JPH1192285A - 単結晶成長装置及び単結晶成長方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 減圧されたチャンバ内において大径、大重量
の単結晶の落下を防止して確実にかつ安全に引き上げ
る。 【解決手段】 種結晶２４ａが石英るつぼ１４内のＳｉ
融液に浸漬した後、引き上げることにより種結晶２４ａ
の下に小径のネック部１ａを形成させ、次いでネック部
１ａの下に玉状のくびれ１ｂを形成させる。このとき、
支持台２１の貫通部２３ｂ、引き上げ中の径拡大部１ｂ
に接触しないよう位置制御されている。径拡大部１ｂの
下の第２のネック部１ｃが支持台２１の上方まで上昇す
ると、支持台２１を水平方向に移動させて、スリット２
３ａを径拡大部１ｂの下方に位置させ、環状部材２０ａ
の回転を開始させるとともに、ワイヤ３１ａ、３１ｂ、
３１ｃをワイヤ巻き上げ装置２６ａ、２６ｂ、２６ｃに
より巻き上げて、径拡大部１ｂを下方から支持して、環
状部材２０ａを回転させることにより支持台２１をワイ
ヤ３と同一速度で上昇させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、引上げＣＺ（Czoc
hralski）法によりＳｉ（シリコン）の無転位の単結晶
を製造するための単結晶成長装置及び単結晶成長方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、引上げＣＺ法による単結晶製造
装置では、高耐圧気密チャンバ内を１０torr程度に減圧
して新鮮なＡｒ（アルゴン）ガスを流すとともに、チャ
ンバ内の下方に設けられた石英るつぼ内の多結晶を加熱
して溶融し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬し、
種結晶と石英るつぼを回転、上下移動させながら種結晶
を引き上げることにより、種結晶の下に上端が突出した
円錐形の上部コーン部と、円筒形のボディー部と下端が
突出した円錐形の下部コーン部より成る単結晶（いわゆ
るインゴット）を成長させるように構成されている。

【０００３】また、この成長方法として、種結晶を融液
の表面に浸漬した時の熱衝撃により種結晶に発生する転
位を除去（無転位化）するために、種結晶を融液の表面
に浸漬した後、引上げ速度を比較的速くすることにより
種結晶より小径の例えば直径が３〜４ｍｍのネック部を
形成した後に、上記の上部コーン部の引上げを開始する
ダッシュ(Dash)法が知られている。

【０００４】さらに、この小径のネック部を介しては、
大径、大重量（１５０〜２００ｋｇ以上）の単結晶を引
き上げることができないので、例えば特公平５−６５４
７７号公報に示されるようにDash法により小径のネック
部を形成した後、引上げ速度を比較的遅くして大径を形
成し、次いで引上げ速度を比較的速くして小径を形成す
ることにより「球状のくびれ」を形成し、このくびれを
把持具で把持することにより大径、高重量の単結晶を引
き上げる方法が提案されている。また、くびれを把持す
る従来の装置としては、上記公報の他に、例えば特公平
７−１０３０００号公報、特公平７−５１５号公報に示
されているものがある。

【０００５】また、他の従来例としては、例えば特開平
５−２７０９７４号公報、特開平７−１７２９８１号公
報に示されるように上記「くびれ」を形成しないでボデ
ィー部をそのまま把持する方法や、特開昭６３−２５２
９９１号公報、特開平５−２７０９７５号公報に示され
るように上記「球状のくびれ」の代わりに、上部コーン
部とボディー部の間にボディー部より径が大きい「環状
のくびれ」を形成し、この「環状のくびれ」を把持する
方法が提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の把持装置ではいずれも、真空ポンプにより
１０torr程度に減圧されたチャンバ内において、大径、
大重量（例えばボディー部の直径が４００ｍｍ、重量が
４００ｋｇ）の単結晶を吊り下げる把持具と駆動源の伝
達機構が現実的ではなく、実際的でないという問題点が
ある。なお、もし単結晶と把持具の係止が外れて単結晶
が落下すると、転位が発生して単結晶が商品とならない
ばかりか、石英るつぼが破損して最悪の場合には石英る
つぼを回転、上下移動させるためのるつぼ軸の内部の冷
却水と、高温の融液が反応して水蒸気爆発が発生するこ
ともあり得る。本出願人は大重量の単結晶を引き上げる
ための単結晶引上げ装置として、先に特願平９−９３１
８２号にて、引上げチャンバを上下２分割とし、上部チ
ャンバ自体が回転する構造を提案している（この提案は
未公開につき、本発明に対する従来技術ではない）。し
かし、上部チャンバ自体の重量が数トンにも及ぶため、
その回転機構が大掛かりであり、コストもかかるという
問題があった。

