリコン単結晶棒９の肩部１２を経て、その
直胴部１６まで巻かれていく。この結果、シリコン単結
晶棒９のダッシュズネック部１０は補強されるものであ
る。
ンバの内壁に、所定高さ位置で固定されている。この支
持板１３上に、糸巻機構２０が設置されている。この糸
巻機構２０は、支持板１３上を水平移動可能な走行台車
２１と、この走行台車２１に軸着されたドラム１５を有
している。走行台車２１はバネ２２の一端に係止してい
る。このバネ２２の他端は、支持板１３の縦板２３に係
止している。このバネ２２は、走行台車２１をシリコン
単結晶棒９より離れる方向に付勢している。ドラム１５
には、可撓性材、例えばカーボンファイバ製の糸１１が
巻かれている。この糸１１の直径は０.２〜０.３ｍｍで
ある。糸１１の一部にはフックが固着している。糸１１
のフックが種子結晶７のピン１４に係止されると、糸１
１はシリコン単結晶棒９の回転上昇により、ダッシュズ
ネック部１０に係合しながら巻かれていく。そして、こ
の糸１１はシリコン単結晶棒９の肩部１２を経て、その
直胴部１６まで巻かれていく。この結果、シリコン単結
晶棒９のダッシュズネック部１０は補強されるものであ
る。
【００１２】次に、シリコン単結晶棒の引上方法を説明
する。引き上げに先立って、黒鉛サセプタ２内にある石
英坩堝３内に高純度多結晶シリコン、および、ボロンを
高濃度にドープしたシリコン結晶の小片を入れる。これ
ら全体を坩堝軸１に取り付ける。チャンバ内を真空装置
で真空にした後アルゴンガスを供給し、チャンバ内を１
０〜２０Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気にする。ヒータ５に
通電して石英坩堝３を加熱し原料のシリコン等を溶融す
る。シードチャック７にシリコン単結晶の種子結晶８を
取り付け、この種子結晶８をシリコン融液４の液面の中
心に接触させる。この接触と同時に、モータで坩堝軸１
を所定の坩堝回転速度で一方向に回転させるともに、引
上機構により、１５回転／分の結晶回転速度で種子結晶
８を、坩堝回転速度とは逆方向に回転させながらゆっく
り上昇させる。
する。引き上げに先立って、黒鉛サセプタ２内にある石
英坩堝３内に高純度多結晶シリコン、および、ボロンを
高濃度にドープしたシリコン結晶の小片を入れる。これ
ら全体を坩堝軸１に取り付ける。チャンバ内を真空装置
で真空にした後アルゴンガスを供給し、チャンバ内を１
０〜２０Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気にする。ヒータ５に
通電して石英坩堝３を加熱し原料のシリコン等を溶融す
る。シードチャック７にシリコン単結晶の種子結晶８を
取り付け、この種子結晶８をシリコン融液４の液面の中
心に接触させる。この接触と同時に、モータで坩堝軸１
を所定の坩堝回転速度で一方向に回転させるともに、引
上機構により、１５回転／分の結晶回転速度で種子結晶
８を、坩堝回転速度とは逆方向に回転させながらゆっく
り上昇させる。
【００１３】この引き上げの開始後は所定速度で引き上
げ、種子結晶８の下端にシリコン単結晶棒９のダッシュ
ズネック部１０を形成する。このダッシュズネック部１
０の大径部の直径は１０ｍｍ、その小径部の直径は３ｍ
ｍ、その長さは２００ｍｍとする。この後、引上速度を
遅くし、シリコン単結晶棒９の直径を増大して肩部１２
を形成する。この後、引上速度等を変化させて、シリコ
ン単結晶棒９の直胴部１６（直径２００ｍｍ）を形成す
る。そして、この直胴部１６がシリコン融液４の液面よ
り１ｍ程度の長さに引き上げ成長させる。直胴部１６が
１ｍの長さになる前に、ドラム１５に巻かれた糸１１
を、引上ワイヤ６に接触しないように、ドラム１５から
引き出し、糸巻機構２０の反対側へ引っ張り出す。
げ、種子結晶８の下端にシリコン単結晶棒９のダッシュ
ズネック部１０を形成する。このダッシュズネック部１
０の大径部の直径は１０ｍｍ、その小径部の直径は３ｍ
ｍ、その長さは２００ｍｍとする。この後、引上速度を
遅くし、シリコン単結晶棒９の直径を増大して肩部１２
を形成する。この後、引上速度等を変化させて、シリコ
ン単結晶棒９の直胴部１６（直径２００ｍｍ）を形成す
る。そして、この直胴部１６がシリコン融液４の液面よ
り１ｍ程度の長さに引き上げ成長させる。直胴部１６が
１ｍの長さになる前に、ドラム１５に巻かれた糸１１
を、引上ワイヤ６に接触しないように、ドラム１５から
引き出し、糸巻機構２０の反対側へ引っ張り出す。
【００１４】次に、この糸１１をドラム１５を中心に水
平に移動させる。糸１１の一部に固着したフックを種子
結晶７のピン１４に係止させる。この係止後、糸巻機構
２０の反対側へ引っ張り出した糸１１の部分を切断す
る。この結果、糸１１は、その一端に固着したフックに
よりピン１４に係止し、糸１１の他端は糸巻機構２０の
ドラム１５に巻かれている状態になる。この係止した糸
１１はシリコン単結晶棒９の回転上昇により、そのダッ
シュズネック部１０に係合しながら巻かれていく。この
とき、糸１１は同一箇所で３重程度に巻かれるものであ
る。そして、この糸１１はシリコン単結晶棒９の肩部１
２を経て、その直胴部１６の所定部まで巻かれ続けるも
のである。この糸１１の引張力（ダッシュズネック部１
