JPS63252991A - 落下防止保持部を有するｃｚ単結晶 - Google Patents
落下防止保持部を有するｃｚ単結晶Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ブヨクラルスキ−（ＣＺ）法によって製造す
る単結晶に関する。
る単結晶に関する。
従来、半導体素子、太陽電池等に用いるシリコン、化合
物半導体などの単結晶をチョクラルスキー法によって引
上げて成長させた場合において、成長した単結晶は、第
９図に示すように、種結晶１、ネック部２、肩部３、直
胴部４、ボトム部５に分けられる。このうち、使用に供
されるのは、直胴部４だけであり、その直径は所望の結
晶径によって定められ、かつ１本の単結晶において最も
太くなっている。この直ＪＢ１部４の結晶径は制御精度
によって若干変動するが、効率の良い単結晶を引上げる
ためには、所望の結晶径に近く、かつその変動幅ができ
るだけ小さいのが望ましい。
物半導体などの単結晶をチョクラルスキー法によって引
上げて成長させた場合において、成長した単結晶は、第
９図に示すように、種結晶１、ネック部２、肩部３、直
胴部４、ボトム部５に分けられる。このうち、使用に供
されるのは、直胴部４だけであり、その直径は所望の結
晶径によって定められ、かつ１本の単結晶において最も
太くなっている。この直ＪＢ１部４の結晶径は制御精度
によって若干変動するが、効率の良い単結晶を引上げる
ためには、所望の結晶径に近く、かつその変動幅ができ
るだけ小さいのが望ましい。
また、上記ネック部２は、所望の直径で結晶を弓しヒげ
ろ前に、種結晶１が持つ転位密度を減少させ、結晶の完
全性を向Ｅさせるために形成するｂのである。そして、
このネック部２は、例えばシリコンの場合では、直径３
〜４ｍで数１０ｍ肩程度の長さとなる。この場合のネッ
ク部２の機械的強度は最大１０１００ｌ＄￥度である。
ろ前に、種結晶１が持つ転位密度を減少させ、結晶の完
全性を向Ｅさせるために形成するｂのである。そして、
このネック部２は、例えばシリコンの場合では、直径３
〜４ｍで数１０ｍ肩程度の長さとなる。この場合のネッ
ク部２の機械的強度は最大１０１００ｌ＄￥度である。
また、この強度は結晶の引張強度であり、ねじれや横方
向の力が加わった場合には、結晶型♀が１００に９以下
でもネッり部２が破損し、結晶が落下Ｊることがある。
向の力が加わった場合には、結晶型♀が１００に９以下
でもネッり部２が破損し、結晶が落下Ｊることがある。
そして、万一、ネック部２が破損し、大重量の単結晶が
落下した場合には、結晶育成装置へのダメージが大きく
、また保安上の問題があるため、従来は、ネック部２が
耐えられる最大重量の近くまで単結晶を引上げることを
せず、ネック部２が余裕を持った重いのところで単結晶
を−ｐ切り上げ、そして取り出した後、再度単結晶を引
上げるか、あるいは、もともと多けの原料を石英ルツボ
内に充填しないという方法が採られていた。
落下した場合には、結晶育成装置へのダメージが大きく
、また保安上の問題があるため、従来は、ネック部２が
耐えられる最大重量の近くまで単結晶を引上げることを
せず、ネック部２が余裕を持った重いのところで単結晶
を−ｐ切り上げ、そして取り出した後、再度単結晶を引
上げるか、あるいは、もともと多けの原料を石英ルツボ
内に充填しないという方法が採られていた。
しかしながら、上記従来の単結晶引上げ合成法にあって
ｔよ、−回の引上げ育成工程によって製造できる単結晶
の良さが制限されており、長くできないため、生産性が
低く、装置の稼動率が低いという問題がある。
ｔよ、−回の引上げ育成工程によって製造できる単結晶
の良さが制限されており、長くできないため、生産性が
低く、装置の稼動率が低いという問題がある。
また、ネック部２の機械的強度に対応して十分に余裕を
持って単結晶を引上げでいる場合であってし、地震、機
械的衝撃等何らかの原因で、ネック部２が破損して単結
晶が落下づるおそれを否定することはできない。そして
、万一、単結晶が落下覆ると、上述したように、融液を
保持したルツボ、サセプター、ヒーター、保温筒等の高
価な下部機構を破壊するという問題がある。
持って単結晶を引上げでいる場合であってし、地震、機
械的衝撃等何らかの原因で、ネック部２が破損して単結
晶が落下づるおそれを否定することはできない。そして