【０００７】本発明は上記従来の問題点並びに上記本出
願人自身の先願にかかる装置の問題点に鑑み、減圧され
たチャンバ内において大径、大重量の単結晶の落下を防
止して確実にかつ安全に引き上げることができる単結晶
棒の落下防止の機能を有する単結晶成長装置及び単結晶
成長方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、チャンバの上方にチャンバに対して単結晶
の引上げ軸を中心に回転可能な支持台引上げ手段を設
け、チャンバ内部に複数のワイヤにて吊るされたスリッ
トを有する支持台を設け、この支持台にて単結晶の径拡
大部を下方から支持し、支持台引上げ手段に設けたワイ
ヤ巻上げ手段にて複数のワイヤを巻上げて、支持台を上
昇させる構成とし、よって、種結晶の下に単結晶のネッ
ク部を形成してネック部の下に単結晶の径拡大部とくび
れを形成するまでは種結晶を支持して引き上げ、その後
はチャンバ内の支持台によりくびれを支持して引き上げ
るよう構成したものである。

【０００９】すなわち本発明によれば、内部に石英るつ
ぼが配置されるチャンバと、前記チャンバの上において
前記チャンバに対して回転可能に配置されて種結晶を上
下方向に昇降させる種結晶昇降機構と、前記チャンバ内
で上下方向及び水平方向に移動可能に配置され、単結晶
の径拡大部を下方から支持可能なように貫通スリットを
有する支持台と、前記チャンバに対して回転可能であ
り、前記支持台に接続された複数のワイヤを巻上げるワ
イヤ巻上げ手段を有する支持台引上げ手段とを有し、前
記種結晶昇降機構は、種結晶を前記石英るつぼ内の融液
に浸漬して引き上げることにより種結晶の下に単結晶の
ネック部を形成し、次いで前記ネック部の下に単結晶の
くびれを形成するために用いられ、前記支持台は、前記
単結晶のくびれが形成された後に前記くびれの上方の径
拡大部を下方から把持して上昇させて単結晶を引き上げ
るために用いられるよう構成された単結晶成長装置が提
供される。

【００１０】また本発明によれば、内部に石英るつぼが
配置されるチャンバと、前記チャンバの上において前記
チャンバに対して回転可能に配置されて種結晶を上下方
向に昇降させる種結晶昇降機構と、前記チャンバ内で上
下方向及び水平方向に移動可能に配置され、単結晶の径
拡大部を下方から支持可能なように貫通スリットを有す
る支持台と、前記チャンバに対して回転可能であり、前
記支持台に接続された複数のワイヤを巻上げるワイヤ巻
上げ手段を有する支持台引上げ手段とを有する単結晶成
長装置を用いた単結晶成長方法であって、前記種結晶昇
降機構により前記種結晶を前記石英るつぼ内の融液に浸
漬してなじませるステップと、前記種結晶昇降機構によ
り前記種結晶を引き上げることにより前記種結晶の下に
単結晶のネック部を形成するステップと、次いで前記ネ
ック部の下に単結晶の径拡大部とその下方にくびれを形
成するステップと、前記支持台の貫通スリットを前記単
結晶の径拡大部の下方に位置するよう前記支持台を水平
移動させ、前記単結晶の径拡大部を下から把持するステ
ップと、前記種結晶昇降機構と前記ワイヤ巻上げ手段に
より前記種結晶と前記単結晶の径拡大部を引き上げて単
結晶を成長させるステップとを、有する単結晶成長方法
が提供される。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明に係る単結晶成長装
置の一実施形態の構成を概略的に示す側断面図、図２は
図１の上部チャンバの上部に設けられた支持台引上げ機
構の構成を概略的に示す平面図、図３は図１中の支持台
２１を示す斜視図、図４は支持台２１の平面図、図５〜
図７は図３、図４の支持台の動作を示す説明図である。