０に傷がつかない程度にバネ２２で調節可能）により、
糸１１自身が荷重を受け、その剛性が向上する。次い
で、シリコン単結晶棒９の直胴部１６の所定位置まで糸
１１が巻かれた後、糸巻機構２０内で糸１１に、ポリ４
フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）の液を塗布する。このＰＴ
ＦＥ液を塗布しながら、糸１１を数回直胴部１６に巻続
ける。ＰＴＦＥ液により糸１１は、直胴部１６に接着し
続けるものである。この後、糸１１を糸巻機構２０内で
切断する。この巻き付けの結果、シリコン単結晶棒９の
ダッシュズネック部１０の断面係数が大きくなり、その
曲げ剛性が補強される。したがって、シリコン単結晶棒
９のダッシュズネック部１０は、材料力学的に強化され
るものである。次に、シリコン単結晶棒９の直胴部１６
を長さ２ｍになるまで引き上げ成長させる。この後、シ
リコン単結晶棒９の結晶径を徐々に減少させ、テイル処
理を完了する。
平に移動させる。糸１１の一部に固着したフックを種子
結晶７のピン１４に係止させる。この係止後、糸巻機構
２０の反対側へ引っ張り出した糸１１の部分を切断す
る。この結果、糸１１は、その一端に固着したフックに
よりピン１４に係止し、糸１１の他端は糸巻機構２０の
ドラム１５に巻かれている状態になる。この係止した糸
１１はシリコン単結晶棒９の回転上昇により、そのダッ
シュズネック部１０に係合しながら巻かれていく。この
とき、糸１１は同一箇所で３重程度に巻かれるものであ
る。そして、この糸１１はシリコン単結晶棒９の肩部１
２を経て、その直胴部１６の所定部まで巻かれ続けるも
のである。この糸１１の引張力（ダッシュズネック部１
０に傷がつかない程度にバネ２２で調節可能）により、
糸１１自身が荷重を受け、その剛性が向上する。次い
で、シリコン単結晶棒９の直胴部１６の所定位置まで糸
１１が巻かれた後、糸巻機構２０内で糸１１に、ポリ４
フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）の液を塗布する。このＰＴ
ＦＥ液を塗布しながら、糸１１を数回直胴部１６に巻続
ける。ＰＴＦＥ液により糸１１は、直胴部１６に接着し
続けるものである。この後、糸１１を糸巻機構２０内で
切断する。この巻き付けの結果、シリコン単結晶棒９の
ダッシュズネック部１０の断面係数が大きくなり、その
曲げ剛性が補強される。したがって、シリコン単結晶棒
９のダッシュズネック部１０は、材料力学的に強化され
るものである。次に、シリコン単結晶棒９の直胴部１６
を長さ２ｍになるまで引き上げ成長させる。この後、シ
リコン単結晶棒９の結晶径を徐々に減少させ、テイル処
理を完了する。
【００１５】なお、ＰＴＦＥ液の接着剤に代えて、シリ
コン単結晶棒９のダッシュズネック部１０、肩部１２、
直胴部１６に巻き付けた糸１１全体を、その巻き付け後
サポータを用いて覆ってもよい。このサポータは糸１１
がシリコン単結晶棒９から解れることを防止するもので
ある。また、直胴部１６の所定部を覆った後、糸１１を
切断せずに、糸巻機構２０ごとシリコン単結晶棒９の上
昇、回転に合わせて引き上げてもよい。シリコン単結晶
棒９のテイル処理まで糸１１を巻続け、シリコン単結晶
棒９全体を覆ってもよい。このときは、糸１１がシリコ
ン単結晶棒９の保温に役立つ。さらに、可撓性材は、カ
ーボンファイバ製の糸に限られるものではなく、フッ素
樹脂などのファイバでもよい。また、可撓性材はテープ
状でもよい。さらに、糸１１の接着用として、ＰＴＦＥ
液の他に、ポリフッ化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、
ＰＦＡ、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦ
Ｅ）、ＦＲ−ＥＰＴ、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリオレ
フィン、フッ素ゴム（ＦＫＭ）、または、シリコンゴム
（Ｑ）、ポリイミド、ポリピロール等の耐熱性のよい熱
硬化性樹脂などでもよい。
コン単結晶棒９のダッシュズネック部１０、肩部１２、
直胴部１６に巻き付けた糸１１全体を、その巻き付け後
サポータを用いて覆ってもよい。このサポータは糸１１
がシリコン単結晶棒９から解れることを防止するもので
ある。また、直胴部１６の所定部を覆った後、糸１１を
切断せずに、糸巻機構２０ごとシリコン単結晶棒９の上
昇、回転に合わせて引き上げてもよい。シリコン単結晶
棒９のテイル処理まで糸１１を巻続け、シリコン単結晶
棒９全体を覆ってもよい。このときは、糸１１がシリコ
ン単結晶棒９の保温に役立つ。さらに、可撓性材は、カ
ーボンファイバ製の糸に限られるものではなく、フッ素
樹脂などのファイバでもよい。また、可撓性材はテープ
状でもよい。さらに、糸１１の接着用として、ＰＴＦＥ
液の他に、ポリフッ化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、
ＰＦＡ、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦ
Ｅ）、ＦＲ−ＥＰＴ、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリオレ
フィン、フッ素ゴム（ＦＫＭ）、または、シリコンゴム
（Ｑ）、ポリイミド、ポリピロール等の耐熱性のよい熱
硬化性樹脂などでもよい。
【００１６】以上の結果、シリコン単結晶棒９のダッシ
ュズネック部１０を材料力学的に補強することにより、
シリコン融液４中にシリコン単結晶棒９が自重により落
下することはない。したがって、直径８インチ、長さ２
０００ｍｍ、重さ１５０ｋｇｆ程度のシリコン単結晶棒
９を安全に引き上げ成長させることができる。
ュズネック部１０を材料力学的に補強することにより、
シリコン融液４中にシリコン単結晶棒９が自重により落
下することはない。したがって、直径８インチ、長さ２
０００ｍｍ、重さ１５０ｋｇｆ程度のシリコン単結晶棒
９を安全に引き上げ成長させることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明に係る単
結晶引上装置およびその引上方法によれば、単結晶棒の
ダッシュズネック部を材料力学的に補強することによ
り、結晶融液中に単結晶棒が自重により落下することは
ない。
結晶引上装置およびその引上方法によれば、単結晶棒の
ダッシュズネック部を材料力学的に補強することによ
り、結晶融液中に単結晶棒が自重により落下することは
ない。
【図１】本発明の一実施例に係る単結晶引上装置の断面
図である。
図である。
３ 石英坩堝 ４ シリコン融液（結晶融液） ５ ヒータ ８ シリコン単結晶の種子結晶 ９ シリコン単結晶棒 １０ ダッシュズネック部 １１ カーボンファイバ製の糸（可撓性材） １２ 肩部 １５ ドラム １６ 胴体部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐平 健彰 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平３−295893（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−285893（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (2)
- 【請求項１】 結晶融液を保持する坩堝と、 種子結晶を把持し、該種子結晶を上記結晶融液から引き
上げつつ、該種子結晶から該種子結晶より直径の大きい
単結晶棒を成長させる引上機構と、を備えた単結晶引上
装置において、 上記種子結晶が上記結晶融液の液面から所定距離引き上
げられたとき、該単結晶棒のダッシュズネック部に巻き
つけられる可撓性材を備えることを特徴とする単結晶引
上装置。 - 【請求項２】 単結晶棒のダッシュズネック部、肩部、
直胴部を、回転させながら連続的に形成する単結晶引上
方法において、 上記単結晶棒の上昇によりそのダッシュズネック部が所
定高さに達したら可撓性材の一端を該ダッシュズネック
部に係合させる工程と、 上記単結晶棒の回転により可撓性材を上記ダッシュズネ
ック部から上記肩部を経て上記直胴部に巻き付ける工程
と、を有することを特徴とする単結晶引上方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9341392A JP2946936B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 単結晶引上装置およびその引上方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9341392A JP2946936B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 単結晶引上装置およびその引上方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05270976A JPH05270976A (ja) | 1993-10-19 |
| JP2946936B2 true JP2946936B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=14081618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9341392A Expired - Fee Related JP2946936B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 単結晶引上装置およびその引上方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2946936B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980079891A (ko) * | 1997-03-27 | 1998-11-25 | 모리 레이자로 | 단결정 성장장치 및 단결정 성장방법 |
| JPH10273390A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 半導体単結晶製造装置 |