、万一、単結晶が落下覆ると、上述したように、融液を
保持したルツボ、サセプター、ヒーター、保温筒等の高
価な下部機構を破壊するという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、従来と比較して大重量でかつ良い単結
晶を引上げ台成りることができ、生産性及び装置稼動率
の向上を図ることができる上に、万一、地震、機械的衝
撃等が加わっても、単結晶が落下することなく、下部機
構の破壊を未然に防止できる落下防止保持部を右１」る
Ｃ７単結晶を提供することにある。
とするところは、従来と比較して大重量でかつ良い単結
晶を引上げ台成りることができ、生産性及び装置稼動率
の向上を図ることができる上に、万一、地震、機械的衝
撃等が加わっても、単結晶が落下することなく、下部機
構の破壊を未然に防止できる落下防止保持部を右１」る
Ｃ７単結晶を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、単結晶の直胴部
の最上部に、該直ＩＳ１部より径が太いｊ？１部を形成
したものである。
の最上部に、該直ＩＳ１部より径が太いｊ？１部を形成
したものである。
本発明の落下防止保持部を有するＣＺ単結晶にあっては
、その引上げ育成過程において、肩部の下方に、安全リ
ング、結晶保持具等を配貨して、ネック部が破損した場
合に、上記肩部を支持して、単結晶の落下を防止し、大
型５ｄの単結晶を確実に引上げる。
、その引上げ育成過程において、肩部の下方に、安全リ
ング、結晶保持具等を配貨して、ネック部が破損した場
合に、上記肩部を支持して、単結晶の落下を防止し、大
型５ｄの単結晶を確実に引上げる。
ここで、単結晶の直胴部の最上部に、直胴部より径が太
い肩部（突起部）を形成した理由１よ、直胴部の中間部
に径の太い部分を形成することはむずかしいからである
。７１なわら、直胴部においては、一定の引上げスピー
ドを維持しているため、これに変化を与え、かつ渇麿も
変化させて結晶径を大きくすると、でき上がった単結晶
の品質に悪で讐を与えると共に、制御技術の観点からも
困難である。また、万一、単結晶が落下した場合に、結
晶上部に突起部を設けた方が、安全リング、結晶保持具
で支持した場合の安定性が良好で、しかも、早く冷却さ
れて温度が低くなっているから、強度上からも優れてい
る。
い肩部（突起部）を形成した理由１よ、直胴部の中間部
に径の太い部分を形成することはむずかしいからである
。７１なわら、直胴部においては、一定の引上げスピー
ドを維持しているため、これに変化を与え、かつ渇麿も
変化させて結晶径を大きくすると、でき上がった単結晶
の品質に悪で讐を与えると共に、制御技術の観点からも
困難である。また、万一、単結晶が落下した場合に、結
晶上部に突起部を設けた方が、安全リング、結晶保持具
で支持した場合の安定性が良好で、しかも、早く冷却さ
れて温度が低くなっているから、強度上からも優れてい
る。
さらに、上記肩部のｒｉ径は、直胴部より最小で６Ｍ、
最大で６Ｍ十直胴部径×５０％太くする。
最大で６Ｍ十直胴部径×５０％太くする。
このうら、最小６＃ＩＩＩとした理由は、結晶成長にお
いて、中心軸のずれが１〜２１ｗ程度、また直胴部の直
径も１〜２ｍｍ程度変化する点と、安全リング、結晶保
持具との間隙も′Ｊ４慮したものである。また、最大６
１１！ＩＩ十直胴部径×５０％とした理由は、大口径の
単結晶を引上げる場合には、突起部の強度を考慮してそ
れに応じて突起部を大きくする必要があるが、肩部（突
起部）は使用できないため、突起部をあまり大きくする
と、歩留りが悪くなり、全体の生産効率が悪化するから
である。
いて、中心軸のずれが１〜２１ｗ程度、また直胴部の直
径も１〜２ｍｍ程度変化する点と、安全リング、結晶保
持具との間隙も′Ｊ４慮したものである。また、最大６
１１！ＩＩ十直胴部径×５０％とした理由は、大口径の
単結晶を引上げる場合には、突起部の強度を考慮してそ
れに応じて突起部を大きくする必要があるが、肩部（突
起部）は使用できないため、突起部をあまり大きくする
と、歩留りが悪くなり、全体の生産効率が悪化するから
である。
以下、第１図ないし第８図にヰづいて本発明の詳細な説
明する。
明する。
第１図は本発明に係るシリコン単結晶の一例を示７１説
明図である。
明図である。
このシリコン単結晶Ｓは、ネック部２と直胴部４との間
に、該直胴部４より直径が太い肩部（突起部）１０が形
成されたものである。この肩部１０の最大径は、直胴部
４の直径より、最小で６ ｍｍ、最大で６１１１１Ｉ十
直胴部４の直径Ｘ５０％の範囲内で設定されている。
に、該直胴部４より直径が太い肩部（突起部）１０が形
成されたものである。この肩部１０の最大径は、直胴部
４の直径より、最小で６ ｍｍ、最大で６１１１１Ｉ十
直胴部４の直径Ｘ５０％の範囲内で設定されている。
上記のように構成されたシリコン単結晶Ｓは、第２図に
示すようなチョクラルスキー型シリコン単結晶引上げ装
置によって製造される。この引上げ装置は、直径１６イ
ンチの石英ルツボ１１の外周にヒーター１２が設置され
、かつ石英ルツボ１１の上方に、金ｉ製のワイヤーから
なる上軸１３が背降自在に配置されると共に、この上軸
１３の下端に種結晶保持具１４を介して種結晶１５が吊
持されたものであり、この種結晶１５及び石英ルツボ１
１は、互いに逆方向に回転するようになっている、また
、引上げられた単結晶の落Ｆを防止するために、第５図
に示すように、一対の昇降軸１６に、イれぞれ略Ｕ字状
の安全リング１７が固定されており、これらの安全リン
グ１７により単結晶Ｓのまわりを囲むようになっている
。
示すようなチョクラルスキー型シリコン単結晶引上げ装
置によって製造される。この引上げ装置は、直径１６イ
ンチの石英ルツボ１１の外周にヒーター１２が設置され
、かつ石英ルツボ１１の上方に、金ｉ製のワイヤーから
なる上軸１３が背降自在に配置されると共に、この上軸
１３の下端に種結晶保持具１４を介して種結晶１５が吊
持されたものであり、この種結晶１５及び石英ルツボ１
１は、互いに逆方向に回転するようになっている、また
、引上げられた単結晶の落Ｆを防止するために、第５図
に示すように、一対の昇降軸１６に、イれぞれ略Ｕ字状
の安全リング１７が固定されており、これらの安全リン
グ１７により単結晶Ｓのまわりを囲むようになっている
。
上記チョクラルスキー型シリコン単結晶引上げ装置を用
いて、上記シリコン単結晶Ｓを製造した。
いて、上記シリコン単結晶Ｓを製造した。
まず、通常の方法で、石英ルツボ１１の内部に５０ Ｋ
ｇの原料シリコンを装入し、溶融して設定液温に維持し
た。次に、上軸１３を下降させ、上軸１３の下端に種結
晶保持具１４を介して吊持されている種結晶１５をシリ
コン融液１８内につりだ。
ｇの原料シリコンを装入し、溶融して設定液温に維持し
た。次に、上軸１３を下降させ、上軸１３の下端に種結
晶保持具１４を介して吊持されている種結晶１５をシリ
コン融液１８内につりだ。
この場合、使用した種結晶１５の大きざは直径１０ｍ５
のらのであった。また、上軸１３の種結晶１５は２ Ｏ
ｒｌ）Ｉｎで、かつ下軸の石英ルツボ１１は１０ｒｐＩ
１１でそれぞれ逆方向に回転サセている。
のらのであった。また、上軸１３の種結晶１５は２ Ｏ
ｒｌ）Ｉｎで、かつ下軸の石英ルツボ１１は１０ｒｐＩ
１１でそれぞれ逆方向に回転サセている。
次いで、種結晶１５の持つ結晶欠陥、転位等を減少させ
るためにネック部２を形成したく第３図参照）。このネ
ック部２は、結晶径を細くして結晶を成長させると、結
晶中の転位冨の結晶欠陥が結晶表面に移動し、そこで転
位が消滅づるという現象を利用するちのであり、多くの
２ｒ導体単結晶成長において広く用いられている。そし
て、シリコン単結晶においては、無転位の大型結晶が人
ｈ１に生産されているが、これらのシリコン単結晶成長
にあっては、上記ネック部２が基本的に重要な役割をは
たしている。ところで、このネック部２の太さは通常３
〜４Ｍ程度であるが、本実施例においては、ネック部２
の一部を意識的に直径１Ｍに形成して、通常の場合より
も単結晶が落下し易いようにした。
るためにネック部２を形成したく第３図参照）。このネ
ック部２は、結晶径を細くして結晶を成長させると、結
晶中の転位冨の結晶欠陥が結晶表面に移動し、そこで転
位が消滅づるという現象を利用するちのであり、多くの
２ｒ導体単結晶成長において広く用いられている。そし
て、シリコン単結晶においては、無転位の大型結晶が人
ｈ１に生産されているが、これらのシリコン単結晶成長
にあっては、上記ネック部２が基本的に重要な役割をは
たしている。ところで、このネック部２の太さは通常３
〜４Ｍ程度であるが、本実施例においては、ネック部２
の一部を意識的に直径１Ｍに形成して、通常の場合より
も単結晶が落下し易いようにした。
上記ネック部２は、上記上軸１３を３〜４＃１Ｉ１１／
分で引上げることにより、３０Ｍ長のものを形成した。
分で引上げることにより、３０Ｍ長のものを形成した。
次いで、所望（１０ｈａ）の直径にするために肩部を形
成する。この肩部の形成は、引上げスピードを０．３ｍ
／分に落とし、シリコン融液１８の温度を下げることに
より行なう。これによって、徐々に結晶径が太くなる。
成する。この肩部の形成は、引上げスピードを０．３ｍ
／分に落とし、シリコン融液１８の温度を下げることに
より行なう。これによって、徐々に結晶径が太くなる。
この場合、従来の単結晶成長においては、所望の結晶径
になった「５点で、引上げスピードをｈ ＷＪさせ、結
晶径がそれ以り太くなることを防止する。そして、引上
げスピードを１．５ｍ／分に落とし、一定の結晶径で引
上げる。
になった「５点で、引上げスピードをｈ ＷＪさせ、結
晶径がそれ以り太くなることを防止する。そして、引上
げスピードを１．５ｍ／分に落とし、一定の結晶径で引
上げる。
これに対して、本実施例においては、所望（１００ｍ）
の結晶径よりもざらに１０ＩＭＲ太くし、この時点にお
いて、引上げスピードを３〜４１１１１１／分に上シＩ
ざＵて、結晶径がそれ以上太くなるのを防止した後、そ
のまま３〜４＃Ｉ／分の引上げスピードを維持した。こ
れにより、結晶径は細くなっていき、所望の結晶径に戻
った時点で引上げスピードを１．５ｓｎ／分に落とした
。このようにして、第４図に示？Ｉ Ｊ：うな形状のシ
リコン単結晶Ｓが１ｑられた。ここで、このシリコン単
結晶Ｓの肩部１０の長さは８馴であった。
の結晶径よりもざらに１０ＩＭＲ太くし、この時点にお
いて、引上げスピードを３〜４１１１１１／分に上シＩ
ざＵて、結晶径がそれ以上太くなるのを防止した後、そ
のまま３〜４＃Ｉ／分の引上げスピードを維持した。こ
れにより、結晶径は細くなっていき、所望の結晶径に戻
った時点で引上げスピードを１．５ｓｎ／分に落とした
。このようにして、第４図に示？Ｉ Ｊ：うな形状のシ
リコン単結晶Ｓが１ｑられた。ここで、このシリコン単
結晶Ｓの肩部１０の長さは８馴であった。
さらに、所望（１００＃！ＩＩ）の結晶径で５００ｍ引
上げた後、第５図に示すように、一対の昇降軸１６に固
定された安全リング１７を上記シリコン単結晶Ｓの肩部
１０の下方３０ｍの位置に該シリコン単結晶Ｓを囲むよ
うに設置し、かつ両昇降軸１６を上記上軸１３の引上げ
スピードと同じ速瓜で上昇させた。その後の結晶成長の
操作は通常の場合と同様である。
上げた後、第５図に示すように、一対の昇降軸１６に固
定された安全リング１７を上記シリコン単結晶Ｓの肩部
１０の下方３０ｍの位置に該シリコン単結晶Ｓを囲むよ
うに設置し、かつ両昇降軸１６を上記上軸１３の引上げ
スピードと同じ速瓜で上昇させた。その後の結晶成長の
操作は通常の場合と同様である。
このようにして、シリコン単結晶Ｓを成長させていくと
、シリコン単結晶Ｓは７２０１Ｍ引上げたところでネッ
ク部２が破損して落下した。しかしながら、シリコン単
結晶Ｓの肩部１０の下方３０ｍに配置した安全リング１
７に該シリコン単結晶Ｓのｈ１部１０が引っかかって、
シリコン単結晶Ｓはそれ以上落下せず、従って、石英ル
ツボ、グラファイトヒーター、下軸、グラファイトヒー
ター等の下部機溝が破壊することはなかった。。
、シリコン単結晶Ｓは７２０１Ｍ引上げたところでネッ
ク部２が破損して落下した。しかしながら、シリコン単
結晶Ｓの肩部１０の下方３０ｍに配置した安全リング１
７に該シリコン単結晶Ｓのｈ１部１０が引っかかって、
シリコン単結晶Ｓはそれ以上落下せず、従って、石英ル
ツボ、グラファイトヒーター、下軸、グラファイトヒー
ター等の下部機溝が破壊することはなかった。。
なお、上記実施例においては、一対の背降軸１６にそれ
ぞれ固定された略Ｕ字状の安全リング１７を用いてシリ
コン単結晶Ｓの落下を防止するように説明したが、それ
に限られることなく、例えば、第６図と第７図に示すよ
うに、支点２０を中心にして開閉する一対の係止爪２１
を用いて、この係止爪２１を閉じた状態（第７図）で、
シリコン単結晶Ｓの肩部１０の下方に配置し、上１ＴＩ
Ｉｌｌ １３に同期して上昇させるようにしてもよい。
ぞれ固定された略Ｕ字状の安全リング１７を用いてシリ
コン単結晶Ｓの落下を防止するように説明したが、それ
に限られることなく、例えば、第６図と第７図に示すよ
うに、支点２０を中心にして開閉する一対の係止爪２１
を用いて、この係止爪２１を閉じた状態（第７図）で、
シリコン単結晶Ｓの肩部１０の下方に配置し、上１ＴＩ
Ｉｌｌ １３に同期して上昇させるようにしてもよい。
また、第８図に示すように、シリコン単結晶Ｓの肩部１
０を直接、結晶保持具２２によって支持して、この結晶
保持具２２を引上げスピードと同じスピードで上昇させ
てもよい。このようにすることにＪ：す、大千蹟でかつ
良いシリコン単結晶Ｓを連続して引上げ成長させること
ができる。
０を直接、結晶保持具２２によって支持して、この結晶
保持具２２を引上げスピードと同じスピードで上昇させ
てもよい。このようにすることにＪ：す、大千蹟でかつ
良いシリコン単結晶Ｓを連続して引上げ成長させること
ができる。
以上説明したように、本発明は、単結晶の直胴部の最上
部に、該直胴部より径の太いｈ１部を形成したものであ
るから、従来のものと比べて、大重量でかつ長い単結晶
を引１げ合成することができ、生産性及び装置稼動率の
向上を図ることができるにに、万一、地震、機械的衝撃
等が加わって、ネック部が破むしてし、＋ｌｉ結晶を確
実に支持することができて、単結晶が落下することなく
、下部機構の破壊を未然に防止できるという優れた効果
を有する。
部に、該直胴部より径の太いｈ１部を形成したものであ
るから、従来のものと比べて、大重量でかつ長い単結晶
を引１げ合成することができ、生産性及び装置稼動率の
向上を図ることができるにに、万一、地震、機械的衝撃
等が加わって、ネック部が破むしてし、＋ｌｉ結晶を確
実に支持することができて、単結晶が落下することなく
、下部機構の破壊を未然に防止できるという優れた効果
を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図ないし
第５図は本発明のＣ７単結晶を製造する単結晶引上げ装
置の一例を示すもので、第２図は概略構成図、第３図は
肩部形成時の説明図、第４図は直胴部形成中の説明図、
第５図は安全リングを設置した状態の説明図、第６図と
第７図は安全リングの他の一例を示すもので、第６図は
係止爪が開いた状態の説明図、第７図は係止爪が閉じた
状態の説明図、第８図は結晶保持具で支えた状態の説明
図、第９図は従来の単結晶の説明図である。 ４・・・・・・直胴部、 １０・・・・・・肩部（
突起部）、Ｓ・・・・・・シリコン単結晶。
第５図は本発明のＣ７単結晶を製造する単結晶引上げ装
置の一例を示すもので、第２図は概略構成図、第３図は
肩部形成時の説明図、第４図は直胴部形成中の説明図、
第５図は安全リングを設置した状態の説明図、第６図と
第７図は安全リングの他の一例を示すもので、第６図は
係止爪が開いた状態の説明図、第７図は係止爪が閉じた
状態の説明図、第８図は結晶保持具で支えた状態の説明
図、第９図は従来の単結晶の説明図である。 ４・・・・・・直胴部、 １０・・・・・・肩部（
突起部）、Ｓ・・・・・・シリコン単結晶。
Claims (2)
- （１）チョクラルスキー法によって、回転させながら引
上げて成長させた単結晶において、 直胴部の最上部に、該直胴部より径が太い肩部を形成し
たことを特徴とする落下防止保持部を有するＣＺ単結晶
。 - （２）上記肩部の直径を直胴部より少なくとも６ｍｍ以
上太く設定したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の落下防止保持部を有するＣＺ単結晶。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62087463A JPS63252991A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 落下防止保持部を有するｃｚ単結晶 |
| US07/178,966 US4973518A (en) | 1987-04-09 | 1988-04-07 | Monocrystal rod pulled from a melt |
| EP88105661A EP0286133B1 (en) | 1987-04-09 | 1988-04-08 | Monocrystal rod and method of pulling same from a melt and apparatus therefor |
| DE8888105661T DE3872745T2 (de) | 1987-04-09 | 1988-04-08 | Einkristallstab, verfahren und vorrichtung zu seiner ziehung aus einer schmelze. |
| US07/568,224 US5173270A (en) | 1987-04-09 | 1990-08-16 | Monocrystal rod pulled from a melt |
| US07/821,819 US5196086A (en) | 1987-04-09 | 1992-01-17 | Monocrystal rod pulled from a melt |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62087463A JPS63252991A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 落下防止保持部を有するｃｚ単結晶 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63252991A true JPS63252991A (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=13915578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62087463A Pending JPS63252991A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 落下防止保持部を有するｃｚ単結晶 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4973518A (ja) |
| EP (1) | EP0286133B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63252991A (ja) |
| DE (1) | DE3872745T2 (ja) |
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| JP2013139388A (ja) * | 2013-04-08 | 2013-07-18 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | シリコン結晶素材及びその製造方法 |
| JP2013144641A (ja) * | 2013-04-08 | 2013-07-25 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | シリコン結晶素材及びその製造方法 |
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1987
- 1987-04-09 JP JP62087463A patent/JPS63252991A/ja active Pending
-
1988
- 1988-04-07 US US07/178,966 patent/US4973518A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-04-08 DE DE8888105661T patent/DE3872745T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-04-08 EP EP88105661A patent/EP0286133B1/en not_active Expired - Lifetime
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| EP0286133B1 (en) | 1992-07-15 |
| DE3872745D1 (de) | 1992-08-20 |
| EP0286133A1 (en) | 1988-10-12 |
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