【００１２】図１において、フレーム１０内には下部チ
ャンバ１１と上部チャンバ１２が配置され、また、フレ
ーム１０の上にドラム部１３が配置されている。これら
のチャンバ１０〜１２とドラム部１３は高耐圧の真空容
器で構成され、また、Ａｒガスが上部チャンバ１２内に
引き込まれて下部チャンバ１１から排出されるように構
成されている。下部チャンバ１１はフレーム１０内の下
方に固定され、下部チャンバ１１内には単結晶１を引き
上げるための石英るつぼ１４と、石英るつぼ１４内の多
結晶１５を溶融させるためのヒータ１６などが配置され
ている。石英るつぼ１４は回転可能に、かつ上下方向に
移動可能に支持されている。

【００１３】上部チャンバ１２は水冷ジャケット方式で
構成される。すなわち、上部チャンバ１２は、上部チャ
ンバ本体１２ａと、その周囲に配された冷却部１２ｂを
有し、上部チャンバ１２全体は、下部チャンバ１１の上
に固定・支持されている。上部チャンバ１２の上部には
環状部材２０ａが上部チャンバ１２に回転可能なように
ボールベアリング２７ａと図示省略の真空シールを介し
て支持されている。図２に示すように上部チャンバ１２
の上部に配される環状部材２０ａは、それ自体がプーリ
として動作し、ベルト１９、プーリ２０ｂを介して環状
部材回転モータＭに連結され、モータＭが回転すると環
状部材２０ａが回転する。この環状部材２０ａは後述す
る支持台２１を単結晶の引上げ軸を中心として回転させ
るものである。また、環状部材２０ａには３つのワイヤ
巻上げ装置２６ａ、２６ｂ、２６ｃが取り付けられ、図
１、図３に示すように支持台２１に接続された３本のワ
イヤ３１ａ、３１ｂ、３１ｃをそれぞれ同期して巻き上
げるよう構成されている。すなわち、環状部材２０ａは
支持台２１を引上げるをも有しているので、環状部材２
０ａは支持台引上げ手段として動作する。

【００１４】さらに、ドラム部１３はフレーム１０に対
して回転可能なようにボールベアリング１７ｃを介して
支持され、また、ドラム部１３と上部チャンバ１２の間
には真空シール１８ｂが設けられている。ドラム部１３
内には単結晶引き上げ用のワイヤ３を巻き取るための巻
取りドラム４と図示省略のワイヤ巻取りモータが配置さ
れ、また、ドラム部１３は図示省略のドラム回転モータ
により回転する。ワイヤ３、巻取りドラム４、ワイヤ巻
取りモータは種結晶昇降機構を構成している。なお、ワ
イヤ３などの代わりにシャフトと、シャフト上下機構と
シャフト回転機構を設けて単結晶１を引き上げるように
してもよい。

【００１５】上部チャンバ１２内には、図３に詳しく示
すように支持台２１が３本のワイヤ３１ａ、３１ｂ、３
１ｃにより支持されている。支持台２１は、全体が略楕
円形で平らな板状部材に貫通孔を設けたものである。こ
の貫通孔は単結晶の径拡大部１ｂが通過可能な貫通部２
３ｂとこれに連通し、径拡大部１ｂを下方から支持する
ための貫通スリット２３ａを有している。また、別の見
方をすれば、支持台２１はＵ字状スリットを有する全体
がＵ字状の平らな部材２２と、これにつながり、Ｕ字状
スリットの開放端の先に貫通部２３ｂを画定するＵ字状
枠部２８を有している。Ｕ字状の平らな部材２２とＵ字
状枠部２８には、ワイヤ取付け用の金具３０ａ、３０
ｂ、３０ｃが取り付けられている。また、Ｕ字状の平ら
な部材２２の底部には小孔２９が設けられている。この
小孔２９は後述する図５〜図７で説明するように、支持
台２１を水平に移動させるための外力を加えるレバー３
２が嵌合可能となっている。

【００１６】なお、上記環状部材回転モータＭ、図示省
略のドラム回転モータ、図示省略のワイヤ巻取りモー
タ、ワイヤ巻上げ装置２６ａ、２６ｂ、２６ｃの図示省
略のモータには制御装置２５から後述する制御信号が供
給されている。制御装置２５には、石英るつぼ１４の温
度情報、成長中の単結晶１の直径情報が図示省略の温度
センサやＣＣＤカメラなどから与えられている。

【００１７】このような構成において、単結晶１を製造
する場合、まず、チャンバ１０〜１２とドラム部１３内
を減圧してＡｒガスを流すとともに、石英るつぼ１４内
の多結晶１５をヒータ１６により加熱して溶融させる。
また、ワイヤ３の先端に取り付けられた種結晶ホルダ２
４に種結晶２４ａを取り付け、次いで種結晶２４ａが石
英るつぼ１４内のＳｉ融液に浸漬するように、ワイヤ巻
取りドラム４を回転させてワイヤ３を下降させる。この
とき、支持台２１は、レバー３２により図中、右方向に
水平移動した位置（レバー３２の位置は図５の位置）に
あり、径拡大部１ｂが通過可能な貫通部２３ｂの中央付
近にワイヤ３が位置している。

【００１８】次いで、種結晶２４ａが石英るつぼ１４内
のＳｉ融液に浸漬された後、所定時間経過後に種結晶２
４ａを比較的速い速度で引き上げることにより種結晶２
４ａの下に直径が３〜４ｍｍの小径のネック部１ａを形
成させ、次いで引き上げ速度を比較的遅くして径を大き
く形成した後に、引き上げ速度を比較的速くすることに
よりネック部１ａの下に玉状の径大部１ｂを形成させ
る。このとき、図５に示すように支持台２１の貫通部２
３ｂは、引き上げ中の径拡大部１ｂに接触しないよう
に、その中央部近傍に径拡大部１ｂの中心が位置するよ
う、位置制御される。また、この引き上げ中は、ドラム
部１３すなわち種結晶２４ａと石英るつぼ１４は回転し
ており、さらに石英るつぼ１４はＳｉ融液の表面の高さ
が一定になるように上昇している。

【００１９】径拡大部１ｂを形成すると、製造が完了し
た単結晶１の重量（例えば４００ｋｇ）に耐えることが
できるように、小径のネック部１ａより大径であって、
径拡大部１ｂの径より小さい第２のネック部１ｃを径拡
大部１ｂの下に形成し、次いで引き上げ速度を徐々に遅
くすることにより上部コーン１ｄを形成し、次いで一定
の速度で引き上げることにより円筒形のボディー部１ｅ
を形成する。ここまでの引き上げ工程では、単結晶１は
小径のネック部１ａのみを介して支持され、その限度は
１００ｋｇ以下である。

【００２０】次いで、ワイヤ３によるボディー部１ｅの
引き上げ中において、ネック部１ａが破断する前に径拡
大部１ｂの下を支持台２１により支持するために、径拡
大部１ｂを下方から支持すべく、レバー３２を水平方向
に操作して、支持台２１のスリット２３ａの上方に径拡
大部１ｂが位置するよう、支持台２１を図中左方に移動
させる（図６、図７）。スリット２３ａが完全に径拡大
部１ｂの下方に入りこんで、図７の状態となると、環状
部材２０ａに取り付けられた３つのワイヤ巻上げ装置２
６ａ、２６ｂ、２６ｃのモータを駆動して、ワイヤ３１
ａ、３１ｂ、３１ｃをそれぞれ同期して巻き上げる。こ
のときの支持台２１の上昇速度は、種結晶２４ａの上昇
速度よりわずかに速くなるよう制御される。その結果、
支持台２１は径拡大部１ｂの下方に当接して、径拡大部
１ｂを下方から支持することとなる。その後は、支持台
２１をワイヤ３と同一速度で上昇させる。かかる同期運
転を行うためには、巻取りドラム４を駆動するモータと
ワイヤ巻上げ装置２６ａ、２６ｂ、２６ｃを回転させる
モータとの間で種結晶２４ａと支持台２１の上昇速度が
同一となるような同期がとられるよう、所定の同期用制
御信号をコンピュータを含む制御装置２５から与える。

【００２１】かかる同期運転時に、環状部材２０ａはド
ラム部１３と同期して単結晶の軸の周囲を回転している
ので、支持台２１も同様に同期回転し、よって単結晶１
は転位しない。すなわち、環状部材２０ａを回転させる
モータＭはドラム部１３を回転させるモータと同期回転
するよう前述の制御装置２５から制御される。以下、ボ
ディー部１ｅの引き上げ中には単結晶１を支持台２１
（及びワイヤ３）により支持して引き上げる。このよう
に、支持台２１は単結晶１の引上げ方向に対して実質的
に垂直な面内で水平方向に移動可能であり、スリット２
３ａ径拡大部１の下方にあるとき、ワイヤ３１ａ、３１
ｂ、３１ｃをそれぞれ同期して巻き上げることにより単
結晶の径拡大部１ｂは支持台２１により確実に保持さ
れ、よって径拡大部１ｂを落下させることなく、しっか
りと保持することができる。

【００２２】上記実施の形態では、上部チャンバと下部
チャンバの２つが有る場合について説明したが、本発明
は上部と下部のチャンバが一体となっているものにも好
適に適用することができる。また、支持台２１の水平移
動はレバーによらず、支持台２１から水平に伸長する複
数のワイヤを用いたり、その他の外力を加える方法によ
ることができる。かかる、支持台に外力を加える手段
は、その一端を上部チャンバ１２の外部に突出させ、手
動にて操作することもできるし、ラックアンドピピニオ
ン機構とモータを組み合わせた駆動機構を設け、遠隔制
御したり、自動制御することもできる。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、チ
ャンバの上方にチャンバに対して単結晶の引上げ軸を中
心に回転可能な支持台引上げ手段を設け、チャンバ内部
に複数のワイヤにて吊るされたスリットを有する支持台
を設け、この支持台にて単結晶の径拡大部を下方から支
持し、支持台引上げ手段に設けたワイヤ巻上げ手段にて
複数のワイヤを巻上げて、支持台を上昇させる構成と
し、よって、種結晶の下に単結晶のネック部を形成して
ネック部の下に単結晶の径拡大部とくびれを形成するま
では種結晶を支持して引き上げ、その後はチャンバ内の
支持台によりくびれを支持して引き上げるようにしたの
で、減圧されたチャンバ内において大径、大重量の単結
晶の落下を防止して確実にかつ安全に引き上げることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る単結晶成長装置の一実施形態の構
成を概略的に示す側面図である。

【図２】図１の上部チャンバ内の支持台を回転させる環
状部材とその駆動部の構成を概略的に示す平面図であ
る。

【図３】図１の支持台を示す斜視図である。

【図４】図１の支持台を示す底面図である。

【図５】図３の単結晶把持装置の動作を示す説明図であ
る。

【図６】図３の単結晶把持装置の動作を示す説明図であ
る。

【図７】図３の単結晶把持装置の動作を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１ 単結晶 １ａ ネック部 １ｂ 径拡大部 １ｃ ネック部（くびれ） ３ ワイヤ ４ 巻取りドラム（ワイヤ、図示省略のモータと共に種
結晶昇降機構を構成する） １０ フレーム １１ 下部チャンバ １２ 上部チャンバ １２ａ 上部チャンバ本体 １２ｂ 冷却部 １３ ドラム部 ２０ａ、２０ｂ プーリ ２１ 支持台 ２２ Ｕ字状の平らな部材 ２３ａ スリット ２３ｂ 貫通部 ２４ 種結晶ホルダ ２４ａ 種結晶 ２５ 制御装置（各モータと共に引上げ速度を同期させ
る手段及び単結晶の軸を中心に同期回転させる手段を構
成する） ２６ａ、２６ｂ、２６ｃ ワイヤ巻上げ装置 ２７ａ ボールベアリング ２８ 枠部 ２９ 小孔 ３０ａ、３０ｂ、３０ｃ ワイヤ取付け用の金具 ３１ａ、３１ｂ、３１ｃ ワイヤ ３２ レバー Ｍ 上部チャンバ回転モータ

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部に石英るつぼが配置されるチャンバ
   と、 前記チャンバの上において前記チャンバに対して回転可
   能に配置されて種結晶を上下方向に昇降させる種結晶昇
   降機構と、 前記チャンバ内で上下方向及び水平方向に移動可能に配
   置され、単結晶の径拡大部を下方から支持可能なように
   貫通スリットを有する支持台と、 前記チャンバに対して回転可能であり、前記支持台に接
   続された複数のワイヤを巻上げるワイヤ巻上げ手段を有
   する支持台引上げ手段とを有し、 前記種結晶昇降機構は、種結晶を前記石英るつぼ内の融
   液に浸漬して引き上げることにより種結晶の下に単結晶
   のネック部を形成し、次いで前記ネック部の下に単結晶
   のくびれを形成するために用いられ、前記支持台は、前
   記単結晶のくびれが形成された後に前記くびれの上方の
   径拡大部を下方から把持して上昇させて単結晶を引き上
   げるために用いられるよう構成された単結晶成長装置。
2. 【請求項２】 前記支持台は前記径拡大部の下方から外
   れた第１の位置と前記径拡大部の下方の第２の位置との
   間で水平方向に移動可能なように、水平方向に外力を加
   えるための外力印加手段を有する請求項２記載の単結晶
   成長装置。
3. 【請求項３】 前記外力印加手段は前記単結晶の引上げ
   方向に対して実質的に垂直な面内で回動可能である請求
   項１又は２記載の単結晶成長装置。
4. 【請求項４】 前記支持台は前記貫通スリットの開放端
   につながり、前記径拡大部の上昇時に、前記径拡大部が
   通過可能な貫通部を有し、前記径拡大部が所定高さまで
   上昇したとき、水平方向に移動して前記貫通スリットが
   前記径拡大部の下方のくびれを囲むよう配置される構造
   である請求項１ないし３記載の単結晶成長装置。
5. 【請求項５】 前記ワイヤ巻上げ手段が前記複数のワイ
   ヤの引上げ速度を同期させる手段を有する請求項１ない
   し４のいずれか１つに記載の単結晶成長装置。
6. 【請求項６】 前記種結晶昇降機構による前記種結晶と
   前記ワイヤ巻上げ手段による前記支持台のそれぞれの引
   上げ速度を同期させる手段を更に有する請求項１ないし
   ５のいずれか１つに記載の単結晶成長装置。
7. 【請求項７】 前記種結晶昇降機構と前記支持台引上げ
   手段を前記単結晶の軸を中心に同期回転させる手段を更
   に有する請求項１ないし６のいずれか１つに記載の単結
   晶成長装置。
8. 【請求項８】 前記チャンバは、 内部に前記石英るつぼが配置される下部チャンバと、 前記下部チャンバの上部に位置し、内部に前記支持台が
   配置される上部チャンバ本体と、 前記上部チャンバ本体の周りに配置されて前記上部チャ
   ンバ本体を冷却する冷却部とを有している請求項１ない
   し７のいずれか１つに記載の単結晶成長装置。
9. 【請求項９】 内部に石英るつぼが配置されるチャンバ
   と、前記チャンバの上において前記チャンバに対して回
   転可能に配置されて種結晶を上下方向に昇降させる種結
   晶昇降機構と、前記チャンバ内で上下方向及び水平方向
   に移動可能に配置され、単結晶の径拡大部を下方から支
   持可能なように貫通スリットを有する支持台と、前記チ
   ャンバに対して回転可能であり、前記支持台に接続され
   た複数のワイヤを巻上げるワイヤ巻上げ手段を有する支
   持台引上げ手段とを有する単結晶成長装置を用いた単結
   晶成長方法であって、 前記種結晶昇降機構により前記種結晶を前記石英るつぼ
   内の融液に浸漬してなじませるステップと、 前記種結晶昇降機構により前記種結晶を引き上げること
   により前記種結晶の下に単結晶のネック部を形成するス
   テップと、 次いで前記ネック部の下に単結晶の径拡大部とその下方
   にくびれを形成するステップと、 前記支持台の貫通スリットを前記単結晶の径拡大部の下
   方に位置するよう前記支持台を水平移動させ、前記単結
   晶の径拡大部を下から把持するステップと、 前記種結晶昇降機構と前記ワイヤ巻上げ手段により前記
   種結晶と前記単結晶の径拡大部を引き上げて単結晶を成
   長させるステップとを、 有する単結晶成長方法。
10. 【請求項１０】 前記種結晶昇降機構による前記種結晶
    と前記ワイヤ巻上げ手段による前記支持台のそれぞれの
    引上げ速度を同期させるステップを更に有する請求項９
    記載の単結晶成長方法。
11. 【請求項１１】 前記種結晶昇降機構と前記支持台引上
    げ手段を前記単結晶の軸を中心に同期回転させるステッ
    プを更に有する請求項９又は１０記載の単結晶成長方
    法。