| KR19980079892A (ko) * | 1997-03-28 | 1998-11-25 | 모리 레이자로 | 단결정 인상장치 |
| JPH10279386A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 単結晶引上げ装置及び単結晶支持機構並びに単結晶引上げ方法 |
| KR100244233B1 (en) * | 1997-12-03 | 2000-02-01 | Lg Electronics Inc | Shadow mask for cathode ray tube and method of manufacturing thereof |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP9341392A patent/JP2946936B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05270976A (ja) | 1993-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7588638B2 (en) | Single crystal pulling apparatus | |
| JPH09286692A (ja) | 半導体単結晶製造装置及び半導体単結晶製造方法 | |
| JP2946936B2 (ja) | 単結晶引上装置およびその引上方法 | |
| JP2002020193A (ja) | 単結晶棒及びその製造方法 | |
| JP2940892B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP3969460B2 (ja) | 磁場印加による半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2946935B2 (ja) | 単結晶引上装置およびその引上方法 | |
| JP2946934B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH09255485A (ja) | シリコン単結晶の製造方法および種結晶 | |
| JPH09249486A (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
| CN112831836A (zh) | 拉晶方法和拉晶装置 | |
| JP2946933B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| US3360405A (en) | Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt | |
| JP4640796B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH0524969A (ja) | 結晶成長装置 | |
| JPH026382A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JP3473477B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP3521862B2 (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JP4951186B2 (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JPH07277875A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP4052753B2 (ja) | 単結晶成長装置及び単結晶成長方法 | |
| JP4104242B2 (ja) | 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法 | |
| JPH05301793A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP2849537B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
| TWI751028B (zh) | 單晶矽的製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990601 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080702 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100702 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100702 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110702 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |